KR100648998B1 - 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 55
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
Abstract
본 발명은 평탄화층으로 광투과율이 우수한 폴리이미드를 형성함으로써 이미지 센서의 광감도를 향상시키도록 한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 액티브 영역과 패드 영역으로 구분되는 기판상의 패드 영역에 형성되는 금속 패드와, 상기 금속 패드의 표면이 소정부분 노출되도록 패드 오픈부를 갖고 상기 기판의 전면에 형성되는 폴리이미드층과, 상기 액티브 영역의 폴리이미드층상에 형성되는 칼라필터층과, 상기 칼라필터층상에 형성되는 오버 코팅층과, 상기 오버 코팅층상에 상기 칼라필터층과 대응되게 형성되는 마이크로렌즈를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
이미지 센서, 금속 패드, 폴리이미드, 평탄화층
Description
도 1은 일반적인 씨모스 이미지 센서의 1 화소의 등가회로도
도 2는 일반적인 씨모스 이미지 센서의 1 화소의 레이아웃도
도 3a 내지 도 3e는 종래 기술에 의한 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 나타낸 공정단면도
도 4는 본 발명에 의한 CMOS 이미지 센서를 나타낸 단면도
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 실시예에 따른 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 나타낸 공정단면도
도면의 주요 부분에 대한 설명
200 : 반도체 기판 201 : 절연막
202 : 금속 패드 203 : 폴리이미드층
204 : 감광막 205 : 패드 오픈부
206 : 칼라필터층 207 : 오버 코팅층
208 : 마이크로렌즈
본 발명은 CMOS 이미지 센서의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 소자의 신뢰성을 향상하도록 한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지 센서(Image sensor)는 광학적 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자로써, 크게, 전하 결합 소자(charge coupled device: CCD)와 씨모스(CMOS; Complementary Metal Oxide Silicon) 이미지 센서(Image Sensor)로 구분된다.
상기 전하 결합 소자(charge coupled device: CCD)는 빛의 신호를 전기적 신호로 변환하는 복수개의 포토 다이오드(Photo diode; PD)가 매트릭스 형태로 배열되고, 상기 매트릭스 형태로 배열된 각 수직 방향의 포토 다이오드 사이에 형성되어 상기 각 포토 다이오드에서 생성된 전하를 수직방향으로 전송하는 복수개의 수직 방향 전하 전송 영역(Vertical charge coupled device; VCCD)과, 상기 각 수직 방향 전하 전송 영역에 의해 전송된 전하를 수평방향으로 전송하는 수평방향 전하전송영역(Horizontal charge coupled device; HCCD) 및 상기 수평방향으로 전송된 전하를 센싱하여 전기적인 신호를 출력하는 센스 증폭기(Sense Amplifier)를 구비하여 구성된 것이다.
그러나, 이와 같은 CCD는 구동 방식이 복잡하고, 전력 소비가 클 뿐만 아니라, 다단계의 포토 공정이 요구되므로 제조 공정이 복잡한 단점을 갖고 있다.
또한, 상기 전하 결합 소자는 제어회로, 신호처리회로, 아날로그/디지털 변환회로(A/D converter) 등을 전하 결합 소자 칩에 집적시키기가 어려워 제품의 소 형화가 곤란한 단점을 갖는다.
최근에는 상기 전하 결합 소자의 단점을 극복하기 위한 차세대 이미지 센서로서 씨모스 이미지 센서가 주목을 받고 있다.
상기 씨모스 이미지 센서는 제어회로 및 신호처리회로 등을 주변회로로 사용하는 씨모스 기술을 이용하여 단위 화소의 수량에 해당하는 모스 트랜지스터들을 반도체 기판에 형성함으로써 상기 모스 트랜지스터들에 의해 각 단위 화소의 출력을 순차적으로 검출하는 스위칭 방식을 채용한 소자이다.
즉, 상기 씨모스 이미지 센서는 단위 화소 내에 포토 다이오드와 모스 트랜지스터를 형성시킴으로써 스위칭 방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다.
상기 씨모스 이미지 센서는 씨모스 제조 기술을 이용하므로 적은 전력 소모, 적은 포토공정 스텝에 따른 단순한 제조공정 등과 같은 장점을 갖는다.
또한, 상기 씨모스 이미지 센서는 제어회로, 신호처리회로, 아날로그/디지털 변환회로 등을 씨모스 이미지 센서 칩에 집적시킬 수가 있으므로 제품의 소형화가 용이하다는 장점을 갖고 있다.
따라서, 상기 씨모스 이미지 센서는 현재 디지털 정지 카메라(digital still camera), 디지털 비디오 카메라 등과 같은 다양한 응용 부분에 널리 사용되고 있다.
한편, CMOS 이미지 센서는 트랜지스터의 개수에 따라 3T형, 4T형, 5T형 등으로 구분된다. 3T형은 1개의 포토다이오드와 3개의 트랜지스터로 구성되며, 4T형은 1개의 포토다이오드와 4개의 트랜지스터로 구성된다. 상기 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위화소에 대한 등가회로 및 레이아웃(lay-out)을 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 등가 회로도이고, 도 2는 일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위화소를 나타낸 레이아웃도이다.
일반적인 3T형 씨모스 이미지 센서의 단위 화소는, 도 1에 도시된 바와 같이, 1개의 포토다이오드(PD; Photo Diode)와 3개의 nMOS 트랜지스터(T1, T2, T3)로 구성된다. 상기 포토다이오드(PD)의 캐소드는 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)의 드레인 및 제 2 nMOS 트랜지스터(T2)의 게이트에 접속되어 있다.
그리고, 상기 제 1, 제 2 nMOS 트랜지스터(T1, T2)의 소오스는 모두 기준 전압(VR)이 공급되는 전원선에 접속되어 있고, 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)의 게이트는 리셋신호(RST)가 공급되는 리셋선에 접속되어 있다.
또한, 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 소오스는 상기 제 2 nMOS 트랜지스터의 드레인에 접속되고, 상기 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 드레인은 신호선을 통하여 판독회로(도면에는 도시되지 않음)에 접속되고, 상기 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 게이트는 선택 신호(SLCT)가 공급되는 열 선택선에 접속되어 있다.
따라서, 상기 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)는 리셋 트랜지스터(Rx)로 칭하고, 제 2 nMOS 트랜지스터(T2)는 드라이브 트랜지스터(Dx), 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)는 선택 트랜지스터(Sx)로 칭한다.
일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위 화소는, 도 2에 도시한 바와 같이, 액티브 영역(10)이 정의되어 액티브 영역(10) 중 폭이 넓은 부분에 1개의 포토다이 오드(20)가 형성되고, 상기 나머지 부분의 액티브 영역(10)에 각각 오버랩되는 3개의 트랜지스터의 게이트 전극(120, 130, 140)이 형성된다.
즉, 상기 게이트 전극(120)에 의해 리셋 트랜지스터(Rx)가 형성되고, 상기 게이트 전극(130)에 의해 드라이브 트랜지스터(Dx)가 형성되며, 상기 게이트 전극(140)에 의해 선택 트랜지스터(Sx)가 형성된다.
여기서, 상기 각 트랜지스터의 액티브 영역(10)에는 각 게이트 전극(120, 130, 140) 하측부를 제외한 부분에 불순물 이온이 주입되어 각 트랜지스터의 소오스/드레인 영역이 형성된다.
따라서, 상기 리셋 트랜지스터(Rx)와 상기 드라이브 트랜지스터(Dx) 사이의 소오스/드레인 영역에는 전원전압(Vdd)이 인가되고, 상기 셀렉트 트랜지스터(Sx) 일측의 소오스/드레인 영역은 판독회로(도면에는 도시되지 않음)에 접속된다.
상기에서 설명한 각 게이트 전극(120, 130, 140)들은, 도면에는 도시되지 않았지만, 각 신호 라인에 연결되고, 상기 각 신호 라인들은 일측 끝단에 패드를 구비하여 외부의 구동회로에 연결된다.
이와 같이 패드를 구비한 각 신호 라인과 이 후에 진행되는 공정들에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 3a 내지 도 3e는 종래의 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 나타낸 공정 단면도이다.
먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(100)에 게이트 절연막 또는 층간 절연막 등의 절연막(101)(예를 들면 산화막)을 형성하고, 상기 절연막(101)위 에 각 신호 라인의 금속 패드(102)를 형성한다.
이 때, 상기 금속 패드(102)는 상기 도 2에서 설명한 바와 같은 각 게이트 전극(120, 130, 140)과 동일 물질로 동일 층에 형성될 수 있고, 별도의 콘택을 통해 다른 물질로 형성될 수 있으며, 대부분 알루미늄(Al)으로 형성된다.
한편, 이후 공정에서 상기 알루미늄으로 이루어진 금속 패드(102)의 부식 저항을 높이기 위해 상기 금속 패드(102)의 표면에 UV 오존(ozone)처리 또는 용액을 합성하여 표면처리를 실시한다.
그리고, 상기 금속 패드(102)를 포함한 상기 절연막(101) 전면에 보호막(103)을 형성한다. 여기서 상기 보호막(103)은 산화막 또는 질화막 등으로 형성한다.
도 3b에 도시한 바와 같이, 상기 보호막(103)위에 감광막(104)을 도포하고, 노광 및 현상하여 상기 금속 패드(102) 상측 부분이 노출되도록 패터닝한다.
그리고, 상기 패터닝된 감광막(104)을 마스크로 이용하여 상기 보호막(103)을 선택적으로 식각하여 상기 금속 패드(102)에 오픈부(105)를 형성한다.
도 3c에 도시한 바와 같이, 상기 감광막(104)을 제거하고, 상기 보호막(103) 전면에 실리콘질화막 또는 실리콘산화질화막을 증착하여 평탄화층(106)을 형성하고, 포토 및 식각 공정을 통해 상기 금속 패드 부분을 제외한 부분에만 남도록 상기 평탄화층(106)을 선택적으로 식각한다.
그리고, 각 포토다이오드 영역(도면에는 도시되지 않음)에 상응하는 상기 평탄화층(106)위에 칼라 필터층(107)을 형성한다.
여기서, 상기 각 칼라 필터층 형성 방법은, 해당 칼라 레지스트를 도포하고 별도의 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 각 칼라 필터층을 형성한다.
도 3d에 도시한 바와 같이, 상기 각 칼라 필터층(107)을 포함한 기판 전면에 오버 코팅층(over coating layer)(108)을 형성하고, 포토 및 식각 공정으로 상기 금속 패드 부분을 제외한 영역에만 선택적으로 식각한다.
도 3e에 도시한 바와 같이, 상기 오버 코팅층(108)상에 상기 각 칼라 필터층(107)에 대응하도록 반구형의 마이크로렌즈(109)를 형성한다.
그리고, 이와 같이 제조된 CMOS 이미지 센서의 각 금속 패드(102)의 프로브 테스트(probe test)하여 접촉저항을 체크한 후, 이상이 없으면 외부 구동회로와 상기 금속 패드를 전기적으로 연결시킨다.
그러나 상기와 같은 종래 기술에 의한 씨모스 이미지 센서의 제조방법에 있어서 다음과 같은 문제점이 있었다.
즉, 평탄화층으로 사용되는 실리콘 질화막 또는 실리콘산화질화막은 투과율이 좋지 않아 마이크로렌즈를 통해 포토다이오드로 입사된 빛이 크게 떨어져 이미지 센서의 광감도가 떨어진다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 평탄화층으로 광투과율이 우수한 물질을 형성함으로써 이미지 센서의 광감도를 향상시키도록 한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 씨모스(CMOS) 이미지 센서는 액티브 영역과 패드 영역으로 구분되는 기판상의 패드 영역에 형성되는 금속 패드와, 상기 금속 패드의 표면이 소정부분 노출되도록 패드 오픈부를 갖고 상기 기판의 전면에 형성되는 폴리이미드층과, 상기 액티브 영역의 폴리이미드층상에 형성되는 칼라필터층과, 상기 칼라필터층상에 형성되는 오버 코팅층과, 상기 오버 코팅층상에 상기 칼라필터층과 대응되게 형성되는 마이크로렌즈를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 의한 씨모스 이미지 센서의 제조방법은 티브 영역과 패드 영역으로 구분되는 기판상의 패드 영역에 금속 패드를 형성하는 단계와, 상기 금속 패드를 포함한 기판의 전면에 폴리이미드층을 형성하는 단계와, 상기 금속 패드의 표면이 노출되도록 상기 폴리이미드층을 선택적으로 제거하여 패드 오픈부를 형성하는 단계와, 상기 액티브 영역의 폴리이미드층상에 칼라필터층을 형성하는 단계와, 상기 칼라필터층상에 오버 코팅층을 형성하는 단계와, 상기 오버 코티층상에 상기 칼라필터층과 대응되게 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명에 의한 CMOS 이미지 센서를 나타낸 단면도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 액티브 영역과 패드 영역으로 구분되는 반도체 기판(200)상에 형성되는 절연막(201)과, 상기 패드 영역의 절연막(201)상에 형성되는 금속 패드(202)와, 상기 금속 패드(202)의 표면이 소정부분 노출되도록 패드 오픈부(205)를 갖고 상기 반도체 기판(200)의 전면에 형성되는 폴리이미드층(204)과, 상기 액티브 영역의 폴리이미드층(204)상에 형성되는 칼라필터층(206)과, 상기 칼라필터층(206)상에 형성되는 오버 코팅층(207)과, 상기 오버 코팅층(207)상에 상기 칼라필터층(206)과 대응되게 형성되는 마이크로렌즈(208)를 포함하여 구성되어 있다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 실시예에 따른 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 나타낸 공정 단면도이다.
먼저, 도 5a에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(200)에 게이트 절연막 또는 층간 절연막 등의 절연막(201)(예를 들면 산화막)을 형성하고, 상기 절연막(201)위에 각 신호 라인의 금속 패드(202)를 형성한다.
여기서, 상기 반도체 기판(200)의 액티브 영역과 패드 영역으로 정의되어 있고, 상기 패드 영역에 금속 패드(202)가 형성되고, 상기 액티브 영역에는 일정한 간격을 갖고 다수의 포토다이오드(도시되지 않음)가 형성되어 있다.
이때, 상기 금속 패드(202)는 상기 도 2에서 설명한 바와 같은 각 게이트 전극(120, 130, 140)과 동일 물질로 동일 층에 형성될 수 있고, 별도의 콘택을 통해 다른 물질로 형성될 수 있으며, 대부분 알루미늄(Al)으로 형성된다.
한편, 이후 공정에서 상기 알루미늄으로 이루어진 금속 패드(202)의 부식 저항을 높이기 위해 상기 금속 패드(202)의 표면에 UV 오존(ozone)처리 또는 용액을 합성하여 표면처리를 실시한다.
도 5b에 도시한 바와 같이, 상기 금속 패드(202)를 포함한 상기 반도체 기판(200)의 전면에 평탄화층으로 폴리이미드층(203)을 형성한다.
도 5c에 도시한 바와 같이, 상기 폴리이미드층(203)위에 감광막(204)을 도포하고, 노광 및 현상하여 상기 금속 패드(202) 상측 부분이 노출되도록 패터닝한다.
그리고, 상기 패터닝된 감광막(204)을 마스크로 이용하여 상기 폴리이미드층(203)을 선택적으로 식각하여 상기 금속 패드(202)에 패드 오픈부(205)를 형성한다.
도 5c에 도시한 바와 같이, 상기 감광막(204)을 제거하고, 각 포토다이오드 영역(도면에는 도시되지 않음)에 상응하는 상기 폴리이미드층(203)위에 칼라 필터층(206)을 형성한다.
여기서, 상기 각 칼라 필터층(206)의 형성 방법은, 해당 칼라 레지스트를 도포하고 별도의 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 각 칼라 필터층을 형성한다.
도 5d에 도시한 바와 같이, 상기 각 칼라 필터층(206)을 포함한 기판 전면에 오버 코팅층(over coating layer)(207)을 형성하고, 포토 및 식각 공정으로 상기 금속 패드 부분을 제외한 영역에만 선택적으로 식각한다.
도 5e에 도시한 바와 같이, 상기 오버 코팅층(207)상에 마이크로렌즈용 레지스트층을 도포하고, 노광 및 현상하여 마이크로렌즈 패턴을 형성하고, 상기 마이크로렌즈 패턴을 소정온도에 리플로우하여 상기 각 칼라 필터층(207)에 대응하도록 반구형의 마이크로렌즈(208)를 형성한다.
그리고, 이와 같이 제조된 CMOS 이미지 센서의 각 금속 패드(202)의 프로브 테스트(probe test)하여 접촉저항을 체크한 후, 이상이 없으면 외부 구동회로와 상기 금속 패드를 전기적으로 연결시킨다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정하는 것이 아니라 특허 청구범위에 의해서 정해져야 한다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 씨모스(CMOS) 이미지 센서 및 그 제조방법에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 광투과율이 우수한 폴리이미드를 평탄화층으로 사용함으로써 이미지 센서의 광감도를 향상시킬 수 있다.
둘째, 폴리이미드층을 사용하여 보호막 및 평탄화층으로 사용함으로써 별도의 평탄화층을 형성하기 위한 형성 및 식각 공정을 생략할 수가 있어 제조 원가를 줄일 수 있다.
Claims (3)
- 액티브 영역과 패드 영역으로 구분되는 기판상의 패드 영역에 형성되는 금속 패드와,상기 금속 패드의 표면이 소정부분 노출되도록 패드 오픈부를 갖고 상기 기판의 전면에 형성되는 폴리이미드층과,상기 액티브 영역의 폴리이미드층상에 형성되는 칼라필터층과,상기 칼라필터층상에 형성되는 오버 코팅층과,상기 오버 코팅층상에 상기 칼라필터층과 대응되게 형성되는 마이크로렌즈를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서.
- 액티브 영역과 패드 영역으로 구분되는 기판상의 패드 영역에 금속 패드를 형성하는 단계;상기 금속 패드를 포함한 기판의 전면에 폴리이미드층을 형성하는 단계;상기 금속 패드의 표면이 노출되도록 상기 폴리이미드층을 선택적으로 제거하여 패드 오픈부를 형성하는 단계;상기 액티브 영역의 폴리이미드층상에 칼라필터층을 형성하는 단계;상기 칼라필터층상에 오버 코팅층을 형성하는 단계;상기 오버 코티층상에 상기 칼라필터층과 대응되게 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 금속 패드는 알루미늄으로 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040112029A KR100648998B1 (ko) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040112029A KR100648998B1 (ko) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060073158A KR20060073158A (ko) | 2006-06-28 |
| KR100648998B1 true KR100648998B1 (ko) | 2006-11-28 |
Family
ID=37166280
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040112029A KR100648998B1 (ko) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100648998B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100847830B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-07-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지센서의 제조 방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100771376B1 (ko) * | 2006-12-21 | 2007-10-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
-
2004
- 2004-12-24 KR KR1020040112029A patent/KR100648998B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100847830B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-07-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지센서의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20060073158A (ko) | 2006-06-28 |
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