KR100623714B1 - Fabrication Method of Organic Electroluminescence Display Device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기전계발광소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 자세하게는 유기전계발광소자의 유기막층 증착 전 세정 공정에 제 1 주파수대역, 제 2 주파수대역 및 제 3 주파수대역의 세 가지 주파수대역폭을 결합한 콤비네이션 주파수를 이용하여 기판의 표면에 다양한 크기의 캐비테이션(Cavitation)을 발생시켜 서로 다른 크기의 파티클(Particle)을 동시에 제거함으로써 디바이스의 특성인 정류비와 수명을 향상시킬 수 있다.The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting device, and more particularly, combining three frequency bands of a first frequency band, a second frequency band, and a third frequency band in a cleaning process before deposition of an organic layer of the organic light emitting device. The combination frequency can be used to generate various sizes of cavitation on the surface of the substrate to remove particles of different sizes at the same time, thereby improving the commutation ratio and lifetime of the device.

유기전계발광소자, 파티클, 콤비네이션 주파수, 캐비테이션 Organic EL, Particle, Combination Frequency, Cavitation

Description

유기전계발광소자의 제조방법{Fabrication Method of Organic Electroluminescence Display Device}Fabrication Method of Organic Electroluminescence Device {Fabrication Method of Organic Electroluminescence Display Device}

도 1은 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 단면도.1 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to the present invention.

도 2는 주파수대역에 따른 캐비테이션 강도 및 침투력을 나타낸 그래프.2 is a graph showing cavitation strength and penetration according to frequency bands.

도 3은 본 발명에 따른 초음파 세정 장치의 개략도.3 is a schematic diagram of an ultrasonic cleaning device according to the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 초음파 세정 방법을 나타낸 플로우차트.4 is a flowchart showing an ultrasonic cleaning method according to the present invention.

도 5a 내지 도 5f는 본 발명에 따른 세정 원리의 메카니즘의 모식도.5A-5F are schematic diagrams of the mechanism of the cleaning principle according to the present invention.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 정류비를 나타낸 그래프.6 is a graph showing the rectification ratio according to an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 수명을 나타낸 그래프. 7 is a graph showing a lifetime according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1 : 기판 2 : 유기 오염물 1 substrate 2 organic contaminants

3 : 파티클 4 : 세정액3: particle 4: washing liquid

5 : 초음파 5: ultrasonic

30 : 발진부 32 : 진동부(진동자)30: oscillation part 32: vibration part (vibrator)

34 : 세정조 36 : 노즐34: washing tank 36: nozzle

38 : 세정액 40 : 기판38: cleaning liquid 40: substrate

300 : 기판 310 : 제 1 전극300 substrate 310 first electrode

330 : 유기막층 340 : 제 2 전극 330 organic layer 340 second electrode

본 발명은 유기전계발광소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 자세하게는 유기전계발광소자의 유기막층 증착 전 제 1 주파수대역, 제 2 주파수대역 및 제 3 주파수대역의 세 가지 주파수대역폭을 결합한 콤비네이션 주파수를 이용하여 기판의 표면에 다양한 크기의 캐비테이션(Cavitation)을 발생시켜 서로 다른 크기의 파티클(Particle)을 동시에 제거함으로써 디바이스의 특성인 정류비와 수명이 향상된 유기전계발광소자의 제조 방법을 제공한다.The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting display device, and more particularly, a combination frequency combining three frequency bandwidths of a first frequency band, a second frequency band, and a third frequency band before deposition of an organic layer of an organic light emitting device. Cavitation of various sizes is generated on the surface of the substrate to remove particles of different sizes at the same time, thereby providing a method of manufacturing an organic light emitting diode having improved rectification ratio and lifespan.

통상, 평판표시소자(Flat Panel Display Device) 중에서 유기전계발광표시소자(Organic Electroluminescence Display Device)는 자발광이며, 시야각이 넓고, 응답속도가 빠르고, 얇은 두께와 낮은 제작비용 및 높은 콘트라스트(Contrast) 등의 특성을 나타냄으로써 향후 차세대 평판표시소자로 주목받고 있다.In general, among flat panel display devices, an organic electroluminescence display device is self-luminous, and has a wide viewing angle, fast response speed, thin thickness, low manufacturing cost, high contrast, and the like. It is attracting attention as a next-generation flat panel display device in the future.

통상적으로, 유기전계발광표시소자는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 유기발광층을 포함하고 있어 애노드 전극으로부터 공급받는 홀과 캐소드 전극으로부터 받은 전자가 유기발광층 내에서 결합하여 정공-전자 쌍인 여기자를 형성하고 다시 상기 여기자가 바닥상태로 돌아오면서 발생되는 에너지에 의해 발광하게 된다. In general, an organic light emitting display device includes an organic light emitting layer between an anode electrode and a cathode electrode so that holes supplied from the anode electrode and electrons received from the cathode electrode combine in the organic light emitting layer to form an exciton, which is a hole-electron pair, again. The excitons emit light by energy generated when the excitons return to the ground state.

상기 유기전계발광소자의 제조 프로세스는 일반적으로 유기막층 증착 전 기 판의 세정 공정을 포함한다. The manufacturing process of the organic light emitting device generally includes a cleaning process of the organic film layer deposition substrate.

상기 유기전계발광소자의 제조 공정에서 오염 물질의 형태는 유기성 오염, 이온성 오염, 공정 중에 발생하는 금속이나 반도체 막의 잔류, 기판의 설비간 반송이나 작업자의 취급 및 공정 설비에 기인하는 입자성 오염 등이 있다. Contaminants in the organic electroluminescent device manufacturing process include organic contamination, ionic contamination, residues of metals or semiconductor films generated during the process, transport of substrates between facilities, and particulate contamination resulting from handling of workers and process equipment. There is this.

상기 오염 물질이 기판과 전극 등에 부착해 있으면, 전극간의 콘택(Contact)이 나쁘게 되고 저항의 증대 및 배선불량 등이 발생한다. 따라서 기판 표면의 오염물질은 반드시 제거하여 후속공정에서 불량이 발생하지 않도록 해야한다. If the contaminant adheres to the substrate, the electrode, or the like, the contact between the electrodes becomes bad, resulting in an increase in resistance, poor wiring, and the like. Therefore, contaminants on the surface of the substrate must be removed to prevent defects in subsequent processes.

일반적으로 세정 방법은 크게는 화학적 세정과 물리적 세정으로 나누어진다. 더욱 자세하게는, 브러쉬 스크러빙(Brush Scrubbing), 워터 제트 스프레이(Water Jet Spray) 또는 초음파 세정 등과 같은 물리적 세정 및 유기용제, 희석된 불산(HF) 또는 초순수 린스(DI Water Rinse) 등과 같은 화학적 세정이 있다. In general, cleaning methods are largely divided into chemical cleaning and physical cleaning. More specifically, there are physical cleaning such as brush scrubbing, water jet spray or ultrasonic cleaning, and chemical cleaning such as organic solvents, diluted hydrofluoric acid (HF) or ultra pure water rinse (DI Water Rinse). .

상기 화학적 세정은 미립자의 제거에 유효하며, 상기 물리적 세정은 견고하게 부착된 비교적 큰 입자의 제거에 유효하다.The chemical cleaning is effective for removing particulates, and the physical cleaning is effective for removing relatively large particles that are firmly attached.

현재의 액정표시소자의 세정 방법에는 스핀(Spin) 세정, 메가소닉(Megasonic) 세정 또는 초음파(Ultrasonic) 세정 등과 같은 물리적 세정 방법이 이용되고 있다.       Current cleaning methods for liquid crystal display devices include physical cleaning methods such as spin cleaning, megasonic cleaning, or ultrasonic cleaning.

상기 스핀세정 방법은 피세정체를 스핀척으로 지지하여 회전시키면서 노즐로부터 피세정체의 표면에 약액을 공급하고, 다음으로 노즐로부터 초순수(DI Water)를 공급하여 표면을 린스(Rinse)하고 원심력에 의해 초순수를 건조시킨다.In the spin cleaning method, the chemical liquid is supplied from the nozzle to the surface of the object to be cleaned while being rotated by supporting the object to be washed with a spin chuck, and then the surface is rinsed by supplying DI water from the nozzle and ultrapure water by centrifugal force. To dry.

상기 메가소닉 세정 방법은 진동자에서 발생된 1MHz이상의 고주파의 메가소 닉을 이용한 입자가속도에 의한 세정으로 캐비테이션 현상은 나타나지 않고, 입자의 가속도를 증대시켜 피세정체의 오염물을 박리시켜 세척한다.In the megasonic cleaning method, the cavitation phenomenon does not appear by cleaning by particle acceleration using a megasonic of high frequency of 1 MHz or more generated in the vibrator, and the acceleration of the particles is increased to remove the contaminants of the object to be cleaned.

반면에, 상기 유기전계발광소자의 유기막층 증착 전 주로 사용되는 초음파 세정 방법은 캐비테이션에 의한 세정으로 주로 물 속에 초음파 에너지를 인가하면 기포가 터지면서 피세정체의 이물질을 파괴 또는 격리시키는 세정이다. On the other hand, the ultrasonic cleaning method mainly used before the organic film layer deposition of the organic light emitting device is a cleaning by cavitation is a cleaning that destroys or isolates foreign matters of the substance to be cleaned as bubbles are blown when ultrasonic energy is applied to water.

여기서, 초음파(Ultrasonic)는 보통 20kHz 내지 50MHz의 범위에 있는 음파를 초음파로 정의한다.Here, the ultrasonic wave (Ultrasonic) is defined as the ultrasonic wave, which is usually in the range of 20kHz to 50MHz.

또한, 상기 캐비테이션 현상이란 액중에 초음파가 가해져 수축과 팽창 현상이 반복되어 미세한 기포가 형성되고, 상기 미세 기포가 진동과 파열을 반복하면서 상기 기포의 붕괴 때 높은 충격력이 발생하여 이것이 기계와 열에너지로 바뀌는 현상을 말한다. 이 때, 상기 캐비테이션 현상은 기포의 진동에 따라 아주 적은 교반과 기포의 파열로 인한 화학적, 열적 작용을 수반한다. 이러한 작용의 복합 반복으로 인하여 세정수 내에서 화학 반응의 촉진과 분산 작용이 증가함으로써 피세정체의 표면에 부착된 오염 물질인 미세한 불순물도 깨끗이 세정한다.In addition, the cavitation phenomenon is that the ultrasonic waves are applied to the liquid and the contraction and expansion phenomenon is repeated to form a fine bubble, the fine bubbles are repeated vibration and rupture, the high impact force is generated when the bubbles collapse, which is converted into mechanical and thermal energy Say the phenomenon. At this time, the cavitation phenomenon is accompanied by chemical and thermal action due to the very small stirring and bursting of the bubble in accordance with the vibration of the bubble. Due to the complex repetition of these actions, the promotion and dispersal of chemical reactions in the washing water increases, so that even fine impurities, which are contaminants attached to the surface of the object to be cleaned, are cleaned.

종래의 액정표시소자의 초음파 세정 방법은 대한민국 공개 특허 2004-0032129호에는 제 1 초음파를 쓰는 공정 및 제 2 초음파를 쓰는 공정을 연속적으로 반복함과 동시에, 제 1 초음파와 제 2 초음파를 위상, 파장, 진폭 중 어느 하나가 다르도록 일정 간격으로 바꾸면서 피세정물에 조사하여 세정하는 내용이, 또한, 대한민국 공개 특허 2001-0084596호에는 제 1 단계와 제 1 단계보다 높은 주파수의 제 2 단계로 세정하며 제 2 단계는 적어도 하나 이상의 주파수를 갖는 각각의 주파 수에 의해 세정하는 내용이 각각 개시되어 있다. In the conventional ultrasonic cleaning method of the liquid crystal display device, Korean Patent Laid-Open Publication No. 2004-0032129 discloses a process of repeatedly writing a first ultrasonic wave and a second ultrasonic wave, and simultaneously repeating the phase and wavelength of the first ultrasonic wave and the second ultrasonic wave. In addition, the contents of irradiating and cleaning the object to be cleaned while changing at regular intervals so that any one of the amplitude is different, the Korean Patent Laid-Open No. 2001-0084596 discloses that the first step and the second step of higher frequency than the first step The second step discloses the cleaning by each frequency having at least one or more frequencies.

그러나, 실리콘 웨이퍼에 비해 유리 기판은 부도체이기 때문에 정전기가 쉽게 유도될 수 있어 먼지와 금속성 파티클 등의 오염 물질이 쉽게 유리 기판에 부착될 수 있고 이들은 쉽게 분리되지 않는다. However, compared to silicon wafers, glass substrates are insulators, so static electricity can be easily induced so that contaminants such as dust and metallic particles can easily adhere to the glass substrates and they are not easily separated.

종래의 초음파 세정은 주파수 대역폭에 따라 제거할 수 있는 파티클의 크기는 다른데 비해 파티클을 제거 할 수 없는 주파수 대역폭을 쓰기 때문에 유기전계발광소자에 다양한 크기의 파티클이 기판에 부착되어 있는 경우 파티클 제거 능력이 떨어져 디바이스의 정류비 및 수명을 저하시키는 문제점을 안고 있다.Conventional ultrasonic cleaning uses different size of particles that can be removed depending on the frequency bandwidth, but it uses a frequency bandwidth that can not remove particles. It has a problem of lowering the rectification ratio and the lifetime of the device.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 유기전계발광소자의 유기막층 증착 전 초음파 세정을 통해 기판 표면에 다양한 크기의 캐비테이션을 발생시켜 서로 다른 크기의 파티클을 동시에 제거함으로써 디바이스의 특성인 정류비와 수명을 향상시키는 것이다.
The technical problem to be achieved by the present invention is to solve the above problems of the prior art, by generating cavitation of various sizes on the surface of the substrate by ultrasonic cleaning before the organic film layer deposition of the organic light emitting device to generate particles of different sizes at the same time By eliminating this, the rectification ratio and lifetime of the device are improved.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은,The present invention to achieve the above object,

기판을 제공하고,Providing a substrate,

상기 기판 상에 제 1 전극을 형성하고,Forming a first electrode on the substrate,

상기 제 1 전극이 형성된 상기 기판을 제 1 주파수대역의 20kHz 내지 50kHz, 제 2 주파수 대역의 50kHz 내지 100kHz 및 제 3 주파수 대역의 100kHz 내지 140kHz의 세 가지 주파수대역폭을 결합한 콤비네이션 주파수를 이용하여 기판의 파티클을 제거하는 초음파 세정을 수행하고,Particles of the substrate using the combination frequency that combines the three bands of the substrate formed with the first electrode 20kHz to 50kHz of the first frequency band, 50kHz to 100kHz of the second frequency band and 100kHz to 140kHz of the third frequency band Perform an ultrasonic cleaning to remove,

상기 제 1 전극 상부에 최소한 유기발광층을 포함하는 유기막층을 형성하고, 및Forming an organic layer including at least an organic light emitting layer on the first electrode, and

상기 유기막층 상부에 제 2 전극을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법을 제공한다.It provides a method of manufacturing an organic light emitting display device comprising forming a second electrode on the organic film layer.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described the present invention in more detail.

도 1은 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 유기전계발광소자의 제조 방법은 기판(300)을 제공한다. 상기 기판(300)은 유리, 플라스틱 및 석영 등과 같은 투명한 절연 기판이다.Referring to FIG. 1, the method of manufacturing the organic light emitting display device of the present invention provides a substrate 300. The substrate 300 is a transparent insulating substrate such as glass, plastic and quartz.

이어서, 상기 기판(300) 상부에 제 1 전극(310)을 패터닝하여 형성한다. Subsequently, the first electrode 310 is patterned and formed on the substrate 300.

상기 제 1 전극(310)은 스퍼터링(Sputtering) 또는 이온 플레이팅(Ion plating) 방법으로 증착한다. 더욱 바람직하게, 상기 제 1 전극(310)은 스퍼터링 방법으로 증착 후 사진공정에서 패터닝된 포토레지스트(PR;Photo Resist)를 마스크로하여 습식 식각(Wet Etching)을 통해 선택적으로 패터닝하여 형성한다. The first electrode 310 is deposited by sputtering or ion plating. More preferably, the first electrode 310 is formed by selectively patterning through wet etching using a photoresist (PR; Photo Resist) patterned in a photolithography process after deposition by a sputtering method as a mask.

이어서, 유기막층 증착 전 제 1 전극(310) 상부를 포함하여 기판 전면을 세정한다.Subsequently, the entire surface of the substrate is cleaned, including the upper portion of the first electrode 310, before the organic layer is deposited.

본 발명에서 유기전계발광소자의 유기막층 증착 전 세정 공정은 20kHz 내지 140kHz 발진 주파수대역폭을 갖는 주파수를 이용한 초음파 세정으로 수행한다. In the present invention, the cleaning process before the deposition of the organic layer of the organic light emitting device is performed by ultrasonic cleaning using a frequency having a frequency band of 20kHz to 140kHz oscillation.

상기 20kHz이하의 저주파는 캐비테이션 강도가 크기 때문에 큰 충격력을 받아서 기판이 파손될 수 있다. 또한, 상기 140kHz이상의 고주파는 캐비테이션 발생률이 좋지 못하며, 캐비테이션을 유지시키기 위해서는 많은 에너지를 필요로 한다. 이렇게 되면 분자 가속은 높지만 파의 진폭이 작기 때문에 파 에너지가 열 에너지로 변환되어 매질의 온도가 쉽게 올라감으로써 세정 능력이 현저히 떨어지게 된다. Since the low frequency of 20 kHz or less has a large cavitation strength, the substrate may be damaged due to a large impact force. In addition, the high frequency of 140kHz or more is not good cavitation rate, it requires a lot of energy to maintain the cavitation. In this case, the molecular acceleration is high, but the wave amplitude is small, so that the wave energy is converted into thermal energy, so that the temperature of the medium easily rises, and the cleaning ability is significantly reduced.

일반적으로 초음파 세정은 캐비테이션 현상 외에 음압 효과와 관련이 있다. 이 때, 주파수가 높을수록 더 높은 파워(음압)가 요구되는데, 이는 주파수가 높을수록 기포가 충분히 커질 수 있는 시간적인 여유가 점점 줄어들기 때문이다. 이로 인해 실용적으로 캐비테이션을 효과적으로 이용하려면 수십 kHz대의 것을 사용하는 것이 좋다. Ultrasonic cleaning is generally associated with negative pressure effects in addition to cavitation. At this time, the higher the frequency, the higher the power (sound pressure) is required, because the higher the frequency, the less time margin for the bubble to be sufficiently large. For this reason, to use cavitation effectively in practical use, it is better to use several tens of kHz.

본 발명에서는 상기 주파수 대역을 아래의 표 1과 같이 파티클 크기별 제거에 따라 주파수 대역을 세 가지로 분류한다.In the present invention, the frequency band is classified into three frequency bands according to particle size removal as shown in Table 1 below.

표 1 은 파티클 크기별 제거에 따른 발진 주파수 대역을 나타낸다.Table 1 shows oscillation frequency bands according to particle size removal.

파티클 크기별 제거에 따른 발진 주파수 대역Oscillation frequency band according to particle size removal 항 목Item 제 1 주파수 대역First frequency band 제 2 주파수 대역Second frequency band 제 3 주파수 대역Third frequency band 대역폭Bandwidth 20kHz 내지 50kHz20 kHz to 50 kHz 50kHz 내지 100kHz50 kHz to 100 kHz 100kHz 내지 140kHz100 kHz to 140 kHz 제거 가능 파티클Removable particles 5㎛이상More than 5㎛ 3㎛이상More than 3 1㎛이상1 ㎛ or more 사용 주파수Use frequency 40kHz40 kHz 58kHz58 kHz 132kHz132 kHz

표 1을 참조하면, 본 발명은 5㎛이상을 제거하는 20kHz 내지 50kHz를 제 1 주파수 대역, 3㎛이상을 제거하는 50kHz 내지 100kHz를 제 2 주파수 대역 및 1㎛이상을 제거하는 100kHz 내지 140kHz를 제 3 주파수 대역으로 분류한다.Referring to Table 1, the present invention removes 20 kHz to 50 kHz to remove 5 μm or more from a first frequency band, 50 kHz to 100 kHz to remove 3 μm or more from a second frequency band and 100 kHz to 140 kHz to remove 1 μm or more. Classify into three frequency bands.

최근의 유기전계발광소자에서 컨트롤하는 파티클 크기는 5㎛이하로서, 상기 5㎛이하 파티클은 편의상 파티클 카운터의 구분대로 1㎛, 3㎛, 5㎛ 파티클 크기로 나누어진다. The particle size controlled by the organic light emitting device is 5 μm or less, and the particles of 5 μm or less are divided into 1 μm, 3 μm, and 5 μm particle sizes for the convenience of particle counters.

상기 유기전계발광소자에서 증착되는 유기막의 총두께는 1㎛이하이기 때문에 유기전계발광소자의 유기막 증착 전 세정에 있어서 상기 1㎛, 3㎛, 5㎛ 파티클을 제거하는 것은 유기전계발광소자의 소자의 신뢰성부분에 있어서 아주 중요하다. Since the total thickness of the organic film deposited by the organic light emitting device is 1 μm or less, removing the 1 μm, 3 μm, and 5 μm particles in the organic film emitting device before cleaning the organic film is performed. This is very important in terms of reliability.

일반적으로 유기전계발광소자는 매트릭스 형태로 배치된 N×M 개의 화소들을 구동하는 방식에 따라 수동 매트릭스(Passive Matrix)방식과 능동 매트릭스 (Active Matrix)방식으로 나뉘어지는데, 수동 매트릭스방식은 그 표시 영역이 애노드 전극과 캐소드 전극에 의하여 단순한 매트릭스 형태의 소자로 구성되어 있으며, 반면 능동 매트릭스방식은 표시 영역이 각 화소마다 박막트랜지스터를 장착하고 있다. 이로 인해 박막트랜지스터를 구비하는 상기 능동 매트릭스 유기전계발광소자에서의 5㎛이하 파티클 컨트롤은 수동 매트릭스 유기전계발광소자보다 디바이스의 소자 신뢰성 특성에 있어서 더 중요하다고 할 수 있다.In general, an organic light emitting display device is divided into a passive matrix method and an active matrix method according to a method of driving N × M pixels arranged in a matrix form. The anode electrode and the cathode electrode are composed of simple matrix elements, whereas the active matrix method has a thin film transistor mounted on each pixel. As a result, 5 μm or less in the active matrix organic light emitting display device having a thin film transistor Particle Control is Manual More device reliability characteristics than matrix organic electroluminescent devices It is important.

또한, 본 발명은 상기 제 1 주파수 대역에서 40kHz 주파수, 상기 제 2 주파수 대역에서 58kHz 주파수 및 상기 제 3 주파수 대역에서 132kHz 주파수를 이용하며, 상기 세 가지 주파수인 40kHz, 58kHz 및 132kHz를 결합한 콤비네이션 주파수를 순차적, 연속적으로 2회 반복하여 기판의 표면에 부착한 다양한 크기의 파티클 세 정한다. 상기 초음파 세정에서는 세 가지 주파수 모두 캐비테이션 현상을 이용한다.In addition, the present invention uses a 40 kHz frequency in the first frequency band, a 58 kHz frequency in the second frequency band and 132 kHz frequency in the third frequency band, and combines the combination frequency of the three frequencies 40 kHz, 58 kHz and 132 kHz. Repeat this procedure twice in succession and successively to clean particles of various sizes attached to the surface of the substrate. In the ultrasonic cleaning, all three frequencies use a cavitation phenomenon.

상기 발진 주파수 대역에 따른 파티클 제거 가능 크기는 도 2를 통해 확인 할 수 있다. 도 2는 발진 주파수에 따른 캐비테이션 및 침투력을 나타낸 그래프이다. Particle removal possible size according to the oscillation frequency band can be confirmed through FIG. 2 is a graph showing cavitation and penetration according to oscillation frequency.

도 2를 참조하면, 발진 주파수가 작으면 캐비테이션 발생은 강하지만 기판에 부착한 불순물에 대한 침투력이 작아 큰 크기의 파티클을 제거하고, 발진 주파수가 크면 캐비테이션 발생은 적지만 기판에 부착한 불순물에 대한 침투력이 커서 미세한 입자를 제거할 수 있다.Referring to FIG. 2, when the oscillation frequency is small, the cavitation is strong but the penetration force to the impurities attached to the substrate is small, so that particles of large size are removed, and when the oscillation frequency is large, the cavitation occurs but the impurities are attached to the substrate. Its high penetrating power can remove fine particles.

이어서, 상술된 초음파 세정 방법을 이용한 초음파 세정 장치에 대해 설명한다. Next, an ultrasonic cleaning apparatus using the ultrasonic cleaning method described above will be described.

도 3은 초음파 세정 장치의 세정부의 개략도이다. 상기 초음파 세정 장치는 초음파 신호를 생성하는 발진기(Generator)(30)와 초음파를 기판에 전달하는 진동부(Transducer)(32)로 구성되어 있다. 본 발명에서 상기 발진기(30)는 일반 상용 전원을 40kHz, 58kHz, 132kHz의 고주파 전기 신호로 변환하여 진동부(32)로 공급하는 역할을 하며, 상기 발진기(30)로부터 고주파 전기 신호를 진동판의 진동자(32)로 인가시키면 이 진동자는 기계신호로 변환하고, 이 변환된 기계신호는 수중의 매질을 통하여 진동하여 음압의 변화로 캐비테이션 현상을 갖는 초음파를 발생시킨다. 본 발명에서는 주파수에 따라 각각 다른 세 개의 세정조에서 세정 공정을 진행한다. 3 is a schematic view of a cleaning unit of the ultrasonic cleaning apparatus. The ultrasonic cleaning apparatus includes an oscillator 30 for generating an ultrasonic signal and a transducer 32 for transmitting ultrasonic waves to a substrate. In the present invention, the oscillator 30 converts general commercial power into high frequency electric signals of 40 kHz, 58 kHz, and 132 kHz and supplies them to the vibrator 32, and transmits high frequency electric signals from the oscillator 30 to the vibrator of the diaphragm. When applied to (32), this vibrator is converted into a mechanical signal, and the converted mechanical signal vibrates through a medium in the water to generate ultrasonic waves having a cavitation phenomenon due to a change in sound pressure. In the present invention, a washing process is performed in three washing tanks different in frequency.

이하, 본 발명의 실시 형태를 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한다.Embodiments of the present invention will now be described with reference to FIGS. 4 and 5.

도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 초음파 세정 방법은 제 1 주파수 대역을 이용하여 기판을 세정하는 제 1 공정, 제 2 주파수 대역을 이용하여 기판을 세정하는 제 2 공정, 제 3 주파수 대역을 이용하여 기판을 세정하는 제 3 공정 및 상기 제 1 공정, 제 2 공정, 제 3 공정을 1회 더 반복하여 수행하는 것을 특징으로 한다. Referring to FIG. 4, the ultrasonic cleaning method according to the present invention uses a first process of cleaning a substrate using a first frequency band, a second process of cleaning a substrate using a second frequency band, and a third frequency band. And repeating the third step of cleaning the substrate and the first step, the second step, and the third step once more.

상기 초음파 세정 방법에 있어서, 바람직한 실시 형태는 이하와 같다.In the said ultrasonic cleaning method, preferable embodiment is as follows.

(1) 상기 제 1 공정, 제 2 공정 및 제 3 공정을 순차적, 연속적으로 2회 수행하는 것.(1) Performing the first step, the second step and the third step two times sequentially and successively.

(2) 상기 초음파의 발진 주파수의 범위는 20kHz 내지 140kHz인 것.(2) The range of the oscillation frequency of the ultrasonic wave is 20kHz to 140kHz.

(3) 상기 초음파 세정에 이용되는 주파수는 40kHz, 58kHz, 132kHz인 것.(3) The frequency used for the ultrasonic cleaning is 40kHz, 58kHz, 132kHz.

(4) 상기 제 1 공정, 제 2 공정 및 제 3 공정은 진폭 및 반송파의 주파수가 다른 것.(4) The said 1st process, a 2nd process, and a 3rd process differ in amplitude and frequency of a carrier wave.

도 5a 내지 도 5f를 참조하여, 본 발명에 따른 초음파를 이용한 물리적 세정 방법을 자세히 설명한다. 5A to 5F, a physical cleaning method using ultrasonic waves according to the present invention will be described in detail.

기판(1)에 유기 오염물(2)을 통해 파티클(3)이 부착되어 있다. 우선, 상기 기판(1)에 노즐(36)을 통해 세정액(4)인 초순수(DI Water)를 흘린다.(도 5a).Particles 3 are attached to the substrate 1 via organic contaminants 2. First, ultrapure water (DI Water), which is the cleaning liquid 4, is flowed into the substrate 1 through the nozzle 36 (FIG. 5A).

상기 발진기(30)로부터 고주파 전기 신호를 진동판의 진동자(32)로 인가시켜 40kHz 주파수의 초음파(5)를 발생시킨다. 상기 초음파(5)를 세정액(4)을 통해 기판(1)의 표면에 조사하고, 표면에 부착되어 있는 상기 파티클(3)이나 유기 오염물(2) 에 작용시킨다.(도 5b).The high frequency electric signal is applied from the oscillator 30 to the vibrator 32 of the diaphragm to generate an ultrasonic wave 5 having a frequency of 40 kHz. The ultrasonic wave 5 is irradiated onto the surface of the substrate 1 through the cleaning liquid 4 and acted on the particles 3 and organic contaminants 2 adhering to the surface (Fig. 5B).

상기 세정액(4)은 초음파(5)의 조사를 받아 세정액(4)중에 OH 라디칼이 생성된다(도 5c). The cleaning liquid 4 is irradiated with ultrasonic waves 5 to generate OH radicals in the cleaning liquid 4 (FIG. 5C).

상기 생성된 OH 라디칼에 의해 상기 기판(1)의 표면에 부착되어 있는 유기 오염물(2)이 산화 분해한다(도 5d). The generated OH radicals oxidize and decompose the organic contaminants 2 attached to the surface of the substrate 1 (FIG. 5D).

상기 초음파 조사에 따른 진동과 캐비테이션의 충격파에 의해 상기 파티클이(3)이 상기 기판(1)으로부터 이탈된다(도 5e). The particles 3 are separated from the substrate 1 by the vibration and the shock wave of the cavitation caused by the ultrasonic irradiation (FIG. 5E).

상기 파티클(3)이 상기 피세정체(1)로부터 리프트 오프(Lift Off)된다.(도 5f). The particle 3 is lifted off from the object to be cleaned 1 (FIG. 5F).

이어서, 상기 공정을 주파수대역을 58kHz 및 132kHz로 변경하여 2회 반복한다.The process is then repeated twice with frequency bands 58 kHz and 132 kHz.

상기 세정은 주파수를 40kHz, 58kHz, 132kHz로 하여 순차적, 연속적으로 각각의 주파수에 대하여 5분씩 진행하며, 상기 세정 싸이클(Cycle)을 2회 반복 수행한다.The cleaning is performed for 5 minutes for each frequency sequentially and continuously at a frequency of 40 kHz, 58 kHz, and 132 kHz, and the cleaning cycle is repeated twice.

상기 세정 싸이클은 2회 수행 시 파티클 제거력이 가장 좋고, 3회 이상 수행 시 파티클 제거력에 있어서 2회 수행시와 유의차를 보이지 않으므로 공정 시간을 고려하여 2회로 한다.The cleaning cycle has the best particle removal power when performed twice, and since the cleaning cycle does not show a significant difference in the particle removal force when performed more than three times, it is performed twice in consideration of the process time.

마지막으로, 세정체의 표면을 건조시키면 세정이 종료된다.Finally, when the surface of the cleaning body is dried, the cleaning is finished.

이 때, 초음파는 소밀파가 되어서 압축력과 팽창력을 반복적으로 나타낸다. 기포가 부압주기 때에 초순수 내의 기판의 오염물질인 불순물을 중심으로 생성하고 다음의 압축주기 때에 파열한다. 이러한 기포는 세정수 내에서 1초에 25000 내지 300000회 정도의 생성과 파열을 반복한다. 기포가 수축되면 기포 내부의 압력은 상승한다. 이러한 작은 기포의 폭발은 매우 미소하지만 전체적인 에너지양으로 환산하면 제곱 인치 당 10,000파운드의 압력과 약 20,000℉ 정도로 나타낼 수 있다. At this time, the ultrasonic wave becomes a small wave and repeatedly shows compression force and expansion force. Bubbles are produced around impurities that are contaminants of the substrate in ultrapure water during the negative pressure cycle and burst during the next compression cycle. Such bubbles are repeatedly produced and burst about 25,000 to 300,000 times per second in the washing water. As the bubble contracts, the pressure inside the bubble rises. These small bubble explosions are very small, but in terms of their total energy, they can represent a pressure of about 10,000 pounds per square inch and about 20,000 degrees Fahrenheit.

일반적으로 캐비테이션 발생은 주파수, 파의 강도, 처리 온도, 액체의 증기압과 같은 여러 인자에 의해 달라진다. Cavitation in general depends on several factors such as frequency, wave strength, treatment temperature, and vapor pressure of the liquid.

세정액이 물인 경우 온도가 높을수록 캐비테이션 강도가 약해지고 캐비테이션 기포의 수는 증가하는 것을 알 수 있다. 바람직하게 초음파 세정 온도는 50℃ 내지 60℃에서 수행한다. 또, 용액 안에 녹아있는 용존가스는 캐비테이션 강도를 약화시킨다. 예를 들면 일반 물에는 8ppm정도의 산소가 녹아 있는데 이를 0.5ppm까지 제거하면 초음파의 세기는 약 5배까지 강해진다. 또한, 표면장력(Surface Tension)이 큰 액체에서는 캐비테이션 강도가 강해지나 발생하기는 어렵고, 점성(Viscosity)이 강한 액체일수록 캐비테이션 현상이 일어나기가 어렵다. 마지막으로 캐비테이션 강도는 용액의 기화점(boiling point)부근에서는 매우 약해진다. 여기서, 음파(Sound wave)는 단순히 캐비테이션 현상을 일으키기 위한 기계적인 요소이다.It can be seen that when the cleaning liquid is water, the higher the temperature, the weaker the cavitation strength and the higher the number of cavitation bubbles. Preferably the ultrasonic cleaning temperature is carried out at 50 ℃ to 60 ℃. In addition, dissolved gases dissolved in the solution weaken the cavitation strength. For example, about 8 ppm of oxygen is dissolved in ordinary water, and if it is removed to 0.5 ppm, the intensity of ultrasonic waves is about 5 times stronger. In addition, in a liquid having a high surface tension, cavitation strength becomes strong but hardly generated, and a liquid having a strong viscosity is more difficult to cause cavitation. Finally, the cavitation strength is very weak near the boiling point of the solution. Here, the sound wave is simply a mechanical element for causing a cavitation phenomenon.

이어서, 상기 노출된 제 1 전극(310)을 포함하는 기판 전면에 최소한 유기 발광층을 포함하는 유기막층(330)을 형성한다. 상기 유기막층(330)은 상기 유기발광층외에도 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층, 전자주입층을 포함할 수 있다.Subsequently, an organic layer 330 including at least an organic emission layer is formed on the entire surface of the substrate including the exposed first electrode 310. The organic layer 330 may include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer in addition to the organic light emitting layer.

상기 유기발광층으로는 저분자 물질 또는 고분자 물질 모두 가능하다. 상기 저분자 물질은 알루니 키노륨 복합체(Alq3), 안트라센(Anthracene), 시클로 펜타디엔(Cyclo pentadiene), BeBq2, Almq, ZnPBO, Balq, DPVBi, BSA-2 및 2PSP로 이루어진 군에서 선택되는 하나로 형성한다.       The organic light emitting layer may be a low molecular material or a high molecular material. The low molecular weight material is formed of one selected from the group consisting of aluminy chironium complex (Alq3), anthracene (Anthracene), cyclo pentadiene (Cyclo pentadiene), BeBq2, Almq, ZnPBO, Balq, DPVBi, BSA-2 and 2PSP. .

상기 고분자 물질은 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV;poly(p-phenylenevinylene)) 및 그 유도체, 폴리티오펜(PT;Polythiophene) 및 그 유도체 및 폴리페닐렌 (PPP;Polyphenylene) 및 그 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 1종으로 형성하는 것이 바람직하다. The polymer material is poly (p-phenylenevinylene) (PPV; poly (p-phenylenevinylene)) and its derivatives, polythiophene (PT) and its derivatives and polyphenylene (PPP; Polyphenylene) and its derivatives It is preferable to form one selected from the group consisting of.

상기 유기막층(330)은 진공층착, 스핀코팅, 잉크젯 프린팅, 닥터 블레이드 (Doctor blade), 레이저 열전사법(LITI) 등의 방법으로 증착한다. The organic layer 330 is deposited by vacuum deposition, spin coating, inkjet printing, a doctor blade, a laser thermal transfer method (LITI), or the like.

한편, 상기 유기막층(330)은 각 단위화소별로 패터닝되어 형성될 수 있다. 상기 유기막층(330)을 패터닝 하는 것은 레이저 열전사법, 새도우 마스크를 사용한 진공증착등을 사용하여 구현할 수 있다. Meanwhile, the organic layer 330 may be patterned for each unit pixel. The patterning of the organic layer 330 may be implemented using laser thermal transfer, vacuum deposition using a shadow mask, or the like.

이어서, 상기 유기막층(330) 상부 전체에 걸쳐 제 2 전극(340)을 형성한다. 상기 제 2 전극(340)은 진공증착법으로 수행하여 형성한다. Subsequently, a second electrode 340 is formed over the entire organic layer 330. The second electrode 340 is formed by performing a vacuum deposition method.

본 발명은 여기에서 설명되고 도시된 특정한 대표적인 장치 및 예에 국한되지 않는다. 따라서, 첨부된 특허청구의 범위에서 정의된 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고서 본 발명을 여러 가지로 변형할 수 있다. The invention is not limited to the specific representative apparatus and examples described and illustrated herein. Accordingly, the present invention may be variously modified without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위해 실시예들을 제시한다. 다만, 하기의 실시예들은 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐, 본 발명이 하기의 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, examples are provided to help understanding of the present invention. However, the following examples are only to aid the understanding of the present invention, the present invention is not limited by the following examples.

실시예 1Example 1

200 x 190 0.7t 유리 기판(Bare Glass)이 제공되었다. 상기 유기 기판의 기준 파티클(Reference Particle)을 Hitachi 파티클 측정기(일본 히다찌사제)로 측정하였다. 상기 기판을 파티클 측정 후 3개의 배스(bath)를 구비한 초음파 세정 장치(미국 CREST사제)에서 세정액인 초순수의 온도를 24℃로 하여 40kHz 주파수로 5분, 58kHz 주파수로 5분 및 132kHz 주파수로 5분씩 순차적, 연속적으로 2회 반복하여 세정을 진행하였다. 이 때, 각각의 초음파에 대한 세정 진행 시 각각 다른 배스(Bath)를 사용하였다. 200 x 190 0.7t Bare Glass was provided. Reference particles of the organic substrate were measured with a Hitachi particle measuring instrument (manufactured by Hitachi, Japan). After measuring the substrate, the ultrasonic cleaning device equipped with three baths (manufactured by CREST Co., Ltd.) was used for 5 minutes at 40 kHz frequency, 5 minutes at 58 kHz frequency, and 5 minutes at 132 kHz frequency at 24 ° C. The washing was carried out by repeating two times sequentially and successively. At this time, a different bath (Bath) was used during the cleaning process for each ultrasonic wave.

이어서, 상기 기판을 이소프로필알콜(IPA;Isopropylalcohol) 5분, 린스(Rinse) 5분 진행 후 이소프로필알콜 증기를 통해 15분 동안 건조하여 세정을 완료하였다. Subsequently, the substrate was dried for 5 minutes through isopropyl alcohol vapor after 5 minutes of isopropyl alcohol (IPA; Isopropylalcohol) and 5 minutes of rinse (Rinse) to complete cleaning.

실시예 2 Example 2

40kHz 주파수로 5분 동안 실시하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 세정하였다. Cleaning was carried out in the same manner as in Example 1 except that the reaction was performed at 40 kHz for 5 minutes.

실시예 3Example 3

58kHz 주파수로 5분 동안 실시하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 세정하였다. Washing was carried out in the same manner as in Example 1 except that the reaction was performed at 58 kHz for 5 minutes.

실시예 4Example 4

132kHz 주파수 5분 동안 실시하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 세정하였다. Cleaning was performed in the same manner as in Example 1 except that the 132 kHz frequency was performed for 5 minutes.

실시예 5Example 5

20kHz 내지 100kHz 가변주파수로 20분 내지 30분 동안 실시하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 세정하였다. Cleaning was carried out in the same manner as in Example 1 except that the reaction was performed for 20 to 30 minutes at a variable frequency of 20 kHz to 100 kHz.

비교예 1Comparative Example 1

주파수를 아래와 같이 26kHz 주파수로 5분 동안 실시하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 세정하였다. The frequency was washed in the same manner as in Example 1 except that the frequency was performed at 26 kHz for 5 minutes as follows.

<파티클 제거율 평가><Evaluation of Particle Removal>

초음파 세정 전 200 x 190 0.7t 유리 기판(Bare Glass)의 기준 파티클(Reference Particle) 개수를 Hitachi 파티클 측정기(일본 히다찌사제)로 측정한 후 상기 실시예 1 및 비교예 1 내지 4에 따른 초음파 세정 후 다시 파티클 개수를 측정하여 제거된 개수를 백분율로 환산하였다. Before ultrasonic cleaning After measuring the number of reference particles of a 200 x 190 0.7t glass substrate by Hitachi particle measuring machine (manufactured by Hitachi, Japan), after ultrasonic cleaning according to Examples 1 and Comparative Examples 1 to 4 above Again, the number of particles was measured and the number removed was converted into percentages.

<정류비 평가><Commutation cost evaluation>

상기 실시예 1 및 실시예 5의 정류비를 비교 평가하였다.The rectification ratios of Example 1 and Example 5 were compared and evaluated.

상기 정류비는 역전압대에서의 누설전류(Leakage Current)로서, 역바이어스 전류에 대한 순바이어스 전류 비로 표현할 수 있다. 여기에서, 수치가 작을수록 정류비가 우수한 것을 나타낸다. The rectification ratio is a leakage current in a reverse voltage band and may be expressed as a ratio of forward bias current to reverse bias current. Here, the smaller the value, the better the rectification ratio is.

정류비 = 순바이어스 전류/ 역바이어스 전류Rectification Ratio = Forward Bias Current / Reverse Bias Current

<수명 평가><Life Evaluation>

상기 실시예 1 및 실시예 5의 수명을 비교 평가하였다.The lifespan of Example 1 and Example 5 was compared and evaluated.

아래의 표 2는 본 발명의 실시예로서 주파수에 따른 파티클 크기별 제거율을 나타낸다.Table 2 below shows the particle size removal rate according to the frequency according to the embodiment of the present invention.

주파수에 따른 파티클 크기별 제거율Removal Rate by Particle Size by Frequency 항목Item 파티클 크기별 제거율Removal Rate by Particle Size 1㎛1 μm 3㎛3 μm 5㎛5 μm 합계Sum 실시예 1Example 1 93.4%93.4% 94.2%94.2% 97.7%97.7% 94.1%94.1% 실시예 2Example 2 3.4%3.4% 7.6%7.6% 40.7%40.7% 11.8%11.8% 실시예 3Example 3 -11.0%-11.0% 2.3%2.3% 55.7%55.7% 11.1%11.1% 실시예 4Example 4 -1.7%-1.7% 14.2%14.2% 15.7%15.7% 11.3%11.3% 실시예 5Example 5 88.5%88.5% 92.3%92.3% 87.6%87.6% 89.5%89.5% 비교예 1Comparative Example 1 17.2%17.2% 19.5%19.5% 35.7%35.7% 22.5%22.5%

표 2을 참조하면, 상기 본 발명에 따른 상기 실시예 1은 파티클 크기별 제거율이 각각의 파티클 크기에 대해 90%이상으로 월등히 우수함을 확인하였다. 상기 실시예 2, 3 및 4는 전체적인 파티클 제거율은 11%정도로 유의차를 보이지 않았으나, 파티클 크기에 따른 제거율에서는 상기 실시예 2 및 3은 5㎛ 파티클에서는 40% 내지 55%의 제거율을 보였으나 1㎛ 내지 3㎛ 파티클에서는 10%미만의 낮은 제거율을 나타냈고, 상기 실시예 4는 1㎛, 3㎛ 및 5㎛ 파티클 각각에 대해 모두 15%미만의 낮은 제거율을 나타냈다. Referring to Table 2, Example 1 according to the present invention was confirmed that the removal rate by particle size is significantly superior to each particle size of more than 90%. In Examples 2, 3 and 4, the overall particle removal rate did not show a significant difference of about 11%, but in the removal rate according to the particle size, Examples 2 and 3 showed removal rates of 40% to 55% in 5 μm particles. Low removal rates of less than 10% were shown for the micrometer to 3 micrometer particles, while Example 4 showed low removal rates of less than 15% for each of the 1 micrometer, 3 micrometer and 5 micrometer particles.

또한, 상기 실시예 5는 파티클 크기별 제거율이 각각의 파티클 크기에 대해 90%정도를 나타냈으나, 본 발명의 상기 실시예 1보다는 낮은 결과를 보였다. 상기 비교예 1은 전반적으로 낮을 파티클 제거율을 나타냈다.In addition, in Example 5, the particle size removal rate was about 90% for each particle size, but the results were lower than in Example 1 of the present invention. Comparative Example 1 exhibited an overall low particle removal rate.

도 6을 참조하면, 상기 실시예 5에 비해 40kHz,58kHz 및 132kHz로 2회 수행한 실시예 1이 정류비가 더 우수함을 확인하였다.Referring to FIG. 6, it was confirmed that Example 1, which was performed twice at 40 kHz, 58 kHz, and 132 kHz compared to Example 5, has a better rectification ratio.

아래의 표 3은 본 발명의 실시예에 따른 실시예 1과 실시예 5의 정류비 비교를 나타낸 표이다. Table 3 below is a table showing a comparison of the rectification ratio of Example 1 and Example 5 according to an embodiment of the present invention.

정류비 비교Rectification Ratio Comparison 항목Item 정류비Rectification cost xx yy 실시예 1Example 1 9 x 105 9 x 10 5 0.65070.6507 0.34340.3434 실시예 6Example 6 6 x 105 6 x 10 5 0.64470.6447 0.34710.3471

표 3 및 도 6을 참조하면, 상기 실시예 5에 비해 40kHz,58kHz 및 132kHz로 2회 수행한 실시예 1이 정류비가 더 우수함을 확인하였다.Referring to Table 3 and FIG. 6, it was confirmed that Example 1, which was performed twice at 40 kHz, 58 kHz, and 132 kHz compared to Example 5, has a better rectification ratio.

도 7을 참조하면, 상기 실시예 5에 비해 실시예 1이 디바이스의 휘도 및 수명이 더 우수함을 확인하였다.Referring to FIG. 7, it was confirmed that Example 1 has better luminance and lifespan than Example 5 above.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 유기전계발광소자의 유기막층 증착 전 세정 공정에서 제 1 주파수대역, 제 2 주파수대역 및 제 3 주파수대역의 세 가지 주파수대역폭을 결합한 콤비네이션 주파수를 이용하여 기판의 표면에 다양한 크기의 캐비테이션을 발생시켜 5㎛이하의 서로 다른 크기의 파티클을 동시에 제거함으로써 디바이스의 정류비와 수명을 향상시킬 수 있다.As described above, according to the present invention, the surface of the substrate using a combination frequency combining three frequency bands of the first frequency band, the second frequency band, and the third frequency band in the cleaning process before deposition of the organic layer of the organic light emitting diode. By generating various sizes of cavitation at the same time, it is possible to improve the rectification ratio and the lifetime of the device by simultaneously removing particles of different sizes less than 5 μm.

Claims (9)

기판을 제공하고,Providing a substrate, 상기 기판 상에 제 1 전극을 형성하고,Forming a first electrode on the substrate, 상기 제 1 전극이 형성된 상기 기판을 제 1 주파수대역의 20kHz 내지 50kHz, 제 2 주파수 대역의 50kHz 내지 100kHz 및 제 3 주파수 대역의 100kHz 내지 140kHz의 세 가지 주파수대역폭을 결합한 콤비네이션 주파수를 이용하여 기판의 파티클을 제거하는 초음파 세정을 수행하고,Particles of the substrate using the combination frequency that combines the three bands of the substrate having the first electrode 20 kHz to 50 kHz of the first frequency band, 50 kHz to 100 kHz of the second frequency band and 100 kHz to 140 kHz of the third frequency band Perform an ultrasonic cleaning to remove, 상기 제 1 전극 상부에 최소한 유기발광층을 포함하는 유기막층을 형성하고, 및Forming an organic layer including at least an organic light emitting layer on the first electrode, and 상기 유기막층 상부에 제 2 전극을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법.The method of manufacturing an organic light emitting display device, comprising forming a second electrode on the organic layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 초음파 세정은 캐비테이션을 발생시켜 파티클을 제거하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자 제조 방법.The ultrasonic cleaning generates a cavitation to remove particles, characterized in that the organic light emitting device manufacturing method. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 주파수 대역은 40kHz, 제 2 주파수 대역은 58kHz 및 제 3 주파수 대역은 132kHz 주파수인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자 제조 방법.The first frequency band is 40kHz, the second frequency band 58kHz and the third frequency band 132kHz frequency, characterized in that the organic light emitting device manufacturing method. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 초음파 세정은 상기 제 1 주파수 대역을 이용하여 기판을 세정하는 제 1 공정, 상기 제 2 주파수 대역을 이용하여 기판을 세정하는 제 2 공정, 상기 제 3 주파수 대역을 이용하여 기판을 세정하는 제 3 공정을 연속적으로 2회 진행하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자 제조 방법.The ultrasonic cleaning may include a first process of cleaning the substrate using the first frequency band, a second process of cleaning the substrate using the second frequency band, and a third process of cleaning the substrate using the third frequency band. A method of manufacturing an organic light emitting display device, characterized in that the process is performed twice in succession. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 주파수 대역은 5㎛이상, 제 2 주파수 대역은 3㎛이상, 제 3 주파수 대역은 1㎛이상의 파티클을 제거하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자 제조 방법.The method of claim 1, wherein the first frequency band is 5㎛ or more, the second frequency band is 3㎛ or more, and the third frequency band is 1μm or more to remove particles. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 파티클 제거 순서는 5㎛ 이상, 3㎛ 이상, 1㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자 제조 방법.The particle removal sequence is 5㎛ or more, 3㎛ or more, 1㎛ or more method for manufacturing an organic light emitting device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 초음파 세정에서 사용되는 초음파 세정액은 초순수인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자 제조 방법.The ultrasonic cleaning liquid used in the ultrasonic cleaning is an organic electroluminescent device manufacturing method, characterized in that the ultrapure water. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 전극이 애노드이고, 상기 제 2 전극이 캐소드인 유기전계발광소자 의 제조 방법.The first electrode is an anode, the second electrode is a method of manufacturing an organic light emitting device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 전극이 캐소드이고, 상기 제 2 전극이 애노드인 유기전계발광소자의 제조 방법.The method of manufacturing an organic light emitting display device, wherein the first electrode is a cathode and the second electrode is an anode.
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