KR100660300B1 - 반도체칩 제조용 디스펜싱 방법 및 그 디스펜서 장치 - Google Patents

반도체칩 제조용 디스펜싱 방법 및 그 디스펜서 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 압전소자를 이용한 반도체칩 제조용 디스펜싱 방법 및 그 디스펜서 장치에 관한 것으로서, 좀더 상세하게는 압전소자에 전압을 공급하면 변형(변위)을 발생하거나 이와 반대로 압력을 가하면 전압을 발생하는 현상을 이용한 디스펜싱을 제공하는 것으로, 압전소자에 전압을 공급하거나 그 공급 전압을 낮추는 것에 의해 압전소자의 변위를 늘리거나 복귀하도록 하므로 로드가 승하강하면서 노즐을 통해 용액을 토출 공급하는 펌핑작동과, 용액의 흐름을 차단하기 위해 노즐을 개폐하는 밸브작동을 행하거나 상기 로드의 용액 펌핑작동에 따른 반발력을 압전소자에 의해 검지하여 다시 압전소자에 의한 로드의 펌핑작동을 보정하도록 제어하는 센싱작동을 행하도록 하므로서 간단한 구조에 의해서도 정밀하고 신뢰성 있는 디스펜싱 작업을 제공하는데 그 특징이 있다.
반도체칩, 디스펜싱, 압전소자, 펌핑작동, 밸브작동, 센싱작동

Description

반도체칩 제조용 디스펜싱 방법 및 그 디스펜서 장치{DISPENSING METHOD FOR A SEMI-CONDUCTOR MANUFACTURE AND THE DISPENSER DEVICE THEREOF}
도 1은 종래의 디스펜서 장치를 개략적으로 보여주는 구성도.
도 2는 본 발명의 일 실시예를 보여주는 구성도.
도 3은 본 발명의 다른 실시예를 보여주는 구성도.
도 4는 도 3의 보조 압전소자를 보여주는 평면도.
도 5는 본 발명 지지판의 다른 실시예를 보여주는 구성도.
도 6은 도 3의 작동도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10: 펌핑하우징 12: 용액충진공
13: 노즐 20: 베이스
30: 메인 압전소자 40: 보조 압전소자
50: 절연체 60: 지지판
65: 탄발스프링 70: 로드
90: 제어부 100: 압전소자
본 발명은 TV, VTR 등의 가전제품이나 전화기, 모뎀 등과 같은 통신기기 등에 광범위하게 사용되는 반도체칩의 제조를 위한 디스펜서에 관한 것으로서, 좀더 상세하게는 단수 또는 복수의 압전소자를 이용하되, 압전소자에 전압을 주면 변형(변위)이 발생되거나 이와 반대로 압력을 가하면 전압이 발생되는 현상을 이용하여서 로드를 승하강시켜 노즐을 통해 용액을 토출 공급하는 펌핑작동, 노즐을 개폐작동시키는 밸브작동, 또는 로드의 승하강 펌핑작동에 따른 반발력을 감지하여 다시 로드의 펌핑작동을 보정 제어하는 센싱작동을 행하므로 간단한 구조에 의해서도 정밀하고 신뢰성 있는 작업을 제공하는 반도체칩 제조용 디스펜싱 방법 및 그 디스펜서 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체칩에 적용되는 본딩기술에서 주로 이용되는 언더필 공정으로 디스펜싱법(Dispensing Method)이 주지되고 있다.
이러한 디스펜싱법에 사용되는 종래 디스펜서 장치는 그 일 예를 들면, 도 1에서와 같이 본체에 모터(M)가 설치되고, 상기 모터(M)의 모터축으로 부터 동력을 전달받는 스크류봉(2)이 내장된 펌프(3)가 설치되어 있다.
상기 펌프(3)에는 공급라인(5)을 통해 주사기 형태의 실린지용기(7)가 내부에 충진된 에폭시 수지의 용액을 공기압으로 공급하도록 연결되어 상기 펌프(3)의 선단에 조립된 노즐(4)을 통해 토출 공급하도록 되어 있다.
즉, 상기한 기술은 스크류봉(2)의 스크류 피치 사이에 공급된 용액이 상기 스크류봉(2)의 회전에 따라 하강 공급되면서 노즐을 통해 토출 공급하도록 되는 것 이다.
또한, 상기와 달리 본 출원인에 의해 대한민국 특허 제98-58316호 및 제99-16687호로 선 출원하여 등록받은 반도체 제조용 레진도포기의 실리콘 주입장치에서는 상기한 스크류 방식이 아닌 용액 주입의 정도를 제공할 수 있도록 통공이 형성된 회전봉을 이용하여 공급하도록 되어 있다.
그러나, 상기한 종래의 디스펜서 장치는 모터의 구동력을 복잡한 전달구조에 의해 전달하여 스크류나 회전봉을 작동하여 용액을 펌핑하는 복잡한 구조로 이루어져 있다.
또한 상기한 구조는 모두 기계적인 구조로만 이루어져 장비가 비대해짐은 물론 정밀한 제어작동이 곤란한 문제점 등을 갖고 있었다.
본 발명은 상기한 종래 기술이 갖는 제반 문제점을 근본적으로 해결하고자 창출된 것으로서, 압전소자에 전압을 주면 변형(변위)이 발생되거나 이와 반대로 압력을 가하면 전압이 발생되는 현상을 이용한 디스펜싱을 제공하고자 한다.
본 발명은 단수 또는 복수로 압전소자를 이용하여 로드를 승하강작동시키므로 노즐을 통해 용액을 공급하는 펌핑작동과 노즐을 개폐하는 밸브작동 및 상기 로드의 승하강 펌핑작동시 용액의 점도 및 기타 상황에 따른 반발력을 검지하여 다시 로드의 승하강 펌핑작동을 보정 제어하도록 하는 센싱작동을 제공하므로 효과적이면서도 정밀한 작업으로 사용상의 신뢰도를 극대화하는데 그 목적이 있다.
삭제
이러한 본 발명의 목적은, 압전소자에 전압을 주면 변형(변위)이 발생되거나 이와 반대로 압력을 가하면 전압이 발생되는 현상을 이용하되, 상기 압전소자를 적층 구비하여 압전소자에 전압을 공급하거나 그 공급 전압을 낮추는 것에 의해 압전소자의 변위를 늘리거나 복귀하여 로드가 승하강하면서 노즐을 통해 용액을 토출 공급하는 펌핑작동, 용액의 흐름을 차단하기 위해 노즐을 개폐하는 밸브작동을 행하거나 상기 로도의 용액 펌핑작동시에 발생되는 반발력을 압전소자에 의해 검지하여 다시 압전소자에 의한 로드의 용액 펌핑작동을 보정하도록 제어하는 디스펜싱 방법 및 장치에 의해 달성된다.
이하, 상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 방법 및 장치를 구체적으로 살펴보기로 한다.
먼저, 본 발명의 디스펜싱 방법은, 반도체칩의 봉합을 위한 용액을 디스펜싱하기 위해서, 지지판 상에 압전소자를 적층 구비하여, 상기 압전소자에 전압을 공급하거나 그 공급 전압을 낮추는 것에 의해 압전소자의 변위를 늘리거나 복귀시켜 지지판 하부의 로드가 승하강하면서 용액을 펌핑하여 노즐을 통해 토출 공급하는 펌핑작동과, 상기 로드가 승하강하면서 노즐을 개폐하여 용액의 공급을 차단하는 밸브작동 및, 상기 압전소자를 구획되게 적층하여 하부의 압전소자에 의한 로드의 승하강 펌핑작동시 발생되는 반발력을 역으로 상부의 압전소자에 의해 검지하여 다시 하부의 압전소자에 의한 로드의 승하강 펌핑작동을 보정하도록 제어하는 센싱작동을 행하는 방법을 제공한다.
이러한 본 발명은 상기 압전소자에 전압을 주는 것에 의해 변형(변위)을 발생하는 현상을 이용한 것으로 즉, 압전소자는 로드가 용액을 펌핑할 수 있을 정도 의 스트로크를 갖는 변위를 발생하도록 전압을 공급하므로 상기 로드가 하강하게 되고, 또한 이와 반대로 상기 압전소자에 공급된 전압을 낮추므로 상기 하강된 로드가 상승하게 되는 작동원리를 이용하여서, 상기 로드의 승하강에 의한 용액의 펌핑작동으로 노즐을 통해 용액을 토출 공급하게 되는 것이다.
또한, 상기 압전소자에 전압을 추가적으로 공급하거나 그 공급된 전압을 낮추는 것에 의해 압전소자에 의한 변위를 더 늘리거나 복귀시켜서 상기 로드가 펌핑작동을 위한 승하강 외에 추가적으로 승하강작동하며 그 하단이 노즐을 개폐하도록 하는 밸브작동을 행하게 되는 것이다.
또한, 압전소자에 압력을 가하면 전압을 발생하는 현상을 이용한 것으로 즉, 상기 하부 압전소자의 변위에 의한 로드의 승하강 펌핑작동으로 용액을 토출하여 공급하면서 상기 용액의 점성이나 기타 여러 상황에 따른 반발력으로 로드의 펌핑작동에 변화가 있을 수 있다.
삭제
이와 같은 상기 하부 압전소자의 변위에 의한 로드의 승하강 펌핑작동의 반발력을 상부의 압전소자가 검지하는 센싱작동으로 상기 반발력에 대응되는 변위 값으로 다시 하부 압전소자에 의한 로드의 승하강 펌핑작동을 추가적으로 보정하여 로드의 승하강 펌핑작동을 제어하게 되는 것이다.
이때, 상기 상부 압전소자에는 전압을 주지 않은 상태이어야만 로드의 펌핑작동의 반발력을 검지할 수 있음은 물론이다. 또한 상기 하부 압전소자에 의한 로드의 승하강 펌핑작동의 보정은 하부 압전소자의 전압을 높여 변위를 조정하거나 또는 별도의 압전소자에 의한 추가적 변위로 조정할 수 있게 된다.
이하, 상기한 본 발명의 디스펜싱 방법을 달성하기 위한 장치의 바람직한 실시예를 구체적으로 살펴보기로 한다.
먼저, 본 발명은 도 2에 도시된 실시예에서 같이, 베이스(20)상에 결합되는 펌핑하우징(10)상의 용액충진공(12)으로 실린지용기(9) 내부에 충진되어 있는 용액을 공급하여, 반도체칩의 봉합을 위해 하부의 노즐(13)을 통해 토출 공급하되, 상기 베이스(20)내부에는 지지판(60)상에 적층 설치된 압전소자(100), 상기 지지판(60)을 탄발 지지하는 탄발스프링(65), 상기 압전소자(100)의 변위에 따라 지지판(60)에 의해 펌핑하우징의 용액충진공(12)에서 승하강 작동하는 로드(70)를 설치 구성하여 이루어진다.
이때, 상기 용액충진공(12)에는 노즐(13)상부로 로드(70)의 승하강 작동시에 용액에 의한 마찰 저항을 감소하기 위해 단차 경사면(12')을 형성하게 된다.
이러한 실시예에서는 상기 압전소자(100)가 많은 변위를 발생시키기 위해서 다층으로 적층된 구조로 사용하되, 단일의 압전소자로 로드의 용액 펌핑작동 및 밸브작동을 행하게 된다. 즉, 로드(70)의 용액 펌핑작동시에는 로드(70)의 하단이 노즐(13)의 상부 위치까지 승하강할 수 있는 전압에 의한 변위가 발생하도록 하고, 밸브작동시에는 로드(70)의 하단이 추가로 승하강하여 노즐(13)을 개폐할 수 있는 전압에 의한 변위가 발생하도록 하게 된다.
또한, 본 발명은 도 3 및 도 4에 도시된 실시예에서 같이 달리 실시할 수 있는데, 이는 도2에 도시된 실시예와 비교하여 볼때 상기 압전소자(100)를 메인 압전소자(30)와 그 상부에 절연체(50)에 의해 구획되게 적층된 보조 압전소자(40)로 구비하되, 상기 보조 압전소자(40)는 전압에 의해 변위를 발생하거나 로드(70)의 용액 펌핑작동에 대한 반발력을 감지하는 제1보조 압전소자(41)와, 그 외측으로 상기 제1보조 압전소자(41)의 반발력에 대응된 전압으로 변위를 발생하여 다시 로드(70)의 용액 펌핑작동을 보정하는 제2보조 압전소자(42)로 구성하게 된다.
이때, 상기 제2보조 압전소자(42)는 제1보조 압전소자(41)의 외측으로 균일한 변위를 발생하도록 링 형태로 구성하게 된다.
이러한 실시예에서는 복수의 압전소자로 로드의 용액 펌핑작동 및 밸브작동을 행하게 된다. 이는 상기 메인 압전소자(30)에 전압에 의한 변위 발생시 로드(70)의 하단이 노즐(13)의 상부 위치까지 승하강할 수 있도록 하고, 상기 보조 압전소자(40)에 전압에 의한 변위 발생시 상기 압전소자(30)에 의한 로드의 승하강 작동에 추가적으로 작동하여 로드의 하단이 노즐(13)을 개폐할 수 있도록 구성된다.
또한 본 발명은 상기한 지지판(60)을 도 2 및 도 3에서와 같이 저면에 스프링 삽입홈(62)을 형성하여 이에 탄발스프링(65)을 삽입되게 조립하거나 도 5에서와 같이 외측으로 단차를 이루는 단차부(63)를 형성하여 이에 탄발스프링(65)을 삽입 되게 조립하여 이룰 수 있는 것이다.
또한, 상기한 메인 압전소자(30)와 보조 압전소자(40)는 압전소자중 발전된 형태인 PZT라고 불리는 압전세라믹으로 사용됨이 바람직하다.
미설명부호로서, 14는 실린지 용기와 배관으로 연결되어 용액을 용액충진공(12)으로 공급하는 용액공급공, 80은 용액의 역류를 방지하는 실링, 85는 상기 실링의 이탈을 방지하도록 지지하기 위해 펌프하우징(10)상에 나합 고정되는 고정너트, 86은 고정너트(85)상에 탄발스프링(65)이 삽입 지지되도록 형성된 요홈, 90은 제어부를 나타내는 것이다.
다음은 상기와 같이 구성되는 본 발명의 작동 및 작용에 대해 살펴보기로 한다.
본 발명은 이송수단(미도시)에 의해 에폭시수지와 같은 용액을 주입할 대상인 반도체칩이 노즐(13)하부로 위치하면, 이를 감지하여 제어부(90)에 제어작동하게 된다.
먼저 도 2의 실시예를 살펴보면, 단일의 압전소자(100)에 의해 로드(70)의 펌핑작동, 밸브작동을 행하게 된다.
이는 상기 제어부(90)에 의해 압전소자(100)에 전압을 공급하거나 그 공급 전압을 낮추는 것에 의해 변형(변위)를 발생하면서 지지판(60)과 함께 로드(70)를 승하강 작동시키게 된다.
다시말하면, 상기 메인 압전소자(30)에 일정 전압을 공급하면 그 변위 만큼 로드(70)를 하강작동시키게 된다.
이때 상기 로드(70)는 펌핑하우징(10)의 용액충진공(12)을 따라 하강하게 되는데 그 하단이 노즐(13)이 파손되는 것을 방지하기 위해 노즐(13)상부에 이격되는 위치까지 작동하게 된다.
이와 같은 상태에서 상기 압전소자(100)에 공급되는 전압을 낮추면 그 변위 값이 감소되므로 상기 로드(70)를 역으로 상승시키게 된다.
즉, 상기와 같이 압전소자(100)에 전압을 공급하거나 그 공급 전압을 낮추는 것을 반복함에 따라 상기 로드(70)가 승하강 작동을 반복하면서 상기 펌핑 하우징(10)의 용액충진공(12)상에서 용액 펌핑작동을 행하게 된다.
이때, 상기 지지판(60)하부에 지지 설치된 탄발스프링(65)은 완충작동을 행하게 된다.
상기와 같은 로드(70)의 용액 펌핑작동과 함께 상기 펌핑하우징(10)의 용액충진공(12)에는 이에 연결된 용액공급공(14)을 통해 실린지 용기(9)내의 에폭시 수지와 같은 접착 용액을 공기압으로 공급하게 된다.
따라서, 상기 용액충진공(12)으로 공급된 용액은 전술한 바와 같은 로드(70)의 승하강 펌핑작동으로 하부의 노즐(13)을 통해 반도체칩의 적정부에 토출, 도포되어 봉합하는 공정을 행하게 되는 것이다.
이때, 상기 용액충진공(12)에는 노즐(13)상부로 단차 경사면(12')을 형성하고 있어 로드(70)의 승하강 펌핑작동시에 용액에 의한 마찰 저항을 감소시키며 원활한 펌핑작동을 제공하 되는 것이다.
그리고 상기와 같은 과정에 의해 반도체칩의 봉합공정이 완료되면, 봉합 완료된 반도체칩은 이송수단에 의해 배출되고, 새로운 반도체칩이 다시 이송 공급되어 전술한 과정을 반복하게 된다.
또한, 상기한 반도체칩의 재 공급과정중에 용액의 점성이 낮은 경우에는, 상기 노즐(13)을 통해 용액충진공(12)상의 용액이 흘러 나올 우려가 있기 때문에 노즐(13)을 차단하는 밸브작동을 행하게 된다.
이는, 상기 제어부(90)에 의해 압전소자(100)의 전압을 높여 추가적인 변위를 발생하도록 하므로서 상기 로드(70)가 용액의 펌핑작동시보다 더 하강작동하면서 하단이 노즐(13)을 차단하므로 용액의 흐름을 방지하게 되는 것이다.
다음은 도 3 및 도 4의 실시예를 살펴보면, 도 2의 실시예와 달리 메인 압전소자(30)와 보조 압전소자(40)의 복수의 압전소자에 의해 로드(70)의 용액 펌핑작동, 밸브작동 또는 센싱작동을 행하게 된다.
이는 전술한 실시예와 동일하게 상기 제어부(90)에 의해 메인 압전소자(30)에 전압을 공급하거나 그 공급 전압을 낮추는 것에 의해 변형(변위)를 발생하면서 지지판(60)과 함께 로드(70)를 승하강 작동시키므로 상기 로드(70)의 펌핑작동으로 펌핑하우징(10)의 용액충진공(12)상의 용액을 노즐(13)을 통해 토출 공급하여 반도체칩의 적정부에 도포하여 봉합하는 공정을 행하게 되는 것이다.
또한, 상기 노즐(13)을 통해 용액이 흐름을 차단하는 밸브작동에 있어서는 전술한 실시예와 같이 압전소자의 전압을 높임에 따른 변위를 조절하는 것이 아니 라 보조 압전소자(40)에 의해 추가적으로 변위 값을 제공하므로 달성하게 되는 것이다.
이는 보조 압전소자(40)의 제1보조 압전소자(41)에 전압을 공급하거나 그 공급 전압을 낮추는 것에 의해 변형(변위)를 추가적으로 발생하면서 상기 메인 압전소자(30)에 의한 로드(70)의 승하강작동외에 추가적인 로드(70)의 승하강 작동을 제공하게 된다.
즉, 상기 메인 압전소자(30)의 전압에 의한 변위 발생과, 보조 압전소자(40)의 제1보조 압전소자(41)의 전압에 의한 변위 발생으로 상기 로드(70)가 용액의 펌핑작동시보다 추가적으로 하강작동하면서 하단이 노즐(13)을 차단하므로 용액의 흐름을 방지하게 되는 것이다.
또한, 상기한 제1보조 압전소자(41)는 상기 용액이 고점도를 갖는 경우에 상기한 메인 압전소자(30)와 함께 전압에 의한 변위 발생으로 로드(70)에 추력을 발생하여 용액의 펌핑작동을 더욱 원활하게 제공하도록 사용될 수도 있게 된다.
한편, 상기한 실시예에서는 상기 로드(70)의 용액 펌핑작동으로 노즐(13)을 통해 용액을 토출 공급하는 과정중에, 상기 로드(70)의 펌핑작동에 따른 반발력을 역으로 보조 압전소자(40)에 의해 검지하여 로드(70)의 펌핑작동을 보정 제어할 수 있는 센싱작동을 행하게 된다.
이는 상기 메인 압전소자(30)에 의해 로드(70)의 용액 펌핑작동시 용액의 점성이나 여러 상황에 따른 반발력을 보조 압전소자(40)의 제1보조 압전소자(41)에 의해 감지하게 된다.
이때 상기 제1보조 압전소자(41)는 전압이 제공되지 않는 상태이므로 반발력에 의한 전압을 발생하여 그 반발력을 검지하게 되는 것이다.
이와 같이 로드의 용액 펌핑작동에 따른 반발력이 제1보조 압전소자(41)에 의해 검지되면, 이를 제어부(90)에 의해 그에 대응되는 변위를 발생하도록 제2보조압전소자(42)에 전압을 공급하므로 상기 로드의 용액 펌핑작동에 따른 반발력을 보정하여 일정한 펌핑작동을 제공하게 되는 것이다.
특히, 상기 제2보조 압전소자(42)는 제1보조 압전소자(41)의 외측에 링 형태로 설치되므로 상기 제2보조 압전소자(42)에 가해지는 전압에 의한 변위가 하부의 로드에 일정하고 균일한 분포로 전달되므로 상기 로드의 용액 펌핑작동을 더욱 원활하게 제공하게 되는 것이다.
따라서, 용액의 점성이나 여러 상황에 따른 변수가 발생하더라도 상기 로드(70)의 펌핑작동에 의한 용액의 토출 공급이 일정하게 제공되므로 정밀하고 신뢰있는 작업을 행할 수 있게 되는 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명은, 적층 구비된 압전소자에 전압을 공급하면 변형(변위)을 발생하거나 이와 반대로 압력을 가하면 전압을 발생하는 현상을 이용한 디스펜싱을 제공하는 것으로, 압전소자에 전압을 공급하거나 그 공급 전압을 낮추는 것에 의해 압전소자의 변위를 늘리거나 복귀하도록 하면서 로드가 승하강작동시켜 노즐을 통해 용액을 토출 공급하는 펌핑작동과 용액의 흐름을 방지하도록 노즐을 차단하는 밸브작동을 행하거나 상기 로드의 용액 펌핑작동에 따른 반발 력을 압전소자에 의해 검지하여 다시 압전소자에 의해 로드의 펌핑작동을 보정하도록 제어하는 센싱작동을 행하도록 하므로서 간단한 구조에 의해서도 정밀하고 신뢰성 있는 디스펜싱 작업을 제공하는 매우 유용한 발명인 것이다.

Claims (7)

  1. 삭제
  2. 적층 구비된 압전소자에 전압을 공급하거나 그 공급 전압을 낮추는 것에 의해 압전소자의 변위를 늘리거나 복귀시켜 로드가 승하강하면서 용액을 펌핑하여 노즐을 통해 토출 공급하는 펌핑작동과, 상기 로드가 승하강하면서 노즐을 개폐하여 용액의 공급을 차단하는 밸브작동을 행하면서 반도체칩의 봉합을 위한 용액을 디스펜싱함에 있어서,
    상기 압전소자를 구획되게 적층하여 하부의 압전소자에 의한 로드의 승하강 펌핑작동시 발생되는 반발력을 역으로 상부의 압전소자에 의해 검지하여 다시 하부의 압전소자에 의한 로드의 승하강 펌핑작동을 보정하도록 제어하는 센싱작동을 더 행하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체칩 제조용 디스펜싱 방법.
  3. 삭제
  4. 베이스(20)내부의 지지판(60)상에 적층 설치된 압전소자(100)의 변위에 의해 하부의 로드(70)가 탄발스프링(65)을 탄발 압축하며 승하강 작동하면서 실린지용기(9)에서 펌핑하우징(10)의 용액충진공(12)으로 공급되는 용액을 하부의 노즐(13)로 토출하는 펌핑작동으로 반도체칩의 봉합을 행하도록 함과 함께 노즐(13)을 개폐작동하는 것에 있어서,
    상기 압전소자(100)는 메인 압전소자(30)와 그 상부에 절연체(50)에 의해 구획되게 적층된 보조 압전소자(40)로 구비하되, 상기 보조 압전소자(40)는 전압에 의해 변위를 발생하거나 로드(70)의 용액 펌핑작동에 대한 반발력을 감지하는 제1보조 압전소자(41)와, 그 외측으로 상기 제1보조 압전소자(41)의 반발력에 대응된 전압으로 변위를 발생하여 다시 로드(70)의 용액 펌핑작동을 보정하는 제2보조 압전소자(42)로 구성하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체칩 제조용 디스펜서 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제2보조 압전소자(42)는 제1보조 압전소자(41)의 외측으로 균일한 변위를 발생하도록 링 형태로 구성하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체칩 제조용 디스펜서 장치.
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