KR100650279B1 - Light emitting diode device - Google Patents

Light emitting diode device Download PDF

Info

Publication number
KR100650279B1
KR100650279B1 KR1020050081144A KR20050081144A KR100650279B1 KR 100650279 B1 KR100650279 B1 KR 100650279B1 KR 1020050081144 A KR1020050081144 A KR 1020050081144A KR 20050081144 A KR20050081144 A KR 20050081144A KR 100650279 B1 KR100650279 B1 KR 100650279B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led chip
package
light emitting
groove
emitting diode
Prior art date
Application number
KR1020050081144A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
황석민
김현경
이동율
홍상수
신옥희
한재호
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020050081144A priority Critical patent/KR100650279B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100650279B1 publication Critical patent/KR100650279B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

An LED device is provided to prevent the loss of light emitted from an LED chip by mounting horizontally the LED chip in a package using a socket type lead terminal with a predetermined groove. An LED device includes a lead frame, a package, an LED chip, a reflective member, and a molding material. The lead frame has a pair of socket type lead terminals with predetermined grooves. The package(20) is made of a synthetic resin material to hold partially the lead frame. The LED chip(60) is inserted into the predetermined groove of the lead terminal. The reflective member is formed along an inner surface of the package. The molding material(80) is filled in the package to protect the LED chip.

Description

발광 다이오드 소자{Light Emitting Diode Device}Light Emitting Diode Device

도 1은 일반적인 발광 다이오드 소자의 구조를 나타낸 개략도.1 is a schematic view showing the structure of a general light emitting diode device.

도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 잘라 도시한 도면으로서, 종래 기술에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 상세히 나타낸 단면도.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II ′ of FIG. 1, and is a cross-sectional view showing in detail the structure of a light emitting diode device according to the prior art.

도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 잘라 도시한 도면으로서, 종래 기술에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 상세히 나타낸 단면도.3 is a cross-sectional view taken along line III-III ′ of FIG. 1, and is a cross-sectional view showing the structure of a light emitting diode device according to the prior art in detail.

도 4는 도 1의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 잘라 도시한 도면으로서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 상세히 나타낸 단면도.4 is a cross-sectional view taken along line III-III ′ of FIG. 1, and is a cross-sectional view illustrating in detail the structure of a light emitting diode device according to a first embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 상세히 나타낸 정면도.5 is a front view showing in detail the structure of the LED device according to the first embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제1 실시예의 제1 변형예에 따른 발광 다이오드 소자의 패키지 내부 측벽을 나타낸 단면도.6 is a cross-sectional view illustrating a package inner sidewall of a light emitting diode device according to a first modification of the first embodiment of the present invention;

도 7은 본 발명의 제1 실시예의 제2 변형예에 따른 발광 다이오드 소자의 패키지 내부 측벽을 나타낸 단면도.7 is a cross-sectional view illustrating a package inner sidewall of a light emitting diode device according to a second modification of the first embodiment of the present invention.

도 8은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 잘라 도시한 도면으로서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 상세히 나타낸 단면도.8 is a cross-sectional view taken along line III-III ′ of FIG. 1, and is a cross-sectional view illustrating in detail the structure of a light emitting diode device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>

10 : 인쇄회로기판 20 : 패키지10: printed circuit board 20: package

40 : 방사창 50 : 리드프레임40: radiation window 50: lead frame

51, 52 : 소켓 형상의 리드 단자51, 52: socket-shaped lead terminal

51a, 52a : 전극 연결부 51b, 52b : LED 칩 지지부51a, 52a: electrode connection part 51b, 52b: LED chip support part

60 : LED 칩 70 : 와이어60: LED chip 70: wire

80 : 몰딩재 90 : 투명 에폭시80: molding material 90: transparent epoxy

본 발명은 발광 다이오드 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 LED 칩의 후면으로 방출하는 빛의 소멸을 차단하여 발광 다이오드의 발광효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode device, and more particularly, to a light emitting diode device that can improve the luminous efficiency of the light emitting diode by blocking the disappearance of light emitted to the back of the LED chip.

발광 다이오드(Light Emitting Diode, 이하, LED라 한다)는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaInP 등의 화합물 반도체(compound semiconductor) 재료의 변경을 통해 발광원을 구성함으로서, 다양한 색의 빛을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다.Light Emitting Diodes (hereinafter, referred to as LEDs) are semiconductor devices capable of realizing various colors of light by forming light emitting sources by changing compound semiconductor materials such as GaAs, AlGaAs, GaN, and InGaInP. Say.

최근 LED 소자는 비약적인 반도체 기술의 발전에 힘입어, 저휘도의 범용제품에서 탈피하여, 고휘도, 고품질의 제품 생산이 가능해졌다. 또한, 고특성의 청색(blue)과 백색(white) 다이오드의 구현이 현실화됨에 따라서, LED는 디스플레이, 차세대 조명원 등으로 그 응용가치가 확대되고 있다. 일예로서, 표면실장(Surface mounting device) 형태의 LED 소자가 제품화되고 있다.In recent years, LED devices have been driven by the rapid development of semiconductor technology, so that they can escape from low-intensity general-purpose products and produce high-brightness and high-quality products. In addition, as the implementation of high-performance blue and white diodes becomes a reality, the application value of LEDs is being extended to displays, next-generation lighting sources, and the like. As an example, LED devices in the form of surface mounting devices have been commercialized.

그러면, 이하 도 1 내지 도 3을 참조하여 종래 기술에 따른 표면실장형 LED 소자에 대하여 상세히 설명하기로 한다.Then, the surface-mount LED device according to the prior art will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 3.

우선, 도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 나타낸 개략도로서, 종래 기술에 따른 표면실장형 LED 패키지 즉, 발광 다이오드 소자는 몰딩 에폭시 수지로 이루어진 패키지(20)를 가지며, 상기 패키지(20)의 소정면은 빛이 방사되기 용이하도록 오픈된 방사창(40)이 형성되고, 다른 면에는 인쇄회로기판(10)에 장착되도록 한 쌍의 리드 단자로 이루어진 리드프레임(50)이 돌출되어 있다. 또한, 상기와 같이 구성된 패키지(20)의 내부에는 LED 칩(도시하지 않음)이 그 발광면이 상기 방사창(40)을 향하도록 배치되며, 와이어(도시하지 않음)에 의해 상기 리드 단자와 LED 칩이 연결되어 있다.First, Figure 1 is a schematic diagram showing the structure of a light emitting diode device according to the prior art, the surface-mount LED package according to the prior art, that is, the light emitting diode device has a package 20 made of a molding epoxy resin, the package 20 The predetermined surface of the) is formed with an open radiation window 40 so as to easily emit light, and the other side is protruded lead frame 50 consisting of a pair of lead terminals to be mounted on the printed circuit board 10. In addition, an LED chip (not shown) is disposed inside the package 20 configured as described above such that a light emitting surface thereof faces the radiation window 40, and the lead terminal and the LED are connected by a wire (not shown). The chip is connected.

이하, 도 2 및 도 3을 참조하여 종래 기술에 따른 발광 다이오드 소자에 대하여 보다 구체적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, a light emitting diode device according to the related art will be described in more detail with reference to FIGS. 2 and 3.

도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 잘라 도시한 도면으로서, 종래 기술에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 상세히 나타낸 단면도이고, 도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 잘라 도시한 도면으로서, 종래 기술에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 상세히 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 1, and is a cross-sectional view illustrating a structure of a light emitting diode device according to the prior art in detail. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III ′ of FIG. 1. As a figure, it is sectional drawing which shows the structure of the light emitting diode element which concerns on a prior art in detail.

도 2 및 도 3을 참조하면, 종래 기술에 따른 발광 다이오드 소자는 한 쌍의 리드 단자(51, 52)로 형성된 리드프레임(50)과, 상기 리드프레임(50)의 일부를 내측에 수용하도록 합성수지재로 형성된 패키지(20)와, 상기 패키지(20) 내부의 리드프레임(50) 상에 수직 실장된 LED 칩(60)과, 상기 패키지(20) 내부에 충진되어 LED 칩(60)을 보호하는 몰딩재(80)로 이루어진다. 이때, 상기 LED 칩(60)은 상기 LED 칩과 패키지(20) 사이 계면에 위치하는 투명 에폭시(90)를 통해 패키지(20) 상에 고정된다.2 and 3, a light emitting diode device according to the related art includes a lead frame 50 formed of a pair of lead terminals 51 and 52 and a synthetic resin to accommodate a part of the lead frame 50 inside. The package 20 formed of ash, the LED chip 60 mounted vertically on the lead frame 50 inside the package 20, and the inside of the package 20 are filled to protect the LED chip 60. It is made of a molding material (80). In this case, the LED chip 60 is fixed on the package 20 through a transparent epoxy 90 located at the interface between the LED chip and the package 20.

한편, 일반적으로 LED 칩의 특성을 결정하는 일반적인 기준은 색(color), 휘도, 휘도의 세기 범위등이며, 이러한 LED 칩의 특성은 1차적으로 LED 칩에 사용되는 화합물 반도체의 재료에 의해 결정되지만, 부수적으로 LED 칩을 실장하기 위한 패키지의 구조에 영향을 받는다. 특히, 이러한 LED 패키지의 구조는 휘도와 휘도의 각 분포에 큰 영향을 미치게 된다.On the other hand, in general, the general criteria for determining the characteristics of the LED chip, such as color (color), brightness, intensity range of the brightness, etc., the characteristics of the LED chip is primarily determined by the material of the compound semiconductor used in the LED chip Incidentally, the structure of the package for mounting the LED chip is affected. In particular, the structure of such an LED package has a great influence on the angular distribution of luminance and luminance.

그런데, 상술한 종래의 발광 다이오드 소자는 상기 LED 칩을 패키지(20) 내부에 실장하기 위하여 상기 LED 칩(60)의 하면과 상기 패키지(20) 사이 계면에 투명 에폭시(90)를 위치시킨 다음, 투명 에폭시(90)를 통해 LED 칩을 패키지(20) 내에 고정시키고 있다.However, in the above-described conventional LED device, the transparent epoxy 90 is positioned at an interface between the bottom surface of the LED chip 60 and the package 20 in order to mount the LED chip inside the package 20. The LED chip is fixed in the package 20 through the transparent epoxy 90.

그러나, 상기와 같이, 상기 LED 칩의 바닥면에 LED 칩을 고정하기 위한 투명 에폭시(90)가 존재하게 되면, LED 칩에서 발광하는 빛 중 바닥면으로 발광하는 빛이 투명 에폭시(90) 내부로 흡수 및 산란하므로, LED 칩 상태에서 발광하는 광도에 비하여 패키지 내에 실장된 후에 발광하는 광도가 낮아지는 문제가 있다. 즉, LED 칩의 발광효율이 떨어지게 된다.However, as described above, when there is a transparent epoxy 90 for fixing the LED chip on the bottom surface of the LED chip, the light emitting to the bottom surface of the light emitted from the LED chip into the transparent epoxy 90 inside Since it absorbs and scatters, there is a problem that the luminous intensity emitted after being mounted in a package is lower than the luminous intensity emitted in the LED chip state. That is, the luminous efficiency of the LED chip is reduced.

따라서, 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 상기 투명 에폭시를 사용하지 않고 상기 패키지 내에 LED 칩을 실장함으로써, LED 칩에서 발광하는 광의 일부분이 투명 에폭시 내부로 흡수 및 산란되어 소멸되는 것을 차단하여 소자의 발광효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 소자를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the above problems, by mounting the LED chip in the package without using the transparent epoxy, a part of the light emitted from the LED chip is absorbed and scattered into the transparent epoxy to disappear It is to provide a light emitting diode device that can block the light emitting device to improve the luminous efficiency.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 소정 크기의 홈을 가지는 소켓 형상으로 이루어진 한 쌍의 리드 단자로 형성된 리드프레임과, 상기 리드프레임의 일부가 내측에 수용되도록 합성수지재로 형성된 패키지와, 상기 패키지 내부에 위치하는 리드 단자의 소켓 형상의 홈에 삽입된 LED 칩과, 상기 패키지 내부 측벽 표면에 형성된 반사부재 및 상기 반사부재가 형성된 패키지 내부에 충진되어 상기 LED 칩을 보호하는 몰딩재를 포함하는 발광 다이오드 소자를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is a lead frame formed of a pair of lead terminals made of a socket shape having a groove of a predetermined size, a package formed of a synthetic resin material so that a portion of the lead frame is received inside, An LED chip inserted into a socket-shaped groove of a lead terminal located inside the package, and a reflecting member formed on the inner sidewall surface of the package and a molding material filled in the package in which the reflecting member is formed to protect the LED chip. Provided is a light emitting diode device.

또한, 상기 본 발명의 발광 다이오드 소자에서, 상기 리드 단자의 소정 크기의 홈을 가지는 소켓 형상은, 상기 홈을 기준으로 홈의 양측에 형성되어 있는 전극 연결부와 LED 칩 지지부를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다. 이때, 상기 전극 연결부는 상기 LED 칩의 전극과 전기적으로 연결하기 위한 연결 수단으로 사용되므로, 상기 LED 칩의 전극과 연결하기 위한 도전성 범프 또는 도전성 접합제를 포함하는 것이 바람직하다.In the light emitting diode device of the present invention, the socket shape having a groove having a predetermined size of the lead terminal preferably includes an electrode connection part and an LED chip support part formed on both sides of the groove with respect to the groove. . In this case, since the electrode connecting portion is used as a connecting means for electrically connecting with the electrode of the LED chip, it is preferable to include a conductive bump or conductive binder for connecting with the electrode of the LED chip.

또한, 상기 본 발명의 발광 다이오드 소자에서, 상기 소정 크기의 홈을 가지 는 소켓 형상의 홈 크기는, 상기 LED 칩의 측면 크기와 동일한 것이 바람직하다. 이에 따라, 상기 소켓 형상의 홈에 LED 칩을 삽입할 때, LED 칩이 안정적으로 고정되는 동시에 LED 칩의 전극이 와이어 등과 같은 별도의 연결배선 없이 리드 단자의 전극 연결부와 전기적으로 연결되는 것이 가능하다.In addition, in the light emitting diode device of the present invention, the groove-shaped groove size having the groove of the predetermined size is preferably the same as the side size of the LED chip. Accordingly, when the LED chip is inserted into the socket-shaped groove, the LED chip is stably fixed and the electrode of the LED chip can be electrically connected to the electrode connection part of the lead terminal without a separate connection wiring such as a wire. .

또한, 상기 본 발명의 발광 다이오드 소자에서, 상기 전극 연결부와 상기 LED 칩 지지부는, 패키지의 내부 바닥면을 이용하여 서로 연결되어 있으면, 소자의 특성 및 신뢰성에 영향을 미치지 않기 때문에 서로 연결되거나, 분리되도록 형성하는 것이 가능하다.In addition, in the light emitting diode device of the present invention, when the electrode connection portion and the LED chip support portion are connected to each other using an inner bottom surface of the package, they are connected or separated from each other because they do not affect the characteristics and reliability of the device. It is possible to form as much as possible.

또한, 상기 본 발명의 발광 다이오드 소자에서, 상기 반사부재는, 반사율이 높은금속 또는 세라믹으로 이루어지는 것이 바람직하다.In the light emitting diode device of the present invention, the reflective member is preferably made of metal or ceramic having high reflectance.

이하 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하였다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like reference numerals designate like parts throughout the specification.

이제 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 소자에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.A light emitting diode device according to an embodiment of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

[[ 실시예Example 1] One]

우선, 도 4와 도 5 및 앞서 설명한 도 1을 참고하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 소자에 대하여 상세히 설명한다.First, the light emitting diode device according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 4 and 5 and FIG. 1 described above.

도 4는 도 1의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 잘라 도시한 도면으로서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 상세히 나타낸 단면도이고, 도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 상세히 나타낸 정면도이다.4 is a cross-sectional view taken along line III-III ′ of FIG. 1, and is a cross-sectional view illustrating in detail the structure of a light emitting diode device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view of the first embodiment of the present invention. The front view showing the structure of the light emitting diode device in detail.

도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 소자는 투명 합성수지재로 이루어진 패키지(20)를 가지며, 상기 패키지(20)의 소정면은 빛이 방사되기 용이하도록 오픈된 방사창(40)이 형성되고, 다른 면에는 인쇄회로기판(도시하지 않음)에 장착되도록 리드프레임(50)을 형성하는 한쌍의 리드 단자(51, 52)의 일부분이 돌출되어 있다.4 and 5, the LED device according to the first embodiment of the present invention has a package 20 made of a transparent synthetic resin material, the predetermined surface of the package 20 so that light is easy to emit An open radiation window 40 is formed, and a portion of the pair of lead terminals 51 and 52 forming the lead frame 50 to protrude from the other side is mounted on a printed circuit board (not shown).

특히, 본 발명에 따른 한쌍의 리드 단자(51, 52)는 소정 크기의 홈을 가지는 소켓(socket) 형상으로 이루어져 있다.In particular, the pair of lead terminals 51 and 52 according to the present invention has a socket shape having a groove of a predetermined size.

보다 상세하게, 상기 소정 크기의 홈을 가지는 소켓 형상으로 이루어진 리드 단자(51, 52)는, 상기 홈을 기준으로 홈의 양측에 형성되어 있는 전극 연결부(51a, 52a)와 LED 칩 지지부(51b, 52b)로 이루어져 있다.In more detail, the lead terminals 51 and 52 having a socket shape having the grooves of the predetermined size may include the electrode connecting portions 51a and 52a and the LED chip support portions 51b, which are formed on both sides of the groove with respect to the groove. 52b).

또한, 상기 소켓 형상이 이루는 홈의 크기는, LED 칩의 측면 크기와 동일한 것이 바람직하며, 이에 따라서, 상기 소켓 형상의 홈에 LED 칩 삽입시, LED 칩을 적으로 고정하는 동시에 LED 칩의 전극을 별도의 연결배선 없이 상기 리드 단자의 전극 연결부와 전기적으로 연결하는 것이 가능하다.In addition, the size of the groove formed by the socket shape is preferably the same as that of the side surface of the LED chip. Accordingly, when the LED chip is inserted into the socket-shaped groove, the LED chip is fixed as an enemy and the electrode of the LED chip is fixed. It is possible to electrically connect with the electrode connection of the lead terminal without a separate connection wiring.

한편, 상기 리드 단자(51, 52)의 전극 연결부(51a, 52a)와 LED 칩의 전극을 보다 안전하게 연결하기 위하여 상기 전극 연결부(51a, 52a)에 도전성 범프 또는 도전성 접합제(도시하지 않음)를 포함하는 것이 바람직하다.On the other hand, in order to more securely connect the electrode connecting portions 51a and 52a of the lead terminals 51 and 52 and the electrodes of the LED chip, conductive bumps or conductive binders (not shown) are applied to the electrode connecting portions 51a and 52a. It is preferable to include.

그리고, 상기와 같이 구성된 패키지(20)의 내부에는 LED 칩(60)이 그 발광면이 상기 방사창(40)과 직교하도록 즉, 상기 리드 단자의 소켓 형상의 홈에 LED 칩이 수평 실장되며, 상기 LED 칩(60)의 전극(도시하지 않음)은 상기 한 쌍의 리드 단자(51, 52)의 전극 연결부(51a, 52a)에 의해 전기적으로 연결되어 있다.In addition, the LED chip 60 is mounted inside the package 20 configured as described above such that the emitting surface thereof is perpendicular to the radiation window 40, that is, the LED chip is horizontally mounted in the socket-shaped groove of the lead terminal. Electrodes (not shown) of the LED chip 60 are electrically connected by electrode connecting portions 51a and 52a of the pair of lead terminals 51 and 52.

상기 LED 칩(60)은 소켓 형상으로 이루어진 리드 단자(51, 52)의 소정 크기의 홈 내에 삽입되어 실장되어 있으며, 상기 LED 칩(60)이 실장된 패키지(20) 내부에는 LED 칩(60)을 보호하는 몰딩재(80)가 충진되어 있다.The LED chip 60 is inserted into and mounted in a groove having a predetermined size of the lead terminals 51 and 52 having a socket shape, and the LED chip 60 is installed inside the package 20 in which the LED chip 60 is mounted. The molding material 80 to protect the filling is filled.

또한, 상기 패키지(20)의 내부 측벽 표면에는 반사부재(도시하지 않음)가 형성되어 있으며, 이는 반사율이 높은 금속 또는 세라믹으로 형성되는 것이 바람직하다. 따라서, 본 발명에 따른 발광 다이오드 소자는 상기 반사부재를 통해 LED 칩(60)에서 발광하는 광 중 패키지(20) 내부로 흡수 및 산란되는 광을 방사창(40) 방향으로 다시 반사시킴으로써, 발광 다이오드 소자의 광효율을 증가시킬 뿐만 아니라, LED 칩(60)에서 발생하는 열을 효율적으로 방출시킬 수 있어 방열 효과 또한 향상시킬 수 있다.In addition, a reflective member (not shown) is formed on an inner sidewall surface of the package 20, and it is preferable that the package 20 is formed of a metal or a ceramic having high reflectance. Accordingly, the light emitting diode device according to the present invention reflects the light absorbed and scattered into the package 20 back from the light emitted from the LED chip 60 through the reflecting member in the direction of the radiation window 40. In addition to increasing the light efficiency of the device, it is possible to efficiently discharge the heat generated from the LED chip 60 can also improve the heat dissipation effect.

한편, 본 발명은 상기 반사부재를 통해 LED 칩(60)에서 발광하는 광 중 패키지(20) 내부로 흡수 및 산란되는 광을 방사창(40) 방향으로 다시 반사시키기 위하 여 도 4에 도시한 바와 같이, 상기 패키지의 내부 측벽 구조를 다단계의 경사면으로 이루어진 측벽에 한정하지 않고, 도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 상기 패키지의 내부 바닥면에 대하여 수직한 측벽 및 타원형의 측벽 등 다양한 형상의 측벽을 가지는 것이 가능하다. 이는 발광 다이오드 소자의 특성과 공정 특성 및 그 조건에 따라 조절하는 것이 바람직하다.On the other hand, the present invention as shown in Figure 4 to reflect the light absorbed and scattered in the package 20 in the direction of the radiation window 40 of the light emitted from the LED chip 60 through the reflecting member again Likewise, the inner sidewall structure of the package is not limited to a sidewall formed of a multi-level inclined surface, and as shown in FIGS. 6 and 7, various shapes such as a sidewall perpendicular to the inner bottom surface of the package and an elliptical sidewall may be used. It is possible to have sidewalls. This is preferably adjusted according to the characteristics, process characteristics and conditions of the light emitting diode device.

여기서, 도 6은 본 발명의 제1 실시예의 제1 변형예에 따른 발광 다이오드 소자의 패키지 내부 측벽을 나타낸 단면도이고, 도 7은 본 발명의 제1 실시예의 제2 변형예에 따른 발광 다이오드 소자의 패키지 내부 측벽을 나타낸 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating a package inner sidewall of a light emitting diode device according to a first modification of the first embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a view of a light emitting diode device according to a second modification of the first embodiment of the present invention. A cross-sectional view of a package inner sidewall.

[[ 실시예Example 2] 2]

그러면, 이하 도 8을 참고로, 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 소자에 대해 설명하기로 한다. 다만, 제2 실시예의 구성 중 제1 실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략하고, 제2 실시예에서 달라지는 구성에 대해서만 상술하기로 한다.Next, a light emitting diode device according to a second exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 8. However, the description of the same parts as those of the first embodiment of the configuration of the second embodiment will be omitted, and only the configuration that is different from the second embodiment will be described in detail.

도 8은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 잘라 도시한 도면으로서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 상세히 나타낸 단면도이다.8 is a cross-sectional view taken along line III-III ′ of FIG. 1, and is a cross-sectional view illustrating in detail the structure of a light emitting diode device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 8에 도시한 바와 같이, 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 소자는 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 소자와 대부분의 구성이 동일하고, 다만, 상기 소정 크기의 홈을 가지는 소켓 형상의 리드 단자(51, 52)를 이루는 전극 연결부(51a, 52a)와 LED 칩 지지부(51b, 52b)가 패키지(20)의 내부 바닥면에서 서로 연결되어 있다 는 점에서만 제1 실시예와 다르다.As shown in FIG. 8, the light emitting diode device according to the second embodiment has the same configuration as that of the light emitting diode device according to the first embodiment, except that the lead terminal having a socket shape having the groove of the predetermined size ( Unlike the first embodiment, the electrode connecting portions 51a and 52a constituting the 51 and 52 and the LED chip supporting portions 51b and 52b are connected to each other on the inner bottom surface of the package 20.

즉, 제1 실시예는 소켓 형상의 리드 단자를 이루는 전극 연결부와 LED 칩 지지부가 상기 패키지의 바닥면 상에 서로 홈의 크기만큼 이격되어 분리되어 있는 것을 예시한 것이며, 제2 실시예는 소켓 형상의 리드 단자를 이루는 전극 연결부와 LED 칩 지지부가 홈의 크기만큼 서로 이격되어 상기 패키지의 바닥면에서 연결되어 있는 것을 예시한 것으로, 제2 실시예는 제1 실시예에서와 동일한 작용 및 효과를 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 전극 연결부와 LED 칩 지지부가 흔들리거나 틀어지는 현상을 방지할 수 있어 발광 다이오드 소자의 특성 및 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있는 이점이 있다.That is, the first embodiment illustrates that the electrode connection part and the LED chip support part forming the socket-shaped lead terminal are separated from each other by the size of the groove on the bottom surface of the package, and the second embodiment is the socket shape. The electrode connection part and the LED chip support part forming the lead terminal of the spaced apart from each other by the size of the groove is connected to the bottom surface of the package, the second embodiment is to obtain the same operation and effect as in the first embodiment In addition, the electrode connection portion and the LED chip support portion can be prevented from shaking or twisting, thereby improving the characteristics and reliability of the light emitting diode device.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Accordingly, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concept of the present invention as defined in the following claims also fall within the scope of the present invention.

상기한 바와 같이, 본 발명은 투명 에폭시를 사용하지 않고, 소정 크기의 홈을 가지는 소켓 형상의 리드 단자를 이용하여 LED 칩을 패키지 내에 수평 실장함으 로써, LED 칩에서 발광하는 광의 일부분이 투명 에폭시 내부로 흡수 및 산란되어 소멸되는 것을 차단할 수 있다.As described above, the present invention does not use a transparent epoxy, and by mounting the LED chip in the package horizontally using a socket-shaped lead terminal having a groove of a predetermined size, a part of the light emitted from the LED chip is inside the transparent epoxy. Can be absorbed, scattered and extinguished.

따라서, 본 발명은 발광 다이오드 소자의 발광효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Therefore, the present invention has the effect of improving the luminous efficiency of the LED device.

Claims (7)

소정 크기의 홈을 가지는 소켓 형상으로 이루어진 한 쌍의 리드 단자로 형성된 리드프레임;A lead frame formed of a pair of lead terminals formed in a socket shape having a groove having a predetermined size; 상기 리드프레임의 일부가 내측에 수용되도록 합성수지재로 형성된 패키지;A package formed of a synthetic resin material such that a part of the lead frame is received inside; 상기 패키지 내부에 위치하는 리드 단자의 소켓 형상의 홈에 삽입된 LED 칩;An LED chip inserted into a socket-shaped groove of a lead terminal located inside the package; 상기 패키지 내부 측벽 표면에 형성된 반사부재; 및A reflection member formed on a surface of the inner sidewall of the package; And 상기 반사부재가 형성된 패키지 내부에 충진되어 상기 LED 칩을 보호하는 몰딩재;를 포함하는 발광 다이오드 소자.And a molding material filled in the package in which the reflective member is formed to protect the LED chip. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 리드 단자의 소정 크기의 홈을 가지는 소켓 형상은, 상기 홈을 기준으로 홈의 양측에 형성되어 있는 전극 연결부와 LED 칩 지지부로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자.The socket shape having a groove having a predetermined size of the lead terminal may include an electrode connection part formed on both sides of the groove and an LED chip support part based on the groove. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 전극 연결부와 상기 LED 칩 지지부는, 홈의 크기만큼 서로 이격되어 상기 패키지의 바닥면에서 연결되어 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자.The electrode connecting portion and the LED chip support, the light emitting diode device, characterized in that formed spaced apart from each other by the size of the groove is connected on the bottom surface of the package. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 전극 연결부와 상기 LED 칩 지지부는, 상기 패키지의 바닥면 상에 홈의 크기만큼 서로 이격되어 분리되어 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자.The electrode connecting portion and the LED chip support, the light emitting diode device, characterized in that formed separated from each other by the size of the groove on the bottom surface of the package. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 소정 크기의 홈을 가지는 소켓의 홈 크기는, 상기 LED 칩의 측면 크기와 동일한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자.The groove size of the socket having the groove of the predetermined size is the same as the side size of the LED chip. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 전극 연결부는, 상기 LED 칩의 전극과 연결하기 위한 도전성 범프 또는 도전성 접합제를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자.The electrode connection unit, the light emitting diode device comprising a conductive bump or a conductive bonding agent for connecting with the electrode of the LED chip. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사부재는, 금속 또는 세라믹으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자.The reflective member is a light emitting diode device, characterized in that made of metal or ceramic.
KR1020050081144A 2005-09-01 2005-09-01 Light emitting diode device KR100650279B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050081144A KR100650279B1 (en) 2005-09-01 2005-09-01 Light emitting diode device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050081144A KR100650279B1 (en) 2005-09-01 2005-09-01 Light emitting diode device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100650279B1 true KR100650279B1 (en) 2006-11-27

Family

ID=37713712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050081144A KR100650279B1 (en) 2005-09-01 2005-09-01 Light emitting diode device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100650279B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160001857A (en) * 2014-06-27 2016-01-07 엘지디스플레이 주식회사 Light emitting diode package and light emitting diode display device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200299491Y1 (en) 2002-09-02 2003-01-03 코리아옵토 주식회사 A Surface mounting type light emitting diode
KR20030031043A (en) * 2003-03-10 2003-04-18 루미마이크로 주식회사 Light emitting device having light emitting surface of concave lens and method for manufacturing thereof
JP2003338637A (en) 2002-03-14 2003-11-28 Toshiba Corp Semiconductor luminous element and semiconductor light- emitting device
JP2005050838A (en) 2003-07-29 2005-02-24 Citizen Electronics Co Ltd Surface mounted led and light emitting device employing it

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003338637A (en) 2002-03-14 2003-11-28 Toshiba Corp Semiconductor luminous element and semiconductor light- emitting device
KR200299491Y1 (en) 2002-09-02 2003-01-03 코리아옵토 주식회사 A Surface mounting type light emitting diode
KR20030031043A (en) * 2003-03-10 2003-04-18 루미마이크로 주식회사 Light emitting device having light emitting surface of concave lens and method for manufacturing thereof
JP2005050838A (en) 2003-07-29 2005-02-24 Citizen Electronics Co Ltd Surface mounted led and light emitting device employing it

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160001857A (en) * 2014-06-27 2016-01-07 엘지디스플레이 주식회사 Light emitting diode package and light emitting diode display device
KR102158094B1 (en) 2014-06-27 2020-09-22 엘지디스플레이 주식회사 Light emitting diode package and light emitting diode display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100809210B1 (en) High power light emitting diode package and method of producing the same
KR101825473B1 (en) Light emitting device package and method of fabricating the same
JP2005322866A (en) Light emitting diode array module for backlight, and backlight unit provided with same
TWI606616B (en) Light emitting device package
KR100757826B1 (en) Side-view light emitting diode package
TW201425820A (en) Light source and LED automobile lamp with the light source
TWI422212B (en) Lighting unit and lighting device
KR100730076B1 (en) Light emitting diode package
KR20070000638A (en) High brightness light emitting diode and method of manufacturing the same
KR100815227B1 (en) Surface mounting light emitting diode device
US9658486B2 (en) Light emitting device and display device including the same
KR100769718B1 (en) Reflective element for light emitting device and light emitting diode package using it
KR100817275B1 (en) Light emitting diode package
JP4679917B2 (en) Semiconductor light emitting device
KR100650279B1 (en) Light emitting diode device
KR20080081747A (en) Surface mounting type light emitting diode device
JP2009177188A (en) Light-emitting diode package
KR100912442B1 (en) Surface mounting Type Light Emitting Diode Device
KR101337600B1 (en) Lens mount type light emitting diode package
US8344399B2 (en) LED package with wide emission range and effective heat dissipation
KR20100003334A (en) Light-emitting device
KR20080089040A (en) Light emitting diode package
KR101433261B1 (en) Light Emitting Device
KR20150137281A (en) Light emitting device package
KR20080019873A (en) Surface mounting type light emitting diode device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121031

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131031

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee