JP2011040336A - Method for manufacturing organic electronics panel - Google Patents

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宏明 伊東
Takahiko Nojima
隆彦 野島
Yasushi Okubo
康 大久保
Ayako Wachi
晃矢子 和地
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electronics panel having elements elongated in a life time and stable in performance quality by preventing generation of dust, and short-circuits and generation of dark spots accompanied with remainder of an organic functional layer at the time of removing unnecessary regions of the organic functional layer by a wiping method in forming the organic functional layer of the organic electronics panel by an application method. <P>SOLUTION: The organic electronics panel includes, on a base material, a first electrode, a second electrode, at least one organic functional layer including an organic layer between the first electrode and the second electrode, and a sealing layer. The method for manufacturing the organic electronics panel includes at least, a first electrode-forming step, an organic functional layer-forming step of forming the organic functional layer, a patterning step of the organic functional layer, and a cleaning step subsequently cleaning the whole surface of the base material including the patterned organic functional layer. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロニクスパネルの製造方法に関し、更に詳しくは、有機エレクトロルミネッセンスパネル、有機TFTパネル、有機太陽電池パネル、有機光電変換パネル、有機電子写真用感光体の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing an organic electronics panel, and more particularly to a method for producing an organic electroluminescence panel, an organic TFT panel, an organic solar battery panel, an organic photoelectric conversion panel, and an organic electrophotographic photoreceptor.

近年、有機エレクトロルミネッセンスパネル(以下、有機ELパネルとも言う)、有機TFTパネル、有機太陽電池パネル(以下、有機PVパネルとも言う)、有機光電変換パネル、有機電子写真用感光体をはじめとした、様々な有機エレクトロニクスパネルの開発が検討されている。有機エレクトロニクスパネルは、有機物を用いて電気的な動作を行う素子であり、省エネルギー、低価格、柔軟性といった特長を発揮出来ると期待され、従来のシリコーンを主体とした無機半導体に替わる技術として注目されている。これらの有機エレクトロニクスパネルは、有機物の非常に薄い膜を電極を介して電流を流すことで、発光したり、発電したり、帯電したり、電流や電圧を制御したりする素子である。   In recent years, including organic electroluminescence panels (hereinafter also referred to as organic EL panels), organic TFT panels, organic solar battery panels (hereinafter also referred to as organic PV panels), organic photoelectric conversion panels, organic electrophotographic photoreceptors, Development of various organic electronics panels is under consideration. Organic electronics panels are elements that perform electrical operations using organic materials, and are expected to exhibit features such as energy saving, low cost, and flexibility, and are attracting attention as a technology that replaces conventional inorganic semiconductors based on silicone. ing. These organic electronics panels are elements that emit light, generate power, charge, or control current and voltage by passing a current through an electrode through a very thin film of organic matter.

有機EL素子は、有機化合物の薄膜からなる発光層を電極で挟持した構成で、電極間に電流を供給すると発光する素子である。従って、薄膜の有機EL素子を光源として利用すると、小型化、軽量化が容易である上、蛍光灯に比べ発光の応答速度が速く、点灯直後の光量も比較的安定した照明装置となる。   An organic EL element is an element that emits light when a current is supplied between electrodes, in which a light emitting layer made of an organic compound thin film is sandwiched between electrodes. Therefore, when a thin-film organic EL element is used as a light source, it is easy to reduce the size and weight, and the illuminating device has a faster light emission response speed than a fluorescent lamp and a relatively stable light amount immediately after lighting.

有機PV素子や有機光電変換素子は、有機化合物の薄膜からなる発電層を電極で挟持した構成で、光を照射すると発電する素子である。従って、薄膜の有機光電変換素子を太陽電池として利用すると、小型化、軽量化が容易である上、既存の無機半導体系の太陽電池に比べ、低照度環境や高温環境下でも比較的安定した出力を得られる太陽電池となる。   An organic PV element and an organic photoelectric conversion element are elements that generate electricity when irradiated with light in a configuration in which a power generation layer made of a thin film of an organic compound is sandwiched between electrodes. Therefore, when a thin-film organic photoelectric conversion element is used as a solar cell, it can be easily reduced in size and weight, and has a relatively stable output even in a low illuminance environment or a high temperature environment as compared with existing inorganic semiconductor solar cells. The solar cell can be obtained.

更に、これら有機エレクトロニクスパネルは、有機溶媒を含む塗布液を基材上に塗布することにより、基材上に機能性層を形成させることが出来、真空プロセスを不要と出来る可能性があり、高い生産性による低コスト化が期待出来る。これら塗布法で製造する有機エレクトロニクスパネルは、電極取り出し部を作る必要から、パターン塗布が必要となるが、一般的に有機エレクトロニクスパネルで用いられる材料の溶液は0.5mPa・sから3mPa・sと粘度が低く、低粘度の塗布液を押出塗布装置の塗布ダイスから吐出させて基材上に塗布する場合は、単純なストライプ塗布であっても困難である。   Furthermore, these organic electronics panels can form a functional layer on a base material by applying a coating solution containing an organic solvent on the base material, which can potentially eliminate the need for a vacuum process. Cost reduction due to productivity can be expected. Organic electronics panels manufactured by these coating methods require pattern coating because it is necessary to make an electrode lead-out portion. Generally, the material solution used in organic electronics panels is from 0.5 mPa · s to 3 mPa · s. In the case where a low-viscosity and low-viscosity coating liquid is discharged from a coating die of an extrusion coating apparatus and coated on a substrate, even simple stripe coating is difficult.

これまでに、有機エレクトロニクスパネルを塗布法で製造する際、ストライプ塗布に代わる電極取り出し部を作る方法が検討されてきた。   Until now, when manufacturing an organic electronics panel by a coating method, a method of making an electrode extraction portion instead of stripe coating has been studied.

例えば、基材上に、陽極、少なくとも有機発光材料からなる発光層を含む有機機能層、及び陰極を積層してなる積層体を有する発光部と、この積層体を有しない非発光部とを有する有機EL表示装置を製造する時、有機機能層を陽極を含め全面に塗布した後、非発光部に形成された有機機能層をその形成後に溶剤により拭き取り除去することで電極取り出し部を作る方法が知られている(例えば、特許文献1参照。)。   For example, the substrate has an anode, an organic functional layer including a light emitting layer made of at least an organic light emitting material, and a light emitting portion having a laminate formed by laminating a cathode, and a non-light emitting portion not having this laminate. When manufacturing an organic EL display device, after the organic functional layer is applied to the entire surface including the anode, the organic functional layer formed on the non-light emitting portion is wiped off with a solvent after the formation, and a method for making the electrode extraction portion is It is known (for example, refer to Patent Document 1).

基材上に形成された被膜を選択的に溶媒で湿したワイピングヘッドで接触させ拭き取り、パターニングしたエレクトロルミネッセント層を設ける方法が知られている(例えば、特許文献2参照。)。   A method of providing a patterned electroluminescent layer by contacting and wiping a film formed on a substrate with a wiping head selectively moistened with a solvent is known (see, for example, Patent Document 2).

電極上に一面に積層された発光層を所定の開孔部を有するマスクを介してドライエッチングしてパターン化する方法が知られている(例えば、特許文献3参照。)。   A method is known in which a light-emitting layer laminated on one surface of an electrode is patterned by dry etching through a mask having a predetermined opening (see, for example, Patent Document 3).

しかしながら特許文献1、特許文献2に記載の方法は次の欠点を有していることが判った。
1)有機機能層を拭き取る際、発生したダストが有機機能層上に付着することでショートやダークスポットの原因となる。積層する有機機能層の厚みは十数nmから百数十nmであり、有機材料が導電性の場合、陰極までショートさせる原因となる。又、ダークスポットと呼ばれるなんら機能しない領域が発生する。
2)外部電極接続用電極に拭き残し部分が生じ、外部電極との接触不良が発生する。又、微量残存する溶媒中に溶解した成分によるショートや上部に形成する電極の密着性が低下する。
3)基材上に付着したダストはその後に続く封止工程において封止剤との接着性を低下させ、防湿性が悪くなり、素子寿命が短くなる。
However, it has been found that the methods described in Patent Document 1 and Patent Document 2 have the following drawbacks.
1) When the organic functional layer is wiped off, the generated dust adheres on the organic functional layer, causing a short circuit or a dark spot. The thickness of the organic functional layer to be laminated is 10 to 100 nm, and when the organic material is conductive, it causes a short circuit to the cathode. In addition, a non-functioning area called a dark spot occurs.
2) An unwiped portion is generated on the external electrode connecting electrode, resulting in poor contact with the external electrode. In addition, short-circuiting due to components dissolved in a trace amount of remaining solvent and adhesion of electrodes formed on the upper portion are lowered.
3) Dust adhering to the base material lowers the adhesion with the sealant in the subsequent sealing step, resulting in poor moisture resistance and shortening the device life.

又、特許文献3に記載の方法は次の欠点を有していることが判った。
1)有機機能層を除去する際、一度に不要とする有機機能層を除去するため、発生したダストが有機機能層上に付着することでショートやダークスポットの原因となる。積層する有機機能層の厚みは十数nmから百数十nmであり、有機材料が導電性の場合、陰極までショートさせる原因となる。又、ダークスポットと呼ばれるなんら機能しない領域が発生する。
2)基材上に付着したダストはその後に続く封止工程において封止剤との接着性を低下させ、防湿性が悪くなり、素子寿命が短くなる。
3)精緻なマスクを作製するのに、煩雑な作業と管理が必要となる。
4)ロールツーロール方式では、基材の搬送方向に対しては連続的に有機機能層を除去することは出来るが、基材の搬送方向に対して直角方向の除去は同時に出来ない。
Moreover, it turned out that the method of patent document 3 has the following faults.
1) When removing an organic functional layer, an unnecessary organic functional layer is removed at a time, and the generated dust adheres to the organic functional layer, thereby causing a short circuit or a dark spot. The thickness of the organic functional layer to be laminated is 10 to 100 nm, and when the organic material is conductive, it causes a short circuit to the cathode. In addition, a non-functioning area called a dark spot occurs.
2) The dust adhering to the base material lowers the adhesion with the sealant in the subsequent sealing step, resulting in poor moisture resistance and shortening the device life.
3) Complicated work and management are required to produce a precise mask.
4) In the roll-to-roll method, the organic functional layer can be removed continuously in the direction of transport of the base material, but removal in the direction perpendicular to the direction of transport of the base material cannot be performed simultaneously.

この様な状況から、有機エレクトロニクスパネルの有機機能層を塗布法で製造する際、不要の有機機能層を払拭方式で除去する時、ゴミの発生防止、払拭残りに伴うショートやダークスポットの発生防止、素子寿命の長寿命化した有機エレクトロニクスパネルの製造方法の開発が望まれている。   In this situation, when the organic functional layer of the organic electronics panel is manufactured by the coating method, when the unnecessary organic functional layer is removed by the wiping method, the generation of dust and the occurrence of shorts and dark spots due to the remaining wiping are prevented. Therefore, it is desired to develop a method for manufacturing an organic electronics panel having a long lifetime.

特開2004−152512号公報JP 2004-152512 A 特表2007−515756号公報JP-T-2007-515756 特開2004−127726号公報JP 2004-127726 A

本発明は上記状況に鑑みなされたものであり、その目的は、有機エレクトロニクスパネルの有機機能層を塗布法で製造する際、有機機能層の不要領域を払拭方式で除去する時、ゴミの発生防止、払拭残りに伴うショートやダークスポットの発生防止、素子寿命が長寿命化し、性能品質が安定している有機エレクトロニクスパネルの製造方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above situation, and its purpose is to prevent the generation of dust when an unnecessary area of an organic functional layer is removed by a wiping method when an organic functional layer of an organic electronics panel is manufactured by a coating method. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an organic electronics panel that prevents occurrence of shorts and dark spots due to remaining wiping, prolongs the device life, and stabilizes the performance quality.

本発明の上記目的は、以下の構成により達成された。   The above object of the present invention has been achieved by the following constitution.

1.基材の上に、第1電極と、第1電極用外部接続用電極と、第2電極と、第2電極用外部接続用電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に有機物層を含む少なくとも1層の有機機能層及び封止層とを有する有機エレクトロニクスパネルの製造方法において、
少なくとも、前記第1電極用外部接続用電極を形成する部分を含む第1電極を形成する第1電極形成工程と、
前記第1電極を含む前記基材の全面に少なくとも1層の有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、
前記有機機能層の不要領域を除去しパターニングするパターニング工程と、
引き続き、前記パターニングした前記有機機能層を有する前記基材の全面をクリーニングするクリーニング工程とを有することを特徴とする有機エレクトロニクスパネルの製造方法。
1. On the substrate, an organic substance is interposed between the first electrode, the first electrode external connection electrode, the second electrode, the second electrode external connection electrode, and the first electrode and the second electrode. In a method for producing an organic electronic panel having at least one organic functional layer including a layer and a sealing layer,
A first electrode forming step of forming a first electrode including at least a portion for forming the first electrode external connection electrode;
An organic functional layer forming step of forming at least one organic functional layer on the entire surface of the substrate including the first electrode;
A patterning process for removing and patterning unnecessary regions of the organic functional layer;
And a cleaning step of cleaning the entire surface of the base material having the patterned organic functional layer.

2.前記有機機能層の不要領域を除去する溶媒が、Hansenの溶解度パラメータ、f、f、f、のプロットが、主な有機機能層を塗布した溶媒のプロットに対して、少なくとも45ポイント以内の近さであり、且つ、20ポイント以上離れていることを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法。 2. The solvent for removing unnecessary regions of the organic functional layer is Hansen's solubility parameter, and the plot of f d , f p , and f h is within at least 45 points with respect to the plot of the solvent coated with the main organic functional layer. 2. The method for producing an organic electronic panel according to 1 above, wherein the organic electronics panel is at a distance of 20 points or more.

3.前記パターニング工程で前記有機機能層のパターニングを払拭方式で行うことを特徴とする前記1又は2に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法。   3. 3. The method of manufacturing an organic electronic panel according to 1 or 2, wherein the patterning of the organic functional layer is performed by a wiping method in the patterning step.

4.前記クリーニング工程でクリーニングをドライエッチング方式で行うことを特徴とする前記1から3の何れか1項に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法。   4). 4. The method of manufacturing an organic electronics panel according to any one of 1 to 3, wherein cleaning is performed by a dry etching method in the cleaning step.

5.前記1から4の何れか1項に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法において、次の各工程を順次有することを特徴とする有機エレクトロニクスパネルの製造方法。   5. 5. The method of manufacturing an organic electronics panel according to any one of 1 to 4, further comprising the following steps.

A)少なくとも前記第1電極用外部接続用電極を形成する部分を含む前記第1電極と、リード部とを前記基材の上にパターン化して形成する第1電極形成工程
B)該第1電極と該リード部とを有する該基材の全面に、少なくとも1層の有機機能層を形成する有機機能層形成工程
C)前記有機機能層の不要領域をパターニングするパターニング工程
D)前記パターニングした前記有機機能層を有する前記基材の全面をクリーニングするクリーニング工程
E)前記第1電極の上の前記有機機能層の上から前記リード部に亘り、前記第2電極及び第2電極用外部接続用電極を形成する第2電極形成工程
F)前記第1電極用外部接続用電極と、第2電極用外部接続用電極とを除き封止部材で前記第2電極の上及び周囲を封止部材で封止する封止工程
6.前記1から4の何れか1項に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法において、次の各工程を順次有することを特徴とする有機エレクトロニクスパネルの製造方法。
A) A first electrode forming step in which the first electrode including at least a portion for forming the first electrode external connection electrode and a lead portion are patterned on the base material. B) The first electrode And an organic functional layer forming step of forming at least one organic functional layer on the entire surface of the substrate having the lead portion and C) a patterning step of patterning unnecessary regions of the organic functional layer. D) the patterned organic A cleaning step of cleaning the entire surface of the base material having the functional layer. E) The second electrode and the external connection electrode for the second electrode extending from the organic functional layer on the first electrode to the lead portion. Step of forming second electrode F) Sealing on and around the second electrode with a sealing member except for the first electrode external connection electrode and the second electrode external connection electrode with a sealing member Sealer 6. 5. The method of manufacturing an organic electronics panel according to any one of 1 to 4, further comprising the following steps.

A)少なくとも前記第1電極用外部接続用電極を形成する部分を含む前記第1電極と、リード部とを前記基材の上にパターン化して形成する第1電極形成工程
B)該第1電極と該リード部とを有する該基材の全面に、少なくとも1層の有機機能層を形成する有機機能層形成工程
C)前記有機機能層の不要領域をパターニングするパターニング工程
D)前記パターニングした前記有機機能層を有する前記基材の全面をクリーニングするクリーニング工程
E)前記第1電極の上の前記有機機能層の上に、前記第2電極を形成する第2電極形成工程
F)前記第2電極と前記リード部に亘り、導電層を形成し第2電極用外部接続用電極を形成する導電層形成工程
G)前記第1電極用外部接続用電極と、第2電極用外部接続用電極とを除き封止部材で前記第2電極の上及び周囲を封止部材で封止する封止工程
7.前記1から4の何れか1項に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法において、次の各工程を順次有することを特徴とする有機エレクトロニクスパネルの製造方法。
A) A first electrode forming step in which the first electrode including at least a portion for forming the first electrode external connection electrode and a lead portion are patterned on the base material. B) The first electrode And an organic functional layer forming step of forming at least one organic functional layer on the entire surface of the substrate having the lead portion and C) a patterning step of patterning unnecessary regions of the organic functional layer. D) the patterned organic A cleaning step for cleaning the entire surface of the substrate having a functional layer. E) A second electrode forming step for forming the second electrode on the organic functional layer on the first electrode. F) The second electrode A conductive layer forming step of forming a conductive layer over the lead portion to form a second electrode external connection electrode; G) excluding the first electrode external connection electrode and the second electrode external connection electrode; Sealing member Sealing step 7 of sealing with a sealing member on and around the second electrode. 5. The method of manufacturing an organic electronics panel according to any one of 1 to 4, further comprising the following steps.

A)少なくとも前記第1電極用外部接続用電極を形成する部分を含む前記第1電極を、前記基材上にパターン化して形成する第1電極形成工程
B)該第1電極を有する該基材の全面に、少なくとも1層の有機機能層を形成する有機機能層形成工程
C)該有機機能層の不要領域をパターニングするパターニング工程
D)該パターニングした該有機機能層を有する該基材の全面をクリーニングするクリーニング工程
E)該第1電極の上の該有機機能層の上に第2電極を形成し、同時に該第2電極と一体かした第2電極用外部接続用電極を有機機能層が除去された該基材の上に形成する第2電極形成工程
F)前記第1電極用外部接続用電極と、第2電極用外部接続用電極とを除き封止部材で前記第2電極の上及び周囲を封止部材で封止する封止工程
8.前記の有機エレクトロニクスパネルが有機エレクトロルミネッセンスパネルであることを特徴とする前記1から7の何れか1項に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法。
A) First electrode forming step of patterning and forming the first electrode including at least a portion for forming the first electrode external connection electrode on the base material. B) The base material having the first electrode. An organic functional layer forming step of forming at least one organic functional layer on the entire surface of the substrate C) A patterning step of patterning unnecessary regions of the organic functional layer D) The entire surface of the substrate having the patterned organic functional layer Cleaning step for cleaning E) A second electrode is formed on the organic functional layer on the first electrode, and at the same time, the organic functional layer removes the second electrode external connection electrode integrated with the second electrode. The second electrode forming step of forming on the base material that has been formed F) The second electrode external connection electrode and the second electrode external connection electrode, except for the second electrode external connection electrode, Sealing that seals the periphery with a sealing member Degree 8. 8. The method of manufacturing an organic electronics panel according to any one of 1 to 7, wherein the organic electronics panel is an organic electroluminescence panel.

9.前記の有機エレクトロニクスパネルが有機光電変換素子であることを特徴とする前記1から7の何れか1項に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法。   9. 8. The method for producing an organic electronics panel according to any one of 1 to 7, wherein the organic electronics panel is an organic photoelectric conversion element.

有機エレクトロニクスパネルの有機機能層を塗布法で製造する際、有機機能層の不要領域を払拭方式で除去する時、ゴミの発生防止、払拭残りに伴うショートやダークスポットの発生防止、素子寿命が長寿命化し、性能品質が安定している有機エレクトロニクスパネルの製造方法を提供することが出来た。   When manufacturing the organic functional layer of organic electronics panel by coating method, when unnecessary areas of the organic functional layer are removed by wiping method, dust generation is prevented, short circuit and dark spot due to remaining wiping are prevented, element life is long We were able to provide a method for producing organic electronics panels that have a long life and stable performance quality.

有機エレクトロニクスパネルの一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of an organic electronics panel. 図1に示される有機エレクトロニクスパネル(a)を作製するは基材供給工程からクリーニング工程までの工程フロー図である。The organic electronics panel (a) shown in FIG. 1 is a process flow diagram from a substrate supply process to a cleaning process. 図1に示される有機エレクトロニクスパネル(a)を作製するは第2電極形成工程から回収工程までの工程フロー図である。The organic electronics panel (a) shown in FIG. 1 is a process flow diagram from the second electrode formation process to the recovery process. 図1に示される有機エレクトロニクスパネル(c)を作製する基材供給工程からクリーニング工程までの工程フロー図である。It is a process flow figure from the substrate supply process which produces the organic electronics panel (c) shown in Drawing 1 to a cleaning process. 図1に示される有機エレクトロニクスパネル(c)を作製する第2電極形成工程から回収工程までの工程フロー図である。It is a process flow figure from the 2nd electrode formation process which produces the organic electronics panel (c) shown in Drawing 1 to a recovery process. 図1に示される有機エレクトロニクスパネル(b)を作製する基材供給工程からクリーニング工程までの工程フロー図である。It is a process flow figure from the substrate supply process which produces the organic electronics panel (b) shown in Drawing 1 to a cleaning process. 図1に示される有機エレクトロニクスパネル(b)を作製する第2電極形成工程から回収工程までの工程フロー図である。It is a process flow figure from the 2nd electrode formation process which produces the organic electronics panel (b) shown in Drawing 1 to a collection process. パターニング工程の概略図である。It is the schematic of a patterning process. 大気圧プラズマ処理装置の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of an atmospheric pressure plasma processing apparatus.

本発明の実施の形態を図1から図6を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。   Embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 6, but the present invention is not limited thereto.

図1は本発明の有機エレクトロニクスパネルの製造方法により製造された有機エレクトロニクスパネルの一例を示す概略断面図である。   FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of an organic electronics panel manufactured by the method for manufacturing an organic electronics panel of the present invention.

(a)に付き説明する。   This will be described with reference to (a).

図中、1は図1の(a)に示す製造フロー図に従って製造された有機エレクトロニクスパネルを示す。101は基材を示す。102は第1電極(陽極)を示し、102aは第1電極102の第1電極用外部接続用電極を示す。104aは第2電極用外部接続用電極を示す。第2電極用外部接続用電極104aは第1電極102を形成する際に基材101上に第1電極102と分離された位置に形成されたリード部と第2電極(陰極)104とが接合されることで形成される。103は第1電極用外部接続用電極102aの上を除いて第1電極102の上及び周囲に形成された有機物層を含む有機機能層を示す。104は有機機能層103の上及びリード部102bの一部を被覆する様に形成された第2電極(陰極)を示す。105は第1電極用外部接続用電極102a及び第2電極用外部接続用電極104aの一部を除き第2電極(陰極)104の上と周囲に設けられた接着剤層を示す。106は接着剤層105を介して貼着された封止部材を示す。   In the figure, reference numeral 1 denotes an organic electronics panel manufactured according to the manufacturing flow diagram shown in FIG. 101 shows a base material. Reference numeral 102 denotes a first electrode (anode), and reference numeral 102 a denotes a first electrode external connection electrode of the first electrode 102. Reference numeral 104a denotes a second electrode external connection electrode. When the first electrode 102 is formed, the second electrode external connection electrode 104 a is formed by joining the lead portion formed on the base material 101 at a position separated from the first electrode 102 and the second electrode (cathode) 104. Is formed. Reference numeral 103 denotes an organic functional layer including an organic material layer formed on and around the first electrode 102 except on the first electrode external connection electrode 102a. Reference numeral 104 denotes a second electrode (cathode) formed so as to cover the organic functional layer 103 and a part of the lead portion 102b. Reference numeral 105 denotes an adhesive layer provided on and around the second electrode (cathode) 104 except for a part of the first electrode external connection electrode 102a and the second electrode external connection electrode 104a. Reference numeral 106 denotes a sealing member attached via an adhesive layer 105.

(b)に付き説明する。   This will be described with reference to (b).

図中、1′は図1の(b)に示す製造フロー図に従って製造された有機エレクトロニクスパネルを示す。101′は基材を示す。102′は第1電極(陽極)を示し、102′aは第1電極102′の第1電極用外部接続用電極を示す。104′aは第2電極用外部接続用電極を示す。第2電極用外部接続用電極104′aは第1電極102′を形成する際に基材101′上に第1電極102′と分離された位置に形成されたリード部と第2電極(陰極)104′とを導電層105′で接合されることで形成される。103′は第1電極用外部接続用電極102′aの上を除いて第1電極(陽極)102′の上及び周囲に形成された有機物層を含む有機機能層を示す。104′は有機機能層103′の上に第1電極102′の大きさに合わせ形成された第2電極(陰極)を示す。105′は導電層を示し、第2電極104′とリード部102′bとを接合するように形成されている。   In the figure, reference numeral 1 ′ denotes an organic electronics panel manufactured according to the manufacturing flow diagram shown in FIG. 101 'shows a base material. Reference numeral 102 'denotes a first electrode (anode), and 102'a denotes an external connection electrode for the first electrode of the first electrode 102'. Reference numeral 104'a denotes a second electrode external connection electrode. The external connection electrode 104′a for the second electrode includes a lead portion and a second electrode (cathode) formed on the base material 101 ′ at a position separated from the first electrode 102 ′ when the first electrode 102 ′ is formed. ) 104 ′ and the conductive layer 105 ′. Reference numeral 103 ′ denotes an organic functional layer including an organic material layer formed on and around the first electrode (anode) 102 ′ except for the first electrode external connection electrode 102 ′. Reference numeral 104 ′ denotes a second electrode (cathode) formed in accordance with the size of the first electrode 102 ′ on the organic functional layer 103 ′. Reference numeral 105 'denotes a conductive layer, which is formed so as to join the second electrode 104' and the lead portion 102'b.

106′は第1電極用外部接続用電極102′a及び第2電極用外部接続用電極104′aの一部を除き第2電極(陰極)104′の上及び導電層105′の上と周囲に設けられた接着剤層を示す。107′は接着剤層106′を介して貼着された封止部材を示す。   Reference numeral 106 ′ denotes a part on the second electrode (cathode) 104 ′ and on and around the conductive layer 105 ′ except for a part of the first electrode external connection electrode 102 ′ a and the second electrode external connection electrode 104 ′ a. The adhesive layer provided in is shown. Reference numeral 107 'denotes a sealing member attached through an adhesive layer 106'.

(c)に付き説明する。   This will be described with reference to (c).

図中、1″は図1の(a)に示す製造フロー図に従って製造された有機エレクトロニクスパネルを示す。101″は基材を示す。102″は第1電極(陽極)を示し、102″aは第1電極102″の第1電極用外部接続用電極を示す。103″は第1電極用外部接続用電極102″aの上を除いて第1電極102″の上、及び周囲に形成された有機物層を含む有機機能層を示す。104″は第1電極102″の大きさに合わせ、有機機能層の上と基材101″の上に形成された第2電極(陰極)を示す。104″aは第2電極(陰極)104″と一体で形成された第2電極(陰極)の第2電極用外部接続用電極を示す。105″は第1電極用外部接続用電極102″a及び第2電極用外部接続用電極104″aの一部を除き第2電極(陰極)104″の上と周囲に設けられた接着剤層を示す。106″は接着剤層105″を介して貼着された封止部材を示す。   In the figure, 1 ″ represents an organic electronics panel manufactured according to the manufacturing flow diagram shown in FIG. 1 (a). 101 ″ represents a substrate. 102 ″ represents the first electrode (anode), 102 ″ a represents the first electrode external connection electrode for the first electrode 102 ″, and 103 ″ represents the first electrode external connection electrode 102 ″ a. The organic functional layer including the organic material layer formed on and around the first electrode 102 ″ is shown. Reference numeral 104 ″ denotes a second electrode (cathode) formed on the organic functional layer and the base material 101 ″ in accordance with the size of the first electrode 102 ″. 104 ″ a indicates the second electrode (cathode) 104. ″ Denotes an external connection electrode for the second electrode of the second electrode (cathode) formed integrally with ″. 105 ″ denotes an external connection electrode for the first electrode 102 ″ a and an external connection electrode for the second electrode 104 ″. An adhesive layer provided on and around the second electrode (cathode) 104 "except a part of a is shown. 106" is a sealing member attached via an adhesive layer 105 ".

図1の(a)、(b)、(c)に示される有機エレクトロニクスパネルは、有機EL素子としては第1電極用外部接続用電極と第2電極用外部接続用電極とから直流が供給されることにより、基材から光が発せられる。又、有機PV素子では、基材から光が照射されることで直流の起電力が発生し、第1電極用外部接続用電極と第2電極用外部接続用電極とから電力が取り出される。   The organic electronics panel shown in FIGS. 1A, 1B, and 1C is supplied with direct current from the first electrode external connection electrode and the second electrode external connection electrode as the organic EL element. As a result, light is emitted from the substrate. Further, in the organic PV element, a direct electromotive force is generated by irradiating light from the base material, and power is taken out from the first electrode external connection electrode and the second electrode external connection electrode.

本発明は、図1の(a)、(b)、(c)に示される有機エレクトロニクスパネルを作製する際、有機機能層の不要領域を払拭方式で除去する時、ゴミの発生を防止し、払拭残りに伴うショートやダークスポットの発生を防止し、素子寿命を長寿命化し、性能品質が安定している有機エレクトロニクスパネルの製造方法に関するものである。   When producing the organic electronics panel shown in FIGS. 1A, 1B, and 1C, the present invention prevents the generation of dust when removing unnecessary areas of the organic functional layer by a wiping method. The present invention relates to a method for manufacturing an organic electronics panel that prevents the occurrence of short circuits and dark spots due to unwiping, extends the lifetime of the element, and stabilizes the performance quality.

有機機能層とは、有機ELパネルの場合、例えば正孔注入・輸送層/発光層/電子注入・輸送層を指す。又、有機PVパネルの場合、例えば正孔輸送・電子ブロック層/光電変換層/電子輸送・正孔ブロック層を指す。有機ELパネル及び有機PVパネルの構成に関しては後述する。   In the case of an organic EL panel, the organic functional layer refers to, for example, a hole injection / transport layer / light emitting layer / electron injection / transport layer. In the case of an organic PV panel, for example, it refers to a hole transport / electron blocking layer / photoelectric conversion layer / electron transport / hole blocking layer. The configuration of the organic EL panel and the organic PV panel will be described later.

次に図1に示す有機エレクトロニクスパネル(a)、(b)、(c)の作製を図2から図7に示す製造フロー図で具体的に説明する。   Next, the production of the organic electronics panels (a), (b), and (c) shown in FIG. 1 will be specifically described with reference to the manufacturing flowcharts shown in FIGS.

図2は図1に示される有機エレクトロニクスパネル(a)を作製する基材供給工程からクリーニング工程までの工程フロー図である。   FIG. 2 is a process flow diagram from the substrate supplying process to the cleaning process for producing the organic electronics panel (a) shown in FIG.

図3は図1に示される有機エレクトロニクスパネル(a)を作製する第2電極形成工程から回収工程までの工程フロー図である。   FIG. 3 is a process flow diagram from the second electrode formation process to the recovery process for producing the organic electronics panel (a) shown in FIG.

尚、図2及び図3で右側は、A−A′に沿った拡大概略断面図である。図1に示される有機エレクトロニクスパネル(a)は、図2及び図3に示させる工程フロー図に示される基材供給工程、第1電極形成工程、有機機能層形成工程、パターニング工程、クリーニング工程、第2電極形成工程、封止工程、回収工程に従って作製される。以下、図2及び図3で図1に示される有機エレクトロニクスパネル(a)の作製に付き説明する。   2 and 3, the right side is an enlarged schematic cross-sectional view along AA ′. The organic electronics panel (a) shown in FIG. 1 includes a substrate supply step, a first electrode formation step, an organic functional layer formation step, a patterning step, a cleaning step, as shown in the process flow diagrams shown in FIGS. It is produced according to the second electrode forming step, the sealing step, and the recovery step. Hereinafter, the production of the organic electronics panel (a) shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS.

基材供給工程では、帯状又は枚葉状の基材が必要に合わせて供給される。帯状の基材の場合はロール状の帯状の基材から繰り出される状態で連続的に供給される。本図は帯状シート状基材が供給された場合を示している。   In the base material supply step, a strip-shaped or single-wafer-shaped base material is supplied as necessary. In the case of a strip-shaped base material, it is continuously supplied in a state of being fed out from a roll-shaped strip-shaped base material. This figure has shown the case where a strip | belt-shaped sheet-like base material is supplied.

第1電極形成工程では、基材供給工程から供給された基材101の上に第1電極用外部接続用電極を形成する部分を含む第1電極102と、リード部102bがパターニングされた状態で形成される。   In the first electrode forming step, the first electrode 102 including a portion for forming the first electrode external connection electrode on the base material 101 supplied from the base material supplying step and the lead portion 102b are patterned. It is formed.

有機機能層形成工程では、第1電極形成工程から供給される第1電極用外部接続用電極を形成する部分を含む第1電極102と、リード部102bとが形成された基材101の全面に有機機能層103が形成される。   In the organic functional layer forming step, the first electrode 102 including the portion for forming the first electrode external connection electrode supplied from the first electrode forming step, and the entire surface of the substrate 101 on which the lead portion 102b is formed. An organic functional layer 103 is formed.

パターニング工程では、有機機能層形成工程から供給される全面に有機機能層103を形成した基材101の有機機能層103の不要領域(非機能発現領域)(例えば、有機ELパネルでは非発光部分、有機PVパネルでは起電力の非発生部分)が払拭方式により払拭除去される。本図では、第1電極102の第1電極用外部接続用電極102aの形成部分及びリード部102bが出現する様に基材103の上を含め払拭除去される。   In the patterning step, an unnecessary region (non-functional expression region) of the organic functional layer 103 of the base material 101 in which the organic functional layer 103 is formed on the entire surface supplied from the organic functional layer forming step (for example, a non-light emitting portion in an organic EL panel, In the organic PV panel, a portion where no electromotive force is generated is wiped off by a wiping method. In this figure, the first electrode 102 is wiped and removed including the upper portion of the base material 103 so that the formation portion of the first electrode external connection electrode 102a and the lead portion 102b appear.

クリーニング工程では、パターニング工程から供給されるパターニングされた有機機能層を有する基材に対して、パターニング工程での払拭残り、払拭で発生した有機機能層の付着箇所のクリーニングがドライエッチング方式で行われる。ドライエッチング方式としては特に限定はないが、例えば大気圧プラズマ処理が挙げられる。   In the cleaning process, with respect to the substrate having the patterned organic functional layer supplied from the patterning process, the remaining wiping in the patterning process and the cleaning of the adhered portion of the organic functional layer generated by the wiping are performed by a dry etching method. . Although there is no limitation in particular as a dry etching system, For example, atmospheric pressure plasma processing is mentioned.

第2電極形成工程では、クリーニング工程から供給されるクリーニング済みの基材の上に形成されている第1電極102上の有機機能層103の上に第1電極102の大きさに合わせリード部102bと接合する様に第2電極104が形成され、リード部102bと第2電極104とが接合することで第2電極用外部接続用電極104が形成される。   In the second electrode forming step, the lead portion 102b is adjusted to the size of the first electrode 102 on the organic functional layer 103 on the first electrode 102 formed on the cleaned substrate supplied from the cleaning step. The second electrode 104 is formed so as to be joined to each other, and the lead electrode 102b and the second electrode 104 are joined to form the second electrode external connection electrode 104.

封止工程では、第2電極形成工程から供給される第2電極104及び第2電極用外部接続用電極104aとが形成された基材101の上に形成されている、第1電極用外部接続用電極102aと、第2電極用外部接続用電極104aとの一部を除き第2電極104の上と周囲に設けられた接着剤を介して封止部材106を貼着し封止された有機エレクトロニクスパネル1(図1の(a)の構成)が作製される。   In the sealing step, the first electrode external connection formed on the substrate 101 on which the second electrode 104 and the second electrode external connection electrode 104a supplied from the second electrode forming step are formed. The sealing member 106 is attached and sealed with an adhesive provided on and around the second electrode 104 except for a part of the electrode for electrode 102a and the second electrode external connection electrode 104a. The electronics panel 1 (configuration shown in FIG. 1A) is manufactured.

回収工程では、封止工程から供給される有機エレクトロニクスパネルが回収される。回収の方式は使用する基材により変えられる。使用した基材が帯状の場合は、例えばロール状に巻き取られ回収した後、別の工程で必要とするユニットに断裁される。又は、必要とする大きさに断裁された後に回収する。使用した基材が枚葉状の場合は、例えば、1枚毎に積み重ねて回収した後、別の工程で必要とする大きさに断裁される。又は、必要とする大きさに断裁された後に回収する。   In the recovery process, the organic electronics panel supplied from the sealing process is recovered. The method of recovery varies depending on the substrate used. When the used base material is strip | belt shape, for example, after winding up and collect | recovering in roll shape, it cuts into the unit required by another process. Or it collects after cutting to the required size. When the used base material is sheet-like, for example, after being stacked and collected one by one, it is cut into a size required in another process. Or it collects after cutting to the required size.

尚、本図は第1電極形成工程で基材の搬送方向に1列の第1電極用外部接続用電極を形成する部分を含む第1電極と、リード部とがパターン化して形成されている場合を示しているが、基材の横手方向に第1電極と、リード部との間に複数の第1電極を形成しても構わない。   In this figure, the first electrode including a portion for forming the first electrode external connection electrodes in a row in the substrate transport direction in the first electrode forming step and the lead portion are formed in a pattern. Although the case is shown, a plurality of first electrodes may be formed between the first electrode and the lead portion in the transverse direction of the substrate.

図4は図1に示される有機エレクトロニクスパネル(c)を作製する基材供給工程からクリーニング工程までの工程フロー図である。   FIG. 4 is a process flow diagram from the substrate supplying process to the cleaning process for producing the organic electronics panel (c) shown in FIG.

図5は図1に示される有機エレクトロニクスパネル(c)を作製する第2電極形成工程から回収工程までの工程フロー図である。   FIG. 5 is a process flow diagram from the second electrode formation process to the recovery process for producing the organic electronics panel (c) shown in FIG.

尚、図4及び図5で右側は、B−B′に沿った拡大概略断面図である。図1に示される有機エレクトロニクスパネル(a)は、図4及び図5に示させる工程フロー図に示される基材供給工程、第1電極形成工程、有機機能層形成工程、パターニング工程、クリーニング工程、第2電極形成工程、封止工程、回収工程に従って作製される。以下、図4及び図5で図1に示される有機エレクトロニクスパネル(c)の作製に付き説明する。   4 and 5, the right side is an enlarged schematic cross-sectional view along BB '. The organic electronics panel (a) shown in FIG. 1 includes a base material supplying step, a first electrode forming step, an organic functional layer forming step, a patterning step, a cleaning step, as shown in the process flow charts shown in FIGS. It is produced according to the second electrode forming step, the sealing step, and the recovery step. Hereinafter, the production of the organic electronics panel (c) shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS.

基材供給工程は、図2に示す基材供給工程と同じであるため説明は省略する。   The base material supplying step is the same as the base material supplying step shown in FIG.

第1電極形成工程では、基材供給工程から供給された基材101″の上に、第1電極用外部接続用電極を形成する部分を含む第1電極102″がパターニングされた状態で形成される。   In the first electrode forming step, the first electrode 102 ″ including a portion for forming the first electrode external connection electrode is formed on the base material 101 ″ supplied from the base material supplying step in a patterned state. The

有機機能層形成工程では、第1電極形成工程から供給される第1電極用外部接続用電極を形成する部分を含む第1電極102″が形成された基材101″の全面に有機機能層103″が形成される。   In the organic functional layer forming step, the organic functional layer 103 is formed on the entire surface of the base material 101 ″ on which the first electrode 102 ″ including the portion for forming the first electrode external connection electrode supplied from the first electrode forming step is formed. ″ Is formed.

パターニング工程では、有機機能層形成工程から供給される全面に有機機能層103″を形成した基材101″の全面に形成された有機機能層103″の不要領域(例えば、有機ELパネルでは非発光部分、有機PVパネルでは起電力の非発生部分)が払拭除去される。本図では、第1電極102″の第1電極用外部接続用電極102a″形成部分が出現する様に基材103″の上を含め払拭除去される。   In the patterning step, an unnecessary region of the organic functional layer 103 ″ formed on the entire surface of the substrate 101 ″ formed with the organic functional layer 103 ″ on the entire surface supplied from the organic functional layer forming step (for example, non-light emission in the organic EL panel) The portion of the organic PV panel where no electromotive force is generated is wiped away. In this figure, the base material 103 ″ is formed so that the first electrode external connection electrode 102a ″ forming portion of the first electrode 102 ″ appears. Wipe off including the top.

クリーニング工程では、パターニング工程から供給されるパターニングされた有機機能層を有する基材103″に対して、パターニング工程での払拭残り、払拭で発生し有機機能層及び払拭した箇所付着したクリーニングの除去がドライエッチング方式で行われる。   In the cleaning process, the substrate 103 ″ having the patterned organic functional layer supplied from the patterning process is left unwiped in the patterning process, and the organic functional layer generated by the wiping and the removal of the cleaning adhered to the wiped portion are removed. The dry etching method is used.

第2電極形成工程では、クリーニング工程から供給されるクリーニング済みの基材103″の上に形成されている第1電極102″上の有機機能層103″の上に第1電極102″の大きさに合わせ第2電極104″と、第2電極104″と一体化した第2電極用外部接続用電極104″aが基材の上に形成される。   In the second electrode forming step, the size of the first electrode 102 "is formed on the organic functional layer 103" on the first electrode 102 "formed on the cleaned substrate 103" supplied from the cleaning step. Accordingly, the second electrode 104 ″ and the second electrode external connection electrode 104 ″ a integrated with the second electrode 104 ″ are formed on the substrate.

封止工程では、第2電極形成工程から供給される第2電極104″及び第2電極用外部接続用電極104″aとが形成された基材の上に形成されている、第1電極用外部接続用電極102″aと、第2電極用外部接続用電極104″aとの一部を除き第2電極104″の上と周囲に設けられた接着剤を介して封止部材106″を貼着し封止された有機エレクトロニクスパネル1″(図1の(c)の構成)が作製される。   In the sealing step, the second electrode 104 ″ supplied from the second electrode forming step and the second electrode external connection electrode 104 ″ a are formed on the substrate on which the first electrode is formed. Except for a part of the external connection electrode 102 ″ a and the second electrode external connection electrode 104 ″ a, the sealing member 106 ″ is attached via an adhesive provided on and around the second electrode 104 ″. An organic electronics panel 1 ″ (the configuration shown in FIG. 1C) that is adhered and sealed is produced.

回収工程は図2に示す回収工程と同じであるため説明は省略する。   Since the collection process is the same as the collection process shown in FIG.

尚、本図は第1電極形成工程で基材の搬送方向に1列の第1電極用外部接続用電極を形成する部分を含む第1電極とパターン化して形成されている場合を示しているが、基材の横手方向に複数の第1電極を形成しても構わない。   In addition, this figure has shown the case where it forms by patterning with the 1st electrode including the part which forms the electrode for 1st electrode external connection electrodes in the conveyance direction of a base material in the 1st electrode formation process. However, a plurality of first electrodes may be formed in the transverse direction of the substrate.

図6は図1に示される有機エレクトロニクスパネル(b)を作製する基材供給工程からクリーニング工程までの工程フロー図である。   FIG. 6 is a process flow diagram from the substrate supplying process to the cleaning process for producing the organic electronics panel (b) shown in FIG.

図7は図1に示される有機エレクトロニクスパネル(b)を作製する第2電極形成工程から回収工程までの工程フロー図である。   FIG. 7 is a process flow diagram from the second electrode formation process to the recovery process for producing the organic electronics panel (b) shown in FIG.

尚、図6及び図7で右側は、C−C′に沿った拡大概略断面図である。図1に示される有機エレクトロニクスパネル(b)は、図6及び図7に示させる工程フロー図に示される基材供給工程、第1電極形成工程、有機機能層形成工程、パターニング工程、クリーニング工程、第2電極形成工程、封止工程、回収工程に従って作製される。以下、図6及び図7で図1に示される有機エレクトロニクスパネル(b)の作製に付き説明する。   6 and 7, the right side is an enlarged schematic cross-sectional view along CC ′. The organic electronics panel (b) shown in FIG. 1 includes a substrate supply step, a first electrode formation step, an organic functional layer formation step, a patterning step, a cleaning step, as shown in the process flow diagrams shown in FIGS. It is produced according to the second electrode forming step, the sealing step, and the recovery step. Hereinafter, the production of the organic electronics panel (b) shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS.

基材供給工程は、図2に示す基材供給工程と同じであるため説明は省略する。   The base material supplying step is the same as the base material supplying step shown in FIG.

第1電極形成工程では、基材供給工程から供給された基材101′の上に第1電極用外部接続用電極を形成する部分を含む第1電極102′と、リード部102′bがパターニングされた状態で形成される。   In the first electrode forming step, the first electrode 102 ′ including a portion for forming the first electrode external connection electrode on the base material 101 ′ supplied from the base material supplying step, and the lead portion 102′b are patterned. Formed in the state.

有機機能層形成工程では、第1電極形成工程から供給される第1電極用外部接続用電極を形成する部分を含む第1電極102′と、リード部102′bとが形成された基材101′の全面に有機機能層103′が形成される。   In the organic functional layer forming step, the base material 101 on which the first electrode 102 'including the portion for forming the first electrode external connection electrode supplied from the first electrode forming step and the lead portion 102'b is formed. An organic functional layer 103 ′ is formed on the entire surface of ′.

パターニング工程では、有機機能層形成工程から供給される全面に有機機能層103′を形成した基材101′の有機機能層103′の不要領域(例えば、有機ELパネルでは非発光部分、有機PVパネルでは起電力の非発生部分)が払拭除去される。本図では、第1電極102′の第1電極用外部接続用電極102′a形成部分及びリード部102′bが出現する様に払拭除去される。   In the patterning step, unnecessary regions of the organic functional layer 103 ′ of the base material 101 ′ in which the organic functional layer 103 ′ is formed on the entire surface supplied from the organic functional layer forming step (for example, a non-light emitting portion in an organic EL panel, an organic PV panel) Then, the portion where no electromotive force is generated is wiped away. In this drawing, the first electrode 102 'is wiped and removed so that the first electrode external connection electrode 102'a forming portion and the lead portion 102'b appear.

クリーニング工程では、パターニング工程から供給されるパターニングされた有機機能層103′を有する基材101′に対してパターニング工程での払拭残り、及び払拭で発生し有機機能層及び払拭した箇所に付着したゴミの除去がドライエッチング方式で行われる。   In the cleaning process, the substrate 101 ′ having the patterned organic functional layer 103 ′ supplied from the patterning process is left uncleaned in the patterning process, and dust generated by wiping and adhering to the organic functional layer and the wiped portion. Removal is performed by a dry etching method.

第2電極形成工程では、クリーニング工程から供給されるクリーニング済みの基材101′の上に形成されている第1電極102′上の有機機能層103′の上に第1電極102′の大きさに合わせ第2電極104′が形成される。   In the second electrode forming step, the size of the first electrode 102 'is formed on the organic functional layer 103' on the first electrode 102 'formed on the cleaned substrate 101' supplied from the cleaning step. Accordingly, the second electrode 104 'is formed.

導電層形成工程では、第2電極形成工程から供給される第2電極104′が形成された基材101′の第2電極104′の一部とリード部102′bの一部とを接続する様に導電層105′が形成される。リード部102′bと導電層105′とが接合することで第2電極用外部接続用電極104′aが形成される。   In the conductive layer forming step, a part of the second electrode 104 ′ of the base 101 ′ on which the second electrode 104 ′ supplied from the second electrode forming step is formed is connected to a part of the lead portion 102′b. Thus, a conductive layer 105 'is formed. The lead portion 102'b and the conductive layer 105 'are joined to form the second electrode external connection electrode 104'a.

封止工程では、第2電極形成工程から供給される第2電極104′及び第2電極用外部接続用電極104′aとが形成された基材101′の上に形成されている、第1電極用外部接続用電極102′aと、第2電極用外部接続用電極104′aとの一部を除き第2電極104′の上と周囲に設けられた接着剤を介して封止部材107′を貼着し封止された有機エレクトロニクスパネル1′(図1の(b)の構成)が作製される。   In the sealing step, the first electrode 104 ′ and the second electrode external connection electrode 104 ′ supplied from the second electrode formation step are formed on the base material 101 ′ on which the first electrode is formed. Except for a part of the electrode external connection electrode 102 ′ a and the second electrode external connection electrode 104 ′ a, the sealing member 107 is interposed via an adhesive provided on and around the second electrode 104 ′. An organic electronics panel 1 '(configuration shown in FIG. 1B) is prepared by sticking and sealing.

回収工程は、図2に示す回収工程と同じであるため説明は省略する。   Since the recovery process is the same as the recovery process shown in FIG.

尚、本図は第1電極形成工程で基材の搬送方向に1列の第1電極用外部接続用電極を形成する部分を含む第1電極と、リード部とがパターン化して形成されている場合を示しているが、基材の横手方向に第1電極と、リード部との間に複数の第1電極を形成しても構わない。   In this figure, the first electrode including a portion for forming the first electrode external connection electrodes in a row in the substrate transport direction in the first electrode forming step and the lead portion are formed in a pattern. Although the case is shown, a plurality of first electrodes may be formed between the first electrode and the lead portion in the transverse direction of the substrate.

図2から図4は有機機能層が1層の場合を示しているが有機機能層が多層の場合、パターニング工程及びクリーニング工程で処理の方法は次の方法が挙げられ必要に応じて適宜選択することが可能である。
1)各層毎にパターニング工程及びクリーニング工程で処理を行った後、有機機能層形成工程で有機機能層を積層することを繰り返し行う。
2)有機機能層を必要とする多層に形成した後、パターニング工程及びクリーニング工程で処理する。
FIGS. 2 to 4 show the case where the organic functional layer is one layer. However, when the organic functional layer is a multilayer, the processing methods in the patterning step and the cleaning step are as follows, and are appropriately selected as necessary. It is possible.
1) After performing the processing in the patterning step and the cleaning step for each layer, the organic functional layer is repeatedly laminated in the organic functional layer forming step.
2) After the organic functional layer is formed in a required multilayer, it is processed in a patterning step and a cleaning step.

尚、各層毎にパターニング工程のみでの処理を行い、有機機能層を積層し最後に、クリーニング工程で処理する方法は各層毎に行うパターニング工程で発生し有機機能層に付着したゴミの除去が出来なくなるため好ましくない。有機機能層の表面に付着したゴミが第1電極(陽極)と第2電極(陰極)とを短絡させる原因となったり、ダークスポットとなったりする可能性がある。   In addition, the process only in the patterning process is performed for each layer, the organic functional layer is stacked, and finally, the process in the cleaning process can remove dust generated in the patterning process performed for each layer and adhered to the organic functional layer. Since it disappears, it is not preferable. There is a possibility that dust adhering to the surface of the organic functional layer may cause a short circuit between the first electrode (anode) and the second electrode (cathode) or may become a dark spot.

第2電極(陰極)表面や基材の表面に付着したゴミは、有機機能層や第1電極(陽極)とを短絡させる原因とはならないが、第2電極(陰極)と導電層間や、リード部と導電層間の接触を劣化させたり、その後に続く封止工程において封止剤との接着性を低下させ有機エレクトロニクスパネルの防湿性が劣化し、有機エレクトロニクスパネルの寿命を短くする。   Dust adhering to the surface of the second electrode (cathode) or the surface of the base material does not cause a short circuit between the organic functional layer and the first electrode (anode), but the second electrode (cathode) and the conductive layer, lead This deteriorates the contact between the conductive layer and the conductive layer, or lowers the adhesion to the sealant in the subsequent sealing process, thereby deteriorating the moisture resistance of the organic electronics panel and shortening the life of the organic electronics panel.

次に、パターニング工程で使用する払拭装置に付き説明する。払拭装置としては基材上に形成された有機機能層の不要な箇所を精密且つ迅速に除去しパターニングが出来れば特に限定はない。例えば、有機機能層を溶媒により溶解或いは膨潤し、吸い取り除去する方法や、拭い取る方法、又、溶剤により「湿らせた」軟質ヘッド又テープ状部材等を有機機能層に接触させ連続的に、基材上の全面に製膜された有機機能層から、その一部を除去する方法が挙げられる。以下に溶剤により「湿らせた」テープ状部材を使用した払拭装置による有機機能層の不要な箇所の除去方法に付き説明する。   Next, the wiping device used in the patterning process will be described. The wiping device is not particularly limited as long as unnecessary portions of the organic functional layer formed on the substrate can be accurately and quickly removed and patterned. For example, a method in which an organic functional layer is dissolved or swollen with a solvent and sucked and removed, a method of wiping, or a soft head or tape-like member that has been “moistened” with a solvent is brought into contact with the organic functional layer continuously. A method of removing a part of the organic functional layer formed on the entire surface of the base material can be mentioned. A method for removing unnecessary portions of the organic functional layer by a wiping apparatus using a tape-like member “moistened” with a solvent will be described below.

尚、図2から図4に示す第1電極形成工程では基材の搬送方向に1列の第1電極用外部接続用電極を形成する部分を含む第1電極と、リード部とがパターン化して形成されている場合を示しているが、第1電極と、リード部との間に複数の第1電極を形成しても構わない。   In the first electrode forming step shown in FIGS. 2 to 4, the first electrode including a portion for forming a row of first electrode external connection electrodes in the substrate transport direction and the lead portion are patterned. Although the case where it forms is shown, you may form a some 1st electrode between a 1st electrode and a lead part.

図8はパターニング工程の概略図である。図8(a)はパターニング工程の概略斜視図である。図8(b)は図8(a)のD−D′に沿った拡大概略断面図である。   FIG. 8 is a schematic view of the patterning process. FIG. 8A is a schematic perspective view of the patterning process. FIG. 8B is an enlarged schematic cross-sectional view along the line DD ′ in FIG.

図中、2はパターニング工程を示す。パターニング工程2は基材3を保持するローラー4と、第1払拭装置5と、第2払拭装置6とを使用している。ローラー4は回転可能に両側を保持部材(不図示)により保持されている。払拭装置の数は基材3上に形成されている第1電極用外部接続用電極を形成する部分を含む第1電極7の数、リード部の有無により、払拭する位置が異なるため払拭する位置の数に合わせ適宜調整することが可能である。本図は基材3の搬送方向(図中の矢印方向)に一列に第1電極用外部接続用電極を形成する部分を含む第1電極7とリード部7aとが配置された場合を示している。   In the figure, 2 indicates a patterning step. The patterning step 2 uses a roller 4 that holds the substrate 3, a first wiping device 5, and a second wiping device 6. The roller 4 is rotatably held on both sides by holding members (not shown). The number of wiping devices depends on the number of the first electrodes 7 including the portion for forming the first electrode external connection electrode formed on the base material 3 and the position to be wiped depending on the presence or absence of the lead portion. It is possible to adjust appropriately according to the number. This figure shows the case where the 1st electrode 7 and the lead part 7a including the part which forms the electrode for 1st electrode external connection in a line in the conveyance direction (arrow direction in a figure) of the base material 3 are arrange | positioned. Yes.

8は基材3の全面に形成された有機機能層を示す。第1電極の第1電極用外部接続用電極701形成部分とリード部7aとの上に形成されている有機機能層8(図面上の斜線で示される部分)の不要領域を除去するために、第1払拭装置5と、第2払拭装置6との2台が配置されている。第1払拭装置5と第2払拭装置6とは同じ構造となっているため、第1払拭装置5の構造に付き説明する。   Reference numeral 8 denotes an organic functional layer formed on the entire surface of the substrate 3. In order to remove unnecessary regions of the organic functional layer 8 (portion indicated by hatching in the drawing) formed on the first electrode external connection electrode 701 forming portion of the first electrode and the lead portion 7a, Two units, a first wiping device 5 and a second wiping device 6 are arranged. Since the first wiping device 5 and the second wiping device 6 have the same structure, the structure of the first wiping device 5 will be described.

第1払拭装置5は、払拭部材503の送り出しロール501と巻き取りロール502と、押圧ロール504と、溶剤タンク505とを有している。本図では払拭部材503として帯状部材を使用している場合を示している。503aは送り出しロール501に装填されたロール状の払拭部材を示し、502aは巻き取りロール502にロール状に巻き取られた払拭部材を示す。尚、払拭部材503の搬送方向は基材の搬送方向と逆方向であっても構わない。   The first wiping device 5 includes a feed roll 501, a take-up roll 502, a pressing roll 504, and a solvent tank 505 for the wiping member 503. In this figure, the case where the strip | belt-shaped member is used as the wiping member 503 is shown. Reference numeral 503a denotes a roll-shaped wiping member loaded on the delivery roll 501, and reference numeral 502a denotes a wiping member wound on the take-up roll 502 in a roll shape. In addition, the conveyance direction of the wiping member 503 may be opposite to the conveyance direction of the base material.

溶剤タンク505の溶剤は溶剤供給管505aを介して払拭部材503に常に含浸させる様になっている。   The solvent in the solvent tank 505 is always impregnated in the wiping member 503 via the solvent supply pipe 505a.

押圧ロール504は、シリンダ504aに上下移動(図中の矢印方向)が可能に接続されており、所望の圧力で払拭部材503を基材3の上の有機機能層8に対して押圧することが可能となっている。押圧ロール504により払拭部材503を有機機能層8上に押圧接触する位置は、ローラー504と基材3とが接触する位置が、安定した圧力で押圧接触が出来ることから好ましい。尚、第1払拭装置5と第2払拭装置6とには基材3の払拭する位置に押圧ロール504の位置を合わせるための位置調整手段を有している。   The pressing roll 504 is connected to the cylinder 504a so as to be movable up and down (in the direction of the arrow in the drawing), and can press the wiping member 503 against the organic functional layer 8 on the substrate 3 with a desired pressure. It is possible. The position where the wiping member 503 is pressed and contacted on the organic functional layer 8 by the pressing roll 504 is preferable because the position where the roller 504 and the base material 3 are contacted can be pressed with stable pressure. The first wiping device 5 and the second wiping device 6 have position adjusting means for adjusting the position of the pressing roll 504 to the position where the base material 3 is wiped.

本図に示される払拭装置は、連続的に搬送される基材の上に形成された有機機能層の不要な箇所(本図では、第1払拭装置5は第1電極7の第1電極用外部接続用電極701形成部分の上と周辺部に形成された有機機能層8、第2払拭装置6はリード部7aの上、及びリード部7aと第1電極7の第1電極用外部接続用電極701形成部分の周辺部に形成された有機機能層8)に溶剤が含浸された払拭部材を送り出しながら押圧接触させることで、連続的に有機機能層の不要な箇所を払拭除去することで連続的に第1電極7の第1電極用外部接続用電極701の形成部分及びリード部7aの表面を露出させることを可能にしている。   The wiping device shown in this figure is an unnecessary portion of the organic functional layer formed on the substrate that is continuously conveyed (in this figure, the first wiping device 5 is used for the first electrode of the first electrode 7. The organic functional layer 8 formed on and around the external connection electrode 701 forming portion and the second wiping device 6 are on the lead portion 7a and for external connection of the lead portion 7a and the first electrode 7 for the first electrode. The organic functional layer 8) formed in the periphery of the electrode 701 forming portion is continuously contacted by wiping and removing unnecessary portions of the organic functional layer by pressing and contacting the wiping member impregnated with the solvent while sending it out. In particular, it is possible to expose the formation portion of the first electrode external connection electrode 701 of the first electrode 7 and the surface of the lead portion 7a.

尚、本図は連続的に搬送される基材の上に形成された有機機能層の不要な箇所を連続して除去するため払拭する箇所に合わせ2台の払拭装置を配設した場合を示したが、機材が枚葉シートの場合は、基材を固定し払拭装置を移動させる方式にしても構わない。   In addition, this figure shows the case where two wiping devices are arranged in accordance with the location to be wiped in order to continuously remove unnecessary portions of the organic functional layer formed on the substrate that is continuously conveyed. However, when the equipment is a single sheet, the base material may be fixed and the wiping device may be moved.

払拭部材503として帯状の払拭部材の場合は、搬送に耐える物性、溶媒が含浸し、耐溶剤性、溶解した有機機能層を吸収出来る材質であれば特に限定はなく、例えば多孔質、耐溶剤性、又繊維質の、織布、不織布等が挙げられる。   In the case of a strip-shaped wiping member as the wiping member 503, there is no particular limitation as long as it is a material that can withstand physical properties, impregnation with a solvent, solvent resistance, and a material that can absorb a dissolved organic functional layer, for example, porous, solvent resistance Moreover, fibrous woven fabric, nonwoven fabric, etc. are mentioned.

払拭部材503の幅は、払拭する有機機能層の幅に対して、基材に対する溶剤の濡れ性、有機溶媒の有機機能層への浸透性等を考慮し、100%から80%の範囲が好ましく、95%から80%の範囲が特に好ましい。   The width of the wiping member 503 is preferably in the range of 100% to 80% with respect to the width of the organic functional layer to be wiped in consideration of the wettability of the solvent with respect to the base material and the permeability of the organic solvent into the organic functional layer. A range of 95% to 80% is particularly preferable.

払拭部材503の厚さは、溶媒の含浸量、溶解した有機機能層の吸収量等を考慮し、0.1mmから10mmが好ましい。   The thickness of the wiping member 503 is preferably 0.1 mm to 10 mm in consideration of the amount of impregnation of the solvent, the amount of absorption of the dissolved organic functional layer, and the like.

払拭部材503へ供給する溶媒の量は、有機溶媒の有機機能層への浸透性を考慮し、0.01mlから1mlが好ましい。   The amount of the solvent supplied to the wiping member 503 is preferably 0.01 ml to 1 ml in consideration of the permeability of the organic solvent to the organic functional layer.

払拭部材503の有機機能層への押圧力は、有機機能層の払拭性、第1電極、リード部への損傷抑制等を考慮し、9.81×10Paから4.91×10Paの範囲が好ましい。 The pressing force of the wiping member 503 on the organic functional layer is 9.81 × 10 3 Pa to 4.91 × 10 5 Pa in consideration of wiping property of the organic functional layer, suppression of damage to the first electrode and the lead portion, and the like. The range of is preferable.

払拭部材503の送り出し速度は基材3との相対速度として、有機機能層の溶解吸収、払拭部材に含浸している溶媒の横方向への広がりによる有機機能層の溶解、有機機能層の拭き取り部分の乱れに伴うパターニングの精度等を考慮し、1cm/秒から50cm/秒の範囲が好ましい。   The delivery speed of the wiping member 503 is a relative speed with respect to the base material 3, and the organic functional layer is dissolved and absorbed, the organic functional layer is dissolved by the lateral spreading of the solvent impregnated in the wiping member, and the organic functional layer is wiped off. In consideration of the patterning accuracy accompanying the disturbance of the thickness, the range of 1 cm / second to 50 cm / second is preferable.

本図に示す払拭装置は払拭部材として帯状払拭部材を使用した場合を示しているが、帯状払拭部材の代わりに溶剤吸収性且つ弾性がある多孔性の(例えばスポンジ状)材料からなるブレードを用いてこれを基材に押圧して拭き取る方法でもよい。   The wiping device shown in this figure shows a case where a belt-like wiping member is used as the wiping member, but instead of the belt-like wiping member, a blade made of a porous (for example, sponge-like) material having solvent absorption and elasticity is used. Alternatively, it may be pressed against the substrate and wiped off.

ブレードに使用する材料としては、例えばスポンジ、エラストマー、熱可塑性樹脂、繊維マット、多孔質材料、ポリウレタンゴム、合成ゴム、天然ゴム、シリコーン等の材料又はこれらの組み合わせからなる耐溶剤性の材料で構成されてもよい。   The material used for the blade is composed of, for example, a material such as sponge, elastomer, thermoplastic resin, fiber mat, porous material, polyurethane rubber, synthetic rubber, natural rubber, silicone, or a solvent resistant material made of a combination thereof. May be.

ブレードの形状は効率よく拭き取りが出来れば特に限定されないが、例えば台形の断面形状を好ましく用いることが出来る。この形状は、先端のとがった断面形状、正方形の断面形状、先端の丸い断面形状などの幾何学的断面形状を有していてもよく、掻き取る或いは拭き取る有機層の性質、掻き取り速度等に合わせて設計してよい。更に、所定の厚みを持ち先端は弾性を持つため、拭き取り時には、撓み、ブレードとして、基材を擦り、有機機能層を拭き取ることが出来る。   The shape of the blade is not particularly limited as long as it can be wiped off efficiently. For example, a trapezoidal cross-sectional shape can be preferably used. This shape may have a geometrical cross-sectional shape such as a pointed cross-sectional shape, a square cross-sectional shape, a rounded cross-sectional shape at the tip, etc., depending on the nature of the organic layer to be scraped or wiped off, the scraping speed, etc. You may design together. Further, since the tip has a predetermined thickness and the tip has elasticity, at the time of wiping, the organic functional layer can be wiped by bending and rubbing the substrate as a blade.

払拭部材503に含浸させる溶媒としては有機機能層を除去する際に、拭き取りを容易にする組成であれば如何なる溶媒でもよく、例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等のハロゲン系炭化水素系溶媒や、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソールなどのエーテル系溶媒、メタノールや、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、シクロヘキサノール,2−メトキシエタノール、エチレングリコール、グリセリン等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、オクタン、デカン、テトラリン等のパラフィン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン等のケトン系溶媒、ピリジン、キノリン、アニリン等のアミン系溶媒、アセトニトリル、バレロニトリル等のニトリル系溶媒、チオフェン、二硫化炭素などの硫黄系溶媒が挙げられる。これら拭き取り溶媒は、溶媒単独で用いてもよいし、複数の溶媒を混合して用いてもよい。又、複数の溶媒を順次変えて使用してもよい。   The solvent to be impregnated in the wiping member 503 may be any solvent as long as it has a composition that facilitates wiping when the organic functional layer is removed. For example, dichloromethane, dichloroethane, chloroform, carbon tetrachloride, tetrachloroethane, trichloroethane, chlorobenzene , Halogen hydrocarbon solvents such as dichlorobenzene and chlorotoluene, ether solvents such as dibutyl ether, tetrahydrofuran, dioxane and anisole, methanol, ethanol, isopropanol, butanol, cyclohexanol, 2-methoxyethanol, ethylene glycol, Alcohol solvents such as glycerin, aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, xylene and ethylbenzene, paraffin solvents such as hexane, octane, decane and tetralin, Ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate and amyl acetate; amide solvents such as N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone; ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone and isophorone Amine solvents such as pyridine, quinoline and aniline, nitrile solvents such as acetonitrile and valeronitrile, and sulfur solvents such as thiophene and carbon disulfide. These wiping solvents may be used alone or as a mixture of a plurality of solvents. Further, a plurality of solvents may be used by changing them sequentially.

更に好ましい拭き取り溶媒としては、Hansenの溶解度パラメータとして、有機機能層を構成している有機材料の溶解性を考慮し、∂、∂、∂、から算出される百分率、f(Dispersion force)、f(Polar force)、f(Hydrogen force)、のプロットが、主な有機機能層を塗布した溶媒のプロットに対して、少なくとも45ポイント以内の近さであり、且つ、20ポイント以上離れていることがより好ましい。より好ましくは、40ポイント以内の近さであり、25ポイント以上離れていることが更に好ましい。 As a more preferable wiping solvent, as a Hansen solubility parameter, considering the solubility of the organic material constituting the organic functional layer, a percentage calculated from ∂ d , p p , ∂ h , f d (Dispersion force) ), F p (Polar Force), and f h (Hydrogen force) are at least 45 points closer to the plot of the solvent coated with the main organic functional layer, and 20 points or more. More preferably, they are separated. More preferably, the distance is within 40 points, more preferably 25 points or more.

、∂、∂、から算出される百分率、f、f、fは以下の式1)から式3)に従って求められる。 The percentages calculated from d d , ∂ p , ∂ h , f d , f p , and f h are obtained according to the following equations 1) to 3).

式1) f=∂/(∂+∂+∂
式2) f=∂/(∂+∂+∂
式3) f=∂/(∂+∂+∂
又、拭き取り溶媒の溶解度パラメータと、有機機能層を塗布する溶媒とのポイント差Rfは以下の式4)により求めることが出来る。
Formula 1) f d = ∂ d / (∂ d + ∂ p + ∂ h )
Formula 2) f p = ∂ p / (∂ d + ∂ p + ∂ h )
Equation 3) f h = ∂ h / (∂ d + ∂ p + ∂ h)
Moreover, the point difference Rf between the solubility parameter of the wiping solvent and the solvent for applying the organic functional layer can be obtained by the following equation 4).

式4) (Rf)=(fd2−fd1+(fp2−fp1+(fh2−fh1
ここで主な有機機能層とは、有機EL素子で言う発光層や、有機PV素子で言う光電変換層に相当し、膜厚が大概にして厚いために、拭き取り時に最も拭き残し等の残留物が懸念される層である。
Formula 4) (Rf) 2 = (f d2 −f d1 ) 2 + (f p2 −f p1 ) 2 + (f h2 −f h1 ) 2
Here, the main organic functional layer corresponds to a light-emitting layer referred to as an organic EL element and a photoelectric conversion layer referred to as an organic PV element. Is a concern.

これらHansenの溶解度パラメータ(以下、SP値とも呼ぶ)は、例えば、Hansen Solubility Parameters:A User’s Handbook(Charles M. Hansen著)、The Book and Paper Group ANNUAL,Volume Three 1984,Solubility Parameters:Theory and Application(John Burke著)、その他公知の文献を参考に各種溶媒のSP値を得ることが出来る。   The Hansen solubility parameters (hereinafter also referred to as SP values) are, for example, Hansen Solubility Parameters: A User's Handbook (by Charles M. Hansen 198), The Book and Paper Group ANNUAL, SolT SP values of various solvents can be obtained with reference to Application (by John Burke) and other known documents.

本発明では、パターニング工程での払拭残り及び払拭で発生し、有機機能層及び払拭した箇所に付着したゴミを除去するクリーニング工程にドライエッチング法が用いられている。ドライエッチング法としては、例えばアルゴンスパッタ、電子線照射、プラズマ処理等が挙げられる。プラズマ処理としてはフレームプラズマ処理、コロナ放電処理、大気圧プラズマ処理、プラズマ処理を対象とするが、以下、クリーニング工程で使用するドライエッチング法の一例として大気圧下で連続処理が可能な大気圧プラズマ処理をプラズマ処理の代表として説明する。   In the present invention, the dry etching method is used in the cleaning process for removing dust remaining on the wiping residue and wiping in the patterning process and adhering to the organic functional layer and the wiped portion. Examples of the dry etching method include argon sputtering, electron beam irradiation, plasma treatment, and the like. As plasma processing, flame plasma processing, corona discharge processing, atmospheric pressure plasma processing, and plasma processing are targeted. Hereinafter, atmospheric pressure plasma that can be continuously processed under atmospheric pressure is an example of a dry etching method used in the cleaning process. The processing will be described as a representative of plasma processing.

本発明の有機エレクトロニクスパネルの製造方法に係わる大気圧プラズマ処理は、大気圧、又はそれに近い気圧下において行われることが好ましいが、大気圧で可能な常圧プラズマ処理とすることが、続いて塗布を行う場合、塗布を速やかに行うことが出来る等、生産性の観点から好ましい。具体的な圧力としては70kPaから130kPaが好ましく、全く減圧・加圧を行わない、大気圧であることが最も好ましい。   The atmospheric pressure plasma treatment relating to the method for producing an organic electronics panel of the present invention is preferably performed at or near atmospheric pressure. However, the atmospheric pressure plasma treatment that is possible at atmospheric pressure is followed by coating. Is preferable from the viewpoint of productivity, such as being able to perform application quickly. The specific pressure is preferably from 70 kPa to 130 kPa, and most preferably atmospheric pressure with no pressure reduction or pressurization.

プラズマを発生させるためには、キャリアガスとして不活性ガスの雰囲気下で放電させる必要があるが、ここで不活性ガスとは、周期表の第18属元素、所謂希ガスと呼ばれる、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等や、更には窒素ガス雰囲気下で行うことが好ましく、処理性といった観点ではアルゴン又はヘリウムが特に好ましく用いられる。ただし、製造コスト的な観点からは、放電条件を最適化することで窒素ガスを用いることが最も好ましい。   In order to generate plasma, it is necessary to discharge in an atmosphere of an inert gas as a carrier gas. Here, the inert gas refers to a group 18 element of the periodic table, so-called rare gas, helium, neon , Argon, krypton, xenon, radon or the like, and further in a nitrogen gas atmosphere, argon or helium is particularly preferably used from the viewpoint of processability. However, from the viewpoint of manufacturing cost, it is most preferable to use nitrogen gas by optimizing the discharge conditions.

本発明での好ましい態様として、不活性ガスと共に0.01%から30%(体積割合)の反応性ガスを含有させることが好ましく、更に好ましくは0.1%から20%、最も好ましくは1%から15%の反応性ガスを含有させることがより好ましい。   As a preferred embodiment in the present invention, it is preferable to contain 0.01% to 30% (volume ratio) of a reactive gas together with an inert gas, more preferably 0.1% to 20%, and most preferably 1%. To 15% of reactive gas is more preferable.

本発明で用いる反応性ガスは複数用いることが可能であるが、少なくとも1種類は、放電空間でプラズマ状態となり、対象物の表面を処理出来る成分を含有するものが好ましい。   A plurality of reactive gases used in the present invention can be used, but at least one kind is preferably one that contains a component that is in a plasma state in the discharge space and can treat the surface of the object.

反応性ガスの好ましい例としては、酸素、二酸化炭素、窒素(窒素雰囲気の場合を除く)、水素等のガスを含ませてもよい。又、表面を積極的に改質するため、メタン、アンモニア、各種有機金属化合物、フッ素化合物などを反応性ガスとして用いることも本発明において好ましい態様である。本発明においては、有機物の除去と同時に基材や電極表面の劣化を防ぐといった観点から、特に水素ガスを不活性ガスに適量混合して用いることが最も好ましい。   As a preferable example of the reactive gas, a gas such as oxygen, carbon dioxide, nitrogen (except in the case of a nitrogen atmosphere), hydrogen, or the like may be included. In addition, in order to positively modify the surface, it is also a preferred embodiment in the present invention to use methane, ammonia, various organometallic compounds, fluorine compounds and the like as reactive gases. In the present invention, it is most preferable to use an appropriate amount of hydrogen gas mixed with an inert gas, particularly from the viewpoint of preventing deterioration of the substrate and the electrode surface simultaneously with the removal of organic substances.

大気圧下でプラズマ処理する場合は、開始電圧が上昇するのでこれを抑えるのに、放電極面に誘電体を挟むこと、雰囲気ガスがヘリウム、アルゴン又は窒素であること、電源として交流や高周波を使用することが好ましい。   When plasma treatment is performed under atmospheric pressure, the starting voltage increases. To suppress this, a dielectric is sandwiched between the discharge electrode surfaces, the atmospheric gas is helium, argon, or nitrogen. It is preferable to use it.

周波数として、1kHzから1GHzが好ましい。印加する電力は、対象とする試料の組成、表面特性等によっても異なり、条件を最適化する必要があるが、表面の平滑性、放電による飛散物質汚染等を考慮し、0.01W/cmから10W/cmの範囲の電力を用いて0.1秒化から数十秒の範囲で放電処理を行うことが好ましい。クリーニング工程に用いる大気圧プラズマ処理装置の一例を図9で説明する。 The frequency is preferably 1 kHz to 1 GHz. The power to be applied varies depending on the composition of the target sample, surface characteristics, and the like, and it is necessary to optimize the conditions. However, in consideration of surface smoothness, scattered substance contamination due to discharge, etc., 0.01 W / cm 2 The discharge treatment is preferably performed in the range from 0.1 seconds to several tens of seconds using power in the range of 10 to 10 W / cm 2 . An example of an atmospheric pressure plasma processing apparatus used in the cleaning process will be described with reference to FIG.

図9は大気圧プラズマ処理装置の一例を示す概略図である。本図はフレキシブルなフィルム基材の搬送工程に適用出来る、所謂ロールツーロールによるプラズマ処理の装置例である。   FIG. 9 is a schematic view showing an example of an atmospheric pressure plasma processing apparatus. This figure is an example of a so-called roll-to-roll plasma processing apparatus that can be applied to a flexible film substrate transport process.

図中、9は大気圧プラズマ処理装置を示す。大気圧プラズマ処理装置9は、少なくとも、プラズマ放電処理装置9a、二つの電源を有する電界印加手段9b、ガス供給手段9c、電極温度調節手段9dとを有している装置である。   In the figure, 9 indicates an atmospheric pressure plasma processing apparatus. The atmospheric pressure plasma processing apparatus 9 is an apparatus having at least a plasma discharge processing apparatus 9a, an electric field applying means 9b having two power supplies, a gas supply means 9c, and an electrode temperature adjusting means 9d.

大気圧プラズマ処理装置9はプラズマ放電処理装置9aのロール回転電極(第1電極)9a1と複数の角筒型電極(第2電極)9a2との対向電極間(放電空間)9a3に、ガス供給手段9cから供給された有機金属化合物のガス及び/又は酸素ガスと、例えば窒素のような放電ガスとの混合物Gが供給され、ここで活性化されて、基材F上に導入され基材Fをプラズマ放電処理するものである。   The atmospheric pressure plasma processing apparatus 9 includes gas supply means between the counter electrodes (discharge space) 9a3 between the roll rotating electrode (first electrode) 9a1 and the plurality of rectangular tube electrodes (second electrodes) 9a2 of the plasma discharge processing apparatus 9a. A mixture G of an organometallic compound gas and / or oxygen gas supplied from 9c and a discharge gas such as nitrogen is supplied, activated here, and introduced onto the substrate F. Plasma discharge treatment is performed.

ロール回転電極(第1電極)9a1と角筒型電極(第2電極)9a2との間の放電空間(対向電極間)9a3に、ロール回転電極(第1電極)9a1には第1電源9b1から周波数ω1、電界強度V1、電流I1の第1の高周波電界を、又角筒型電極(第2電極)9a2には第2電源9b2から周波数ω2、電界強度V2、電流I2の第2の高周波電界を掛ける様になっている。   A discharge space (between the opposing electrodes) 9a3 between the roll rotating electrode (first electrode) 9a1 and the rectangular tube electrode (second electrode) 9a2 is connected to the roll rotating electrode (first electrode) 9a1 from the first power supply 9b1. A first high-frequency electric field having a frequency ω1, an electric field strength V1, and a current I1, and a second high-frequency electric field having a frequency ω2, an electric field strength V2, and a current I2 from a second power source 9b2 to a rectangular tube electrode (second electrode) 9a2. It is supposed to multiply.

ロール回転電極(第1電極)9a1と第1電源9b1との間には、第1フィルター9b3が設置されており、第1フィルター9b3は第1電源9b1からロール回転電極(第1電極)9a1への電流を通過し易くし、第2電源9b2からの電流をアースして、第2電源9b2から第1電源9b1への電流を通過し難くする様に設計されている。又、角筒型電極(第2電極)9a2と第2電源9b2との間には、第2フィルター9b4が設置されており、第2フィルター9b4は、第2電源9b2から角筒型電極(第2電極)9a2への電流を通過し易くし、第1電源9b1からの電流をアースして、第1電源9b1から第2電源9b2への電流を通過し難くする様に設計されている。   A first filter 9b3 is installed between the roll rotation electrode (first electrode) 9a1 and the first power supply 9b1, and the first filter 9b3 is transferred from the first power supply 9b1 to the roll rotation electrode (first electrode) 9a1. Is designed so that the current from the second power source 9b2 is grounded and the current from the second power source 9b2 to the first power source 9b1 is difficult to pass. A second filter 9b4 is installed between the square tube electrode (second electrode) 9a2 and the second power source 9b2, and the second filter 9b4 receives a square tube electrode (second electrode) from the second power source 9b2. (Two electrodes) 9a2 is designed to make it easy to pass current, ground current from the first power supply 9b1, and make it difficult to pass current from the first power supply 9b1 to the second power supply 9b2.

尚、ロール回転電極(第1電極)9a1を第2電極、又角筒型固定電極9a2群を第1電極としてもよい。何れにしろ第1電極には第1電源が、又、第2電極には第2電源が接続される。第1電源は第2電源より高い高周波電界強度(V1>V2)を印加することが好ましい。又、周波数はω1<ω2となる能力を有している。   The roll rotating electrode (first electrode) 9a1 may be the second electrode, and the square tube fixed electrode 9a2 group may be the first electrode. In any case, the first power source is connected to the first electrode, and the second power source is connected to the second electrode. The first power source preferably applies a higher high-frequency electric field strength (V1> V2) than the second power source. Further, the frequency has the ability to satisfy ω1 <ω2.

又、電流はI1<I2となることが好ましい。第1の高周波電界の電流I1は、好ましくは0.3mA/cmから20mA/cm、更に好ましくは1.0mA/cmから20mA/cmである。又、第2の高周波電界の電流I2は、好ましくは10mA/cmから100mA/cm、更に好ましくは20mA/cmから100mA/cmである。 The current is preferably I1 <I2. The current I1 of the first high-frequency electric field is preferably 0.3 mA / cm 2 to 20 mA / cm 2 , more preferably 1.0 mA / cm 2 to 20 mA / cm 2 . The current I2 of the second high-frequency electric field is preferably 10 mA / cm 2 to 100 mA / cm 2 , more preferably 20 mA / cm 2 to 100 mA / cm 2 .

ガス供給手段9cにおいて、ガス発生装置9c1で発生させた反応性ガスGは、流量を制御して給気口9c2より大気圧プラズマ処理容器9a4内に導入する。   In the gas supply means 9c, the reactive gas G generated by the gas generator 9c1 is introduced into the atmospheric pressure plasma processing vessel 9a4 through the air supply port 9c2 while controlling the flow rate.

基材Fを、元巻き(不図示)から巻きほぐして搬送されてくるか、又は前工程から搬送されてきて、ガイドロール9eを経てニップロール9fで基材Fに同伴されてくる空気等を遮断し、ロール回転電極(第1電極)9a1に接触したまま巻き回しながら角筒型電極(第2電極)9a2との間に移送し、ロール回転電極(第1電極)9a1と角筒型電極(第2電極)9a2との両方から電界を掛け、対向電極間(放電空間)9a3で放電プラズマを発生させる。   The base material F is unwound from the original winding (not shown) or is transported, or transported from the previous process, and the air entrained by the base material F is blocked by the nip roll 9f via the guide roll 9e. Then, while being wound while being in contact with the roll rotating electrode (first electrode) 9a1, it is transported between the rectangular tube electrode (second electrode) 9a2, and the roll rotating electrode (first electrode) 9a1 and the rectangular tube electrode ( An electric field is applied from both the second electrode 9a2 and discharge plasma is generated between the opposing electrodes (discharge space) 9a3.

基材Fはロール回転電極(第1電極)9a1に接触したまま巻き回されながらプラズマ状態のガスにより処理される。基材Fは、ニップロール9g、ガイドロール9hを経て、次工程に移送する。放電処理済みの処理排気G′は排気口9a5より排出する。   The substrate F is treated with a plasma state gas while being wound while being in contact with the roll rotating electrode (first electrode) 9a1. The base material F is transferred to the next process through the nip roll 9g and the guide roll 9h. The treated exhaust G ′ after the discharge treatment is discharged from the exhaust port 9a5.

プラズマ処理中、ロール回転電極(第1電極)9a1及び角筒型電極(第2電極)9a2を加熱又は冷却するために、電極温度調節手段9dで温度を調節した媒体を、送液ポンプPで配管9d1を経て両電極に送り、電極内側から温度を調節する。   In order to heat or cool the roll rotating electrode (first electrode) 9a1 and the rectangular tube type electrode (second electrode) 9a2 during the plasma treatment, a medium whose temperature is adjusted by the electrode temperature adjusting means 9d is supplied by the liquid feed pump P. It sends to both electrodes through the pipe 9d1, and the temperature is adjusted from the inside of the electrode.

尚、9a6及び9a7は大気圧プラズマ処理容器9a4と外界とを仕切る仕切板である。   Reference numerals 9a6 and 9a7 denote partition plates that partition the atmospheric pressure plasma processing vessel 9a4 from the outside.

各角筒型電極9a2は、円筒型電極に比べて、放電範囲(放電面積)を広げる効果があるので、本発明に好ましく用いられる。更に、金属質母材の表面に誘電体を被覆して、角筒型電極とすることが大気圧下で放電させるためには好ましい。   Each square tube electrode 9a2 is preferably used in the present invention because it has an effect of expanding the discharge range (discharge area) as compared with the cylindrical electrode. Furthermore, it is preferable to cover the surface of the metallic base material with a dielectric to form a rectangular tube electrode in order to discharge under atmospheric pressure.

対向するロール回転電極(第1電極)9a1及び角筒型電極(第2電極)9a2との電極間距離は、電極の一方に誘電体を設けた場合、該誘電体表面ともう一方の電極の導電性の金属質母材表面との最短距離のことを言い、双方の電極に誘電体を設けた場合、誘電体表面同士の距離の最短距離のことを言う。   The distance between the opposing roll rotating electrode (first electrode) 9a1 and rectangular tube electrode (second electrode) 9a2 is that when a dielectric is provided on one of the electrodes, the surface of the dielectric and the other electrode It means the shortest distance from the surface of the conductive metallic base material, and when a dielectric is provided on both electrodes, it means the shortest distance between the dielectric surfaces.

電極間距離は、導電性の金属質母材に設けた誘電体の厚さ、印加電界強度の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮して決定されるが、何れの場合も均一な放電を行う観点から0.1mmから20mmが好ましく、特に好ましくは0.5mmから2mmである。   The distance between the electrodes is determined in consideration of the thickness of the dielectric provided on the conductive metal base material, the magnitude of the applied electric field strength, the purpose of using the plasma, etc. From the viewpoint of performing, it is preferably 0.1 mm to 20 mm, particularly preferably 0.5 mm to 2 mm.

大気圧プラズマ処理容器9a4は、パイレックス(登録商標)ガラス製の処理容器等が好ましく用いられるが、電極との絶縁がとれれば金属製を用いることも可能である。例えば、アルミニウム又はステンレススティールのフレームの内面にポリイミド樹脂等を張り付けてもよく、該金属フレームにセラミックス溶射を行い絶縁性をとってもよい。以下に、本発明に係る大気圧プラズマ処理装置に適用可能な高周波電源を例示する。   As the atmospheric pressure plasma processing container 9a4, a processing container made of Pyrex (registered trademark) glass or the like is preferably used, but it is also possible to use a metal as long as it can be insulated from the electrode. For example, polyimide resin or the like may be attached to the inner surface of an aluminum or stainless steel frame, and the metal frame may be thermally sprayed to obtain insulation. Hereinafter, a high frequency power source applicable to the atmospheric pressure plasma processing apparatus according to the present invention will be exemplified.

本発明の大気圧プラズマ放電処理装置に設置する第1電源(高周波電源)としては、
メーカー 周波数 製品名
神鋼電機 3kHz SPG3−4500
神鋼電機 5kHz SPG5−4500
春日電機 15kHz AGI−023
神鋼電機 50kHz SPG50−4500
ハイデン研究所 100kHz* PHF−6k
パール工業 200kHz CF−2000−200k
パール工業 400kHz CF−2000−400k
等の市販のものを挙げることが出来、何れも使用することが出来る。
As the first power source (high frequency power source) installed in the atmospheric pressure plasma discharge processing apparatus of the present invention,
Manufacturer Frequency Product name Shinko Electric 3kHz SPG3-4500
Shinko Electric 5kHz SPG5-4500
Kasuga Electric 15kHz AGI-023
Shinko Electric 50kHz SPG50-4500
HEIDEN Laboratory 100kHz * PHF-6k
Pearl industry 200kHz CF-2000-200k
Pearl Industry 400kHz CF-2000-400k
And the like, and any of them can be used.

又、第2電源(高周波電源)としては、
メーカー 周波数 製品名
パール工業 800kHz CF−2000−800k
パール工業 2MHz CF−2000−2M
パール工業 13.56MHz CF−5000−13M
パール工業 27MHz CF−2000−27M
パール工業 150MHz CF−2000−150M
等の市販のものを挙げることが出来、何れも好ましく使用出来る。
As the second power source (high frequency power source),
Manufacturer Frequency Product name Pearl Industry 800kHz CF-2000-800k
Pearl industry 2MHz CF-2000-2M
Pearl Industry 13.56MHz CF-5000-13M
Pearl industry 27MHz CF-2000-27M
Pearl Industry 150MHz CF-2000-150M
And the like, and any of them can be preferably used.

尚、上記電源の内、*印はハイデン研究所インパルス高周波電源(連続モードで100kHz)である。それ以外は連続サイン波のみ印加可能な高周波電源である。   Of the above power supplies, * indicates a HEIDEN Laboratory impulse high-frequency power supply (100 kHz in continuous mode). Other than that, it is a high frequency power source that can apply only a continuous sine wave.

本発明においては、この様な電界を印加して、均一で安定な放電状態を保つことが出来る電極を大気圧プラズマ処理装置に採用することが好ましい。   In the present invention, it is preferable to employ an electrode capable of maintaining a uniform and stable discharge state by applying such an electric field in an atmospheric pressure plasma processing apparatus.

本発明において、対向する電極間に印加する電力は、角筒型電極(第2電極)(第2の高周波電界)に1W/cm以上の電力(出力密度)を供給し、放電ガスを励起してプラズマを発生させ、対象となる試料表面を処理する。 In the present invention, the electric power applied between the opposing electrodes supplies electric power (power density) of 1 W / cm 2 or more to the rectangular tube electrode (second electrode) (second high frequency electric field) to excite the discharge gas. Then, plasma is generated, and the target sample surface is processed.

第2電極に供給する電力の上限値としては、好ましくは50W/cm、より好ましくは20W/cmである。下限値は、好ましくは1.2W/cmである。尚、放電面積(cm)は、電極において放電が起こる範囲の面積のことを指す。 The upper limit value of the power supplied to the second electrode is preferably 50 W / cm 2 , more preferably 20 W / cm 2 . The lower limit is preferably 1.2 W / cm 2 . The discharge area (cm 2 ) refers to an area in a range where discharge occurs in the electrode.

又、ロール回転電極(第1電極)(第1の高周波電界)にも、1W/cm以上の電力(出力密度)を供給することにより、第2の高周波電界の均一性を維持したまま、出力密度を向上させることが出来る。更に好ましくは5W/cm以上である。又、ロール回転電極(第1電極)に供給する電力の上限値は、好ましくは50W/cmである。 Further, by supplying power (power density) of 1 W / cm 2 or more to the roll rotating electrode (first electrode) (first high frequency electric field), the uniformity of the second high frequency electric field is maintained, The power density can be improved. More preferably, it is 5 W / cm 2 or more. The upper limit value of the power supplied to the roll rotating electrode (first electrode) is preferably 50 W / cm 2 .

これにより、更なる均一高密度プラズマを生成出来、更なる処理速度の向上と処理性の向上が両立出来る。   Thereby, the further uniform high-density plasma can be produced | generated, and the improvement of the further process speed and processability can be compatible.

ここで高周波電界の波形としては、特に限定されない。連続モードと呼ばれる連続サイン波状の連続発振モードと、パルスモードと呼ばれるON/OFFを断続的に行う断続発振モード等があり、そのどちらを採用してもよいが、少なくとも角筒型電極(第2電極)側(第2の高周波電界)は連続サイン波の方がより好ましい。   Here, the waveform of the high-frequency electric field is not particularly limited. There are a continuous sine wave continuous oscillation mode called a continuous mode, an intermittent oscillation mode called ON / OFF intermittently called a pulse mode, and either of them may be adopted. On the electrode side (second high frequency electric field), a continuous sine wave is more preferable.

本発明の有機エレクトロニクスパネルの製造方法に係るプラズマ放電処理は、反応性の観点から出来る限り高温で処理することが好ましく、電極温度調節手段9dを用いて少なくともロール回転電極(第1電極)の温度を調整しながら処理することが好ましい。   The plasma discharge treatment according to the method for producing an organic electronics panel of the present invention is preferably performed at a temperature as high as possible from the viewpoint of reactivity, and at least the temperature of the roll rotating electrode (first electrode) using the electrode temperature adjusting means 9d. It is preferable to process while adjusting.

ロール回転電極(第1電極)の温度は、50℃以上にすることが好ましく、70℃以上が更に好ましく、90℃以上が最も好ましい。   The temperature of the roll rotating electrode (first electrode) is preferably 50 ° C. or higher, more preferably 70 ° C. or higher, and most preferably 90 ° C. or higher.

プラズマの照射時間は基材Fの搬送速度で制御することが出来、照射時間に合わせて適宜調整される。好ましい照射時間は1秒から30分であり、更に好ましくは5秒から10分であり、最も好ましくは10秒から2分である。長時間照射するほど本発明の効果を発揮し易いが、生産性や有機機能層、基材へのダメージを考慮するとより短時間で処理することが好ましい。   The plasma irradiation time can be controlled by the conveyance speed of the base material F, and is appropriately adjusted according to the irradiation time. A preferred irradiation time is 1 second to 30 minutes, more preferably 5 seconds to 10 minutes, and most preferably 10 seconds to 2 minutes. Although the effect of the present invention is easily exhibited as the irradiation is continued for a long time, the treatment is preferably performed in a shorter time in consideration of productivity, damage to the organic functional layer, and the substrate.

本発明に適用出来る大気圧プラズマ放電処理装置としては、上記説明した以外に、例えば、特開2004−68143号公報、同2003−49272号公報、国際公開第02/48428号パンフレット等に記載されている大気圧プラズマ放電処理装置を挙げることが出来る。   The atmospheric pressure plasma discharge treatment apparatus applicable to the present invention is described in, for example, JP-A-2004-68143, 2003-49272, WO 02/48428, etc., in addition to the above description. And an atmospheric pressure plasma discharge treatment apparatus.

基材の上に、第1電極と、第1電極用外部接続用電極と、第2電極と、第2電極用部接続用電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に有機物層を含む少なくとも1層の有機機能層を有する有機エレクトロニクスパネルを有機機能層の不要部分を、払拭方式で除去しパターニングした後、パターニングした有機機能層を有する基材の全面を、ドライエッチング方式によりクリーニングし、第2電極及び第2電極用部接続用電極を形成する有機エレクトロニクスパネルの製造方法により次の効果が得られた。
1.有機機能層の不要部分を払拭方式で除去する際、発生する払拭残りによるショートやダークスポットの発生がなくなり安定した性能の有機エレクトロニクスパネルの製造が可能となった。
2.有機機能層の不要部分を払拭方式で除去する際、発生するゴミの有機機能層へ付着したゴミによるショートやダークスポットの発生がなくなり安定した性能の有機エレクトロニクスパネルの製造が可能となった。
3.有機機能層の不要部分を払拭方式で除去する際、発生したゴミの基材への付着がなくなり、封止部材と基材との密着性が高くなり封止した有機エレクトロニクスパネルの防湿性が向上し、寿命が伸びた有機エレクトロニクスパネルの製造が可能となった。
On the substrate, an organic substance is interposed between the first electrode, the first electrode external connection electrode, the second electrode, the second electrode connection electrode, and the first electrode and the second electrode. An organic electronic panel having at least one organic functional layer including a layer is patterned by removing unnecessary portions of the organic functional layer by a wiping method, and then the entire surface of the substrate having the patterned organic functional layer is dry-etched. The following effects were obtained by the method of manufacturing an organic electronics panel that was cleaned and formed the second electrode and the second electrode portion connecting electrode.
1. When unnecessary parts of the organic functional layer are removed by the wiping method, the occurrence of shorts and dark spots due to the remaining wiping is eliminated, and it becomes possible to manufacture organic electronic panels with stable performance.
2. When unnecessary parts of the organic functional layer are removed by the wiping method, it is possible to produce organic electronic panels with stable performance by eliminating the occurrence of shorts and dark spots due to the dust generated on the organic functional layer.
3. When unnecessary parts of the organic functional layer are removed by the wiping method, the generated dust will not adhere to the base material, the adhesion between the sealing member and the base material will be improved, and the moisture resistance of the sealed organic electronics panel will be improved As a result, it has become possible to manufacture organic electronics panels with extended life.

次に本発明の有機エレクトロニクスパネルの製造方法に係わる有機エレクトロニクスパネルの内、有機ELパネル及び有機PVパネルの構成に付き説明する。   Next, the structure of the organic EL panel and the organic PV panel in the organic electronics panel according to the method for producing the organic electronics panel of the present invention will be described.

(有機ELパネルの構成)
有機ELパネルは、電極間に、単数又は複数の有機機能層を積層した構成であり、一般的には、第1電極(陽極)上に、有機物層として、正孔注入・輸送層/発光層/電子注入・輸送層を積層し、その上から第2電極(陰極)が積層された構成をとる。第1電極(陽極)と第2電極(陰極)との間の他の代表的な層構成としては次の構成が挙げられる。
(Organic EL panel configuration)
An organic EL panel has a structure in which one or a plurality of organic functional layers are laminated between electrodes. In general, a hole injection / transport layer / light emitting layer is formed as an organic layer on the first electrode (anode). / An electron injecting / transporting layer is laminated, and a second electrode (cathode) is laminated thereon. Other typical layer configurations between the first electrode (anode) and the second electrode (cathode) include the following configurations.

(1)第1電極(陽極)/発光層/第2電極(陰極)
(2)第1電極(陽極)/発光層/電子輸送層/第2電極(陰極)
(3)第1電極(陽極)/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/第2電極(陰極)
(4)第1電極(陽極)/陽極バッファ層(正孔注入層)/正孔輸送層/発光層//電子輸送層/陰極バッファ層(電子注入層)/第2電極(陰極)
(5)第1電極(陽極)/陽極バッファ層(正孔注入層)/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファ層(電子注入層)/第2電極(陰極)
有機ELパネルを構成する主たる有機材料層について以下述べる。
(1) First electrode (anode) / light emitting layer / second electrode (cathode)
(2) First electrode (anode) / light emitting layer / electron transport layer / second electrode (cathode)
(3) First electrode (anode) / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / second electrode (cathode)
(4) First electrode (anode) / anode buffer layer (hole injection layer) / hole transport layer / light emitting layer // electron transport layer / cathode buffer layer (electron injection layer) / second electrode (cathode)
(5) First electrode (anode) / anode buffer layer (hole injection layer) / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer (electron injection layer) / second electrode ( cathode)
The main organic material layer constituting the organic EL panel will be described below.

(発光層)
発光層中に含有される有機発光材料としては、カルバゾール、カルボリン、ジアザカルバゾール等の芳香族複素環化合物、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体或いは複合オリゴ体等が挙げられるが、本発明においてはこれに限られるものではなく、広く公知の材料を用いることが出来る。
(Light emitting layer)
Organic light-emitting materials contained in the light-emitting layer include aromatic heterocyclic compounds such as carbazole, carboline, diazacarbazole, triarylamine derivatives, stilbene derivatives, polyarylenes, aromatic condensed polycyclic compounds, aromatic heterocondensed compounds. Examples thereof include a ring compound, a metal complex compound, and the like, and a single oligo body or a composite oligo body thereof. However, the present invention is not limited to this, and widely known materials can be used.

又、発光層中(成膜材料)には、好ましくは0.1質量%から20質量%程度のドーパントが発光材料中に含まれてもよい。ドーパントとしては、ペリレン誘導体、ピレン誘導体等公知の蛍光色素等、又、リン光発光タイプの発光層の場合、例えば、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム、ビス(2−フェニルピリジン)(アセチルアセトナート)イリジウム、ビス(2,4−ジフルオロフェニルピリジン)(ピコリナート)イリジウム、等に代表されるオルトメタル化イリジウム錯体等の錯体化合物が同様に0.1質量%から20質量%程度含有される。   In the light emitting layer (film forming material), a dopant of preferably about 0.1% by mass to 20% by mass may be included in the light emitting material. Examples of the dopant include known fluorescent dyes such as perylene derivatives and pyrene derivatives, and in the case of phosphorescent light emitting layers, for example, tris (2-phenylpyridine) iridium, bis (2-phenylpyridine) (acetylacetonate). A complex compound such as an orthometalated iridium complex represented by iridium, bis (2,4-difluorophenylpyridine) (picolinato) iridium, and the like is similarly contained in an amount of about 0.1 to 20% by mass.

リン光発光方式は、発光層内部に発光領域を持つためか、比較的発光ムラが起こりづらく本発明において好ましい態様である。発光層の膜厚は、1nmから数百nmの範囲が好ましい。   The phosphorescent light emitting method is a preferable embodiment in the present invention in which uneven light emission hardly occurs due to the fact that the light emitting layer has a light emitting region. The thickness of the light emitting layer is preferably in the range of 1 nm to several hundred nm.

(有機PVパネルの構成)
本発明の有機PVパネルは、第1電極と第2電極との間に、両者に挟まれた光電変換層として、p型半導体材料とn型半導体材料を含む層を有し、光照射によって励起子がp/n界面に移動しキャリアに電荷分離することで起電力を発生するパネルである。
(Configuration of organic PV panel)
The organic PV panel of the present invention has a layer containing a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material as a photoelectric conversion layer sandwiched between the first electrode and the second electrode, and is excited by light irradiation. In this panel, an electromotive force is generated when a child moves to a p / n interface and charges are separated into carriers.

上記光電変換層は、p型半導体材料とn型半導体材料のp/n界面を増やすため、両半導体材料を混合した所謂、バルクヘテロジャンクション構造を形成させることが好ましい(以後、バルクヘテロジャンクション層、又はBHJ層、i層とも言う)。   In order to increase the p / n interface between the p-type semiconductor material and the n-type semiconductor material, the photoelectric conversion layer preferably forms a so-called bulk heterojunction structure in which both semiconductor materials are mixed (hereinafter referred to as a bulk heterojunction layer or BHJ). Layer and i layer).

一般的な有機PVパネルの構造は、第1電極(陽極)上に、有機物層として、正孔輸送・電子ブロック層/光電変換層/電子輸送・正孔ブロック層を積層し、その上から第2電極(陰極)が積層された構成だが、本発明においてはこれに限定されず、光電変換層がp型半導体材料とn型半導体材料からなる層で、上述したバルクヘテロジャンクション層が挟み込まれたような構成、所謂p−i−n構成を適用してもよい。これによって、発生したキャリアとして正孔及び電子の整流性がより高くなり、電荷分離した正孔・電子の再結合等によるロスが低減され、一層高い光電変換効率を得ることが出来る。   A general organic PV panel has a structure in which a hole transport / electron blocking layer / photoelectric conversion layer / electron transport / hole blocking layer is laminated as an organic material layer on a first electrode (anode), However, the present invention is not limited to this, and the photoelectric conversion layer is a layer made of a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material, and the above-described bulk heterojunction layer is sandwiched between them. A so-called p-i-n configuration may be applied. As a result, the rectification of holes and electrons as generated carriers becomes higher, loss due to recombination of charge-separated holes and electrons is reduced, and higher photoelectric conversion efficiency can be obtained.

(p型半導体材料)
光電変換層(バルクヘテロジャンクション層)に用いられるp型半導体材料としては、種々の縮合多環芳香族低分子化合物や共役系ポリマー・オリゴマーが挙げられる。
(P-type semiconductor material)
Examples of the p-type semiconductor material used for the photoelectric conversion layer (bulk heterojunction layer) include various condensed polycyclic aromatic low molecular compounds and conjugated polymers / oligomers.

縮合多環芳香族低分子化合物としては、例えば、ペンタセンやその誘導体、ポルフィリンやフタロシアニン、銅フタロシアニンやこれらの誘導体などが挙げられる。   Examples of the condensed polycyclic aromatic low-molecular compound include pentacene and derivatives thereof, porphyrin and phthalocyanine, copper phthalocyanine and derivatives thereof.

共役系ポリマーとしては、例えば、ポリ3−ヘキシルチオフェン(P3HT)等のポリチオフェン及びそのオリゴマー、ポリチオフェン−チエノチオフェン共重合体、ポリチオフェン−ジケトピロロピロール共重合体、ポリチオフェン−チアゾロチアゾール共重合体,Nature Mat.vol.6(2007),p497に記載のPCPDTBT等のようなポリチオフェン共重合体、ポリピロール及びそのオリゴマー、ポリアニリン、ポリフェニレン及びそのオリゴマー、ポリフェニレンビニレン及びそのオリゴマー、ポリチエニレンビニレン及びそのオリゴマー、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリシラン、ポリゲルマン等のσ共役系ポリマー、等のポリマー材料が挙げられる。   Examples of the conjugated polymer include polythiophene such as poly-3-hexylthiophene (P3HT) and oligomers thereof, polythiophene-thienothiophene copolymer, polythiophene-diketopyrrolopyrrole copolymer, polythiophene-thiazolothiazole copolymer, Nature Mat. vol. 6 (2007), p497 described in PCPDTBT, etc., polypyrrole and its oligomer, polyaniline, polyphenylene and its oligomer, polyphenylene vinylene and its oligomer, polythienylene vinylene and its oligomer, polyacetylene, polydiacetylene, Examples thereof include polymer materials such as σ-conjugated polymers such as polysilane and polygermane.

(n型半導体材料)
光電変換層(バルクヘテロジャンクション層)に用いられるn型半導体材料としては、特に限定されないが、例えば、フラーレン、オクタアザポルフィリン等、p型半導体のパーフルオロ体(パーフルオロペンタセンやパーフルオロフタロシアニン等)、ナフタレンテトラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ペリレンテトラカルボン酸無水物、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド等の芳香族カルボン酸無水物やそのイミド化物を骨格として含む高分子化合物等を挙げることが出来る。
(N-type semiconductor material)
The n-type semiconductor material used for the photoelectric conversion layer (bulk heterojunction layer) is not particularly limited. For example, fullerene, octaazaporphyrin, and other p-type semiconductor perfluoro compounds (perfluoropentacene, perfluorophthalocyanine, etc.), Examples thereof include aromatic carboxylic acid anhydrides such as naphthalenetetracarboxylic acid anhydride, naphthalenetetracarboxylic acid diimide, perylenetetracarboxylic acid anhydride, and perylenetetracarboxylic acid diimide, and polymer compounds containing an imidized product thereof as a skeleton. .

有機ELパネル及び有機PVパネルの構成に使用する共通材料に付き説明する。   A common material used for the configuration of the organic EL panel and the organic PV panel will be described.

(正孔注入・輸送層、電子ブロック層)
正孔注入・輸送層、電子ブロック層に用いられる材料としては、フタロシアニン誘導体、ヘテロ環アゾール類、芳香族三級アミン類、ポリビニルカルバゾール、ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸(PEDOT:PSS)などに代表される導電性高分子等の高分子材料が、又、発光層に用いられる、例えば、4,4′−ジカルバゾリルビフェニル、1,3−ジカルバゾリルベンゼン等のカルバゾール系発光材料、(ジ)アザカルバゾール類、1,3,5−トリピレニルベンゼンなどのピレン系発光材料に代表される低分子発光材料、ポリフェニレンビニレン類、ポリフルオレン類、ポリビニルカルバゾール類などに代表される高分子発光材料などが挙げられる。
(Hole injection / transport layer, electron block layer)
Materials used for the hole injection / transport layer and the electron blocking layer include phthalocyanine derivatives, heterocyclic azoles, aromatic tertiary amines, polyvinylcarbazole, polyethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (PEDOT: PSS), etc. Represented polymer materials such as conductive polymers are also used in the light-emitting layer. For example, carbazole-based light-emitting materials such as 4,4′-dicarbazolylbiphenyl and 1,3-dicarbazolylbenzene , (Di) azacarbazoles, low molecular light emitting materials typified by pyrene-based luminescent materials such as 1,3,5-tripyrenylbenzene, polyphenylene vinylenes, polyfluorenes, polyvinyl carbazoles Examples thereof include molecular light emitting materials.

本発明においては、目的に応じて、正孔注入層と正孔輸送層を積層形成してもよく、正孔の輸送性と電極との接合において最適な材料を選択すればよい。   In the present invention, a hole injection layer and a hole transport layer may be laminated according to the purpose, and an optimum material may be selected for the hole transport property and the bonding between the electrodes.

又、本発明においては、逆のキャリアである電子をブロックする機能を有し、電荷の選択性を向上させる様な材料を選択してもよい。   In the present invention, a material that has a function of blocking electrons as reverse carriers and improves the selectivity of charges may be selected.

正孔注入・輸送層、電子ブロック層の各層の好ましい膜厚範囲としては、0.1nmから100nmが好ましく、5nmから70nmがより好ましく、10nmから50nmが最も好ましい。   A preferable film thickness range of each of the hole injection / transport layer and the electron blocking layer is preferably 0.1 nm to 100 nm, more preferably 5 nm to 70 nm, and most preferably 10 nm to 50 nm.

(電子注入・輸送層、正孔ブロック層)
電子注入・輸送層材料としては、種々のn型材料を用いることが出来る。本発明の有機エレクトロニクスパネルに好ましく用いることが出来る材料の例としては、8−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)亜鉛等の金属錯体化合物若しくは以下に挙げられる含窒素五員環誘導体がある。即ち、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール若しくはトリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサゾール、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−チアゾール、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−(4′−tert−ブチルフェニル)−5−(4″−ビフェニル)1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルオキサジアゾリル)]ベンゼン、1,4−ビス[2−(5−フェニルオキサジアゾリル)−4−tert−ブチルベンゼン]、2−(4′−tert−ブチルフェニル)−5−(4″−ビフェニル)−1,3,4−チアジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−チアジアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルチアジアゾリル)]ベンゼン、2−(4′−tert−ブチルフェニル)−5−(4″−ビフェニル)−1,3,4−トリアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−トリアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルトリアゾリル)]ベンゼン等が挙げられる。
(Electron injection / transport layer, hole blocking layer)
Various n-type materials can be used as the electron injection / transport layer material. Examples of materials that can be preferably used in the organic electronics panel of the present invention include metal complex compounds such as 8-hydroxyquinolinate lithium and bis (8-hydroxyquinolinate) zinc, or nitrogen-containing five-membered rings listed below. There are derivatives. That is, oxazole, thiazole, oxadiazole, thiadiazole or triazole derivatives are preferred. Specifically, 2,5-bis (1-phenyl) -1,3,4-oxazole, 2,5-bis (1-phenyl) -1,3,4-thiazole, 2,5-bis (1 -Phenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2- (4′-tert-butylphenyl) -5- (4 ″ -biphenyl) 1,3,4-oxadiazole, 2,5-bis ( 1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole, 1,4-bis [2- (5-phenyloxadiazolyl)] benzene, 1,4-bis [2- (5-phenyloxadiazolyl) -4-tert-butylbenzene], 2- (4'-tert-butylphenyl) -5- (4 "-biphenyl) -1,3,4-thiadiazole, 2,5-bis (1-naphthyl) -1 , 3,4-thiadiazole, 1,4-bis [2- (5-phenyl) Asiazolyl)] benzene, 2- (4′-tert-butylphenyl) -5- (4 ″ -biphenyl) -1,3,4-triazole, 2,5-bis (1-naphthyl) -1,3,4 -Triazole, 1,4-bis [2- (5-phenyltriazolyl)] benzene and the like.

更に上述の化合物以外にも、フラーレン類、カーボンナノチューブ類、p型半導体のパーフルオロ体(パーフルオロペンタセンやパーフルオロフタロシアニン等)、及び酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ガリウム等のn型無機酸化物などを用いることも本発明において好ましい。   In addition to the above-mentioned compounds, fullerenes, carbon nanotubes, p-type semiconductor perfluoro compounds (perfluoropentacene, perfluorophthalocyanine, etc.), and n-type inorganic oxides such as titanium oxide, zinc oxide, gallium oxide, etc. It is also preferable in the present invention to use.

本発明においては、目的に応じて、電子注入層と電子輸送層を積層形成してもよく、電子の輸送性と電極との接合において最適な材料を選択すればよい。   In the present invention, an electron injection layer and an electron transport layer may be laminated according to the purpose, and an optimal material may be selected in connection with electron transport properties and electrodes.

又、本発明においては、逆のキャリアである電子をブロックする機能を有し、電荷の選択性を向上させる様な材料を選択してもよい。   In the present invention, a material that has a function of blocking electrons as reverse carriers and improves the selectivity of charges may be selected.

電子注入・輸送層、正孔ブロック層の各層の好ましい膜厚範囲としては、0.1nmから100nmが好ましく、5nmから80nmがより好ましく、10nmから60nmが最も好ましい。   A preferable film thickness range of each of the electron injection / transport layer and the hole blocking layer is preferably 0.1 nm to 100 nm, more preferably 5 nm to 80 nm, and most preferably 10 nm to 60 nm.

電子注入層(バッファ層)においては、リチウム、カリウム、ナトリウム、セシウム等のイオンを含むハロゲン化物、例えば、フッ化リチウムや、フッ化カリウム等を積層させ、電極との接合を向上させる構成が本発明において特に好ましい。   The electron injection layer (buffer layer) has a structure in which halides containing ions such as lithium, potassium, sodium, and cesium, for example, lithium fluoride, potassium fluoride, and the like are stacked to improve the bonding with the electrode. Particularly preferred in the invention.

これら無機材料からなる電子注入材料を用いる場合は、主にシャドウマスクを通した蒸着法によりパターニング製膜することが好ましいが、溶液として製膜出来る場合は、生産性の点で塗布製膜することがより好ましい。   When using these electron-injecting materials made of inorganic materials, it is preferable to form a film by patterning mainly by vapor deposition through a shadow mask, but if it can be formed as a solution, it should be formed by coating from the viewpoint of productivity. Is more preferable.

蒸着法の場合は、前述した拭き取りパターニングを行った後に蒸着製膜する製法が本発明において特に好ましい。   In the case of a vapor deposition method, the manufacturing method which forms a vapor deposition film after performing the wiping patterning mentioned above is especially preferable in this invention.

(有機機能層の形成方法)
各有機機能層の形成方法としては、蒸着等により形成出来るが、製膜速度の点から塗布及び印刷等が好ましい。使用する塗布方法に制限はないが、例えば、ダイコート法、スピン塗布、転写塗布、エクストリュージョン塗布、ブレードコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、スプレーコート法等が挙げられる。又、印刷は、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷等が使用出来る。塗布後は残留溶媒及び水分、ガスの除去、及び半導体材料の移動度向上のために加熱乾燥アニールを行うことが好ましい。
(Formation method of organic functional layer)
As a method for forming each organic functional layer, it can be formed by vapor deposition or the like, but coating and printing are preferable from the viewpoint of film forming speed. Although there is no restriction | limiting in the coating method to be used, For example, die coating method, spin coating, transfer coating, extrusion coating, blade coating method, wire bar coating method, gravure coating method, spray coating method etc. are mentioned. Moreover, screen printing, offset printing, inkjet printing, etc. can be used for printing. After coating, it is preferable to perform heat drying annealing in order to remove residual solvent and moisture, gas, and improve the mobility of the semiconductor material.

(有機機能層形成用塗布液に使用する溶媒)
各有機材料には溶解特性(溶解パラメータやイオン化ポテンシャル、極性)がそれぞれにあり、溶解出来る溶媒には限定がある。又その際には溶解度もそれぞれ違うため、一概に濃度も決めることが出来ないが、本発明において用いられる溶媒の種類は、成膜しようとする有機材料に応じて、前記の条件に適ったものを、公知の溶媒から選択すればよく、例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等のハロゲン系炭化水素系溶媒や、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソールなどのエーテル系溶媒、メタノールや、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、シクロヘキサノール,2−メトキシエタノール、エチレングリコール、グリセリン等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、オクタン、デカン、テトラリン等のパラフィン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン等のケトン系溶媒、ピリジン、キノリン、アニリン等のアミン系溶媒、アセトニトリル、バレロニトリル等のニトリル系溶媒、チオフェン、二硫化炭素などの硫黄系溶媒が挙げられる。尚、使用可能な溶媒は、これらに限るものではなく、これらを二種以上混合して溶媒として用いてもよい。
(Solvent used for coating liquid for organic functional layer formation)
Each organic material has solubility characteristics (solubility parameters, ionization potential, polarity), and there are limitations on the solvents that can be dissolved. In this case, since the solubility is different, the concentration cannot be generally determined. However, the type of the solvent used in the present invention is suitable for the above conditions depending on the organic material to be deposited. May be selected from known solvents, for example, halogenated hydrocarbon solvents such as dichloromethane, dichloroethane, chloroform, carbon tetrachloride, tetrachloroethane, trichloroethane, chlorobenzene, dichlorobenzene, chlorotoluene, dibutyl ether, tetrahydrofuran, Ether solvents such as dioxane and anisole, methanol, alcohol solvents such as ethanol, isopropanol, butanol, cyclohexanol, 2-methoxyethanol, ethylene glycol, glycerin, benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, etc. Aromatic hydrocarbon solvents, paraffin solvents such as hexane, octane, decane and tetralin, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate and amyl acetate, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N- Amide solvents such as methylpyrrolidone, ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone and isophorone, amine solvents such as pyridine, quinoline and aniline, nitrile solvents such as acetonitrile and valeronitrile, sulfur such as thiophene and carbon disulfide And system solvents. In addition, the solvent which can be used is not restricted to these, You may mix and use 2 or more types of these as a solvent.

これらの内、好ましい例としては、有機エレクトロニクスパネルに用いられる材料の良溶媒としては、例えば芳香族系溶媒、ハロゲン系溶媒、エーテル系溶媒などであり、好ましくは、芳香族系溶媒、エーテル系溶媒である。又、貧溶媒としては、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、パラフィン系溶媒などが挙げられ、中でもアルコール系溶媒、パラフィン系溶媒である。   Of these, preferable examples of the good solvent for the material used in the organic electronics panel include, for example, aromatic solvents, halogen solvents, ether solvents, and preferably aromatic solvents, ether solvents. It is. Examples of the poor solvent include alcohol solvents, ketone solvents, paraffin solvents, and the like. Among them, alcohol solvents and paraffin solvents are used.

尚、これらの有機物層を塗布等によって積層する場合、下層にあたる層を溶解しないよう、材料や、溶媒を選択することが必要である。   In addition, when laminating | stacking these organic substance layers by application | coating etc., it is necessary to select a material and a solvent so that the lower layer may not be dissolved.

又、その為、これら有機物層の材料を積極的に架橋させるなどして不溶化させる構成も好ましく用いることが出来る。例えばビニル基のような重合性基或いは架橋基を持ち、加熱或いは光照射等によって、前記の構造単位をそれぞれ有する重合体・若しくは架橋構造を形成するものを用いることが出来る。これにより重層による膜の溶解、界面の乱れ等を抑えることが出来る。   For this reason, a structure in which the material of the organic layer is insolubilized by positively crosslinking it can be preferably used. For example, a polymer having a polymerizable group such as a vinyl group or a cross-linking group and forming a polymer or a cross-linked structure having the above-described structural units by heating or light irradiation can be used. As a result, dissolution of the film due to the multilayer, disturbance of the interface, and the like can be suppressed.

(第1電極)
第1電極は、陰極、陽極は特に限定せず、素子構成により選択することが出来るが、好ましくは透明電極を陽極として用いることである。例えば、陽極として用いる場合、好ましくは380nmから800nmの光を透過する電極である。材料としては、4eVより大きな(深い)仕事関数を持つものが適しており、例えば、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO、ZnO等の透明導電性金属酸化物、金、銀、白金等の金属薄膜、金属ナノワイヤー、カーボンナノチューブ等を用いることが出来る。
(First electrode)
The first electrode is not particularly limited to a cathode and an anode, and can be selected depending on the element structure, but preferably a transparent electrode is used as the anode. For example, when used as an anode, it is preferably an electrode that transmits light from 380 nm to 800 nm. A material having a work function larger (deep) than 4 eV is suitable as a material, for example, a transparent conductive metal oxide such as indium tin oxide (ITO), SnO 2 , or ZnO, or a metal such as gold, silver, or platinum. Thin films, metal nanowires, carbon nanotubes, and the like can be used.

(第2電極)
第2電極は陰極、陽極は特に限定せず、素子構成により選択することが出来るが、好ましくは透明電極を陽極として用いることである。例えば、陰極として用いる場合、好ましくは仕事関数が4eV以下(浅い)の金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。この様な電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、有機機能層との電気的な接合、及び酸化等に対する耐久性の点から、これら金属とこれより仕事関数の値が大きく(深く)安定な金属である第二の金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム単独等が好適である。
(Second electrode)
The second electrode is not particularly limited to a cathode and an anode, and can be selected depending on the element configuration, but preferably a transparent electrode is used as the anode. For example, when used as a cathode, it is preferable to use a metal, an alloy, an electrically conductive compound having a work function of 4 eV or less (shallow), and a mixture thereof as an electrode material. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like. Among these, from the viewpoint of electrical bonding with the organic functional layer and durability against oxidation, etc., these metals and the second metal, which is a stable metal having a larger (deep) work function value than this, Mixtures such as magnesium / silver mixtures, magnesium / aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum alone and the like are suitable.

第2電極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することが出来る。又、膜厚は通常10nmから5μm、好ましくは50nmから200nmの範囲で選ばれる。   The second electrode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. The film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 μm, preferably 50 nm to 200 nm.

第2電極として反射率の高い金属材料を用いれば、例えば有機EL素子において、発光した光の一部を反射して外部に取り出すことが出来、又、有機PV素子においては、光電変換層を通過した光を反射し、再度、光電変換層に戻すことで光路長を稼ぐ効果が得られ、何れにおいても外部量子効率の向上が期待出来る。   If a highly reflective metal material is used as the second electrode, for example, in an organic EL element, a part of the emitted light can be reflected and taken out to the outside, and the organic PV element passes through a photoelectric conversion layer. The effect of increasing the optical path length can be obtained by reflecting the reflected light and returning it to the photoelectric conversion layer again, and in any case, improvement of the external quantum efficiency can be expected.

更に、金属(例えば金、銀、銅、白金、ロジウム、ルテニウム、アルミニウム、マグネシウム、インジウム等)、又は炭素からなるナノ粒子、ナノワイヤー、ナノ構造体であってもよく、ナノ粒子やナノワイヤーの高分散性なペーストであれば、透明で導電性の高い対電極を塗布法や印刷法により形成出来好ましい。   Furthermore, it may be a metal (for example, gold, silver, copper, platinum, rhodium, ruthenium, aluminum, magnesium, indium, etc.) or a nanoparticle, nanowire, or nanostructure made of carbon. A highly dispersible paste is preferable because a transparent and highly conductive counter electrode can be formed by a coating method or a printing method.

又、対電極側を光透過性とする場合は、例えば、アルミニウム及びアルミニウム合金、銀及び銀化合物等の対電極に適した導電性材料を薄く1nmから20nm程度の膜厚で作製した後、上記透明電極の説明で挙げた導電性光透過性材料の膜を設けることで、光透過性の電極とすることも出来る。   Further, when the counter electrode side is made light transmissive, for example, a conductive material suitable for the counter electrode such as aluminum and aluminum alloy, silver and silver compound is formed with a thin film thickness of about 1 nm to 20 nm, and then the above-mentioned By providing a film of the conductive light-transmitting material mentioned in the description of the transparent electrode, a light-transmitting electrode can be obtained.

(基材)
基材としては、発光した光、若しくは起電力を発生させるための光を透過させることが可能な、即ちこれら光の波長に対して透明な部材であることが好ましい。本発明で用いることが出来る基材の例としては、ガラス基板や樹脂基材等が好適に挙げられるが、軽量性と柔軟性の観点から透明樹脂フィルムを用いることが望ましい。
(Base material)
The base material is preferably a member capable of transmitting emitted light or light for generating electromotive force, that is, a member transparent to the wavelength of these lights. Preferred examples of the substrate that can be used in the present invention include a glass substrate and a resin substrate, but it is desirable to use a transparent resin film from the viewpoint of lightness and flexibility.

透明樹脂フィルムには特に制限がなく、その材料、形状、構造、厚み等については公知のものの中から適宜選択することが出来る。例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)変性ポリエステル等のポリエステル系樹脂フィルム、ポリエチレン(PE)樹脂フィルム、ポリプロピレン(PP)樹脂フィルム、ポリスチレン樹脂フィルム、環状オレフィン系樹脂等のポリオレフィン類樹脂フィルム、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂フィルム、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)樹脂フィルム、ポリサルホン(PSF)樹脂フィルム、ポリエーテルサルホン(PES)樹脂フィルム、ポリカーボネート(PC)樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、アクリル樹脂フィルム、トリアセチルセルロース(TAC)樹脂フィルム等を挙げることが出来るが、可視域の波長(380〜800nm)における透過率が80%以上である樹脂フィルムであれば、本発明に係る透明樹脂フィルムに好ましく適用することが出来る。中でも透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、強度及びコストの点から、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルサルホンフィルム、ポリカーボネートフィルムであることが好ましく、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルムであることがより好ましい。   There is no restriction | limiting in particular in a transparent resin film, About the material, a shape, a structure, thickness, etc., it can select suitably from well-known things. For example, polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN) modified polyester, polyethylene (PE) resin film, polypropylene (PP) resin film, polystyrene resin film, polyolefin resins such as cyclic olefin resin Film, vinyl resin film such as polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyether ether ketone (PEEK) resin film, polysulfone (PSF) resin film, polyether sulfone (PES) resin film, polycarbonate (PC) resin film, A polyamide resin film, a polyimide resin film, an acrylic resin film, a triacetyl cellulose (TAC) resin film, and the like can be given. If the resin film transmittance of 80% or more at ~800nm), can be preferably applied to a transparent resin film according to the present invention. Among these, from the viewpoint of transparency, heat resistance, ease of handling, strength and cost, it is preferably a biaxially stretched polyethylene terephthalate film, a biaxially stretched polyethylene naphthalate film, a polyethersulfone film, or a polycarbonate film, and biaxially stretched. More preferred are polyethylene terephthalate films and biaxially stretched polyethylene naphthalate films.

本発明に用いられる透明基材には、塗布液の濡れ性や接着性を確保するために、表面処理を施すことや易接着層を設けることが出来る。表面処理や易接着層については従来公知の技術を使用出来る。例えば、表面処理としては、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線処理、高周波処理、グロー放電処理、活性プラズマ処理、レーザー処理等の表面活性化処理を挙げることが出来る。又、易接着層としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ビニル系共重合体、ブタジエン系共重合体、アクリル系共重合体、ビニリデン系共重合体、エポキシ系共重合体等を挙げることが出来る。   The transparent substrate used in the present invention can be subjected to a surface treatment or an easy adhesion layer in order to ensure the wettability and adhesiveness of the coating solution. A conventionally well-known technique can be used about a surface treatment or an easily bonding layer. For example, the surface treatment includes surface activation treatment such as corona discharge treatment, flame treatment, ultraviolet treatment, high frequency treatment, glow discharge treatment, active plasma treatment, and laser treatment. Examples of the easy-adhesion layer include polyester, polyamide, polyurethane, vinyl copolymer, butadiene copolymer, acrylic copolymer, vinylidene copolymer, and epoxy copolymer.

又、酸素及び水蒸気の透過を抑制する目的で、透明基材にはバリアコート層が予め形成されていてもよいし、透明導電層を製膜する側、又は反対側にハードコート層が予め形成されていてもよい。   In order to suppress the permeation of oxygen and water vapor, a barrier coat layer may be formed in advance on the transparent substrate, or a hard coat layer is formed in advance on the side where the transparent conductive layer is formed or on the opposite side. May be.

(封止)
作製した有機光電変換素子が大気中の酸素、水分等で劣化しないように、有機EL素子や有機PV素子では、公知の手法によって封止することが好ましい。例えば、薄膜のアルミニウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等のガスバリア層が形成されたプラスチックフィルムと有機エレクトロニクスパネルの上を接着剤やUV硬化・熱硬化樹脂等で封止接着し貼合する手法、ガスバリア性の高い有機高分子材料(ポリビニルアルコール等)をスピンコートする方法、ガスバリア性の高い無機薄膜(酸化ケイ素、酸化アルミニウム等)又は有機膜(パリレン等)を真空下や大気下でスパッタ法やCVD法などで堆積する方法、及びこれらを複合的に積層する方法等を挙げることが出来る。
(Sealing)
In order to prevent the produced organic photoelectric conversion element from being deteriorated by oxygen, moisture, etc. in the atmosphere, it is preferable to seal the organic EL element and the organic PV element by a known method. For example, a method of sealing and bonding a plastic film on which a gas barrier layer such as a thin film of aluminum, silicon oxide, or aluminum oxide is formed and an organic electronics panel with an adhesive, UV curable / thermosetting resin, etc., gas barrier properties Spin coating of organic polymer materials (polyvinyl alcohol, etc.) with high viscosity, sputtering methods and CVD methods for inorganic thin films (silicon oxide, aluminum oxide, etc.) or organic films (parylene, etc.) with high gas barrier properties under vacuum or air The method of depositing by these, the method of laminating | stacking these compositely, etc. can be mentioned.

更に本発明においては、素子寿命向上の観点から、基材を含む有機エレクトロニクスパネル全体を2枚のバリア付き基材でラミネート封止した構成でもよく、好ましくは、水分ゲッター等を同封した構成であっても構わない。   Furthermore, in the present invention, from the viewpoint of improving the lifetime of the element, the entire organic electronics panel including the base material may be laminated and sealed with two base materials with a barrier, and preferably a configuration in which a moisture getter or the like is enclosed. It doesn't matter.

以下、実施例を挙げて本発明の具体的な効果を示すが、本発明の態様はこれに限定されるものではない。   Hereinafter, although an example is given and the concrete effect of the present invention is shown, the mode of the present invention is not limited to this.

実施例1
図2、図3に示す有機エレクトロニクスパネルを作製する工程フロー図に従って図1(a)に示される構成の有機エレクトロニクスパネルとして有機EL素子を作製する時、及び図6、図7に示す有機エレクトロニクスパネルを作製する工程フロー図に従って、図1(b)に示される構成の有機エレクトロニクスパネルとして有機EL素子を作製する時、表1に示す様に有機機能層の不要領域を除去するパターニング工程及びクリーニング工程の条件を変えて有機ELパネルを作製し、試料No.101から110とした。
Example 1
When producing an organic EL element as the organic electronics panel having the configuration shown in FIG. 1A according to the process flow chart for producing the organic electronics panel shown in FIGS. 2 and 3, and the organic electronics panel shown in FIGS. In accordance with the process flow chart for manufacturing the organic EL panel as the organic electronics panel having the structure shown in FIG. 1B, a patterning process and a cleaning process for removing unnecessary regions of the organic functional layer as shown in Table 1 The organic EL panel was manufactured by changing the conditions of Sample No. 101 to 110.

尚、パターニング工程は図5に示す払拭装置を使用し、クリーニング工程は図6に示す大気圧プラズマ処理装置を使用した。有機ELパネルの層構成は、基材/第1電極(陽極)/有機機能層(正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層)/電子注入層/第2電極(陰極)/封止層とした。   Note that the wiping device shown in FIG. 5 was used in the patterning step, and the atmospheric pressure plasma processing device shown in FIG. 6 was used in the cleaning step. The layer structure of the organic EL panel is as follows: substrate / first electrode (anode) / organic functional layer (hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer) / electron injection layer / second electrode (cathode) / It was set as the sealing layer.

主な有機機能層である発光層とし、発光層形成用塗布液には溶媒としてトルエンを使用した。発光層形成用塗布液に使用した溶媒(トルエン)のHansenの溶解度パラメータ∂、∂、∂、から算出される百分率(f、f、f)は、f80、f7、f13、であった。尚、上記に示される百分率(f、f、f)は、下記式1)から式3)に従って求めた値を示す。 A light emitting layer which is a main organic functional layer was used, and toluene was used as a solvent in the light emitting layer forming coating solution. The percentages (f d , f p , f h ) calculated from Hansen solubility parameters d d , ∂ p , ∂ h of the solvent (toluene) used in the light emitting layer forming coating solution are f d 80, f p 7 and f h 13. The percentages (f d , f p , f h ) shown above represent values obtained according to the following formulas 1) to 3).

式1) f=∂/(∂+∂+∂
式2) f=∂/(∂+∂+∂
式3) f=∂/(∂+∂+∂
Formula 1) f d = ∂ d / (∂ d + ∂ p + ∂ h )
Formula 2) f p = ∂ p / (∂ d + ∂ p + ∂ h )
Equation 3) f h = ∂ h / (∂ d + ∂ p + ∂ h)

Figure 2011040336
Figure 2011040336

パターニング工程で払拭装置に使用した溶媒のHansenの溶解度パラメータ∂d1、∂p1、∂h1、から算出される百分率(fd1、fp1、fh1)のプロットと、発光層形成用塗布液に使用した溶媒(トルエン)のHansenの溶解度パラメータ∂d2、∂p2、∂h2、から算出される百分率(fd2、fp2、fh2)のプロットとのポイント差Rfを以下の式4)に従って求め表2に示す。 Plots of percentages (f d1 , f p1 , f h1 ) calculated from Hansen solubility parameters d d1 , p p1 , ∂ h1 , used for the wiping device in the patterning step, and used for the light emitting layer forming coating solution The point difference Rf with respect to the percentage (f d2 , f p2 , f h2 ) plot calculated from Hansen solubility parameters d d2 , p p2 , ∂ h2 , of the solvent (toluene) obtained was determined according to the following formula 4) It is shown in 2.

式4) (Rf)=(fd2−fd1+(fp2−fp1+(fh2−fh1 Formula 4) (Rf) 2 = (f d2 −f d1 ) 2 + (f p2 −f p1 ) 2 + (f h2 −f h1 ) 2

Figure 2011040336
Figure 2011040336

*、f*、f*は、The Book and Paper Group ANNUAL,Volume Three 1984,Solubility Parameters:Theory and Application(John Burke著)からの引用した値を示す。 f d *, f p *, and f h * are quoted from The Book and Paper Group ANNUAL, Volume Three 1984, Solubility Parameters: Theory and Application (shown by John Burke).

〈試料No.101の作製〉
(基材の準備)
厚さ100μm、幅180mmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(帝人・デュポン社製)を基材として準備し、5×10−2Paまで減圧させた真空環境条件でスパッタリング法により、厚さ60nmのバリア層(主にSiOからなる層)を形成させた。
<Sample No. 101 Production>
(Preparation of base material)
A barrier film having a thickness of 60 nm is prepared by sputtering under a vacuum environment condition in which a polyethylene terephthalate (PET) film (manufactured by Teijin DuPont) having a thickness of 100 μm and a width of 180 mm is prepared as a base material and reduced in pressure to 5 × 10 −2 Pa A layer (a layer mainly made of SiO 2 ) was formed.

(第1電極(陽極)の形成)
準備したPETフィルムの上に真空環境条件で厚さ120nmのITO(インジウムチンオキシド)をスパッタリング法により、マスクパターン成膜を行い、右端にリード部を有する10mm×100mmの大きさの第1電極を3mm間隔で12列形成した。
(Formation of the first electrode (anode))
On the prepared PET film, ITO (Indium Tin Oxide) with a thickness of 120 nm is formed by sputtering under vacuum environment conditions, and a mask pattern is formed, and a first electrode having a size of 10 mm × 100 mm having a lead portion on the right end is formed. Twelve rows were formed at intervals of 3 mm.

(正孔注入層形成用塗布液の調製)
ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製 Bytron P AI 4083)を40質量%に対し、純水30質量%、イソプロパノール30質量%で希釈し正孔注入層形成用塗布液を調製した。
(Preparation of hole injection layer forming coating solution)
Polyethylenedioxythiophene / polystyrenesulfonate (PEDOT / PSS, Baytron P AI 4083 manufactured by Bayer) is diluted with 40% by mass with 30% by mass of pure water and 30% by mass of isopropanol to prepare a coating solution for forming a hole injection layer. did.

(正孔注入層の形成)
引き続き、第1電極までを形成したPETフィルムの第1電極を含め全面に、調製した正孔注入層形成用塗布液をスリットコーターを使用して塗布し、続けて150℃で15分間乾燥・加熱処理し膜厚が30nmの正孔注入層を形成した。尚、塗布速度は、5m/分とした。膜厚は、ジョバンイボン社製分光エリプソメータを使用し測定した値を示す。
(Formation of hole injection layer)
Subsequently, the prepared coating solution for forming the hole injection layer is applied to the entire surface including the first electrode of the PET film formed up to the first electrode using a slit coater, and subsequently dried and heated at 150 ° C. for 15 minutes. A hole injection layer having a thickness of 30 nm was formed by treatment. The coating speed was 5 m / min. The film thickness is a value measured using a spectroscopic ellipsometer manufactured by Joban Yvon.

(正孔輸送層形成用塗布液の調製)
正孔輸送材料1を0.5質量%含むトルエン溶液を正孔輸送層形成用塗布液として調製した。
(Preparation of coating solution for hole transport layer formation)
A toluene solution containing 0.5% by mass of hole transport material 1 was prepared as a coating solution for forming a hole transport layer.

Figure 2011040336
Figure 2011040336

(正孔輸送層の形成)
引き続き、正孔注入層までを形成したPETフィルムを窒素チャンバー中(25℃、露点温度−20℃以下のN2ガス環境、大気圧下で、且つ清浄度クラス5以下(JIS B 9920))に搬送し、調製した正孔輸送層形成用塗布液を上記と同様なスリットコーターを用いて正孔輸送層の上全面に塗布した。溶媒乾燥後、後述の有機機能層のパターン化に記載の方法を用いて、第1電極からなるリード部の領域を拭き取り除去した。更に、窒素雰囲気下で180秒間、100Wの高圧水銀ランプでUV照射し、光重合・架橋を行い、膜厚約20nmの正孔輸送層を形成した。尚、塗布速度は、5m/分とした。膜厚は、正孔注入層の膜厚の測定と同じ方法で測定した値を示す。
(Formation of hole transport layer)
Subsequently, the PET film formed up to the hole injection layer is transported into a nitrogen chamber (N 2 gas environment at 25 ° C., dew point temperature −20 ° C. or lower, atmospheric pressure, and cleanliness class 5 or lower (JIS B 9920)). Then, the prepared coating liquid for forming a hole transport layer was applied to the entire upper surface of the hole transport layer using a slit coater similar to the above. After the solvent was dried, the region of the lead part composed of the first electrode was wiped off using the method described in the patterning of the organic functional layer described later. Furthermore, UV irradiation was performed with a 100 W high-pressure mercury lamp for 180 seconds in a nitrogen atmosphere, photopolymerization and crosslinking were performed, and a hole transport layer having a thickness of about 20 nm was formed. The coating speed was 5 m / min. A film thickness shows the value measured by the same method as the measurement of the film thickness of a positive hole injection layer.

(発光層形成用塗布液の調製)
PVKを1質量%、ドーパント4を0.1質量%含むトルエン溶液を調製し発光層形成用塗布液とした。
(Preparation of light emitting layer forming coating solution)
A toluene solution containing 1% by mass of PVK and 0.1% by mass of dopant 4 was prepared as a light emitting layer forming coating solution.

Figure 2011040336
Figure 2011040336

(発光層の形成)
引き続き、調製した発光層形成用塗布液を正孔輸送層までを形成したPETフィルム上の正孔輸送層の上全面にスリットコーターを使用し塗布し、120℃で乾燥して、膜厚50nmの発光層を形成した。尚、塗布速度は、5m/分とした。膜厚は、正孔注入層の膜厚の測定と同じ方法で測定した値を示す。
(Formation of light emitting layer)
Subsequently, the prepared light emitting layer forming coating solution was applied to the entire upper surface of the hole transport layer on the PET film formed up to the hole transport layer using a slit coater and dried at 120 ° C. A light emitting layer was formed. The coating speed was 5 m / min. A film thickness shows the value measured by the same method as the measurement of the film thickness of a positive hole injection layer.

(電子輸送層形成用塗布液の調製)
電子輸送材料1を0.5質量%含有するn−ブタノール溶液を調製し電子輸送層形成用塗布液とした。
(Preparation of coating solution for electron transport layer formation)
An n-butanol solution containing 0.5% by mass of the electron transport material 1 was prepared and used as a coating solution for forming an electron transport layer.

Figure 2011040336
Figure 2011040336

(電子輸送層の形成)
引き続き、調製した電子輸送層形成用塗布液を、発光層までを形成したPETフィルム上の発光層の上全面に、スリットコーターを使用し塗布し、60℃で乾燥し、膜厚15nmの電子輸送層を形成した。尚、塗布速度は、5m/分とした。膜厚は、正孔注入層の膜厚の測定と同じ方法で測定した値を示す。
(Formation of electron transport layer)
Subsequently, the prepared coating solution for forming an electron transport layer was applied to the entire surface of the light emitting layer on the PET film formed up to the light emitting layer using a slit coater, dried at 60 ° C., and transported with a thickness of 15 nm. A layer was formed. The coating speed was 5 m / min. A film thickness shows the value measured by the same method as the measurement of the film thickness of a positive hole injection layer.

(有機機能層のパターン化)
(払拭装置の準備)
図5に示す払拭装置をPETフィルム上にパターン形成された12列の第1電極の位置に合わせ、基材の幅方向には基材の搬送方向と直交する様に13台を配置した。
(Patterning of organic functional layer)
(Preparation of wiping device)
The wiping device shown in FIG. 5 was aligned with the positions of the 12 rows of first electrodes patterned on the PET film, and 13 units were arranged in the width direction of the base material so as to be orthogonal to the transport direction of the base material.

(有機機能層の不要領域の除去)
引き続き、各有機機能層(正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層)までを積層したPETフィルムを、パターニング工程で準備した13台の払拭装置を使用し有機機能層の不要領域(第1電極用外部接続用電極を形成する領域及びリード部の上部)を以下に示す条件で連続的に払拭除去した。
(Removal of unnecessary area of organic functional layer)
Subsequently, the organic functional layer is unnecessary by using 13 wiping devices prepared in the patterning process for the PET film laminated with each organic functional layer (hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer). The region (the region for forming the first electrode external connection electrode and the upper portion of the lead portion) was continuously wiped and removed under the conditions shown below.

払拭装置の払拭条件
払拭部材の幅:払拭する有機機能層の幅に対して95%幅
払拭部材の厚さ:8mm
払拭部材の材質:不織布テープ
使用溶媒:o−キシレン
使用溶媒の供給量:20ml/秒
押圧ロールによる有機機能層への払拭部材の押圧力:1.96×10Pa
払拭部材の送り出し速度(基材との相対速度):5cm/秒
(電子注入層の形成)
引き続き、有機機能層をパターニング工程で不要領域を除去しパターニングしたPETフィルムを、クリーニング工程で処理することなしに真空蒸着チャンバーに搬送し、蒸着原料としてフッ化リチウム(LiF)を使用し、5×10−4Paまで減圧させた真空条件にて、パターニングされた発光領域に重なる形で蒸着製膜し、厚さ0.6nmの電子注入層を形成した。
Wiping conditions of the wiping device Wiping member width: 95% of the width of the organic functional layer to be wiped Wiping member thickness: 8 mm
Material of wiping member: Non-woven tape Solvent used: o-xylene Supply amount of solvent used: 20 ml / sec. Pressing force of wiping member to organic functional layer by pressing roll: 1.96 × 10 5 Pa
Feeding speed of wiping member (relative speed with the base material): 5 cm / second (formation of electron injection layer)
Subsequently, the PET film patterned by removing unnecessary regions from the organic functional layer in the patterning process is transported to a vacuum deposition chamber without being processed in the cleaning process, and lithium fluoride (LiF) is used as a deposition material. Under vacuum conditions where the pressure was reduced to 10 −4 Pa, vapor deposition was performed so as to overlap with the patterned light emitting region, thereby forming an electron injection layer having a thickness of 0.6 nm.

(第2電極の形成)
引き続き、電子注入層までを形成したPETフィルムを、5×10−4Paまで減圧させた真空条件にて、第1電極の外部接続用電極部を除き電子注入層(第1電極の上部(発光領域))及びリード部に至る領域まで、アルミニウムを使用し蒸着法にてマスクパターン製膜し、厚さ100nmのアルミニウムからなる第2電極(陰極)を形成し図1(a)に示される構成の有機EL素子を作製した。
(Formation of second electrode)
Subsequently, under the vacuum condition in which the PET film formed up to the electron injection layer was depressurized to 5 × 10 −4 Pa, the electron injection layer (the upper part of the first electrode (light emission) was removed except for the external connection electrode part of the first electrode. 1) and a region reaching the lead portion, a mask pattern is formed by vapor deposition using aluminum to form a second electrode (cathode) made of aluminum having a thickness of 100 nm, and the structure shown in FIG. An organic EL element was prepared.

〔封止部材の貼合〕
(接着剤層の形成)
引き続き、作製した有機EL素子において、12列直列で接続した最左端の第1電極用外部接続用電極(有機機能層をパターニング除去した領域)、最右端の第2電極用外部接続用電極を除き、その内部の領域に紫外線硬化型の液状接着剤(エポキシ系樹脂)を複数のノズルから滴下して塗設した。封止フィルム(凸版印刷 GXフィルム:厚み100μm)を、接着剤塗設面にロールラミネータ法により貼合し、大気圧環境化にて押圧0.1MPaでロール圧着した後、100Wの高圧水銀ランプを、照射強度5mW/cmから20mW/cm、距離5mmから15mmで1分間照射し固着させることで封止し、横方向に12列の発光領域を有する帯状の有機ELパネルを作製し試料No.101とした。
[Pasting of sealing member]
(Formation of adhesive layer)
Subsequently, in the produced organic EL element, the leftmost first electrode external connection electrode (region where the organic functional layer is removed by patterning) connected in series in 12 columns is excluded, and the rightmost second electrode external connection electrode is excluded. Then, an ultraviolet curable liquid adhesive (epoxy resin) was dropped from a plurality of nozzles onto the inner region. A sealing film (letter printing GX film: thickness 100 μm) was bonded to the adhesive coating surface by a roll laminator method, and after pressure-bonding at a pressure of 0.1 MPa in an atmospheric pressure environment, a 100 W high-pressure mercury lamp was attached. A band-shaped organic EL panel having 12 rows of light emitting regions in the horizontal direction was prepared by applying an irradiation intensity of 5 mW / cm 2 to 20 mW / cm 2 and a distance of 5 mm to 15 mm for 1 minute. . 101.

〈試料No.102の作製〉
(基材の準備)
試料No.101と同じPETフィルムを準備した。
<Sample No. Production of 102>
(Preparation of base material)
Sample No. The same PET film as 101 was prepared.

(第1電極(陽極)の形成)
準備したPETフィルムの上に試料No.101と同じ条件、同じ方法で右端にリード部を有する10mm×100mmの大きさの第1電極を3mm間隔で12列形成した。
(Formation of the first electrode (anode))
On the prepared PET film, Sample No. The first electrode having a size of 10 mm × 100 mm having a lead portion at the right end was formed in 12 rows at intervals of 3 mm under the same conditions and the same method as 101.

(正孔輸送層から発光層の形成)
引き続き、第1電極までを形成したPETフィルムの第1電極を含め全面に、試料No.101と同じ条件、同じ方法で順次、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層までの有機機能層を積層した。
(Formation of light emitting layer from hole transport layer)
Subsequently, on the entire surface including the first electrode of the PET film formed up to the first electrode, the sample No. Organic functional layers up to a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer were sequentially laminated under the same conditions and the same method as 101.

(有機機能層のパターン化)
引き続き、試料No.101と同じ条件、同じ方法で有機機能層の不要領域を払拭除去した。
(Patterning of organic functional layer)
Subsequently, sample no. Unnecessary regions of the organic functional layer were wiped and removed under the same conditions and the same method as 101.

(電子注入層の形成)
引き続き、試料No.101と同じ条件、同じ方法で電子注入層を形成した。
(Formation of electron injection layer)
Subsequently, sample no. An electron injection layer was formed under the same conditions and the same method as 101.

(第2電極の形成)
引き続き、電子注入層までを形成したPETフィルムを、5×10−4Paまで減圧させた真空条件にて、第1電極用外部接続用電極部を除き第1電極の上部(発光領域)に、アルミニウムを使用し蒸着法にてマスクパターン製膜し、厚さ100nmのアルミニウムからなる第2電極(陰極)を形成した。
(Formation of second electrode)
Subsequently, under the vacuum condition in which the PET film formed up to the electron injection layer was depressurized to 5 × 10 −4 Pa, except for the first electrode external connection electrode part, on the upper part (light emitting region) of the first electrode, A mask pattern was formed by vapor deposition using aluminum to form a second electrode (cathode) made of aluminum having a thickness of 100 nm.

(導電層の形成)
引き続き、第2電極までを形成したPETフィルムを5×10−4Paまで減圧させた真空条件にて、第2電極の端部とリード部とを接続させる領域にアルミニウムを使用し蒸着法にてマスクパターン製膜し、厚さ100nmのアルミニウムからなる導電層を形成し図1(b)に示される構成の有機EL素子を作製した。
(Formation of conductive layer)
Subsequently, in a vacuum condition in which the PET film formed up to the second electrode is depressurized to 5 × 10 −4 Pa, aluminum is used for the region where the end portion of the second electrode and the lead portion are connected by vapor deposition. A mask pattern was formed, a conductive layer made of aluminum having a thickness of 100 nm was formed, and an organic EL element having a configuration shown in FIG.

〔封止部材の貼合〕
引き続き、試料No.101と同じ条件、同じ方法で封止部材を貼合し、有機ELパネルを作製し試料No.102とした。
[Pasting of sealing member]
Subsequently, sample no. A sealing member was bonded under the same conditions and in the same manner as in 101, and an organic EL panel was prepared. 102.

〈試料No.103の作製〉
(基材の準備)
試料No.101と同じPETフィルムを準備した。
<Sample No. 103 production>
(Preparation of base material)
Sample No. The same PET film as 101 was prepared.

(第1電極(陽極)の形成)
準備したPETフィルムの上に試料No.101と同じ条件、同じ方法で右端にリード部を有する10mm×100mmの大きさの第1電極を3mm間隔で12列形成した。
(Formation of the first electrode (anode))
On the prepared PET film, Sample No. The first electrode having a size of 10 mm × 100 mm having a lead portion at the right end was formed in 12 rows at intervals of 3 mm under the same conditions and the same method as 101.

(正孔輸送層から発光層の形成)
引き続き、第1電極までを形成したPETの第1電極を含め全面に、試料No.101と同じ条件、同じ方法で順次、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層までの有機機能層を積層した。
(Formation of light emitting layer from hole transport layer)
Subsequently, on the entire surface including the first electrode of PET formed up to the first electrode, the sample No. Organic functional layers up to a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer were sequentially laminated under the same conditions and the same method as 101.

(有機機能層のパターン化)
引き続き、試料No.101と同じ条件、同じ方法で有機機能層の不要領域を払拭除去した。
(Patterning of organic functional layer)
Subsequently, sample no. Unnecessary regions of the organic functional layer were wiped and removed under the same conditions and the same method as 101.

(パターン化した有機機能層までを形成したPETフィルムのクリーニング)
引き続き、パターン化した有機機能層までを形成したPETフィルムの全面を、図6に示す大気圧プラズマ処理装置で、以下に示す条件によりクリーニングを行った。
(Cleaning of PET film with a patterned organic functional layer)
Subsequently, the entire surface of the PET film formed up to the patterned organic functional layer was cleaned with the atmospheric pressure plasma processing apparatus shown in FIG. 6 under the following conditions.

大気圧プラズマ処理条件
キャリアガス:窒素(大気圧下)
反応性ガス:水素(窒素に対して4体積%)
第1電源電力:ハイデン研究所PHF−6k(100kHz)
第2電源電力:パール工業CF−5000−13M(13.56MHz)
印加出力:1.0W/cm
電極部温度調節:80℃
処理時間:20秒
(電子注入層の形成)
引き続き、電子輸送層までを形成したPETフィルムの電子輸送層の上に試料No.101と同じ条件、同じ方法で電子注入層を形成した。
Atmospheric pressure plasma treatment conditions Carrier gas: Nitrogen (under atmospheric pressure)
Reactive gas: Hydrogen (4% by volume with respect to nitrogen)
First power supply: HEIDEN lab PHF-6k (100kHz)
Second power supply: Pearl Industrial CF-5000-13M (13.56 MHz)
Applied output: 1.0 W / cm 2
Electrode temperature control: 80 ° C
Processing time: 20 seconds (formation of electron injection layer)
Subsequently, sample No. 1 was formed on the electron transport layer of the PET film formed up to the electron transport layer. An electron injection layer was formed under the same conditions and the same method as 101.

(第2電極の形成)
引き続き、電子注入層までを形成したPETフィルムを、5×10−4Paまで減圧させた真空条件にて、第1電極の外部接続用電極部を除き第1電極の上部(発光領域)及びリード部に至る領域までに、アルミニウムを使用し蒸着法にてマスクパターン製膜し、厚さ100nmのアルミニウムからなる第2電極(陰極)を形成し図1(a)に示される構成の有機EL素子を作製した。
(Formation of second electrode)
Subsequently, the upper part of the first electrode (light emitting region) and the lead except for the external connection electrode part of the first electrode under a vacuum condition in which the PET film formed up to the electron injection layer was decompressed to 5 × 10 −4 Pa. An organic EL element having a structure shown in FIG. 1A is formed by forming a mask pattern by vapor deposition using aluminum and forming a second electrode (cathode) made of aluminum having a thickness of 100 nm up to a region reaching the portion. Was made.

〔封止部材の貼合〕
引き続き、試料No.101と同じ条件、同じ方法で封止部材を貼合し、有機ELパネルを作製し試料No.103とした。
[Pasting of sealing member]
Subsequently, sample no. A sealing member was bonded under the same conditions and in the same manner as in 101, and an organic EL panel was prepared. 103.

〈試料No.104の作製〉
(基材の準備)
試料No.101と同じPETフィルムを準備した。
<Sample No. Production of 104>
(Preparation of base material)
Sample No. The same PET film as 101 was prepared.

(第1電極(陽極)の形成)
準備したPETフィルムの上に試料No.101と同じ条件、同じ方法で右端にリード部を有する10mm×100mmの大きさの第1電極を3mm間隔で12列形成した。
(Formation of the first electrode (anode))
On the prepared PET film, Sample No. The first electrode having a size of 10 mm × 100 mm having a lead portion at the right end was formed in 12 rows at intervals of 3 mm under the same conditions and the same method as 101.

(正孔輸送層から発光層の形成)
引き続き、第1電極までを形成したPETの第1電極を含め全面に、試料No.101と同じ条件、同じ方法で順次、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層までの有機機能層を積層した。
(Formation of light emitting layer from hole transport layer)
Subsequently, on the entire surface including the first electrode of PET formed up to the first electrode, the sample No. Organic functional layers up to a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer were sequentially laminated under the same conditions and the same method as 101.

(有機機能層のパターン化)
引き続き、試料No.101と同じ条件、同じ方法で有機機能層の不要領域を払拭除去した。
(Patterning of organic functional layer)
Subsequently, sample no. Unnecessary regions of the organic functional layer were wiped and removed under the same conditions and the same method as 101.

(有機機能層までを形成したPETフィルムのクリーニング)
引き続き、試料No.103と同じ条件、同じ方法で有機機能層までを形成したPETフィルムの全面をクリーニングした。
(Cleaning of PET film formed up to organic functional layer)
Subsequently, sample no. The entire surface of the PET film on which the organic functional layer was formed under the same conditions and the same method as 103 was cleaned.

(電子注入層の形成)
引き続き、試料No.101と同じ条件、同じ方法で電子注入層を形成した。
(Formation of electron injection layer)
Subsequently, sample no. An electron injection layer was formed under the same conditions and the same method as 101.

(第2電極の形成)
引き続き、電子注入層までを形成したPETフィルムを、5×10−4Paまで減圧させた真空条件にて、試料No.102と同じ条件、同じ方法で第2電極(陰極)を形成した。
(Formation of second electrode)
Subsequently, the sample No. 1 was formed under a vacuum condition in which the PET film formed up to the electron injection layer was decompressed to 5 × 10 −4 Pa. A second electrode (cathode) was formed under the same conditions and method as in 102.

(導電層の形成)
引き続き、第2電極までを形成したPETフィルムを5×10−4Paまで減圧させた真空条件にて、試料No.102と同じ条件、同じ方法で導電層を形成し図1(b)に示される構成の有機EL素子を作製した。
(Formation of conductive layer)
Subsequently, in a vacuum condition in which the PET film formed up to the second electrode was depressurized to 5 × 10 −4 Pa, sample no. A conductive layer was formed under the same conditions and in the same manner as in 102, and an organic EL device having the configuration shown in FIG.

〔封止部材の貼合〕
引き続き、試料No.101と同じ条件、同じ方法で封止部材を貼合し、有機ELパネルを作製し試料No.104とした。
[Pasting of sealing member]
Subsequently, sample no. A sealing member was bonded under the same conditions and in the same manner as in 101, and an organic EL panel was prepared. 104.

〈試料No.105の作製〉
試料No.103の作製において有機機能層までを形成したPETフィルムの全面のクリーニングに使用した大気圧プラズマ処理を、100Pa以下の減圧下で、RFマグネトロンスパッタ装置(アネルバ株式会社製チャンバーを改造した装置)を用い、基板クリーニング(エッチング)モードに変え、下記の条件でクリーニング処理した以外は、試料No.103と同じ条件、同じ方法で有機ELパネルを作製し試料No.105とした。
<Sample No. Production of 105>
Sample No. The atmospheric pressure plasma treatment used for cleaning the entire surface of the PET film formed up to the organic functional layer in the production of 103 was performed using an RF magnetron sputtering apparatus (an apparatus modified from Anelva Co., Ltd.) under a reduced pressure of 100 Pa or less. The sample No. was changed to the substrate cleaning (etching) mode except that the cleaning process was performed under the following conditions. An organic EL panel was prepared under the same conditions and in the same manner as in sample No. 103, and sample no. 105.

RFマグネトロンスパッタ装置
RFスパッタクリーニング(エッチング)モードの処理条件
イオン源:アルゴン(99.998%)
加速電圧:5kV
イオン電流:10μA/cm
〈試料No.106の作製〉
試料No.103の作製において、有機機能層の不要領域の除去に使用する溶媒をo−キシレンからクロロホルムに変えた他は、全て試料No.103と同じ条件、同じ方法で有機ELパネルを作製し試料No.106とした。
RF magnetron sputtering apparatus RF sputtering cleaning (etching) mode processing conditions Ion source: Argon (99.998%)
Acceleration voltage: 5 kV
Ion current: 10 μA / cm 2
<Sample No. Production of 106>
Sample No. In the preparation of No. 103, all samples except for the solvent used for removing unnecessary regions of the organic functional layer were changed from o-xylene to chloroform. An organic EL panel was prepared under the same conditions and in the same manner as in sample No. 103, and sample no. 106.

〈試料No.107の作製〉
試料No.103の作製において、有機機能層の不要領域の除去に使用する溶媒をo−キシレンから酢酸ブチルに変えた他は、全て試料No.103と同じ条件、同じ方法で有機ELパネルを作製し試料No.107とした。
<Sample No. Preparation of 107>
Sample No. In the production of the sample No. 103, all the samples except for the solvent used for removing the unnecessary area of the organic functional layer were changed from o-xylene to butyl acetate. An organic EL panel was prepared under the same conditions and in the same manner as in sample No. 103, and sample no. 107.

〈試料No.108の作製〉
試料No.103の作製において、有機機能層の不要領域の除去に使用する溶媒をo−キシレンから酢酸エチルに変えた他は、全て試料No.103と同じ条件、同じ方法で有機ELパネルを作製し試料No.108した。
<Sample No. 108 Production>
Sample No. In the preparation of the sample No. 103, all the samples except for the solvent used for removing the unnecessary area of the organic functional layer were changed from o-xylene to ethyl acetate. An organic EL panel was prepared under the same conditions and in the same manner as in sample No. 103, and sample no. 108.

〈試料No.109の作製〉
試料No.103の作製において、有機機能層の不要領域の除去に使用する溶媒をo−キシレンからアセトンに変えた他は、全て試料No.103と同じ条件、同じ方法で有機ELパネルを作製し試料No.109とした。
<Sample No. 109 production>
Sample No. In the preparation of the sample No. 103, all samples except for the solvent used for removing the unnecessary area of the organic functional layer were changed from o-xylene to acetone. An organic EL panel was prepared under the same conditions and in the same manner as in sample No. 103, and sample no. 109.

〈試料No.110の作製〉
試料No.103の作製において、有機機能層の不要領域の除去に使用する溶媒をo−キシレンからn−ブタノールに変えた他は、全て試料No.103と同じ条件、同じ方法で有機ELパネルを作製し試料No.110とした。
<Sample No. 110 Production>
Sample No. In the preparation of the sample No. 103, all the samples except for the solvent used for removing the unnecessary area of the organic functional layer were changed from o-xylene to n-butanol. An organic EL panel was prepared under the same conditions and in the same manner as in sample No. 103, and sample no. 110.

評価
作製した横に12列の発光領域を有する帯状の有機ELパネルの試料No.101から110について、ダークスポット(スポット状の非発光部)発生数と、発光輝度半減期、保存性について、以下に示す試験方法により試験し、以下に示す評価ランクに従って評価した結果を表3に示す。
Evaluation Sample No. of a strip-shaped organic EL panel having 12 rows of light emitting regions on the side. About 101 to 110, the number of dark spots (spot-like non-light emitting parts), the emission luminance half-life, and the storage stability were tested by the test methods shown below, and the results evaluated according to the evaluation rank shown below are shown in Table 3. Show.

(ダークスポット発生数の測定方法)
各試料から横一列に断裁し、定電圧電源を用いて、有機ELパネルに直流5Vを印加し、ダークスポットの有無についてマイクロスコープを用い目視にてカウントした。12列が接続したパネルの全ての領域において観察した。
(Measurement method for the number of dark spots)
Each sample was cut into a horizontal row, a DC voltage of 5 V was applied to the organic EL panel using a constant voltage power source, and the presence or absence of dark spots was visually counted using a microscope. Observation was made in all areas of the panel where 12 rows were connected.

(ダークスポット発生数の評価ランク)
◎:ダークスポットの発生が全くない
○:ダークスポット1個以上、5個未満
△:ダークスポット5個以上、10個未満
×:ダークスポット10個以上
(発光輝度半減期の測定方法)
各試料から横一列に断裁し、株式会社エーディーシー製、直流電圧・電流源R6243を用いて、素子に25A/mの直流定電流を流し、コニカミノルタセンシング株式会社製分光放射輝度計CS1000を用いて2度視野角正面輝度を発光輝度として測定し、試料No.101の発光輝度半減期を100とした時の相対値にて評価した。
(Evaluation rank of the number of dark spots)
◎: No dark spots are generated ○: Dark spots 1 or more, less than 5 △: Dark spots 5 or more, less than 10 ×: Dark spots 10 or more (Measurement method of light emission luminance half-life)
Cut from each sample in a horizontal row, using a DC voltage / current source R6243 made by ADC Co., Ltd., a DC constant current of 25 A / m 2 was passed through the element, and a spectral radiance meter CS1000 made by Konica Minolta Sensing Co., Ltd. Measure the 2 ° viewing angle front luminance as the emission luminance. Evaluation was made with relative values when the light emission luminance half-life of 101 was taken as 100.

保存性の試験方法
各試料から横一列に断裁した有機ELパネルを、環境温度が65℃、相対湿度が85%RHの条件に500時間暴露した後、定電圧電源を用いて、有機ELパネルに直流5Vを印加し、ダークスポットの有無を1m離れた場所からの目視、及びマイクロスコープを用い目視にてカウントし保存性試験とした。
Preservation test method The organic EL panels cut in a horizontal row from each sample were exposed to the conditions of an environmental temperature of 65 ° C. and a relative humidity of 85% RH for 500 hours, and then applied to the organic EL panel using a constant voltage power source. DC 5V was applied, and the presence or absence of dark spots was visually observed from a place 1 m away and visually observed using a microscope, and a storability test was performed.

(保存性の評価ランク)
◎:目視評価では目立ったダークスポットが見られない。且つ、マイクロスコープで観察しても、ダークスポットが10個未満。
(Evaluation rank for preservation)
(Double-circle): A conspicuous dark spot is not seen by visual evaluation. And even when observed with a microscope, there are less than 10 dark spots.

○:目視評価では目立ったダークスポットが見られない。且つ、マイクロスコープで観察すると、ダークスポットが10個以上、20個未満。   ○: Conspicuous dark spots are not seen in visual evaluation. When observed with a microscope, the number of dark spots is 10 or more and less than 20.

△:目視評価でダークスポットが見えるが、1mmサイズ以下なので許容される大きさ。   Δ: A dark spot can be seen by visual evaluation, but is an allowable size because it is 1 mm or less.

×:目視評価で明らかに大きなダークスポットが見え、1mmサイズ以上なので許容されない大きさ。   X: A large dark spot is clearly seen by visual evaluation, and is an unacceptable size because the size is 1 mm or more.

××:目視評価で明らかに大きなダークスポットが多発   XX: Many large dark spots appear by visual evaluation

Figure 2011040336
Figure 2011040336

基材の上に、第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/第2電極(陰極)/封止層とを有する有機ELパネルを作製する時、有機機能層(正孔注入層/正孔輸送層/発光層)の不要領域を払拭方式で除去した後、引き続きドライエッチング方式でクリーニングし、その後電子注入層/第2電極(陰極)/封止層を形成し作製した有機ELパネル試料No.103から110はダークスポット(スポット状の非発光部)発生数と、発光輝度半減期、保存性で何れも優れた性能を得ることが確認された。又、有機機能層(正孔注入層/正孔輸送層/発光層)の不要領域を払拭方式で除去する時、使用する溶媒を特定のHansenの溶解度パラメータの溶媒SP値領域について選択することでもダークスポット(スポット状の非発光部)発生数と、発光輝度半減期、保存性で何れも優れた性能を得ることが確認された。   When an organic EL panel having a first electrode / a hole injection layer / a hole transport layer / a light emitting layer / an electron injection layer / a second electrode (cathode) / a sealing layer on a substrate is formed, the organic function After removing unnecessary regions of the layer (hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer) by a wiping method, cleaning is subsequently performed by a dry etching method, and then an electron injection layer / second electrode (cathode) / sealing layer is formed. The formed organic EL panel sample No. From 103 to 110, it was confirmed that excellent performance was obtained in terms of the number of dark spots (spot-like non-light-emitting portions), emission luminance half-life, and storage stability. Alternatively, when unnecessary regions of the organic functional layer (hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer) are removed by a wiping method, the solvent to be used may be selected for the solvent SP value region of a specific Hansen solubility parameter. It was confirmed that excellent performance was obtained in terms of the number of dark spots (spot-like non-light-emitting portions), emission luminance half-life, and storage stability.

有機機能層(正孔注入層/正孔輸送層/発光層)の不要領域を払拭方式で除去した後、クリーニングを行わずに、電子注入層/第2電極(陰極)/封止層を形成し作製した有機ELパネル試料No.101、102はダークスポット(スポット状の非発光部)発生数と、発光輝度半減期、保存性で本発明の試料No.103から110に比べ、ダークスポット(スポット状の非発光部)発生数と、発光輝度半減期、保存性が何れも劣る結果となった。本発明の有効性が確認された。   After removing unnecessary areas of the organic functional layer (hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer) by the wiping method, the electron injection layer / second electrode (cathode) / sealing layer is formed without cleaning. The organic EL panel sample No. Reference numerals 101 and 102 indicate the number of dark spots (spot-like non-light-emitting portions), emission luminance half-life, and storage stability. Compared with 103 to 110, the number of dark spots (spot-like non-light emitting portions), the emission luminance half-life, and the storage stability were all inferior. The effectiveness of the present invention was confirmed.

実施例2
図2に示す有機エレクトロニクスパネルを作製する工程フロー図に従って図1(a)に示される構成の有機エレクトロニクスパネルとして有機PVパネルを作製する時、有機機能層の不要領域を除去するパターニング工程の後のクリーニング工程の有無で有機PVパネルを作製し、試料No.201、202とした。
Example 2
When an organic PV panel is manufactured as an organic electronics panel having the configuration shown in FIG. 1A according to a process flow diagram for manufacturing the organic electronics panel shown in FIG. 2, a patterning process after removing an unnecessary region of the organic functional layer is performed. An organic PV panel was prepared with or without a cleaning process. 201 and 202.

尚、パターニング工程は図5に示す払拭装置を使用し、クリーニング工程は図6に示す大気圧プラズマ処理装置を使用した。有機PVパネルの層構成は、基材/第1電極(陽極)/有機機能層(正孔注入層/正孔輸送層/光電変換層/電子注入層)/第2電極(陰極)/封止層とした。   Note that the wiping device shown in FIG. 5 was used in the patterning step, and the atmospheric pressure plasma processing device shown in FIG. 6 was used in the cleaning step. The layer structure of the organic PV panel is: base material / first electrode (anode) / organic functional layer (hole injection layer / hole transport layer / photoelectric conversion layer / electron injection layer) / second electrode (cathode) / sealing. Layered.

〈試料No.201の作製〉
(基材の準備)
実施例1で作製した試料No.101と同じPETフィルムを基材として準備した。
<Sample No. Production of 201>
(Preparation of base material)
Sample No. 1 prepared in Example 1 was used. The same PET film as 101 was prepared as a substrate.

(第1電極(陽極)の形成)
準備したPETフィルムの上に実施例1で作製した試料No.101と同じ条件、同じ方法で第1電極を12列形成した。
(Formation of the first electrode (anode))
Sample No. produced in Example 1 on the prepared PET film. Twelve rows of first electrodes were formed under the same conditions and method as in 101.

(正孔注入層の形成)
引き続き、第1電極までを形成したPETフィルムの第1電極を含め全面に、実施例1で作製した試料No.101と同じ条件、同じ方法で正孔注入層を形成した。
(Formation of hole injection layer)
Subsequently, the sample No. 1 prepared in Example 1 was formed on the entire surface including the first electrode of the PET film formed up to the first electrode. A hole injection layer was formed under the same conditions and method as in 101.

(正孔輸送層の形成)
引き続き、正孔注入層までを形成したPETフィルムの正孔注入層の上全面に実施例1で作製した試料No.101と同じ条件、同じ方法で正孔輸送層を形成した。
(Formation of hole transport layer)
Subsequently, the sample No. 1 prepared in Example 1 was formed on the entire upper surface of the hole injection layer of the PET film formed up to the hole injection layer. A hole transport layer was formed under the same conditions and method as in 101.

(光電変換層形成用塗布液の調製)
クロロベンゼンにP3HT(プレクトロニクス社製:レジオレギュラーポリ−3−ヘキシルチオフェン)とPCBM(フロンティアカーボン社製:6,6−フェニル−C61−ブチリックアシッドメチルエステル)を3.0質量%になるように1:0.8で混合し光電変換層形成用塗布液を調製した。
(Preparation of coating liquid for photoelectric conversion layer formation)
Chlorobenzene P3HT (plectrovirus Toro Nix Co., Ltd. regioregular poly-3-hexylthiophene) and PCBM (manufactured by Frontier Carbon Corporation: 6,6-phenyl -C 61 - butyric acid methyl ester) to a of 3.0 wt% Was mixed at 1: 0.8 to prepare a coating solution for forming a photoelectric conversion layer.

尚、クロロベンゼンのHansenの溶解度パラメータ∂、∂、∂、から算出される百分率(f、f、f)はf65、f17、f8である。百分率(f、f、f)は実施例1に記載の文献と同じ文献からの引用した値を示す。 The percentages (f d , f p , f h ) calculated from Hansen solubility parameters d d , p p , ∂ h of chlorobenzene are f d 65, f p 17, f h 8. Percentages (f d , f p , f h ) indicate values quoted from the same literature as the literature described in Example 1.

Figure 2011040336
Figure 2011040336

(光電変換層の形成)
引き続き、正孔輸送層までを形成したPETフィルムを、窒素雰囲気下で150℃で10分間加熱処理した後、調製した光電変換層形成用塗布液を正孔輸送層上にスリットコーターを用いてフィルターでろ過しながら塗布を行い、室温で放置して乾燥させ続けて、150℃で15分間加熱処理を行い、膜厚が100nmの光電変換層を形成した。
(Formation of photoelectric conversion layer)
Subsequently, the PET film formed up to the hole transport layer was heat-treated at 150 ° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere, and then the prepared photoelectric conversion layer forming coating solution was filtered on the hole transport layer using a slit coater. The solution was applied while filtering, and allowed to stand at room temperature for drying, followed by heat treatment at 150 ° C. for 15 minutes to form a photoelectric conversion layer having a film thickness of 100 nm.

(有機機能層のパターン化)
(払拭装置の準備)
図5に示す払拭装置をPETフィルム上にパターン形成された12列の第1電極の位置に合わせ、基材の幅方向には剤の搬送方向と直交する様に13台を配置した。
(Patterning of organic functional layer)
(Preparation of wiping device)
The wiping device shown in FIG. 5 was aligned with the positions of the 12 rows of first electrodes patterned on the PET film, and 13 units were arranged in the width direction of the base material so as to be orthogonal to the agent transport direction.

(有機機能層の不要領域の除去)
引き続き、各有機機能層(正孔注入層/正孔輸送層/光電変換層)までを積層したPETフィルムを、パターニング工程で準備した13台の払拭装置を使用し有機機能層の不要領域(第1電極の外部電極接続電極を形成する領域及びリード部)を、拭き取り溶媒をアセトンとした以外は、実施例1の試料No.101を作製する時の有機機能層の不要領域の除去方法と同条件、同方法により連続的に払拭除去した。
(Removal of unnecessary area of organic functional layer)
Subsequently, the PET film laminated up to each organic functional layer (hole injection layer / hole transport layer / photoelectric conversion layer) was used as an unnecessary area (first layer) using 13 wiping devices prepared in the patterning step. Sample No. 1 of Example 1 except that acetone was used as the solvent for wiping off the region for forming the external electrode connection electrode of one electrode and the lead portion). It was continuously wiped and removed under the same conditions and the same method as the method for removing unnecessary regions of the organic functional layer when producing 101.

アセトン*のHansenの溶解度パラメータ∂、∂、∂、から算出される百分率(f47、f32、f21)と、光電変換層形成用塗布液に使用した溶媒(クロロベンゼン)のHansenの溶解度パラメータ∂、∂、∂、から算出される百分率(f75、f17、f8)とのプロットに対するポイント差RfはRf=34となる。 The percentage (f d 47, f p 32, f h 21) calculated from Hansen solubility parameters 、 d , p p , ∂ h , of acetone *, and the solvent (chlorobenzene) used in the coating solution for forming the photoelectric conversion layer The point difference Rf with respect to the plot with the percentages (f d 75, f p 17, f h 8) calculated from the Hansen solubility parameters ∂ d , p p , ∂ h is Rf = 34.

アセトン*のHansenの溶解度パラメータ∂、∂、∂、から算出される百分率は実施例1と同じ文献から引用した値を示す。又、ポイントは実施例1と同じ方法で求めた値を示す。 The percentages calculated from Hansen solubility parameters ∂ d , p p , ∂ h , of acetone * are values quoted from the same literature as in Example 1. The points indicate values obtained by the same method as in the first embodiment.

(電子注入層の形成)
引き続き、有機機能層をパターニング工程で不要領域を除去しパターニングしたPETフィルムを、クリーニング工程で処理することなしに真空蒸着チャンバーに搬送し、蒸着原料としてフッ化リチウム(LiF)を使用し、5×10−4Paまで減圧させた真空条件にて、パターニングされた発電領域に重なる形で蒸着製膜し、厚さ0.6nmの電子注入層を形成した。
(Formation of electron injection layer)
Subsequently, the PET film patterned by removing unnecessary regions from the organic functional layer in the patterning process is transported to a vacuum deposition chamber without being processed in the cleaning process, and lithium fluoride (LiF) is used as a deposition material. Under vacuum conditions where the pressure was reduced to 10 −4 Pa, vapor deposition was performed so as to overlap with the patterned power generation region, thereby forming an electron injection layer having a thickness of 0.6 nm.

(第2電極の形成)
引き続き、電子注入層までを形成したPETフィルムを、5×10−4Paまで減圧させた真空条件にて、第1電極の外部接続用電極部を除き電子注入層(第1電極の上部(発電領域))及びリード部に至る領域まで、アルミニウムを使用し蒸着法にてマスクパターン製膜し、厚さ100nmのアルミニウムからなる第2電極(陰極)を形成し図1(a)に示される構成の有機PV素子を作製した。
(Formation of second electrode)
Subsequently, under the vacuum condition in which the PET film formed up to the electron injection layer was decompressed to 5 × 10 −4 Pa, the electron injection layer (the upper part of the first electrode (power generation) 1) and a region reaching the lead portion, a mask pattern is formed by vapor deposition using aluminum to form a second electrode (cathode) made of aluminum having a thickness of 100 nm, and the structure shown in FIG. An organic PV element was prepared.

〔封止部材の貼合〕
(接着剤層の形成)
引き続き、作製した有機PV素子において、実施例1で作製した試料No.101と同じ条件、同じ方法で接着剤層を形成した後、実施例1で作製した試料No.101と同じ条件、同じ方法で封止フィルムで封止し、横方向に12列の光電変換領域を有する帯状の有機PVパネルを作製し試料No.201とした。
[Pasting of sealing member]
(Formation of adhesive layer)
Subsequently, in the produced organic PV element, the sample No. 1 produced in Example 1 was used. After forming the adhesive layer under the same conditions and the same conditions as in 101, the sample No. 1 prepared in Example 1 was used. A strip-shaped organic PV panel was prepared by sealing with a sealing film under the same conditions and in the same manner as in 101, and having twelve rows of photoelectric conversion regions in the lateral direction. 201.

〈試料No.202の作製〉
(基材の準備)
試料No.201と同じPETフィルムを準備した。
<Sample No. 202 Production>
(Preparation of base material)
Sample No. The same PET film as 201 was prepared.

(第1電極(陽極)の形成)
準備したPETフィルムの上に試料No.201と同じ条件、同じ方法で右端にリード部を有する10mm×100mmの大きさの第1電極を3mm間隔で12列形成した。
(Formation of the first electrode (anode))
On the prepared PET film, Sample No. Twelve rows of first electrodes having a size of 10 mm × 100 mm having a lead portion at the right end were formed at intervals of 3 mm under the same conditions and the same method as 201.

(正孔輸送層から光電変換層の形成)
引き続き、第1電極までを形成したPETフィルムの第1電極を含め全面に、試料No.201と同じ条件、同じ方法で順次、正孔注入層、正孔輸送層、光電変換層までの有機機能層を積層した。
(Formation of photoelectric conversion layer from hole transport layer)
Subsequently, on the entire surface including the first electrode of the PET film formed up to the first electrode, the sample No. Organic functional layers up to a hole injection layer, a hole transport layer, and a photoelectric conversion layer were sequentially laminated under the same conditions and the same method as 201.

(有機機能層のパターン化)
引き続き、試料No.201と同じ条件、同じ方法で有機機能層の不要領域を払拭除去した。
(Patterning of organic functional layer)
Subsequently, sample no. The unnecessary area | region of the organic functional layer was wiped away by the same conditions and the same method as 201. FIG.

(パターン化した有機機能層までを形成したPETフィルムのクリーニング)
引き続き、パターン化した有機機能層までを形成したPETフィルムの全面を、図6に示す大気圧プラズマ処理装置で、以下に示す条件によりクリーニングを行った。
(Cleaning of PET film with a patterned organic functional layer)
Subsequently, the entire surface of the PET film formed up to the patterned organic functional layer was cleaned with the atmospheric pressure plasma processing apparatus shown in FIG. 6 under the following conditions.

(大気圧プラズマ処理条件)
キャリアガス:窒素(大気圧下)
反応性ガス:水素(窒素に対して4体積%)
第1電源電力:ハイデン研究所PHF−6k(100kHz)
第2電源電力:パール工業CF−5000−13M(13.56MHz)
印加出力:1.0W/cm
電極部温度調節:80℃
処理時間:20秒
(電子注入層の形成)
引き続き、光電変換層までを形成したPETフィルムの光電変換層の上に試料No.201と同じ条件、同じ方法で電子注入層を形成した。
(Atmospheric pressure plasma treatment conditions)
Carrier gas: Nitrogen (under atmospheric pressure)
Reactive gas: Hydrogen (4% by volume with respect to nitrogen)
First power supply: HEIDEN lab PHF-6k (100kHz)
Second power supply: Pearl Industrial CF-5000-13M (13.56 MHz)
Applied output: 1.0 W / cm 2
Electrode temperature control: 80 ° C
Processing time: 20 seconds (formation of electron injection layer)
Subsequently, sample No. 1 was formed on the photoelectric conversion layer of the PET film formed up to the photoelectric conversion layer. An electron injection layer was formed under the same conditions and the same method as in 201.

(第2電極の形成)
引き続き、電子注入層までを形成したPETフィルムを、5×10−4Paまで減圧させた真空条件にて、試料No.201と同じ条件、同じ方法で第2電極(陰極)を形成し図1(a)に示される構成の有機PV素子を作製した。
(Formation of second electrode)
Subsequently, the sample No. 1 was formed under a vacuum condition in which the PET film formed up to the electron injection layer was decompressed to 5 × 10 −4 Pa. A second electrode (cathode) was formed under the same conditions and in the same manner as in 201 to produce an organic PV element having the configuration shown in FIG.

〔封止部材の貼合〕
引き続き、試料No.201と同じ条件、同じ方法で封止部材を貼合し、有機PVパネルを作製し試料No.202とした。
[Pasting of sealing member]
Subsequently, sample no. The sealing member was bonded by the same method and the same method as 201, an organic PV panel was prepared, and sample No. 202.

(評価)
作製した横に12列の光電変換領域を有する帯状の有機PVパネルの試料No.201、202について、欠陥率、光耐久性、保存性とを以下に示す試験方法により試験し、以下に示す評価ランクに従って評価した結果を表4に示す。
(Evaluation)
Sample No. of a strip-shaped organic PV panel having twelve rows of photoelectric conversion regions formed on the side. Table 4 shows the results of testing 201 and 202 for the defect rate, light durability, and storage stability according to the test methods shown below and evaluated according to the evaluation rank shown below.

欠陥率の測定方法
各試料から横一列に断裁し、LBIC(レーザービーム起電流)測定法により、12列が接続したパネルの、発電に寄与している有効領域において有機PV素子面内で発電量が低下している領域を計測し、下記の式に従って欠陥率を求めた。
Defect rate measurement method Cut from each sample in a horizontal row, and by the LBIC (laser beam electromotive force) measurement method, the amount of power generation in the organic PV element plane in the effective area contributing to power generation of the panel connected to 12 rows The area where the drop is measured was measured, and the defect rate was determined according to the following formula.

欠陥率(%)=〔発電領域の発電量の平均値に対し、発電量が20%以上低下している領域の面積〕/〔パネルの発電領域の面積〕×100
欠陥率の評価ランク
◎:欠陥率が3%未満
○:欠陥率が3%以上、5%未満
△:欠陥率が5%以上、8%未満
×:欠陥率が8%以上
光耐久性の評価
各試料から横一列に断裁し、有機PV太陽電池パネルを、100mW/cmのメタルハロゲンランプの光(擬似太陽光)に1000時間暴露し、暴露前の短絡電流密度と暴露後の短絡電流密度とを測定し、下記の式に従って保持率(%)を算出し光耐久性の評価とした。尚、短絡電流密度はソースメーター(ケースレー2400)を用いたI−V特性評価から求めた。
Defect rate (%) = [area of the area where the power generation amount is reduced by 20% or more relative to the average value of the power generation area] / [area of the power generation area of the panel] × 100
Evaluation rank of defect rate ◎: Defect rate is less than 3% ○: Defect rate is 3% or more and less than 5% △: Defect rate is 5% or more and less than 8% ×: Defect rate is 8% or more Evaluation of light durability Each sample was cut in a horizontal row, and the organic PV solar cell panel was exposed to light (pseudo sunlight) of a 100 mW / cm 2 metal halogen lamp for 1000 hours, and the short-circuit current density before and after the exposure. And the retention rate (%) was calculated according to the following formula to evaluate the light durability. In addition, the short circuit current density was calculated | required from IV characteristic evaluation using a source meter (Caseley 2400).

保持率(%)=暴露後の短絡電流密度/暴露前の短絡電流密度×100
保存性の試験方法
環境温度が65℃、相対湿度が85%RHの条件に500時間暴露し、暴露前後の短絡電流密度を上記方法と同様にして測定し、下記式に従って保持率(%)を求めた。結果を表4に示す。
Retention rate (%) = short-circuit current density after exposure / short-circuit current density before exposure × 100
Preservation test method: Expose for 500 hours under conditions of an ambient temperature of 65 ° C and a relative humidity of 85% RH, measure the short-circuit current density before and after the exposure in the same manner as above, and determine the retention rate (%) according to the following formula. Asked. The results are shown in Table 4.

保持率(%)=暴露後の短絡電流密度/暴露前の短絡電流密度×100       Retention rate (%) = short-circuit current density after exposure / short-circuit current density before exposure × 100

Figure 2011040336
Figure 2011040336

基材の上に、第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/光電変換層/電子注入層/第2電極(陰極)/封止層とを有する有機PVパネルを作製する時、有機機能層(正孔注入層/正孔輸送層/光電変換層)の不要領域を払拭方式で除去する時、使用する溶媒を特定のHansenの溶解度パラメータの溶媒SP値領域について選択し除去した後、引き続きドライエッチング方式でクリーニングし、その後電子注入層/第2電極(陰極)/封止層を形成し作製した有機PVパネル試料No.202は、欠陥率、光耐久性、保存性で何れも優れた性能を得ることが確認された。   When producing an organic PV panel having a first electrode / hole injection layer / hole transport layer / photoelectric conversion layer / electron injection layer / second electrode (cathode) / sealing layer on the substrate, organic When the unnecessary region of the functional layer (hole injection layer / hole transport layer / photoelectric conversion layer) is removed by the wiping method, the solvent used is selected and removed for the solvent SP value region of the solubility parameter of the specific Hansen, Subsequently, cleaning was performed by a dry etching method, and then an electron injection layer / second electrode (cathode) / sealing layer was formed. It was confirmed that 202 has excellent performance in terms of defect rate, light durability, and storage stability.

有機機能層(正孔注入層/正孔輸送層/光電変換層)の不要領域を払拭方式で除去する時、使用する溶媒を特定のHansenの溶解度パラメータの溶媒SP値領域について選択し除去した後、クリーニングを行わずに、電子注入層/第2電極(陰極)/封止層を形成し作製した有機PVパネル試料No.201は欠陥率、光耐久性、保存性で本発明の試料No.202に比べ、欠陥率、光耐久性、保存性が何れも劣る結果となった。本発明の有効性が確認された。   After removing unnecessary areas of the organic functional layer (hole injection layer / hole transport layer / photoelectric conversion layer) by the wiping method, the solvent to be used is selected and removed for the solvent SP value area of the solubility parameter of the specific Hansen. The organic PV panel sample No. 1 was prepared by forming the electron injection layer / second electrode (cathode) / sealing layer without cleaning. 201 is a defect rate, light durability, and storage stability. Compared to 202, the defect rate, light durability, and storage stability were all inferior. The effectiveness of the present invention was confirmed.

1、1′、1″ 有機エレクトロニクスパネル
101、101′、101″、3、F 基材
102、102′、102″、7 第1電極(陽極)
102a、102′a、102″a、701 第1電極用外部接続用電極
102b、102′b、7a リード部
103、103′、103″、8 有機機能層
104、104′、104″ 第2電極(陰極)
104a、104′a、104″a 第2電極用外部接続用電極
105′ 導電層
105、106′、105″ 接着剤層
106、106″、107′ 封止部材
2 パターニング工程
4 ローラー
5 第1払拭装置
503 払拭部材
504 押圧ロール
505 溶剤タンク
6 第2払拭装置
9 大気圧プラズマ処理装置
9a プラズマ放電処理装置
9a1 ロール電極(第1電極)
9a2 角筒型電極(第2電極)
9a3 対向電極間(放電空間)
9b 電界印加手段
9c ガス供給手段
1, 1 ′, 1 ″ organic electronics panel 101, 101 ′, 101 ″, 3, F base material 102, 102 ′, 102 ″, 7 First electrode (anode)
102a, 102′a, 102 ″ a, 701 External connection electrodes for first electrodes 102b, 102′b, 7a Lead portions 103, 103 ′, 103 ″, 8 Organic functional layers 104, 104 ′, 104 ″ Second electrodes (cathode)
104a, 104′a, 104 ″ a External connection electrode for second electrode 105 ′ Conductive layer 105, 106 ′, 105 ″ Adhesive layer 106, 106 ″, 107 ′ Sealing member 2 Patterning process 4 Roller 5 First wiping Device 503 Wiping member 504 Press roll 505 Solvent tank 6 Second wiping device 9 Atmospheric pressure plasma processing device 9a Plasma discharge processing device 9a1 Roll electrode (first electrode)
9a2 Square tube electrode (second electrode)
9a3 Between counter electrodes (discharge space)
9b Electric field application means 9c Gas supply means

Claims (9)

基材の上に、第1電極と、第1電極用外部接続用電極と、第2電極と、第2電極用外部接続用電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に有機物層を含む少なくとも1層の有機機能層及び封止層とを有する有機エレクトロニクスパネルの製造方法において、
少なくとも、前記第1電極用外部接続用電極を形成する部分を含む第1電極を形成する第1電極形成工程と、
前記第1電極を含む前記基材の全面に少なくとも1層の有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、
前記有機機能層の不要領域を除去しパターニングするパターニング工程と、
引き続き、前記パターニングした前記有機機能層を有する前記基材の全面をクリーニングするクリーニング工程とを有することを特徴とする有機エレクトロニクスパネルの製造方法。
On the substrate, an organic substance is interposed between the first electrode, the first electrode external connection electrode, the second electrode, the second electrode external connection electrode, and the first electrode and the second electrode. In a method for producing an organic electronic panel having at least one organic functional layer including a layer and a sealing layer,
A first electrode forming step of forming a first electrode including at least a portion for forming the first electrode external connection electrode;
An organic functional layer forming step of forming at least one organic functional layer on the entire surface of the substrate including the first electrode;
A patterning process for removing and patterning unnecessary regions of the organic functional layer;
And a cleaning step of cleaning the entire surface of the base material having the patterned organic functional layer.
前記有機機能層の不要領域を除去する溶媒が、Hansenの溶解度パラメータ、f、f、f、のプロットが、主な有機機能層を塗布した溶媒のプロットに対して、少なくとも45ポイント以内の近さであり、且つ、20ポイント以上離れていることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法。 The solvent for removing unnecessary regions of the organic functional layer is Hansen's solubility parameter, and the plot of f d , f p , and f h is within at least 45 points with respect to the plot of the solvent coated with the main organic functional layer. The method for producing an organic electronic panel according to claim 1, wherein the organic electronics panel is at a distance of 20 points or more. 前記パターニング工程で前記有機機能層のパターニングを払拭方式で行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法。   3. The method of manufacturing an organic electronics panel according to claim 1, wherein the patterning of the organic functional layer is performed by a wiping method in the patterning step. 前記クリーニング工程でクリーニングをドライエッチング方式で行うことを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法。   4. The method of manufacturing an organic electronics panel according to claim 1, wherein cleaning is performed by a dry etching method in the cleaning step. 請求項1から4の何れか1項に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法において、次の各工程を順次有することを特徴とする有機エレクトロニクスパネルの製造方法。
A)少なくとも前記第1電極用外部接続用電極を形成する部分を含む前記第1電極と、リード部とを前記基材の上にパターン化して形成する第1電極形成工程
B)該第1電極と該リード部とを有する該基材の全面に、少なくとも1層の有機機能層を形成する有機機能層形成工程
C)前記有機機能層の不要領域をパターニングするパターニング工程
D)前記パターニングした前記有機機能層を有する前記基材の全面をクリーニングするクリーニング工程
E)前記第1電極の上の前記有機機能層の上から前記リード部に亘り、前記第2電極及び第2電極用外部接続用電極を形成する第2電極形成工程
F)前記第1電極用外部接続用電極と、第2電極用外部接続用電極とを除き封止部材で前記第2電極の上及び周囲を封止部材で封止する封止工程
The method for manufacturing an organic electronics panel according to any one of claims 1 to 4, further comprising the following steps in order.
A) A first electrode forming step in which the first electrode including at least a portion for forming the first electrode external connection electrode and a lead portion are patterned on the base material. B) The first electrode And an organic functional layer forming step of forming at least one organic functional layer on the entire surface of the substrate having the lead portion and C) a patterning step of patterning unnecessary regions of the organic functional layer. D) the patterned organic A cleaning step of cleaning the entire surface of the base material having the functional layer. E) The second electrode and the external connection electrode for the second electrode extending from the organic functional layer on the first electrode to the lead portion. Step of forming second electrode F) Sealing on and around the second electrode with a sealing member except for the first electrode external connection electrode and the second electrode external connection electrode with a sealing member Sealer
請求項1から4の何れか1項に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法において、次の各工程を順次有することを特徴とする有機エレクトロニクスパネルの製造方法。
A)少なくとも前記第1電極用外部接続用電極を形成する部分を含む前記第1電極と、リード部とを前記基材の上にパターン化して形成する第1電極形成工程
B)該第1電極と該リード部とを有する該基材の全面に、少なくとも1層の有機機能層を形成する有機機能層形成工程
C)前記有機機能層の不要領域をパターニングするパターニング工程
D)前記パターニングした前記有機機能層を有する前記基材の全面をクリーニングするクリーニング工程
E)前記第1電極の上の前記有機機能層の上に、前記第2電極を形成する第2電極形成工程
F)前記第2電極と前記リード部に亘り、導電層を形成し第2電極用外部接続用電極を形成する導電層形成工程
G)前記第1電極用外部接続用電極と、第2電極用外部接続用電極とを除き封止部材で前記第2電極の上及び周囲を封止部材で封止する封止工程
The method for manufacturing an organic electronics panel according to any one of claims 1 to 4, further comprising the following steps in order.
A) A first electrode forming step in which the first electrode including at least a portion for forming the first electrode external connection electrode and a lead portion are patterned on the base material. B) The first electrode And an organic functional layer forming step of forming at least one organic functional layer on the entire surface of the substrate having the lead portion and C) a patterning step of patterning unnecessary regions of the organic functional layer. D) the patterned organic A cleaning step for cleaning the entire surface of the substrate having a functional layer. E) A second electrode forming step for forming the second electrode on the organic functional layer on the first electrode. F) The second electrode A conductive layer forming step of forming a conductive layer over the lead portion to form a second electrode external connection electrode; G) excluding the first electrode external connection electrode and the second electrode external connection electrode; Sealing member Sealing step of sealing with a sealing member on and around the second electrode
請求項1から4の何れか1項に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法において、次の各工程を順次有することを特徴とする有機エレクトロニクスパネルの製造方法。
A)少なくとも前記第1電極用外部接続用電極を形成する部分を含む前記第1電極を、前記基材上にパターン化して形成する第1電極形成工程
B)該第1電極を有する該基材の全面に、少なくとも1層の有機機能層を形成する有機機能層形成工程
C)該有機機能層の不要領域をパターニングするパターニング工程
D)該パターニングした該有機機能層を有する該基材の全面をクリーニングするクリーニング工程
E)該第1電極の上の該有機機能層の上に第2電極を形成し、同時に該第2電極と一体かした第2電極用外部接続用電極を有機機能層が除去された該基材の上に形成する第2電極形成工程
F)前記第1電極用外部接続用電極と、第2電極用外部接続用電極とを除き封止部材で前記第2電極の上及び周囲を封止部材で封止する封止工程
The method for manufacturing an organic electronics panel according to any one of claims 1 to 4, further comprising the following steps in order.
A) First electrode forming step of patterning and forming the first electrode including at least a portion for forming the first electrode external connection electrode on the base material. B) The base material having the first electrode. An organic functional layer forming step of forming at least one organic functional layer on the entire surface of the substrate C) A patterning step of patterning unnecessary regions of the organic functional layer D) The entire surface of the substrate having the patterned organic functional layer Cleaning step for cleaning E) A second electrode is formed on the organic functional layer on the first electrode, and at the same time, the organic functional layer removes the second electrode external connection electrode integrated with the second electrode. The second electrode forming step of forming on the base material that has been formed F) The second electrode external connection electrode and the second electrode external connection electrode, except for the second electrode external connection electrode, Sealing that seals the periphery with a sealing member Degree
前記の有機エレクトロニクスパネルが有機エレクトロルミネッセンスパネルであることを特徴とする請求項1から7の何れか1項に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法。   The method of manufacturing an organic electronics panel according to any one of claims 1 to 7, wherein the organic electronics panel is an organic electroluminescence panel. 前記の有機エレクトロニクスパネルが有機光電変換素子であることを特徴とする請求項1から7の何れか1項に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法。   The said organic electronics panel is an organic photoelectric conversion element, The manufacturing method of the organic electronics panel of any one of Claim 1 to 7 characterized by the above-mentioned.
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