KR100647629B1 - Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor manufactured by the method, method of manufacturing flat panel display device, and flat panel display device manufactured by the method - Google Patents
Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor manufactured by the method, method of manufacturing flat panel display device, and flat panel display device manufactured by the method Download PDFInfo
- Publication number
- KR100647629B1 KR100647629B1 KR1020040088877A KR20040088877A KR100647629B1 KR 100647629 B1 KR100647629 B1 KR 100647629B1 KR 1020040088877 A KR1020040088877 A KR 1020040088877A KR 20040088877 A KR20040088877 A KR 20040088877A KR 100647629 B1 KR100647629 B1 KR 100647629B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- forming
- film transistor
- derivatives
- substrate
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은 플렉서블 장치에 응용될 수 있도록, 박막 트랜지스터를 플라스틱재 기판 상에 구비하기 위한 것으로, 이를 위하여, 기지에, 패턴이 서로 다른 적어도 두 종류의 도전 패턴이 복수개 포함된 필름을 준비하는 단계와, 기판 상에 상기 필름을 접합하는 단계와, 상기 필름 상에, 상기 도전 패턴들 중 어느 한 종류의 도전 패턴과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 필름 상에, 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터를 구비한 기판의 제조방법, 이에 따라 제조된 박막 트랜지스터를 구비한 기판, 평판 표시장치의 제조방법, 및 이에 따라 제조된 평판 표시장치를 제공한다.The present invention is to provide a thin film transistor on a plastic substrate so that it can be applied to a flexible device, for this purpose, the step of preparing a film containing a plurality of conductive patterns having a plurality of patterns different from each other at a base; Bonding the film on a substrate; forming a thin film transistor on the film, the thin film transistor being electrically connected to a conductive pattern of any one of the conductive patterns; and covering the thin film transistor on the film. Forming an insulating film so as to form an insulating film, the substrate having the thin film transistor, the substrate having the thin film transistor manufactured, the manufacturing method of the flat panel display device, and the flat panel display device manufactured according to the above. to provide.
Description
도 1 내지 도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 플라스틱재 기판 상에 구비된 박막 트랜지스터의 제조 공정들을 개략적으로 도시하는 단면도들,1 to 5 are cross-sectional views schematically showing manufacturing processes of a thin film transistor provided on a plastic material substrate according to an exemplary embodiment of the present invention;
도 6은 도 1 내지 도 5의 방법에 의해 제조된 기판을 이용해 유기 전계 발광 표시장치를 제조하는 공정을 도시한 단면도,6 is a cross-sectional view illustrating a process of manufacturing an organic light emitting display device using a substrate manufactured by the method of FIGS. 1 to 5;
도 7은 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따라 제조된 유기 전계 발광 표시장치의 단면도.7 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device manufactured according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 8은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따라 제조된 유기 전계 발광 표시장치의 단면도.8 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device manufactured according to another exemplary embodiment of the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
10: 기판 20: 베리어층10: substrate 20: barrier layer
30: 필름 31: 기지30: film 31: the base
32: 제1도전 패턴 31a: 제1개구32: first
31b: 제2개구 33: 유기층31b: second opening 33: organic layer
34: 대향 전극 40: 제2도전 패턴34: counter electrode 40: second conductive pattern
41: 소스 전극 42: 드레인 전극41: source electrode 42: drain electrode
43: 반도체층 44: 게이트 절연막43: semiconductor layer 44: gate insulating film
45: 게이트 전극 46: 절연막45
본 발명은 박막 트랜지스터를 구비한 기판의 제조방법, 이에 따라 제조된 박막 트랜지스터를 구비한 기판, 평판 표시장치의 제조방법, 및 이에 따라 제조된 평판 표시장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 플라스틱재 기판을 가져, 플렉서블(flexible) 장치에 응용될 수 있는 박막 트랜지스터를 구비한 기판의 제조방법, 이에 따라 제조된 박막 트랜지스터를 구비한 기판, 평판 표시장치의 제조방법, 및 이에 따라 제조된 평판 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a substrate having a thin film transistor, a substrate having a thin film transistor manufactured according to the present invention, a method of manufacturing a flat panel display device, and a flat panel display device manufactured according to the present invention. To a method of manufacturing a substrate having a thin film transistor that can be applied to a flexible device, a substrate having a thin film transistor manufactured according to the present invention, a method of manufacturing a flat panel display device, and a flat panel display device manufactured accordingly. It is about.
액정 디스플레이 소자나 유기 전계 발광 디스플레이 소자 또는 무기 전계 발광 디스플레이 소자 등 평판 표시장치에 사용되는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: 이하, TFT라 함)는 각 픽셀의 동작을 제어하는 스위칭 소자 및 픽셀을 구동시키는 구동 소자로 사용된다. Thin film transistors used in flat panel displays such as liquid crystal display devices, organic electroluminescent display devices, or inorganic electroluminescent display devices (hereinafter referred to as TFTs) are used to drive the switching elements and the pixels that control the operation of each pixel. Used as a drive element.
이러한 TFT는 반도체층과, 게이트 전극과, 소스/드레인 전극을 갖는다. 반도체층은 고농도의 불순물로 도핑된 소스/드레인 영역과, 이 소스/드래인 영역의 사 이에 형성된 채널 영역을 가지며, 게이트 전극은 이 반도체층과 절연되고 상기 채널 영역에 대응되는 영역에 위치한다. 그리고, 소스/드레인 전극은 상기 소스/드레인 영역에 각각 콘택된다.This TFT has a semiconductor layer, a gate electrode, and a source / drain electrode. The semiconductor layer has a source / drain region doped with a high concentration of impurities and a channel region formed between the source / drain regions, and the gate electrode is insulated from the semiconductor layer and positioned in a region corresponding to the channel region. The source / drain electrodes are in contact with the source / drain regions, respectively.
한편, 최근의 평판 디스플레이 장치는 박형화와 아울러 플렉서블(flexible)한 특성이 요구되고 있다.On the other hand, recent flat panel display devices are required to be thin and flexible.
이러한 플렉시블한 특성을 위해 디스플레이 장치의 기판을 종래의 글라스재 기판과 달리 플라스틱 기판을 사용하려는 시도가 많이 이뤄지고 있다. In order to achieve such a flexible characteristic, many attempts have been made to use plastic substrates, unlike conventional glass substrates.
그런데, 이러한 플라스틱 기판의 경우, 글라스재 기판에 비해 내투습성 및 내투산소성이 떨어지기 때문에, 별도의 베리어층을 형성해야 한다. 이 베리어층은 플라스틱 기판의 표면에 코팅되어 기판을 통해 산소나 수분이 침투하지 못하도록 하는 것으로, 베리어층의 형성을 위해서는 많은 비용과 공정이 소요된다.By the way, in the case of such a plastic substrate, since moisture permeability and oxygen permeability are inferior to a glass substrate, it is necessary to form a separate barrier layer. The barrier layer is coated on the surface of the plastic substrate to prevent oxygen or moisture from penetrating through the substrate, and the formation of the barrier layer is expensive and expensive.
또한, 플렉시블한 평판 표시장치를 얻기 위해, 이에 장착되는 박막 트랜지스터도 종래의 실리콘계 박막 트랜지스터 대신 유기 반도체계 박막 트랜지스터가 사용되고 있다. 유기 반도체는 저온 공정에서 형성할 수 있어 저가격형 박막 트랜지스터를 실현할 수 있는 장점을 가지며, 고온에서 사용할 수 없는 플라스틱 기판에서도 용이하게 적용할 수 있다.In order to obtain a flexible flat panel display, an organic semiconductor thin film transistor is used instead of a conventional silicon thin film transistor. The organic semiconductor can be formed in a low temperature process and has the advantage of realizing a low-cost thin film transistor, and can be easily applied to a plastic substrate that cannot be used at a high temperature.
그런데, 이렇게 유기 반도체를 이용하여 박막 트랜지스터를 제조하고, 연이어 발광소자를 만들기 위한 공정을 진행할 경우, 기존의 공정을 사용하면 유기 반도체가 쉽게 변성이 되는 문제가 있다. 특히, 유기 전계 발광 소자의 경우, 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극의 형성도 문제가 되며, 화소 정의막에 발광소자 를 위한 개구부를 형성하는 것도 문제가 된다.By the way, when manufacturing a thin film transistor using an organic semiconductor in this way, and subsequently proceeds to make a light emitting device, there is a problem that the organic semiconductor is easily denatured using the existing process. In particular, in the case of the organic EL device, forming a pixel electrode connected to the thin film transistor also becomes a problem, and forming an opening for the light emitting device in the pixel defining layer also becomes a problem.
따라서, 플렉시블한 평판 표시장치를 제조하기 위해서는 이에 대응되는 새로운 방법이 필요할 것이다.Accordingly, in order to manufacture a flexible flat panel display, a new method corresponding thereto will be required.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 플렉서블 장치에 응용될 수 있는, 플라스틱재 기판 상에 구비된 박막 트랜지스터를 구비한 기판의 제조방법, 이에 따라 제조된 박막 트랜지스터를 구비한 기판, 평판 표시장치의 제조방법, 및 이에 따라 제조된 평판 표시장치를 제공하는 데 목적이 있다.The present invention is to solve the various problems including the above problems, the method of manufacturing a substrate having a thin film transistor provided on a plastic substrate, which can be applied to a flexible device, a thin film transistor manufactured according to the An object of the present invention is to provide a substrate, a method of manufacturing a flat panel display, and a flat panel display manufactured accordingly.
상기와 같은 목적 및 그 밖의 여러 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 기지에, 패턴이 서로 다른 적어도 두 종류의 도전 패턴이 복수개 포함된 필름을 준비하는 단계와, 기판 상에 상기 필름을 접합하는 단계와, 상기 필름 상에, 상기 도전 패턴들 중 어느 한 종류의 도전 패턴과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 필름 상에, 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터를 구비한 기판의 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above object and various other objects, the present invention provides a step of preparing a film containing a plurality of conductive patterns having at least two types of different patterns on a substrate, and bonding the film on a substrate. Forming a thin film transistor on the film, the thin film transistor being electrically connected to a conductive pattern of any one of the conductive patterns, and forming an insulating film on the film to cover the thin film transistor. A method for manufacturing a substrate having a thin film transistor is provided.
본 발명은 또한, 이러한 제조방법에 따라 제조된 박막 트랜지스터를 구비한 기판을 제공한다.The present invention also provides a substrate having a thin film transistor manufactured according to this manufacturing method.
본 발명은 또한, 전술한 목적을 달성하기 위하여, 기지에, 패턴이 서로 다른 적어도 두 종류의 도전 패턴이 복수개 포함된 필름을 준비하는 단계와, 기판 상에 상기 필름을 접합하는 단계와, 상기 필름 상에, 상기 도전 패턴들 중 어느 한 종류의 도전 패턴과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 필름 상에, 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 절연막을 형성하는 단계와, 상기 도전 패턴의 소정 영역이 노출되도록 상기 절연막에 개구부를 형성하는 단계와, 상기 개구부를 통해 노출된 도전 패턴 상에 디스플레이 소자를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치의 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention also provides a step of preparing a film including a plurality of conductive patterns having a plurality of patterns different from each other on a substrate, bonding the film on a substrate, and Forming a thin film transistor on the film, the thin film transistor being electrically connected to a conductive pattern of any one of the conductive patterns, forming an insulating film on the film to cover the thin film transistor, and forming a predetermined region of the conductive pattern Forming an opening in the insulating layer to expose the insulating film; and forming a display element on the conductive pattern exposed through the opening.
본 발명은 또한, 이러한 제조방법에 따라 제조된 평판 표시장치를 제공한다.The present invention also provides a flat panel display manufactured according to this manufacturing method.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터를 갖는 기판의 제조방법을 순차적으로 도시한 도면들이고, 도 6은 이 기판을 이용하여 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 평판 표시장치를 제조하는 방법을 도시한 도면들이다.1 to 5 are views sequentially showing a method of manufacturing a substrate having a thin film transistor according to an embodiment of the present invention, Figure 6 is a flat panel display according to an embodiment of the present invention using this substrate Figures show a method of manufacturing the device.
먼저 도 1과 같이, 기판(10) 상에 필름(30)을 라미네이션 롤러(R)에 의해 라미네이션 접합한다.First, as shown in FIG. 1, the
상기 필름(30)은 수지재로 이루어진 기지(31)에, 패턴이 서로 다른 적어도 두 종류의 도전 패턴들(32)(40)이 복수개 포함되어 있는 것으로, 본 발명의 바람직한 일 실시예는 제1도전 패턴(32)과 제2도전 패턴(40)을 각각 복수개 구비한다. The
제1도전 패턴(32)과 제2도전 패턴(40)은 각각 일정한 패턴으로 규칙성을 갖도록 형성되어 있다. The first
본 발명의 바람직한 일 실시예에 있어, 상기 제1도전 패턴(32)은 후술하는 바와 같이, 화소 전극이 될 수 있는 것으로, 단층 혹은 복수층의 도전 물질로 형성될 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the first
제1도전 패턴(32)은, 화소 전극을 투명전극으로 사용할 경우에는 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3로 구비될 수 있고, 화소 전극을 반사형 전극으로 사용할 경우에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, 및 이들의 화합물 등으로 구비될 수 있다. 이 때, 화소 전극을 투명전극으로 사용할 경우에는 화소 전극이 애노우드 전극이 되고, 화소 전극을 반사형 전극으로 사용할 경우에는 화소 전극이 캐소오드 전극이 된다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 화소 전극을 반사형 전극으로 사용할 경우에도, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3를 형성할 수 있다. 물론 이 외에도 도전성 폴리머 등이 사용될 수 있음은 물론이다.The first
제2도전 패턴(40)의 경우에도 제1도전 패턴(32)과 동일한 물질로 형성될 수 있는 데, 반드시 이에 한정되지는 않으며, 제2도전 패턴(40)을 제1도전 패턴(32)과는 다른 물질로 형성할 수도 있다.The second
이러한 필름(30)에 있어서, 필름(30)의 적어도 일면은 상기 제1도전 패턴(32) 및 제2도전 패턴(40)들이 외부로 노출되지 않도록 구비된다. 그리고, 도 1과 같이, 이 필름(30)을 기판(10) 상에 라미네이션할 때에, 제1도전 패턴(32) 및 제2 도전 패턴(40)들이 노출되지 않은 면이 외측을 향하도록 라미네이션한다. 도 1 내지 도 6에는 필름(30)의 제1도전 패턴(32) 및 제2도전 패턴(40)들이 기판(10)의 방향으로 노출되도록 표현되었으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 도전 패턴들이 필름(30)의 어느 면으로도 노출되지 않을 수 있다.In the
필름(30)의 접합은 다양한 방법이 가능한 데, 도 1에서 볼 수 있듯이, 라미네이션할 수도 있고, 이 외에도 접착제 등에 의해 붙일 수 있다.Bonding of the
상기 기판(10)은 플라스틱재 기판이 사용될 수 있다. 이 때, 필름(30)이 부착되는 면의 반대측 면에는 베리어층(20)이 코팅되어 있을 수 있다. 상기 베리어층(20)은 기판(10)을 통해 수분이 침투하는 것을 방지한다.The
이 베리어층(20)은 무기물층과 폴리머층이 복합되어 있을 수 있다.The
무기물층으로는 메탈 옥사이드(metal oxide), 메탈 나이트라이드(metal nitride), 메탈 카바이드(metal carbide), 메탈 옥시나이트라이드(metal oxynitride) 및 이들의 화합물이 사용될 수 있다. 메탈 옥사이드로는 실리카, 알루미나, 티타니아, 인듐 옥사이드(Indium Oxide), 틴 옥사이드(Tin Oxide), 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide), 및 이들의 화합물이 사용될 수 있다. 메탈 나이트라이드로는 알루미늄 나이트라이드(aluminium nitride), 실리콘 나이트라이드(silicon nitride) 및 이들의 화합물이 사용될 수 있다. 메탈 카바이드로는 실리콘 카바이드가 사용될 수 있으며, 메탈 옥시나이트라이드로는 실리콘 옥시나이트라이드가 사용될 수 있다. 무기물층으로는 이 밖에도 실리콘 등 수분 및 산소의 침투를 차단할 수 있는 어떠한 무기물도 사용 가능하다.As the inorganic layer, metal oxide, metal nitride, metal carbide, metal oxynitride and compounds thereof may be used. As the metal oxide, silica, alumina, titania, indium oxide, tin oxide, indium tin oxide, and compounds thereof may be used. Aluminum nitride, silicon nitride, and compounds thereof may be used as the metal nitride. Silicon carbide may be used as the metal carbide, and silicon oxynitride may be used as the metal oxynitride. In addition to the inorganic layer, any inorganic material that can block the penetration of moisture and oxygen such as silicon can be used.
한편, 이러한 무기물층은 증착에 의해 성막될 수 있는 데, 이렇게 무기물층을 진공증착할 경우에는 무기물층에 구비되어 있는 공극이 그대로 자라나게 되는 한계가 있다. 따라서, 이러한 공극이 같은 위치에서 계속하여 성장하는 것을 방지하기 위하여, 무기물층 외에 별도로 폴리머층을 더 구비토록 한다. 이 폴리머층은 오가닉 폴리머(organic polymer), 인오가닉 폴리머(inorganic polymer), 오가노메탈릭 폴리머(organometallic polymer), 및 하이브리드 오가닉/인오가닉 폴리머(hybrid organic/inorganic polymer) 등이 사용될 수 있다. On the other hand, such an inorganic material layer can be formed by vapor deposition, there is a limit that the voids provided in the inorganic material layer grows as it is when the inorganic material layer is vacuum deposited. Therefore, in order to prevent these voids from continuously growing in the same position, a polymer layer is further provided in addition to the inorganic layer. The polymer layer may be an organic polymer, an organic polymer, an organometallic polymer, a hybrid organic / inorganic polymer, or the like.
상기 베리어층(20)은 반드시 구비되어야 하는 것은 아니며, 이 베리어층(20) 없이 적용될 수도 있다.The
상기 기판(10)은 반드시 플라스틱재에 한정되는 것은 아니며, 글라스재 또는 금속재 등도 가능하다.The
필름(30)을 접합한 후에는 도 2에서 볼 수 있듯이, 이 필름(30)을 패터닝해 제1개구(31a) 및 제2개구(31b)를 형성한다.After bonding the
제1개구(31a)는 후술하는 바와 같이, 드레인 전극이 제1도전 패턴(32)에 콘택되도록 하기 위한 것이고, 제2개구(31b)는 후술하는 바와 같이, 발광 소자를 형성하기 위한 것이다.As described later, the
필름(30)의 패터닝 후에는, 도 3에서 볼 수 있듯이, 기지(31) 상에 소스 전극(41)과 드레인 전극(42)을 형성한다.After patterning the
이 때, 전술한 제1개구(31a)에 의해 드레인 전극(42)이 제1도전 패턴(32)에 콘택된다.At this time, the
소스 및 드레인 전극(41)(42)을 형성한 후에는, 도 4에서 볼 수 있듯이, 상기 소스 및 드레인 전극(41)(42)을 덮도록 반도체층(43)을 형성해, 박막 트랜지스터(TFT)를 구성한다. 이 때, 전술한 제2도전 패턴(40)은 게이트 전극(45)이 된다. 따라서, 상기 제2도전 패턴(40)은 게이트 전극(45)에 대응되는 패턴으로 구비되며, 도면으로 도시하지는 않았지만, 이 게이트 전극(45)에 연결된 다양한 배선 패턴이 함께 구비될 수 있다.After the source and drain
상기 반도체층(43)은 유기 반도체가 사용될 수 있다.The
상기 유기반도체는 반도체성 유기물질로 구비될 수 있는 데, 고분자로서, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체를 포함할 수 있고, 저분자로서, 펜타센, 테트라센, 나프탈렌의 올리고아센 및 이들의 유도체, 알파-6-티오펜, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 또는 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드 또는 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체를 포함할 수 있다.The organic semiconductor may be provided as a semiconducting organic material, and as a polymer, polythiophene and its derivatives, polyparaphenylenevinylene and its derivatives, polyparaphenylene and its derivatives, polyfluorene and its derivatives, Polythiophenevinylene and derivatives thereof, polythiophene-heterocyclic aromatic copolymers and derivatives thereof, and as low molecular weights, oligoacenes of pentacene, tetracene, naphthalene and derivatives thereof, alpha-6-ti Ophene, oligothiophenes of alpha-5-thiophene and derivatives thereof, phthalocyanine and derivatives thereof with or without metals, pyromellitic dianhydrides or pyromellitic diimides and derivatives thereof, fur Reylenetetracarboxylic acid dianhydride or perylenetetracarboxylic diimide and derivatives thereof.
이 때, 소스 전극(41) 및 드레인 전극(42)을 덮도록 유기 반도체층을 형성한 후, 레이저 식각법(LAT)의 방법에 의해 도 4와 같은 영역을 갖도록 구획한다. 물론, 이 외에도 유기 반도체에 사용되는 다양한 패터닝법이 그대로 사용될 수 있음은 물론이고, 반드시 도 4와 같은 영역으로 패터닝될 필요도 없다.At this time, the organic semiconductor layer is formed to cover the
상기 반도체층(43)으로는 이 외에도 무기 반도체가 사용될 수 있는 데, 무기반도체는 CdS, GaS, ZnS, CdSe, CaSe, ZnSe, CdTe, SiC, 및 Si를 포함하는 것일 수 있다. In addition, an inorganic semiconductor may be used as the
반도체층(43)이 형성된 후에는 도 5에서 볼 수 있듯이, 이 TFT를 덮도록 절연막(46)을 더 형성한다. 상기 절연막(46)은 TFT를 보호하고, 후술하는 바와 같이, 소정의 개구부를 형성해 화소 정의막(pixel define layer)로서 작용하도록 한 것이다.After the
이러한 절연막(46)은 무기물 및/또는 유기물이 단일 또는 복합층으로 형성될 수 있는 데, 무기물로서 SiO2, SiNx, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT 등이 가능하며, 유기물로서 일반 범용고분자(PMMA, PS), phenol그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등이 가능하다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 절연물질이 사용될 수 있음은 물론이다.The insulating
상기와 같은 방법에 의해 박막 트랜지스터(TFT)를 구비한 기판(10)을 형성한 후에는, 도 6에서 볼 수 있듯이, 절연막(20)의 소정 부분을 식각하여 제1도전 패턴(32)의 소정 부분이 노출되도록 제3개구(46a)를 형성한다. 제3개구(46a)의 형성은 다양한 방법으로 가능한 데, 포토 리소그래피법이 적용될 수 있다.After the
본 발명에 있어서, 전술한 제2개구(31b)는 이 제3개구(46a)의 형성과 동시에 형성할 수 있다.In the present invention, the above-described
이 제3개구(46a)에 발광층(미도시)을 포함하는 유기층(33)을 형성하고, 유기층(33)을 덮도록 대향 전극(34)을 형성해, 유기 전계 발광 소자(OLED)를 형성한다.An
상기 유기층(33)은 저분자 또는 고분자 유기층이 사용될 수 있다.The
저분자 유기층의 경우, 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기층은 진공증착의 방법으로 형성된다.In the case of a low molecular organic layer, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), an electron injection layer (EIL) Electron Injection Layer, etc. may be formed by stacking a single or complex structure, and usable organic materials are copper phthalocyanine (CuPc), N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N ' -Diphenyl-benzidine (N, N'-Di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine (NPB), tris-8-hydroxyquinoline aluminum (Alq3) It can be used in various ways. These low molecular weight organic layers are formed by the vacuum deposition method.
고분자 유기층의 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 상기 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용하며, 이를 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법 등으로 형성할 수 있다.In the case of the polymer organic layer, the structure may include a hole transporting layer (HTL) and a light emitting layer (EML). In this case, PEDOT is used as the hole transporting layer, and polyvinylvinylene (PPV) and polyfluorene are used as the light emitting layer. Polymer organic materials such as (Polyfluorene) are used and can be formed by screen printing or inkjet printing.
대향 전극(34)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있다. 투명전극으로 구비될 때에는 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 이용하며, 반사형 전극으로 구비될 때에는 위 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, 및 이들의 화합물을 이용할 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명전극으로 구비될 때에도, 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, 및 이들의 화합물이 유기층(33)의 방향을 향하도록 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극층이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있다.The
본 발명에 의하면, 이처럼 제1도전 패턴(32) 및 제2도전 패턴(40)이 형성된 필름(30)을 기판(10)에 접합하여, 제1도전 패턴(32)이 화소 전극이 되도록 하고, 제2도전 패턴(40)이 TFT의 게이트 전극(45)이 되도록 함으로써, 특히, 기판(10)을 플라스틱재로 사용할 경우, 더욱 간단하게 평판 표시장치를 제조할 수 있다.According to the present invention, the
또한, 상기 제1도전 패턴(32) 및 제2도전 패턴(40)은 수분 및 산소의 침투를 차단하는 베리어 기능도 하게 되므로, 소자의 기밀성을 더욱 향상시킬 수 있다.In addition, since the first
도 7은 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 평판 표시장치를 도시한 것이다.7 illustrates a flat panel display device according to another exemplary embodiment of the present invention.
이는 제1도전 패턴(32)은 화소 전극으로 사용하고, 제2도전 패턴(40)은 배선 패턴으로 사용한 것이다. 필름(30)의 기지(31) 상에 소스/드레인 전극(41)(42)을 형성하고, 이를 덮도록 반도체층(43)을 형성한 후, 이 반도체층(43)을 덮도록 게이트 절연막(44)을 형성한 후, 게이트 전극(45)을 형성한다.This is because the first
이 때, 제1개구(31a)를 통해 드레인 전극(42)이 제1도전 패턴(32)과 콘택된다. 그리고, 게이트 절연막(44)은 기판(10)을 휠 때에 스트레스를 비교적 덜 받을 수 있도록, 도 7과 같이 아일랜드 타입(island type)으로 패터닝될 수 있는 데, 적어도 반도체층(43)에 대응되는 영역을 덮도록 패터닝될 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 발광소자가 형성되는 영역 이외의 전체 영역이 모두 덮이도록 형성될 수 있다.At this time, the
게이트 절연막(44)은 무기물 및/또는 유기물이 사용될 수 있다. 무기물로서, SiO2, SiNx, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT 등이 가능하며, 유기물로서, 일반 범용고분자(PMMA, PS), phenol그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등이 가능하다. 또한, 무기-유기 적층막도 가능하다.The
기타 구조는 전술한 실시예와 동일하므로 상세한 설명은 생략토록 한다.The other structure is the same as the above-described embodiment, so detailed description thereof will be omitted.
도 8은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 평판 표시장치를 도시한 것으로, 전술한 도 7에 따른 실시예와 마찬가지로, 제1도전 패턴(32)은 화소 전극으로 사용하고, 제2도전 패턴(40)은 배선 패턴으로 사용한 것이다. FIG. 8 illustrates a flat panel display according to another exemplary embodiment of the present invention. Similar to the embodiment of FIG. 7 described above, the first
이 경우에는, 필름(30) 상에 반도체층(43)을 먼저 형성한 후, 이 반도체층(43)에 접하도록 소스 전극(41)과 드레인 전극(42)을 형성한다. 이 때, 제1개구(31a)는 반도체층(43) 외측에 형성되어 드레인 전극(42)과 제1도전 패턴(32)의 콘택이 이루어지도록 하는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체층(43)을 필름(30) 상에 형성한 후, 레이저 식각법 등에 의해 반도체층(43)과 기지(31)를 관통하도록 제1개구를 형성한 후, 드레인 전극이 형성되도록 할 수도 있다.In this case, the
기타 구조는 전술한 실시예와 동일하므로 상세한 설명은 생략토록 한다.The other structure is the same as the above-described embodiment, so detailed description thereof will be omitted.
도 7 및 도 8에 따른 실시예에 있어서, 제2도전 패턴(40)은 배선 이외에도 커패시터의 한 전극으로 사용될 수도 있고, 그 외에 다양한 전기 소자의 적어도 일 부분으로 사용될 수 있다.In the embodiment according to FIGS. 7 and 8, the second
그리고, 비록 도면으로 도시하지는 않았지만, 상기 필름(30)에는 이러한 제1 및 제2도전 패턴(32)(40) 외에 다른 패턴을 갖는 도전 패턴들이 다양하게 형성되어, 이 도전 패턴들이 다양한 전기 소자의 부분이 되도록 할 수 있다.Although not shown in the drawings, various conductive patterns having patterns other than the first and second
이상 설명한 것은 본 발명의 바람직한 실시예들에 해당하는 것으로, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, TFT의 구조 및 발광 소자의 구조는 다양하게 변형 가능함은 물론이다.The above descriptions correspond to preferred embodiments of the present invention, but are not necessarily limited thereto, and the structure of the TFT and the structure of the light emitting device may be variously modified.
한편, 전술한 실시예들에서는 능동 구동형 전계발광 소자의 경우에 대해서만 설명하였으나, 전술한 바와 같이 그 외에도 박막 트랜지스터를 구비하는 디스플레이 소자라면 어떠한 장치에도 적용될 수 있음은 물론이며, 예컨대 박막 트랜지스터 액정 디스플레이 소자(TFT LCD)와 같은 디스플레이 소자에도 적용될 수 있다.Meanwhile, in the above-described embodiments, only the case of the active driving type electroluminescent device has been described. However, as described above, any other display device having a thin film transistor can be applied to any device, for example, a thin film transistor liquid crystal display. It can also be applied to a display device such as a device (TFT LCD).
또한, 상술한 바와 같은 본 발명에 따른 플라스틱재 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터는 상기와 같은 디스플레이 장치 외의 플렉서블 전자 종이(electronic sheet), 스마트 카드(smart card) 등 플렉서블 박막 트랜지스터를 구비하는 모든 장치에 구비될 수 있음은 물론이다.In addition, the thin film transistor formed on the plastic substrate according to the present invention as described above is provided in all devices having a flexible thin film transistor, such as a flexible electronic sheet (smart card), other than the display device as described above. Of course it can be.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.According to the present invention made as described above, the following effects can be obtained.
첫째, 도전 패턴들이 형성된 필름을 기판에 접합함으로써, 보다 간단하게 평판 표시장치를 제조할 수 있다.First, by bonding a film on which conductive patterns are formed to a substrate, a flat panel display device can be manufactured more simply.
둘째, 기판으로 플라스틱재를 사용하는 경우에도, 간단한 공정으로 평판 표 시장치를 제조할 수 있으며, 도전 패턴들이 수분 및 산소의 침투를 차단하는 베리어층의 기능도 겸할 수 있다.Second, even in the case of using a plastic material as a substrate, it is possible to manufacture a flat plate market value by a simple process, the conductive pattern can also function as a barrier layer to block the penetration of moisture and oxygen.
셋째, 박막의 필름을 사용함으로써, 플렉시블한 특성을 더욱 증대시킬 수 있다.Third, by using a thin film, the flexible characteristics can be further increased.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.
Claims (23)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040088877A KR100647629B1 (en) | 2004-11-03 | 2004-11-03 | Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor manufactured by the method, method of manufacturing flat panel display device, and flat panel display device manufactured by the method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040088877A KR100647629B1 (en) | 2004-11-03 | 2004-11-03 | Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor manufactured by the method, method of manufacturing flat panel display device, and flat panel display device manufactured by the method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060039683A KR20060039683A (en) | 2006-05-09 |
KR100647629B1 true KR100647629B1 (en) | 2006-11-23 |
Family
ID=37146883
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040088877A KR100647629B1 (en) | 2004-11-03 | 2004-11-03 | Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor manufactured by the method, method of manufacturing flat panel display device, and flat panel display device manufactured by the method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100647629B1 (en) |
-
2004
- 2004-11-03 KR KR1020040088877A patent/KR100647629B1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060039683A (en) | 2006-05-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100683766B1 (en) | Flat panel display and method for fabricating the same | |
KR100603349B1 (en) | A thin film transistor, a method for manufacturing the same, and a flat panel display device having the same | |
JP4391451B2 (en) | MANUFACTURING METHOD FOR SUBSTRATE HAVING THIN FILM TRANSISTOR, SUBSTRATE HAVING THIN FILM TRANSISTOR PRODUCED BY THE METHOD, MANUFACTURING METHOD FOR PANEL DISPLAY DEVICE, AND FLAT DISPLAY DEVICE MANUFACTURING THE SAME | |
KR100544144B1 (en) | TFT and Flat panel display therewith | |
KR20060055762A (en) | A thin film transistor, and a flat panel display employing the same | |
US20050269562A1 (en) | Thin film transistor (TFT) and flat display panel having the thin film transistor (TFT) | |
KR20060026244A (en) | Organic thin film transistor and flat panel display with the same | |
US7714324B2 (en) | Organic thin film transistor and method of manufacturing the same | |
US8076733B2 (en) | Flat panel display device having an organic thin film transistor and method of manufacturing the same | |
KR100696514B1 (en) | Organic light emitting display device of top emission type | |
KR100787439B1 (en) | Organic thin film transistor, and organic light emitting display apparatus comprising the same | |
KR100659096B1 (en) | Organic tft, flat panel display therewith, and manufacturing method of the organic tft | |
KR100647629B1 (en) | Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor manufactured by the method, method of manufacturing flat panel display device, and flat panel display device manufactured by the method | |
KR100730183B1 (en) | Organic thin film transistor and method of manufacturing the same, flat display apparatus comprising the same | |
KR100670355B1 (en) | Transistor, method of manufacturing the same, and flat panel dispaly apparatus comprising the same | |
KR100858818B1 (en) | Thin film transistor and flat panel display comprising the same | |
KR100741099B1 (en) | Flat panel display and method for fabricating the same | |
KR100626065B1 (en) | Tft and flat panel display device | |
KR100592270B1 (en) | Thin film transistor and flat panel display device having same | |
KR100669801B1 (en) | Organic thin film transistor, flat display apparatus therewith and method of manufacturing the organic thin film transistor | |
KR101137382B1 (en) | Flat panel display apparatus | |
KR100708736B1 (en) | Organic light emitting display apparatus | |
KR100741102B1 (en) | Method for preparing organic thin film transistor, the organic thin film transistor and flat display device comprising the organic thin film transistor | |
KR20060039664A (en) | Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor manufactured by the method, method of manufacturing flat panel display device, and flat panel display device manufactured by the method | |
KR100719567B1 (en) | Flat display device and manufacturing method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121102 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131031 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141030 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151030 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171101 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181101 Year of fee payment: 13 |