KR100660326B1 - A method for fabricating a semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
도 1a 및 1b는 노말라이즈드 피치가 1.02인 경우 컨벤셔널 조명계와 애뉼라 조명계의 일루미네이션 퓨필을 비교한 그래프Figures 1a and 1b is a graph comparing the illumination pupil of the conventional illumination system and the annular illumination system when the normalized pitch is 1.02
도 2a 및 도 2b는 컨벤셔널 조명계와 애뉼라 조명계의 proximity특성을 비교한 그래프2a and 2b is a graph comparing the proximity characteristics of the conventional illumination system and the annular illumination system
도 3은 컨벤셔널 조명계와 애뉼라 조명계의 CD 선형성을 비교한 그래프3 is a graph comparing the CD linearity of the conventional illumination system and the annular illumination system
도 4a 내지 도 4d는 마스크의 바이어스에 따른 Isolated Space의 DOF를 비교한 그래프4A to 4D are graphs comparing DOF of isolated space according to a bias of a mask.
도 5a 및 도 5b는 Isolated Space의 Exposure latitude를 비교한 그래프5A and 5B are graphs comparing exposure latitude of isolated spaces.
도 6a 내지 도 6e는 마스크의 바이어스에 다른 Isolated Space의 Aerial image를 비교한 그래프6A to 6E are graphs comparing aerial images of isolated spaces to mask biases.
도 7a 내지 도 7h는 컨벤셔널 일루미네이션 모드와 애뉼라 모드간의 DOF를 비교한 그래프7A to 7H are graphs comparing the DOF between the conventional illumination mode and the annular mode.
도 8a 내지 도 8j는 컨벤션널 일루미네이션 모드와 애뉼라 일루미네이션 모드의 퓨필을 비교한 그래프8A to 8J are graphs comparing pupils of Conventional Illumination Mode and Annular Illumination Mode.
도 9는 dense line에 대한 노말라이즈드 이미지 로그 슬로프를 나타낸 그래프9 is a graph showing normalized image log slopes for the dense line
도 10은 사이드 앵글과 포커스 오프셋관의 관계를 나타낸 그래프10 is a graph showing a relationship between side angles and focus offset tubes.
도 11은 CD uniformity에 대한 shot-to-shot 및 3 simgma를 나타낸 그래프11 is a graph showing shot-to-shot and 3 simgma for CD uniformity
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 금속층의 CD를 균일화할 수 있는 반도체 소자의 제조방법에 대한 것이다.BACKGROUND OF THE
포토리쏘그라피(Photolithography) 공정의 해상력이 반 파장 이하 범위까지 요구되면서, 공정 마진을 높이기 위하여 스캐너(scanner) 장비의 조명계가 최대 해상력을 가지도록 최적화시키는 것이 중요한 포인트가 되어가고 있다. As the resolution of the photolithography process is required in the sub-wavelength range, optimizing the illumination system of the scanner equipment to have the maximum resolution in order to increase the process margin is becoming an important point.
오프-액시스 일루미네이션(Off-Axis illumination) 원리를 사용하면, DC(Direct Current)성분의 0차 회절광이 사입사 되면서 공간 이미지 상에 DC성분이 제거되어 MTF(Modulation Transfer Function)값을 증가시켜도 해상도 향상과 초점심도 증가를 가져온다. Using the Off-Axis illumination principle, the zero-order diffracted light of the direct current (DC) component is injected and the DC component is removed from the spatial image to increase the MTF (Modulation Transfer Function) value. It results in improvement and increased depth of focus.
변형조명계인 애뉼라(Annular) 모드는 dense line에서 초점심도(DOF ; Depth Of Focus)가 향상되지만 디바이스 내에 Pitch가 다양해지면서 isolated CD(Critical Dimension)와 dense CD 차이(ID bias)는 더 증가하게 된다. 또한, 애뉼라 변형조명계에서는 isolated space 패턴에서 exposure latitude가 줄어들게 된다. 광학근접보상(OPC)으로 Mask을 보정하면 OPC로 보정하기 전과 비교하여 크롬 CD의 변화량이 증가하여 Mask CD변화의 분포는 높은 편차를 보이게 된다. Annular mode, a deformed illumination system, improves the depth of focus (DOF) in the dense line but increases the isolated CD (critical dimension) and dense CD difference (ID bias) as the pitch varies within the device. . In addition, in the annular modified illumination system, the exposure latitude is reduced in the isolated space pattern. If the mask is corrected by optical proximity compensation (OPC), the amount of change in chromium CD is increased compared to before the correction by OPC, so the distribution of mask CD shows a high deviation.
따라서 애뉼라 조명계는 이러한 iso-dense bias로 인해 CD 변화율이 크게 되며 고주파수로 동작하는 디바이스의 경우 동작속도를 저하시킨다.Therefore, the isna-dense bias increases the CD change rate due to the iso-dense bias and decreases the operation speed of a device operating at a high frequency.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 노말라이즈드 피치값이 0과 1 사이의 값을 가질 때 애뉼라 조명계를 사용하여 포토 레지스트를 패터닝함하여 패터닝하고자 하는 금속층의 CD를 균일화할 수 있는 반도체 소자의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and when the normalized pitch value has a value between 0 and 1, the CD of the metal layer to be patterned by patterning the photoresist using an annular illumination system is uniformized. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device.
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판의 전면에 금속층을 형성하는 단계; 상기 금속층의 전면에 포토 레지스트를 형성하는 단계; 및, 패터닝하고자 하는 금속층의 노말라이즈드 피치 값이 0과 1 사이의 값을 가질 때, 애뉼라 조명계를 사용하여 포토 레지스트에 광을 조사하여 포토 레지스트 패턴을 형성하는 것을 그 특징으로 한다.The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: preparing a substrate; Forming a metal layer on a front surface of the substrate; Forming a photoresist on the entire surface of the metal layer; And when the normalized pitch value of the metal layer to be patterned has a value between 0 and 1, to form a photoresist pattern by irradiating light to the photoresist using an annular illumination system.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
피치(pitch)의 크기는 컨벤셔널 일루미네이션 모드(conventional illumination mode)와 애뉼라 일루미네이션 모드(annular illumination mode)의 특성에 대한 장단점을 결정하는데 중요한 요소가 된다. CD 크기가 해상력 한계에 가까워짐에 따라 피치의 크기를 파장λ, NA(numerical aperture)와 NA/λ으로 노말라이즈(normalize) 시킨 값으로 표현하는 것이 비교에 용이하다. 이러한 노말라이 즈드 피치(Normalized pitch)는 다음 수식과 같이 정의된다.The size of the pitch is an important factor in determining the advantages and disadvantages of the characteristics of the conventional illumination mode and the annular illumination mode. As the CD size approaches the resolution limit, it is easy to express the pitch size as a value normalized to wavelength lambda, numerical aperture (NA) and NA / λ. This normalized pitch is defined as follows.
상기 수학식에서 P는 피치를 나타내고, NA는 뉴머리컬 어퍼처를 나타내며, λ은 파장을 나타내며, 그리고, P`는 노말라이즈드 피치를 나타낸다.In the above equation, P represents pitch, NA represents a numerical aperture, λ represents a wavelength, and P ′ represents a normalized pitch.
조명계에 대한 비교는 90nm node 공정 중에서 트렌치 레이어(trench layer)인 메탈(Metal 2)의 디자인 룰(design rule)을 기준으로 시행하였다.The comparison of the illumination system was performed based on the design rule of metal (Metal 2), which is a trench layer, in the 90nm node process.
메탈의 디자인 룰은 Line/Space=0.140/0.150um 이며 피치는 0.290um 이다. 특히 다마신(damascene) 공정에서 트렌치 레이어는 PR space 패턴에 구리(Cu)가 채워지므로 PR space CD가 중요한 point가 된다. DI target은 Line/Space가 0.165/0.125um를 기준으로 하였다.The design rule for metal is Line / Space = 0.140 / 0.150um and the pitch is 0.290um. In the damascene process, the trench layer is filled with copper in the PR space pattern, so PR space CD becomes an important point. The DI target was based on 0.165 / 0.125um of Line / Space.
조명계의 영향을 평가하기 위한 조건으로 뉴머리컬 어퍼처(numerical aperture, (NA=0.68))와 파셜 코히런스(partial coherence, (σ=0.85))의 값을 컨벤셔널 일루미네인션 모드와 1/2 애뉼러 일루미네이션 모드 둘 다 동일한 값으로 고정시켰다. As a condition for evaluating the effects of the illumination system, the values of the numerical aperture (NA = 0.68) and the partial coherence (σ = 0.85) are compared with the conventional illumination mode and 1 /. Both two annular illumination modes were fixed at the same value.
CD값은 HITACH CD SEM, CD uniformity값은 Verity SEM으로, 그리고 Sidewall angle은 X-SEM를 통하여 측정하였다. 각각의 일루미네이션 모드의 공정 마진은 피치 선형성(Pitch linearity), CD 선형성(CD linearity), 초점(focus), 노출(exposure), 사이드월 앵글(sidewall angle)와 CD 균일성(CD uniformity) 등의 항목으로부터 비교 평가하였다. The CD value was measured by Hitachi CD SEM, the CD uniformity value by Verity SEM, and the sidewall angle by X-SEM. Process margins for each illumination mode include items such as pitch linearity, CD linearity, focus, exposure, sidewall angle and CD uniformity. Comparative evaluation from
도 1a 및 도 1b는 노말라이즈드 피치가 1.02인 경우 컨벤셔널 조명계와 애뉼라 조명계의 일루미네이션 퓨필(pupil)을 비교한 것이다.1A and 1B show an illumination pupil of a conventional illumination system and an annular illumination system when the normalized pitch is 1.02.
실제 소자 회로에는 다양한 피치 크기가 디자인 룰에 적용된다. OPC 관점에서 피치 크기가 노말라이즈드 피치의 최소값으로 감소됨에 따라 점점 더 이슈가 되고 있다. 피치가 바뀌어도 Line CD의 변화율을 작게 하는 것이 소자 동작 특성을 결정하는 중요한 요소가 된다. OPC 기술에서 각 피치에 해당하는 CD 변화량의 보상(offset)값이 Mask에 적용된다. In actual device circuits, various pitch sizes are applied to the design rules. As the pitch size is reduced to the minimum value of normalized pitch from an OPC point of view, it becomes more and more an issue. Even if the pitch changes, reducing the change rate of the line CD becomes an important factor in determining device operation characteristics. In OPC technology, the offset value of CD variation corresponding to each pitch is applied to the mask.
도 2a 및 도 2b는 두 조명계에 대해 proximity특성을 비교하였는데, 도 2의 (a)는 space의 값이 고정되고 line이 변화할 경우 피치의 선형성을 나타낸 그림이고, 도 2의 (b)는 space의 값이 변화하고 line의 값이 고정된 경우 피치의 선형성을 나타낸 그림이다.2a and 2b compare the proximity characteristics of the two illumination systems. FIG. 2 (a) shows the linearity of the pitch when the space value is fixed and the line changes. FIG. 2 (b) shows the space. This figure shows the linearity of pitch when the value of is changed and the value of line is fixed.
도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 콘벤셔녈 조명계가 애뉼라 조명계보다 더 우수한 피치 선형성을 나타냄을 알 수 있다. 즉, 애뉼라 조명계가 적용된 소자에서 line CD에 따라 CD 선형성(CD linearity) 떨어진다. 다시말하면, 애뉼라 조명계가 적용된 소자에서는 CD variation이 커지게 되어 균일한 CD를 얻기가 어려워진다.As shown in FIGS. 2A and 2B, it can be seen that the convention illumination system exhibits better pitch linearity than the annular illumination system. That is, CD linearity is lowered according to line CD in the device to which the annular illumination system is applied. In other words, in the device to which the annular illumination system is applied, it becomes difficult to obtain a uniform CD because CD variation becomes large.
도 3에서와 같이 Space가 감소됨에 따라 웨이퍼에 구현되는 CD의 선형성이 점차 떨어지게 된다.As the space is reduced, as shown in FIG. 3, the linearity of the CD implemented on the wafer is gradually decreased.
애뉼라 조명계를 사용하여 space 패턴을 형성할 때 실제 구현하고자 하는 space의 크기(0.120um)보다 약 0.020um 만큼 작게 space 패턴이 형성되었다. 이것 은 애뉼라 변형조명계의 사입사로 마스크 스펙트럼(mask spectrum)이 쉬프트(shift)했기 때문이며 이 경우 이미지(image)의 대칭성이 나빠진다. When the space pattern was formed by using the annular illumination system, the space pattern was formed to be about 0.020um smaller than the size of the space to be actually implemented (0.120um). This is due to the shift of the mask spectrum due to the incorporation of the annular deformed illumination system, which results in poor image symmetry.
마스크 에러 팩터(Mask error factor)에 해당하는 두 그래프의 변화율은 컨벤셔널 조명계가 1.13, 애뉼라 조명계가 1.31의 값을 가진다. 즉, 이상적인 값인 1에 가까운 컨벤셔널 조명계가 더 우수한 CD 선형성을 나타낸다.The rate of change of the two graphs corresponding to the mask error factor has a value of 1.13 for the conventional illumination system and 1.31 for the annular illumination system. That is, a conventional illumination system near the ideal value of 1 shows better CD linearity.
도 4a 내지 도 4d의 Bossung curve에서 알수 있듯이, 컨벤셔널 조명계가 애뉼라 조명계보다 다소 높은 초점심도를 나타내었다. 즉, 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 애뉼라 조명계가 컨벤셔녈 조명계보다 더 작은 EL 값을 나타낸다. As can be seen from the Bossung curve of Figures 4a to 4d, the conventional illumination system showed a somewhat higher depth of focus than the annular illumination system. That is, as shown in FIGS. 5A and 5B, the annular illumination system exhibits a smaller EL value than the conventional illumination system.
또한, 도 6a 내지 도 6e의 에어리얼 이미지(aerial image)에서 NILS(normalized image log slope) 시뮬레이션을 시행한 결과, 컨벤셔널 조명계가 애뉼라 조명계보다 더 높은 콘트라스트(contrast)를 나타내었다. isolated space의 경우 애뉼라 조명계보다 컨벤셔널 조명계의 EL (exposure latitude)특성이 더 우수하다. 따라서, 상기 애뉼라 조명계가 상기 컨벤셔녈 조명계보다 더 높은 해상력을 나타낸다.In addition, as a result of performing a normalized image log slope (NILS) simulation in the aerial image of FIGS. 6A to 6E, the conventional illumination system showed a higher contrast than the annular illumination system. In the case of the isolated space, the conventional EL (exposure latitude) is better than the conventional illumination system. Thus, the annular illumination system exhibits a higher resolution than the convention illumination system.
포토리쏘그라피 공정 마진은 초점심도에 의해서 대부분 결정된다. Line CD에 대해 컨벤셔널 조명계와 애뉼라 조명계의 초점심도 차이는 피치 크기에 의해 결정되는데, 노말라이즈드 피치 값이 1에 가깝거나 1보다 작은 경우 애뉼라 조명계의 EL 특성이 컨벤셔널 조명계의 EL 특성보다 더 좋아진다. 한편, 패턴이 isolated line에 가까울수록 컨벤셔널 조명계도 상기 애뉼라 조명계와 비슷한 EL 값을 나타낸다.The photolithography process margin is largely determined by the depth of focus. For Line CD, the difference in depth of focus between conventional and annular illuminators is determined by the pitch size.When normalized pitch values are close to or less than 1, the EL characteristic of the conventional illuminator is the EL characteristic of the conventional illuminator. Better than On the other hand, the closer the pattern is to the isolated line, the conventional illumination system exhibits an EL value similar to that of the annular illumination system.
도 7a 내지 도 7h는 노말라이즈드 피치 값이 1보다 작은 0.85와 0.97, 1보다 큰 1.02부터 3.41까지 경우에 대한 line CD의 초점심도를 나타낸 그림이다. 7A to 7H are diagrams showing depths of focus of line CDs for cases where normalized pitch values are 0.85 smaller than 1, 0.97, and 1.02 to 3.41 larger than 1. FIG.
노말라이즈드 피치 값이 1에 근접한 1.02와 1.09의 경우 애뉼라 조명계가 컨벤셔널 조명계보다 더 향상된 초점심도를 보여준다. 특히 노말라이즈드 피치 값이 1보다 작은 0.85와 0.97에서 애뉼라 조명계의 초점심도가 컨벤셔널 조명계의 초점심도보다 확연히 향상되었다. 그리고, 상기 노말라이즈드 피치 값이 1.6보다 커질수록 두 조명계가 비슷한 성향을 보인다.For 1.02 and 1.09, where the normalized pitch value is close to 1, the annular illuminator shows a better depth of focus than the conventional illuminator. In particular, the focal depth of the annular illumination system is significantly improved than that of the conventional illumination system at 0.85 and 0.97 with normalized pitch values less than 1. As the normalized pitch value is larger than 1.6, the two illumination systems show similar tendencies.
이러한 애뉼라 조명계의 이점은 도 8a 내지 도 8j의 일루미네이션 퓨필을 통해 이해할 수 있다. 즉, 노말라이즈드 피치 값이 1에 근접한 경우 DC term을 포함한 total term과 interaction term의 비가 애뉼라 조명계에서 증가하였다. 따라서, 상기 애뉼라 조명계에서 line CD의 초점심도의 마진이 증가한다는 것을 알 수 있다.The advantages of such an annular illumination system can be understood through the illumination pupil of FIGS. 8A-8J. That is, when the normalized pitch value was close to 1, the ratio of the total term including the DC term to the interaction term increased in the annular illumination system. Thus, it can be seen that the margin of focus depth of the line CD increases in the annular illumination system.
또한 Normalized image log slope의 시뮬레이션 값을 비교한 결과 애뉼라 조명계가 컨벤셔널 조명계보다 높은 콘트라스트를 보여 위 경향성을 뒷받침해준다.In addition, comparing the simulated values of the normalized image log slope, the annular illuminator shows higher contrast than the conventional illuminator to support the above tendency.
포토레지스터 프로파일(Photo resist profile)의 사이드월 앵글(sidewall angle) 또한 공정 마진을 결정하는 중요한 요소이다. 90nm node 공정에서는 스펙이 88±2도로 관리되고 있다. 사이드월 앵글은 focus offset의 함수로써 angle를 통해 focus가 벗어난 정도를 알 수 있다.The sidewall angle of the photo resist profile is also an important factor in determining the process margin. In the 90nm node process, the spec is controlled at 88 ± 2 degrees. The sidewall angle is a function of the focus offset, and you can see how far out of focus is through the angle.
도 10은 컨벤셔널 조명계와 애뉼라 조명계에 대한 사이드월 앵글과 focus와의 관계를 나타내고 있다. 포토레지스트 프로파일에서 컨벤셔널 조명계가 defocus 됨에 따라 더 큰 기울기를 가지며 사이드월 앵글이 변화하였다. 즉, 컨벤셔널 조명계를 사용할 경우 공정마진이 더 좋지 않은 것으로 관찰되었다.10 shows the relationship between the sidewall angle and the focus for the conventional illumination system and the annular illumination system. As the conventional illumination system defocused in the photoresist profile, the sidewall angle changed with a larger slope. In other words, the process margin was observed to be worse when using a conventional illumination system.
애뉼라 조명계의 사이드월 앵글은 focus 0에서 0.2um 까지 1도 미만의 변화를 보였다. 컨벤셔널 조명계의 경우 90도에 가까운 값들이 보이지만 반면 2도 이상으로 벗어난 값들이 관찰되고 focus 0.30um 에서 애뉼라 조명계의 값보다 역전되는 경향성을 보였다.The sidewall angle of the annular illuminator was less than 1 degree from
Line CD 초점심도와 사이드월 앵글의 공정 마진 결과와 함께 line CD uniformity의 3 sigma 값으로 두 조명계를 비교하였다. Two illuminators were compared with a 3 sigma value of line CD uniformity along with the line CD depth of focus and sidewall angle process margins.
노말라이즈드 피치가 1.02 인 dense line에서 측정하였다. 도 11에서 컨벤셔널 조명계에서는 focus가 0.0에서 0.3까지 변할 때 CD uniformity의 3 sigma 값이 30nm 까지 변하였지만 애뉼라 조명계에서는 전반적으로 10nm 이하의 변화를 보였다. die-to-die CD uniformity의 3 sigma를 관찰했을 때 Dense line에 대해 애뉼라 조명계가 컨벤셔널 조명계보다 더 큰 초점심도를 보였다.Measurements were made on dense lines with normalized pitches of 1.02. In FIG. 11, when the focus was changed from 0.0 to 0.3, the 3 sigma value of the CD uniformity was changed to 30 nm, but in the annular illumination system, the overall variation was less than 10 nm. When observed at 3 sigma of die-to-die CD uniformity, the annular illuminator showed a greater depth of focus for the dense line than the conventional illuminator.
또한 focus에 대한 사이드월 앵글과 CD uniformity의 상관 관계도 알 수 있다. 사이드월 앵글이이 87도 일 때 컨벤셔널 조명계의 경우 CD uniformity의 3 sigma가 최대값을 나타냈다. 위의 결과를 미루어 보아 사이드월 앵글이 90도를 벗어남에 따라 CD uniformity 특성은 저하됨을 확인하였다.It also shows the correlation between the sidewall angle of focus and the CD uniformity. At a sidewall angle of 87 degrees, the 3 sigma of the CD uniformity peaked for a conventional lighting system. Based on the above results, it was confirmed that the CD uniformity characteristics deteriorated as the sidewall angle was off 90 degrees.
이와 같이, 본 발명에서는 90nm 이하Trench layer PEP 공정 최적화를 위해서 ArF Scanner의 컨벤셔널 조명계와 애뉼라 조명계를 비교하여 보았다. 위 비교 연구는 같은 NA와 sigma에서 동일한 조건으로 공정 마진 측면에서 시행되었다. As described above, in the present invention, the conventional illumination system and the annular illumination system of ArF Scanner were compared to optimize the trench layer PEP process of 90 nm or less. The above comparative studies were conducted in terms of process margins under the same conditions at the same NA and sigma.
노말라이즈드 피치가 1보다 작거나 1의 값에 근사한 경우에는 애뉼라 조명계가 컨벤셔널 조명계 보다 초점심도에서 유리했으며, 노말라이즈드 피치가 1보다 더 큰 값을 가짐에 따라 두 조명계가 비슷한 성향을 보였다. 컨벤셔널 조명계의 경우 피치 선형성(Pitch linearity)이 좋아 피치에 따른 line width에서 상대적으로 CD proximity 특성이 우수하였고 isolated space에 대해서는 높은 해상력을 보였다.In cases where the normalized pitch was less than or close to a value of 1, the annular illuminator had a better depth of focus than the conventional illuminator, and as the normalized pitch had a value greater than 1, the two illuminators had similar tendencies. Seemed. Conventional lighting system has a good pitch linearity, which shows a relatively good CD proximity in line width according to pitch and high resolution for isolated space.
피치의 변화가 작고 주로 dense한 패턴을 요구하는 SRAM의 경우 애뉼라 조명계가 더 우수한 특성을 보인다.For SRAMs with small pitch changes and requiring dense patterns, the annular illumination system shows better characteristics.
대부분의 논리 소자는 가장 작은 피치부터 큰 피치까지 다양한 패턴이 존재한다. 또한, 대부분의 논리 소자는 처리 속도가 빠른 소자여야하기 때문에 CD proximity와 CD variation 특성이 좋은 컨벤셔널 조명계가 우수한 특성을 보인다.Most logic devices have a variety of patterns, from the smallest pitch to the largest pitch. Also, since most logic devices must be fast processing devices, conventional illumination systems with good CD proximity and CD variation are excellent.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and it is common in the art that various substitutions, modifications, and changes can be made without departing from the technical spirit of the present invention. It will be evident to those who have knowledge of.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조방법에는 다음과 같은 효과가 있다.The method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention as described above has the following effects.
본 발명에 따른 반도체 소자의 제조방법에서는, 노말라이즈드 피치값이 0 이상이고 1이하일 경우 애뉼라 조명계를 사용함으로써 패터닝하고자 하는 레이어의 CD를 균일화할 수 있다.In the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, when the normalized pitch value is 0 or more and 1 or less, the CD of the layer to be patterned can be uniformized by using an annular illumination system.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050109056A KR100660326B1 (en) | 2005-11-15 | 2005-11-15 | A method for fabricating a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050109056A KR100660326B1 (en) | 2005-11-15 | 2005-11-15 | A method for fabricating a semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100660326B1 true KR100660326B1 (en) | 2006-12-22 |
Family
ID=37815222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050109056A KR100660326B1 (en) | 2005-11-15 | 2005-11-15 | A method for fabricating a semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100660326B1 (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970015683A (en) * | 1995-09-25 | 1997-04-28 | 성재갑 | Pigment surface-treated with dihydroxyacetone and preparation method thereof |
-
2005
- 2005-11-15 KR KR1020050109056A patent/KR100660326B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970015683A (en) * | 1995-09-25 | 1997-04-28 | 성재갑 | Pigment surface-treated with dihydroxyacetone and preparation method thereof |
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