KR100661692B1 - Method of preparing preforms for optical fibers - Google Patents

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Abstract

본 발명은 광섬유용 예비 성형물(preform) 준비 방법을 제공한다. 본 발명은 광섬유 중심부에서의 바람직하지 않은 굴절률 변화(refractive index variation)를 제거하거나 크게 감소시키도록 한다. 중심 도관(central duct)을 갖는 예비 성형물 준비 방법은 제 1 함몰(collapsing) 단계, 에칭 단계, 및 제 2 함몰 단계를 포함한다. 제 1 함몰 단계에서는 예비 성형물을 제 1 예비 성형물 함몰 온도에서 가열함으로써 중심 도관을 밀봉하지 않고서도 중심 도관의 크기를 감소시킨다. 에칭 단계에서는 상술한 제 1 예비 성형물 함몰 온도보다 낮은 온도로 중심 도관을 통해 에칭제 가스를 유입시켜, 코어 유리층의 최종 증착층 부분을 에칭한다. 최종적으로, 이러한 예비 성형물을 제 2 함몰 온도에서 함몰시켜, 예비 성형물의 중심 도관을 밀봉함으로써 고체 막대(a solid rod)를 형성한다.The present invention provides a method for preparing a preform for an optical fiber. The present invention seeks to eliminate or greatly reduce undesirable refractive index variations at the fiber center. The method of preparing a preform having a central duct includes a first collapsing step, an etching step, and a second depression step. In the first depression step, the preform is heated at the first preform depression temperature to reduce the size of the center conduit without sealing the center conduit. In the etching step, the etchant gas is introduced through the center conduit at a temperature lower than the first preform depression temperature described above to etch the final deposited layer portion of the core glass layer. Finally, this preform is recessed at a second depression temperature to form a solid rod by sealing the central conduit of the preform.

Description

광섬유용 예비 성형물 준비 방법{METHOD OF PREPARING PREFORMS FOR OPTICAL FIBERS} METHODS OF PREPARING PREFORMS FOR OPTICAL FIBERS}             

도 1은 종래의 방법에 따라 준비된 종래 기술의 다중 모드 섬유에 대한 굴절율 프로파일을 도시한 도면,1 shows a refractive index profile for a multimode fiber of the prior art prepared according to a conventional method,

도 2는 본 발명에 따라 준비된 다중 모드 섬유에 대한 굴절율 프로파일을 도시한 도면,2 shows a refractive index profile for a multimode fiber prepared according to the present invention;

도 3은 종래 기술의 광섬유에 대한 차분 모드 지연도,3 is a differential mode delay diagram for an optical fiber of the prior art,

도 4는 본 발명에 따라 생성된 광섬유에 대한 차분 모드 지연도. 4 is a differential mode delay diagram for an optical fiber produced in accordance with the present invention.

본 출원은 1999년 3월 8일에 "Method to Manufacture Optical Fibers"란 명칭으로 출원된 미국 특허 가출원 제 60/123,136 호의 우선권을 청구한다.This application claims the priority of US Provisional Application No. 60 / 123,136, filed March 8, 1999, entitled "Method to Manufacture Optical Fibers."

본 발명은 광섬유용 예비 성형물(preform) 준비 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 광섬유의 중심부에서 바람직하지 않은 굴절율 변화를 제거하거나 크게 감소시키는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for preparing a preform for an optical fiber. More particularly, the present invention relates to a method for eliminating or greatly reducing undesirable refractive index changes in the center of an optical fiber.

유리 광섬유를 제조하는 공정 중의 하나는, 고체 유리 막대 내부로 중심 도관(duct)을 갖는 예비 성형물을 함몰시키는 것이다. 중심 도관을 밀폐하는 공정 중에, 게르마늄과 같은 휘발성 도펀트가 예비 성형물 구조체의 한 위치로부터 탈리(desorbed) 또는 방출(released)된다. 그 후, 이들 도펀트 분자가 다른 위치에서 재증착되거나, 예비 성형물 밖으로 운반된다. 이들 도펀트의 재증착 및/또는 운반으로 인해서, 코어의 중심에서 바람직하지 않은 굴절율 편향이 발생된다. 도 1에는 종래 기술의 다중 모드 유리 광섬유의 굴절율 프로파일이 예시되어 있다. 굴절율 편향으로 인해서 스파이크(spike)나 침하(dip)가 형성된다. 그러한 굴절율 편향은 발진 조건이 한정된 고속 시스템에서 악영향을 미친다.One of the processes for making glass optical fibers is to recess the preform with a central duct into a solid glass rod. During the process of sealing the central conduit, volatile dopants such as germanium are desorbed or released from one location of the preform structure. These dopant molecules are then redeposited at other locations or carried out of the preform. Due to the redeposition and / or transport of these dopants, undesirable refractive index deflections occur at the center of the core. 1 illustrates an index of refraction of a multimode glass optical fiber of the prior art. Due to the refractive index deflection, spikes or dips are formed. Such refractive index deflection is adversely affected in high speed systems with limited oscillation conditions.

따라서, 종래의 이러한 문제점을 해결하기 위해서 노력하고 있다. 미국 특허 제 4,793,843 호에는 광섬유 예비 성형물의 제조 방법이 개시되어 있다. 거기에 설명된 공정에서는, 함몰시키기 위해서 예비 성형물을 가열할 때 예비 성형물의 중심 도관을 통해서, 산소 화합물과 플루오르카본(fluorocarbon) 화합물 C2F6로 이루어진 가스 에칭제를 흘린다. 즉, 예비 성형물이 함몰됨과 동시에 에칭이 이루어진다. 따라서, 에칭 동안에, 함몰 온도에서 에칭이 수행되므로, 플루오르가 유리 구조체 내로 확산되고, 게르마늄이 휘발된다. 미국 특허 제 4,793,843 호에는 가스 에칭제가 중심 도관을 통과하기 전의 중심 도관 크기가 약 1밀리미터라고 설명되어 있다. 중심 도관의 크기가 작을 경우, 표면 장력으로 인한 도관 밀폐의 위험 부담으로 인해서 공정 제어가 어려워진다. 예비 성형물이 형성되는 동안 도관이 너무 빨리 밀폐되는 경우, 유리가 더욱 가늘어지고 예비 성형물 내부에 바람직하지 않은 기포선(airline)이 발생될 우려가 있다. 비록 최종적인 고체 예비 성형물 및 그 예비 성형물로부터 도출된 광섬유의 굴절율 프로파일이 개선된다 할지라도, 미국 특허 제 4,793,843 호에 개시된 기술에는 C2F6로 에칭하는 한계가 있다. 또한, 함몰 온도에서 SF6로 에칭하는 경우 함몰 온도에서 C2F6로 에칭하는 것보다는 효과가 떨어진다고 특히 기술되어 있다. 다른 종래 기술(예를 들어, 미국 특허 제 5,761,366 호, 미국 특허 제 4,557,561 호 및 스케나이더(Scheneider) 등에 의한 Proceedings of ECOC 1982)에도 함몰되는 동안 SF6로 에칭하는 것이 개시되어 있지만, 단지 함몰하는 단계와 별도의 단계로서 수행되는 것일 뿐이다.Therefore, efforts have been made to solve such problems in the related art. U. S. Patent No. 4,793, 843 discloses a method of making an optical fiber preform. In the process described there, a gas etchant consisting of an oxygen compound and a fluorocarbon compound C 2 F 6 flows through the central conduit of the preform when the preform is heated for depression. That is, the preform is recessed and etching is performed at the same time. Thus, during etching, etching is performed at a depression temperature, so that fluorine diffuses into the glass structure and germanium is volatilized. U. S. Patent No. 4,793, 843 describes a central conduit size of about 1 millimeter before the gas etchant passes through the central conduit. If the center conduit is small, process control is difficult due to the risk of conduit closure due to surface tension. If the conduit is closed too quickly while the preform is being formed, there is a fear that the glass becomes thinner and undesirable airlines are generated inside the preform. Although the refractive index profile of the final solid preform and the optical fiber derived from the preform is improved, the technique disclosed in US Pat. No. 4,793,843 has a limitation of etching with C 2 F 6 . It is also particularly described that etching with SF 6 at the depression temperature is less effective than etching with C 2 F 6 at the depression temperature. Other prior art (eg, US Pat. No. 5,761,366 No. 4,557,561 and Proceedings of ECOC 1982 by Scheneider et al. Disclose etching with SF 6 while being depressed, but only performed as a separate step from the sinking step.

본 발명은 광섬유의 중심부에서 바람직하지 않은 굴절율 변화를 제거하거나 크게 감소시키는 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 광섬유용 예비 성형물 준비 방법에는 다음 단계들이 포함된다. 중심 도관을 갖는 예비 성형물을 제 1 함몰 온도로 가열하여 중심 도관의 크기를 줄인다. 그 다음, 예비 성형물의 최소 함몰 온도보다 낮은 온도에서 중심 도관의 표면을 에칭하여, 증착된 코어 재료 부분을 제거한다. 최종적으로, 예비 성형물을 제 2 함몰 온도로 재가열하여 예비 성형물의 중심 도관을 완전히 함몰시킨다. The present invention provides a method for eliminating or greatly reducing undesirable refractive index changes at the center of an optical fiber. The method for preparing a preform for an optical fiber according to the present invention includes the following steps. The preform with the center conduit is heated to the first depression temperature to reduce the size of the center conduit. The surface of the central conduit is then etched at a temperature below the minimum depression temperature of the preform to remove the deposited core material portion. Finally, the preform is reheated to a second depression temperature to completely retract the center conduit of the preform.

중심 도관을 통해서 에칭제 가스를 흘려 에칭 단계를 수행한다. 에칭제 가스에는 산소와 SF6의 혼합물이 포함된다. 에칭 공정은 예비 성형물의 최소 함몰 온도보다 약 200∼400℃ 낮은 온도에서 수행하는 것이 바람직하다. 본 발명에서는 약 1600∼2000℃의 온도 범위에서 에칭 공정을 수행한다.The etching step is performed by flowing etchant gas through the central conduit. The etchant gas contains a mixture of oxygen and SF 6 . The etching process is preferably carried out at a temperature of about 200 to 400 ° C. below the minimum depression temperature of the preform. In the present invention, the etching process is performed in the temperature range of about 1600 to 2000 ℃.

본 발명의 제 1 실시예에 있어서, 제 1 가열/부분 함몰 단계에서는, 2150±100℃의 온도 범위에서 감소하는 토치(torch) 횡단 속도 및 예비 성형물의 흡입구에서 배출구 방향으로 3개의 함몰 경로가 형성된다. 약 1800℃에서 중심 도관을 통해 에칭제 가스를 흘려 에칭 공정을 수행한다. 그 에칭제 가스에는 SF6 6sccm과 산소 194sccm의 혼합물이 포함된다. 그 다음, 2200±100℃의 온도 범위에서 예비 성형물을 최종적으로 함몰시킨다.In the first embodiment of the invention, in the first heating / partial depression step, three depression paths are formed in the direction of the outlet at the inlet to the torch transverse speed and the inlet of the preform which decrease in the temperature range of 2150 ± 100 ° C. do. The etching process is performed by flowing an etchant gas through the central conduit at about 1800 ° C. The etchant gas contains a mixture of SF 6 6 sccm and oxygen 194 sccm. Then, the preform is finally recessed in the temperature range of 2200 ± 100 ° C.

본 발명의 제 2 실시예에 있어서, 2250±150℃의 온도 범위에서 감소하는 토치 횡단 속도 및 예비 성형물의 흡입구에서 배출구 방향으로 횡단 토치를 통해 3개의 함몰 경로가 형성된다. 약 1800℃에서 중심 도관을 통해 에칭제 가스를 흘려 에칭 공정을 수행한다. 그 에칭제 가스에는 SF6 6sccm과 산소 194sccm의 혼합물이 포함된다. 최종적으로, 2220±100℃의 온도 범위에서 예비 성형물을 함몰시킨다.In a second embodiment of the invention, three recessed paths are formed through the crossover torch in the direction of the outlet from the inlet to the outlet of the preform and the torch crossing speed decreasing in the temperature range of 2250 ± 150 ° C. The etching process is performed by flowing an etchant gas through the central conduit at about 1800 ° C. The etchant gas contains a mixture of SF 6 6 sccm and oxygen 194 sccm. Finally, the preform is recessed in the temperature range of 2220 ± 100 ° C.

본 발명의 제 3 실시예에 있어서, 예비 성형물의 배출 종단에서 흡입 종단 방향으로 횡단 토치를 통해서 3 개의 함몰 경로가 형성되며, 이때 예비 성형물로부터 가스가 배출되는 것을 방지하기 위해서 배출 종단을 디바이스로 플러깅(plugging)한다. 그 다음, 배출 종단에서 디바이스를 제거한 후, 1800±150℃의 온도 범위에서 예비 성형물을 가열하면서 SF6 6sccm과 산소 194sccm의 에칭제 가스를 흘려 에칭 공정을 수행한다. 최종적으로, 2220±100℃의 온도 범위에서 예비 성형물을 함몰시켜 고체 막대를 형성한다.In a third embodiment of the invention, three recessed paths are formed through the transverse torch from the discharge end of the preform to the suction end, whereby the discharge end is plugged into the device to prevent gas from escaping from the preform. (plugging) Then, after removing the device at the discharge end, the etching process is performed by flowing an etchant gas of SF 6 6sccm and oxygen 194sccm while heating the preform in a temperature range of 1800 ± 150 ° C. Finally, the preform is recessed in the temperature range of 2220 ± 100 ° C. to form a solid rod.

본 발명의 특징 및 구성 요소는 후술하는 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 상세한 설명에 의해서 보다 잘 이해될 수 있을 것이다.The features and components of the present invention will be better understood by the following detailed description of preferred embodiments of the invention.

본 발명은 굴절율 프로파일의 중심에서 스파이크, 침하 및/또는 플래토(plateau)와 같은 실질적인 굴절율 변화가 없는 예비 성형물 준비 방법을 개시한다. 본 발명의 목적은 중심 도관을 갖는 예비 성형물을 부분적으로 함몰시키고, 예비 성형물의 최소 함몰 온도보다 낮은 온도에서 코어의 최종 증착층 부분을 에칭한 후, 최종적으로 예비 성형물을 함몰시켜 고체 막대를 형성함으로써 달성된다. 광섬유가 본 발명에 따라 준비된 예비 성형물로부터 도출될 경우, 광섬유는 중심 결함이 크게 감소된 굴절율 프로파일을 보여준다. 본 발명의 절차가 최적화되면, 광섬유의 중심에서 굴절율이 평탄(smooth)해진다.The present invention discloses a method for preparing preforms without substantial refractive index changes such as spikes, settlements and / or plateaus at the center of the refractive index profile. It is an object of the present invention to partially recess a preform having a central conduit, etch a portion of the final deposited layer of the core at a temperature below the minimum depression temperature of the preform, and then finally recess the preform to form a solid rod. Is achieved. When the optical fiber is derived from the preform prepared according to the invention, the optical fiber shows a refractive index profile with a significantly reduced central defect. When the procedure of the present invention is optimized, the refractive index is smoothed at the center of the optical fiber.

본 발명의 하나의 양상에 따르면, 산소와 SF6의 혼합물이 에칭 공정동안 에칭제 가스로서 사용된다. 이 가스 혼합물은 SF6 분자의 접합 에너지가 낮기 때문에 종래 기술(미국 특허 제 4,793,843 호)에서 제안된 플루오르화 탄화수소보다 낮은 온도에서 생성된 고농도의 F 원자를 분해한다. 따라서, 본 발명에서는 최소 함몰 온도보다 200∼400℃ 낮은 온도에서 에칭 공정이 수행된다. 또한, 저온 에칭으로 인해서, 본 발명에서는 에칭 공정동안 플루오르의 유리로의 확산 및 게르마늄의 휘발성이 현저히 감소된다. 에칭제 가스의 유속은 SF6가 3.0∼60.0sccm이고, 산소는 50∼1500sccm이다. 에칭 공정 동안의 에칭 속도는 0.003㎠/min∼0.08㎠/min이다.According to one aspect of the invention, a mixture of oxygen and SF 6 is used as etchant gas during the etching process. This gas mixture decomposes higher concentrations of F atoms produced at lower temperatures than the fluorinated hydrocarbons proposed in the prior art (US Pat. No. 4,793,843) because of the low bonding energy of SF 6 molecules. Therefore, in the present invention, the etching process is performed at a temperature of 200 to 400 DEG C lower than the minimum depression temperature. In addition, due to low temperature etching, the present invention significantly reduces the diffusion of fluorine into the glass and the volatility of germanium during the etching process. The flow rate of the etchant gas is SF 6 is 3.0 to 60.0 sccm, and oxygen is 50 to 1500 sccm. The etching rate during the etching process is 0.003 cm 2 / min to 0.08 cm 2 / min.

본 발명의 다른 양상에 따르면, 본 발명의 처리 온도가 종래 기술에서의 처리 온도보다 낮기 때문에, 보다 큰 크기의 기포선을 허용한다. 가스 혼합물은 비교적 낮은 온도에서 분해되고, 종래 기술에서 이용되는 것보다 훨씬 큰 중심 도관에서 식가할 수 있는데, 그로 인해 훨씬 더 강건한 공정이 되도록 한다. 보다 낮은 온도로 인해서 플루오르가 유리 매트릭스로 확산되는 길이가 감소된다. 따라서, 기포선의 절대 크기는 종래 기술에서 설명된 임계치보다 덜 중요하다. 본 발명에 따라서 제조된 광 예비 성형물은 중심 도관이 5㎜ 정도로 큰 경우에도 외관상의 중심 침하가 없다. 대략 1600∼2000℃의 온도 범위, 특히 1800℃에서 에칭하는 것이 바람직하다. 본 발명에서 고온 함몰 공정으로부터 저온 에칭 단계를 분리함으로써, 에칭 공정동안 보다 쉽게 중심 도관의 개방 상태를 유지할 수 있다. 이것은 예비 성형물을 대량 생산할 때 커다란 이점이 된다.According to another aspect of the present invention, since the processing temperature of the present invention is lower than the processing temperature in the prior art, a larger size bubble line is allowed. Gas mixtures decompose at relatively low temperatures and can be eaten in much larger center conduits than are used in the prior art, thereby making the process much more robust. Lower temperatures reduce the length of fluorine diffusion into the glass matrix. Thus, the absolute size of the bubble line is less important than the threshold described in the prior art. The optical preform produced according to the present invention has no apparent central settlement even when the central conduit is as large as 5 mm. Etching is preferred at a temperature range of approximately 1600 to 2000 ° C., in particular 1800 ° C. By separating the low temperature etching step from the high temperature depression process in the present invention, it is possible to more easily maintain the center conduit open during the etching process. This is a great advantage when mass producing preforms.

본 발명은 MCVD(modified chemical vapor deposition) 공정(예를 들어, 미국 특허 제 4,334,903 호 참조)에 의해 제조된 다중 모드 및 단일 모드 예비 성형물 둘다를 준비하는데 이용된다. 굴절율 프로파일에 중심 침하가 없는 MCVD 예비 성형물은 다음 단계들에 의해서 준비된다.The present invention is used to prepare both multimode and single mode preforms prepared by a modified chemical vapor deposition (MCVD) process (see, eg, US Pat. No. 4,334,903). An MCVD preform without a central settlement in the refractive index profile is prepared by the following steps.

1. MCVD 공정을 이용해서 석영 기판 튜브의 내면 상에 장벽층 및 코어 유리층을 증착하여, 중심 도관을 갖는 예비 성형물을 형성한다.1. A barrier layer and a core glass layer are deposited on the inner surface of the quartz substrate tube using an MCVD process to form a preform having a central conduit.

2. 예비 성형물을 가열하여 제 1 함몰 온도에서 중심 도관의 크기를 줄인다.2. Heat the preform to reduce the size of the center conduit at the first depression temperature.

3. 최소 함몰 온도보다 약 200∼400℃ 낮은 온도에서 중심 도관을 통해서 에칭제 가스를 흘려, 예비 성형물의 중심 도관으로부터 증착된 코어 부분을 에칭한다.3. Etchant gas is flowed through the center conduit at a temperature about 200-400 ° C. below the minimum depression temperature to etch the core portion deposited from the center conduit of the preform.

4. 제 2 함몰 온도에서 예비 성형물의 중심 도관을 완전히 함몰시킨다.4. Completely recess the center conduit of the preform at the second depression temperature.

이하에서 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

함몰 온도는 튜브 직경의 감소를 발생시키는 표면 장력으로 인한 힘에 의해 구동된, 튜브의 중심으로의 용융 유리의 느린 점성 흐름을 초래하는 온도로서 정의됨을 알아야 한다.It should be noted that the depression temperature is defined as the temperature that results in a slow viscous flow of molten glass to the center of the tube, driven by a force due to surface tension causing a decrease in tube diameter.

실시예 1Example 1

구배형 인덱스의 MCVD 다중모드 예비 성형물은 헤라에우스 합성 석영(Heraeus Synthetic Quartz) 기판 튜브로 제조된다. 코어용 유리층은 MCVD 처리를 통해서 튜브의 내면에 증착되어, 중심 도관을 갖는 예비 성형물을 형성한다. 예비 성형물을 가열하여 부분적으로 함몰시켜, 3개의 함몰 경로를 사용해서 중심 도관의 크기를 줄인다. 부분적인 함몰 경로는 외부 횡단 토치를 통해서 감소하는 토치 횡단 속도로 예비 성형물의 흡입구에서 배출구 방향으로 전도된다. 일 예로서 이들 3개 경로의 횡단 속도, 즉, 제 1 경로에 대한 횡단 속도는 약 3.7 ㎝/min이고, 제 2 경로에 대한 횡단 속도는 약 2.9 ㎝/min이며, 제 3 경로에 대한 횡단 속도는 약 1.7 ㎝/min이다. 이들 3개 경로는 약 2150±100℃의 온도 범위에서 함몰된다. 3개의 함몰 경로 동안에 중심 도관을 통해서 적어도 200sccm의 유속으로 산소가 흐른다. 부분 함몰 단계중에, Ge 및 P와 같은 휘발성 도펀트가 유리 매트릭스로부터 확산된다. 중심 도관 직경은 대략 3㎜이다.Gradient index MCVD multimodal preforms are made from Heraeus Synthetic Quartz substrate tubes. The glass layer for the core is deposited on the inner surface of the tube through an MCVD process to form a preform having a central conduit. The preform is heated and partially recessed to reduce the size of the central conduit using three recessed paths. The partial recession path is conducted from the inlet to the outlet of the preform at a decreasing torch crossing speed through the outer transverse torch. As an example the crossing speed of these three paths, ie the crossing speed for the first path, is about 3.7 cm / min, the crossing speed for the second path is about 2.9 cm / min, and the crossing speed for the third path Is about 1.7 cm / min. These three pathways are recessed in the temperature range of about 2150 ± 100 ° C. Oxygen flows through the central conduit at a flow rate of at least 200 sccm during the three depression paths. During the partial depression step, volatile dopants such as Ge and P diffuse out of the glass matrix. The central conduit diameter is approximately 3 mm.

이제, 예비 성형물의 중심에서 도펀트가 고갈된 유리 영역을 에칭한다. 약 1800℃의 온도로 중심 도관을 가열하면서, 그 중심 도관을 통해서 SF6 6sccm과 산소 194sccm의 혼합물이 포함된 에칭제 가스를 흘려 에칭 공정을 수행한다. 에칭 공정이 수행되는 동안, 토치는 대략 1.2∼21.0㎝/min, 바람직하게는 2.1㎝/min의 토치 횡단 속도로 예비 성형물의 흡입 종단에서 배출 종단 방향으로 횡단한다. 본 실시예에서 에칭율은 대략 0.01 ㎤/min이다. 예비 성형물의 중심 도관은 이들 에칭 조건에서 함몰되지 않는다. 낮은 온도가 중요한데, 그 이유는 플루오르가 유리로 확산되는 것을 최소화하고 도펀트가 휘발되는 것을 최소화하기 때문이다. 본 발명의 에칭 공정이 수행될 때, 튜브의 내부 직경은 5㎜만큼 커질 수 있다.Now, the glass region depleted of the dopant in the center of the preform is etched. While heating the central conduit to a temperature of about 1800 ° C., the etching process is performed by flowing an etchant gas containing a mixture of SF 6 6 sccm and oxygen 194 sccm through the central conduit. While the etching process is performed, the torch traverses from the suction end to the discharge end direction of the preform at a torch crossing speed of approximately 1.2 to 21.0 cm / min, preferably 2.1 cm / min. In this embodiment, the etching rate is approximately 0.01 cm 3 / min. The center conduit of the preform is not recessed under these etching conditions. Low temperature is important because it minimizes fluorine diffusion into the glass and minimizes dopant volatilization. When the etching process of the present invention is carried out, the inner diameter of the tube can be as large as 5 mm.

에칭 공정이 완료된 후, 예비 성형물의 배출 종단에서 중심 도관이 밀봉되며, 이때 산소 300sccm이 중심 도관으로 흐른다. 중심 도관이 밀봉되면 산소 유량은 0으로 줄어든다. 마지막으로, 예비 성형물을 고체 막대로 함몰시킨다. 예비 성형물 부분이 함몰되는 온도는 대략 2200±100℃의 온도 범위이다. 배출구에서 흡입구 방향으로의 최종 함몰 경로를 사용하는 예비 성형물의 길이를 따라 중심 도관이 밀봉된다. 최종 역 함몰 경로에 대한 횡단 속도는 약 1.9㎝/min이다. 그러나, 소정 역 함몰 경로에서의 중심 도관이 밀봉되는 한 보다 빠른 횡단 속도를 이용할 수 있다. 전체 함몰 및 에칭 단계는 튜브의 직경과 길이에 따라 약 3 또는 5 시간이 소요된다. After the etching process is complete, the central conduit is sealed at the discharge end of the preform, with 300 sccm of oxygen flowing into the central conduit. When the central conduit is sealed, the oxygen flow rate is reduced to zero. Finally, the preform is recessed into a solid rod. The temperature at which the preform part is recessed is in the temperature range of approximately 2200 ± 100 ° C. The central conduit is sealed along the length of the preform using the final recessed path from the outlet to the inlet direction. The crossing speed for the final reverse depression path is about 1.9 cm / min. However, faster traversal speeds can be used as long as the central conduit in the desired reverse depression path is sealed. The entire depression and etching step takes about 3 or 5 hours depending on the diameter and length of the tube.

실시예 2Example 2

MCVD 단일 모드 예비 성형물은 19×25㎜의 헤라에우스 합성 석영 기판 튜브로 제조된다. MCVD를 이용해서 튜브의 내면에 코어로서 유리층을 증착하여, 중심 도관을 갖는 예비 성형물을 형성한다. The MCVD single mode preform is made of a 19 × 25 mm Heraeus synthetic quartz substrate tube. MCVD is used to deposit a glass layer as a core on the inner surface of the tube to form a preform having a central conduit.

예비 성형물을 부분적으로 함몰시켜, 3개의 함몰 경로를 사용해서 중심 도관의 크기를 줄인다. 부분적인 함몰 경로는 외부 횡단 토치를 통해서 감소하는 토치 횡단 속도로 예비 성형물의 흡입구에서 배출구 방향으로 전도된다. 일 예로 이들 3개 경로의 개별 횡단 속도, 즉, 제 1 경로에 대한 횡단 속도는 약 2.6 ㎝/min이고, 제 2 경로에 대한 횡단 속도는 약 1.8 ㎝/min이며, 제 3 경로에 대한 횡단 속도는 약 1.0 ㎝/min이다. 이들 3개 경로는 약 2250±150℃의 온도 범위에서 함몰된다. 3개의 모든 함몰 경로 동안 중심 도관을 통해서 적어도 200sccm의 유속으로 산소가 흐른다. 부분 함몰 공정중에, Ge 및 P와 같은 휘발성 도펀트가 유리 매트릭스로부터 확산된다. 최종 중심 도관 직경은 대략 1.5㎜이다.The preform is partially recessed, so three recessed paths are used to reduce the size of the central conduit. The partial recession path is conducted from the inlet to the outlet of the preform at a decreasing torch crossing speed through the outer transverse torch. In one example, the individual traverse speeds of these three paths, ie the traverse speed for the first path, is about 2.6 cm / min, the traverse speed for the second path is about 1.8 cm / min, and the traverse speed for the third path. Is about 1.0 cm / min. These three pathways are recessed in the temperature range of about 2250 ± 150 ° C. Oxygen flows through the central conduit at a flow rate of at least 200 sccm during all three depression paths. During the partial depression process, volatile dopants such as Ge and P diffuse out of the glass matrix. The final center conduit diameter is approximately 1.5 mm.

예비 성형물의 중심에서 도펀트가 고갈된 유리 영역을 에칭한다. 약 1800℃의 온도로 중심 도관을 가열하면서, 그 중심 도관을 통해서 SF6 6sccm과 산소 194sccm의 혼합물이 포함된 에칭제 가스를 흘려 에칭 공정을 수행한다. 에칭 공정이 수행되는 동안, 토치는 대략 3.8㎝/min의 토치 횡단 속도로 예비 성형물의 흡입 종단에서 배출 종단 방향으로 횡단한다. 본 실시예에서 에칭율은 대략 0.01 ㎤/min이다. 예비 성형물의 중심 도관은 이들 에칭 조건에서 함몰되지 않는다. 낮은 온도가 중요한데, 그 이유는 플루오르가 유리로 확산되는 것을 최소화하고 도펀트가 휘발되는 것을 최소화하기 때문이다.Etch the dopant depleted glass region in the center of the preform. While heating the central conduit to a temperature of about 1800 ° C., the etching process is performed by flowing an etchant gas containing a mixture of SF 6 6 sccm and oxygen 194 sccm through the central conduit. While the etching process is performed, the torch traverses from the suction end to the discharge end of the preform at a torch crossing speed of approximately 3.8 cm / min. In this embodiment, the etching rate is approximately 0.01 cm 3 / min. The center conduit of the preform is not recessed under these etching conditions. Low temperature is important because it minimizes fluorine diffusion into the glass and minimizes dopant volatilization.

에칭 공정이 완료된 후, 예비 성형물의 배출 종단에서 중심 도관이 밀봉되며, 이때 산소 300sccm이 중심 도관으로 흐른다. 중심 도관이 밀봉되면 산소 유량은 0으로 줄어든다. 마지막으로, 예비 성형물을 고체 막대로 함몰시킨다. 배출구에서 흡입구 방향으로의 최종 함몰 경로를 사용하는 예비 성형물의 길이를 따라 중심 도관이 밀봉된다. 예비 성형물 부분이 함몰되는 온도는 대략 2200±100℃의 온도 범위이다. 소정 역 함몰 경로에서의 중심 도관이 밀봉되는 한 보다 빠른 것이 바람직하지만, 최종 역 함몰 경로에 대한 횡단 속도는 약 0.5㎝/min이다. 전체 함몰 및 에칭 공정은 튜브의 직경 및 길이에 따라서 약 5∼7시간이 소요된다.After the etching process is complete, the central conduit is sealed at the discharge end of the preform, with 300 sccm of oxygen flowing into the central conduit. When the central conduit is sealed, the oxygen flow rate is reduced to zero. Finally, the preform is recessed into a solid rod. The central conduit is sealed along the length of the preform using the final recessed path from the outlet to the inlet direction. The temperature at which the preform part is recessed is in the temperature range of approximately 2200 ± 100 ° C. Faster is preferred as long as the center conduit in the desired reverse depression path is sealed, but the transversal velocity for the final reverse depression path is about 0.5 cm / min. The entire depression and etching process takes about 5 to 7 hours depending on the diameter and length of the tube.

실시예 3Example 3

구배형 인덱스 MCVD 다중모드 예비 성형물은 헤라에우스 합성 석영 기판 튜브를 이용하여 제조된다. MCVD 처리를 이용해서 튜브의 내면에 코어용 유리층을 증착하여, 중심 도관을 갖는 예비 성형물을 형성한다. Gradient index MCVD multimodal preforms are made using a Heraeus synthetic quartz substrate tube. A glass layer for the core is deposited on the inner surface of the tube using an MCVD process to form a preform having a central conduit.

유리층을 증착한 후, 예비 성형물로부터 가스가 배출되는 것을 방지하기 위해서 예비 성형물의 배출 종단을 디바이스로 플러깅한다. 그 다음, 예비 성형물을 부분적으로 함몰시켜, 3개의 함몰 경로를 사용해서 중심 도관을 줄인다. 부분적인 함몰 경로는 외부 횡단 토치에 의해서 감소하는 토치 횡단 속도로 예비 성형물의 흡입구에서 배출구 방향으로 전도된다. 일 예로서 이들 3개 경로의 횡단 속도, 즉, 제 1 경로에 대한 횡단 속도는 약 2.0 ㎝/min이고, 제 2 경로에 대한 횡단 속도는 약 2.0 ㎝/min이며, 제 3 경로에 대한 횡단 속도는 약 1.4 ㎝/min이다. 이들 3개 경로는 약 2150±100℃의 온도 범위에서 함몰된다. 함몰 공정 중에, 튜브 내부는 흐르지 않는 산소 분위기로 유지된다. 부분 함몰 단계중에, Ge 및 P와 같은 휘발성 도펀트가 유리 매트릭스로부터 확산된다. 이 부분 함몰 후, 최종 중심 도관의 직경은 대략 3㎜이다.After depositing the glass layer, the discharge end of the preform is plugged into the device to prevent gas from escaping from the preform. The preform is then partially recessed to reduce the center conduit using three recessed paths. The partial recessed path is conducted from the inlet to the outlet of the preform at a torch crossing speed which is reduced by an external transverse torch. As an example the crossing speed of these three paths, ie the crossing speed for the first path, is about 2.0 cm / min, the crossing speed for the second path is about 2.0 cm / min, and the crossing speed for the third path Is about 1.4 cm / min. These three pathways are recessed in the temperature range of about 2150 ± 100 ° C. During the depression process, the inside of the tube is maintained in a non-flowing oxygen atmosphere. During the partial depression step, volatile dopants such as Ge and P diffuse out of the glass matrix. After this partial depression, the diameter of the final center conduit is approximately 3 mm.

예비 성형물의 중심부에서 도펀트가 고갈된 유리 영역을 에칭한다. 예비 성형물을 약 1800±150℃의 온도로 가열하면서, 그 중심 도관을 통해서 SF6 6sccm과 산소 194sccm의 혼합물이 포함된 에칭제 가스를 흘려 에칭 공정을 수행한다. 예비 성형물의 배출 종단에 플러깅된 디바이스를 제거하여, 중심 도관 튜브를 통해서 가스가 흐르도록 한다. 에칭 공정이 수행되는 동안, 토치는 대략 2.1㎝/min의 토치 횡단 속도로 예비 성형물의 흡입 종단에서 배출 종단 방향으로 횡단한다. 중심 도관은 이들 에칭 조건에서 함몰되지 않는다. 낮은 온도가 중요한데, 그 이유는 플루오르가 유리로 확산되는 것을 최소화하고 도펀트가 휘발되는 것을 최소화하기 때문이다. 본 실시예에서 에칭율은 대략 0.01 ㎤/min이다. 본 발명의 에칭 조건하에서, 중심 도관의 내부 직경은 5㎜만큼 커질 수 있다.Etch the dopant depleted glass region at the center of the preform. The preform is heated to a temperature of about 1800 ± 150 ° C. while the etching process is carried out by flowing an etchant gas containing a mixture of SF 6 6sccm and oxygen 194sccm through its central conduit. The device plugged at the discharge end of the preform is removed to allow gas to flow through the central conduit tube. While the etching process is performed, the torch traverses from the suction end to the discharge end of the preform at a torch crossing speed of approximately 2.1 cm / min. The center conduit is not recessed under these etching conditions. Low temperature is important because it minimizes fluorine diffusion into the glass and minimizes dopant volatilization. In this embodiment, the etching rate is approximately 0.01 cm 3 / min. Under the etching conditions of the present invention, the inner diameter of the center conduit can be as large as 5 mm.

에칭 단계가 완료된 후, 예비 성형물의 배출 종단에서 중심 도관이 밀봉되며, 이때 산소 300sccm이 중심 도관으로 흐른다. 중심 도관이 밀봉되면 산소 유량은 0으로 줄어든다. 마지막으로, 예비 성형물을 고체 막대로 함몰시킨다. 배출구에서 흡입구 방향으로의 최종 함몰 경로를 사용하여 예비 성형물의 길이를 따라 중심 도관을 밀봉한다. 예비 성형물 부분이 함몰되는 온도는 대략 2200±100℃의 온도 범위이다. 최종 역 함몰 경로에 대한 횡단 속도는 약 1.9㎝/min이다. 그러나, 소정 역 함몰 경로에서의 중심 도관이 밀봉되는 한 보다 빠른 횡단 속도를 이용할 수 있다.
도 2에는 본 발명에 따라서 제조된 다중 모드 섬유에 대한 굴절율 프로파일이 도시되어 있다. 본 발명의 제조 방법하에서, 예비 성형물의 중심부에서 굴절율의 침하가 없음을 명확히 알 수 있다.
도 3에는 종래 기술의 MCVD 공정에 의해 생성된 섬유에 대한 차분 모드(a differential mode) 지연도가 도시되어 있고, 도 4에는 본 발명에 의해 생성된 섬유에 대한 차분 모드 지연도가 도시되어 있다. 이들은 본 발명에 따라 생성된 섬유 및 본 발명과는 무관한 섬유로부터의 실제 데이터이다. 수평 방향의 X축은 나노초(nanosecond) 단위의 시간 축이다. 수직 방향의 Y축은 섬유 중심인 굵은 선(bold line)을 갖는 미크론(micron) 단위의 반경 축(radius)이다. 도면의 평면에 대해 수직인 Z축은 상대 강도(relative intensity) 축이다. 도 3에 도시된 이중 펄스는 원치 않는 영향으로서, 그러한 이중 펄스는 발진 조건이 한정된 고속 시스템에서 악영향을 미칠 것이다. 이 영향은 프로파일 형상이 도 2에 도시된 바와 같이 최적화 될 때 최소화될 수 있다.
굴절율 프로파일의 중심에서 중심 침하(dip), 범프(bump) 및/또는 플래토와 같은 소정 결함을 최소화함으로써, 이 영향을 최소화할 수 있을 것이다. 이들 결함은 본 발명에 의해서 제거될 수 있다. 중심 침하가 없는 다중 모드 섬유는, 섬유가 IEEE 802.3z 표준에서 설명된 바와 같은 1000 BASE-LX 시스템에 사용될 때, 더 이상 오프셋 패치 코드(offset patch cord)가 요구되지 않는 부수적인 장점이 있다.
본 발명에서 설명된 방법은 굴절률 프로파일의 중심부에서 편향을 최소화하는 데 사용될 수 있다. 이 공정은 MCVD 공정에 대해 개발되었지만, PCVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition) 공정 및 OVD(outside vapor deposition) 공정을 이용하여 제조된 것들을 포함하는, 중심 도관의 밀봉이 요구되는 모든 유리 광 도파관 예비 성형물에 응용할 수 있다. 프로파일의 중심부를 제어해서, 이론적으로 산출된 프로파일에 보다 근접한 섬유를 제조할 수 있다. 이러한 부가적인 능력에 의해서, 성능이 개선된 다중 모드 섬유 및 단일 모드 섬유를 쉽게 제조할 수 있다. 본 발명의 이용에 대한 일례는 본 발명을 이용하는 구배형 인덱스 다중 모드 섬유의 중심에서 펄스 분할을 줄이는 것이다. 다른 예로는 본 발명을 이용하는 단일 모드 섬유에 대한 모드 필드 직경 및 분산 특성을 포함한 도파관 특성을 제어하기 좋은 점이다.
After the etching step is completed, the central conduit is sealed at the discharge end of the preform, with 300 sccm of oxygen flowing into the central conduit. When the central conduit is sealed, the oxygen flow rate is reduced to zero. Finally, the preform is recessed into a solid rod. The final depression path from the outlet to the inlet is used to seal the central conduit along the length of the preform. The temperature at which the preform part is recessed is in the temperature range of approximately 2200 ± 100 ° C. The crossing speed for the final reverse depression path is about 1.9 cm / min. However, faster traversal speeds can be used as long as the central conduit in the desired reverse depression path is sealed.
2 shows the refractive index profile for multimode fibers made in accordance with the present invention. Under the production method of the present invention, it can be clearly seen that there is no settlement of the refractive index at the center of the preform.
FIG. 3 shows a differential mode delay for the fibers produced by the prior art MCVD process and FIG. 4 shows the differential mode delay for the fibers produced by the present invention. These are actual data from the fibers produced according to the invention and from fibers not related to the invention. The horizontal X axis is the time axis in nanoseconds. The Y axis in the vertical direction is the radial axis in microns with a bold line that is the fiber center. The Z axis perpendicular to the plane of the figure is the relative intensity axis. The double pulse shown in FIG. 3 is an unwanted effect, which will adversely affect high speed systems with limited oscillation conditions. This effect can be minimized when the profile shape is optimized as shown in FIG.
This effect may be minimized by minimizing certain defects such as central dip, bump and / or plateau at the center of the refractive index profile. These defects can be eliminated by the present invention. Multimode fibers without central settlement have the additional advantage that when the fibers are used in a 1000 BASE-LX system as described in the IEEE 802.3z standard, no longer an offset patch cord is required.
The method described herein can be used to minimize deflection at the center of the refractive index profile. Although this process has been developed for MCVD processes, all glass optical waveguide preforms requiring sealing of the central conduit, including those made using plasma-enhanced chemical vapor deposition (PCVD) processes and outside vapor deposition (OVD) processes, are required. Applicable to By controlling the center of the profile, it is possible to produce fibers closer to the theoretically calculated profile. This additional capability makes it easy to produce multimode fibers and single mode fibers with improved performance. One example of the use of the present invention is to reduce pulse splitting at the center of a gradient index multimode fiber utilizing the present invention. Another example is the control of waveguide properties, including mode field diameter and dispersion properties, for single mode fibers using the present invention.

상술한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시 및 설명을 위한 것으로서, 그 실시예만으로 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 분명히, 당업자라면 여러 가지 수정 및 변경이 가능함을 명확히 알 것이다. 실시예들은 본 발명의 원리 및 실제 응용을 가장 잘 설명하기 위해 선택되어 기술된 것이므로, 당업자라면 본 발명의 다양한 실시예를 이해할 수 있을 것이며, 특정한 이용을 위해 적합한 다양한 변경을 고려할 수 있을 것이다. 본 발명의 영역은 첨부된 특허 청구 범위 및 그 등가물에 의해 정의되는 것으로서 고려된다.Preferred embodiments of the present invention described above are for illustration and description, and are not intended to limit the present invention to only the embodiments. Clearly, one of ordinary skill in the art will appreciate that many modifications and variations are possible. The embodiments have been selected and described in order to best explain the principles and practical applications of the invention, and those skilled in the art will understand the various embodiments of the invention, and various modifications suitable for a particular use will be contemplated. It is intended that the scope of the invention be defined by the claims appended hereto and their equivalents.

본 발명에 따르면 광섬유의 중심부에서 바람직하지 않은 굴절율 변화를 제거하거나 크게 감소시키는 방법을 제공할 수 있다. According to the present invention, it is possible to provide a method for eliminating or greatly reducing undesirable refractive index changes in the center of an optical fiber.

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Claims (21)

광섬유용 예비 성형물(preform)―상기 예비 성형물은 도관(duct)의 표면상에 마지막 증착된 코어층을 갖는 중심 도관, 흡입 종단(intake end) 및 배출 종단(exhaust end)을 가짐― 준비 방법에 있어서,Preforms for optical fibers, the preforms having a central conduit, an intake end and an exhaust end, having a core layer last deposited on the surface of the duct; , 상기 예비 성형물을 상기 중심 도관의 부분적 붕괴를 개시하기에 충분한 적어도 약 2150 +/- 100℃의 제 1 온도에서 가열하는 제 1 가열 단계와,A first heating step of heating the preform at a first temperature of at least about 2150 +/− 100 ° C. sufficient to initiate partial collapse of the central conduit; 상기 중심 도관이 대략 3과 1.5 mm 사이의 직경을 가질 때까지, 상기 제 1 가열 단계를 수행하면서, 상기 중심 도관을 부분적으로 붕괴시키는 단계와,Partially collapsing the central conduit while performing the first heating step until the central conduit has a diameter between approximately 3 and 1.5 mm; 상기 도관의 상기 표면상의 마지막 증착된 상기 코어층의 일부분을 제거하면서 상기 부분적으로 붕괴된 도관의 추가적 붕괴를 방지하기에 충분한 양만큼 상기 제 1 온도보다 낮은 대략 1600℃ 내지 2000℃의 제 2 온도에서 상기 도관을 통해 에칭제 가스를 흐르게 함으로서 상기 부분적으로 붕괴된 도관을 에칭하는 단계와,At a second temperature of approximately 1600 ° C. to 2000 ° C. lower than the first temperature by an amount sufficient to prevent further collapse of the partially collapsed conduit while removing a portion of the last deposited core layer on the surface of the conduit Etching the partially collapsed conduit by flowing an etchant gas through the conduit; 상기 에칭 단계가 완전하게 수행된 이후에 상기 예비 성형물의 상기 부분적으로 붕괴된 도관을 붕괴시키기에 충분한 온도에서 상기 예비 성형물을 가열하여, 고체 예비 성형물 막대를 형성하는 제 2 가열 단계를 포함하는A second heating step of heating the preform at a temperature sufficient to collapse the partially collapsed conduit of the preform after the etching step is completed, thereby forming a solid preform rod. 광섬유용 예비 성형물 준비 방법.Method for preparing preforms for optical fibers. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 에칭제 가스를 산소와 SF6의 혼합물로서 제공하는 것을 포함하는 광섬유용 예비 성형물 준비 방법.And providing the etchant gas as a mixture of oxygen and SF 6 . 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 산소는 약 50 내지 1500sccm의 유속을 갖고, 상기 SF6은 약 3.0 내지 60.0sccm의 유속을 갖는 광섬유용 예비 성형물 준비 방법.Wherein the oxygen has a flow rate of about 50 to 1500 sccm and the SF 6 has a flow rate of about 3.0 to 60.0 sccm. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 에칭 단계를 약 0.003 내지 0.08cm3/min의 비율(rate)로 수행하는 것을 포함하는 광섬유용 예비 성형물 준비 방법.A method of preparing a preform for an optical fiber comprising performing the etching step at a rate of about 0.003 to 0.08 cm 3 / min. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 에칭 단계는 상기 예비 성형물에 대해 외부의 가열원(heating source)을 약 1.2cm/min 내지 21.0cm/min의 상대적 횡단 속도로 횡단시킴으로써 수행되는 광섬유용 예비 성형물 준비 방법.Wherein said etching step is performed by traversing an external heating source relative to said preform at a relative transversal velocity of about 1.2 cm / min to 21.0 cm / min. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 제 2 가열 단계를 수행하면서, 상기 예비 성형물의 상기 배출 종단을 밀봉(closing)하는 것을 포함하는 광섬유용 예비 성형물 준비 방법.A method of preparing a preform for an optical fiber comprising closing the discharge end of the preform while performing the second heating step. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 부분적으로 붕괴시키는 단계는 다수의 경로들의 외부 토치(torch)를 이용하여, 상기 예비 성형물을 상기 흡입 종단으로부터 상기 배출 종단으로의 방향으로, 각 경로에 대해 감소하는 횡단 속도로 횡단시킴으로써 수행되는 광섬유용 예비 성형물 준비 방법.The partially collapsing step is performed by traversing the preform at a decreasing transversal speed for each path, using an external torch of multiple paths, in the direction from the suction end to the discharge end. How to prepare preforms for 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 3개의 경로의 상기 토치를, 제 1 경로에 대해 약 2.0 내지 3.7cm/min의 횡단 속도에서, 제 2 경로에 대해 약 1.8 내지 2.9cm/min의 횡단 속도에서, 제 3 경로에 대해 약 1.0 내지 1.7cm/min의 횡단 속도에서 이용하는 것을 포함하는 광섬유용 예비 성형물 준비 방법.The torch of the three paths is about 1.0 to about the third path, at a crossing speed of about 2.0 to 3.7 cm / min for the first path, and about 1.8 to 2.9 cm / min for the second path. A method of preparing a preform for an optical fiber, the method comprising using at a crossing speed of 1.7 cm / min. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 예비 성형물의 상기 중심 도관을 통해 산소가, 상기 3개의 연속적인 경로 동안 적어도 200sccm의 비율로 흐르게 하는 것을 포함하는 광섬유용 예비 성형물 준비 방법.Flowing oxygen through the central conduit of the preform at a rate of at least 200 sccm during the three successive paths. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 부분적으로 붕괴된 도관은 상기 제 2 온도가 대략 1800℃인 동안에 에칭되는 광섬유용 예비 성형물 준비 방법.And wherein the partially collapsed conduit is etched while the second temperature is approximately 1800 ° C. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 예비 성형물은 상기 제 2 가열 단계 동안 대략 2200 +/- 100℃의 온도에서 완전히 붕괴되는 광섬유용 예비 성형물 준비 방법.Wherein the preform is completely collapsed at a temperature of approximately 2200 +/- 100 ° C. during the second heating step. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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