KR100627137B1 - Gain-Clamped Semiconductor optical amplifier - Google Patents

Gain-Clamped Semiconductor optical amplifier Download PDF

Info

Publication number
KR100627137B1
KR100627137B1 KR1020040107032A KR20040107032A KR100627137B1 KR 100627137 B1 KR100627137 B1 KR 100627137B1 KR 1020040107032 A KR1020040107032 A KR 1020040107032A KR 20040107032 A KR20040107032 A KR 20040107032A KR 100627137 B1 KR100627137 B1 KR 100627137B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
waveguide
gain
waveguides
path
optical amplifier
Prior art date
Application number
KR1020040107032A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20060068369A (en
Inventor
김현수
김종회
김강호
권오기
오광룡
Original Assignee
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to KR1020040107032A priority Critical patent/KR100627137B1/en
Publication of KR20060068369A publication Critical patent/KR20060068369A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100627137B1 publication Critical patent/KR100627137B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10007Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers
    • H01S3/10023Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers by functional association of additional optical elements, e.g. filters, gratings, reflectors
    • H01S3/1003Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers by functional association of additional optical elements, e.g. filters, gratings, reflectors tunable optical elements, e.g. acousto-optic filters, tunable gratings
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/26Optical coupling means
    • G02B6/28Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
    • G02B6/293Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means
    • G02B6/29346Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means operating by wave or beam interference
    • G02B6/2935Mach-Zehnder configuration, i.e. comprising separate splitting and combining means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/30Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range using scattering effects, e.g. stimulated Brillouin or Raman effects
    • H01S3/302Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range using scattering effects, e.g. stimulated Brillouin or Raman effects in an optical fibre

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

본 발명은 이득 고정 광증폭기에 관한 것으로, 이득 도파로로 구성된 2X2 다중 모드 간섭기와 이를 기준으로 각각 분리된 2개의 제1 도파로들와 2개의 제2 도파로들을 구비하여 구성된다. 본 발명에 의하면, 입력신호의 입출력단자와 회절격자의 공진이 이루어지는 경로가 서로 상이하게 구성되어, 회절격자에 의해 발진되는 빛과 증폭된 광신호를 분리할 수 있다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gain fixed optical amplifier, comprising a 2 × 2 multi-mode interferometer composed of a gain waveguide, and two first waveguides and two second waveguides separated from each other. According to the present invention, the paths through which the resonance between the input and output terminals of the input signal and the diffraction grating are configured are different from each other, so that the light oscillated by the diffraction grating and the amplified optical signal can be separated.

다중모드 간섭기, 이득 고정 반도체 광증폭기, 회절 격자 Multimode Interference, Gain Fixed Semiconductor Optical Amplifiers, Diffraction Gratings

Description

이득 고정 반도체 광증폭기{Gain-Clamped Semiconductor optical amplifier}Gain-Clamped Semiconductor Optical Amplifier

도 1은 DFB형 이득 고정 반도체 광증폭기의 개략 구조를 나타낸 도면이다. 1 is a view showing a schematic structure of a DFB type gain fixed semiconductor optical amplifier.

도 2는 DBR형 이득 고정 반도체 광증폭기의 개략 구조를 나타낸 도면이다. Fig. 2 is a diagram showing a schematic structure of a DBR type gain fixed semiconductor optical amplifier.

도 3은 본 발명의 실시예1에 따른 이득 고정 반도체 광증폭기의 개략적인 구성도이다.3 is a schematic diagram of a gain-fixed semiconductor optical amplifier according to a first embodiment of the present invention.

도 4는 다중모드 간섭기(400)의 입출력 특성을 설명하기 위한 개념도이다. 4 is a conceptual diagram illustrating input and output characteristics of the multimode interferer 400.

도 5는 2X2 다중모드 간섭기의 입출력 특성을 나타낸 개념도이다. 5 is a conceptual diagram illustrating input and output characteristics of a 2 × 2 multimode interferer.

도 6은 본 발명의 실시예2에 따른 이득 고정 반도체 광증폭기의 개략적인 구성도이다.6 is a schematic structural diagram of a gain fixed semiconductor optical amplifier according to a second embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 실시예3에 따른 이득 고정 반도체 광증폭기의 개략적인 구성도이다.7 is a schematic structural diagram of a gain fixed semiconductor optical amplifier according to a third embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 실시예4에 따른 이득 고정 반도체 광증폭기의 개략적인 구성도이다.8 is a schematic structural diagram of a gain fixed semiconductor optical amplifier according to a fourth embodiment of the present invention.

본 발명은 광신호를 증폭하는 이득 고정 반도체 광증폭기에 관한 것으로, 특히 넓은 입력 광세기 범위에서 출력광의 이득이 일정하도록 된 이득고정 반도체 광증폭기에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to gain fixed semiconductor optical amplifiers for amplifying optical signals, and more particularly to gain fixed semiconductor optical amplifiers in which the gain of output light is constant over a wide input light intensity range.

반도체 광증폭기는 이득 포화영역에 도달하면 채널간 상호 간섭현상이 생겨 증폭기로서의 역할은 없다. 이러한 이득 포화 현상을 완화하기 위해, 반도체 광증폭기 내에 형성된 회절격자에서 발진을 유도하여 증폭기의 이득을 고정시키는 방식이 적용되고 있다. When the semiconductor optical amplifier reaches the gain saturation region, mutual interference between channels occurs, and thus the optical amplifier has no role as an amplifier. In order to alleviate this gain saturation phenomenon, a method of inducing oscillation in the diffraction grating formed in the semiconductor optical amplifier and fixing the gain of the amplifier is applied.

종래 기술에 의한 이득 고정 반도체 광증폭기는 DFB(Distributed Feedback) 방식과 DBR(Distributed Bragg reflector) 방식으로 크게 두 가지로 사용되고 있다. DFB(Distributed Feedback) 방식의 이득고정 반도체 광증폭기는 B. Bauer et al의 "Gain stabilization of a semiconductor optical amplifier by distributed feedback"(IEEE Photonics Technology Letter, Vol. 6, No 2, pp 182~185, 1994.2)에 그 예가 개시되어 있고, DBR(Distributed Bragg reflector) 방식의 이득고정 반도체 광증폭기는 M. Bachmann et al, "Polarisation-insensitive clampled-gain SOA with integrated spot-size converter and DBR gratings for WDM applications at 1.55 um wavelength"( IEE Electronics Letter, Vol. 32, No 22, pp 2076~2077, 1996.10)에 그 예가 개시되어 있다.The gain-fixed semiconductor optical amplifier according to the prior art is largely used in two ways: a distributed feedback (DFB) method and a distributed bragg reflector (DBR) method. Gain-fixed semiconductor optical amplifiers with a distributed feedback (DFB) method are described by B. Bauer et al, "Gain stabilization of a semiconductor optical amplifier by distributed feedback" (IEEE Photonics Technology Letter, Vol. 6, No. 2, pp 182 ~ 185, 1994.2 For example, a gain-fixed semiconductor optical amplifier of a distributed Bragg reflector (DBR) method is described in M. Bachmann et al, "Polarisation-insensitive clampled-gain SOA with integrated spot-size converter and DBR gratings for WDM applications at 1.55. um wavelength "(IEE Electronics Letter, Vol. 32, No 22, pp 2076-2077, 1996.10).

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 종래 기술에 의한 이득 고정 반도체 광증폭 기를 상세히 설명한다.Hereinafter, a gain-fixed semiconductor optical amplifier according to the related art will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 DFB형 이득 고정 반도체 광증폭기의 개략적인 구조를 나타낸 도면이다. 도 1을 참조하면, 이득도파로(100)의 코어층 아래 또는 위에 회절 격자(200)를 형성한 구조이다. 도 1에서 λsig는 입력 광신호, λ'sig는 증폭된 광신호, λBragg는 회절격자에 의해 발진하는 파장신호를 의미한다.1 is a view showing a schematic structure of a DFB type gain fixed semiconductor optical amplifier. Referring to FIG. 1, the diffraction grating 200 is formed below or above the core layer of the gain waveguide 100. In FIG. 1, λ sig denotes an input optical signal, λ ′ sig denotes an amplified optical signal, and λ Bragg denotes a wavelength signal oscillated by a diffraction grating.

이득도파로(100)는 1550 nm 근처 파장의 입력 신호를 증폭할 수 있는 물질로 구성되며, 이득 도파로는 공간적으로 단일모드를 가지는 메사폭을 사용한다. 회절격자의 주기를 조절하면 발진파장을 제어할 수 있다. 그리고, 반도체 광증폭기에서 페브리-페롯 공진모드를 억제하기 위해 소자의 양단의 벽개된 면에 무반사막(700)이 형성되어 있다. The gain waveguide 100 is composed of a material capable of amplifying an input signal having a wavelength of about 1550 nm, and the gain waveguide uses a mesa width having a spatially single mode. The oscillation wavelength can be controlled by adjusting the period of the diffraction grating. In order to suppress the Fabry-Perot resonance mode in the semiconductor optical amplifier, an antireflection film 700 is formed on the cleaved surfaces of both ends of the device.

도 2는 DBR형 이득 고정 반도체 광증폭기의 개략 구조를 나타낸 도면이다. 도 2를 참조하면, 이득 도파로(100)와 수동 도파로(300)는 버트-조인트(butt-joint) 또는 evanescent coupling 방법으로 결합하고, 수동 도파로(300)의 아래 또는 위에 회절격자(200)를 형성하는 구조이다. 이때 통상적으로 이득 도파로 및 수동 도파로는 공간적으로 단일모드를 가지는 메사폭을 사용한다. 그리고, 반도체 광증폭기에서 페브리-페롯 공진모드를 억제하기 위해 소자의 양단의 벽개된 면에 무반사막(700)을 증착한다. Fig. 2 is a diagram showing a schematic structure of a DBR type gain fixed semiconductor optical amplifier. Referring to FIG. 2, the gain waveguide 100 and the passive waveguide 300 are coupled by a butt-joint or evanescent coupling method, and form a diffraction grating 200 below or above the passive waveguide 300. It is a structure. In this case, a gain waveguide and a passive waveguide typically use a mesa width having a single mode in space. In order to suppress the Fabry-Perot resonance mode in the semiconductor optical amplifier, an antireflection film 700 is deposited on the cleaved surfaces of both ends of the device.

도 1과 도 2에 볼 수 있듯이, 회절격자에 의해 발진하는 빛(λBragg)은 증폭된 광신호(λ'sig)와 같이 방출되므로, 회절격자의 발진파장은 증폭되는 광신호 파장 대역 밖에 있어야 한다.As can be seen in Figures 1 and 2, since the light λ Bragg oscillated by the diffraction grating is emitted together with the amplified optical signal λ'sig , the oscillation wavelength of the diffraction grating should be outside the wavelength range of the amplified optical signal do.

그러나, 반도체 광증폭기 기반의 파장변환기나 LD(Laser diode)-gate 스위치와 같이 여러 개의 반도체 광증폭기가 단일 집적된 소자 경우에서는 회절 격자에 의해 발진하는 빛이 다른 반도체 광폭기에 주입되어 영향을 줄 수 있으므로, 증폭된 광신호와 회절격자에 의해 발진한 빛을 분리하는 것이 필요하다. However, in the case of a single integrated device such as a semiconductor optical amplifier-based wavelength converter or a LD (gate diode) -gate switch, light emitted by a diffraction grating may be injected into another semiconductor optical amplifier. Therefore, it is necessary to separate the light emitted by the amplified optical signal and the diffraction grating.

미국특허 제5,872,649호에는 증폭된 신호광과 발진 파장을 서로 다른 경로로 분리하는 광섬유 이득 고정 광증폭기에서 방법이 기술되어 있다. EDFA(Erbium-Doped Fiber Amplifier)의 양단에 회절격자를 형성하고, 펌프빔을 주입하면, 광섬유의 양단에 있는 회절격자에 의해 발진하여 이득고정이 일어나게 된다. 이때, 입력신호를 주입하게 되면 EDFA에서 증폭되어 발진파장과 함께 출력되게 된다. 증폭된 신호광과 함께 섞여 출력단으로 나오는 발진 파장을 분리하기 위하여 출력단 뒤에 3 dB 광결합기와 마흐-젠더 간섭계를 구성하고 마흐 젠더 간섭계의 암에 발진파장과 동일한 브래그 격자를 형성한다. U. S. Patent No. 5,872, 649 describes a method in an optical fiber gain fixed optical amplifier that separates the amplified signal light and the oscillation wavelength into different paths. When a diffraction grating is formed at both ends of an EDFA (Erbium-Doped Fiber Amplifier) and a pump beam is injected, the gain is fixed by oscillation by the diffraction gratings at both ends of the optical fiber. In this case, when the input signal is injected, it is amplified by the EDFA and output along with the oscillation wavelength. In order to separate the oscillation wavelength coming out of the output stage by mixing with the amplified signal light, a 3 dB optical coupler and a Mach-Gender interferometer are formed behind the output stage and Bragg grating is formed on the arm of the Mach-Gender interferometer.

이런 구조를 이용하면, 출력단에 나오는 발진 파장은 마흐-젠더 간섭계에 있는 회절격자에 의해 다시 반사되어 3 dB 광결합기에 의해 다른 경로로 진행하고, 증폭된 신호광은 회절격자를 통과하여 3dB 광결합기에서 다시 결합하게 된다. 이때, 마흐-젠더 간섭기에 두 암의 경로차를 보정하기 위하여 두개의 위상조절기를 사용한다.Using this structure, the oscillation wavelength at the output stage is reflected back by the diffraction grating in the Mach-Gender interferometer and traveled in another path by the 3 dB optical coupler, and the amplified signal light passes through the diffraction grating and passes through the 3 dB optical coupler. Will be combined again. In this case, two phase adjusters are used to correct the path difference between the two arms in the Mach-gender interferometer.

그러나, 이득 고정 광증폭기와 증폭 신호광과 발진파장을 분리하기 위해 마흐-젠더 간섭계와 위상변조기를 사용하므로, 매우 복잡한 구조이며 외부의 영향을 받으면 불안정한 문제점이 있다. However, since the Mach-gender interferometer and the phase modulator are used to separate the gain-fixed optical amplifier, the amplified signal light and the oscillation wavelength, there is a problem that the structure is very complicated and unstable under external influence.

또한, 이득고정 광증폭기에 있는 회절격자와 동일한 회절격자 가지는 마흐-젠더 간섭계에 형성하는 것 또한 매우 어려운 작업이며, 다른 기능의 반도체 광소자 및 광증폭기를 단일 집적하기에는 매우 어려운 구조이다. It is also very difficult to form a diffraction grating having the same diffraction grating in a gain-fixed optical amplifier as a Mach-gender interferometer, and it is very difficult to single-integrate semiconductor optical devices and optical amplifiers of other functions.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 새로운 유형의 이득 고정 반도체 광증폭기를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a new type of gain fixed semiconductor optical amplifier.

본 발명의 다른 목적은 종래의 이득 고정 반도체 광증폭기에서 회절격자에 의해 발진하는 파장과 증폭된 광신호가 분리되는 이득 고정 반도체 광증폭기를 제공하는 것이다.
Another object of the present invention is to provide a gain fixed semiconductor optical amplifier in which a wavelength oscillated by a diffraction grating and an amplified optical signal are separated in a conventional gain fixed semiconductor optical amplifier.

상술한 문제점을 해결하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 일측면은 이득 도파로로 구성된 2X2 다중 모드 간섭기; 및 이를 기준으로 각각 분리된 2개의 제1 도파로들와 2개의 제2 도파로들을 구비하여 구성되되, 각 제1 도파로와 이에 대응되는 제2 도파로가 결정되어 제1 경로와 제2 경로를 구성하고, 상기 제1 경로에 있는 제1 도파로와 제2 도파로에는 회절격자가 형성되며, 상기 제2 경로를 통해서는, 광신호가 입력되어 증폭된 광신호가 출력되고, 상기 제1 경로를 통해서는, 상기 회절격자에 의해 발진되는 광이 전달되는 이득 고정 반도체 광증폭기를 제공 한다.As a technical means for solving the above problems, an aspect of the present invention is a 2X2 multi-mode interferer consisting of a gain waveguide; And two first waveguides and two second waveguides each separated from each other, wherein each of the first waveguides and the corresponding second waveguides is determined to form a first path and a second path. A diffraction grating is formed on the first waveguide and the second waveguide in the first path, and through the second path, an optical signal is input and amplified, and an amplified optical signal is output. A gain fixed semiconductor optical amplifier is provided, through which the light oscillated is transmitted.

본 발명의 제2 측면은 이득 도파로로 구성된 2X2 다중 모드 간섭기; 및 이를 기준으로 각각 분리된 2개의 제1 도파로들와 2개의 제2 도파로들을 구비하여 구성되되, 각 제1 도파로와 이에 대응되는 제2 도파로가 결정되어 제1 경로와 제2 경로를 구성하고, 상기 제1 경로에 있는 제1 도파로와 제2 도파로는 회절격자가 형성된 광섬유와 연결되며, 상기 제2 경로를 통해서는, 광신호가 입력되어 증폭된 광신호가 출력되고, 상기 제1 경로를 통해서는, 상기 회절격자에 의해 발진되는 광이 전달되는 이득 고정 반도체 광증폭기를 제공한다.A second aspect of the invention provides a 2x2 multimode interferer configured with a gain waveguide; And two first waveguides and two second waveguides each separated from each other, wherein each of the first waveguides and the corresponding second waveguides is determined to form a first path and a second path. The first waveguide and the second waveguide in the first path are connected to an optical fiber on which a diffraction grating is formed, and through the second path, an optical signal is input and amplified, and an amplified optical signal is output. A gain fixed semiconductor optical amplifier is provided, through which light oscillated by a diffraction grating is transmitted.

바람직하게는, 2X2 다중 모드 간섭기의 길이는 3Lπ(Lπ는 2개의 최저 모드의 비트 길이)의 정수배이다.Preferably, the length of the 2 × 2 multimode interferer is an integer multiple of 3L pi (L pi is the bit length of the two lowest modes).

제1 및 제2 도파로의 끝단은 벽개면과 경사지게 형성하는 것이 유리하다. 또한, 제1 및 제2 도파로의 끝단에는 모드 크기 변환기가 더 형성된다.The ends of the first and second waveguides are advantageously formed to be inclined with the cleaved surface. Further, a mode size converter is further formed at the ends of the first and second waveguides.

이하, 본 발명의 일실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전 하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to make the disclosure of the present invention complete and to those skilled in the art. It is provided for complete information.

(실시예 1)(Example 1)

도 3은 본 발명의 실시예1에 따른 이득 고정 반도체 광증폭기의 개략적인 구성도이다.3 is a schematic diagram of a gain-fixed semiconductor optical amplifier according to a first embodiment of the present invention.

본 이득 고정 반도체 광증폭기는 2개의 제1 도파로들(220,240)와 이득 도파로(500)로 구성된 2X2 다중 모드 간섭기(Multi-Mode Interference,MMI;400)와 2개의 제2 도파로들(320,340)을 구비하여 구성된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 2X2 다중 모드 간섭기(400)를 기준으로 각각 분리된 2개의 제1 도파로들(220,240)와 2개의 제2 도파로들(320,340)을 구비한다. 이 경우, 제1 도파로(220,240)에 따라 제2 도파로(320,340)가 결정되는 제1 경로(AD)와 제2 경로(BC)를 포함하고, 제1 경로(AD)에 있는 제1 도파로(220)와 제2 도파로(340)에는 회절격자(230,350)가 형성된다. 제2 경로(BC)를 통해서는, 광신호(λsig)가 입력되어 증폭된 광신호(λ'sig)가 출력되고, 제1 경로(AD)를 통해서는, 회절격자(230,350)에 의해 발진되는 광이 전달된다. 광신호(λsig)는 제1 도파로(240)으로 입력될 수도 있고, 제2 도파로(320)으로 입력될 수도 있다.The gain fixed semiconductor optical amplifier includes a 2X2 Multi-Mode Interference (MMI) 400 consisting of two first waveguides 220 and 240 and a gain waveguide 500 and two second waveguides 320 and 340. It is configured by. As shown in FIG. 3, two first waveguides 220 and 240 and two second waveguides 320 and 340 are separated from each other based on the 2 × 2 multi-mode interferometer 400. In this case, the first waveguide 320 includes the first path AD and the second path BC in which the second waveguides 320 and 340 are determined according to the first waveguides 220 and 240, and the first waveguide 220 in the first path AD. ) And the second waveguide 340 are formed with diffraction gratings 230 and 350. Through the second path BC, the optical signal λ sig is input and amplified, and the amplified optical signal λ ' sig is output. Through the first path AD, the oscillation is performed by the diffraction gratings 230 and 350. Light is transmitted. The optical signal λ sig may be input to the first waveguide 240 or may be input to the second waveguide 320.

한편, 페브리-페롯 공진모드를 억제하기 위해 소자의 양단의 벽개된 면에 무반사막(700)을 추가하여 형성할 수 있다. Meanwhile, in order to suppress the Fabry-Perot resonance mode, an antireflection film 700 may be added to the cleaved surfaces of both ends of the device.

2X2 다중 모드 간섭기(400)는 이득 도파로(500)로 구성되어 있고, 입출력단은 단일모드를 가지는 수동 도파로의 제1 도파로(220,240)와 제2 도파로(320,340)로 구성된다.  The 2X2 multi-mode interferer 400 is composed of a gain waveguide 500, and the input / output terminal is composed of first waveguides 220 and 240 and second waveguides 320 and 340 of a passive waveguide having a single mode.

2X2 다중 모드 간섭기(400)의 길이를 3Lπ(Lπ는 2개의 최저 모드의 비트 길이)로 하면, 제1 도파로(220,240)에 대해 제2 도파로(320,340)는 다중모드 간섭기(400)의 폭의 중앙을 기준으로 대칭되는 곳에 위치한다. 이에 대해서는 상세히 후술한다. 이때, 교차하는 위치에 있는 입출력단의 수동 도파로에 회절 격자를 형성한다. 즉, 회절격자(230,350)는 제1 도파로(220)와 제2 도파로(340)에 형성한다. 이때, 이득 도파로로 구성된 2X2 다중모드 간섭기(400)에 전류를 주입하면, 자발방출을 하게 되고, 이때 발생하는 자발방출은 제1 도파로(220)와 제2 도파로(340)에 형성된 회절격자(230,350)에 의해 제1 경로(AD)로 공진을 하여 발진하게 되어 이득을 고정하게 된다. When the length of the 2X2 multimode interferer 400 is 3L π (L π is the bit length of the two lowest modes), the second waveguides 320 and 340 are the widths of the multimode interferer 400 with respect to the first waveguides 220 and 240. It is located in a symmetry with respect to the center of the. This will be described later in detail. At this time, a diffraction grating is formed in the passive waveguide of the input / output terminal at the crossing position. That is, the diffraction gratings 230 and 350 are formed in the first waveguide 220 and the second waveguide 340. At this time, when a current is injected into the 2X2 multi-mode interferometer 400 composed of a gain waveguide, spontaneous emission is generated, and the spontaneous emission generated at this time is the diffraction gratings 230 and 350 formed in the first waveguide 220 and the second waveguide 340. By oscillating in the first path AD by oscillation, the oscillation is performed to fix the gain.

이때, 회절격자에 의해 발진하는 빛(λBragg)은 제1 도파로(220)와 제2 도파로(340)로 출력하게 된다. 또한, 증폭하고자 하는 입력신호(λsig)는 제1 도파로(240)로 주입하면, 이득 도파로로 구성된 2X2 다중모드 간섭기(400)에서 증폭되어 제2 도파로(320)로 출력되게 된다. At this time, the light λ Bragg oscillated by the diffraction grating is output to the first waveguide 220 and the second waveguide 340. In addition, when the input signal λ sig to be amplified is injected into the first waveguide 240, the input signal λ sig is amplified by the 2 × 2 multimode interferer 400 including the gain waveguide and output to the second waveguide 320.

따라서, 증폭된 광신호(λ'sig)와 회절격자에 의해 발진하는 빛(λBragg)을 분리하면서, 이득도 고정되는 효과를 가지게 된다. Therefore, while separating the amplified optical signal λ ' sig and the light λ Bragg oscillated by the diffraction grating, the gain is also fixed.

한편, 도 3에 도시된 바와 달리, 회절격자를 제1도파로(240)와 제2 도파로(320)에 형성하고, 증폭하고자 하는 입력신호를 제1 도파로(220) 또는 제2 도파로(340)으로 주입하여도 도시된 도 3과 동일한 효과를 가진다. 3, the diffraction grating is formed in the first waveguide 240 and the second waveguide 320, and an input signal to be amplified is transferred to the first waveguide 220 or the second waveguide 340. Injecting also has the same effect as shown in FIG. 3.

다음으로, 도 4 및 도 5를 참조하여 도 4는 도 3의 이득 고정 반도체 광증폭기의 다중모드 간섭기(400)를 상세히 설명한다.4 and 5 will be described in detail with reference to the multi-mode interferer 400 of the gain fixed semiconductor optical amplifier of FIG.

도 4는 다중모드 간섭기(400)의 입출력 특성을 설명하기 위한 개념도이다. 도 4에서 입력 도파로는 단일 모드 조건의 수동 도파로이다. 임의의 y 위치인 입력 단자로 주입된 빛은 다중모드 간섭기(400)에서 3Lπ(Lπ는 2개의 최저 모드의 비트 길이)의 정수배의 길이 마다 다중모드 간섭기(400)의 폭의 중앙을 기준으로 대칭되는 위치에서 단일모드가 교차되어 상이 매치게 된다.4 is a conceptual diagram illustrating input and output characteristics of the multimode interferer 400. The input waveguide in FIG. 4 is a passive waveguide in single mode condition. Light injected into the input terminal at an arbitrary y position is referred to the center of the width of the multimode interferer 400 for every integer multiple of 3L π (L π is the bit length of the two lowest modes) in the multimode interferer 400. At the positions symmetric with each other, the single mode is crossed to match the phases.

공간적으로 단일모드를 가지는 도파로에서 다중모드 간섭기로 주입된 빛은 다수의 모드로 분리되어 전파하지만, 특정 전파길이와 위치에서 단일모드로 재결합 하게 된다. 다중모드 간섭기의 기본 특성은 L.B. Soldano와 E. C. M. Pennings이 발표한 논문을 참조할 수 있다["Optical Multi-Mode Interference Devices Based on Self-imaging: Principles and Applications" 1995년 J. Lightwave technology 제 13(4)권, 제 615-627면]. In a spatially monomode waveguide, light injected into a multimode interferer is split into multiple modes and propagates, but recombines into a single mode at a specific propagation length and location. The basic characteristics of the multimode interferer are L.B. See the paper published by Soldano and ECM Pennings ["Optical Multi-Mode Interference Devices Based on Self-imaging: Principles and Applications" 1995 J. Lightwave Technology, Vol. 13 (4), pp. 615-627]. .

도 5는 2X2 다중모드 간섭기의 입출력 특성을 나타낸 개념도이다. 도 4에서 설명한 바와 같이, 다중모드 간섭기(400)의 길이를 3Lπ(Lπ는 2개의 최저 모드의 비트 길이)로 하면, 입력 도파로에 대한 출력 도파로의 y축상의 위치는 다중모드간섭기(400)의 폭의 중앙을 기준으로 대칭되는 지점에 위치한다. 2X2 다중 모드 간섭기(400)를 기준으로 각각 분리된 2개의 제1 도파로들(220,240)와 2개의 제2 도파로들(320,340)을 구비한다. 5 is a conceptual diagram illustrating input and output characteristics of a 2 × 2 multimode interferer. As described in FIG. 4, when the length of the multimode interferer 400 is 3L π (L π is the bit length of the two lowest modes), the position on the y axis of the output waveguide relative to the input waveguide is determined by the multimode interferer 400. ) Is located at a point symmetrical with respect to the center of the width. Two first waveguides 220 and 240 and two second waveguides 320 and 340 respectively separated based on the 2X2 multi-mode interferer 400 are provided.

이때, 제1 도파로(220)로 입력신호를 주입하게 되면, 제2 도파로(340)로 출력되게 되고, 제1 도파로(240)로 주입된 입력신호에서는 제2 도파로(320)로 출력되게 된다. 이를 교차상태 (cross-state)라고 말한다. 이와 반대의 방향으로 입력신호를 주입하는 경우에도 앞의 설명과 동일하다. 즉, 도면부호 320의 도파로를 입력으로 입력신호를 주입하면, 도면부호 240의 도파로로 출력되게 된다. In this case, when the input signal is injected into the first waveguide 220, it is output to the second waveguide 340, and the input signal injected into the first waveguide 240 is output to the second waveguide 320. This is called a cross-state. In the case of injecting the input signal in the opposite direction is the same as described above. That is, when an input signal is injected into the waveguide of reference numeral 320, the signal is output to the waveguide of reference numeral 240.

한편, 도 5의 다중모드 간섭기의 길이를 6Lπ로 하면, 입력도파로에 대한 출력도파로의 y축 상의 위치는 다중모드간섭기(400)의 폭의 중앙을 기준으로 동일한 지점에 위치한다. 이때, 제1 도파로(240)로 입력신호를 주입하게 되면, 제2 도파로(340)으로 출력되게 되고, 제1 도파로(220)으로 입력신호를 주입하면 제2 도파로 (320)로 출력되게 된다. 이와 반대의 방향으로 입력신호를 주입하는 경우에도 동일하다. 즉, 도면부호 320의 도파로로 신호를 주입하면, 도면부호 220의 도파로로 출력되게 된다. 이를 바상태(bar-state)라고 한다.On the other hand, if the length of the multimode interferer of Figure 5 is 6L π , the position on the y-axis of the output waveguide with respect to the input waveguide is located at the same point with respect to the center of the width of the multimode interferometer 400. In this case, when the input signal is injected into the first waveguide 240, it is output to the second waveguide 340, and when the input signal is injected into the first waveguide 220, it is output to the second waveguide 320. The same applies to the case where the input signal is injected in the opposite direction. That is, when a signal is injected into the waveguide of reference numeral 320, the signal is output to the waveguide of reference numeral 220. This is called bar-state.

또한, 다중모드간섭기(400)의 길이를 바상태로 하면 제1 도파로(220)와 제2 도파로(320)에 회절격자를 형성하고, 제1 도파로(240) 또는 제2 도파로(340)에 입력신호를 주입하도록 구성하면 상술한 바와 동일한 효과를 가진다. 즉, 다중모드 간섭기(400)의 길이는 3Lπ(Lπ는 2개의 최저 모드의 비트 길이)의 정수배로 사용 가능하다.In addition, when the length of the multi-mode interferer 400 is in a bar state, a diffraction grating is formed on the first waveguide 220 and the second waveguide 320, and is input to the first waveguide 240 or the second waveguide 340. When configured to inject a signal has the same effect as described above. That is, the length of the multimode interferer 400 can be used as an integer multiple of 3L pi (L pi is the bit length of the two lowest modes).

(실시예 2)(Example 2)

도 6은 본 발명의 실시예 2에 따른 이득 고정 반도체 광증폭기의 개략적인 구성도이다. 실시예2의 설명에 있어서는, 설명의 편의를 위해서 실시예1과의 차이점을 기준으로 설명한다.6 is a schematic structural diagram of a gain fixed semiconductor optical amplifier according to a second embodiment of the present invention. In the description of the second embodiment, for convenience of explanation, the description will be made based on differences from the first embodiment.

도 6에 도시된 바와 같이, 2X2 다중 모드 간섭기(400)를 기준으로 각각 분리된 2개의 제1 도파로들(220,240)와 2개의 제2 도파로들(320,340)을 구비한다. 이 경우, 제1 도파로(220,240)에 따라 제2 도파로(320,340)가 결정되는 제1 경로(AD)와 제2 경로(BC)를 포함하고, 제1 경로(AD)에 있는 제1 도파로(220)와 제2 도파로(340)에는 회절격자(230,350)가 형성된다. As shown in FIG. 6, two first waveguides 220 and 240 and two second waveguides 320 and 340 are separated from each other based on the 2 × 2 multi-mode interferometer 400. In this case, the first waveguide 320 includes the first path AD and the second path BC in which the second waveguides 320 and 340 are determined according to the first waveguides 220 and 240, and the first waveguide 220 in the first path AD. ) And the second waveguide 340 are formed with diffraction gratings 230 and 350.

실시예2에서는 도파로들의 반사율을 작게 하기 위해서는 제1 도파로들과 제2 도파로들의 끝단을 벽개면에 대해 경사지게 한 경우이다. 이때, 경사 각도 θ는 5 내지 15도의 값을 가지는 것이 바람직하다. In Embodiment 2, in order to reduce the reflectance of the waveguides, the ends of the first waveguides and the second waveguides are inclined with respect to the cleaved surface. At this time, the inclination angle θ preferably has a value of 5 to 15 degrees.

(실시예 3)(Example 3)

도 7은 본 발명의 실시예3에 따른 이득 고정 반도체 광증폭기의 개략적인 구성도이다. 실시예3의 설명에 있어서는 설명의 편의를 위해서 실시예 1과의 차이점을 기준으로 설명한다.7 is a schematic structural diagram of a gain fixed semiconductor optical amplifier according to a third embodiment of the present invention. In the description of the third embodiment, for convenience of explanation, the description will be made based on the difference from the first embodiment.

도 7을 참조하면, 2X2 다중 모드 간섭기(400)를 기준으로 각각 분리된 2개의 제1 도파로들(220,240)와 2개의 제2 도파로들(320,340)을 구비한다. 이 경우, 제1 도파로(220,240)에 따라 제2 도파로(320,340)가 결정되는 제1 경로(AD)와 제2 경로(BC)를 포함하고, 제1 경로(AD)에 있는 제1 도파로(220)와 제2 도파로(340)에는 회절격자(230,350)가 형성된다. Referring to FIG. 7, two first waveguides 220 and 240 and two second waveguides 320 and 340 are separated from each other based on the 2 × 2 multi-mode interferer 400. In this case, the first waveguide 320 includes the first path AD and the second path BC in which the second waveguides 320 and 340 are determined according to the first waveguides 220 and 240, and the first waveguide 220 in the first path AD. ) And the second waveguide 340 are formed with diffraction gratings 230 and 350.

다만, 도파로들과 연결되는 광섬유(미도시)와 도파로들 간의 결합효율을 증가시키기 위해 모드 크기 변환기를 입출력 도파로 끝단에 형성한다. 모드크기 변환기는 입출력 도파로의 선폭을 예컨대 0.5 ㎛이하로 테이퍼링하여 제작된 것을 이용한다. However, in order to increase coupling efficiency between the optical fiber (not shown) connected to the waveguides and the waveguides, a mode size converter is formed at the end of the input / output waveguide. The mode size converter uses a fabricated by tapering the line width of the input / output waveguide to 0.5 μm or less.

도 7에서는 도파로들의 끝단을 벽개면에 대해 경사지게 하고 모드 크기 변환기를 끝단에 형성한 경우를 도시하고 있으나, 도파로들의 끝단을 벽개면에 대해 경사지게 하지 않은 경우에도 적용할 수 있음은 자명하다. In FIG. 7, the end of the waveguides is inclined with respect to the cleavage surface and the mode size converter is formed at the end. However, it is obvious that the end of the waveguides may be applied even when the end of the waveguides is not inclined with respect to the cleavage surface.

(실시예 4)(Example 4)

도 8은 본 발명의 실시예4에 따른 이득 고정 반도체 광증폭기의 개략적인 구성도이다. 실시예4의 설명에 있어서는, 설명의 편의를 위해서 실시예1과의 차이점을 기준으로 설명한다.8 is a schematic structural diagram of a gain fixed semiconductor optical amplifier according to a fourth embodiment of the present invention. In the description of the fourth embodiment, for convenience of explanation, the description will be made based on differences from the first embodiment.

도 8을 참조하면, 2X2 다중 모드 간섭기(400)를 기준으로 각각 분리된 2개의 제1 도파로들(220,240)와 2개의 제2 도파로들(320,340)을 구비한다. 이 경우, 제1 도파로(220,240)에 따라 제2 도파로(320,340)가 결정되는 제1 경로(AD)와 제2 경로(BC)를 포함한다. 제1 경로(AD)에 있는 제1 도파로(220)와 제2 도파로(340)는 수동도파로이다. Referring to FIG. 8, two first waveguides 220 and 240 and two second waveguides 320 and 340 are separated from each other based on the 2 × 2 multi-mode interferer 400. In this case, the second waveguides 320 and 340 are determined according to the first waveguides 220 and 240, and include the first path AD and the second path BC. The first waveguide 220 and the second waveguide 340 in the first path AD are passive waveguides.

실시예4에서는 실시예1과는 달리, 제1 도파로(220)와 회절격자가 형성된 광섬유(900)를 결합하고, 제2 도파로(340)와 회절격자가 형성된 광섬유(920)를 결합하여 이득 고정 반도체 광증폭기를 구성한다. 동작 원리는 실시예1과 동일하고, 회절격자를 가진 광섬유에 의해 발진이 이루어 진다.In Embodiment 4, unlike Embodiment 1, the first waveguide 220 is coupled to the optical fiber 900 having the diffraction grating and the second waveguide 340 and the optical fiber 920 having the diffraction grating are combined to secure gain. A semiconductor optical amplifier is constructed. The operating principle is the same as that of the first embodiment, and oscillation is performed by an optical fiber having a diffraction grating.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical idea of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

상술한 바와 같은 본 발명은 이득 도파로를 가지는 다중모드 간섭기형 반도체 광증폭기에서 양단의 입출력 도파로에 회절격자를 형성하여 발진을 유도하여 증폭기의 이득을 고정시킬 수 있다. As described above, the present invention can fix the gain of an amplifier by inducing oscillation by forming diffraction gratings at input / output waveguides at both ends in a multimode interferometer type semiconductor optical amplifier having a gain waveguide.                     

또한, 증폭하고자 하는 입력신호의 입출력 도파로와 회절격자에 의해 발진하는 빛의 출력 도파로가 서로 상이하여 증폭된 광신호와 회절격자에 의해 발진하는 빛 분리할 수 있는 효과가 있다.In addition, the input and output waveguides of the input signal to be amplified and the output waveguides of the light oscillated by the diffraction grating are different from each other, and thus there is an effect of separating the amplified optical signal and the light oscillated by the diffraction grating.

Claims (5)

이득 도파로로 구성된 2X2 다중 모드 간섭기; 및 이를 기준으로 각각 분리된 2개의 제1 도파로들와 2개의 제2 도파로들을 구비하여 구성되되, A 2X2 multimode interferer configured with a gain waveguide; And two first waveguides and two second waveguides each separated from each other, 각 제1 도파로와 이에 대응되는 제2 도파로가 결정되어 제1 경로와 제2 경로를 구성하고, Each first waveguide and a second waveguide corresponding thereto are determined to form a first path and a second path, 상기 제1 경로에 있는 제1 도파로와 제2 도파로에는 회절격자가 형성되며, A diffraction grating is formed on the first waveguide and the second waveguide in the first path, 상기 제2 경로를 통해서는, 광신호가 입력되어 증폭된 광신호가 출력되고,Through the second path, an optical signal is input and amplified optical signal is output, 상기 제1 경로를 통해서는, 상기 회절격자에 의해 발진되는 광이 전달되는 이득 고정 반도체 광증폭기.A gain fixed semiconductor optical amplifier through which the light oscillated by the diffraction grating is transmitted through the first path. 이득 도파로로 구성된 2X2 다중 모드 간섭기; 및 이를 기준으로 각각 분리된 2개의 제1 도파로들와 2개의 제2 도파로들을 구비하여 구성되되, A 2X2 multimode interferer configured with a gain waveguide; And two first waveguides and two second waveguides each separated from each other, 각 제1 도파로와 이에 대응되는 제2 도파로가 결정되어 제1 경로와 제2 경로를 구성하고, Each first waveguide and a second waveguide corresponding thereto are determined to form a first path and a second path, 상기 제1 경로에 있는 제1 도파로와 제2 도파로는 회절격자가 형성된 광섬유와 연결되며, The first waveguide and the second waveguide in the first path is connected to the optical fiber formed with a diffraction grating, 상기 제2 경로를 통해서는, 광신호가 입력되어 증폭된 광신호가 출력되고,Through the second path, an optical signal is input and amplified optical signal is output, 상기 제1 경로를 통해서는, 상기 회절격자에 의해 발진되는 광이 전달되는 이득 고정 반도체 광증폭기.A gain fixed semiconductor optical amplifier through which the light oscillated by the diffraction grating is transmitted through the first path. 제 1항 또는 제2 항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 2X2 다중 모드 간섭기의 길이는 3Lπ(Lπ는 2개의 최저 모드의 비트 길이)의 정수배인 이득 고정 반도체 광증폭기.And wherein the length of the 2X2 multimode interferer is an integer multiple of 3L π (L π is the bit length of the two lowest modes). 제 1항 또는 제2 항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 제1 및 제2 도파로의 끝단은 벽개면과 경사지게 형성하는 이득 고정 반도체 광증폭기.A gain fixed semiconductor optical amplifier, wherein the ends of the first and second waveguides are formed to be inclined with the cleaved surface. 제 1항 또는 제2 항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 제1 및 제2 도파로의 끝단에는 모드 크기 변환기가 더 형성된 이득 고정 반도체 광증폭기.A gain fixed semiconductor optical amplifier having a mode size converter further formed at the ends of the first and second waveguides.
KR1020040107032A 2004-12-16 2004-12-16 Gain-Clamped Semiconductor optical amplifier KR100627137B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040107032A KR100627137B1 (en) 2004-12-16 2004-12-16 Gain-Clamped Semiconductor optical amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040107032A KR100627137B1 (en) 2004-12-16 2004-12-16 Gain-Clamped Semiconductor optical amplifier

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060068369A KR20060068369A (en) 2006-06-21
KR100627137B1 true KR100627137B1 (en) 2006-09-25

Family

ID=37162690

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040107032A KR100627137B1 (en) 2004-12-16 2004-12-16 Gain-Clamped Semiconductor optical amplifier

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100627137B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63164377A (en) 1986-12-26 1988-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optical integrated circuit
JPH05323140A (en) * 1992-05-18 1993-12-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical equalizer
JPH05343792A (en) * 1992-06-05 1993-12-24 Nikon Corp Laser light source
KR19980068779A (en) * 1997-02-24 1998-10-26 김광호 Optical Wavelength Splitter Using Bragg Lattice Filter in Directional Coupler

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63164377A (en) 1986-12-26 1988-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optical integrated circuit
JPH05323140A (en) * 1992-05-18 1993-12-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical equalizer
JPH05343792A (en) * 1992-06-05 1993-12-24 Nikon Corp Laser light source
KR19980068779A (en) * 1997-02-24 1998-10-26 김광호 Optical Wavelength Splitter Using Bragg Lattice Filter in Directional Coupler

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060068369A (en) 2006-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4906185B2 (en) Optical semiconductor device and optical semiconductor device modulation method
US8503072B2 (en) Gain-clamped semiconductor optical amplifier
US6822980B2 (en) Tunable semiconductor laser with integrated wideband reflector
US8548024B2 (en) Semiconductor laser module
JP2012098472A (en) Optical modulator
JP4719115B2 (en) Optical integrated device and wavelength conversion method
JP2015138926A (en) semiconductor laser and semiconductor optical amplifier
JP6320192B2 (en) Wavelength variable light source and wavelength variable light source module
JP2013118315A (en) Semiconductor laser device and semiconductor laser module
WO2019043917A1 (en) Laser device
JP6245656B2 (en) Semiconductor laser element
JP6610834B2 (en) Tunable laser device
JP4022792B2 (en) Semiconductor optical amplifier
JP3382471B2 (en) Semiconductor optical device and optical network using the same
KR100627137B1 (en) Gain-Clamped Semiconductor optical amplifier
US11754907B2 (en) Photon-pair source for quantum applications
US8379300B2 (en) Wavelength-variable light source with dual resonator loop circuit
US6973240B2 (en) Optical filter
JP6381507B2 (en) Optical coupler, wavelength tunable light source and wavelength tunable light source module
JP2019207959A (en) Semiconductor laser
JP7189431B2 (en) Tunable laser
JP2007248901A (en) Optical transceiver
JP4448651B2 (en) Wavelength conversion element
Yin et al. Semiconductor Laser Using Multimode Interference (MMI) Principle
JP4036291B2 (en) Optical amplification element

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100901

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee