KR100619362B1 - Method for electroless plating on printed circuit board using photocatalyst - Google Patents

Method for electroless plating on printed circuit board using photocatalyst Download PDF

Info

Publication number
KR100619362B1
KR100619362B1 KR1020040091482A KR20040091482A KR100619362B1 KR 100619362 B1 KR100619362 B1 KR 100619362B1 KR 1020040091482 A KR1020040091482 A KR 1020040091482A KR 20040091482 A KR20040091482 A KR 20040091482A KR 100619362 B1 KR100619362 B1 KR 100619362B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
printed circuit
circuit board
tio
photocatalyst
plating
Prior art date
Application number
KR1020040091482A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20060022216A (en
Inventor
맹덕영
선병국
박준형
차혜연
이우영
김경오
김태훈
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to JP2005039280A priority Critical patent/JP4145884B2/en
Publication of KR20060022216A publication Critical patent/KR20060022216A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100619362B1 publication Critical patent/KR100619362B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/2006Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
    • C23C18/2026Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by radiant energy
    • C23C18/204Radiation, e.g. UV, laser
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/42Coating with noble metals
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/381Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing

Abstract

본 발명은 광촉매를 이용한 인쇄회로기판의 무전해 도금방법에 관한 것으로, 나노 TiO2 졸 용액을 기판의 표면에 코팅한 후 자외선을 조사하여 활성화층을 형성시키고, 여기에 무전해 금속 도금 용액을 접촉시켜 금속 도금층을 형성시키는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to an electroless plating method of a printed circuit board using a photocatalyst. After coating a nano TiO 2 sol solution on the surface of a substrate, ultraviolet rays are irradiated to form an activation layer, and the electroless metal plating solution is contacted thereto. To form a metal plating layer.

본 발명의 방법에 따르면, 인쇄회로기판의 무전해 금속 도금시 값비싼 금속 촉매를 이용한 기판 표면의 활성화 처리과정을 TiO2 졸을 이용한 광촉매 기술로 대체하여 인쇄회로기판의 미세회로 구현시 고신뢰성 및 우수한 접착성 특성을 얻을 수 있다.According to the method of the present invention, it is possible to replace the activation process of the substrate surface using expensive metal catalysts in electroless metal plating of printed circuit boards by photocatalyst technology using TiO 2 sol, thereby providing high reliability and Excellent adhesive properties can be obtained.

광촉매, 이산화티탄, 졸용액, 인쇄회로기판, 금속도금Photocatalyst, titanium dioxide, sol solution, printed circuit board, metal plating

Description

광촉매를 이용한 인쇄회로기판의 무전해 도금방법 {Method for electroless plating on printed circuit board using photocatalyst}Electroless plating method of printed circuit board using photocatalyst {Method for electroless plating on printed circuit board using photocatalyst}

도 1은 종래기술에 따른 인쇄회로기판의 동도금 공정을 개략적으로 나타낸 순서도이다.1 is a flow chart schematically showing a copper plating process of a printed circuit board according to the prior art.

도 2는 종래기술에 따른 인쇄회로기판의 금도금 공정을 개략적으로 나타낸 순서도이다.2 is a flow chart schematically showing a gold plating process of a printed circuit board according to the prior art.

도 3은 종래기술에 따라 인쇄회로기판 상에 금도금층이 형성된 상태를 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a state in which a gold plated layer is formed on a printed circuit board according to the related art.

도 4는 본 발명에서 광촉매로 사용되는 TiO2의 아나타제 및 루타일 결정 구조를 각각 나타낸 도면이다.4 is a view showing the anatase and rutile crystal structure of TiO 2 used as a photocatalyst in the present invention, respectively.

도 5는 본 발명의 일 구체예에 따른 인쇄회로기판의 동도금 공정을 개략적으로 나타낸 순서도이다.5 is a flowchart schematically illustrating a copper plating process of a printed circuit board according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일 구체예에 따른 인쇄회로기판의 금도금 공정을 개략적으로 나타낸 순서도이다.6 is a flow chart schematically showing a gold plating process of a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명에 따라 인쇄회로기판 상에 금도금층이 형성된 상태를 나타낸 단면도이다.7 is a cross-sectional view showing a state in which a gold plated layer is formed on a printed circuit board according to the present invention.

본 발명은 광촉매를 이용한 인쇄회로기판의 무전해 도금방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로는 나노 TiO2 졸 용액을 이용하여 기판의 표면에 활성화층을 형성시킨 후, 무전해 금속 도금층을 형성시켜 미세회로 구현시 고신뢰성 및 우수한 접착성을 부여할 수 있는 광촉매를 이용한 인쇄회로기판의 무전해 도금방법에 관한 것이다.The present invention relates to an electroless plating method of a printed circuit board using a photocatalyst. More specifically, after the activation layer is formed on the surface of the substrate by using a nano TiO 2 sol solution, the electroless metal plating layer is formed to form a printed circuit using a photocatalyst which can give high reliability and excellent adhesion when implementing a micro circuit. It relates to an electroless plating method of a substrate.

최근 들어, 전자부품의 고밀도, 고속화, 소형화 추세에 따라, 시스템의 집적화(system in packaging)까지 대응 가능한 새로운 고집적 기판(packaging substrate)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 또한, 이러한 요구에 부응하기 위하여 미세 회로 구현 또한 주요 연구 대상으로 부각되고 있다.Recently, according to the trend of high density, high speed, and miniaturization of electronic components, research on a new packaging substrate that can cope with system in packaging has been actively conducted. In addition, in order to meet these demands, the implementation of microcircuits has also emerged as a major research subject.

이에 따라 미세 회로 구현을 위해서 다양한 방법이 제시되고 있으며, 고다층, 고속화에 대응하기 위한 많은 연구가 진행되고 있다. 특히, 미세 회로를 형성하고 난 후에 신뢰성에 대한 검증이 재현되어야 최종 안정된 상태에서 제품 양산이 가능하기 때문에 그 중요성이 더욱 부각되고 있다.Accordingly, various methods have been proposed for the implementation of fine circuits, and many studies have been conducted to cope with high-layer and high speed. In particular, since the verification of the reliability has to be reproduced after the formation of the microcircuit, the importance of the product becomes more important because mass production is possible in the final stable state.

기존에 미세 회로 구현에 많이 적용하고 있는 세미-애더티브(semi-additive) 공법은 무전해 도금에 의해 형성된 시드 층(seed layer) 상에 전해동을 쌓아 미세 회로를 구현하고 있다. 또한, 최근에는 향후 미세 회로 양산에 대비하여 기존의 시드 층인 무전해 도금 대신에 플라즈마에 의한 표면개질과 이를 스퍼터링에 의해 표면의 시드 층을 형성시키는 방법 또한 검토되고 있다.The semi-additive method, which has been widely applied to the implementation of a microcircuit, is implementing a microcircuit by accumulating electrolytic copper on a seed layer formed by electroless plating. In addition, recently, in preparation for mass production of fine circuits in the future, instead of the electroless plating, which is a conventional seed layer, surface modification by plasma and a method of forming a seed layer on the surface by sputtering them have also been studied.

그러나, 이러한 미세 회로 구현시 최종 신뢰성에서 불량이(fail)이 날 경우 상당한 손상을 입게 된다. 특히, 제품 신뢰성 중에서도 이온 마이그레이션(ion migration)에 의한 도통 불가한 곳에서의 도통으로 손상을 입을 가능성이 크다. 이러한 현상은 일반적인 곳에서는 일어나지 않고, 양산된 후 사용 중에, 특히 가혹한 환경(습기, 온도 등 고려)하에 놓일 경우 일어나는 현상으로 사용자도 모르는 사이에 불량이 날 수 있다.However, this microcircuit implementation suffers significant damage if the final reliability fails. In particular, there is a high possibility of being damaged by conduction in places where conduction is not possible due to ion migration among product reliability. This phenomenon does not occur in a general place, but after mass production, especially when used in a severe environment (considering humidity, temperature, etc.), a phenomenon may occur without the user's knowledge.

이와 관련하여, 일본 특개평 8-253869호에는 도금의 표면 및 수지 성형품의 치수 정밀도를 유지하면서 밀착성이 양호한 무전해 도금막을 형성하는 방법으로서, 수지 재료 표면에 자외선을 조사하여 표면처리를 한 후 무전해 도금을 수행하는 방법이 개시되어 있다. 또한, 일본 특개평 10-88361호에는 무전해 도금시 밀착성을 더욱 향상시키기 위하여 자외선 조사 후 비이온 계면활성제를 포함하는 알칼리 용액을 이용하여 표면처리를 수행하는 무전해 도금방법이 소개되어 있다.In this regard, Japanese Patent Laid-Open No. 8-253869 is a method of forming an electroless plated film having good adhesion while maintaining the surface accuracy of plating and dimensional accuracy of a resin molded article. A method of performing sea plating is disclosed. In addition, Japanese Patent Application Laid-open No. Hei 10-88361 discloses an electroless plating method in which surface treatment is performed using an alkali solution containing a nonionic surfactant after ultraviolet irradiation in order to further improve adhesion during electroless plating.

그러나, 상술한 방법들은 수지 표면에 자외선을 조사한 후 수행되는 알칼리 용액 또는 탈지액에서의 표면 처리, Pd-Sn 콜로이드액 또는 착화액 등의 활성화액에 의한 표면 처리 및 Sn을 제거하는 산활성처리 등의 표면 처리 공정에 있어서, 수지 표면이 공기에 접하는 경우 무전해 도금이 미석출되는 경향이 있어 안정적으로 무전해 도금을 수행할 수 없는 단점이 있다.However, the above-mentioned methods include surface treatment in an alkali solution or a degreasing solution after irradiating ultraviolet rays to the resin surface, surface treatment with an activating solution such as a Pd-Sn colloidal liquid or a complexing liquid, and an acid activation treatment for removing Sn. In the surface treatment process of, the electroless plating tends to be unprecipitated when the resin surface is in contact with the air, and thus there is a disadvantage in that the electroless plating cannot be stably performed.

전술한 바와 같이, 기존 공정에서는 값비싼 Pd 금속 촉매 등을 사용하여 절 연재에 무전해 금속 도금층을 접착시키려는 시도가 진행되고 있으나, 이러한 방법은 단지 신뢰성면에서 만족할 만한 수준의 회로를 형성하고 있을 뿐, 향후 당 산업계의 요구사항인 미세 회로 구현에 적용할 경우 요구되는 특성을 얻기 어려운 문제점이 있다.As described above, attempts have been made to adhere the electroless metal plating layer to the insulating material by using an expensive Pd metal catalyst or the like in the existing process, but this method only forms a satisfactory circuit in terms of reliability. However, there is a problem in that it is difficult to obtain required characteristics when applied to the implementation of microcircuits, which are requirements of the industry in the future.

따라서, 미세 회로 구현시 고신뢰성 및 절연재와의 접합성 등을 고려한 보다 개선된 처리 공정이 절실히 요구되고 있는 실정이다.Therefore, there is an urgent need for an improved treatment process considering high reliability and bonding with an insulating material when implementing a fine circuit.

이에 본 발명에서는 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 다양한 연구를 거듭한 결과, 기존의 값비싼 금속 촉매를 이용한 인쇄회로기판의 활성화 처리 공정을 TiO2 졸 광촉매를 이용한 처리방법으로 대체함으로써 초친수성에 기인한 고밀착력 효과와 함께 미세 회로 구현시 이온 마이그레이션, 디라미네이션과 같은 불량에 의한 신뢰성 저하 문제를 극복할 수 있음에 착안하여 본 발명을 완성하였다.Therefore, in the present invention, as a result of various studies to solve the problems as described above, super hydrophilicity is replaced by replacing the existing activation process of a printed circuit board using an expensive metal catalyst with a treatment method using a TiO 2 sol photocatalyst. The present invention has been completed by focusing on the high adhesion effect due to the problem of lowering reliability due to defects such as ion migration and delamination when implementing a fine circuit.

따라서, 본 발명의 목적은 미세 회로 구현시 고신뢰성을 가지며, 절연재와의 접착효과가 우수하고, 고속대응용 저 프로파일(low profile) 자재로 활용할 수 있는 광촉매를 이용한 인쇄회로기판의 무전해 도금방법을 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is electroless plating method of a printed circuit board using a photocatalyst which has high reliability when implementing a fine circuit, has excellent adhesion effect with an insulating material, and can be utilized as a low profile material for high speed response. To provide.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 광촉매를 이용한 인쇄회로기판의 무전해 도금방법은:Electroless plating method of a printed circuit board using a photocatalyst according to the present invention for achieving the above object:

인쇄회로기판의 도금방법에 있어서,In the plating method of a printed circuit board,

(a) pH가 2∼7인 나노 TiO2 졸 용액을 제공하는 단계; (a) providing a nano TiO 2 sol solution having a pH of 2-7;

(b) 상기 TiO2 졸 용액을 기판의 표면에 코팅한 후, 자외선을 조사하여 활성화층을 형성시키는 단계;(b) coating the TiO 2 sol solution on the surface of the substrate and then irradiating ultraviolet rays to form an activation layer;

(c) 적어도 하나의 금속염, 적어도 하나의 환원제 및 적어도 하나의 유기산을 포함하는 무전해 금속 도금 용액을 제공하는 단계; 및(c) providing an electroless metal plating solution comprising at least one metal salt, at least one reducing agent and at least one organic acid; And

(d) 상기 기판의 활성화층 상에 상기 금속 도금 용액을 접촉시켜 무전해 금속 도금층을 형성시키는 단계;(d) contacting the metal plating solution on the activation layer of the substrate to form an electroless metal plating layer;

를 포함하는 것을 특징으로 한다.Characterized in that it comprises a.

여기서, 상기 TiO2 졸 용액은 Cr, Fe, Nb 및 V로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 전이금속화합물을 더욱 포함하며, 그 함량은 0.05∼0.5중량%이다.Here, the TiO 2 sol solution further comprises at least one transition metal compound selected from the group consisting of Cr, Fe, Nb and V, the content is 0.05 to 0.5% by weight.

또한, 상기 TiO2 졸 용액 중의 TiO2의 평균입경은 5∼60㎚이고, 상기 TiO2의 농도는 0.05∼0.5몰%이다.Further, the TiO 2 and the average particle diameter of the TiO 2 in the sol solution is 5~60㎚, the concentration of the TiO 2 is 0.05~0.5 mol%.

한편, 상기 자외선의 조사량은 5∼80mw/㎠이고, 자외선 조사시간은 5∼30분이다.On the other hand, the irradiation amount of the ultraviolet ray is 5 to 80mw / cm 2, and the ultraviolet irradiation time is 5 to 30 minutes.

상기 금속은 구리, 니켈, 코발트, 금, 은, 팔라듐, 백금, 로듐, 철, 알루미늄, 탄탈륨, 질화티타늄, 티타늄, 텅스텐, 질화탄탈륨, 질화텅스텐 또는 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 활성화층의 두께는 0.05∼0.8㎛인 것을 특징으로 한다.The metal is selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt, gold, silver, palladium, platinum, rhodium, iron, aluminum, tantalum, titanium nitride, titanium, tungsten, tantalum nitride, tungsten nitride or combinations thereof The layer has a thickness of 0.05 to 0.8 mu m.

이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 좀 더 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

전술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 인쇄회로기판(PCB)의 무전해 금속 도금시 수행되는 값비싼 금속 촉매를 이용한 기판 표면의 활성화 처리과정을 TiO2 졸을 이용한 광촉매 기술로 대체함으로써 미세 회로 구현시에도 고신뢰성을 갖는 인쇄회로기판의 무전해 도금방법이 제공된다.As described above, according to the present invention, a microcircuit is realized by replacing the activation process of the substrate surface using an expensive metal catalyst performed during electroless metal plating of a printed circuit board (PCB) with a photocatalyst technique using a TiO 2 sol. There is also provided an electroless plating method of a printed circuit board having high reliability.

본 발명에 따른 도금방법과의 대비를 위하여, 도 1 및 도 2에 종래기술에 따른 인쇄회로기판의 동도금 및 금도금 공정의 개략적인 공정흐름도를 각각 나타내었다. 또한, 도 3에 종래기술에 따라 인쇄회로기판 상에 금도금층이 형성된 상태를 나타내었다.In order to contrast with the plating method according to the present invention, Figures 1 and 2 show a schematic process flow diagram of the copper plating and gold plating process of the conventional printed circuit board, respectively. 3 shows a state in which a gold plated layer is formed on a printed circuit board according to the prior art.

도 1∼3을 참조하여, 종래기술에 따른 인쇄회로기판의 도금방법을 설명하면 다음과 같다.1 to 3, the plating method of a printed circuit board according to the prior art will be described.

무전해 화학 동도금의 궁극적인 목적은 드릴가공된 홀수지벽에 도전막을 형성하여 홀내의 전기동도금을 수행할 수 있도록 만드는 것이다. 일반적으로 무전해 화학 동도금은 대략 0.2∼1.2㎛의 두께를 가지며, 이후 전해 동도금으로 제품의 신뢰성을 확보할 수 있는 두께를 얻는다.The ultimate purpose of electroless chemical copper plating is to form a conductive film on the drilled odd resin wall to enable electrocopper plating in the hole. In general, electroless chemical copper plating has a thickness of about 0.2 to 1.2 μm, and then an electrolytic copper plating obtains a thickness capable of securing product reliability.

종래기술에 따른 인쇄회로기판의 동도금 과정은 도 1에 나타낸 바와 같이, 개략적으로 (1) 크리닝(컨디셔닝) → (2) 소프트에칭 → (3) 프리 딥 → (4) 촉매 활성화 처리 → (5) 환원 → (6) 무전해 화학 동도금 → (7) 산처리 → (8) 전기 동도금 → (9) 방청, 수세, 건조 등의 공정을 거쳐 수행된다.Copper plating process of the printed circuit board according to the prior art is shown in Figure 1, roughly (1) cleaning (conditioning) → (2) soft etching → (3) free dip → (4) catalyst activation treatment → (5) Reduction → (6) electroless chemical copper plating → (7) acid treatment → (8) electrocopper plating → (9) antirust, water washing, drying.

여기서, (1) 크리너 & 컨디셔너 과정에서는 기판에 잔존할 수 있는 유기물을 제거하여 습윤성을 좋게 하고, 계면활성제를 사용하여 표면장력을 낮춤으로써 수용성 약품이 홀 표면에 잘 묻도록 돕는다. 또한, 유리섬유의 (-)극성을 제거하여 (+)극 또는 무극성으로 전환시키며, 특히 콜로이드 형태의 촉매를 사용하는 경우 유리섬유에 촉매가 용이하게 부착되도록 조건을 부여한다.Here, (1) the cleaner & conditioner process removes organic substances remaining on the substrate to improve wettability, and lowers the surface tension by using a surfactant to help the water-soluble chemicals adhere to the hole surface well. In addition, by removing the (-) polarity of the glass fiber is converted to a (+) pole or a non-polar, in particular when using a catalyst in the colloidal form is given a condition to easily attach the catalyst to the glass fiber.

(2) 소프트-에칭 과정에서는 기판 표면을 약 1㎛ 정도 에칭함으로써 이물질을 제거하여 동박면과 도금 구리간의 밀착력을 향상시키는데, 일반적으로 황산과 과산화수소 또는 황산과 과황산을 사용하여 수행된다.(2) In the soft-etching process, the surface of the substrate is etched by about 1 μm to remove foreign substances to improve the adhesion between the copper foil surface and the plated copper. Generally, sulfuric acid and hydrogen peroxide or sulfuric acid and persulfuric acid are used.

(3) 프리-딥 과정에서는 Cu 표면의 얇은 산화막을 제거하여 Cu 이온이 촉매로 유입되는 것을 방지함으로써 촉매제를 보호하며, 촉매약품에 따라 목적 및 약품이 달라진다. 예를 들어, 콜로이드(Sn-Pd 타입) 촉매를 사용하는 경우에는 pH 1 이하에서 안정하므로 물의 유입으로도 불안정해진다. 따라서, 촉매처리 전에 pH가 조정된 약품으로 처리하여 기판에 묻어 들어가는 수용액의 액성을 조절하여, 즉 액성을 강산으로 조절하여 촉매제의 급격한 pH 변화를 방지한다. 한편, Pd 착화합물을 사용하는 경우에는 산화구리가 존재하면 흡착이 안되므로 황산으로 pH를 4 미만으로 유지시키고, 계면활성제를 소량 사용하여 촉매의 부착성을 향상시킨다.(3) In the pre-dip process, the thin oxide film on the Cu surface is removed to prevent the Cu ions from entering the catalyst, thereby protecting the catalyst, and the purpose and chemicals vary depending on the catalyst chemicals. For example, in the case of using a colloidal (Sn-Pd type) catalyst, since it is stable at pH 1 or less, it becomes unstable even by inflow of water. Therefore, the treatment of the pH-adjusted chemicals before the catalyst treatment to control the liquidity of the aqueous solution buried in the substrate, that is, to adjust the liquidity to a strong acid to prevent a sudden pH change of the catalyst. On the other hand, in the case of using a Pd complex, the adsorption is not possible if copper oxide is present, so the pH is maintained at less than 4 with sulfuric acid, and a small amount of surfactant is used to improve the adhesion of the catalyst.

(4) 촉매를 이용한 활성화 처리 과정에서는 수지 상의 화학동 석출반응을 활성화시키기 위하여 필요한 촉매로 절연층에 촉매제를 흡착시키는데, 촉매제로서 Pd-Sn 콜로이드(산성) 또는 Pd 이온 착화합물(알카리: 9.5≤pH≤10.5)을 사용한다. 이 과정에서 Pd 이온을 부착시키는데, 이를 후속 공정인 환원 과정에서 금속으로 환원시킨다.(4) In the activation process using a catalyst, a catalyst is adsorbed on the insulating layer as a catalyst necessary for activating the chemical copper precipitation reaction on the resin. As a catalyst, Pd-Sn colloid (acidic) or Pd ion complex compound (alkali: 9.5≤pH) ≤ 10.5). In this process, Pd ions are attached, which are reduced to metal in the subsequent process of reduction.

(5) 환원 과정에서는 실제 촉매로 작용하는 Pd 금속을 얻어내기 위한 공정으로서, Pd-Sn 콜로이드를 사용하는 경우에는 과량의 Sn을 용해 제거하여 Sn2+가 산화되면서 Pd2+가 환원되어 금속 Pd가 노출되고, Pd 착화합물을 사용하는 경우에는 Pd2+가 환원되어 금속석출된다.(5) In the reduction process, a Pd metal that actually acts as a catalyst is obtained. In the case of using a Pd-Sn colloid, an excess of Sn is dissolved and removed, and Sn 2+ is oxidized to reduce Pd 2+, thereby reducing the metal Pd. Is exposed and when a Pd complex is used, Pd 2+ is reduced to precipitate metal.

(6) 무전해 화학 동도금 과정에서는 하기 반응식 1에 따른 화학반응을 통하여 구리이온이 석출된다.(6) In the electroless chemical copper plating process, copper ions are precipitated through a chemical reaction according to Scheme 1 below.

Cu2+ + HCHO + OH- --> Cu metal + HCOO- + H2 Cu 2+ + HCHO + OH - - > Cu metal + HCOO - + H 2

화학동 석출반응은 Pd 촉매에 의해 반응이 촉진되어 시작되는데, 이때 반응으로 생성된 수소기체에 의해 반응이 더욱 활성화되어 자기촉매반응이라 불리기도 한다.The chemical copper precipitation reaction is started by the reaction promoted by the Pd catalyst, at which time the reaction is further activated by the hydrogen gas produced by the reaction, it is also called autocatalytic reaction.

(7) 산처리 과정에서는 화학동을 통과한 기판을 산으로 중화시켜 전기 동도금액과 동일한 액성을 띠도록 한다.(7) In the acid treatment, the substrate having passed through the chemical copper is neutralized with acid to have the same liquidity as the electroplating solution.

(8) 전기 동도금 과정에서는 일반적으로 그 기본 액조성을 Cu2+; 도금액의 전도도를 향상시키기 위한 H2SO4; 도금의 촉진제 역할을 하며, 용해성 애노드의 경 우 블랙 필름 형성에 도움을 주는 Cl-; 도금 성장을 촉진시키기 위한 광택제; 및 도금성장을 억제하기 위한 평활제 등으로 구성하여 전해 동도금을 수행한다.(8) In the electrocopper plating process, the basic liquid composition is generally Cu 2+ ; H 2 SO 4 for improving the conductivity of the plating liquid; Cl - which acts as an accelerator of plating and assists in forming a black film in the case of a soluble anode; Polishes to promote plating growth; And a smoothing agent for suppressing plating growth, and the like to perform electrolytic copper plating.

(9) 방청 과정은 필요에 따라 선택적으로 수행할 수 있는 공정으로서, 도금된 동 표면의 산화를 방지하기 위한 공정이다. 마지막으로 건조 과정은 통상적으로 150±20℃의 온도에서 30분∼1시간 동안 수행되는 것이 전형적이다.(9) A rust preventive process is a process that can be selectively performed as needed, and is a process for preventing oxidation of the plated copper surface. Finally, the drying process is typically carried out for 30 minutes to 1 hour at a temperature of 150 ± 20 ℃.

한편, 종래기술에 따른 인쇄회로기판의 금도금 과정은 도 2에 나타낸 바와 같이, 개략적으로 (1) 크리너(50∼60℃) → (2) 온수세(35∼45℃) → (3) 산세 → (4) 소프트-에칭 → (5) 프리-딥 → (6) 활성화 처리 → (7) Ni 도금 → (8) Au-strike → (9) Au 도금 → (10) 탕세(65∼75℃) → (11) 2단 온수세(35∼45℃) → (12) 건조(90∼100℃) → (13) 두께/밀착력 검사(Au/Ni 두께- XRF 측정기) → (14) 외관 검사(확대경) 등의 공정을 거쳐 수행된다.On the other hand, the gold plating process of the printed circuit board according to the prior art is roughly as shown in Figure 2, (1) cleaner (50 ~ 60 ℃) → (2) hot water (35 ~ 45 ℃) → (3) pickling → (4) Soft-etching → (5) Pre-Dip → (6) Activation Treatment → (7) Ni Plating → (8) Au-strike → (9) Au Plating → (10) Hot Dip (65 ~ 75 ℃) → (11) Two-stage hot water tax (35 to 45 ° C) → (12) Drying (90 to 100 ° C) → (13) Thickness and adhesion test (Au / Ni thickness-XRF measuring instrument) → (14) Appearance inspection (magnifying glass) And the like process.

여기서, 주요 공정으로 (1) 크리너 과정에서는 인쇄회로기판 가공시의 오염물을 제거(SR 잔사, Cu 표면의 CuO 용해)하며, 인쇄회로기판 표면의 친수성을 향상시킨다.Here, the main process (1) in the cleaner process is to remove contaminants in the processing of the printed circuit board (SR residue, CuO melting on the Cu surface), and improve the hydrophilicity of the printed circuit board surface.

(3) 산세 과정에서는 전 처리과정에서 잔류하는 계면활성제 성분을 중화하며, 후속 공정인 소프트-에칭 과정이 신속히 처리될 수 있도록 인쇄회로기판의 표면을 조정하는데, 15∼45㎖/ℓ의 농도를 갖는 H2SO4 용액으로 수행되는 것이 전형적이다.(3) The pickling process neutralizes the surfactant components remaining in the pretreatment process and adjusts the surface of the printed circuit board so that the subsequent soft-etching process can be quickly processed. Typically performed with H 2 SO 4 solution.

(4) 소프트-에칭 과정에서는 인쇄회로기판 가공시 오염된 Cu 표면을 용해 제 거하고, Cu 표면의 산화피막을 제거하며, 인쇄회로기판의 Cu 표면을 균일하게 용해하여 이후 활성화 처리 과정에서 Pd가 균일하게 부착되도록 하며, 무전해 Ni 도금의 밀착성을 향상시키는데, 통상적으로 20∼30℃의 온도에서 15∼35㎖/ℓ의 황산, 10g/ℓ 이하의 Cu로 수행된다.(4) In the soft-etching process, the contaminated Cu surface is removed during processing of the printed circuit board, the oxide film on the Cu surface is removed, and the Cu surface of the printed circuit board is uniformly dissolved. In order to make it adhere uniformly and to improve the adhesiveness of electroless Ni plating, it is normally performed with 15-35 mL / L sulfuric acid and 10 g / L Cu or less at the temperature of 20-30 degreeC.

(5) 프리-딥 과정에서는 후속 공정인 활성화 처리 과정에서의 활성화 욕의 안정성을 유지하고, 전 공정의 불순물(Cu, 황산 등), 수분 혼입을 방지하는데, 통상적으로 pH 4.5∼5.5에서 수행된다.(5) The pre-dip process maintains the stability of the activation bath in the subsequent activation process, and prevents the incorporation of impurities (Cu, sulfuric acid, etc.) and moisture in the entire process, which is usually performed at pH 4.5 to 5.5. .

(6) 활성화 처리 과정은 인쇄회로기판의 Cu 표면에 선택적으로 Pd 촉매를 부여하기 위한 공정으로서, PSR 부분에 부착되면 EL-Ni 브리지 번짐으로 불량이 발생되는 단점이 있다. 통상적으로 25∼35℃의 온도, Pd 농도 70∼90㎎/ℓ, Cu 농도 50ppm 이하, pH 3.2∼3.5의 조건하에서 수행된다.(6) The activation process is a process for selectively giving a Pd catalyst to the Cu surface of a printed circuit board, and when it is attached to the PSR portion, defects occur due to smearing of the EL-Ni bridge. Usually, it is performed under the conditions of 25-35 degreeC, Pd concentration 70-90 mg / L, Cu concentration 50 ppm or less, and pH 3.2-3.5.

(7) Ni 도금 과정은 통상적으로 77∼83℃, 니켈 이온 농도 4.3∼5.0g/ℓ, pH 4.5∼4.7의 조건하에서 수행된다.(7) Ni plating process is normally performed under the conditions of 77-83 degreeC, nickel ion concentration 4.3-5.0 g / L, pH 4.5-4.7.

(8) Au-strike 과정은 통상적으로 82∼88℃, Au 이온 농도 0.8∼1.4g/ℓ, pH 4.8∼6.0의 조건하에서 수행된다.(8) Au-strike process is normally performed under the conditions of 82-88 degreeC, Au ion concentration 0.8-1.4g / L, pH 4.8-6.0.

(9) Au 도금 과정은 82∼88℃, 농도 3.6∼4.4g/ℓ, pH 4.5∼4.7의 조건하에서 수행된다.(9) Au plating process is performed under the conditions of 82-88 degreeC, the density | concentration of 3.6-4.4 g / L, and pH 4.5-4.7.

한편, 무전해 도금은 전착성이 균일하고 다량으로 동시 도금이 가능하며, 부도체 소재에도 양호한 밀착성을 갖는다. 또한, 내열성과 납땜성(solderability)이 우수하고, 금속 및 비금속에 모두 도금이 가능하며, 정밀도가 높고 폐수 처리 문제 를 해결할 수 있는 이점이 있다.On the other hand, electroless plating has a uniform electrodeposition property and allows simultaneous plating in large quantities, and has good adhesion to non-conductive materials. In addition, it is excellent in heat resistance and solderability (solderability), can be plated on both metal and non-metal, high precision and there is an advantage that can solve the waste water treatment problem.

통상적으로 양쪽성기의 표면장력이 큰 도금액은 홈에 도금액이 잘 들어가지 않으므로 탈지나 도금이 잘 되지 않으며 도금액이 묻어나오기 쉽고, 반대로 표면장력이 적은 도금액은 홈이나 구멍에 탈지액 및 도금액이 잘 들어가므로 탈지 및 도금이 양호하게 되고 도금액이 묻어나오는 양도 적다. 따라서, 도금액의 표면장력을 저하시키기 위하여 도금 과정 중 계면 활성제(표면 활성제)가 사용되는 것이 바람직하다.In general, the plating liquid having a large surface tension of the amphoteric group does not enter the groove well so that it is not easily degreased or plated, and the plating liquid is easy to bury. Therefore, degreasing and plating are good, and the amount of plating liquid is little. Therefore, it is preferable to use a surfactant (surfactant) during the plating process in order to lower the surface tension of the plating liquid.

상술한 Ni/Au 도금의 도금 원리를 나타내면 하기 반응식 2 및 반응식 3과 같다.The plating principle of the above-described Ni / Au plating is shown in the following scheme 2 and scheme 3.

Cu0 + Pd2+ --> Cu2+ + Pd0 Cu 0 + Pd 2+ -> Cu 2+ + Pd 0

Ni-(P) + Au+ --> Ni2+ + Au0 : 치환반응Ni- (P) + Au + -> Ni 2+ + Au 0 : Substitution reaction

여기서, Ni 도금은 도 3에 나타낸 바와 같이 동도금 층과 금도금 층간의 상호확산방지를 위하여 수행된다.Here, Ni plating is performed to prevent mutual diffusion between the copper plating layer and the gold plating layer as shown in FIG.

이러한 종래기술의 배경하에서, 본 발명에서는 인쇄회로기판 공정 중 무전해 금속 도금(예를 들어, 무전해 동도금 및/또는 무전해 금도금) 처리시 절연재에 첨가하는 값비싼 금속 촉매(예를 들어, Pd) 대신 TiO2 졸을 도입한 광촉매 기술을 이용하여 이를 대체하고자 한다. 기존에 사용되는 Pd 금속 촉매는 단가가 비쌀 뿐만 아니라 미세 회로 구현시 제품의 신뢰성면에서 여러 가지 문제점(이온 마이그레이션, 디라미네이션)이 예상되는 바, 이러한 문제점을 광촉매를 도입하여 해결하고자 한다.Under this background of the prior art, the present invention provides an expensive metal catalyst (e.g., Pd) added to an insulating material during electroless metal plating (e.g., electroless copper plating and / or electroless gold plating) during a printed circuit board process. Instead, the photocatalytic technique using TiO 2 sol is used instead. Pd metal catalysts are not only expensive, but many problems (ion migration, delamination) are expected in terms of product reliability when implementing microcircuits, and this problem is solved by introducing a photocatalyst.

광촉매(photocatalyst)는 빛[photo=light] + 촉매[catalyst]의 합성어로 빛을 에너지원으로 이용하여 촉매 반응(화학반응; 산화 또는 환원반응)을 촉진시켜 각종 세균 및 오염물질을 분해시켜주는 반도체 물질이다.Photocatalyst is a compound word of light [photo = light] + catalyst [catalyst] that uses light as an energy source to promote the catalytic reaction (chemical reaction; oxidation or reduction) to decompose various bacteria and pollutants It is a substance.

광촉매는 1970년대초 Fujishima와 Honda가 TiO2 단결정 전극에 빛을 조사하면 광산화반응과 광환원반응에 의하여 물이 수소와 산소로 분리된다는 사실을 발표한 이후 급속히 다양한 분야에서 활발한 연구가 진행되고 있다.Photocatalysts have been actively researched in various fields since Fujishima and Honda announced in the early 1970s that when water was irradiated to TiO 2 single crystal electrodes, water was separated into hydrogen and oxygen by photooxidation and photoreduction reactions.

특히, 광촉매로는 도 4에 나타낸 바와 같은 아나타제 또는 루타일 결정형의 TiO2, 특히 아나타제 결정형의 TiO2가 이용되는데, 이는 광여기 반응을 일으키는데 필요한 에너지가 387.5nm(이론적인 값) 정도로 태양광으로부터 충분한 에너지를 받을 수 있고, 화학적으로 안정하고 광활성이 우수하며, 인체에 무해한 점 등 그 물성이 우수하기 때문이다. 상기 TiO2는 3.0∼3.2eV의 에너지에 대응하는 400㎚ 이하의 짧은 파장에 해당하는 에너지가 조사되면 가전자대의 전자가 전도대로 여기되는 반도체 특성을 갖는 물질이다. 특히, 빛의 조사에 의해 생긴 전자와 정공(hole)이 TiO2 표면으로 이동하여 재결합되거나 흡착된 물질과 산화-환원반응을 일으키게 된다.In particular, as the photocatalyst, anatase or rutile crystalline TiO 2 , in particular, anatase crystalline TiO 2, is used. The energy required to cause the photoexcitation reaction is about 387.5 nm (theoretical value) from sunlight. This is because they can receive sufficient energy, are chemically stable, have excellent photoactivity, and are excellent in physical properties such as being harmless to the human body. The TiO 2 is a substance having a semiconductor characteristic in which electrons in the valence band are excited as conduction bands when energy corresponding to a short wavelength of 400 nm or less corresponding to an energy of 3.0 to 3.2 eV is irradiated. In particular, electrons and holes generated by irradiation of light move to the surface of TiO 2 to cause redox reaction with the recombined or adsorbed material.

이러한 특성을 갖는 TiO2는 공기정화, 대기정화, 오-폐수처리, 친수-방오제품, 항균제품, 내구성강화 자외선차단용 제품 등에 적용하여 우수한 요구 성능을 얻을 수 있음이 알려져 있다. 또한, TiO2 졸을 이용하여 표면처리한 기재 상에 물을 코팅하게 되면, TiO2 졸에 의한 표면처리 효과로 TiO2 특유의 초친수성에 기인하여 물분자의 접촉각이 작아져 물방울 맺힘 현상이 없어져 투명하게 보이며, 이는 또한 젖음성을 월등히 향상시키는 특성이 된다. 뿐만 아니라, 기재 상에 먼지나 기타 오염물질, 이염물질 등이 달라붙지 않고 물방울과 함께 씻겨 내려가기 때문에 건조 후에도 더러운 자국이나 오염물질이 표면에 남지 않는다.It is known that TiO 2 having such characteristics can be applied to air purification, atmospheric purification, wastewater treatment, hydrophilic antifouling products, antibacterial products, durable UV protection products, and the like to obtain excellent performance. Further, when the coating of water on a surface treated substrate by using a TiO 2 sol, the TiO 2 due to the unique ultra-hydrophilic surface treatment effect due to the TiO 2 sol becomes a contact angle of water molecules smaller eliminated condensation condensation It looks transparent, which is also a property that greatly improves wettability. In addition, since dirt or other contaminants, debris, etc. do not adhere to the substrate and are washed away with water droplets, dirty marks or contaminants do not remain on the surface even after drying.

특히, TiO2는 화학적으로 안정하고 광활성이 우수하며, 가격이 저렴한 특성이 있다. 통상적으로 사용되는 TiO2 성상은 하기 표 1에 나타낸 바와 같이 크게 두 가지로 대별할 수 있다. 그 중에서도 TiO2 졸은 기존에 많이 사용되고 있는 광촉매 분말에 비해 탈취, 항균성이 우수하고, 대기오염 방지 시스템 및 인쇄회로기판의 절연재의 표면에 코팅을 하여도 투명도가 그대로 유지될 뿐 아니라 유지 보수가 용이한 장점이 있다.In particular, TiO 2 is chemically stable, has excellent photoactivity, and is inexpensive. Generally used TiO 2 properties can be roughly divided into two as shown in Table 1 below. Among them, TiO 2 sol has superior deodorization and antimicrobial properties compared to photocatalyst powders, which are widely used, and transparency is not only maintained but also easy to maintain even when coated on the surface of the air pollution prevention system and the insulating material of the printed circuit board. There is one advantage.

TiO2 분말TiO 2 Powder TiO2TiO 2 Sol 사용방법How to use 액에 분산시켜 슬러리 상태로 사용Disperse in liquid and use as slurry 기재에 코팅시키거나 졸 자체로 사용Coated to substrate or used as sol itself 사 용 처Usage 항균제, 폐수처리, 대기정화Antibacterial, Wastewater Treatment, Atmospheric Purification 파인 코팅, 대기오염 방지 시스템, 탈취, 김서림 방지, 항균 시스템, 자외선 차단제Fine coating, air pollution prevention system, deodorization, anti-fog, antibacterial system, sunscreen 장 점Advantages 공급 용이Easy to supply 코팅 후 투명도 유지, 사용 및 유지 보수 용이, 공급 용이, 넓은 응용 범위Maintain transparency after coating, easy to use and maintain, easy to supply, wide application range 단 점Disadvantages 투명도 감소(백색 착색), 기재에 코팅시 바인더 필요, 슬러리로 사용시 분리공정 필요, 각종 소재와 혼합 성형시 기재의 부식 발생Reduced transparency (white coloration), binder required for coating on substrate, separation process required for use as slurry, corrosion of substrate when mixed with various materials --

이러한 TiO2 광촉매의 제조방법으로는 대표적으로 열가수분해(hydrothermal method) 및 졸-겔 방법(sol-gel method) 등이 있다. 특히, 졸 형태에서는 양자크기 구속효과(quantum size effect)로 반도체 입자 크기가 10nm 이하로 매우 작게 되면 벌크 상태보다 띠간격(Band Gap)이 넓어지고 표면적/부피의 비가 확대되어 흡착점이 증가하며, 생성된 전자와 정공의 계면 도달 확산 거리가 줄어들어 광촉매 반응의 효율이 증대되는 특성이 있다. Typical TiO 2 photocatalysts include a hydrothermal method and a sol-gel method. Particularly, in the sol form, when the semiconductor particle size is very small below 10 nm due to the quantum size effect, the band gap is wider than the bulk state and the surface area / volume ratio is enlarged to increase the adsorption point. The diffusion distance between the electrons and holes is reduced to increase the efficiency of the photocatalytic reaction.

따라서, 본 발명자들은 상술한 TiO2 졸을 인쇄회로기판의 도금공정에 적용함으로써 인쇄회로기판의 품질을 월등히 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 이러한 기술이 차세대 핵심 요소기술로서 세계시장에 대비가 가능할 것으로 생각하였다.Therefore, the present inventors believe that the application of the above-described TiO 2 sol to the plating process of the printed circuit board not only significantly improves the quality of the printed circuit board, but also that such a technology can be prepared for the global market as a next-generation core element technology. It was.

본 발명에서 상술한 TiO2 졸을 사용함으로써 얻을 수 있는 이점으로는 큰 비표면적을 얻을 수 있어 충분한 광반응을 수행할 수 있고, 기존의 분말을 사용하는 경우에는 용액으로 만드는 2차공정이 필요하나, 졸 자체로 사용함으로써 2차공정없 이 그대로 적용할 수 있으며, 아울러, 사용조건을 적절히 조절하여 입자의 침전현상 없이 용액내에 고르게 분산시킴으로써 인쇄회로기판 절연재에 적용시 고르게 분산 분포시킬 수 있는 등의 특성이 있다.Advantages of using the TiO 2 sol described above in the present invention is that a large specific surface area can be obtained to perform a sufficient photoreaction, in the case of using a conventional powder requires a secondary process to make a solution By using it as a sol itself, it can be applied as it is without the secondary process, and it can be distributed evenly when applied to the insulation of printed circuit board by evenly distributing it evenly in the solution without precipitation of particles by controlling the use condition appropriately. There is a characteristic.

또한, 본 발명에서는 기존의 아나타제 외에도 루타일 경정형을 사용할 수 있는데, TiO2와 H2O와의 산화반응은 수산화 라디칼을, O2와의 환원반응은 슈퍼옥사이드(superoxide)를 생성하며 이러한 생성물들은 광촉매 반응에서 중요한 역할을 한다. 뿐만 아니라, 2차 부산물의 발생 없이 상압에서 활용이 가능하다는 장점 외에 상온에서 반응이 일어나므로 에너지가 적게 사용된다는 이점이 있다. In addition, in the present invention, in addition to the conventional anatase, rutile crystallization type may be used. Oxidation reaction of TiO 2 and H 2 O generates hydroxide radicals, and reduction reaction with O 2 generates superoxide, and these products are photocatalysts. Plays an important role in the reaction. In addition, there is an advantage that less energy is used because the reaction occurs at room temperature in addition to the advantage that it can be utilized at atmospheric pressure without the generation of secondary by-products.

상술한 바와 같은 TiO2 졸의 특성을 이용하여, 본 발명에서는 다음과 같은 공정에 따라 특정 조건하에서 인쇄회로기판의 무전해 금속 도금을 수행한다.By utilizing the characteristics of the TiO 2 sol as described above, in the present invention, the electroless metal plating of the printed circuit board is performed under specific conditions according to the following process.

우선, pH가 약 2∼7인 나노 TiO2 졸 용액을 기판의 표면에 코팅한 후, 자외선을 조사하여 활성화층을 형성시킨다.First, a nano TiO 2 sol solution having a pH of about 2 to 7 is coated on the surface of the substrate, and then ultraviolet rays are irradiated to form an activation layer.

상기 TiO2의 코팅막 제조방법으로는 졸겔법을 이용한 딥 코팅법, 스핀 코팅법, 진공장치를 이용한 CVD법, 스러터링법 등 당해분야에 공지된 방법이라면 특별히 한정되지 않고 사용될 수 있지만, 바람직하게는 졸겔법이 좋다.The TiO 2 coating film may be prepared by any method known in the art, such as a dip coating method using a sol gel method, a spin coating method, a CVD method using a vacuum apparatus, a sputtering method, and the like, but may be used. The sol-gel method is good.

본 발명에서 사용되는 TiO2 졸 용액 중의 TiO2의 평균입경은 5∼60㎚, 바람직하게는 10∼50㎚이다. 상기 TiO2의 평균입경이 5㎚ 미만인 경우 제조하기 어려워 경제적으로 불리한 단점이 있고, 60㎚를 초과하는 경우는 코팅후 투명성 및 광활성 이 떨어지는 단점이 있다.The average particle diameter of TiO 2 in the TiO 2 sol solution used in the present invention is 5 to 60 nm, preferably 10 to 50 nm. When the average particle diameter of the TiO 2 is less than 5 nm, it is difficult to manufacture economically disadvantageous, when it exceeds 60 nm there is a disadvantage that the transparency and light activity after coating is poor.

상기 TiO2 졸 용액 중의 TiO2의 농도는 0.05∼0.5몰%, 바람직하게는 0.1∼0.4몰%이다. 상기 TiO2의 농도가 0.05몰% 미만인 경우 투명성은 뛰어나나 박막두께가 얇을 뿐만 아니라 부분적으로 코팅 효과가 떨어져 신뢰성에 문제가 생기며, 0.5몰%를 초과하는 경우 불투명 코팅이 되고 광학특성 또한 떨어지는 단점이 있다.The concentration of TiO 2 in the TiO 2 sol solution is 0.05 to 0.5 mol%, preferably 0.1 to 0.4 mol%. When the concentration of TiO 2 is less than 0.05 mol%, the transparency is excellent, but the thickness of the thin film is not only partially, the coating effect is inferior, resulting in a problem in reliability. When the concentration is more than 0.5 mol%, an opaque coating is also deteriorated. have.

상기 TiO2 졸 용액의 pH는 약 2∼7, 바람직하게는 약 3∼6이다. 상기 TiO2의 pH가 2 미만인 경우 상대적으로 응집현상이 강하게 일어나 침전되는 단점이 있고, 7을 초과하는 경우 분산성은 우수하나 상대적으로 광특성은 떨어지는 단점이 있다.The pH of the TiO 2 sol solution is about 2-7, preferably about 3-6. If the pH of the TiO 2 is less than 2, there is a disadvantage in that precipitation occurs due to a strong coagulation phenomenon, and when it exceeds 7, there is a disadvantage in that the dispersibility is excellent but the optical properties are relatively low.

상기 자외선의 조사량은 5∼80mw/㎠, 바람직하게는 10∼70mw/㎠인 것이 좋다. 상기 자외선의 조사량이 5mw/㎠ 미만인 경우 활성화도가 떨어지고 촉매현상이 급격히 저하되는 단점이 있다. 반면, 80mw/㎠를 초과하는 경우 절연재의 고분자 사슬이 깨져서 재료의 특성 저하 뿐 아니라 취성적인 현상도 일어나는 단점이 있다.The irradiation amount of the said ultraviolet-ray is 5-80mw / cm <2>, Preferably it is 10-70mw / cm <2>. If the irradiation amount of the ultraviolet rays is less than 5mw / ㎠ it has a disadvantage that the degree of activation falls and the catalyst phenomenon is sharply lowered. On the other hand, if it exceeds 80mw / cm 2, the polymer chain of the insulating material is broken, so that not only the deterioration of the material property but also brittle phenomenon occurs.

상기 자외선 조사시간은 5∼30분인 것이 바람직하며, 상기 범위를 벗어나는 경우 막의 코팅성이 불량하여 광학특성이 저하되는 단점이 있다.The ultraviolet irradiation time is preferably 5 to 30 minutes, the coating properties of the film is poor when out of the range there is a disadvantage that the optical properties are lowered.

한편, 상기 TiO2 졸 용액에는 상대적으로 작은 크기의 입경이 유지되도록 하여 광효율을 증대시키고, 특히 가시광선 영역에서 TiO2의 광효율을 높이기 위하여 Cr, Fe, Ni, Nb 및 V로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 전이금속화합물이 이온형태로 더욱 첨가될 수 있다.On the other hand, the TiO 2 sol solution to maintain a relatively small particle size to increase the light efficiency, in particular in order to increase the light efficiency of TiO 2 in the visible light region at least selected from the group consisting of Cr, Fe, Ni, Nb and V One transition metal compound may be further added in ionic form.

본 발명의 일 구체예에 따르면, V5+가 상기 졸 용액에 첨가되는 경우, 수 ㎚의 크기를 갖는 미세한 입자들이 단분산된 형태로 존재하여 상대적으로 낮은 결정성을 나타낸다. 또한, Fe3+, Ni2+, Nb5+ 등의 전이금속 이온이 첨가되는 경우, 순수한 TiO2 졸 용액에 비하여 제타포텐셜 값이 상승하는데, 이로부터 금속이온의 첨가에 따라 졸용액이 더욱 안정화됨을 알 수 있다.According to one embodiment of the present invention, when V 5+ is added to the sol solution, fine particles having a size of several nm are present in a monodisperse form, indicating relatively low crystallinity. In addition, when transition metal ions such as Fe 3+ , Ni 2+ , and Nb 5+ are added, the zeta potential value is increased compared to the pure TiO 2 sol solution, from which the sol solution is more stabilized as the metal ions are added. It can be seen that.

또한, 전이금속이온 첨가에 따른 TiO2 졸의 광 흡수도 변화를 살펴보면, 전이금속화합물의 첨가에 따라 순수 TiO2 졸의 광 흡수 영역에 비해 보다 장파장의 가시광선 영역으로 광 흡수의 시프트(shift)가 이루어져 보다 장파장에 해당되는 밴드 갭 에너지를 나타낸다.In addition, the change in the light absorption of TiO 2 sol with the transition metal ion addition shows that the shift of light absorption into the visible wavelength region of longer wavelength than the light absorption region of pure TiO 2 sol due to the addition of the transition metal compound The band gap energy corresponding to the longer wavelength is formed.

여기서, 상기 전이금속화합물의 함량은 0.05∼0.5중량%, 바람직하게는 0.1∼0.3중량%인 것이 좋다. 상기 함량이 0.05중량% 미만인 경우 전이금속 첨가에 따른 물성적 특성이 충분히 발현되지 않고 광특성 향상효과 또한 얻을 수 없다. 한편, 0.5중량%를 초과하는 경우 상기 전이금속이 복합물 형태를 이루어 일부는 이온형태로 존재하나 일부는 복합물로 남아 침전이 발생되고 광특성이 저하되는 단점이 있다.Here, the content of the transition metal compound is 0.05 to 0.5% by weight, preferably 0.1 to 0.3% by weight. When the content is less than 0.05% by weight, physical properties due to the addition of the transition metal may not be sufficiently expressed, and an optical characteristic improvement effect may not be obtained. On the other hand, when the content exceeds 0.5% by weight, the transition metal forms a complex, some of which exist in the form of ions, but some remain as a complex, causing precipitation and deteriorating optical properties.

상술한 바에 따라 형성된 활성화층의 두께는 0.05∼0.8㎛인 것이 좋다. 상 기 활성화층의 두께가 0.05㎛ 미만인 경우 투명성은 뛰어나나 코팅성이 떨어지며 부분적으로 광특성을 내지 못하는 단점이 있다. 반면, 0.8㎛를 초과하는 경우 불투명성이 뚜렷해져 상대적으로 광특성이 떨어지는 단점이 있다.The thickness of the activation layer formed as described above is preferably 0.05 to 0.8 mu m. If the thickness of the activation layer is less than 0.05㎛ has excellent disadvantages in transparency but coating properties and in part does not have optical properties. On the other hand, if it exceeds 0.8㎛ has a disadvantage in that the opacity is clear and the optical properties are relatively low.

다음으로, 상기 기판의 활성화층 상에 당해분야에 공지된 바에 따라, 적어도 하나의 금속염, 적어도 하나의 환원제 및 적어도 하나의 유기산을 포함하는 통상의 무전해 금속 도금 용액을 접촉시켜 무전해 금속 도금층을 형성시킨다.Next, a conventional electroless metal plating solution comprising at least one metal salt, at least one reducing agent, and at least one organic acid is contacted on the active layer of the substrate to form an electroless metal plating layer. To form.

본 발명의 인쇄회로기판 금속도금시 적용되는 금속으로는 무전해 도금이 가능한 금속이라면 어떤 것이라도 사용될 수 있다. 무전해 도금이 가능한 금속으로는 구리, 니켈, 코발트, 금, 은, 팔라듐, 백금, 로듐, 철, 알루미늄, 탄탈륨, 질화티타늄, 티타늄, 텅스텐, 질화탄탈륨, 질화텅스텐 또는 이들의 조합을 들 수 있다. 가장 바람직한 예로는 구리 또는 니켈/금이 무전해로 도금된다.As the metal applied to the metal plating of the printed circuit board of the present invention, any metal capable of electroless plating may be used. Examples of metals that can be electroless plated include copper, nickel, cobalt, gold, silver, palladium, platinum, rhodium, iron, aluminum, tantalum, titanium nitride, titanium, tungsten, tantalum nitride, tungsten nitride, or combinations thereof. . Most preferred examples are copper or nickel / gold plated electrolessly.

본 발명에 따르면, 무전해 금속도금이 가능한 또는 이미 무전해 도금된 표면을 최소한 일부로 가진 인쇄회로기판이라면 어떠한 것이든 본 발명의 도금방법에 따라 금속을 도금할 수 있다. 무전해 금속도금에 적당한 표면 재질의 예로는 통상의 절연 수지 뿐만 아니라, 알루미늄, 질화티타늄, 질화탄탈륨, 텅스텐, 구리, 실리콘, 코발트, 니켈, 로듐, 팔라듐, 또는 이들의 조합을 들 수 있다.According to the present invention, any printed circuit board capable of electroless metal plating or having at least a part of an electroless plated surface can be plated with metal according to the plating method of the present invention. Examples of surface materials suitable for electroless metal plating include aluminum, titanium nitride, tantalum nitride, tungsten, copper, silicon, cobalt, nickel, rhodium, palladium, or combinations thereof, as well as conventional insulating resins.

본 발명의 도금방법은 또한 층사이에 인터커넥을 채우고(예컨대 플러그 및 비아) 접촉을 형성하는데 적용하는 것과 같이, 금속을 전자부품의 표면에 도금하는데 특히 유용하다. 바람직한 적용으로 구리를 예비 도금하여 후속하는 구리의 전해도금을 가능하게 하는 것도 포함된다.The plating method of the present invention is also particularly useful for plating metal onto the surface of electronic components, such as applying to fill interconnects (such as plugs and vias) and to form contacts between layers. Preferred applications include preplating copper to enable subsequent electroplating of copper.

상술한 바와 같은 본 발명의 도금방법이 적용되는 바람직한 구체예로서, 무전해 동도금 및 무전해 Ni/Au 도금에 적용한 경우의 개략적인 공정흐름을 도 5 및 도 6에 각각 나타내었다.As a preferred embodiment to which the plating method of the present invention as described above is applied, schematic process flows when applied to electroless copper plating and electroless Ni / Au plating are shown in FIGS. 5 and 6, respectively.

여기서, 주목할 점은 종래기술의 금속도금 과정에서 금속 촉매를 이용한 활성화 처리 대신 TiO2 졸을 도입한 광촉매 기술을 적용함으로써 동도금 공정의 경우, 도 1에 나타낸 종래기술의 동도금 공정 중 화살표 표시로 묶여진 4단계(프리-딥/활성화 처리/3단 수세/환원)의 과정을 TiO2 졸 코팅단계 하나의 과정으로 대체할 수 있다는 점이다. 이와 유사하게, 금도금 공정의 경우에도 도 2에 나타낸 종래기술의 동도금 공정 중 화살표 표시로 묶여진 3단계(소프트-에칭/프리-딥/활성화 처리)의 과정을 TiO2 졸 코팅단계 하나의 과정으로 대체함으로써 보다 간단한 공정라인을 구축하여 생산속도 및 효율을 극대화할 수 있는 장점이 있다.Here, it should be noted that in the case of the copper plating process, the photocatalytic technique in which the TiO 2 sol is introduced instead of the activation process using the metal catalyst in the metal plating process of the prior art is enclosed by arrow marks in the copper plating process of the prior art shown in FIG. The process of the step (pre-dip / activation treatment / stage washing / reduction) can be replaced by one process of the TiO 2 sol coating step. Similarly, in the case of the gold plating process, the three-step (soft-etching / pre-dip / activation treatment) enclosed by the arrow mark in the copper plating process of the prior art shown in FIG. 2 is replaced with one TiO 2 sol coating step. By building a simpler process line there is an advantage that can maximize the production speed and efficiency.

또한, 본 발명의 일 구체예에 따른 금도금 방법에 따라 인쇄회로기판에 금도금층이 형성된 상태를 종래기술의 경우(도 3)와 대비하여 도 7에 나타내었다.In addition, the state in which the gold plated layer is formed on the printed circuit board according to the gold plating method according to an embodiment of the present invention is shown in FIG.

본 발명에 따르면, 무전해 도금(무전해 도금 전 절연재 상에 또는 레이저 가공 후(디스미어 포함)의 비아 안쪽에 광촉매의 원리 적용) 처리 및 금도금 처리(금도금 전 동 회로에 광촉매 원리 적용) 전에 절연재 상에, 레이저 가공 후(디스미어 포함)의 비아 또는 금도금 처리 전 Cu 회로에 TiO2 졸의 광촉매 원리를 적용한 후 후속 공정을 전개할 수 있다. 이를 통해 기존의 Pd 촉매를 사용하는 경우에 비하여 저 비용으로 고밀착력 및 고신뢰성을 갖는 미세 회로를 구현할 수 있다.According to the present invention, the insulating material before the electroless plating (applied to the photocatalyst principle on the insulating material before the electroless plating or inside the via after laser processing (including the desmear)) and the gold plating treatment (applied to the photocatalyst principle to the gold-plated electric circuit) On top of the photocatalyst principle of the TiO 2 sol can be applied to the Cu circuit after laser processing (including desmear) or before the gold plating treatment and subsequent processing can be developed. Through this, it is possible to implement a fine circuit having high adhesion and high reliability at low cost compared to the case of using a conventional Pd catalyst.

전술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, TiO2 졸 광촉매의 원리를 인쇄회로기판 금속도금공정에 적용하여, 특히 무전해 동도금 공정 중 절연재에 적용되는 값비싼 Pd 촉매를 대체하고, 또한 금도금시에도 Pd 촉매를 대체함으로써 기존공정 대비 간단한 공정라인을 통해서 저비용으로 생산효율 및 품질을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.As described above, according to the present invention, the principle of TiO 2 sol photocatalyst is applied to a printed circuit board metal plating process, and replaces the expensive Pd catalyst applied to the insulating material, especially during the electroless copper plating process, and also in the case of gold plating By replacing the catalyst has the advantage that can improve the production efficiency and quality at a low cost through a simple process line compared to the existing process.

또한, TiO2 광촉매 특유의 초친수성 효과에 기인하여 무전해 금속도금의 접합성을 향상시킬 수 있고, 미세 회로 구현시 이온 마이그레이션, 디라미네이션과 같은 불량에 따른 신뢰성 저하 문제를 해결하여 고밀도, 고속신호에 대응할 수 있어 저 프로파일 절연재의 사용이 가능한 이점이 있다.In addition, due to the unique superhydrophilic effect of TiO 2 photocatalyst, the adhesion of electroless metal plating can be improved, and the problem of reliability deterioration due to defects such as ion migration and delamination when solving micro circuits is solved. There is an advantage that it is possible to use a low profile insulating material.

뿐만 아니라, 기존 공정을 사용함에 따른 상당량의 폐수 발생의 문제점도 개선할 수 있을 것으로 기대된다.In addition, it is expected that the problem of generating a large amount of waste water by using the existing process can be improved.

본 발명의 기술적 사상 또는 보호 범위내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 변형이나 개량이 가능함이 명백하다. 따라서, 본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위 및 그 동등범위에 의하여 명확해질 것이다.It is apparent that modifications and improvements of the present invention are possible by those skilled in the art within the technical spirit or protection scope of the present invention. Accordingly, the simple modifications and variations of the present invention are all within the scope of the present invention, and the specific scope of protection of the present invention will be clarified by the appended claims and their equivalents.

Claims (11)

인쇄회로기판의 도금방법에 있어서,In the plating method of a printed circuit board, (a) pH가 2∼7이고 5∼60㎚의 평균입경을 갖는 TiO2 졸 용액을 제공하는 단계;(a) providing a TiO 2 sol solution having a pH of 2 to 7 and having an average particle diameter of 5 to 60 nm; (b) 상기 TiO2 졸 용액을 기판의 표면에 코팅한 후, 자외선을 조사하여 활성화층을 형성시키는 단계;(b) coating the TiO 2 sol solution on the surface of the substrate and then irradiating ultraviolet rays to form an activation layer; (c) 적어도 하나의 금속염, 적어도 하나의 환원제 및 적어도 하나의 유기산을 포함하는 무전해 금속 도금 용액을 제공하는 단계; 및(c) providing an electroless metal plating solution comprising at least one metal salt, at least one reducing agent and at least one organic acid; And (d) 상기 기판의 활성화층 상에 상기 금속 도금 용액을 접촉시켜 무전해 금속 도금층을 형성시키는 단계;(d) contacting the metal plating solution on the activation layer of the substrate to form an electroless metal plating layer; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 인쇄회로기판의 무전해 도금방법.Electroless plating method of a printed circuit board using a photocatalyst comprising a. 제1항에 있어서, 상기 TiO2 졸 용액은 Cr, Fe, Ni, Nb 및 V로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 전이금속화합물을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 인쇄회로기판의 무전해 도금방법.The electroless plating of a printed circuit board using a photocatalyst according to claim 1, wherein the TiO 2 sol solution further comprises at least one transition metal compound selected from the group consisting of Cr, Fe, Ni, Nb and V. Way. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 TiO2 졸 용액 중 전이금속화합물의 함량은0.05∼0.5중량%인 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 인쇄회로기판의 무전해 도 금방법.The electroless plating method of a printed circuit board using a photocatalyst according to claim 1 or 2, wherein the content of the transition metal compound in the TiO 2 sol solution is 0.05 to 0.5% by weight. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 TiO2 졸 용액 중의 TiO2의 평균입경이 10∼50㎚인 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 인쇄회로기판의 무전해 도금방법.The electroless plating method of a printed circuit board using a photocatalyst according to claim 1, wherein the average particle diameter of TiO 2 in the TiO 2 sol solution is 10 to 50 nm. 제1항에 있어서, 상기 TiO2 졸 용액 중의 TiO2의 농도는 0.05∼0.5몰%인 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 인쇄회로기판의 무전해 도금방법.According to claim 1, wherein said TiO 2 sol concentration of TiO 2 in the solution are 0.05 to 0.5 The electroless plating method of a printed circuit board using a photocatalyst characterized in that the mol%. 제1항에 있어서, 상기 TiO2 졸 용액의 pH는 3∼6인 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 인쇄회로기판의 무전해 도금방법.The method of claim 1, wherein the pH of the TiO 2 sol solution is 3 to 6 electroless plating method of a printed circuit board using a photocatalyst. 제1항에 있어서, 상기 자외선의 조사량은 5∼80mw/㎠인 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 인쇄회로기판의 무전해 도금방법.The electroless plating method of a printed circuit board using a photocatalyst according to claim 1, wherein the irradiation amount of ultraviolet rays is 5 to 80mw / cm 2. 제1항에 있어서, 상기 자외선 조사시간은 5∼30분인 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 인쇄회로기판의 무전해 도금방법.The electroless plating method of a printed circuit board using a photocatalyst according to claim 1, wherein the ultraviolet irradiation time is 5 to 30 minutes. 제1항에 있어서, 상기 금속은 구리, 니켈, 코발트, 금, 은, 팔라듐, 백금, 로듐, 철, 알루미늄, 탄탈륨, 질화티타늄, 티타늄, 텅스텐, 질화탄탈륨, 질화텅스텐 또는 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 인쇄회로기판의 무전해 도금방법.The group of claim 1, wherein the metal is copper, nickel, cobalt, gold, silver, palladium, platinum, rhodium, iron, aluminum, tantalum, titanium nitride, titanium, tungsten, tantalum nitride, tungsten nitride, or a combination thereof. Electroless plating method of a printed circuit board using a photocatalyst, characterized in that selected from. 제1항에 있어서, 상기 활성화층의 두께는 0.05∼0.8㎛인 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 인쇄회로기판의 무전해 도금방법.The method of claim 1, wherein the thickness of the activation layer is 0.05 ~ 0.8㎛ electroless plating method of a printed circuit board using a photocatalyst.
KR1020040091482A 2004-09-06 2004-11-10 Method for electroless plating on printed circuit board using photocatalyst KR100619362B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005039280A JP4145884B2 (en) 2004-09-06 2005-02-16 Electroless plating method of printed circuit board using photocatalyst

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20040070920 2004-09-06
KR1020040070920 2004-09-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060022216A KR20060022216A (en) 2006-03-09
KR100619362B1 true KR100619362B1 (en) 2006-09-07

Family

ID=36166901

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040091482A KR100619362B1 (en) 2004-09-06 2004-11-10 Method for electroless plating on printed circuit board using photocatalyst

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR100619362B1 (en)
CN (1) CN1747626A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100863264B1 (en) 2007-06-29 2008-10-15 한국기계연구원 Manufacturing method of flexible copper clad laminate using precision wet plating process

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100945691B1 (en) * 2007-10-29 2010-03-05 전자부품연구원 Surface treated Nano-particles, Manufacturing Method Thereof And Ink Composition Comprising The Same
CN105593410A (en) * 2013-09-26 2016-05-18 德国艾托特克公司 Novel adhesion promoting process for metallisation of substrate surfaces
CN103556134B (en) * 2013-11-13 2015-11-25 湖南省化讯应用材料有限公司 The pretreatment process of process for electroless nickel plating

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02285076A (en) * 1989-04-26 1990-11-22 Hitachi Chem Co Ltd Method for forming pattern of semiconductor photocatalyst for electroless plating
KR20020073436A (en) * 2001-03-15 2002-09-26 넥쌍 A Method of Metallizing a Substrate Part

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02285076A (en) * 1989-04-26 1990-11-22 Hitachi Chem Co Ltd Method for forming pattern of semiconductor photocatalyst for electroless plating
KR20020073436A (en) * 2001-03-15 2002-09-26 넥쌍 A Method of Metallizing a Substrate Part

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100863264B1 (en) 2007-06-29 2008-10-15 한국기계연구원 Manufacturing method of flexible copper clad laminate using precision wet plating process

Also Published As

Publication number Publication date
CN1747626A (en) 2006-03-15
KR20060022216A (en) 2006-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100759069B1 (en) Resin substrate having a resin-metal composite layer and method for manufacturing thereof
JP6317090B2 (en) Method for electroless plating and solution used therefor
TWI602948B (en) For electroless plating solution and before electroless plating method
KR20200003874A (en) Multilayer structure and method of manufacturing the multilayer structure
Magnone et al. Facile synthesis of TiO2-supported Al2O3 ceramic hollow fiber substrates with extremely high photocatalytic activity and reusability
KR20060064549A (en) Method for forming inorganic thin film on polyimide resin and method for producing polyimide resin having reformed surface for forming inorganic thin film
KR100619362B1 (en) Method for electroless plating on printed circuit board using photocatalyst
JP4628914B2 (en) Circuit pattern forming method
EP1427869B1 (en) Regeneration method for a plating solution
JP4145884B2 (en) Electroless plating method of printed circuit board using photocatalyst
JP5303483B2 (en) Ozone decomposition removal catalyst, method for producing the same, and ozone decomposition removal method using the same
JP2007231362A (en) Electroless plating method of resin product
KR20120010545A (en) Ecofriendly surface modification method of polymer resin
JP6011841B2 (en) Resin / copper plating laminate and method for producing the same
JP3237098B2 (en) Electroless palladium plating method and electroless plating bath used therein
JP5674553B2 (en) Ozone decomposition removal catalyst, method for producing the same, and ozone decomposition removal method using the same
TWI377268B (en) Method for coating substrates containing antimony compounds with tin and tin alloys
US11756847B2 (en) Method of manufacturing a glass article to provide increased bonding of metal to a glass substrate via the generation of a metal oxide layer, and glass articles such as glass interposers including the metal oxide layer
JP4314093B2 (en) Plating material, method for producing the same, and method for producing plated coating member
DE2227925A1 (en) Method for producing a ver better adhering metal deposit on a polymeric surface
KR100717336B1 (en) A plating method of metal layer by a galvanic displacement
JP2007302967A (en) Electroless plating method
CN108677171A (en) A kind of preparation method of antibacterial aluminium product
KR20070073245A (en) Wo3-deposited copper powder and preparation method using electroless plating
KR102429398B1 (en) Apparatus for treating pre-dip solution and electroless plating of copper using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120710

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130624

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee