KR100660149B1 - 대용량 비영분산 천이 광섬유용 모재의 제조방법 - Google Patents

대용량 비영분산 천이 광섬유용 모재의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 대용량 비영분산 천이 광섬유용 모재의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 2개 또는 3개의 버너를 이용하여, 광섬유원료가스인 SiCl4, GeCl4와 연료가스인 H2, O2, CF4의 혼합가스를 화염 가수분해 반응시켜 광섬유 1차코어, 2차코어 그리고 3차코어 또는 광섬유 1차코어와 2차코어 및 완충층용 클래딩으로 구성되는 수우트 퇴적체를 탈수, 소결 및 연신 과정을 거쳐서 VAD 공법으로 제조하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 영분산 파장은 1360nm 내지 1440nm 대에 있으며 영분산 기울기는 0.03ps/nm2·km 이하 또는 0.05∼0.07ps/nm2·km사이의 값을 가진다. 따라서본 발명에 의해 제조된 비영분산 천이 광섬유는 다양한 전송시스템 적용이 가능하다. 또한, 1450 ∼ 1625nm 파장대에서 적용이 가능하고, 대용량 초고속 정보 전송에 유리하다.
대용량, 비영분산, 천이, 광섬유, 버너, 모재

Description

대용량 비영분산 천이 광섬유용 모재의 제조방법{Manufacturing Method of High- Capacity Non-zero Dispersion Shifted Fiber}
도 1 는 종래 기술로 제조된 코어용 수우트 퇴적체의 개략도.
도 2 는 종래 싱글모드 광섬유 굴절률 분포를 나타낸 개략도.
도 3 은 종래 및 본 발명에 의한 광섬유의 분산특성 비교 그래프.
도 4 은 본 발명의 제조 공정을 나타낸 흐름도.
도 5 는 본 발명의 실시예에 의한 수우트 퇴적체의 개략도.
도 6 은 본 발명의 다른 실시예에 의한 수우트 퇴적체의 개략도.
도 7 은 본 발명의 탈수 및 소결에 사용되는 가열로의 개략도.
도 8 은 본 발명의 방법에 의해 제조된 클래딩용 수우트 퇴적체의 개략도.
도 9 는 광섬유 프로파일의 굴절률의 형상이 더불유(W)형상인 경우 도면.
도 10은 광섬유 프로파일의 굴절률의 형상이 사다리꼴 형상인 경우 도면.
< 도면의 주요구성에 대한 부호의 설명>
10 : 씨드로드 12 : 수우트 퇴적체
13a, 13b : 버너 14 : 혼합가스
15 : 로심관 16 : 히터
18 : 유리봉 20 : 클래딩용 수우트 퇴적체
본 발명은 대용량 비영분산 천이 광섬유(High Capacity Non-Zero Dispersion Shifted Fiber)용 모제의 제조방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 수우트 퇴적체를 제조할 때 씨드로드의 외면 하단에서 광섬유원료가스인 SiCl4, GeCl4와 연료가스인 H2, O2, CF4의 혼합가스를 버너의 화염과 함께 적절히 인가하여 제조함으로써 다양한 전송시스템에 적용할 수 있다. 또한, 1450 ∼ 1625nm 파장대에서 적용이 가능하고, 대용량 초고속 정보 전송에 유리한 제조한 비영분산 천이 광섬유용 모재의 제조방법에 관한 것이다.
종래의 DWDM(Dense Wavelength Division Multiplexing : 파장분할)시스템에 적용하는 비영분산 천이 광섬유는 1530∼1565nm 파장 대에서 활용하고 있고 1565∼1625nm 장파장 영역의 활용뿐만 아니라, 단파장(1450∼1530nm)영역에서도 장거리 전송의 사용파장으로 적용하기 위하여 영분산 파장을 단파장 쪽으로 이동하게 된다. 또한 1383± 3nm에서 OH기(수산기)에 의한 손실이 0.4dB/km이하 이다.
본 발명과 관련되는 선행기술로 한국 특허공보 제 10-368575호(공고일 : 2003. 1.24, 대한전선주식회사)"비영분산 천이 광성유용 모재의 제조방법에 의하면, 광섬유를 VAD공법(Vapor-axial Deposition Method)에 의해 싱글 모드 광섬유로 제조하는 기술이 공개되어 있다. 상기 특허공보의 도면 1과 동일한 도 1에 도시한 바와 같이, 유리원료를 하단부에 설치된 1차버너(3a)를 통해 광섬유원료가스인 SiCl4, GeCl4와 연료가스인 H2, O2, Ar, CF4 혼합가스를 화염과 함께 적절히 인가하고 2차버너(3b)를 통해서는 광섬유원료가스인 SiCl4와 연료가스인 H2, O2의 혼합가스를 화염과 함께 적절히 인가하여 가수분해 반응시켜 씨드로드(1)에 증착시켜서 코어용 수우트 퇴적체(2)를 형성하는 공정, 상기의 수우트 퇴적체(2)를 Cl2 가스가 함유된 분위기의 로(furnace, 盧)에서 OH기를 제거하는 공정(탈수 공정)과, 상기 OH기가 제거된 코어용 수우트 퇴적체(2)를 적절한 온도로 소결하여 투명 유리화하는 공정, 상기의 유리화된 코어용 수우트 퇴적체를 설계된 외경으로 연신하여 코어용 유리봉을 만드는 공정, 상기 연신된 유리봉을 불산을 이용하여 에칭(etching)하는 공정, 상기 코어용 유리봉의 외주부에 다시 유리원료를 화염 가수분해 반응을 시켜 1차 클래드용 수우트를 퇴적시키는 공정, 상기 1차 클래드용 수우트를 적절한 온도로 소결하여 설계된 외경으로 연신하여 2차 코어용 유리봉을 만드는 공정, 상기 코어용 유리봉의 외주부에 다시 유리원료를 화염 가수분해 반응을 시켜 2차 클래드용 수우트를 퇴적시키는 공정, 상기 2차 클래드용 수우트를 적절한 온도로 소결하여 불순물을 제거하는 화염 연마하는 공정, 상기 공정을 거친 최종 수우트로부터 광섬유를 제조하는 공정으로 구성된다.
그러나, 종래 기술에서는 분산이 "0"에 가까운 DWDM 영역에서는 3개의 파장을 하나의 광섬유를 통해 전송할 경우 상기 3개의 파장이 서로 간섭하게 되어 4번째 파장이 생성되며, 상기 새롭게 생성되는 4번째 파장은 전송 신호를 왜곡시켜 전 송품질을 저하시키고 송신시 잡음으로 인식되면서 신호의 재생이 불가능해지고 사용 가능한 파장영역에 제한이 생기게 되는 등의 문제점이 발생하였다.
도 2는 종래 싱글모드 광섬유 굴절률 분포를 나타낸 개략도이고, 도 3은 종래 및 본 발명에 의한 광섬유의 분산특성 비교 그래프이다.
도 2는 광섬유 내에 빛이 전송되는 코어와 클래드 구조로서 클래드와 굴절률 차를 형성함으로써 이 차이에 의하여 빛이 코어를 통하여 전반사법칙에 의하여 도파할 수 있도록 해주는 구조이다. 이러한 굴절률 차이에 따라 광섬유 특성과 용도가 달라지게 된다.
도 3의 분산그래프에서는 단일모드 광섬유(a)와 기존 비영분산천이 광섬유(b), 본 발명에 의한 제조된 비영분산천이 광섬유(c)를 비교한다. 특히 기존 비영분산 천이 광섬유의 목표 사용파장은 1530∼1625nm이지만 본 발명에 의한 대용량 비영분산 천이 광섬유는 목표 사용파장이 1450∼1625nm 에서 사용파장에 영분산이 존재하지 않아야 한다.
도 3의 그래프에 (b)로 도시한 것과 같이, 종래 기술은 영분산파장이 장파장영역에 위치한 관계로 사용파장이 작아지게 되는 등의 단점이 발생하였다. 도 3에서 (c)가 본 발명의 광섬유 분산특성으로서, 영분산파장이 일반적으로 1360∼1440nm 에 위치하므로 1450∼1625nm 영역의 파장대에서 WDM 전송이 가능하다.
만약 영분산파장이 WDM 사용파장영역내에 존재하게 되면, 3개의 신호를 송신할 때 원하지 않는 파장이 별도로 생성되어 기존 신호의 왜곡, 누화 등을 일으키게 된다. 이러한 현상을 FWM(Four Wave Mixing)현상이라고 한다. 이러한 FWM 현상의 원인이 되는 4번째 파장의 발생원인을 "JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, VOL, QE-23" 제 121면 내지 128면(1991년 1월 발행)에서 아래의 수학식 1으로 표현하고 있다.
Figure 112005013099674-pat00001
여기에서, Pijk(L) : 새로 생긴 power의 세기, Dc : 광섬유 분산, Aeff : 광섬유 유효면적이다.
따라서, 이러한 FWM현상을 억제하기 위해서는 기본적으로 광섬유의 영분산이 WDM 사용영역에서는 존재하지 않는 것이 바람직하고, 가능한 한 광섬유의 유효면적을 크게 형성하는 기술이 필요함을 알 수 있다.
본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 본 발명의 목적은 코어용 수우트 퇴적체를 제조할 때 씨드로드의 외면 하단에서 광섬유원료가스인 SiCl4, GeCl4와 연료가스인 H2, O2 의 혼합가스를 버너의 화염과 함께 적절히 인가하여 제조하여 1450 ∼ 1625nm 파장대에서의 적용이 유리한 비영분산 천이 광 섬유용 모재의 제조방법을 제공하는 데에 있다.
또한, 본 발명에 의하여 생성되는 광섬유 프로파일은 2 가지 형태가 있는 바, 첫 번째 프로파일에서 1차 코어는 양의 굴절률(0.30∼0.60%), 2차 코어는 음의 굴절률(-0.15∼-0.05%), 3차 코어는 양의 굴절률(0.05∼0.2%)을 가지며, 두 번째 프로파일에서는 1차 코어는 양의 굴절률(0.40∼0.50%), 2차 코어는 양의 굴절률(0.05∼0.2%)을 가지면서 사다리꼴 형태이며, 3차 코어는 음의 굴절률(-0.1∼-0.05%)을 나타낸다. 영분산 파장은 1360nm 파장 대에서 1440nm 까지의 파장 대에 있으며 영분산 기울기는 0.03ps/nm2·km 또는 0.05∼0.07ps/nm2·km사이의 값을 가지므로 다양한 전송시스템 적용이 가능하도록 1450 ∼ 1625nm 파장대에서의 적용이 유리한 비영분산 천이 광섬유용 모재의 제조방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 목적을 달성하기 위한 비영분산 천이 광섬유용 모재의 제조방법은 유리원료를 화염 가수분해 반응시켜 버너 2개 혹은 3개를 사용하여 코어 및 클래딩 조성을 가진 다공질 유리 미립자를 준비된 유리로드에 퇴적시켜 코어용 수우트 퇴적체를 형성하는 1차 코어 퇴적 공정과; 상기의 코어용 수우트 퇴적체를 Cl2 와 CF4 가스가 함유된 분위기의 로속에서 탈수시키면서 OH기를 제거하는 1차 탈수하고, 상기의 OH기가 제거된 코어용 수우트 퇴적체를 적절한 온도에서 소결하여 투명 유리화하는 1차 탈수 및 소결공정과; 상기의 유리화된 코어용 수우트 퇴적체를 설계된 외경으로 연신하여 코어용 유리봉을 만드는 1차 연신공정과; 상기 코어용 유리봉의 외주부에 다시 유리원료를 화염 가수분해 반응을 시켜 1차 클래드용 수우트를 퇴적시키는 2차 퇴적공정과, 상기 1차 클래드용 수우트를 적절한 온도로 소결하여 설계된 외경으로 연신하여 2차 코어용 유리봉을 만드는 2차 자켓 탈수 및 소결공정과; 상기 코어용 유리봉의 외주부에 다시 유리원료를 화염 가수분해 반응을 시켜 2차 클래드용 수우트를 퇴적시키는 3차 퇴적공정과; 상기 2차 클래드용 수우트를 적절한 온도로 소결하여 불순물을 제거하는 화염 연마하는 3차 소결공정으로 구성된다.
바람직하게 상기 1차 연신공정과 2차 퇴적공정의 중간에 연신된 유리봉을 불산을 이용하여 에칭(etching)하는 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제조방법은 VAD공법으로 3개의 버너를 이용하여 두 가지 타입의 굴절율 프로파일을 제조가능하다. 그 하나는 1차 코어버너에는 SiO2와 GeO2를 인가하고 2차 코어버너에는 1차보다 낮은 굴절율을 가지는 GeO2의 양을 감소시켜 투입하고 3차 코어버너에는 CF4와 SiCl4 등으로 구성된다.
두 번째 타입은 1차 코어버너에는 SiO2와 GeO2를 인가하고 2차 코어버너에는 SiO2보다 낮은 굴절율을 가지도록 CF4를 투입하고 3차 코어버너에는 1차 코어버너에서 투입된 양보다 낮은 GeO2를 인가하여 SiCl4 등과 반응하게 구성되고, 코어와 클래드의 비는 2.0∼6.0 인것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하여 제조된 광섬유의 모재는 1383± 3nm에서 OH기에 의한 손실이 0.4dB/km이하이며 영분산범위가 1360∼1440nm, 분산값이 1450∼1625nm 파장대에서 1.0∼12.0ps/nm.km 이면서 분산기울기가 0.03ps/nm2.km 이하이거나 0.05∼0.07ps/nm2.km 인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제조방법에 의하여 제조되는 광섬유 모재는 1450∼1625nm까지 광범위한 파장에서 파장분할 다중방식(DWDM)을 이용한 통신에 이용할 수 있다.
본 발명에 의하면, 영분산파장이 1360∼1440nm 에 위치하고 1차 코어와 클래딩간의 굴절율차가 0.3∼0.6이 되도록 생성함으로써 1550nm 파장대에서 광섬유의 손실이 0.22 dB/Km 이하로 일정하면서 1450∼1625nm 영역에서 FWM 현상이 발생되지 않도록 함은 물론, 광섬유의 기울기가 0.03ps/nm2·km 이하 또는 0.05∼0.07ps/nm2·km사이의 값으로 기존보다 단파장영역에 있음에도 불구하고 낮은 분산기울기로 사용가능한 파장의 영역을 확장한 것이 특징이다.
이하 본 발명의 실시예를 첨부 도면에 의거 상세히 설명한다.
도 4 은 본 발명의 제조 공정을 나타낸 흐름도이고, 도 5 는 본 발명의 실시예에 의한 수우트 퇴적체의 개략도이고, 도 6 은 본 발명의 다른 실시예에 의한 수우트 퇴적체의 개략도이다. 도 7 은 본 발명의 탈수 및 소결에 사용되는 가열로의 개략도이고, 도 8 은 본 발명의 방법에 의해 제조된 클래딩용 수우트 퇴적체의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 제조공정을 나타낸다. 본 발명의 제조 순서 는 유리원료를 화염 가수분해 반응시키면서 코어 및 클래딩 조성을 가진 다공질 유리 미립자를 준비된 유리로드에 퇴적시켜 코어용 수우트 퇴적체를 형성하는 1차 공정(S 1)과; 상기의 코어용 수우트 퇴적체를 Cl2 와 CF4 가스가 함유된 분위기의 로속에서 1차 탈수시키면서 OH기를 제거하고, 상기 OH기가 제거된 코어용 수우트 퇴적체를 적절한 온도에서 1차 소결하여 투명 유리화하는 제 2 공정(S 2)과, 상기의 유리화된 코어용 수우트 퇴적체를 설계된 외경으로 연신하여 코어용 유리봉을 만드는 제 3 공정(S 3)과, 상기의 코어용 유리봉의 외주부에 다시 화염가수분해 반응을 시켜 클래딩용 수우트를 퇴적시키는 2차퇴적의 제 4 공정(S 4)과, 상기의 클래딩용 수우트 퇴적체를 2차 탈수, 소결하는 제 5 공정(S 5)과, 상기의 유리화된 1차 자켓용 수우트 퇴적체를 설계된 외경으로 연신하여 2차 코어용 유리봉을 만드는 제 6 공정(S 6)과, 상기의 자켓용 유리봉의 외주부에 다시 화염가수분해 반응을 시켜 2차 클래딩용 수우트를 퇴적시키는 3차퇴적의 제 7 공정(S 7)과, 상기의 클래딩용 수우트 퇴적체를 3차 소결하는 제 8 공정(S 8)으로 구성된다.
상기 1차 연신공정(S 3)과 2차 퇴적공정(S 4)의 중간에 연신된 유리봉을 불산을 이용하여 에칭(etching)하는 공정(S 10)을 더 포함하는 것이 바람직하다.
이와 같은 제조 과정에 의해 형성되는 광섬유용 모재는 도 5에 도시한 것과 같이 유리로드인 씨드로드(10)의 외면 하단에서 광섬유 원료가스인 SiCl4, GeCl4와 연료가스인 H2, O2 의 혼합가스(14)를 1차버너(13a), 2차버너(13b) 및 3차버너(13c)에 의한 화염을 적절히 인가하도록 하여 상기 씨드로드(10)의 외면에 1차코어와 2 차코어, 3차코어가 SiO2, GeO2 등으로 이루어진 수우트퇴적체(12)가 생성되도록 한다.
이 퇴적체를 탈수, 소결하여 제 2차 퇴적체를 형성하게 하는 유리봉을 만들기 위해 1차 연신을 행한다. 상기 과정을 거친 퇴적체를 소결하여 2차 연신을 거쳐 3차 퇴적체를 형성한 다음 소결과정을 거치면서 최종 모재를 형성한다. 상기 과정을 거친 최종 모재의 굴절률 프로파일을 측정하면 도 9 또는 10과 같은 특성을 나타내게 된다.
상기와 같이 본 발명에 의해 생성된 수우트퇴적체를 도 7에 도시한 바와 같이, 외면에 히터(16)를 장착한 로심관(15)에 Cl2 또는 He 가스(17)를 주입하면서 He은 10 ∼ 20ℓ/min, Cl2 는 300 ∼ 1200 ㏄/min, 로 온도는 900 ∼ 1400℃의 조건에서 OH기를 제거하는 1,2차 탈수의 공정을 수행한다.
OH기가 제거된 수우트 퇴적체(12)를 1300 ∼ 1700 의 온도 및 He은 15 ∼ 35 /min 조건에서 투명 유리화하는 1,2차 소결을 수행하여 3차 퇴적체의 형성 및 소결공정을 통해 모재가 형성된다.
상기의 모재를 사용하여 제조된 광섬유의 손실 특성은 도 3의 그래프에 (c)로 도시한 것과 같이 영분산이 DWDM 영역의 밖에서 발생하며 기울기가 0.03ps/ (nm2.km) 이하 또는 0.05∼0.07ps/(nm2.km)가 된다.
도 8은 본 발명의 방법에 의해 제조된 크래딩용 수우트 퇴적체로 이는 기존 공정과 클래딩 공정과 동일한 공정으로 광섬유의 기하학적 구조를 만족하기 위하여 연신된 코어봉에 화염가수분해 반응을 통하여 클래드를 형성하는 퇴적층을 형성하는 공정이다.
도 9는 광섬유 프로파일의 굴절률의 형상이 더불유(W)형상인 경우 도면이고, 도 10은 광섬유 프로파일의 굴절률의 형상이 사다리꼴 형상인 경우 도면이다.
하기 표 1에서 도 9와 도 10의 주요 특성과 특성값을 비교하였다. 본 발명의 방법으로 제조된 광섬유의 굴절율 프로파일은 더불유 형상 또는 사다리꼴 형상이다.
Figure 112005013099674-pat00002
본 발명의 코어슈우트의 제조공정에서 기존의 제조공정과는 다른 굴절율 프로파일을 갖는 구조로 제조하는 것이 가장 큰 차이점이다. 제1(+), 제2(-), 제3(+) 코어, 그 외부에 일반 SiO2 층으로 된 구조와 제1(+), 제2(+) 코어를 가지고 제3(-)코어를 가지고 그 외부에 일반 SiO2 층을 가지는 구조 2가지로 되어있다.
즉, 본 발명에 의하면 수우트 퇴적체로 형성한 광섬유의 굴절률 프로파일은 더블유(W)형태와 사다리꼴 형태로 나타난다. 첫 번째 프로파일에서 1차코어는 양의 굴절률, 2차코어는 음의 굴절율, 3차코어는 양의 굴절율을 가지며, 두 번째 프로파일에서는 1차코어는 양의 굴절률, 2차코어는 양의 굴절율을 가지면서 사다리꼴 형태이며, 3차코어는 음의 굴절율을 나타낸다. 영분산 파장은 1360nm 파장 대에서 1440nm 까지의 파장 대에 있으며 영분산 기울기는 0.03ps/nm2·km 이하 또는 0.05∼0.07ps/nm2·km사이의 값을 가진다.
이상 살펴 본와 같이, 본 발명에 의해 제조된 비영분산 천이 광섬유는 다양한 전송시스템 적용이 가능하도록 1450 ∼ 1625nm 파장대에서 적용 가능하며 대용량 초고속 정보 전송에 유리하다.
본 발명에 의하면 기존 비영분산 광섬유와는 달리 영분산파장이 1360∼1440nm으로 인하여 사용가능한 파장범위가 넓어지게 되어 기존 WDM(Wavelength Division Multiplexing) 영역인 1530∼1560nm 파장대뿐만 아니라 1560∼1625nm 파 장대, 그리고 1450∼1530nm 파장대의 사용이 가능해져 광범위한 파장범위에서 대용량의 초고속 정보를 전송할 수 있게 된다. 또한, 효율적인 DWDM(Dense Wavelength Division Multiplexing)시스템의 구성의 실현으로 시스템 비용 또한 절감되는 효과를 얻게 된다.

Claims (10)

  1. 광섬유의 모재를 제조하는 방법에 있어서, 2개 혹은 3개의 버너를 사용하여 유리원료를 화염 가수분해 반응시켜 코어 및 클래딩 조성을 가진 다공질 유리 미립자를 준비된 유리로드에 퇴적시켜 코어용 수우트 퇴적체를 형성하는 코어 퇴적 공정과; 상기의 코어용 수우트 퇴적체를 Cl2 와 CF4 가스가 함유된 분위기의 로속에서 탈수시키면서 OH기를 제거하는 1차 탈수하고, 상기의 OH기가 제거된 코어용 수우트 퇴적체를 적절한 온도에서 소결하여 투명 유리화하는 1차 탈수 및 소결공정과; 상기의 유리화된 코어용 수우트 퇴적체를 설계된 외경으로 연신하여 코어용 유리봉을 만드는 1차 연신공정과; 상기 코어용 유리봉의 외주부에 다시 유리원료를 화염 가수분해 반응을 시켜 1차 클래드용 수우트를 퇴적시키는 2차 퇴적공정과, 상기 1차 클래드용 수우트를 적절한 온도로 소결하여 설계된 외경으로 연신하여 2차 코어용 유리봉을 만드는 2차 자켓 탈수 및 소결공정과; 상기 코어용 유리봉의 외주부에 다시 유리원료를 화염 가수분해 반응을 시켜 2차 클래드용 수우트를 퇴적시키는 3차 퇴적공정과; 상기 2차 클래드용 수우트를 적절한 온도로 소결하여 불순물을 제거하는 화염 연마하는 3차 소결공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 비영분산 천이 광섬유 모재의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 코어 퇴적공정에서 코어와 클래드의 비가 2.0∼6.0 인 것을 특징으로 하는 광섬유 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 3차 소결공정에서 나타나는 광섬유 굴절률 프로파일은 더블유(W)형태 또는 사다리꼴 형태중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광섬유 제조방법.
  4. 제 3항에 있어서, 더블유(W)형태 프로파일은 1차 코어는 양의 굴절률(0.30∼0.60%), 2차 코어는 음의 굴절률(-0.15∼-0.05%), 3차 코어는 양의 굴절률(0.05∼0.2%)을 가지고 그 외부에 클래드를 퇴적 소결하여 모재를 만드는 것을 특징으로 하는 광섬유 제조방법.
  5. 제 3항에 있어서, 사디리꼴 형태 프로파일은 1차 코어는 양의 굴절률(0.40∼0.50%), 2차 코어는 양의 굴절률(0.05∼0.2%)을 가지면서 사다리꼴 형태이며, 3차 코어는 음의 굴절률(-0.15∼-0.05%)을 나타내고 그 외부에 클래드를 퇴적 소결하여 모재를 만드는 것을 특징으로 하는 광섬유 제조방법.
  6. 제 3항에 있어서, 상기 더블유(W)형태 프로파일은 b/a는 3.5∼4.0, c/b는 1.0∼1.5, c/a는 4.0∼6.0의 비율을 가지는(여기서 a는 1차코어직경, b는 2차코어직경, c는 3차코어직경) 것을 특징으로 하는 광섬유 제조방법.
  7. 제 3항에 있어서, 상기 사다리꼴 형태 프로파일은 b/a는 3.5∼4.5, c/b는 1.1∼1.5, c/a는 4.5∼5.5의 비율을 가지는(여기서 a는 1차코어직경, b는 2차코어직경, c는 3차코어직경)것을 특징으로 하는 광섬유 제조방법.
  8. 제1항에 의해 제조된 광섬유는 1383± 3nm에서 OH기에 의한 손실이 0.4dB/km이하이고, 1383± 3nm에서의 손실이 1310nm에서의 손실보다 낮은 것을 특징으로 하고, 영분산범위가 1360∼1440nm, 분산값이 1450∼1625nm 파장대에서 2.0∼11.0ps/nm.km 이면서 분산기울기가 0.03ps/nm2.km 이하 이거나 0.05∼0.07ps/nm2.km사이에 있는 것을 특징으로 하는 광섬유 제조방법
  9. 제1항에 의해 제조된 광섬유는 1383± 3nm에서의 손실이 1310nm에서의 손실보다 낮은 것을 특징으로 하고, 1340∼1625nm에서의 분산값이 2∼14ps/nm.km 또는 3∼15ps/nm.km 이고 영분산파장이 1300∼1330nm사이에 존재하며 1550nm에서의 분산기울기가 0.02ps/nm2.km 이하이고 1400nm에서의 분산기울기가 0.05ps/nm2.km 이하이면서 사용파장을 1340∼1625nm으로 광범위한 파장대에서 효과적인 WDM 전송이 가능한 광섬유 모재의 제조방법.
  10. 제1항에 의해 제조된 광섬유는 1450∼1625nm까지 광범위한 파장에서 파장분할 다중방식(DWDM)을 이용한 통신에 이용하는 것을 특징으로 하는 광섬유.
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