KR100653959B1 - Preparation of patterned metal coated substrates using printing methods - Google Patents

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이창진
강영구
임종선
옥정림
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한국화학연구원
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Abstract

Provided are a method for forming a pattern of self-assembling monomolecular layer by using a printing technique, and a method for forming a pattern comprising dipping the pattern of self-assembling monomolecular layer into polymer solution capable of ion bonding, and forming a multilayered thin film by self-assembling mode. The method for forming a patterned substrate comprises the steps of (i) printing a compound of formula(1), X-(CH2)n-Y, on substrate by using inkjet, roll, or microcontact printing method, so as to form a pattern of monomolecular layer, and (ii) dipping the substrate into polymer solution reacting with the monomolecular layer to form a high molecular layer, and using the polymer layer as etching resist. In the formula(1), n is an integer of 2-20, X is thiol(-SH), imidazole or silyl group, Y is a functional group capable of ion bonding, and R is ethoxy or methoxy. The method for patterning a substrate comprises the steps of (a) forming a polymer film by the method as the above, (b) treating the film with heat and reacting the polymers with each other, so as to improve thermal and physical stability of the film.

Description

인쇄법을 이용한 금속 기판의 패턴 형성 방법{Preparation of patterned metal coated substrates using printing methods}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of forming a pattern on a metal substrate using a printing method,

도 1은 다층 고분자 막 제조법 모식도이고,1 is a schematic view of a multi-layer polymer membrane production method,

도 2는 인쇄법과 다층 고분자 막을 이용하여 패턴을 제조하는 모식도이며,Fig. 2 is a schematic diagram for producing a pattern using a printing method and a multi-layered polymer film,

도 3은 롤투롤 방식을 적용한 연속 공정 모식도이고,3 is a schematic view showing a continuous process using a roll-to-roll method,

도 4는 고분자 다층막을 이용하여 패턴한 폴리이미드 필름 상의 구리패턴에 대한 광학 현미경 사진이다.4 is an optical microscope photograph of a copper pattern on a polyimide film patterned using a polymer multilayer film.

본 발명 목적은 인쇄 기법을 이용하여 금속 기판 위에 단분자 패턴을 형성하는 방법과 형성된 단분자 막을 이용하여 형성된 고분자 다층 박막을 레지스트로 이용하여 금속 기판을 패터닝 하는 방법에 관한 것으로 공정의 단순화 및 연속 공정에 적용할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a method of forming a monomolecular pattern on a metal substrate using a printing technique and a method of patterning a metal substrate using a polymer multilayer thin film formed by using a formed monomolecular film as a resist, And a method for applying the method.

인쇄회로 기판의 미세 패턴을 형성하는 방법으로 현재 업체에서는 드라이 필름 레지스트라 불리는 필름을 구리 기판에 라미네이트한 후 자외선 광원을 마스크를 통하여 조사하여 레지스트 패턴을 제조하고 이를 현상한 후, 에칭 공정으로 레지스트가 없는 부분의 구리를 녹여내어 회로 패턴을 제조하는 방법을 사용한다. 이러한 포토리소그래피(photolithography) 방식은 패턴을 생성시키기 위해 드라이 필름을 라미네이트 하는 장비, 광원 및 현상 장비 등의 고가 장비가 필요하며 현상하면서 생기는 부산물을 폐기해야 하는 문제점도 가지고 있다. 얻기 위하여 고가의 장비가 필수적이며 여러 단계의 패턴 형성 과정이 필요하다는 단점이 있다.As a method of forming a fine pattern of a printed circuit board, a film called a dry film resist is laminated on a copper substrate, and then a UV light source is irradiated through a mask to form a resist pattern. After the resist pattern is developed, And then dissolving copper in the portion to produce a circuit pattern. Such a photolithography method requires high-priced equipment such as a device for laminating a dry film to generate a pattern, a light source and a developing device, and has a problem of discarding by-products generated during development. Expensive equipments are necessary and there is a disadvantage that a pattern formation process at various stages is required.

이 이외에 포토레지스트로 사용될 수 있는 잉크를 사용하여 직접 인쇄를 하여 구리 기판을 패터닝 하는 방법도 간혹 사용되나 이 경우 사용될 수 있는 잉크의 종류가 극히 제한적이어서 주로 스크린 프린팅 등의 방법으로만 적용이 가능하다. 즉, 잉크젯이나 다른 인쇄 방식에 적합한 잉크는 점도 등의 문제로 매우 한정적으로 개발되어 있다.In addition, a method of patterning a copper substrate by direct printing using an ink that can be used as a photoresist is also sometimes used, but in this case, since the kind of ink that can be used is extremely limited, it can be applied mainly by a method such as screen printing . In other words, inks suitable for inkjet or other printing methods have been developed very limited due to problems such as viscosity.

이러한 단점을 해결할 수 있는 방안으로 미국특허 5900160호에는 인쇄기법을 이용하여 자기조립 단분자층의 패턴을 기판위에 마이크로 콘택 인쇄법으로 형성하고, 형성된 단분자층을 레지스터로 사용하여 미세 패턴을 형성할 수 있는 기술이 공지되었다.In order to solve these drawbacks, U.S. Patent No. 5900160 discloses a technique for forming a pattern of a self-assembled monolayer using a printing technique by a microcontact printing method and forming a fine pattern using a monolayer formed of a resist as a resistor Lt; / RTI >

또한 WO 2004/013697에는 유사한 방법으로 금 표면을 마이크로 콘택 인쇄로 자기조립 박막을 형성하고 이를 에칭 하여 금 표면을 패터닝 하는 기술이 공지되어 있다.In addition, WO 2004/013697 discloses a technique of patterning a gold surface by forming a self-assembled thin film on a gold surface by micro contact printing in a similar manner and etching it.

그러나 이러한 자기조립 단분자층을 레지스터로 이용하는 방법은 금 표면을 티올과 같은 분자로 치환할 경우에는 치밀한 단분자막이 생성되어 레지스트로 사용이 가능하나 구리와 같은 금속과는 단분자층 형성 과정에서 치밀하지 못한 구조가 발생하게 된다. 단분자막의 이러한 구조적 결점으로 인하여 에칭 용액을 충분히 보호하지 못하여 구리와 같은 표면은 정밀한 패턴을 생성하지 못한다.However, when a self-assembled monolayer is used as a resistor, a dense monolayer is formed when a gold surface is replaced with a molecule such as thiol, which can be used as a resist. However, an inferior structure is formed in the process of forming a monolayer with a metal such as copper . These structural defects of the monolayer do not adequately protect the etch solution, and copper-like surfaces do not produce precise patterns.

또한 상기 금 표면 등은 증착 방법으로 제조된 박막으로 보통 두께가 1㎛ 이하인 박막으로 수 nm급인 자지조립 초박막에 의해 패터닝이 가능하나 수 ㎛ 이상의 두께를 가진 금속 막을 자기조립박막으로 패터닝하는 것은 불가능하다. 인쇄회로 기판과 같은 두꺼운 금속 막을 정밀한 미세 패턴을 얻지 못하게 된다.In addition, the gold surface and the like can be patterned by a thin film having a thickness of 1 μm or less and a thickness of several nanometers, but it is impossible to pattern a metal film having a thickness of several μm or more into a self-assembled thin film . It is impossible to obtain a fine fine pattern of a thick metal film such as a printed circuit board.

이러한 단점을 보완하기 위하여 에칭 용액을 기존의 단분자 화합물을 사용하는 대신에 나이트로벤젠술폰산을 산화제로 사용하고 폴리에틸렌이민과 같은 고분자로 착체를 형성하여 산화제가 치밀하지 못한 단분자막에 침투하지 못하도록 방지하여 구리기판 위에 형성된 패턴의 정밀도를 높이는 시도가 공지된 바 있다(M. Geissler 등 Microelectronic Engineering 67-68권(2003년) 326).In order to overcome this disadvantage, instead of using a conventional monomolecular compound as an etching solution, nitrobenzenesulfonic acid is used as an oxidizing agent and a complex is formed with a polymer such as polyethyleneimine to prevent the oxidizing agent from penetrating into the dense monolayer Attempts have been made to increase the precision of patterns formed on copper substrates (M. Geissler et al., Microelectronic Engineering 67-68 (2003) 326).

그러나 이러한 방법 역시 현재 널리 사용되고 있는 인쇄회로 기판과 같은 두꺼운 구리 층을 정밀하게 패턴하기에는 적절하지 못하다.However, this method is also not suitable for accurately patterning a thick copper layer such as a printed circuit board, which is currently widely used.

이온 결합이나 수소 결합을 이용하여 고분자 다층 박막을 형성하는 방법은 잘 알려져 있는데 (Science, 1977, 277, 1232.; J. Am. Chem. Soc., 2002, 124, 2100.), 이 방법은 도 1에 보인 바와 같이 기질에 음이온이나 양이온이 존재하면 이를 반대의 전하를 갖는 고분자 용액에 침지하고 꺼내서 세척하면 정전기적 인력에 의하여 반대 전하의 고분자가 매우 강하게 표면에 흡착되는 성질을 이용하는 것 이다. 한 층의 반대 전하를 띈 고분자 층이 올라가면 또 다른 반대 전하를 갖는 고분자 층을 쌓는 것이 가능하고 이를 반복하면 다층 고분자 박막이 된다. 이러한 방법을 이용하여 표면을 개질하고 센서 등의 용도로 활용하는 것에 대해서는 매우 잘 알려져 있다.A method of forming a polymer multilayer thin film using ionic bonds or hydrogen bonds is well known (Science, 1977, 277, 1232 .; J. Am. Chem. Soc., 2002, 124, 2100.) As shown in Fig. 1, when anions or cations are present in the substrate, the polymer is immersed in a polymer solution having an opposite charge. When the polymer is immersed in the polymer solution, the polymer is strongly attracted to the surface by electrostatic attraction. When the polymer layer with opposite charge of one layer is raised, it is possible to stack a polymer layer having another opposite charge, and if it is repeated, it becomes a multi-layer polymer thin film. The use of such a method for modifying the surface and for use as a sensor is well known.

이에 본 발명자들은 인쇄기법으로 자기조립 단분자막을 형성할 수 있음을 발견하였고 이를 다층 고분자 박막으로 쌓으면 매우 효과적으로 미세한 패턴을 얻을 수 있으리라 생각하고 연구를 수행하여 본 발명을 완성하게 되었다.Accordingly, the present inventors have found that a self-assembled monolayer can be formed by a printing technique, and that when a multi-layered polymer film is stacked, a very fine pattern can be obtained effectively.

본 발명은 구리, 금 혹은 ITO 등의 기판과 자기조립이 가능한 작용기와 이온 결합이 가능한 작용기를 동시에 가지는 화합물을 인쇄기법으로 인쇄하여 자기조립 단분자막 패턴을 형성 한 후 도 1에 보인 방법과 같이 한 층 한 층씩 고분자 층을 쌓아, 다층 박막을 형성하여 패턴의 두께를 증가시킬 뿐만 아니라 단분자막에 존재하는 결함을 덮어 치밀도를 증가시켜 레지스트로 사용이 가능함을 발견하였으며, 이렇게 패턴된 다층고분자막을 레지스트로 이용하여 에칭 공정을 한 후 구리, 금 및 ITO 등의 기판의 미세 패턴을 얻을 수 있는 방법을 알게 되어 본 발명을 완성하였다.The present invention is characterized in that a compound having both a functional group capable of self-assembly with a substrate such as copper, gold or ITO and a functional group capable of ionic bonding is printed by a printing technique to form a self-assembled monolayer pattern, It has been found that not only the thickness of the pattern is increased by stacking the polymer layers one layer at a time, but also the defects existing in the monolayer are covered to increase the density, and thus it is possible to use the resist as a resist. The patterned multi- And a method of obtaining a fine pattern of a substrate such as copper, gold and ITO after the etching process has been known, and thus the present invention has been completed.

전술한 발명의 목적을 이루기 위하여 본 발명에서는 인쇄기법으로 자기조립 단분자층의 패턴을 제조하는 방법을 제공한다.In order to accomplish the object of the present invention, the present invention provides a method of manufacturing a self-assembled monolayer pattern by a printing technique.

또한 본 발명은 구리, 금, ITO 등의 기판 위에 인쇄기법으로 생성한 자기조립 단분자층 패턴을 이온결합이 가능한 고분자 용액에 침지하여 고분자 층을 한 층씩 쌓아 올라가는 자기조립 방법으로 다층 박막을 형성하여 패턴을 형성하는 방법을 제공한다.The present invention also relates to a self-assembling method of stacking up polymer layers by immersing a self-assembled monolayer pattern produced by a printing technique on a substrate of copper, gold, ITO or the like into a polymer solution capable of ionic bonding, The method comprising the steps of:

본 발명에 인쇄기법으로 자기조립 단분자층을 제조하는데 사용된 화합물의 일반적인 구조는 화학식 1 로 표시 된다.The general structure of the compounds used in the present invention to prepare self-assembled monolayer layers by printing techniques is represented by formula (1).

X-(CH2)n-Y (화학식 1)X- (CH 2 ) n -Y (Formula 1)

상기 화학식에서 n은 2내지 20 사이의 정수이며, X는 티올 (-SH), 이미다졸(

Figure 112005070977122-pat00001
), 실릴 (
Figure 112005070977122-pat00002
)기와 같이 금속 표면과 반응할 수 있는 작용기이며, Y는 이온 결합이 가능한 작용기이다. 여기서 R은 에톡시 혹은 메톡시 중 하나이다.Wherein n is an integer between 2 and 20, X is selected from the group consisting of thiol (-SH), imidazole (
Figure 112005070977122-pat00001
), Silyl (
Figure 112005070977122-pat00002
) Group, and Y is a functional group capable of ionic bonding. Wherein R is either ethoxy or methoxy.

이온결합이 가능한 작용기의 예로서는 양이온과 결합 가능한 작용기로서 -COOH, -SO3H, -PO3H2 등이 있으며, 음이온과 결합 가능한 작용기로는 -NH2, -NR3, -CONH2 등이 사용가능하다.Examples of the ionic bonding functional groups as possible in combination with cationic functional groups and the like, as -COOH, -SO 3 H, -PO 3 H 2, possible in combination with anionic functional groups such as -NH 2, -NR 3, -CONH 2 Available.

화학식 1의 분자를 금속 표면에 패턴닝 하는 인쇄기법으로는 마이크로콘택 프린팅, 롤 프린팅, 잉크젯 프린팅 등의 방식이 가능하며 수 마이크론 이하의 미세 패턴 형성이 가능하다.As a printing technique for patterning the molecule of Formula (1) on a metal surface, microcontact printing, roll printing, inkjet printing, or the like can be used and fine patterns of a few microns or less can be formed.

상기의 화학식 1의 분자는 말단의 티올 (-SH)기가 금이나 구리 표면과 반응하며 자기조립 단분자막을 형성하므로 다른 말단에 있는 이온결합이 가능한 작용기가 표면에 노출되게 된다. 이러한 작용기가 표면에 노출된 기판을 이온결합이 가능한 양이온성 고분자 또는 음이온성 고분자 용액에 번갈아가며 침지하여 자기조립 다층 박막을 형성한다. 이때 양이온와 결합 가능한 작용기인 -COOH, -SO3H, -PO3H2 작용기를 가지는 화합물로 단분자막을 형성한 경우 양이온성 고분자 용액에 기판을 먼저 침지시키며, 음이온와 결합 가능한 작용기인 -NH2, -NR3, -CONH2 작용기를 가지는 화합물로 단분자막을 형성한 경우 음이온성 고분자 용액에 기판을 먼저 침지시킨다.The molecule of formula (1) reacts with gold or copper surface at the terminal thiol (-SH) group and forms a self-assembled monolayer, so that the ion-binding functional group at the other end is exposed on the surface. The substrate on which the functional groups are exposed is alternately immersed in a cationic polymer or an anionic polymer solution capable of ionic bonding to form a self-assembled multilayer thin film. In this case, when a monomolecular film is formed of a compound having -COOH, -SO 3 H, or -PO 3 H 2 functional groups capable of binding with cations, the substrate is first immersed in the cationic polymer solution, and the functional groups -NH 2 , When a monomolecular film is formed of a compound having NR 3 , -CONH 2 functional groups, the substrate is first immersed in an anionic polymer solution.

양이온성 고분자로는 예로는 폴리에틸렌이민, 폴리비닐피리딘, 폴리아크릴아마이드, 폴리알릴아민하이드로클로라이드 등이 있으며, 음이온성 고분자의 예로는 폴리스티렌술폰산, 폴리스티렌술포네이트, 폴리비닐술폰산, 폴리비닐술포네이트, 폴리아크릴산 등이 사용 가능하다. Examples of the cationic polymer include polyethyleneimine, polyvinylpyridine, polyacrylamide, and polyallylamine hydrochloride. Examples of the anionic polymer include polystyrenesulfonic acid, polystyrenesulfonate, polyvinylsulfonic acid, polyvinylsulfonate, poly Acrylic acid and the like can be used.

또한 말단 이온 결합이 카르복실 기 (-COOH)와 아민기 (-NH2, -CONH2)로 이루어져 있을 경우 온도를 올려서 아미드기 혹은 이미드 기로 변환시킬 수 있으며 이렇게 변환된 박막은 원래의 고분자 막보다 치밀도와 안정성 및 기계적 강도가 매우 증가한다. 특히 폴리아크릴아미드의 경우 매우 우수한 이미드 박막을 생성하므로 고온이나 장시간의 에칭 등의 공정에 사용되는 레지스트로 적합하다.When the terminal ionic bond is composed of a carboxyl group (-COOH) and an amine group (-NH 2 , -CONH 2 ), the temperature can be elevated to an amide group or an imide group, The density, stability and mechanical strength are greatly increased. Particularly in the case of polyacrylamide, a very excellent imide thin film is produced. Therefore, it is suitable as a resist used in a process such as etching at a high temperature or for a long time.

상기와 같은 방법으로 구리기판위에 자기조립 다층박막으로 제조된 패턴을 에칭용액에 담구어 식각하여 구리기판에 미세 패턴을 얻게 된다. 에칭 용액은 통상적으로 업계에서 사용하는 에칭 용액을 사용하면 된다. 에칭 용액의 조성으로는 CuCl2-NaClO3, K2S2O3-K3F2(CN)6-K4F2(CN)6, 나이트로벤젠술폰산 나트륨 (sodium nitrobenzenesulfonate)-폴리에틸렌이민(polyethyleneimine) 등의 조합이 주로 많이 사용된다.The pattern formed by the self-assembled multilayer thin film on the copper substrate is immersed in the etching solution and is etched to obtain a fine pattern on the copper substrate. The etching solution may be usually an etching solution used in the industry. The composition of the etching solution is CuCl 2 -NaClO 3 , K 2 S 2 O 3 -K 3 F 2 (CN) 6 -K 4 F 2 (CN) 6 , sodium nitrobenzenesulfonate-polyethyleneimine polyethyleneimine) are mainly used in combination.

이와 같은 자기조립박막을 이용한 패턴 형성은 단분자 화합물을 적절한 용제에 녹여서 사용하므로 적당한 점도의 용액으로 잉크젯 프린팅 및 마이크로콘택 인쇄법에 매우 용이하게 적용될 수 있으므로 기존의 다른 잉크보다 유리하다. 주로 사용할 수 있는 용매로는 에탄올 등의 알콜계 용매와 프로필렌글리콜 메틸이서 아세테이트와 같은 유기 용제 혼합물로 점도가 약 3 내지 7 cp 사이의 용액이 적당하다.The pattern formation using such a self-assembled thin film is advantageous over other conventional inks because a monomolecular compound is dissolved in an appropriate solvent and thus can be easily applied to inkjet printing and microcontact printing with a suitable viscosity solution. As the solvent that can be mainly used, a solution having a viscosity of about 3 to 7 cp is suitable as an alcohol solvent such as ethanol and an organic solvent mixture such as propylene glycol methyl ether acetate.

다층 박막으로 코팅된 레지스트는 열 및 용액 공정에서 매우 안정하지만 여러 번의 침지 과정을 거치므로 에칭할 금속의 두께가 10㎛ 이하일 경우에는 첫 번째 침지하는 고분자 용액의 농도를 높게 하면 좀 더 많은 량의 고분자가 자기 조립 패턴 상에 올라간다. 따라서 고분자 용액에 한 번만 침지하고서도 에칭 조건에서 견딜 수 있는 레지스트 막을 구할 수 있다. Since the resist coated with the multilayer thin film is very stable in the heat and solution process, it is subjected to the immersion process several times. Therefore, when the thickness of the metal to be etched is 10 μm or less, if the concentration of the first immersed polymer solution is increased, Lt; / RTI > on the self-assembly pattern. Therefore, a resist film that can withstand the etching conditions can be obtained even after immersing in the polymer solution only once.

이와 같은 패터닝 방법은 구리 기판에만 제한되는 것이 아니고 금 등과 같이 티올과 단분자막을 형성할 수 있는 금속 기판에는 모두 적용할 수 있다. 특히 화학 식 1에서 X가 실릴 기인 경우 ITO 및 SiO2 등의 패턴이 가능하다.Such a patterning method is not limited to a copper substrate but can be applied to a metal substrate on which a thiol and a monomolecular film can be formed, such as gold. In particular, when X is a silyl group in the formula 1, patterns such as ITO and SiO 2 are possible.

또한 본 발명에 따른 패턴 제조방법은 도 3에 보인 것과 같이 롤투롤 (roll-to-roll) 방식에 적합하므로 연속 공정으로 패터닝이 가능하다는 장점을 가지며, 이에 따른 롤투롤 방식의 패턴기판 연속 제조장치는 (a)롤에서 기판을 인출하는 단계; (b)기판상에 단분자층 패턴을 인쇄기에서 인쇄에 의해 형성하는 단계; (c)상기 인쇄된 기판의 단분자층과 상호작용하는 고분자용액조에 침지하는 고분자층을 형성하는 단계; (d)상기 기판을 에칭용액조에서 에칭하여 패턴을 형성하는 단계; (e)레지스트세척조하여 에칭레지스트를 제거하는 단계; 및 건조로에서 건조단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, since the pattern manufacturing method according to the present invention is suitable for a roll-to-roll method as shown in FIG. 3, it has an advantage that patterning can be performed in a continuous process, (A) withdrawing a substrate from a roll; (b) forming a monolayer pattern on the substrate by printing in a printing machine; (c) forming a polymer layer that is immersed in a polymer solution tank interacting with the monolayer of the printed substrate; (d) etching the substrate in an etching solution bath to form a pattern; (e) removing the etching resist by a resist washing bath; And drying in a drying furnace.

상기 (a)단계 후 세척조에서 세척하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 세척 단계 후에는 건조로에서 건조하는 단계를 더 포함할 수 있다. The method may further include a step of washing in a washing tank after the step (a), and the washing step may further include a step of drying in a drying furnace.

또한, 상기 (c)단계 후 고분자 층과 상호작용하는 다른 고분자용액조에서 침지하여 고분자층을 더 형성하는 단계(c-1)를 포함할 수 있으며, (c)단계의 고분자용액조와 (c-1)단계의 고분자용액조로 반복적으로 이송시켜 (c)단계의 고분자용액과 (c-1)단계의 고분자용액에 번갈아 반복적으로 침지하여 자기조립된 복수의 고분자층을 형성할 수 있다. The method may further include a step (c-1) of immersing the polymer layer in another polymer solution tank interacting with the polymer layer after the step (c) to form a polymer layer. In the step (c) 1) -step polymer solution tank to repeatedly immerse the polymer solution in step (c) and the polymer solution in step (c-1) alternately to form a plurality of self-assembled polymer layers.

이하, 본 발명을 아래 실시 예에 의거 더욱 자세히 설명하면 다음과 같다. 단 본 발명이 실시 예로 국한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the following examples. However, the present invention is not limited to the examples.

[실시예 1][Example 1]

25mM의 머캡토운데칸 산 (mercaptoundecanoic acid,MUA)를 에탄올과 프로필렌글리콜 메틸이서 아세테이트에 용해하여 폴리이미드 유연성 구리 기판 위에 마이크로 콘택 프린팅 방법으로 패턴을 전사한다. 이때 스탬프는 PDMS를 이용하여 공지의 방법으로 제조되었다. 패턴 전사는 25mM의 머캡토운데칸 산(MUA) 에탄올 용액이 침지된 스탬프를 구리 기판위에 30초 동안 접촉시켜 패턴을 전사하였다. 패턴이 전사된 구리 기판을 에탄올 용액으로 씻어준다. 25mM mercaptoundecanoic acid (MUA) was dissolved in ethanol and propylene glycol methyl ether acetate to transfer the pattern onto a polyimide flexible copper substrate by microcontact printing. At this time, the stamp was prepared by a known method using PDMS. The pattern transfer was carried out by contacting a stamp with a 25 mM mercapto-decanoic acid (MUA) ethanol solution immersed on a copper substrate for 30 seconds. Wash the patterned copper substrate with ethanol solution.

패턴이 전사된 구리 기판을 1 중량%의 폴리아크릴아마이드 수용액에 10분 간 침지한 후 물로 잘 씻어준다. 이 기판을 1 중량%의 폴리아크릴산 수용액에 10분 간 침지한 후 물로 잘 씻어 고분자 자기조립 박막을 형성한다. The patterned copper substrate is immersed in a 1% by weight aqueous solution of polyacrylamide for 10 minutes and washed well with water. The substrate is immersed in a 1 wt% aqueous solution of polyacrylic acid for 10 minutes and then washed with water to form a polymer self-assembled thin film.

상기와 같은 방법으로 폴리아크릴아마이드 수용액과 폴리아크릴산 수용액에 번갈아 침지하는 방법을 4회 더 반복하여 5층의 자기조립 고분자 박막을 형성한다. The method of alternately immersing the polyacrylamide aqueous solution and the polyacrylic acid aqueous solution in the same manner as described above is repeated four more times to form five self-assembled polymer thin films.

이 기판을 구리에칭 용액에 10분간 식각하여 미세패턴을 얻는다. 이때 구리 에칭 용액은 0.1M K2S2O3, 0.01M K3F2(CN)6와 0.001M K4F2(CN)6를 녹인 수용액을 사용하였다. 도 4는 이렇게 형성된 구리패턴의 광학 현미경 사진이다.This substrate is etched in a copper etching solution for 10 minutes to obtain a fine pattern. At this time, an aqueous solution in which 0.1 MK 2 S 2 O 3 , 0.01 MK 3 F 2 (CN) 6 and 0.001 MK 4 F 2 (CN) 6 were dissolved was used as the copper etching solution. FIG. 4 is an optical microscope picture of the copper pattern thus formed.

[실시예 2][Example 2]

자기조립 단분자 층을 형성하는 화합물로 10-아미노데칸티올을 사용하고 마이크로 콘택트 프린팅 방법으로 패턴을 전사한 후 자기조립 다층 박막을 형성하는 음이온 고분자로 1중량%의 폴리스타이렌 슬포네이트와 양이온 고분자로 1중량%의 폴리알릴아민하이드로클로라이드를 사용하여 상기 실시예 1과 같은 방법으로 5층의 자기조립 다층 박막을 형성하였다. As an anionic polymer that forms a self-assembled multilayer thin film by using 10-aminodecanethiol as a compound forming a self-assembled monolayer and transferring a pattern by a micro contact printing method, 1 wt% of polystyrene sulfonate and 1 wt% of a cationic polymer A self-assembled multilayer thin film of 5 layers was formed in the same manner as in Example 1 using polyallylamine hydrochloride in weight%.

이 기판을 상기 실시예 1의 에칭 용액을 사용하여 식각하여 수 μm의 미세 패턴을 얻었다.This substrate was etched using the etching solution of Example 1 to obtain a fine pattern of several micrometers.

[실시예 3][Example 3]

25mM의 머캡토운데칸 산(MUA)를 에탄올과 프로필렌글리콜 메팅이서 아세테이트에 용해하여 폴리이미드 유연성 구리 기판 위에 잉크젯 프린팅 방법으로 패턴을 전사한다. 패턴 전사에 사용된 잉크는 25mM의 머캡토운데칸 산(MUA)을 에탄올 용액에 용해하여 제조하였다.25 mM mercapto decanoic acid (MUA) is dissolved in ethanol and propylene glycol methionine acetate to transfer the pattern onto the polyimide flexible copper substrate by the ink jet printing method. The ink used for the pattern transfer was prepared by dissolving 25 mM of mercapto decanoic acid (MUA) in an ethanol solution.

잉크젯 방법으로 전사된 패턴을 상기 실시예 1과 같은 방법으로 자기조립 다층 박막을 형성한 후 에칭 용액에서 식각하여 수 μm의 미세 패턴을 얻었다.A self-assembled multilayer thin film was formed by the same method as in Example 1, and then patterned in an etching solution to obtain a fine pattern of several micrometers.

[실시예 4][Example 4]

실시예 3과 같은 방법을 사용하여 단분자막을 형성한 후 5 중량%의 폴리아크릴아마이드 수용액에 5분 내지 10분 침지하여 두 번째 고분자 층을 형성한 후 순수로 세척한다. 이후 에칭 공정을 실시하여 수 ㎛의 패턴을 얻었다. 고농도의 고분자 용액을 사용한 경우 한번 침지하여 두꺼운 박막을 형성할 수 있어 공정상 유리하며 패턴 형성에 큰 차이점은 없었다.A monomolecular film was formed using the same method as in Example 3, and then immersed in a 5 wt% aqueous solution of polyacrylamide for 5 minutes to 10 minutes to form a second polymer layer, followed by washing with pure water. Thereafter, an etching process was performed to obtain a pattern of several mu m. When a high concentration polymer solution is used, it can be dipped once to form a thick film, which is advantageous in the process and there is no significant difference in pattern formation.

[실시예 5][Example 5]

실시예 4와 같은 방법으로 실시하되 폴리아크릴아마이드 수용액에 침지한 후 꺼내어 180℃에서 30분 열처리하여 이미드화시키고 에칭 공정을 실시하여 우수한 패턴을 얻었다. The resultant was immersed in an aqueous solution of polyacrylamide, taken out and heat treated at 180 ° C for 30 minutes to be imidized and subjected to an etching process to obtain an excellent pattern.

[실시예 6][Example 6]

실시예 1과 같은 방법이나 기질을 구리에서 금이 증착된 실리콘 웨이퍼를 사용하여 실시하여 해상도가 5㎛급의 금 패턴을 얻었다.The same method as in Example 1 or a substrate was carried out using a silicon wafer having gold deposited thereon with copper to obtain a gold pattern having a resolution of 5 탆.

[실시예 7][Example 7]

실시예 5과 같은 방법이나 0.05M의 나이트로벤젠슬폰산 나트륨(sodium nitrobenzenesulfonate)과 3.5M의 폴리에틸렌이민(polyethyleneimine)이 녹아있는 수용액에서 60 내지 80 ℃의 온도에서 에칭을 실시하여 우수한 패턴을 얻었다. Etching was performed at a temperature of 60 to 80 占 폚 in an aqueous solution in which 0.05 M of sodium nitrobenzenesulfonate and 3.5 M of polyethyleneimine dissolved in the same manner as in Example 5 to obtain an excellent pattern.

[실시예 8][Example 8]

25 mM의 3-아미도프로필 트리에톡시 실란(3-aminopropyl triethoxy silane)을 에탄올에 녹인 후 패턴이 형성된 롤에 묻힌 후 ITO 기판 (ITO 두께 800nm)에 인쇄하였다. 약 45 ℃에서 건조 후 이를 폴리아크릴 산이 녹아 있는 용액에 침지한 후 꺼내어 순수로 세척하였다. 이를 1M의 질산과 염산이 녹아 있는 용액에 1분간 담구어 에칭하였다. 10㎛급의 해상도를 갖는 패턴이 얻어졌다. 25 mM of 3-aminopropyl triethoxy silane was dissolved in ethanol, and the resultant was put on a patterned roll, and printed on an ITO substrate (ITO thickness: 800 nm). After drying at about 45 ° C, it was immersed in a solution of polyacrylic acid dissolved, then taken out and washed with pure water. This was immersed in a solution of 1 M nitric acid and hydrochloric acid dissolved for 1 minute. A pattern having a resolution of 10 mu m grade was obtained.

본 발명에 따른 패턴 기판의 제조방법은 구리, 금 혹은 ITO 등의 기판과 자기조립이 가능한 작용기와 이온 결합이 가능한 작용기를 동시에 가지는 화합물을 인쇄기법으로 인쇄하여 자기조립 단분자막 패턴을 형성한 후 한 층씩 고분자 층을 쌓아, 다층 박막을 형성하여 패턴의 두께를 증가시킬 뿐만 아니라 단분자막에 존재하는 결함을 덮고 치밀도를 증가시켜 이를 레지스트로 사용이 가능하였으며, 상술한 바와 같이 패턴된 다층고분자막을 레지스트로 이용하여 에칭 공정을 한 후 구리, 금 및 ITO 등의 기판의 해상도가 높은 미세 패턴을 얻을 수 있는 장점이 있다.A method of manufacturing a patterned substrate according to the present invention is a method of manufacturing a patterned substrate by printing a compound having both a functional group capable of self-assembly with a substrate such as copper, gold, or ITO and a functional group capable of ionic bonding, It is possible not only to increase the thickness of the pattern by stacking the polymer layers to form a multilayer thin film but also to cover the defects existing in the monolayer and increase the density to use the resist as a resist. There is an advantage that fine patterns with high resolution of substrates such as copper, gold and ITO can be obtained after the etching process.

또한 본 발명에 따른 다층 박막으로 코팅된 레지스트는 내열성 및 내에칭성이 우수하여 인쇄회로 기판과 같은 두꺼운 구리 층을 정밀하게 패턴하기에 유리한 장점이 있다.Further, the resist coated with the multilayer thin film according to the present invention is advantageous in that it is excellent in heat resistance and resistance to etching and thus precise patterning of a thick copper layer such as a printed circuit board.

Claims (12)

(a) 하기 화학식 1의 화합물을 잉크젯, 롤 혹은 마이크로 콘택 인쇄법으로 기판에 인쇄하여 단분자층 패턴을 형성하는 단계; (b) 상기 단분자층과 상호 작용하는 고분자 용액에 침지하여 고분자 층을 형성시켜 상기 고분자 층을 에칭레지스트로 사용하는 것을 특징으로 하는 패턴기판의 제조방법.(a) printing a compound represented by the following formula (1) on a substrate by ink jet, roll or microcontact printing to form a monolayer pattern; (b) immersing in a polymer solution interacting with the monomolecular layer to form a polymer layer, and using the polymer layer as an etching resist. X-(CH2)n-Y (화학식 1)X- (CH 2 ) n -Y (Formula 1) (상기 화학식 1에서 n은 2내지 20 사이의 정수이며, X는 티올 (-SH), 이미다졸(
Figure 112005070977122-pat00003
) 또는 실릴 (
Figure 112005070977122-pat00004
)기이고, Y는 이온 결합이 가능한 작용기이며, 상기 R은 에톡시 혹은 메톡시 중 하나이다.)
Wherein n is an integer of 2 to 20, and X is thiol (-SH), imidazole (
Figure 112005070977122-pat00003
) Or silyl (
Figure 112005070977122-pat00004
) Group, Y is a functional group capable of ionic bonding, and R is one of ethoxy and methoxy.
제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 (b)단계 후 상기 고분자층과 상호작용하는 다른 고분자 용액에 침지하여 고분자층을 형성하는 단계(c)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴기판의 제조방법.And (c) after the step (b), dipping the polymer layer in another polymer solution interacting with the polymer layer to form a polymer layer. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 (b) 및 (c) 단계를 2회 이상 반복하여 상호 작용하는 고분자층이 반복적으로 형성하여 에칭레지스트의 기능을 하는 다층고분자층 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 패턴기판의 제조방법.Wherein the step (b) and the step (c) are repeated two or more times to have a multi-layered polymer layer structure in which a mutually interacting polymer layer is repeatedly formed to function as an etching resist. 제 2항에 있어서, 3. The method of claim 2, 상기 고분자 층이 -COOH, -SO3H, -PO3H2 작용기를 가지는 고분자 용액과 -NH2, -NR3, -CONH2 작용기를 가지는 고분자 용액에 교대로 침지하여 적층한 다층 고분자층인 것을 특징으로 하는 패턴기판의 제조방법.The polymer layer is a -COOH, -SO 3 H, -PO 3 H 2 functional groups having the polymer solution and -NH 2, -NR 3, -CONH multi-layer polymer is immersed by laminating alternately a polymer solution having a second functional layer Wherein the pattern substrate has a surface roughness of at least 10 占 퐉. 제 4항에 있어서, 5. The method of claim 4, 상기 고분자용액에 사용된 고분자가 폴리에틸렌이민, 폴리비닐피리딘, 폴리아크릴아마이드, 폴리알릴아민하이드로클로라이드에서 선택되는 고분자와 폴리스티렌술폰산, 폴리스티렌술포네이트, 폴리비닐술폰산, 폴리비닐술포네이트, 폴리아크릴산에서 선택되는 어느 하나의 고분자용액이 교대로 적층되는 것을 특징으로 하는 패턴기판의 제조방법.Wherein the polymer used in the polymer solution is selected from the group consisting of a polymer selected from polyethyleneimine, polyvinylpyridine, polyacrylamide and polyallylamine hydrochloride and a polymer selected from polystyrene sulfonic acid, polystyrenesulfonate, polyvinylsulfonic acid, polyvinylsulfonate and polyacrylic acid Wherein one of the polymer solutions is alternately laminated. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 기판은 금, 구리 또는 ITO에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 패턴기판의 제조방법.Wherein the substrate is any one selected from gold, copper, and ITO. 청구항 2항 내지 제6항에서 선택되는 어느 한 항의 제조방법에 의해 고분자 막을 제조한 후, 열처리하여 고분자 상호간 반응을 시켜 열적 안정성과 기계적 안정성을 향상시켜 제조하는 패턴기판의 제조방법.A process for producing a patterned substrate, comprising the steps of: preparing a polymer film by the method according to any one of claims 2 to 6, followed by heat treatment to effect mutual reaction between polymers to improve thermal stability and mechanical stability. (a)롤에서 기판을 인출하는 단계; (b)기판상에 단분자층 패턴을 인쇄기에서 인쇄에 의해 형성하는 단계; (c)상기 인쇄된 기판의 단분자층과 상호작용하는 고분자용액조에 침지하는 고분자층을 형성하는 단계; (d)상기 기판을 에칭용액조에서 에칭하여 패턴을 형성하는 단계; (e)레지스트세척조하여 에칭레지스트를 제거하는 단계; 및 건조로에서 건조단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 롤투롤 방식으로 기판을 이송시키는 패턴기판의 연속제조장치.(a) withdrawing a substrate from a roll; (b) forming a monolayer pattern on the substrate by printing in a printing machine; (c) forming a polymer layer that is immersed in a polymer solution tank interacting with the monolayer of the printed substrate; (d) etching the substrate in an etching solution bath to form a pattern; (e) removing the etching resist by a resist washing bath; And a drying step in a drying furnace. The apparatus for continuously manufacturing a pattern substrate for transferring a substrate in a roll-to-roll manner. 제 8항에 있어서,9. The method of claim 8, 상기 (a)단계 후 세척조에서 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하 는 롤투롤 방식으로 기판을 이송시키는 패턴기판의 연속제조장치.The method of manufacturing a pattern substrate according to claim 1, further comprising the step of cleaning the substrate in the cleaning tank after the step (a). 제 9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 세척단계 후 건조로에서 건조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 롤투롤 방식으로 기판을 이송시키는 패턴기판의 연속제조장치.And drying the substrate in the drying furnace after the cleaning step. 제 8항에 있어서,9. The method of claim 8, 상기 (c)단계 후 고분자 층과 상호작용하는 다른 고분자용액조에서 침지하여 고분자층을 더 형성하는 단계(c-1)를 포함하는 것을 특징으로 하는 롤투롤 방식으로 기판을 이송시키는 패턴기판의 연속제조장치.And (c-1) a step (c-1) of immersing the polymer layer in another polymer solution tank interacting with the polymer layer after the step (c) to form a polymer layer. Manufacturing apparatus. 제 11항에 있어서,12. The method of claim 11, 상기 (c)와 (c-1)의 고분자용해조로 반복적으로 이송시켜 복수의 고분자층을 형성하는 것을 특징으로 하는 롤투롤 방식으로 기판을 이송시키는 패턴기판의 연속제조장치.Wherein the plurality of polymer layers are repeatedly transferred to the polymer melt baths of (c) and (c-1), thereby transferring the substrate by the roll-to-roll system.
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