KR100657303B1 - Light emitting diode package and illumination apparatus - Google Patents

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Abstract

열관리를 효율적으로 하는 다이오드 칩 배열 구조를 가진 발광 다이오드 패키지 및 조명장치가 개시된다.Disclosed are a light emitting diode package and a lighting apparatus having a diode chip array structure for efficient thermal management.

이 개시된 발광 다이오드 패키지 및 조명장치는 기판과; 기판의 중심부분에 배치되는 중심부 발광 다이오드 칩과; 기판의 외곽부분에 배치되는 주변부 발광 다이오드 칩;을 포함하며, 중심부 발광 다이오드 칩의 발열량이 상기 주변부 발광 다이오드 칩의 발열량보다 상대적으로 작게 구성된 것을 특징으로 한다.The disclosed LED package and lighting device includes a substrate; A central light emitting diode chip disposed in the central portion of the substrate; Peripheral light emitting diode chip disposed on the outer portion of the substrate; includes, the heat generation amount of the central light emitting diode chip is characterized in that it is configured relatively smaller than the heat generation amount of the peripheral light emitting diode chip.

Description

발광 다이오드 패키지 및 조명장치{Light emitting diode package and illumination apparatus }Light emitting diode package and illumination apparatus

도 1은 복수개의 발광 다이오드 칩으로 구성된 패키지의 개념도이다. 1 is a conceptual diagram of a package composed of a plurality of light emitting diode chips.

도 2는 프로젝션 텔레비전의 광원으로 쓰이는 발광 다이오드 패키지를 포함하는 조명장치의 개략적인 도표이다.2 is a schematic diagram of a lighting device including a light emitting diode package used as a light source of a projection television.

도 3은 종래의 발광 다이오드 패키지의 동작 시 온도분포를 나타낸 도표이다.3 is a diagram illustrating a temperature distribution during operation of a conventional LED package.

도 4는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지에 있어서 발광 다이오드 칩의 배열을 개략적으로 나타낸 도면이다.4 is a view schematically showing the arrangement of the LED chip in the LED package according to the present invention.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 온도 분포의 예이다. 5 is an example of a temperature distribution of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지에 있어서 발광 다이오드 칩의 배열을 나타낸 도면이다.6 is a view showing the arrangement of the LED chip in the LED package according to the first embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지에 있어서 발광 다이오드 칩의 배열을 나타낸 도면이다.FIG. 7 illustrates an arrangement of a light emitting diode chip in a light emitting diode package according to a second embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 이용한 구체적인 조명장치이다.8 is a specific lighting device using a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.

〈도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명〉<Brief description of the major symbols in the drawings>

12,41,61,71...기판 12,41,61,71 ... substrate

42,62,72...주변부 발광 다이오드 칩42,62,72 ... Peripheral Light Emitting Diode Chip

43,63,73...중심부 발광 다이오드 칩43,63,73 ... Center LED Chip

11,66,65...전원11,66,65 ... power

본 발명은 복수개의 발광 다이오드 칩을 기판에 정렬한 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 효율적인 열관리를 하기 위한 발광 다이오드 칩 배열 구조를 가진 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode package in which a plurality of light emitting diode chips are arranged on a substrate, and more particularly, to a light emitting diode package having a light emitting diode chip arrangement structure for efficient thermal management.

발광 다이오드(Light Emitting diode)는 전기 에너지를 빛으로 변환시키는 고체 소자의 일종으로서, 일반적으로 2개의 상반된 도핑 반도체층 사이에 개재된 반도체 재료의 활성층을 포함한다. 2 개의 도핑층 양단에 바이어스가 인가되면, 정공과 전자가 활성층으로 주입된 후 그곳에서 재결합되면서 빛이 발생된다. 활성 영역에서 발생된 빛은 모든 방향으로 방출되고 그 중 일부가 외부로 노출된 표면을 통해 반도체 칩 밖으로 탈출하게 된다.Light Emitting Diodes are a type of solid state device that converts electrical energy into light and generally include an active layer of semiconductor material interposed between two opposing doped semiconductor layers. When a bias is applied across the two doped layers, light is generated as holes and electrons are injected into the active layer and then recombined there. Light generated in the active region is emitted in all directions, and some of them escape from the semiconductor chip through the exposed surface.

최근 발광 다이오드 반도체 재료가 개선됨에 따라 발광 다이오드 소자의 효율 또한 향상되어, 발광 다이오드는 프로젝션 텔레비전, 프로젝터, 교통 신호기, 옥외 및 옥내 디스플레이, 자동차 전조등 및 미등, 옥내 조명 장치 등의 광원용으 로 연구, 개발되고 있다. 그런데, 이러한 광원으로 사용하기 위해서는 고휘도의 발광이 요구되는데 한 개의 발광 다이오드 칩만으로는 광량이 부족하기 때문에 복수개의 발광 다이오드 칩을 정렬한 패키지를 광원으로 사용한다. 도 1은 복수개의 발광 다이오드 칩(13)으로 구성된 발광 다이오드 패키지(10)의 개념도이다. 상기 복수개의 발광 다이오드 칩(13)은 기판(12)에 정렬되어 패키징되며 구동전력(11)에 의하여 구동된다.With the recent improvement of LED semiconductor materials, the efficiency of LED devices has also been improved, and the LEDs have been researched and developed for light sources such as projection televisions, projectors, traffic signals, outdoor and indoor displays, automotive headlights and taillights, indoor lighting devices, etc. It is becoming. However, in order to use such a light source, high luminance light emission is required. Since only one light emitting diode chip lacks light quantity, a package in which a plurality of light emitting diode chips are arranged is used as a light source. 1 is a conceptual diagram of a light emitting diode package 10 including a plurality of light emitting diode chips 13. The plurality of light emitting diode chips 13 are aligned and packaged on the substrate 12 and driven by the driving power 11.

가령, 프로젝션 텔레비전의 경우 도2에 도시하듯이 동일한 색의 발광 다이오드 칩(13)을 복수개 포함한 발광 다이오드 패키지(10)를 적색, 녹색, 청색의 광원으로 사용하며, 상기 발광 다이오드 칩(13)에서 나오는 광을 플라이 아이 렌즈(22)를 이용하여 수속, 평행하게 한 후 콘덴싱 렌즈(23)를 이용하여 라이트 터널(24)에 인도하는 방법으로 조명 장치를 구성한다.For example, in the case of a projection television, a light emitting diode package 10 including a plurality of light emitting diode chips 13 of the same color is used as a red, green, and blue light source, as shown in FIG. The outgoing light is converged and parallelized using the fly's eye lens 22 and then guided to the light tunnel 24 using the condensing lens 23 to form the lighting device.

그런데, 발광 다이오드에서 빛이 방출할 때, 정공과 전자가 재결합되는 과정에서 발생되는 열이나 방출되지 않은 빛 등에 의하여 발광 다이오드는 열도 함께 방출하게 된다. 도 3은 종래의 발광 다이오드 패키지의 동작 시 온도분포를 나타낸 도표로 중심부(31)로 갈수록 온도가 높아짐을 볼 수 있다. 즉, 종래의 방법대로 복수개의 발광 다이오드 칩을 기판(12) 위에 정렬하여 패키지를 구성하면 기판(12)의 중심부(31)는 열 흐름 특성상 주변부(33)보다 높은 온도에 있게 된다. 이는 기판의 중심부(31)의 경우, 상기 중심부(31)에 위치한 발광 다이오드 칩(이하 중심부 발광 다이오드 칩이라 한다)에서 발생하는 열뿐만 아니라 기판의 주변부(33)에 위치한 발광 다이오드 칩(이하 주변부 발광 다이오드 칩이라 한다)에서 발생하는 열까지도 상기 중심부(31)의 온도에 영향을 미치는 반면에 상기 주변부(33)의 경우, 상기 주변부(33)의 외곽에 더 이상 발광 다이오드 칩이 없으므로 온도에 영향을 끼치는 열원이 상대적으로 적어 온도가 중심부에 비해 낮다.However, when light is emitted from the light emitting diode, the light emitting diode also emits heat due to heat generated during the recombination of holes and electrons, or light that is not emitted. 3 is a diagram showing a temperature distribution during operation of a conventional LED package, the temperature increases toward the center portion 31. That is, when a plurality of light emitting diode chips are arranged on the substrate 12 in a conventional manner to form a package, the central portion 31 of the substrate 12 is at a temperature higher than the peripheral portion 33 due to the heat flow characteristics. In the case of the central portion 31 of the substrate, not only the heat generated from the light emitting diode chip (hereinafter referred to as the central light emitting diode chip) located in the central portion 31, but also the light emitting diode chip (hereinafter referred to as peripheral light emission) located at the periphery 33 of the substrate. Even the heat generated from the diode chip affects the temperature of the central portion 31, while the peripheral portion 33 no longer has a light emitting diode chip outside the periphery 33. The heat source is relatively small, so the temperature is lower than that of the central part.

특히 고휘도의 발광 다이오드 패키지에 있어서 광량의 증가에 따라 방출되는 열량도 증가되므로, 상대적으로 온도가 낮은 주변부 발광 다이오드 칩은 별 문제가 없지만 상대적으로 온도가 높은 중심부 발광 다이오드 칩은 열화되어 광량 저하나 파장 쉬프트(shift)가 심하게 나타나고 심하면 발광 기능을 잃어버리는 문제점이 있다.In particular, in the high-brightness LED package, the amount of heat emitted increases as the amount of light increases. Therefore, the peripheral LED chip having a relatively low temperature is not a problem, but the central LED chip having a relatively high temperature is deteriorated, resulting in a decrease in light quantity or wavelength. There is a problem in that the shift is severe and the light emission function is lost.

따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로서, 발광 다이오드 패키지의 중심부분의 온도를 낮추어 발광 다이오드 소자의 열적 불안정성을 최소화하는 발광 다이오드 패키지를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a light emitting diode package that minimizes thermal instability of a light emitting diode device by lowering the temperature of a central portion of the light emitting diode package.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는, 기판과; 상기 기판의 중심부분에 배치되는 중심부 발광 다이오드 칩과; 상기 기판의 외곽부분에 배치되는 주변부 발광 다이오드 칩;을 포함하며, 상기 중심부 발광 다이오드 칩의 발열량이 상기 주변부 발광 다이오드 칩의 발열량보다 상대적으로 작게 구성된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a light emitting diode package according to the present invention, the substrate; A central light emitting diode chip disposed at a central portion of the substrate; And a peripheral light emitting diode chip disposed at an outer portion of the substrate, wherein the heat generation amount of the central light emitting diode chip is relatively smaller than that of the peripheral light emitting diode chip.

상기 중심부 발광 다이오드 칩의 구동전압 및/또는 구동전류는 상기 주변부 발광 다이오드 칩의 구동전압 및/또는 구동전류보다 상대적으로 낮게 하는 것 바람 직하다.The driving voltage and / or driving current of the central LED chip is preferably lower than the driving voltage and / or driving current of the peripheral LED chip.

상기 중심부 발광 다이오드 칩의 사이즈는 상기 주변부 발광 다이오드 칩의 사이즈보다 상대적으로 작게 하는 것이 바람직하다.The size of the central light emitting diode chip is preferably smaller than that of the peripheral light emitting diode chip.

본 발명에 따른 조명장치는 발광 다이오드 패키지와 상기 발광 다이오드 패키지에서 나오는 광을 수속, 평행하게 하는 광학 소자와 상기 광학 소자를 통과한 광의 세기를 균일하게 만들어 주는 라이트 터널을 포함하며, 상기 발광 다이오드 패키지는 기판과, 상기 기판의 중심부분에 배치된 중심부 발광 다이오드 칩과, 상기 기판의 외곽부분에 배치된 주변부 발광 다이오드 칩을 포함하며, 상기 중심부 발광 다이오드 칩의 발열량이 상기 주변부 발광 다이오드 칩의 발열량보다 상대적으로 작게 구성된 것을 특징으로 한다.The lighting apparatus according to the present invention includes a light emitting diode package, an optical element for converging and parallelizing the light emitted from the light emitting diode package, and a light tunnel for uniforming the intensity of light passing through the optical element. Includes a substrate, a central light emitting diode chip disposed at a central portion of the substrate, and a peripheral light emitting diode chip disposed at an outer portion of the substrate, wherein a heat generation amount of the central light emitting diode chip is greater than that of the peripheral light emitting diode chip. It is characterized in that it is configured relatively small.

상기 중심부 발광 다이오드 칩의 사이즈는 상기 주변부 발광 다이오드 칩의 사이즈보다 상대적으로 작게 하는 것이 바람직하다.The size of the central light emitting diode chip is preferably smaller than that of the peripheral light emitting diode chip.

이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a light emitting diode package according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지에 있어서 발광 다이오드 칩의 배열을 개략적으로 나타낸 도면이며, 도 5는 본 발명에 의한 발광 다이오드 패키지의 온도 분포의 예이다. 4 is a view schematically showing the arrangement of the LED chip in the LED package according to the present invention, Figure 5 is an example of the temperature distribution of the LED package according to the present invention.

도 4를 참고하면, 발광 다이오드 패키지(40)는 발광 다이오드 칩이 정렬되는 기판(41)과 발광 다이오드 칩(42),(43)을 포함한다. 상기 기판(41)에는 미도시된 전극이 형성되며, 그 위에 상기 발광 다이오드 칩(42),(43)이 놓이며, 플라스틱 몰 딩과정을 통해 패키징된다. 상기 발광 다이오드 칩(42),(43)이 상기 기판(41)에 탑재되는 방법에는 특별한 제한이 없으며, 상기 전극의 위치, 형태 및 구조 등은 하기의 실시예에서와 같이 발광 다이오드 칩의 배열 방법에 다라 달라질 수 있다. 상기 발광 다이오드 칩(42),(43)은 미도시된 전극과 Au 등의 물질로 형성된 본딩 와이어를 통하여 전기적으로 연결될 수 있으며, 플립-칩 방식으로 부착되어 있을 수 있다.Referring to FIG. 4, the LED package 40 includes a substrate 41 on which the LED chips are aligned, and the LED chips 42 and 43. An electrode (not shown) is formed on the substrate 41, and the LED chips 42 and 43 are disposed thereon and packaged through a plastic molding process. The method of mounting the light emitting diode chips 42 and 43 on the substrate 41 is not particularly limited, and the position, shape, and structure of the electrode may be arranged in the following embodiments. This may vary. The light emitting diode chips 42 and 43 may be electrically connected to a non-illustrated electrode through a bonding wire formed of a material such as Au, and may be attached in a flip-chip manner.

본 발명의 특징은 상기 발광 다이오드 칩(42),(43)이 기판(41)에 놓이는 위치에 따라 상기 발광 다이오드 칩(42),(43)의 발열량에 차등을 두는 데에 있다. 즉, 주변부 발광 다이오드 칩(42)의 발열량에 비하여 중심부 발광 다이오드 칩(43)의 발열량이 작도록 한다. 이로써 중심으로 열이 집중하는 현상을 방지하여 중심부 발광 다이오드 칩(43)이 조기에 열화되는 것을 막을 수 있게 된다. 도 5는 이와 같이 중심부 발광 다이오드 칩의 발열량을 감소시킴으로써 발광 다이오드 패키지의 온도 분포가 적정하게 관리되는 것을 보여준다. 즉, 도 3과 비교하여 상기 기판(41)의 중심부(51)의 온도가 주변부(53)의 온도와 비슷하게 됨을 볼 수 있다.The present invention is characterized in that the heat generation of the LED chips 42 and 43 is differentiated according to the position where the LED chips 42 and 43 are placed on the substrate 41. That is, the amount of heat generated by the central LED chip 43 is smaller than the amount of heat generated by the peripheral LED chip 42. This prevents heat from concentrating on the center, thereby preventing premature degradation of the central LED chip 43. 5 shows that the temperature distribution of the LED package is properly managed by reducing the amount of heat generated by the central LED chip. That is, compared to FIG. 3, it can be seen that the temperature of the central portion 51 of the substrate 41 is similar to the temperature of the peripheral portion 53.

도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지에 있어서 발광 다이오드 칩의 배열을 나타낸다. 제 1 실시예의 경우 모든 발광 다이오드 칩은 정격용량 즉, 정격전압/정격전류가 동일한 발광 다이오드 칩이다.6 shows an arrangement of a light emitting diode chip in a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention. In the case of the first embodiment, all of the light emitting diode chips are light emitting diode chips having the same rated capacity, that is, the same rated voltage / rated current.

정격용량이 동일한 발광 다이오드 칩이라 하더라도 필요에 따라 입력 전력을 달리 할 수 있다. 특히, 고휘도의 발광 다이오드 패키지의 경우 통상적으로 발광 다이오드 칩의 정격전압 및/또는 정격전류 이상의 전력을 입력하여 요구되는 고휘 도의 광량을 얻는다. 이와 같은 경우 발광 다이오드의 소비되는 전력과 발열량은 서로 비례하는 관계에 있으므로 입력 전력을 달리하여 발광 다이오드 칩의 발열량을 관리할 수 있다.Even with light emitting diode chips having the same rated capacity, the input power can be varied as necessary. In particular, in the case of a high brightness light emitting diode package, a power amount of a high brightness required is obtained by inputting power above a rated voltage and / or a rated current of a light emitting diode chip. In this case, since the power consumption and the heat generation amount of the light emitting diode are in proportion to each other, it is possible to manage the heat generation amount of the light emitting diode chip by changing the input power.

구체적으로 살펴보면, 상기 기판(61)의 외곽부분에 위치한 주변부 발광 다이오드 칩(62)에는 상대적으로 높은 전력을 입력하며, 중심부분에 위치한 중심부 발광 다이오드 칩(63)에는 상대적으로 낮은 전력을 입력한다. 도 6에서 모든 발광 다이오드 칩(62),(63)의 음극은 공통 전극(67)과 연결되고, 주변부 발광 다이오드 칩(62)의 양극은 제1 전극(68), 중심부 발광 다이오드 칩(63)의 양극은 제2 전극(69)과 연결되어 구동 전압이 제1 전압(65)과 제2 전압(66)으로 달리 한다. 제1 전압(65)에 비하여 제2 전압(67)은 상대적으로 낮아야 한다. 이와 비슷하게 구동전압 대신 구동전류에 차등을 두어 소비되는 전력을 달리하게 할 수도 있다. Specifically, relatively high power is input to the peripheral LED chip 62 positioned at the outer portion of the substrate 61 and relatively low power is input to the central LED chip 63 positioned at the center portion. In FIG. 6, cathodes of all the LED chips 62 and 63 are connected to the common electrode 67, and anodes of the peripheral LED chip 62 are the first electrode 68 and the central LED chip 63. The anode of is connected to the second electrode 69 so that the driving voltage is different from the first voltage 65 and the second voltage 66. The second voltage 67 should be relatively low compared to the first voltage 65. Similarly, instead of the driving voltage, the driving current may be differentiated to change the power consumed.

이에 따라 중심부 발광 다이오드 칩(63)의 발열량이 주변부 발광 다이오드 칩(62)의 발열량보다 작으므로 중심부로의 열집중이 완화되어 발광 다이오드 패키지에 있어서 중심부의 온도가 주변부의 온도와 비슷하게 관리될 수 있다.Accordingly, since the heat generation amount of the central LED chip 63 is smaller than the heat generation amount of the peripheral LED chip 62, heat concentration to the center is alleviated, so that the temperature of the center portion of the LED package may be managed to be similar to the temperature of the peripheral portion. .

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(70)에 있어서 발광 다이오드 칩(72),(73)의 배열을 나타낸다.7 shows the arrangement of the LED chips 72 and 73 in the LED package 70 according to the second embodiment of the present invention.

일반적으로 발광 다이오드 칩을 고출력으로 하기 위하여 N형 반도체층과 P형 반도체층 사이에서 발광이 일어나는 활성층을 넓게 하거나 복수개로 하게 된다. 이에 따라 발광 다이오드 칩이 고출력일수록 사이즈가 커진다. 한편 일반적으로 다이오드의 발광효율은 동일한 종류의 경우 다르지 않으므로, 입력전력과 출력전력은 선형관계에 있으며 고출력일수록 발열량이 크다. 따라서 발광 다이오드 칩이 정격출력을 한다고 할 때 고출력 발광 다이오드 칩의 발열량은 칩 사이즈가 클수록 커진다.In general, in order to make a light emitting diode chip high power, an active layer in which light emission occurs between the N-type semiconductor layer and the P-type semiconductor layer is widened or plural. Accordingly, the higher the power of the LED chip, the larger the size. On the other hand, in general, since the luminous efficiency of the diode is not different in the same kind, the input power and the output power are in a linear relationship, and the higher the output, the greater the heat generation. Therefore, when the light emitting diode chip has a rated output, the heat generation amount of the high power light emitting diode chip increases as the chip size increases.

제2 실시예의 경우 상기 기판(71)의 주변부에는 상대적으로 사이즈가 큰 발광다이오드 칩(72)을 배치하며, 중심부에는 상대적으로 사이즈가 작은 발광 다이오드 칩(73)을 배치한다. 이에 따라 동일한 전압을 가하더라도 중심부 발광 다이오드 칩(73)의 발열량이 주변부 발광 다이오드 칩(72)의 발열량보다 작으므로 열의 집중이 완화되어 발광 다이오드 패키지에 있어서 중심부의 온도가 주변부의 온도와 비슷하게 관리될 수 있다.In the second embodiment, a relatively large sized light emitting diode chip 72 is disposed at the periphery of the substrate 71, and a relatively small sized light emitting diode chip 73 is disposed at the center portion of the substrate 71. Accordingly, even if the same voltage is applied, the heat generation amount of the center LED chip 73 is smaller than the heat generation value of the peripheral LED chip 72, so that the concentration of heat is alleviated so that the temperature of the center portion of the LED package may be managed to be similar to the temperature of the periphery. Can be.

도 8을 참조하면서, 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 이용한 구체적인 조명장치를 살펴보기로 한다. 상기 조명장치는 광원으로 쓰이는 발광 다이오드 칩(82),(83)을 복수개 포함한 발광 다이오드 패키지(80)와, 상기 발광 다이오드 칩(82),(83)에 대응되는 위치에 배열되며 상기 발광 다이오드 패키지(80)에서 나오는 광을 수속, 평행하게 하는 광학 소자(85)와 상기 광학 소자를 통과한 광의 세기를 균일하게 만들어 주는 라이트 터널(87)을 포함하는 조명계를 구성한다. 상기 광학 소자(85)로는 플라이 아이 렌즈 등이 있으며, 상기 수속, 평행하게 된 광을 집속하는 콘덴싱 렌즈(86)가 더 구비될 수 있다. 상기 발광 다이오드 패키지(80)는 복수개의 동일한 색의 발광 다이오드 칩(82),(83)과 상기 발광 다이오드 칩(82),(83)이 정렬되는 기판(81)과 외부와의 전기적인 접속을 위한 미도시된 전극을 포함한다. 상기 발광 다이오드 칩(82),(83)은 가로 세로로 정렬되며, 상기 광학 소자(85)는 이에 대응되게 배치된다. Referring to Figure 8, it will be described a specific lighting device using a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention. The lighting apparatus includes a light emitting diode package 80 including a plurality of light emitting diode chips 82 and 83 used as a light source, and a light emitting diode package arranged at positions corresponding to the light emitting diode chips 82 and 83. The illumination system includes an optical element 85 for converging and parallelizing the light emitted from 80 and a light tunnel 87 for making the intensity of light passing through the optical element uniform. The optical element 85 may include a fly's eye lens, and the like may further include a condensing lens 86 that focuses the converged and parallel light. The light emitting diode package 80 may electrically connect a plurality of light emitting diode chips 82 and 83 of the same color to the substrate 81 on which the light emitting diode chips 82 and 83 are aligned. It includes an electrode not shown. The light emitting diode chips 82 and 83 are horizontally and vertically aligned, and the optical element 85 is correspondingly disposed.

상기 기판(81)의 외곽부분에 배치된 주변부 발광 다이오드 칩(82)은 발열량이 상대적으로 크며, 상기 기판(81)의 중심부분에 배치된 중심부 발광 다이오드 칩(83)은 발열량이 상대적으로 작다. 이에 따라 중심부 발광 다이오드 칩(83)의 열화 현상을 주변부 발광 다이오드 칩(82)의 경우와 비슷한 속도로 가져갈 수 있으므로 보다 안정된 조명계를 구축할 수 있다.The peripheral LED chip 82 disposed at the outer portion of the substrate 81 has a relatively high heat generation value, and the central LED chip 83 disposed at the center portion of the substrate 81 has a relatively low heat generation amount. Accordingly, the degradation phenomenon of the central LED chip 83 can be brought at a speed similar to that of the peripheral LED chip 82, so that a more stable illumination system can be constructed.

상기 조명장치로 프로젝션 텔레비전이나 프로젝터에 쓰이는 조명계를 도시하였으나, 이것은 일례이고 고출력의 광량이 요구되는 교통 신호기, 옥외 및 옥내 디스플레이, 자동차 전조등 및 미등이나 옥내 조명 장치 등의 형태를 취할 수 있다.Although the illumination system used for a projection television or a projector is illustrated as the lighting device, this is an example and may take the form of a traffic signal, an outdoor and indoor display, an automobile headlight and a taillight or an indoor lighting device requiring a high output light amount.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 패키지 기판의 중심부에 위치한 발광 다이오드 칩과 주변부에 위치한 발광 다이오드 칩의 발열량을 달리 함으로써 중심부 발광 다이오드 칩의 열화현상을 억제하여 광량 저하나 파장 쉬프트 등의 성능 악화를 방지할 수 있다.As described above, the light emitting diode package according to the present invention suppresses deterioration of the light emitting diode chip located at the center of the package substrate and the light emitting diode chip positioned at the periphery of the light emitting diode chip to reduce the amount of light or shift the wavelength. The deterioration of performance can be prevented.

이러한 본원 발명인 발광 다이오드 패키지는 이해를 돕기 위하여 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.Although the light emitting diode package of the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings for clarity, this is merely exemplary, and various modifications and equivalent other embodiments are possible to those skilled in the art. Will understand. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the appended claims.

Claims (5)

기판과; A substrate; 상기 기판의 중심부분에 배치되는 중심부 발광 다이오드 칩과;A central light emitting diode chip disposed at a central portion of the substrate; 상기 기판의 외곽부분에 배치되는 주변부 발광 다이오드 칩;을 포함하며,Includes; peripheral LED chip disposed in the outer portion of the substrate, 상기 중심부 발광 다이오드 칩의 발열량이 상기 주변부 발광 다이오드 칩의 발열량보다 상대적으로 작도록, 상기 중심부 발광 다이오드 칩의 구동전압이 상기 주변부 발광 다이오드 칩의 구동전압보다 상대적으로 낮게 구성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The LED package is characterized in that the driving voltage of the central LED chip is configured to be relatively lower than the driving voltage of the peripheral LED chip so that the heating value of the central LED chip is relatively smaller than the heating value of the peripheral LED chip. . 기판과; A substrate; 상기 기판의 중심부분에 배치되는 중심부 발광 다이오드 칩과;A central light emitting diode chip disposed at a central portion of the substrate; 상기 기판의 외곽부분에 배치되는 주변부 발광 다이오드 칩;을 포함하며,Includes; peripheral LED chip disposed in the outer portion of the substrate, 상기 중심부 발광 다이오드 칩의 발열량이 상기 주변부 발광 다이오드 칩의 발열량보다 상대적으로 작도록, 상기 중심부 발광 다이오드 칩의 구동전류가 상기 주변부 발광 다이오드 칩의 구동전류보다 상대적으로 낮게 구성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The LED package, characterized in that the drive current of the central LED chip is configured to be relatively lower than the drive current of the peripheral LED chip so that the heat generation of the central LED chip is relatively smaller than the heat generation of the peripheral LED chip. . 기판과; A substrate; 상기 기판의 중심부분에 배치되는 중심부 발광 다이오드 칩과;A central light emitting diode chip disposed at a central portion of the substrate; 상기 기판의 외곽부분에 배치되는 주변부 발광 다이오드 칩;을 포함하며,Includes; peripheral LED chip disposed in the outer portion of the substrate, 상기 중심부 발광 다이오드 칩의 발열량이 상기 주변부 발광 다이오드 칩의 발열량보다 상대적으로 작도록, 상기 중심부 발광 다이오드 칩의 정격출력이 상기 주변부 발광 다이오드 칩의 정격출력보다 상대적으로 낮게 구성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The LED package, characterized in that the rated output of the central LED chip is configured to be lower than the rated output of the peripheral LED chip so that the heating value of the central LED chip is relatively smaller than the heating value of the peripheral LED chip. . 발광 다이오드 패키지와 상기 발광 다이오드 패키지에서 나오는 광을 수속, 평행하게 하는 광학 소자와 상기 광학 소자를 통과한 광의 세기를 균일하게 만들어 주는 라이트 터널을 포함하는 조명장치에 있어서,An illumination device comprising: a light emitting diode package; an optical element for converging and parallelizing the light emitted from the light emitting diode package; and a light tunnel for making the intensity of light passing through the optical element uniform. 상기 발광 다이오드 패키지는 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 발광 다이오드 패키지인 것을 특징으로 하는 조명장치.The light emitting diode package is a light emitting diode package according to any one of claims 1 to 3. 삭제delete
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