KR100638144B1 - 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents

유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100638144B1
KR100638144B1 KR1020050096209A KR20050096209A KR100638144B1 KR 100638144 B1 KR100638144 B1 KR 100638144B1 KR 1020050096209 A KR1020050096209 A KR 1020050096209A KR 20050096209 A KR20050096209 A KR 20050096209A KR 100638144 B1 KR100638144 B1 KR 100638144B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
data line
odd
bus electrode
light emitting
organic light
Prior art date
Application number
KR1020050096209A
Other languages
English (en)
Inventor
이춘탁
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020050096209A priority Critical patent/KR100638144B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100638144B1 publication Critical patent/KR100638144B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 수율을 향상시킴과 아울러 소비전력을 감소시킬 수 있는 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 유기 전계발광 표시소자는 유기 발광층을 사이에 두고 서로 교차되는 데이터 라인 및 스캔 라인과; 상기 데이터 라인의 하부 가장자리에 형성되는 버스 전극을 구비한다.

Description

유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법{ORGANIC ELECTRO-LUMINESCENCE DISPLAY DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF}
도 1은 종래의 유기 전계발광 표시소자를 나타내는 사시도.
도 2는 종래의 유기 전계발광 표시소자의 발광원리를 설명하기 위한 다이어그램.
도 3은 종래의 다른 유기 전계발광 표시소자의 일부분을 나타내는 평면도.
도 4는 도 3에 도시된 “Ⅰ-Ⅰ’”선을 따라 절취한 단면도.
도 5a 내지 도 5e는 종래의 유기 전계발광 표시소자의 제조방법을 단계적으로 나타내는 단면도.
도 6은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 전계발광 표시소자의 일부분을 나타내는 평면도.
도 7은 도 6에 도시된 “Ⅱ-Ⅱ’”선을 따라 절취한 단면도.
도 8a 내지 도 8e는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 전계발광 표시소자의 제조방법을 단계적으로 나타내는 도면.
도 9는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 전계발광 표시소자의 일부분을 나타내는 평면도.
도 10은 도 9에 도시된 “Ⅲ-Ⅲ’”선을 따라 절취한 단면도.
도 11은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 유기 전계발광 표시소자의 일부분을 나타내는 평면도.
도 12는 도 11에 도시된 “Ⅳ-Ⅳ’”선을 따라 절취한 단면도.
도 13은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 유기 전계발광 표시소자의 일부분을 나타내는 평면도.
도 14는 도 13에 도시된 “Ⅴ-Ⅴ’”선을 따라 절취한 단면도.
도 15는 본 발명의 제5 실시 예에 따른 유기 전계발광 표시소자의 일부분을 나타내는 평면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
2, 102 : 기판 4, 104 : 데이터 라인
5, 105 : 버스 전극 6, 106 : 절연막
8, 108 : 격벽 10, 110 : 유기 발광층
12, 112 : 스캔 라인
본 발명의 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로 특히, 수 율을 향상시킴과 아울러 소비전력을 감소시킬 수 있는 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 평판 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : 이하, “LCD”라 함), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하, “PDP”라 함) 및 전계발광 표시소자(Electro-luminescence Display : 이하, “EL 표시소자”라 함)등이 있다.
PDP는 구조와 제조공정이 비교적 단순하기 때문에 대화면에 가장 유리하지만 발광효율과 휘도가 낮고 소비전력이 큰 단점이 있다.
LCD는 노트북 컴퓨터의 표시소자로 주로 이용되면서 수요가 늘고 있다. 그러나 LCD는 반도체공정으로 제조되기 때문에 대화면화에 어려움이 있고 자발광소자가 아니기 때문에 별도의 광원이 필요하고 그 광원으로 인하여 소비전력이 큰 단점이 있다. 또한, LCD는 편광필터, 프리즘시트, 확산판 등의 광학소자들에 의해 광손실이 많고 시야각이 좁은 단점이 있다.
EL 표시소자는 무기 EL 표시장치와 유기 EL 표시소자로 대별되며, 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 유기 EL 표시소자는 대략 10[V] 전후의 전압으로 수만[cd/㎡]의 높은 휘도로 화상을 표시할 수 있으며, 상용화되고 있는 대부분의 EL 표시소자에 적용되고 있다.
도 1은 종래의 유기 EL 표시소자를 나타내는 사시도이다.
도 1을 참조하면, 유기 EL 표시소자는 기판(2) 상에 일정간격 이격된 다수 개의 데이터 라인(4)과, 데이터 라인(4) 상에 유기 발광층(10)이 형성될 영역마다 개구부를 가지는 절연막(미도시)과, 데이터 라인(4)을 가로지르는 격벽(8)과, 데이터 라인(4) 상에 개구부마다 형성된 R(적색), G(녹색), B(청색) 유기 발광층(10)과, 데이터 라인(4)과 교차되는 스캔 라인(12)을 구비한다.
격벽(8)은 스캔 라인(12)의 분리를 위하여 상단부가 하단부보다 넓은 폭을 가지게 되는 역 테퍼(taper) 구조로 절연막 상에 형성된다.
R, G, B 유기 발광층(10)은 R, G, B 유기발광물질의 증착을 통하여 데이터 라인(4) 상의 개구부마다 형성되며, 스캔 라인(12)은 기판(2) 상에 전극물질의 전면 증착을 통하여 데이터 라인(4)과 교차되는 방향으로 형성된다.
유기 발광층(10)은 도 2에 도시된 바와 같이 정공 주입층(10e), 정공 수송층(10d), 발광층(10c), 전자 수송층(10b) 및 전자 주입층(10a)이 적층되어 형성된다. 이러한 유기 EL 표시소자는 데이터 라인(4)과 스캔 라인(12)에 구동신호가 인가되면 데이터 라인(4) 및 스캔 라인(12)에서 전자와 정공이 방출되고, 데이터 라인(4) 및 스캔 라인(12)에서 방출된 정공과 전자가 발광층(10c)내에서 재결합하면서 가시광을 발생하게 된다. 이때, 발생된 가시광은 투명전극인 데이터 라인(4)을 통하여 외부로 나오게 되어 소정의 화상 또는 영상을 표시하게 된다.
한편, 유기 EL 표시소자에는 스캔 라인(12)과 데이터 라인(4) 등에 의한 저항이 존재하며, 이러한 저항은 전류 편차를 유발하여 유기 EL 표시소자의 화질을 저하시킨다.
특히, 투명전극인 데이터 라인(4)은 알루미늄(Al)과 같은 저항이 낮은 금속을 이용한 스캔 라인(12)과 달리 저항이 높은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 등의 투명 도전성 물질로 형성됨에 따라 높은 저항을 가지며 이에 따라, 유기 EL 표시소자는 데이터 라인(4)의 전압강하에 의한 전류 편차에 의하여 그 화질이 저하되는 문제 및 데이터 라인(4)의 높은 저항으로 인하여 소비전력이 상승하는 문제점이 있다.
이를 해결하기 위하여, 유기 EL 표시소자는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 데이터 라인(4) 상에 ITO, IZO, ITZO보다 저항이 낮은 금속을 이용한 버스 전극(5)을 더 구비하며, 버스 전극(5)을 이용하여 데이터 라인(4)의 높은 저항을 보상함으로써 그 화질이 저하되는 문제 및 소비전력이 상승하는 문제를 감소시킨다.
이하, 도 5a 내지 도 5e를 참조하여 버스 전극(5)을 구비하는 유기 EL 표시소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
도 5a를 참조하면, 데이터 라인(4)은 기판(2) 상에 ITO, IZO, ITZO 등의 투명 도전성 물질이 전면 증착된 후 패터닝됨으로써 형성된다.
그런 다음, 데이터 라인(4)이 형성된 기판(2) 상에 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo) 등의 금속이 전면 도포된 후 패터닝됨으로써 도 5b와 같이 데이터 라인(4)의 일측에 데이터 라인(4)의 높은 저항을 보상하기 위한 버스 전극(5)이 형성된다.
이후, 버스 전극(5)이 형성된 기판(2) 상에는 절연물질이 전면 도포된 후 패터닝됨으로써 도 5c와 같이 데이터 라인(4) 상에 유기 발광층(10)이 형성될 영역마다 개구부를 가지는 절연막(6)과, 유기 발광층(10) 및 스캔 라인(12)의 분리를 위 한 격벽(8)이 데이터 라인(4)을 가로지는 방향으로 형성된다. 격벽(8)은 소정의 높이를 가지며 스캔 라인(12)을 분리시키기 위하여 상단부가 하단부보다 넓은 역 테퍼 구조를 가지도록 패터닝된다.
이어, 격벽(8)이 형성된 기판(2) 상에 도 5d와 같이 유기발광물질이 마스크를 이용하여 증착되어 유기 발광층(10)이 형성되며 연이어, 도 5e와 같이 스캔 라인(12)이 전극물질의 전면 증착을 통하여 형성된다.
그러나, 유기 EL 표시소자의 버스 전극(5)을 형성하는 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo) 등의 금속은 데이터 라인(4)을 형성하는 ITO, IZO, ITZO 등의 투명 도전성 물질과 비교하여 부식에 약한 특성을 가지며, 이로 인하여 유기 EL 표시소자는 버스 전극(5)의 부식으로 그 수율이 떨어지는 문제가 있다.
또한, 버스 전극(5)을 형성하는 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo) 등의 금속은 데이터 라인(4)을 형성하는 ITO, IZO, ITZO 등의 투명 도전성 물질과 비교하여 내구성이 약한 특성을 가져 절연막(6) 등을 형성하기 위한 후속 공정에서 버스 전극(5)에 스크래치가 발생하거나 데이터 라인(4) 상부에 형성된 버스 전극(5)이 박리되는 등의 버스 전극(5)의 불량으로 인하여 유기 EL 표시소자의 소비전력을 감소시키는데 어려움이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 수율을 향상시킴과 아울러 소비전력을 감소시킬 수 있는 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계발광 표시소자는 유기 발광층을 사이에 두고 서로 교차되는 데이터 라인 및 스캔 라인과; 상기 데이터 라인의 하부 가장자리에 형성되는 버스 전극을 구비한다.
상기 버스 전극은 상기 데이터 라인의 하부 일측 가장자리에 형성된다.
상기 유기 전계발광 표시소자는 상기 데이터 라인 상부에 상기 데이터 라인과 교차되는 방향으로 형성되는 격벽을 더 구비하며, 상기 버스 전극은 상기 격벽 하부에서 상기 격벽이 형성된 방향으로 벤딩(Bending)됨과 아울러 상기 벤딩된 영역을 중심으로 상기 벤딩된 영역의 위에서는 상기 데이터 라인의 하부 일측 가장자리에 형성되고 상기 벤딩된 영역의 아래에서는 상기 데이터 라인의 하부 타측 가장자리에 형성된다.
상기 격벽 하부에 형성되는 상기 버스 전극은 상기 격벽의 폭과 동일하거나 데이터 라인의 하부 가장자리에 형성되는 버스 전극보다 넓은 폭을 가진다.
상기 유기 전계발광 표시소자는 상기 데이터 라인 상부에 상기 데이터 라인과 교차되는 방향으로 형성되는 격벽을 더 구비하며, 상기 버스 전극은 상기 격벽이 형성된 영역에서 분리되어 상기 유기 발광층의 일측 가장자리에 아일랜드 형상으로 형성된다.
상기 유기 전계발광 표시소자는 상기 격벽 하부에 상기 격벽이 형성된 방향과 동일 방향으로 형성되는 더미 버스 전극을 더 구비한다.
상기 유기 전계발광 표시소자는 상기 데이터 라인 상부에 상기 유기 발광층이 형성될 영역을 노출시키는 절연막을 더 구비하며, 상기 버스 전극은 상기 절연막과 상기 데이터 라인이 중첩되는 영역 내에 형성된다.
상기 데이터 라인은 상기 버스 전극 전체를 감싼다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계발광 표시소자는 기수 및 우수 데이터 라인과; 상기 기수 및 우수 데이터 라인과 기수 및 우수 번째 유기 발광층을 사이에 두고 교차되는 스캔 라인과; 상기 기수 데이터 라인의 하부 가장자리에 형성되는 제1 버스 전극 및 상기 우수 데이터 라인의 하부 가장자리에 형성되는 제2 버스 전극을 구비한다.
상기 기수 및 우수 데이터 라인은, 서로 반대측에 배치되는 일직선 형상의 라인과; 상기 일직선 형상의 라인으로부터 각각 분기하여 서로 엇갈리도록 배치되고 상기 기수 및 우수 번째 유기 발광층이 형성되는 픽셀 형상의 라인을 포함하며, 상기 제1 및 제2 버스 전극 각각은 대응되는 상기 기수 및 우수 데이터 라인의 일직선 형상의 라인 하부에 형성된다.
상기 제1 및 제2 버스 전극 각각은 대응되는 상기 기수 및 우수 데이터 라인의 픽셀 형상의 라인 하부 가장자리를 선회한다.
상기 제1 및 제2 버스 전극 각각은 대응되는 상기 기수 및 우수 번째 유기 발광층을 감싼다.
상기 유기 전계발광 표시소자는 상기 기수 및 우수 데이터 라인 상부에 상기 기수 및 우수 번째 유기 발광층이 형성될 영역을 노출시키는 절연막을 더 구비하 며, 상기 제1 및 제2 버스 전극 각각은 상기 절연막과 그에 대응되는 상기 기수 및 우수 데이터 라인이 중첩되는 영역 내에 형성된다.
상기 기수 및 우수 데이터 라인 각각은 대응되는 상기 제1 및 제2 버스 전극 전체를 감싼다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계발광 표시소자의 제조방법은 기판상에 버스 전극을 형성하는 단계와; 상기 버스 전극이 그 하부 가장자리에 배치되도록 데이터 라인을 형성하는 단계와; 상기 데이터 라인 상부에 유기 발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기 발광층을 사이에 두고 상기 데이터 라인과 교차되는 스캔 라인을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계발광 표시소자의 제조방법은 기판상에 제1 및 제2 버스 전극을 형성하는 단계와; 상기 제1 버스 전극이 그 하부 가장자리에 배치되도록 기수 데이터 라인 및 상기 제2 버스 전극이 그 하부 가장자리에 배치되도록 우수 데이터 라인을 형성하는 단계와; 상기 기수 데이터 라인 상부에 기수 번째 유기 발광층 및 상기 우수 데이터 라인 상부에 우수 번째 유기 발광층을 형성하는 단계와; 상기 기수 및 우수 번째 유기 발광층을 사이에 두고 기수 및 우수 데이터 라인과 교차되는 스캔 라인을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부 도면을 참조한 본 발명의 바람직한 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 도 6 내지 도 15를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다.
도 6은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자의 일부분을 나타내는 평면도이며, 도 7은 도 6에 도시된 “Ⅱ-Ⅱ’”선을 따라 절취한 단면도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자는 서로 교차하는 데이터 라인(104) 및 스캔 라인(112)과, 데이터 라인(104) 하부 일측 가장자리에 데이터 라인(104)보다 좁은 폭으로 형성되는 버스 전극(105)과, 데이터 라인(104)과 스캔 라인(112)의 교차부에 형성된 유기 발광층(110)과, 데이터 라인(104) 상에 개구부를 가지는 절연막(106)과, 데이터 라인(104)을 가로지르는 격벽(108)을 구비한다.
데이터 라인(104)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 등의 투명 도전성 물질로 형성되는 투명전극층으로써 기판(102) 상에 소정간격 이격되어 다수개 형성된다.
유기 발광층(110)은 데이터 라인(104) 상에 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층이 적층되어 형성된다.
스캔 라인(112)은 유기 발광층(110) 상에 데이터 라인(104)과 교차되도록 다수개 형성된다.
절연막(106)은 데이터 라인(104)이 형성된 기판(102) 상에 유기 발광층(110)이 형성될 영역마다 개구부를 가지도록 형성된다.
격벽(108)은 스캔 라인(112)의 분리를 위하여 상단부가 하단부보다 넓은 폭을 가지게 되는 역 테퍼(taper) 구조로 절연막(106) 상에 형성된다.
버스 전극(105)은 크롬(Cr) 및 몰리브덴(Mo) 중 적어도 어느 하나의 금속 또 는 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 및 구리(Cu)의 합금으로 데이터 라인(104) 하부 일측 가장자리에 데이터 라인(104)보다 좁은 폭으로 형성된다.
이와 같이, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자는 버스 전극(105)을 데이터 라인(104) 하부 일측 가장자리에 형성함으로써 버스 전극(105)이 공기 중에 노출되어 부식되는 문제를 제거할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자는 부식에 강한 물질로 형성되는 데이터 라인(104)이 부식에 약한 물질로 형성되는 버스 전극(105)을 덮도록 형성함으로써 버스 전극(105)이 부식되는 문제를 제거할 수 있다. 이 결과, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자는 그 수율이 향상된다.
또한, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자는 버스 전극(105)을 데이터 라인(104) 하부 일측 가장자리에 형성함으로써 절연막(106) 등을 형성하기 위한 후속 공정에서 버스 전극(105)에 스크래치가 발생하거나 버스 전극(105)이 박리되는 등의 버스 전극(105)의 불량을 제거할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자는 내구성이 강한 물질로 형성되는 데이터 라인(104)이 내구성에 약한 물질로 형성되는 버스 전극(105)을 덮도록 형성함으로써 버스 전극(105)의 불량을 제거할 수 있다. 이 결과, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자는 불량이 없는 버스 전극(105)의 형성을 통하여 데이터 라인(104)의 높은 저항을 보상함으로써 소비전력을 감소시킬 수 있다.
이하, 도 8a 내지 도 8e를 참조하여 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
도 8a를 참조하면, 기판(102) 상에 크롬(Cr) 및 몰리브덴(Mo) 중 적어도 어느 하나의 금속 또는 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 및 구리(Cu)의 합금 등의 금속이 전면 도포된 후 패터닝됨으로써 버스 전극(105)이 형성된다.
이후, 버스 전극(105)이 형성된 기판(102) 상에 ITO, IZO, ITZO 등의 투명 도전성 물질이 전면 증착된 후 패터닝됨으로써 버스 전극(105)이 일측 가장자리에 배치됨과 아울러 버스 전극(105)을 덮는 데이터 라인(104)이 형성된다.
그런 다음, 데이터 라인(104)이 형성된 기판(102) 상에는 절연물질이 전면 도포된 후 패터닝됨으로써 도 8c와 같이 데이터 라인(104) 상에 유기 발광층(110)이 형성될 영역마다 개구부를 가지는 절연막(106)과, 유기 발광층(110) 및 스캔 라인(112)의 분리를 위한 격벽(108)이 데이터 라인(104)을 가로지르는 방향으로 형성된다. 격벽(108)은 소정의 높이를 가지며 스캔 라인(112)을 분리시키기 위하여 상단부가 하단부보다 넓은 역 테퍼 구조를 가지도록 패터닝된다.
이어, 격벽(108)이 형성된 기판(102) 상에 도 8d와 같이 유기발광물질이 마스크를 이용하여 증착되어 유기 발광층(110)이 형성되며 연이어, 도 8e와 같이 스캔 라인(112)이 전극물질의 전면 증착을 통하여 형성된다.
도 9는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자의 일부분을 나타내는 평면도이며, 도 10은 도 9에 도시된 “Ⅲ-Ⅲ’”선을 따라 절취한 단면도이다.
본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자는 본 발명의 제1 실시 예와 비교하여 버스 전극(105)을 제외한 모든 구성요소들이 동일하므로 버스 전극(105)을 제외한 다른 구성요소들에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자의 버스 전극(105)은 격벽(108) 하부에서 격벽(108)이 형성된 방향으로 벤딩(Bending)되어 버스 전극(105)의 일부는 기수 번째 유기 발광층(110a)에서 데이터 라인(104) 하부 일측 가장자리에 배치되고, 버스 전극(105)의 나머지는 우수 번째 유기 발광층(110b)에서 데이터 라인(104) 하부 타측 가장자리에 배치되도록 형성된다.
또한, 버스 전극(105)은 격벽(108) 하부에도 형성되며, 격벽(108) 하부에서 격벽(108)이 형성되는 폭과 동일하거나 격벽(108)보다 좁은 폭으로 형성된다. 이에 따라, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자는 격벽(108) 하부에 버스 전극(105)을 격벽(108)과 동일 폭으로 형성할 수 있음으로 데이터 라인(104) 하부 가장자리에 버스 전극(105)보다 넓은 폭으로 형성할 수 있어 데이터 라인(104)의 저항을 더욱 감소시킬 수 있다. 이 결과, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자는 제1 실시 예와 비교하여 유기 EL 표시소자의 소비전력을 더욱 감소시킬 수 있다.
본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자의 제조방법은 제1 실시 예와 비교하여 버스 전극(105)의 평면구조가 달라지는 것을 제외하고는 제1 실시 예와 동일하므로 생략하기로 한다.
도 11은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자의 일부분을 나타내는 평면도이며, 도 12는 도 11에 도시된 “Ⅳ-Ⅳ’”선을 따라 절취한 단면도이다.
본 발명의 제3 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자는 본 발명의 제1 실시 예와 비교하여 버스 전극(105)의 형상과, 격벽(108) 하부에 형성되는 더미 버스 전극(105d)을 더 구비하는 것을 제외한 다른 구성요소들이 동일하므로 버스 전극(105)의 형상과 더미 버스 전극(105d)을 제외한 다른 구성요소들에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 본 발명의 제3 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자의 버스 전극(105)은 제1 실시 예의 버스 전극(105)이 데이터 라인(104)을 따라 연속적으로 형성된 것과는 달리 격벽(108)이 형성된 영역에서 분리되어 유기 발광층(110)의 일측 가장자리에 아일랜드 형상으로 형성된다.
따라서, 데이터 라인(104)은 일측 가장자리에 형성되는 제1 및 제2 버스 전극(105a, 105b)의 길이(L)가 짧아짐에 따라 그 저항이 더욱 감소되며, 이로 인하여 본 발명의 제3 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자의 소비전력은 더욱 감소된다.
또한, 본 발명의 제3 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자는 격벽(108) 하부에 격벽(108)이 형성된 방향과 동일 방향으로 형성되는 더미 버스 전극(105d)을 더 구비한다.
이 결과, 본 발명의 제3 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자는 불투명 전극인 버스 전극(105)과 더미 버스 전극(105d)이 유기 발광층(110)을 외곽부에 형성됨에 따라 콘트라스트가 향상되어 유기 EL 표시소자의 화질을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 제3 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자의 제조방법은 제1 실시 예와 비교하여 버스 전극(105)의 평면구조 및 더미 버스 전극(105d)을 더 구비하는 것을 제외하고는 제1 실시 예와 동일하므로 생략하기로 한다.
도 13은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자의 일부분을 나타내는 평면도이며, 도 14는 도 13에 도시된 “Ⅴ-Ⅴ’”선을 따라 절취한 단면도이다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 본 발명의 제4 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자는 기수 및 우수 데이터 라인(104a, 104b)과, 기수 및 우수 데이터 라인(104a, 105b)과 교차하는 스캔 라인(112)을 구비한다.
기수 및 우수 데이터 라인(104a, 104b)은 서로 반대측에 배치되는 일직선 형상의 라인과, 기수 데이터 라인(104a) 및 우수 데이터 라인(104b)의 일직선 형상의 라인으로부터 각각 분기하여 서로 엇갈리도록 배치되고 유기 발광층(110a, 110b)이 형성되는 픽셀 형상의 라인을 구비한다.
또한, 본 발명의 제4 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자는 기수 데이터 라인(104a)의 일직선 형상의 라인 하부에 형성되는 제1 버스 전극(105a) 및 우수 데이터 라인(104b)의 일직선 형상의 라인 하부에 형성되는 제2 버스 전극(105b)과, 기수 및 우수 데이터 라인(104a, 104b)의 픽셀 형상의 라인과 기수 및 우수 스캔 라인(112a, 112b)의 교차부에 각각 형성되는 기수 및 우수 유기 발광층(110a, 110b)과, 기수 및 우수 데이터 라인(104a, 104b) 상에 개구부를 가지는 절연막(106)과, 기수 및 우수 데이터 라인(104a, 104b)을 가로지르는 격벽(108)을 구비한다.
이와 같이, 본 발명의 제4 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자는 제1 및 제2 버스 전극(105a, 105b) 각각을 기수 및 우수 데이터 라인(104a, 104b)의 일직선 형상의 라인 하부에 형성함으로써 제1 및 제2 버스 전극(105a, 105b)이 공기 중에 노출되어 부식되는 문제를 제거할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자는 부식에 강한 물질로 형성되는 기수 및 우수 데이터 라인(104a, 104b)이 부식에 약한 물질로 형성되는 제1 및 제2 버스 전극(105a, 105b)을 덮도록 형성함으로써 제1 및 제2 버스 전극(105a, 105b)이 부식되는 문제를 제거할 수 있다. 이 결과, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자는 그 수율이 향상된다.
또한, 본 발명의 제4 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자는 제1 및 제2 버스 전극(105a, 105b)을 기수 및 우수 데이터 라인(104a, 104b)의 일직선 형상의 라인 하부에 형성함으로써 절연막(106) 등을 형성하기 위한 후속 공정에서 제1 및 제2 버스 전극(105a, 105b) 스크래치가 발생하거나 제1 및 제2 버스 전극(105a, 105b)이 박리되는 등의 제1 및 제2 버스 전극(105a, 105b)의 불량을 제거할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자는 내구성이 강한 물질로 형성되는 기수 및 우수 데이터 라인(104a, 104b)이 내구성에 약한 물질로 형성되는 제1 및 제2 버스 전극(105a, 105b)을 덮도록 형성함으로써 제1 및 제2 버스 전극(105a, 105b)의 불량을 제거할 수 있다. 이 결과, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자는 불량이 없는 제1 및 제2 버스 전극(105a, 105b)의 형성을 통하여 기수 및 우수 데이터 라인(104a, 104b)의 높은 저항을 보상함으로써 소비전력을 감소시킬 수 있다.
본 발명의 제4 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자의 제조방법은 제1 실시 예와 비교하여 데이터 라인(104)을 우수 및 기수 데이터 라인(104a, 104b)으로 형성하며, 기수 및 우수 데이터 라인(104a, 104b)과 교차하는 하나의 스캔 라인(112)을 구비하는 것을 제외하고는 제1 실시 예와 동일하므로 생략하기로 한다.
도 15는 본 발명의 제5 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자의 일부분을 나타내는 평면도이다.
본 발명의 제5 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자는 본 발명의 제4 실시 예와 비교하여 제1 및 제2 버스 전극(105a, 105b)을 제외한 모든 구성요소들이 동일하므로 제1 및 제2 버스 전극(105a, 105b)을 제외한 다른 구성요소들에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 15를 참조하면, 본 발명의 제5 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자의 제1 및 제2 버스 전극(105a, 105b)은 기수 및 우수 데이터 라인(104a, 104b)의 하부 가장자리에 모두 형성된다. 즉, 도 15에 도시된 바와 같이 기수 및 우수 데이터 라인(104a, 104b)의 일직선 형상의 라인 하부뿐만 아니라 기수 및 우수 데이터 라인(104a, 104b)의 픽셀 형상의 라인 하부 가장자리에도 형성된다.
이와 같이, 본 발명의 제5 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자의 제1 및 제2 버스 전극(105a, 105b)은 기수 및 우수 데이터 라인(104a, 104b)의 픽셀 형상의 라인 하부 가장자리에도 형성됨에 따라 기수 및 우수 유기 발광층(110a, 110b)을 감싸게 된다. 이에 따라, 본 발명의 제5 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자는 제1 및 제2 버스 전극(105a, 105b)이 기수 및 우수 유기 발광층(110a, 110b)을 감쌈으로 인하여 콘트라스트가 향상되며 이 결과, 본 발명의 제5 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자는 다른 실시 예들이 가지는 효과와 더불어 유기 EL 표시소자의 화질을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 제5 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자의 제조방법은 제4 실시 예 와 비교하여 제1 및 제2 버스 전극(105a, 105b)의 평면구조가 달라지는 것을 제외하고는 제4 실시 예와 동일하므로 생략하기로 한다.
본 발명의 실시 예들에 따른 유기 EL 표시소자는 도 7에 도시된 바와 같이 버스 전극(105)을 데이터 라인(104)의 최외곽 영역에서 노출되도록 형성할 수도 있으며, 버스 전극(105)의 부식을 보다 효율적으로 방지하기 위하여 데이터 라인(104)이 버스 전극(105)의 전체를 덮도록 형성할 수도 있다.
또한, 본 발명의 실시 예들에 따른 유기 EL 표시소자는 버스 전극(105)에 의하여 유기 EL 표시소자의 개구율이 감소되는 문제를 제거하기 위하여 버스 전극(105)을 데이터 라인(104) 상에 형성되는 절연막(106)과 중첩되는 영역에만 형성하도록 할 수도 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자 및 그 제조방법은 버스 전극을 데이터 라인 하부 가장자리에 형성함으로써 버스 전극이 공기 중에 노출되어 부식되는 문제를 제거하여 유기 EL 표시소자의 수율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자 및 그 제조방법은 버스 전극을 데이터 라인 하부 가장자리에 형성함으로써 절연막 등을 형성하기 위한 후속 공정에서 버스 전극에 스크래치가 발생하거나 버스 전극이 박리되는 등의 버스 전극의 불량을 제거할 수 있다. 이 결과, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 EL 표시 소자 및 그 제조방법은 불량이 없는 버스 전극의 형성을 통하여 데이터 라인의 높은 저항을 보상함으로써 소비전력을 감소시킬 수 있다.
뿐만 아니라, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 EL 표시소자 및 그 제조방법은 버스 전극이 유기 발광층을 감싸도록 형성됨에 따라 콘트라스트가 향상되며 이 결과, 유기 EL 표시소자의 화질을 향상시킬 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (28)

  1. 유기 발광층을 사이에 두고 서로 교차되는 데이터 라인 및 스캔 라인과;
    상기 데이터 라인의 하부 가장자리에 형성되는 버스 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 버스 전극은 상기 데이터 라인의 하부 일측 가장자리에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 데이터 라인 상부에 상기 데이터 라인과 교차되는 방향으로 형성되는 격벽을 더 구비하며,
    상기 버스 전극은 상기 격벽 하부에서 상기 격벽이 형성된 방향으로 벤딩(Bending)됨과 아울러 상기 벤딩된 영역을 중심으로 상기 벤딩된 영역의 위에서는 상기 데이터 라인의 하부 일측 가장자리에 형성되고 상기 벤딩된 영역의 아래에서는 상기 데이터 라인의 하부 타측 가장자리에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 격벽 하부에 형성되는 상기 버스 전극은 상기 격벽의 폭과 동일하거나 데이터 라인의 하부 가장자리에 형성되는 버스 전극보다 넓은 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 데이터 라인 상부에 상기 데이터 라인과 교차되는 방향으로 형성되는 격벽을 더 구비하며,
    상기 버스 전극은 상기 격벽이 형성된 영역에서 분리되어 상기 유기 발광층의 일측 가장자리에 아일랜드 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 격벽 하부에 상기 격벽이 형성된 방향과 동일 방향으로 형성되는 더미 버스 전극을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 데이터 라인 상부에 상기 유기 발광층이 형성될 영역을 노출시키는 절연막을 더 구비하며,
    상기 버스 전극은 상기 절연막과 상기 데이터 라인이 중첩되는 영역 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 데이터 라인은 상기 버스 전극 전체를 감싸는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자.
  9. 기수 및 우수 데이터 라인과;
    상기 기수 및 우수 데이터 라인과 기수 및 우수 번째 유기 발광층을 사이에 두고 교차되는 스캔 라인과;
    상기 기수 데이터 라인의 하부 가장자리에 형성되는 제1 버스 전극 및 상기 우수 데이터 라인의 하부 가장자리에 형성되는 제2 버스 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 기수 및 우수 데이터 라인은,
    서로 반대측에 배치되는 일직선 형상의 라인과;
    상기 일직선 형상의 라인으로부터 각각 분기하여 서로 엇갈리도록 배치되고 상기 기수 및 우수 번째 유기 발광층이 형성되는 픽셀 형상의 라인을 포함하며,
    상기 제1 및 제2 버스 전극 각각은 대응되는 상기 기수 및 우수 데이터 라인의 일직선 형상의 라인 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 버스 전극 각각은 대응되는 상기 기수 및 우수 데이터 라인의 픽셀 형상의 라인 하부 가장자리를 선회하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 버스 전극 각각은 대응되는 상기 기수 및 우수 번째 유기 발광층을 감싸는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 기수 및 우수 데이터 라인 상부에 상기 기수 및 우수 번째 유기 발광층이 형성될 영역을 노출시키는 절연막을 더 구비하며,
    상기 제1 및 제2 버스 전극 각각은 상기 절연막과 그에 대응되는 상기 기수 및 우수 데이터 라인이 중첩되는 영역 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 기수 및 우수 데이터 라인 각각은 대응되는 상기 제1 및 제2 버스 전극 전체를 감싸는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자.
  15. 기판상에 버스 전극을 형성하는 단계와;
    상기 버스 전극이 그 하부 가장자리에 배치되도록 데이터 라인을 형성하는 단계와;
    상기 데이터 라인 상부에 유기 발광층을 형성하는 단계와;
    상기 유기 발광층을 사이에 두고 상기 데이터 라인과 교차되는 스캔 라인을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자의 제조방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 버스 전극은 상기 데이터 라인의 하부 일측 가장자리에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자의 제조방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 데이터 라인 상부에 상기 데이터 라인과 교차되는 방향으로 격벽을 형성하는 단계를 더 포함하며,
    상기 버스 전극은 상기 격벽 하부에서 상기 격벽이 형성된 방향으로 벤딩(Bending)됨과 아울러 상기 벤딩된 영역을 중심으로 상기 벤딩된 영역의 위에서는 상기 데이터 라인의 하부 일측 가장자리에 형성되고 상기 벤딩된 영역의 아래에서는 상기 데이터 라인의 하부 타측 가장자리에 형성되는 것을 유기 전계발광 표시소 자의 제조방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 격벽 하부에 형성된 상기 버스 전극은 상기 격벽의 폭과 동일하거나 데이터 라인의 하부 가장자리에 형성되는 버스 전극보다 넓은 폭을 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자의 제조방법.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 데이터 라인 상부에 상기 데이터 라인과 교차되는 방향으로 형성되는 격벽을 형성하는 단계를 더 포함하며,
    상기 버스 전극은 상기 격벽이 형성된 영역에서 분리되어 상기 유기 발광층의 일측 가장자리에 아일랜드 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자의 제조방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 격벽 하부에 상기 격벽이 형성된 방향과 동일 방향으로 형성되는 더미 버스 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자의 제조방법.
  21. 제 15 항에 있어서,
    상기 데이터 라인 상부에 상기 유기 발광층이 형성될 영역을 노출시키는 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하며,
    상기 버스 전극은 상기 절연막과 상기 데이터 라인이 중첩되는 영역 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자의 제조방법.
  22. 제 15 항에 있어서,
    상기 데이터 라인은 상기 버스 전극 전체를 감싸도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자의 제조방법.
  23. 기판상에 제1 및 제2 버스 전극을 형성하는 단계와;
    상기 제1 버스 전극이 그 하부 가장자리에 배치되도록 기수 데이터 라인 및 상기 제2 버스 전극이 그 하부 가장자리에 배치되도록 우수 데이터 라인을 형성하는 단계와;
    상기 기수 데이터 라인 상부에 기수 번째 유기 발광층 및 상기 우수 데이터 라인 상부에 우수 번째 유기 발광층을 형성하는 단계와;
    상기 기수 및 우수 번째 유기 발광층을 사이에 두고 기수 및 우수 데이터 라인과 교차되는 스캔 라인을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자의 제조방법.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 기수 및 우수 데이터 라인은,
    서로 반대측에 배치되는 일직선 형상의 라인 및 상기 일직선 형상의 라인으로부터 각각 분기하여 서로 엇갈리도록 배치되고 상기 유기 발광층이 형성되는 픽셀 형상의 라인을 포함하며,
    상기 제1 및 제2 버스 전극 각각은 대응되는 상기 기수 및 우수 데이터 라인의 일직선 형상의 라인 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자의 제조방법.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 버스 전극 각각은 대응되는 상기 기수 및 우수 데이터 라인의 픽셀 형상의 라인 하부 가장자리를 선회하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자의 제조방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 버스 전극 각각은 대응되는 상기 기수 및 우수 번째 유기 발광층을 감싸는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자의 제조방법.
  27. 제 23 항에 있어서,
    상기 기수 및 우수 데이터 라인 상부에 상기 기수 및 우수 번째 유기 발광층 이 형성될 영역을 노출시키는 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하며,
    상기 제1 및 제2 버스 전극 각각은 상기 절연막과 그에 대응되는 상기 기수 및 우수 데이터 라인이 중첩되는 영역 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자의 제조방법.
  28. 제 23 항에 있어서,
    상기 기수 및 우수 데이터 라인 각각은 대응되는 상기 제1 및 제2 버스 전극 전체를 감싸도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시소자의 제조방법.
KR1020050096209A 2005-10-12 2005-10-12 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법 KR100638144B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050096209A KR100638144B1 (ko) 2005-10-12 2005-10-12 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050096209A KR100638144B1 (ko) 2005-10-12 2005-10-12 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100638144B1 true KR100638144B1 (ko) 2006-10-25

Family

ID=37621836

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050096209A KR100638144B1 (ko) 2005-10-12 2005-10-12 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100638144B1 (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101338115B1 (ko) 저저항 배선구조 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법
US8426230B2 (en) Thin film transistor substrate and method for fabricating the same
US9515129B2 (en) Organic light emitting display apparatus and manufacturing method thereof
KR101957547B1 (ko) 디스플레이 패널
JP2006114504A (ja) 有機電界発光表示装置及びその製造方法
CN110582850B (zh) 有机发光二极管显示面板及其制造方法、有机发光二极管对置基板
US20060091381A1 (en) Organic electro-luminescence display device and fabricating method thereof
US20050218800A1 (en) Organic electro-luminescence display device and fabricating method thereof
KR100638144B1 (ko) 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법
KR100638145B1 (ko) 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법
KR100692844B1 (ko) 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20150075668A (ko) 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR100692864B1 (ko) 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100692859B1 (ko) 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100667357B1 (ko) 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법
KR100692051B1 (ko) 유기 전계발광표시장치 및 그 제조방법
US20130102115A1 (en) Method for manufacturing active matrix substrate
KR20080061547A (ko) 평판표시패널 및 그 제조방법
KR100638143B1 (ko) 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법
KR100717331B1 (ko) 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법
KR100705270B1 (ko) 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100604274B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
KR100692858B1 (ko) 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100556697B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
KR100592390B1 (ko) 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120928

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130930

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140918

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150930

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180917

Year of fee payment: 13