KR100622818B1 - 수직형 발광소자의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 수직형 발광소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 사파이어 기판 제거시 높은 레이저 에너지의 영향으로 소자에 발생할 수 있는 결함을 줄이기 위해, 단위 소자 크기의 돌출부가 다수 개 상호 이격되어 형성되어 있는 기판 상부 또는 버퍼층(Buffer Layer) 상부에, 발광소자 에피층을 온도, 압력 등을 조절하여 측면 성장속도를 높이는 조건으로 성장시켜, 소자 사이에 보이드(Void)가 형성되도록 하는 것을 특징으로 한다.

따라서, 소자 결함을 줄이기 위한 종래의 아이솔레이션(Isolation) 식각 공정으로 인해 파생되는 문제점을 근본적으로 해결할 수 있고, 전위(Dislocation)등의 결함을 보이드(Void) 상부의 소자 모서리(Edge)에 해당하는 영역으로 모아서, 소자영역의 에피층 결정질을 보다 향상시킬 수 있으며, 공정을 단순화시킬 수 있는 효과가 있다.

수직형, 발광소자, 질화갈륨, 패터닝, 에피층, 돌출부

Description

수직형 발광소자의 제조방법{METHOD OF FABRICATING VERTICAL ELECTRODE TYPE LIGHT EMITTING DIODE}

도 1a 내지 도 1f는 종래 기술에 따른 수직형 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 개략도.

도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일 실시 예에 따른 수직형 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 개략도.

도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 수직형 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 개략도.

<도면의 주요부분에 대한 설명>

100. 기판 101. 복수개의 돌출부

110. 버퍼층(Buffer Layer) 120. 발광소자 에피층(LED Epi layer)

121. 결함 영역 130. 지지막

140. N-전극 150. 보이드(Void)

200. 기판 210. 버퍼층(Buffer Layer)

211. 복수개의 돌출부 220. 발광소자 에피층(LED Epi layer)

221. 결함 영역 230. 지지막

240. N-전극 250. 보이드(Void)

본 발명은 수직형 발광소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 사파이어 기판 제거시 높은 레이저 에너지의 영향으로 발생할 수 있는 발광소자 에피층의 결함 줄일 수 있고, 공정을 보다 단순화할 수 있는 수직형 발광소자의 제조방법에 관한 것이다.

우선, 발광소자 에피층(Epi-Layer)의 구조에 대해서 간단하게 설명하면, 에피층은 전자를 공급해주는 n-반도체층과 정공을 공급해주는 p-반도체층, 그리고, 두 반도체층 사이에 위치하여 전자와 정공이 재결합하며 남는 에너지가 빛으로 변환되는 활성층으로 구성된다.

통상적으로, 이러한 발광소자 에피층은 질화갈륨(GaN) 결정을 박막으로 성장시켜서 만들며, 질화갈륨 결정을 박막으로 성장시키기에 가장 좋은 것은 질화갈륨 기판이다.

그러나, 질화갈륨 기판은 질화갈륨 결정 성장의 어려움 등으로 인해 가격이 매우 비싸다.

그래서, 이러한 질화갈륨계 발광소자는 대부분 질화갈륨 기판이 아닌 기판에 성장시키고 있으며, 그 기판으로는 사파이어(Al₂O₃)나 실리콘카바이드(SiC), 갈륨아세나이드(GaAs)등의 물질로 이루어진 기판을 주로 사용하고 있다.

그리고, 이 가운데 현재 가장 폭넓게 사용하고 있는 것으로 사파이어 기판을 들 수 있다.

한편, 발광소자는 전극의 배치 구조에 따라 수평형 발광소자와 수직형 발광소자로 분류된다.

일반적으로, 수평형 발광소자는 p-반도체층 상부에 P-전극을 형성하고, 발광 구조물의 일부분을 n-반도체층까지 메사(Mesa) 식각하여 노출된 n-반도체층 상부에 N-전극을 형성한다.

이러한 구조의 수평형 발광소자는, 그 하부에 열 도전 계수나 열 발산이 낮은 사파이어 기판을 그대로 사용하기 때문에, 효과적으로 열을 배출하기가 어렵고, 수명이 짧으며, 그 구조상 광 출력과 발광 효율도 낮은 편이다.

반면에, 수직형 발광소자의 구조는 전극이 발광소자 에피층 상,하부에 수직하게 위치하기 때문에, 빛을 한 방향으로 증폭시키기 유리하고, 광 출력과 발광 효율을 향상시키는데 수평형 발광소자보다 훨씬 효과적이다.

그러나, 이와 같은 구조의 수직형 발광소자를 만들기 위해서는 발광소자 에피층 하부의 n-반도체층과 전기적으로 연결되는 전극을 형성해야 하므로, 절연체인 사파이어 기판을 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off, LLO) 등의 공정을 통해 떼어내는 과정이 필요하다.

또한, 사파이어 기판을 떼어내기에 앞서, 레이저 에너지의 영향으로 발광소자 에피층에 발생할 수 있는 결함을 줄이기 위해서, 버퍼층을 포함한 발광소자 에피층을 복수개의 소자 크기로 상호 이격되도록 식각하는 아이솔레이션(Isolation) 공정을 하는 것이 기존의 일반적인 공정이다.

이하, 도 1a 내지 도 1f를 참조하여 그러한 종래 기술에 따른 질화갈륨계 수직형 발광소자의 제조방법과 그러한 종래의 제조과정상 부득이하게 수반되는 문제점들을 설명한다.

도 1a는 사파이어 기판(10) 상부에 버퍼층(Buffer Layer)(11)을 형성한 단계를 나타낸다.

도 1b는 버퍼층(11) 상부에 질화갈륨계 발광소자 에피층(12)을 성장시킨 단계를 나타낸다.

일반적으로, 상기 질화갈륨계 발광소자 에피층은, 이미 앞에서도 언급했듯이, n-GaN, 활성층, p-GaN 반도체 물질을 순차적으로 증착되어 이루어지는 구조이다.

도 1c는 버퍼층(11)과 질화갈륨계 발광소자 에피층(12)을 복수개의 소자 크기로 상호 이격되도록 식각하는 아이솔레이션(Isolation) 단계를 나타낸다.

여기서, 상기 아이솔레이션 공정은 보통 건식 식각(Dry Etching) 방법을 통해 이루어진다.

그러나, 이러한 아이솔레이션(Isolation) 공정은, 상기 버퍼층과 상기 질화갈륨계 발광소자 에피층의 두께를 합한 대략 5~6㎛ 두께의 두꺼운 박막층을 식각하 는 과정에서, 마스크층인 산화막층(Oxide Layer) 또한 없어지기 때문에, 마스크층을 다시 증착해야 하는 번거로움이 있고, 이때, 원래 마스크층의 위치에 정확히 일치시켜 치수에 변화가 없도록 증착해야 하는 어려움이 따른다.

그리고, 이와 같은 마스크 및 식각 공정이 기존의 아이솔레이션(Isolation) 공정에 있어서 큰 부담이 되는 부분이다.

도 1d는 질화갈륨계 발광소자 에피층의 식각된 트랜치(Trench)(15) 부분과 에피층 상부를 감싸는 지지막(13)을 형성한 단계를 나타낸다.

여기서, 상기 지지막은 포토레지스트(Photoresist) 또는 구리(Cu)와 같은 물질로 이루어진다.

상기와 같은 지지막을 형성하기 전에, 트랜치(Trench)부분에서 에피층의 경사진 측면은 절연과 반사를 위해서 고반사(High Reflective, HR)막으로 코팅하는 것이 일반적이지만, 도면에는 도시하지는 않았다.

한편, 이와 같이 지지막(13)을 형성하는 이유는, 앞에서 아이솔레이션(Isolation) 공정을 통해 나뉘어진 에피층은, 이후 사파이어 기판을 제거하면 웨이퍼 형태를 유지할만한 자체적인 강도를 갖지 못해서, 나머지 소자 제조공정을 수행하는데 어려움이 따르고, 또한, 소자를 완성한 후 낱개로 쉽게 해체될 우려가 있기 때문이다.

그런데, 트랜치 부분에 채워진 물질은 사파이어 기판을 떼어내는 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off, LLO) 공정시, 레이저의 높은 에너지로 인하여 발광소자 에피층의 주변을 오염시키는 문제가 발생할 수 있다.

도 1e는 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off, LLO) 공정을 이용해 사파이어 기판(10)을 떼어내고, 버퍼층(11)을 식각하여 제거한 후, N-전극(14)을 형성한 단계를 나타낸다.

도 1f는 N-전극, 에피층, 지지막으로 적층된 구조물을 낱개의 발광소자로 분리시킨 단계를 나타낸다.

이와 같은 기존의 수직형 발광소자 제조방법의 문제점을 정리하자면, 아이솔레이션(Isolation)을 위한 마스크 및 건식 식각 공정이 반복되므로 번거로우며, 초기 치수를 유지하면서 진행해야 하는 어려움 때문에, 큰 공정 부담이 된다.

또한, 사파이어 기판 제거 이후에 웨이퍼 핸들링(Wafer Handling)을 위해서는, 트랜치(Trench) 부분에 포토레지스트(Photoresist)나 구리(Cu)와 같은 물질을 채워야 하는데, 그와 같은 물질은 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off, LLO) 공정시 레이저 에너지의 영향으로 발광소자 에피층 주변을 심하게 오염시켜 에피층 결함을 유발할 수 있다는 문제점이 있다.

본 발명은 수직형 발광소자의 제조방법에 있어서, 상기와 같은 다양한 문제들을 수반하는 아이솔레이션(Isolation) 공정을 대체하여 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off, LLO) 공정에 의한 에피층 결함을 최소화시키고, 공정을 단순화 시킬 수 있도록, 기판 또는 버퍼층 상부에 소자 크기의 돌출부를 형성시켜 두고, 에피층을 측면성장(Lateral Growth)조건으로 이웃하는 돌출부에서 성장되는 에피층 과의 사이에 보이드(Void)를 가지며 합체가 되도록 성장시키는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 일 실시 예에 따른 수직형 발광소자의 제조방법은, 기판 상부에 상호 이격된 복수개의 돌출부들을 형성하는 단계; 상기 복수개의 돌출부들 상부에 버퍼층(Buffer Layer)을 각각 형성하는 단계; 상기 각각의 버퍼층 상부에 발광소자 에피층(Epi-Layer)을 측면 성장(Lateral Growth)시켜서, 이웃하는 돌출부 상부에서 성장되는 에피층이 서로 합체가 되도록 형성하는 단계; 상기 합체된 발광소자 에피층 상부에 전도성의 지지막을 형성하는 단계; 상기 기판과 버퍼층을 제거하고, 버퍼층이 제거되어 노출된 발광소자 에피층 하부에 전극을 형성하는 단계;및 상기 복수개의 돌출부들 각각이 존재했던 발광소자 에피층 영역들을 낱개로 분리하여 발광소자를 획득하는 단계;를 포함하여 이루어진다.

또한, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 수직형 발광소자의 제조방법은, 기판 상부에 버퍼층(Buffer Layer)을 형성하는 단계; 상기 버퍼층을 식각하여 상호 이격된 복수개의 돌출부들을 상기 기판 상부에 형성하는 단계; 상기 복수개의 돌출부들 각각의 상부에 발광소자 에피층(Epi-Layer)을 측면 성장(Lateral Growth) 성장시켜서, 이웃하는 돌출부 상부에서 성장되는 에피층이 서로 합체가 되도록 형성하는 단계; 상기 합체된 발광소자 에피층 상부에 전도성의 지지막을 형성하는 단계; 상기 기판과 버퍼층을 제거하고, 버퍼층이 제거되어 노출된 발광소자 에피층 하부에 전 극을 형성하는 단계;및 상기 복수개의 돌출부들 각각이 존재했던 발광소자 에피층 영역들을 낱개로 분리하여 발광소자를 획득하는 단계;를 포함하여 이루어진다.

이하, 도 2a 내지 도 2f를 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 수직형 발광소자의 제조방법에 대해서 설명한다.

도 2a는 기판(100) 상부에 상호 이격된 복수개의 돌출부(101)들을 형성한 단계를 나타낸다.

여기서, 상기 기판(100)은 통상적으로 발광소자(LED)를 성장시키기에 적합한 사파이어 기판(Al₂O₃)인 것이 바람직하다.

그리고, 상기 복수개의 돌출부들은 상기 기판(100)을 건식 식각(Dry Etching)하여 형성하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 복수개의 돌출부(101)들 각각은 단일 소자 크기인 것이 바람직하다.

도 2b는 복수개의 돌출부(101)들 상부에 버퍼층(Buffer Layer)(110)을 각각 형성한 단계를 나타낸다.

이때, 상기 버퍼층은 상기 단일 소자 크기의 돌출부에서는 쉽게 성장하지만, 기판의 패터닝된 기판 측면 부분에서는 정상적으로 성장하지 못하는 양상을 보인다.

참고로, 상기 버퍼층은 사파이어 기판과 에피층 사이의 격자 부정합을 완화시키기 위해서 형성하는 것이며, 한편으로는, 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off, LLO) 공정시 사파이어 기판과 버퍼층 상부의 에피층과의 분리를 용이하게 하는 효과가 있다.

도 2c는 각각의 버퍼층(110) 상부에 발광소자 에피층(Epi-Layer)(120)을 측면 성장(Lateral Growth)시켜서, 이웃하는 돌출부 상부에서 성장되는 에피층이 서로 합체가 되도록 형성한 단계를 나타낸다.

여기서, 상기 발광소자 에피층(120)은 n-GaN층, 활성층, p-GaN층을 구비하는 질화갈륨(GaN)계 발광소자 에피층인 것이 바람직하다.

그리고, 상기한 바와 같이 발광소자 에피층을 측면 성장(Lateral Growth)시키기 위해서, 온도, 압력 등의 조건을 측면으로 성장시키기에 최적의 상태로 조절하여 에피층을 성장시키는 것이 바람직하다.

또한, 이와 같이 발광소자 에피층을 성장시키면, 수직 성장속도보다 측면(수평) 성장속도가 빠르기 때문에, 이웃하는 버퍼층 상부에서 각각 측면 성장되던 에피층은 상호간의 중간지점에서 서로 합체가 되며, 따라서, 기판의 패터닝된 부분에서는 에피층이 성장하지 못하고, 보이드(Void)(150)상태로 남게 된다.

이때, 상기 보이드(Void)(150)는, 종래의 아이솔레이션(Isolation) 후 트랜치(Trench) 부분과 같이, 이후 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off, LLO) 공정시, 발광소자 에피층에 미치는 레이저 에너지의 영향을 줄여서, 에피층 결함을 최소화시키는 역할을 한다.

또한, 종래에는 에피층의 지지를 위해 트랜치(Trench) 부분에 포토레지스트(Photoresist)나 구리(Cu)와 같은 물질을 채우기 때문에, 레이저 리프트 오프 (Laser Lift Off, LLO)시 그런 물질로 인한 발광소자 에피층(Epi-Layer) 오염의 우려가 있었지만, 상기 보이드(Void)에는 그러한 물질을 채울 필요가 없으므로, 에피층 오염의 우려도 없다.

한편, 에피층 성장시 발생할 수 있는 전위(Dislocation)등의 결함이 보이드(Void) 바로 위의 결함 영역(121)으로 모이게 되는데, 그 결함 영역은 소자가 분리되는 모서리 부분에 해당하기 때문에 소자의 성능에 큰 지장이 없으며, 따라서, 실제로 사용될 에피층 부분의 결정질은 우수하게 유지할 수 있다는 장점이 있다.

그리고, 에피층 전체가 합체되어 있어 자체적인 강도를 어느 정도 가지므로, 에피층 상부에 구리와 같은 금속 지지막을 얇게 형성하더라도, 이후 공정시 낱개의 소자로 해체될 우려가 없고, 웨이퍼 핸들링(Wafer Handling)이 용이한 장점도 있다.

또한, 이와 같은 자체 강도를 갖는 에피층으로 인해, 초기 계획된 치수를 큰 변화없이 유지할 수 있으므로, 정밀한 위치 및 치수의 제어를 요구하는 포토리소그래피(Photolithography) 공정을 보다 안정성 있게 수행할 수 있다.

도 2d는 합체된 발광소자 에피층(120) 상부에 전도성의 지지막(130)을 형성한 단계를 나타낸다.

이때, 상기 전도성의 지지막은 구리(Cu)로 형성하는 것이 바람직하다.

참고적으로, 상기 전도성의 지지막(130)은 이후 공정인 사파이어 기판 제거 후, 에피층의 지지와 상부 전극으로 사용하기 위해 형성한다.

도 2e는 기판(100)과 버퍼층(110)을 제거하고, 버퍼층이 제거되어 노출된 발 광소자 에피층(120) 하부에 N-전극(140)을 형성한 단계를 나타낸다.

여기서, 상기 기판을 제거하는 단계는 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off, LLO)를 통해 이루어지는 것이 바람직하다.

한편, 떼어낸 상기 기판은 다시 에피층을 성장시키는 데 사용하게 되면, 기판의 가공단계를 줄일 수 있게 되어서, 발광소자를 제조하는 공정을 보다 단순화시킬 수 있다는 장점이 있다.

도 2f는 복수개의 돌출부들 각각이 존재했던 발광소자 에피층 영역들을 낱개로 분리하여 발광소자를 획득한 단계를 나타낸다.

이하, 도 3a 내지 도 3f를 참조하여, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 수직형 발광소자의 제조방법에 대해서 설명한다.

도 3a는 기판(200) 상부에 버퍼층(Buffer Layer)(210)을 형성한 단계를 나타낸다.

도 3b는 버퍼층(210)을 식각하여 상호 이격된 복수개의 돌출부(211)들을 기판 상부에 형성하는 단계를 나타낸다.

여기서, 상기 복수개의 돌출부들 각각은 단일 소자 크기로 건식 식각(Dry Etching)하여 형성하는 것이 바람직하다.

도 3c는 복수개의 돌출부(211)들 각각의 상부에 발광소자 에피층(LED Epi-Layer)(220)을 측면 성장(Lateral Growth) 성장시켜서, 이웃하는 돌출부 상부에서 성장되는 에피층이 서로 합체가 되도록 형성한 단계를 나타낸다.

여기서도, 일 실시 예와 마찬가지로, 수직 성장속도보다 측면(수평) 성장속 도가 빠르기 때문에, 이웃하는 버퍼층 상부에서 각각 측면 성장되던 에피층은 상호간의 중간지점에서 서로 합체가 되며, 따라서, 기판의 패터닝된 부분에서는 에피층이 성장하지 못하고, 보이드(Void)(250)상태로 남게 된다.

한편, 에피층 성장시 발생할 수 있는 전위(Dislocation)등의 결함이 보이드(Void) 바로 위의 결함 영역(221)으로 모이게 되는데, 그 결함 영역은 소자가 분리되는 모서리 부분에 해당하기 때문에, 소자의 성능에 큰 지장이 없으며, 따라서, 실제로 사용될 에피층 부분의 결정질은 우수하게 유지할 수 있다는 장점이 있다.

도 3d는 발광소자 에피층(220) 상부에 전도성의 지지막(230)을 형성하는 단계를 나타낸다.

도 3e는 기판(200)과 버퍼층(210)을 제거하고, 버퍼층이 제거되어 노출된 발광소자 에피층(220) 하부에 N-전극(240)을 형성한 단계를 나타낸다.

도 3f는 복수개의 돌출부들 각각이 존재했던 발광소자 에피층 영역들을 낱개로 분리하여 발광소자를 획득한 단계를 나타낸다.

이상, 본 발명의 실시 예에 따른 발명의 구성을 상세히 설명하였지만, 본 발명은 반드시 이러한 실시 예로 국한되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다.

이와 같은 본 발명의 수직형 발광소자 제조방법에 따르면, 돌출부를 갖는 기판 또는 버퍼층의 상부에 에피층을 합체가 되도록 성장시키기 때문에, 웨이퍼 핸들 링(Wafer Handling)을 위해 포토레지스트(Photoresist)나 구리(Cu)와 같은 물질로 트랜치(Trench) 부분을 채웠던 종래와 달리, 자체 강도를 갖고 있고, 보이드(Void) 영역에 임의의 물질을 채울 필요가 없으며, 그런 물질로 인한 에피층 오염이나 결함도 예방할 수 있다는 장점이 있다.

그리고, 본 발명에 따르면, 에피층 성장시 발생할 수 있는 전위(Dislocation)등의 결함을 보이드(Void) 바로 위의 결함 영역으로 모이게 하는데, 그 결함 영역은 낱개의 소자 분리시 모서리 부분에 해당하는 에피층 영역이라서, 소자의 성능에 큰 지장이 없으며, 실제로 소자로서 사용될 에피층 부분의 결정질은 우수하게 유지시키는 효과가 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 종래와 같이 번거로운 식각 공정을 필요치 않으므로, 전체 공정을 단순화시키는 효과가 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 초기 계획된 치수를 유지할 수 있기 때문에, 정밀함을 요하는 포토리소그래피(Photolithography) 공정을 보다 안정성 있게 수행할 수 있다는 장점이 있다.

마지막으로, 본 발명에 따르면, 레이저 리프트 오프(laser lift off)공정 이후 사용했던 사파이어 기판을 다른 발광소자를 제조할 때, 재사용이 가능하다는 경제적인 이점도 있다.

Claims (8)

1. 기판 상부에 상호 이격된 복수개의 돌출부들을 형성하는 단계;

   상기 복수개의 돌출부들 상부에 버퍼층(Buffer Layer)을 각각 형성하는 단계;

   상기 각각의 버퍼층 상부에 발광소자 에피층(LED Epi-Layer)을 측면 성장(Lateral Growth)시켜서, 이웃하는 돌출부 상부에서 성장되는 에피층이 서로 합체가 되도록 형성하는 단계;

   상기 합체된 발광소자 에피층 상부에 전도성의 지지막을 형성하는 단계;

   상기 기판과 버퍼층을 제거하고, 버퍼층이 제거되어 노출된 발광소자 에피층 하부에 전극을 형성하는 단계;및

   상기 복수개의 돌출부들 각각이 존재했던 발광소자 에피층 영역들을 낱개로 분리하여 발광소자를 획득하는 단계;를 포함하는 수직형 발광소자 제조방법.
2. 기판 상부에 버퍼층(Buffer Layer)을 형성하는 단계;

   상기 버퍼층을 식각하여 상호 이격된 복수개의 돌출부들을 상기 기판 상부에 형성하는 단계;

   상기 복수개의 돌출부들 각각의 상부에 발광소자 에피층(LED Epi-Layer)을 측면 성장(Lateral Growth) 성장시켜서, 이웃하는 돌출부 상부에서 성장되는 에피층이 서로 합체가 되도록 형성하는 단계;

   상기 합체된 발광소자 에피층 상부에 전도성의 지지막을 형성하는 단계;

   상기 기판과 버퍼층을 제거하고, 버퍼층이 제거되어 노출된 발광소자 에피층 하부에 전극을 형성하는 단계;및

   상기 복수개의 돌출부들 각각이 존재했던 발광소자 에피층 영역들을 낱개로 분리하여 발광소자를 획득하는 단계;를 포함하는 수직형 발광소자 제조방법.
3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,

   상기 기판은,

   사파이어(Al₂O₃) 기판인 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법.
4. 제 1항에 있어서,

   상기 복수개의 돌출부들은,

   상기 기판을 건식 식각(Dry Etching)하여 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법.
5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,

   상기 복수개의 돌출부들 각각은,

   단일 소자 크기인 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법.
6. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,

   상기 발광소자 에피층은,

   n-GaN층, 활성층, p-GaN층을 구비하는 질화갈륨(GaN)계 발광소자 에피층인 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법.
7. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,

   상기 전도성의 지지막은,

   구리(Cu)로 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법.
8. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,

   상기 기판을 제거하는 단계는,

   레이저 리프트 오프(Laser Lift Off, LLO)를 통해 이루어지는 것을 특징으로하는 수직형 발광소자 제조방법.

Images