KR100649869B1 - Semiconductor package - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로서, 반도체 칩을 상하로 적층하되, 열전도성의 히트슬러그를 이용하여 제조된 반도체 패키지를 제공하고자 한 것이다.The present invention relates to a semiconductor package, which aims to provide a semiconductor package manufactured by stacking semiconductor chips vertically and using a heat-conductive heat slug.
이에, 반도체 칩에서 발생되는 열을 히트슬러그를 통하여 방출시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있고, 또한 상기 히트슬러그를 상하로 적층된 칩의 파워 또는 그라운드 본딩 영역으로 사용할 수 있도록 함으로써, 반도체 칩의 그라운드 본딩을 여러곳에 실시할 수 있는 점을 수용하여, 반도체 칩의 전기적인 성능을 향상시킬 수 있는 장점을 제공하게 된다.
In addition, the heat slug can be used as a power or ground bonding region of the stacked chips, so that the ground of the semiconductor chip can be reduced. It is possible to improve the electrical performance of the semiconductor chip by accepting that the bonding can be performed in various places.
반도체 패키지, 히트슬러그, 적층, 그라운드, 열방출Semiconductor package, heat slug, lamination, ground, heat release
Description
도 1a는 본 발명에 따른 반도체 패키지의 일실시예를 나타내는 단면도,1A is a cross-sectional view showing an embodiment of a semiconductor package according to the present invention,
도 1b는 본 발명에 따른 반도체 패키지의 일실시예를 나타내는 평면도로서, 와이어 본딩이 실시되는 상태를 나타낸다.FIG. 1B is a plan view showing an embodiment of a semiconductor package according to the present invention, in which wire bonding is performed. FIG.
도 2a는 본 발명에 따른 반도체 패키지의 다른 실시예를 나타내는 단면도,FIG. 2A is a cross-sectional view showing another embodiment of the semiconductor package according to the present invention,
도 2b는 본 발명에 따른 반도체 패키지의 다른 실시예를 나타내는 평면도로서, 와이어 본딩이 실시되는 상태를 나타낸다.FIG. 2B is a plan view showing another embodiment of the semiconductor package according to the present invention, in which wire bonding is performed. FIG.
도 5는 종래의 칩 적층형 반도체 패키지를 나타내는 단면도.5 is a sectional view showing a conventional chip stacking type semiconductor package.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>Description of the Related Art
10 : 인쇄회로기판 12 : 상부칩10: printed circuit board 12: upper chip
14 : 하부칩 16 : 히트슬러그14: Lower chip 16: Heat slug
18 : 와이어 20 : 연장단18: Wire 20: Extension stage
22 : 접착수단 24 : 요홈22: adhesive means 24: groove
26 : 수지 28 : 수지층26: Resin 28: Resin layer
30 : 와이어 본딩용 전도성패턴 32 : 인출단자 부착용 전도성패턴30: Conductive pattern for wire bonding 32: Conductive pattern for attaching lead terminal
34 : 인출단자 36 : 커버코트 34: lead-out terminal 36: cover coat
100,200,300 : 반도체 패키지
100, 200, 300: semiconductor package
본 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 그라운드 본딩 영역의 면적을 증대시켜 적층된 칩의 그라운드 본딩수를 증가시킬 수 있고, 열방출 효과를 크게 얻어낼 수 있도록 히트슬러그를 이용하여 제조된 칩 적층형 반도체 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor package, and more particularly, to a semiconductor package that can increase the area of the ground bonding region to increase the number of ground bonding of the stacked chips, To a chip stacked semiconductor package.
일반적으로 반도체 패키지는 회로가 집적되어 있는 반도체 칩을 외부로부터 보호하기 위하여 밀봉하되, 반도체 칩으로부터 각종 입출력 신호용 단자를 여러가지 방식으로 인출시킬 수 있도록 리드프레임, 인쇄회로기판, 회로필름등의 각종부재를 이용하여 다양한 구조로 제조되고 있다. 2. Description of the Related Art In general, a semiconductor package is formed by sealing various members such as a lead frame, a printed circuit board, a circuit film, and the like so as to be able to take out various types of input / output signal terminals from a semiconductor chip in order to protect a semiconductor chip, And is manufactured in a variety of structures.
또한, 반도체 패키지는 반도체 칩이 전기적인 신호를 빠르게 입출력함에 따라 발생하는 열을 효과적으로 방열할 수 있는 구조, 고속 동작의 수행을 위하여 공통적으로 많은 수의 입출력 단자를 수용할 수 있는 구조, 휴대용 전자제품의 소형화경향으로 인하여 협소한 실장 공간에 맞게 단위체적당 실장효율을 높일 수 있는 구조등으로 제조되고 있다,In addition, the semiconductor package has a structure that can effectively dissipate heat generated by a semiconductor chip as it rapidly inputs and outputs electric signals, a structure capable of accommodating a large number of input / output terminals commonly for performing high-speed operation, Due to the miniaturization tendency, it is possible to increase the mounting efficiency per unit volume in accordance with the narrow mounting space.
최근에는, 동일한 크기 또는 서로 다른 크기의 반도체 칩을 적층한 구조의 반도체 패키지가 제조되고 있는 바, 이는 패키지 부피의 증가 없이도 메모리의 용 량을 배가시키거나, 원(One) 칩으로 통합시키기 어려운 복합기능을 하나의 패키지 안에서 해결할 수 있는 장점을 제공한다.Recently, a semiconductor package having a structure in which semiconductor chips of the same size or different sizes are stacked is manufactured. This is because a semiconductor package having a structure in which the capacity of a memory is doubled or a memory chip is difficult to integrate into one chip It provides the advantage that functions can be solved in one package.
여기서 종래의 칩 적층형 반도체 패키지의 구조를 첨부한 도 3을 참조로 간략히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the structure of a conventional chip-stacked semiconductor package will be briefly described with reference to FIG.
상기 반도체 패키지(300)는 인쇄회로기판(10)을 이용하여 상하로 적층한 패키지로서, 인쇄회로기판(10)의 칩탑재영역에 에폭시수지와 같은 접착수단(22)으로 부착된 하부칩(14)과; 이 하부칩(14)상에 필름 접착수단(22)으로 부착된 보다 작은 크기의 상부칩(12)과; 상기 상부칩(12)과 하부칩(14)의 본딩패드와, 상기 인쇄회로기판(10)의 상면으로 노출된 와이어 본딩용 전도성패턴(30)간에 연결된 와이어(18)와; 상기 상부칩(12)과 하부칩(14), 각 와이어(18)들을 외부로부터 보호하기 위하여 몰딩하고 있는 수지(26)와; 상기 인쇄회로기판(10)의 저면으로 노출된 인출단자 부착용 전도성패턴(32)에 부착된 인출단자(34)등으로 구성되어 있다.The
그러나, 상기와 같은 반도체 칩 적층형 반도체 패키지는 두 개의 칩이 적층되어 고집적화됨에 따라, 반도체 칩에서 많은 열을 발생하는 단점이 있고, 또한 반도체 칩의 파워 또는 그라운드 본딩을 인쇄회로기판의 설계상 미리 정해진 전도성패턴에만 한정시켜 실시함에 따라, 최근 반도체 칩의 전기적인 성능을 향상시키기 위하여 그라운드 본딩을 여러곳에 하는 실시하는 점을 만족시키지 못하는 단점이 있다.
However, the above-described semiconductor chip stacked semiconductor package has a disadvantage in that a large amount of heat is generated in the semiconductor chip as the two chips are stacked and highly integrated, and the power or ground bonding of the semiconductor chip is performed by a predetermined The present invention is disadvantageous in that it does not satisfy the point that the ground bonding is performed in various places in order to improve the electrical performance of the semiconductor chip in recent years.
본 발명은 상기와 같은 점을 감안하여, 반도체 칩을 상하로 적층하되, 열전도성의 히트슬러그를 이용하여 제조된 반도체 패키지를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above, it is an object of the present invention to provide a semiconductor package manufactured by stacking semiconductor chips vertically and using a heat-conductive heat slug.
이에, 반도체 칩에서 발생되는 열을 히트슬러그를 통하여 방출시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있고, 또한 상기 히트슬러그를 상하로 적층된 칩의 파워 또는 그라운드 본딩 영역으로 사용할 수 있도록 함으로써, 반도체 칩의 그라운드 본딩을 여러곳에 실시할 수 있는 점을 수용하여, 반도체 칩의 전기적인 성능을 향상시킬 수 있게 된다.
In addition, the heat slug can be used as a power or ground bonding region of the stacked chips, so that the ground of the semiconductor chip can be reduced. It is possible to improve the electrical performance of the semiconductor chip by accommodating the point that bonding can be performed in various places.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은:According to an aspect of the present invention,
베이스층의 수지층과, 이 수지층의 양면에 식각 처리된 전도성패턴과, 상기 전도성패턴의 일부를 외부로 노출시키면서 수지층상에 도포된 커버코트로 구성되어 있는 인쇄회로기판과; 상기 인쇄회로기판의 칩탑재영역에 접착수단에 의하여 상하로 적층 부착된 상부칩 및 하부칩과; 상기 상부칩과 하부칩의 본딩패드와, 인쇄회로기판의 와이어 본딩용 전도성패턴간에 연결된 와이어와; 상기 상부칩 및 하부칩, 와이어등을 몰딩하고 있는 수지로 구성된 반도체 패키지에 있어서, A printed circuit board comprising a resin layer of a base layer, a conductive pattern etched on both sides of the resin layer, and a cover coat coated on the resin layer while exposing a part of the conductive pattern to the outside; An upper chip and a lower chip stacked vertically by an adhesive means on a chip mounting area of the printed circuit board; A wire connected between the bonding pads of the upper chip and the lower chip, and a conductive pattern for wire bonding of the printed circuit board; And a resin for molding the upper chip, the lower chip, and the wires,
상기 상부칩과 하부칩 사이에 열전도성의 히트슬러그를 부착하고, 상부칩 및 하부칩의 파워 또는 그라운드용 와이어가 상기 히트 슬러그에 본딩되어 달성된 것 을 특징으로 한다.And a thermally conductive heat slug is attached between the upper chip and the lower chip, and a power or ground wire of the upper chip and the lower chip is bonded to the heat slug.
상기 히트 슬러그는 외곽면에 다수의 요홈이 등간격으로 배열된 판형으로 성형된 것을 특징으로 한다.The heat slug is characterized in that the heat slug is formed into a plate shape having a plurality of grooves arranged at equal intervals on an outer surface.
또는, 상기 히트 슬러그는 각 모서리에 수직 절곡된 연장단이 일체로 성형된 판형으로 성형된 것을 특징으로 한다.Alternatively, the heat slug may be formed in a plate shape in which an extending end perpendicularly bent at each corner is integrally formed.
바람직한 구현예로서, 상기 상부칩과 하부칩의 그라운드 본딩 영역에 해당되는 히트슬러그의 상면은 와이어와의 본딩 결합력이 우수한 재질로 도금된 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the top surface of the heat slug corresponding to the ground bonding region of the upper chip and the lower chip is plated with a material having excellent bonding strength with the wire.
더욱 바람직한 구현예로서, 상기 하부칩의 파워 또는 그라운드용 본딩패드와 상기 히트슬러그간에 연결된 와이어는 리버스 본딩으로 연결된 것을 특징으로 한다.In a further preferred embodiment, a wire connected between the bonding pad for power or ground and the heat slug of the lower chip is connected by reverse bonding.
특히, 상기 히트슬러그의 연장단 하단끝 저면은 마더보드 실장되는 면적으로 외부로 노출되도록 한 것을 특징으로 한다In particular, the bottom end of the lower end of the extended end of the heat slug is exposed to the outside through an area on which the mother board is mounted
여기서 본 발명의 실시예를 첨부한 도면에 의거하여 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
첨부한 도 1a는 본 발명에 따른 반도체 패키지의 일실시예를 나타내는 단면도이고, 도 1b는 상부칩과 하부칩의 와이어 본딩 상태를 나타내는 평면도로서, 상부칩은 그라운드 본딩된 상태만 도시되어 있다.FIG. 1A is a cross-sectional view showing an embodiment of a semiconductor package according to the present invention, and FIG. 1B is a plan view showing a wire bonding state of an upper chip and a lower chip, wherein the upper chip is only ground bonded.
상기 반도체 패키지(100)는 인쇄회로기판(10)을 이용하여 제조된 것이지만, 가요성 수지필름상에 전도성패턴이 식각처리된 형태의 회로필름 부재를 이용하여 제조하여도 무방하다.Although the
상기 인쇄회로기판(10)은 베이스층의 수지층(28)과, 이 수지층(28)의 양면에 전기적인 신호 흐름 라인을 이루며 식각 처리된 전도성패턴과, 상기 전도성패턴의 일부를 외부로 노출시키면서 상기 수지층(28)상에 도포된 커버코트(36)로 구성되어 있고, 특히 상기 전도성패턴들 중에서 와이어 본딩용 전도성패턴(30)이 상면으로 노출되고, 인출단자 부착용 전도성패턴(32)이 저면으로 노출되어 있다.The printed
여기서, 상기 인쇄회로기판(10)의 커버코트(36)로 도포되어 있는 상면 중앙의 칩탑재영역에 먼저 하부칩(14)을 에폭시수지와 같은 접착수단(22)으로 부착하고, 이 하부칩(14)의 상면에 열전도성의 히트슬러그(16)를 필름 접착수단(22)으로 부착하며, 상기 히트슬러그(14)의 상면 중앙에 상부칩(12)을 필름 접착수단(22)으로 부착한다.Here, the
상기 히트슬러그(14)는 외측면에 요홈(24)이 등간격으로 형성된 판형 형상으로 성형된 것으로서, 구리(Cu)와 은(Al)등과 같은 열전도성이 우수한 재질로 성형된 것이다.The
또한, 상기 히트슬러그의 상면 일정부위에는 와이어와의 본딩 결합력이 우수한 금(Au)과 같은 재질로 도금된다.In addition, a certain portion of the upper surface of the heat slug is plated with a material such as gold (Au) having a good bonding strength with the wire.
이때, 첨부한 도 1b에 도시한 바와 같이 상기 히트슬러그(14)의 요홈(24)을 통하여 하부칩(14)의 일부 본딩패드가 위쪽을 향하며 노출된 상태가 되는 바, 이 요홈(24)을 통하여 위쪽으로 노출된 하부칩(14)의 본딩패드는 파워 또는 그라운드 본딩용으로 사용하는 것이 바람직하고, 그 이유는 후술하는 바와 같이 보다 높은 위치에 있는 히트슬러그(14)면에 리버스 본딩을 용이하게 실시할 수 있도록 하는데 있다.1B, a part of the bonding pad of the
특히, 상기 필름 접착수단(22)의 두께를 상기 하부칩(14)의 본딩패드와 인쇄회로기판(10)의 와이어 본딩용 전도성패턴간(30)을 연결하는 와이어의 최대높이가 히트슬러그(16)의 저면에 닿지 않을 정도로 조절해주는 것이 바람직하다.The maximum height of the wire connecting the bonding pad of the
여기서 상기와 같이 적층된 상부칩(12)과 하부칩(14)의 와이어 본딩 상태를 살펴보면 다음과 같다.The wire bonding state of the
먼저, 하부칩(14)의 본딩패드와, 인쇄회로기판(10)의 와이어 본딩용 전도성패턴(30)간이 와이어(18)로 본딩되는 바, 상기 하부칩(14)의 파워 또는 그라운드 본딩은 상기 히트슬러그(16)의 상면에 리버스 본딩(Reverse bonding)으로 실시된다.First, the bonding pads of the
좀 더 상세하게는, 캐필러리와 같은 와이어 본딩수단이 보다 높은 위치에 있는 상기 히트슬러그(16)의 상면(금으로 도금된 부위)에 볼을 형성한 후 와이어를 끈어주고, 연이어 상기 하부칩(14)의 그라운드 본딩용 패드에 1차본딩(볼본딩(Ball bonding))을 하고, 상기 히트슬러그(16)의 상면에 형성된 볼에 2차 본딩(스티치본딩(Stitch bonding))을 실시함으로써, 하부칩(14)과 히트슬러그(16)간에 파워 또는 그라운드 와이어 본딩이 완료된다.More specifically, a wire bonding means such as a capillary forms a ball on the upper surface (gold-plated portion) of the
이때, 캐필러리와 같은 와이어 본딩수단이 상기 히트슬러그(16)에 먼저 볼을 형성하는 이유는, 히트슬러그(16)에 곧바로 2차본딩이 이루어지면 와이어가 잘 붙지 않게 되는 점을 고려하여, 2차 본딩시 와이어(18)가 잘 붙을 수 있도록 볼을 형 성해주는 것이다.At this time, a wire bonding means such as a capillary first forms a ball on the
다음으로, 상기 상부칩(12)과, 인쇄회로기판(10)의 와이어 본딩용 전도성패턴(30)간을 와이어(18)로 본딩하는 바, 마찬가지로 상부칩(12)의 파워 또는 그라운드 본딩은 상기 히트슬러그(16)의 상면에 실시하게 된다.Next, the
물론, 상기 히트슬러그(16)와, 인쇄회로기판(10)의 파워 또는 그라운드 본딩용 전도성패턴간에도 와이어(18)로 본딩되어진다.Of course, the
따라서, 상기 상부칩(12)과 하부칩(14)에 대한 그라운드 처리는 상기 히트슬러그(16)와, 인쇄회로기판(10)의 그라운드 본딩용 전도성패턴과, 후술하는 인출단자(34)를 경유하여, 인출단자(34)가 부착된 마더보드의 접지영역에까지 그라운드용 전기신호가 닿음으로써, 이루어지게 된다.The grounding process for the
한편, 상기 상부칩(12)과 하부칩(14)의 그라운드 와이어 본딩을 상기 히트슬러그(16)에 여러개로 연결함에 따라, 상부칩(12)과 하부칩(14)의 전기적인 성능을 향상시킬 수 있게 된다.The ground wire bonding of the
다음으로, 상기 상부칩(12)과 하부칩(14)과 히트슬러그(16)와 각 와이어(18)등을 외부로부터 보호하기 위하여 수지(26)로 몰딩하는 공정을 진행하고, 인쇄회로기판(10)의 저면으로 노출된 인출단자 부착용 전도성패턴(32)에 전도성의 솔더볼과 같은 인출단자(34)를 부착함으로써, 도 1a에 도시한 바와 같은 본 발명의 반도체 패키지(100)로 제조된다.Next, the
또 다른 효과로서, 상기 히트슬러그(16)는 열전도성이 우수한 재질로 성형된 것이기 때문에, 상부칩(12)과 하부칩(14)에서 발생되는 열을 와이어(18)와 전도성 패턴, 인출단자(34)를 경유하여 신속하게 외부로 방출시킬 수 있다.The heat generated by the
여기서, 본 발명의 다른 실시예를 첨부한 도 2a,2b를 참조로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2A and 2B.
다른 실시예로서, 상기 반도체 패키지(200)에 적용된 히트슬러그(16)는 다른 구조로 성형된 것으로서, 대략 사각 판형의 각 모서리에 수직 절곡된 연장단(20)이 일체로 형성되고, 마찬가지로 열전도성이 우수한 구리(Cu),은(Al) 재질로 성형된 것이다.In another embodiment, the
따라서, 상기 인쇄회로기판(10)의 칩탑재영역에 하부칩(14)을 에폭시수지와 같은 접착수단(22)으로 부착하고, 이 하부칩(14)의 상면에 상기 히트슬러그(16)를 필름 접착수단(22)으로 부착하며, 상기 히트슬러그(16)의 상면 중앙에 상부칩(14)을 필름 접착수단(22)으로 부착하게 된다.Therefore, the
이때, 상기 히트슬러그(16)의 연장단(20)의 하단끝은 인쇄회로기판(10)의 각 모서리 부위에 위치되어, 그 저면이 인쇄회로기판(10)의 저면으로 노출된 상태가 된다.At this time, the lower end of the
여기서 상기 상부칩(12)과 하부칩(14)의 본딩패드와, 인쇄회로기판(10)의 와이어 본딩용 전도성패턴(30)간을 와이어(18)로 본딩하되, 상술한 일실시예와 마찬가지로 파워 또는 그라운드용 와이어 본딩은 상기 히트슬러그(16)의 상면에 실시하게 된다.(도 2b 참조)Bonding between the bonding pads of the
다음으로, 상기 상부칩(12)과 하부칩(14), 각 와이어(18), 히트슬러그(16)등을 외부로부터 보호하기 위하여 수지(26)로 몰딩하되, 상기 히트슬러그(16)의 연장 단(20) 외측면과 하단끝 저면이 외부로 노출되도록 몰딩을 하고, 인쇄회로기판(10)의 저면에 노출된 인출단자 부착용 전도성패턴(32)에 솔더볼과 같은 인출단자(34)를 부착함으로써, 첨부한 도 2a에 도시한 바와 같은 본 발명의 반도체 패키지(200)로 제조된다.Next, a
한편, 상기 인쇄회로기판(10)의 저면으로 노출된 상기 히트슬러그(16)의 연장단(20) 하단끝 저면에도 인출단자(34)를 부착하여, 마더보드(미도시됨)의 접지영역에 부착되도록 한다.The
이에따라, 상기 상부칩(12)과 하부칩(14)에 대한 그라운드 처리는 상기 상부칩(12)과 하부칩(14)의 그라운드 신호가 상기 히트슬러그(16)와, 연장단(20)과, 이 연장단(20)의 하단 저면에 부착된 인출단자(34)를 경유하여 마더보드의 접지영역에까지 그라운드용 전기신호가 닿음으로써, 그라운드 처리가 용이하게 이루어진다.The grounding process for the
일실시예와 같이, 상부칩(12)과 하부칩(14)의 그라운드용 본딩을 상기 히트슬러그(16)에 여러개로 실시함으로써, 상부칩(12)과 하부칩(14)의 전기적인 성능을 향상시킬 수 있게 된다.The electrical performance of the
특히, 상기 히트슬러그(16)의 연장단(20)이 외부로 노출되어 있기 때문에, 상부칩(12)과 하부칩(14)에서 발생하는 열의 방출을 더욱 크게 얻어낼 수 있게 된다.
Particularly, since the
이상에서 본 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 패키지에 의하면, 서로 적층되는 상부칩과 하부칩 사이에 열전도성의 히트슬러그를 위치시켜 상부칩과 하부칩의 파워 또는 그라운드 본딩 영역으로 사용할 수 있도록 함으로써, 상부칩과 하부칩의 그라운드 본딩을 여러개로 실시하여 전기적인 성능을 향상시킬 수 있고, 또한 히트슬러그를 통하여 상부칩과 하부칩에서 발생되는 열을 외부로 용이하게 방출시킬 수 있는 장점을 제공하게 된다.As described above, according to the semiconductor package of the present invention, the heat-conducting slag can be positioned between the upper chip and the lower chip stacked with each other and used as the power or ground bonding region of the upper chip and the lower chip, The ground bonding of the chip and the lower chip is performed several times to improve the electrical performance and the heat generated from the upper chip and the lower chip can be easily discharged to the outside through the heat slug.
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