KR100617619B1 - Apparatus for inspecting semiconductor device and its method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다양한 방향으로부터 반도체 소자의 영상을 획득하여 반도체 소자의 외관 및 크기를 보다 정확하게 알 수 있는 반도체 소자 검사장치 및 검사방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device inspection apparatus and inspection method that can obtain an image of the semiconductor device from various directions to more accurately know the appearance and size of the semiconductor device.

본 발명에 따른 반도체 소자 검사방법은 복수개의 광원으로부터 반도체 소자의 상면에 경사진 각도로 빛을 조사하여 복수개의 구별 가능한 그림자를 생성하고, 이들 그림자 영상들을 합성하여 반도체 소자의 외곽선을 검출하여 반도체 소자의 크기를 검사하는 것을 특징으로 한다.In the semiconductor device inspection method according to the present invention, a plurality of distinguishable shadows are generated by irradiating light from a plurality of light sources to an upper surface of the semiconductor device at an inclined angle, and the shadow image is detected by synthesizing these shadow images to detect the outline of the semiconductor device. It is characterized by checking the size of.

반도체, 트레이, 크기, 그림자, 모서리, 외곽선Semiconductor, tray, size, shadow, corner, outline

Description

반도체 소자 검사장치 및 검사방법{APPARATUS FOR INSPECTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS METHOD}Semiconductor device inspection device and inspection method {APPARATUS FOR INSPECTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS METHOD}

도 1은 본 발명에 따른 반도체 소자 검사장치1 is a semiconductor device inspection apparatus according to the present invention

도 2는 본 발명에 따른 조명부의 배치구조2 is a layout of the lighting unit according to the present invention

도 3은 본 발명에 따른 그림자 영상의 합성에 대한 개념도3 is a conceptual diagram for synthesizing a shadow image according to the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 반도체 소자의 외곽선 및 크기를 검사하는 순서도Figure 4 is a flow chart for checking the outline and size of the semiconductor device according to the present invention

도 5a는 트레이에 수납된 반도체 소자에 대한 평면도5A is a plan view of a semiconductor device accommodated in a tray

도 5b는 종래 기술에 따른 반도체 소자 검사방법Figure 5b is a semiconductor device inspection method according to the prior art

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of reference numerals for main parts of the drawings>

11 제어부 12 반도체 소자11 control unit 12 semiconductor element

13 트레이 14 지지대13 Tray 14 Support

15 광조사부 16 광검출부 15 light detector 16 light detector

17 영상처리부 18 영상검사부17 Image Processing Unit 18 Image Inspection Unit

본 발명은 반도체 소자 검사장치 및 검사방법에 관한 것으로, 보다 상세하게 는 반도체 소자의 영상을 다양한 방향으로부터 획득하여 반도체 소자의 외관 및 크기를 보다 정확하게 알 수 있는 반도체 소자 검사장치 및 검사방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device inspection device and an inspection method, and more particularly, to a semiconductor device inspection device and inspection method that can be obtained more accurately the appearance and size of the semiconductor device by obtaining the image of the semiconductor device from various directions. .

통상의 BGA(Ball Grid Array) 타입의 반도체 소자는 반도체 제조공정을 통해 형성된 웨이퍼 상의 집적회로에 볼 그리드 어레이 패턴 필름을 가열 융착시켜 집적회로와 볼 그리드 어레이 패턴의 회로가 직접 접착되도록 한다. 이후 볼 그리드 어레이 패턴에 플럭스를 이용하여 볼을 융착시키고, 이후 칩 절단공정, 트리밍 공정 및 수지몰드를 통한 패키징 공정을 거쳐 반도체 소자가 최종적으로 완성된다. 이때, 칩 절단공정은 패키징 이후에 진행될 수도 있다.Conventional ball grid array (BGA) type semiconductor devices heat-bond a ball grid array pattern film to an integrated circuit on a wafer formed through a semiconductor manufacturing process so that the circuit of the integrated circuit and the ball grid array pattern are directly bonded. After the ball is fused to the ball grid array pattern using a flux, the semiconductor device is finally completed through a chip cutting process, a trimming process and a packaging process through a resin mold. At this time, the chip cutting process may proceed after packaging.

이러한 방법으로 만들어진 반도체 소자를 직사각형의 플라스틱으로 된 트레이(tray)에 담아 보관하거나 각종 검사를 행하게 된다. 검사 특히, 전기적 검사를 위해서는 트레이 담겨져 보관된 반도체 소자를 홀더로 집어 테스터의 일정 위치에 올려 놓아야 한다. The semiconductor device made in this manner is stored in a tray made of rectangular plastic or various inspections are performed. Inspection In particular, for electrical inspection, the semiconductor device stored in the tray should be picked up by a holder and placed on a predetermined position of the tester.

그러나, 패키징 이후 칩을 절단하게 되면, 반도체 칩이 올 바른 위치에서 절단되지 않거나 절단에 오류가 발생할 가능성이 있다. 따라서 반도체 칩을 구성하는 집적회로에 손상이 발생되어, 반도체 소자 자체가 작동하지 않을 수 있다. 또한, 절단된 모양이 일반적인 사각형 형상이 아니라 흠집을 가지고 있거나 크기 자체가 정상품 보다 작은 경우도 발생되어 홀더로 반도체 소자를 집을 수 없는 문제가 발생될 수 있다. However, if the chip is cut after packaging, there is a possibility that the semiconductor chip is not cut at the correct position or an error occurs in the cutting. Therefore, damage may occur to the integrated circuit constituting the semiconductor chip, and thus the semiconductor device itself may not operate. In addition, the cut shape may have a scratch, not a general rectangular shape, or a size may be smaller than a regular product, thereby causing a problem in that the holder cannot pick up the semiconductor device.

따라서, 트레이에 수납된 반도체 소자를 검사하여 반도체 소자의 외관을 검사하고 그 크기를 조사하여야 할 필요가 있다. 종래의 기술에서는 트레이에 수납 된 반도체 소자의 상태를 화상 처리하여 반도체 소자의 외관을 검사한다. 예를 들어, 트레이에 수납된 반도체 소자들을 CCD(Charge Coupled Device) 카메라 등을 이용하여 제품 표면의 영상을 획득함에 따라 외관을 검사한다.Therefore, it is necessary to inspect the semiconductor device contained in the tray to inspect the appearance of the semiconductor device and to investigate its size. In the prior art, the appearance of a semiconductor device is inspected by image processing the state of the semiconductor device housed in the tray. For example, the semiconductor devices stored in the tray are inspected as the image of the surface of the product is acquired by using a CCD (Charge Coupled Device) camera or the like.

도 5a는 트레이에 수납된 반도체 소자에 대한 평면도이고, 도 5b은 도 5a의 단면도로, 종래 기술에 따른 반도체 소자의 외관을 검사하는 방법을 설명하는 도면이다. 5A is a plan view of a semiconductor device accommodated in a tray, and FIG. 5B is a cross-sectional view of FIG. 5A, illustrating a method of inspecting an appearance of a semiconductor device according to the related art.

도 5b에 도시된 바와 같이, 트레이(100)에 수납된 반도체 소자(200)들의 표면을 CCD 카메라(300)가 이동하면서 검사하게 된다. 그러나, 도 5a에 도시된 바와 같이, 일반적으로 패키징된 반도체 소자의 겉 표면과 트레이는 동일하게 검정색을 띄므로, 종래기술과 같은 통상적인 방법으로 얻어진 영상으로는 반도체 소자와 트레이가 잘 구분되지 않은 흐린 영상을 얻게 된다. 이에 따라 반도체 소자의 외관 즉, 외곽선을 정확하게 알 수 없기 때문에 그 크기를 검사하는 것에 문제점이 있다.As shown in FIG. 5B, the surface of the semiconductor elements 200 accommodated in the tray 100 is inspected while the CCD camera 300 moves. However, as shown in FIG. 5A, since the outer surface and the tray of the packaged semiconductor device are generally black, the semiconductor device and the tray are not well distinguished from images obtained by conventional methods such as the prior art. You get a blurry image. Accordingly, since the external appearance of the semiconductor device, that is, the outline, cannot be accurately known, there is a problem in inspecting the size thereof.

본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로, 반도체 소자의 외관 및 크기를 보다 정확하게 알 수 있는 반도체 소자 검사장치 및 검사방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, to provide a semiconductor device inspection device and inspection method that can more accurately know the appearance and size of the semiconductor device.

상기와 같은 목적을 이루기 위한 본 발명의 제1 양상에 따른 반도체 소자 검사장치는, 봉지재에 의해 패키징된 반도체 칩을 갖는 사각형의 반도체 소자를 검사 하는 반도체 소자 검사장치에 있어서, 제어부; 적어도 두개 이상의 조명부로 구성되며, 상기 제어부의 제어에 따라 각 조명부가 순차적으로 점등 및 소등되어, 상기 반도체 소자의 상면에 대하여 경사진 각도로 빛을 조사하여 상기 반도체 소자에 그림자를 생성하도록 하는 광조사부; 상기 순차적으로 점등 및 소등되는 빛에 의한 그림자가 생성된 반도체 소자로부터 반사되는 그림자 영상을 검출하는 광검출부; 및 상기 검출된 반도체 소자의 그림자 영상들을 합성하여 반도체 소자의 외관을 검출하는 영상처리부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.A semiconductor device inspecting apparatus according to a first aspect of the present invention for achieving the above object comprises: a semiconductor device inspecting apparatus for inspecting a rectangular semiconductor element having a semiconductor chip packaged by an encapsulant, comprising: a control unit; The light irradiation unit is composed of at least two lighting units, each lighting unit is sequentially turned on and off under the control of the controller, and irradiates light at an inclined angle with respect to the upper surface of the semiconductor element to generate a shadow on the semiconductor element ; A light detector for detecting a shadow image reflected from the semiconductor device in which the shadows of the light sequentially turned on and off are generated; And an image processor configured to detect the appearance of the semiconductor device by synthesizing the shadow images of the detected semiconductor device.

상기 조명부는 서로 마주보도록 구성된 한 쌍이며, 상기 한 쌍의 조명부는 상기 반도체 소자의 대향 모서리를 향하여 빛을 조사하여 각각의 대향 모서리 및 그 인접한 변에 그림자를 생성하도록, 서로 마주보는 모서리 방향에 배치된다. 또한, 상기 조명부는 네 개이며, 상기 네 개의 조명부는 상기 반도체 소자의 네 개의 모서리 중 각각의 대향 모서리를 향하여 빛을 조사하여 각각의 대향 모서리 및 그 인접한 변에 그림자를 생성하도록, 각각의 모서리 방향에 배치될 수도 있다. 한편, 상기 영상처리부는 상기 대향 모서리 및 그 인접한 변으로부터의 그림자 영상들을 합성하여 반도체 소자 전체의 그림자 영상을 획득하는 것을 특징으로 한다.The lighting unit is a pair configured to face each other, wherein the pair of lighting units are disposed at opposite corners to irradiate light toward opposite edges of the semiconductor device to generate shadows at each opposite edge and adjacent sides thereof. do. In addition, there are four lighting units, and the four lighting units irradiate light toward each of the four opposite corners of the semiconductor device to generate shadows at each of the opposite edges and adjacent sides thereof. It may be arranged in. The image processor may be configured to acquire shadow images of the entire semiconductor device by synthesizing shadow images from the opposite edges and adjacent sides thereof.

상기 조명부는 네 개이며, 상기 네 개의 조명부는 상기 반도체 소자의 네 개의 변 중 각각의 대향 변을 향하여 빛을 조사하여 각각의 대향 변에 그림자를 생성하도록, 각각의 변의 방향에 배치된다. 한편, 상기 영상처리부는 상기 네 개의 변으로부터의 그림자 영상들을 합성하여 반도체 소자 전체의 그림자 영상을 획득하는 것을 특징으로 한다.The illumination unit is four, and the four illumination unit is disposed in the direction of each side to irradiate light toward each opposite side of the four sides of the semiconductor element to generate a shadow on each opposite side. The image processor may be configured to obtain shadow images of the entire semiconductor device by synthesizing shadow images from the four sides.

상기 제1 양상에서, 상기 반도체 소자 전체의 그림자 영상으로부터 반도체 소자의 외곽선을 획득하고 외곽선을 기준으로 중심선을 계산하고 그 중심선을 기준으로 상기 외곽선에 대한 최외곽 사각형을 추출하여, 상기 사각형의 네변의 길이로부터 반도체 소자의 크기를 검사하는 영상검사부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In the first aspect, an outline of a semiconductor device may be obtained from a shadow image of the entire semiconductor device, a center line may be calculated based on an outline, and an outermost rectangle of the outline may be extracted based on the center line. It further comprises an image inspection unit for inspecting the size of the semiconductor device from the length.

본 발명의 제2 양상에 따른 반도체 소자 검사장치는, 봉지재에 의해 패키징된 반도체 칩을 갖는 사각형의 반도체 소자를 검사하는 반도체 소자 검사장치에 있어서, 조사되는 빛의 파장이 다른 적어도 두개 이상의 조명부로 구성되며, 상기 반도체 소자의 상면에 대하여 경사진 각도로 빛을 조사하여 상기 반도체 소자에 그림자를 생성하는 광조사부; 상기 다른 파장의 빛에 의한 그림자가 생성된 반도체 소자로부터 반사되는 그림자 영상을 검출하는 광검출부; 및 상기 반도체 소자의 그림자 영상들을 합성하여 반도체 소자의 외관을 검출하는 영상처리부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.A semiconductor device inspecting apparatus according to a second aspect of the present invention is a semiconductor device inspecting apparatus for inspecting a rectangular semiconductor element having a semiconductor chip packaged by an encapsulant, comprising: at least two lighting units having different wavelengths of irradiated light; A light irradiation unit configured to generate a shadow on the semiconductor device by irradiating light at an inclined angle with respect to an upper surface of the semiconductor device; A light detector detecting a shadow image reflected from the semiconductor device in which the shadows of the light having different wavelengths are generated; And an image processor configured to synthesize shadow images of the semiconductor device to detect an appearance of the semiconductor device.

상기 조명부는 서로 마주보도록 구성된 한 쌍이며, 상기 한 쌍의 조명부는 상기 반도체 소자의 대향 모서리를 향하여 빛을 조사하여 각각의 모서리 및 그 인접한 변에 각각 다른 파장의 빛에 의한 그림자를 생성하도록, 서로 마주보는 모서리에 배치된다. 또는, 상기 조명부는 네 개이며, 상기 네 개의 조명부는 상기 반도체 소자의 네 개의 모서리 중 각각의 대향 모서리를 향하여 빛을 조사하여 각각의 대향 모서리 및 그 인접한 변에 각각 다른 파장의 빛에 의한 그림자를 생성하도록, 각각의 모서리 방향에 배치되는 것도 가능하다. 한편, 상기 영상처리부는 상 기 대향 모서리 및 그 인접한 변으로부터 반사되어 얻어진 다른 파장의 그림자 영상들을 합성하여 반도체 소자 전체의 그림자 영상을 획득하는 것을 특징으로 한다.The lighting unit is a pair configured to face each other, and the pair of lighting units irradiate light toward opposite edges of the semiconductor device to generate shadows of light having different wavelengths at each corner and adjacent sides thereof. It is placed on the opposite edge. Alternatively, the lighting unit is four, and the four lighting unit irradiates light toward each of the four opposite corners of the semiconductor device to cast shadows of light of different wavelengths on each of the opposite edges and adjacent sides thereof. It is also possible to be arranged in the direction of each corner to produce. On the other hand, the image processor is characterized in that to obtain a shadow image of the entire semiconductor device by synthesizing the shadow image of the other wavelength obtained by reflecting from the opposite edge and the adjacent side.

상기 조명부는 네 개이며, 상기 네 개의 조명부는 상기 반도체 소자의 네 개의 변 중 각각의 대향 변을 향하여 빛을 조사하여 각각의 대향 변에 다른 파장의 그림자를 생성하도록, 각각의 변의 방향에 배치된다. 한편, 상기 영상처리부는 상기 네개의 변으로부터 반사되어 얻어진 다른 파장의 그림자 영상들을 합성하여 반도체 소자 전체의 그림자 영상을 획득하는 것을 특징으로 한다.The illumination unit is four, and the four illumination unit is disposed in the direction of each side to irradiate light toward each opposite side of the four sides of the semiconductor element to generate shadows of different wavelengths on each opposite side. . The image processor may obtain a shadow image of the entire semiconductor device by synthesizing shadow images having different wavelengths reflected from the four sides.

상기 제2 양상에서, 상기 반도체 소자 전체의 그림자 영상으로부터 반도체 소자의 외곽선을 획득하고 외곽선을 기준으로 중심선을 계산하고 그 중심선을 기준으로 상기 외곽선에 대한 최외곽 사각형을 추출하여, 상기 사각형의 네변의 길이로부터 반도체 소자의 크기를 검사하는 영상검사부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In the second aspect, an outline of a semiconductor device is obtained from a shadow image of the entire semiconductor device, a center line is calculated based on an outline, and an outermost quadrangle of the outline is extracted based on the center line. It further comprises an image inspection unit for inspecting the size of the semiconductor device from the length.

본 발명의 제3 양상에 따른 반도체 소자 검사방법은, 봉지재에 의해 패키징된 반도체 칩을 갖는 사각형의 반도체 소자를 검사하는 반도체 소자 검사방법에 있어서, 복수개의 조명부로부터 상기 반도체 소자의 상면에 경사진 각도로 상기 복수개의 구별된 빛을 조사하여, 상기 복수개의 구별 가능한 그림자를 생성하는 광조사 단계; 상기 그림자가 생성된 반도체 소자로부터 반사되는 그림자 영상을 검출하는 영상검출 단계; 상기 검출된 그림자 영상들을 합성하는 영상처리 단계; 및 상기 합성된 영상으로부터 반도체 소자의 외곽선을 검출하여 반도체 소자의 크기를 검사하는 검사 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A semiconductor device inspection method according to a third aspect of the present invention is a semiconductor device inspection method for inspecting a rectangular semiconductor element having a semiconductor chip packaged by an encapsulant, wherein the semiconductor element inspection method is inclined to an upper surface of the semiconductor element from a plurality of lighting units. Irradiating the plurality of distinguished lights at an angle to generate the plurality of distinguishable shadows; An image detecting step of detecting a shadow image reflected from the semiconductor device in which the shadow is generated; An image processing step of synthesizing the detected shadow images; And inspecting the size of the semiconductor device by detecting an outline of the semiconductor device from the synthesized image.

상기 광조사 단계에서, 상기 복수개의 조명부는 상기 반도체 소자에 대하여 평면적으로 다른 방향에 배치되며, 각각 순차적으로 점등 및 소등되는 것에 의해 상기 복수개의 구별된 빛을 조사한다. 또는 상기 광조사 단계에서, 상기 복수개의 조명부는 상기 반도체 소자에 대하여 평면적으로 다른 방향에 배치되며, 각각 서로 다른 파장의 빛이 점등되는 것에 의해 상기 복수개의 구별된 빛을 조사하는 것도 가능하다.In the light irradiation step, the plurality of lighting units are disposed in different directions in a plane with respect to the semiconductor element, and irradiate the plurality of distinct lights by being sequentially turned on and off respectively. Alternatively, in the light irradiation step, the plurality of lighting units may be arranged in different directions in a plane with respect to the semiconductor element, and the plurality of distinguished lights may be irradiated by light of different wavelengths.

이때, 상기 복수개의 조명부는 서로 마주보도록 구성된 한 쌍이며 상기 한 쌍의 조명부는 상기 반도체 소자의 대향 모서리를 향하여 빛을 조사하여, 각각의 대향 모서리 및 그 인접한 변에 그림자를 생성하도록 한다. 한편, 상기 영상처리 단계에서, 상기 대향 모서리 및 그 인접한 변으로부터의 그림자 영상들을 합성하여 반도체 소자 전체의 그림자 영상을 획득하는 것을 특징으로 한다.In this case, the plurality of lighting units are a pair configured to face each other, and the pair of lighting units irradiate light toward opposite edges of the semiconductor device to generate shadows at each opposite edge and adjacent sides thereof. Meanwhile, in the image processing step, the shadow image of the entire semiconductor device may be obtained by synthesizing the shadow images from the opposite edge and the adjacent side thereof.

또는, 상기 복수개의 조명부는 네 개이며 상기 네 개의 조명부는 상기 반도체 소자의 네 개의 모서리 중 각각의 대향 모서리를 향하여 빛을 조사하여, 각각의 대향 모서리 및 그 인접한 변에 그림자를 생성하도록 한다. 한편, 상기 영상처리 단계에서, 상기 대향 모서리 및 그 인접한 변으로부터의 그림자 영상들을 합성하여 반도체 소자 전체의 그림자 영상을 획득하는 것을 특징으로 한다.Alternatively, the plurality of lighting units are four, and the four lighting units irradiate light toward respective opposite corners of four corners of the semiconductor device to generate shadows at each opposite edge and adjacent sides thereof. Meanwhile, in the image processing step, the shadow image of the entire semiconductor device may be obtained by synthesizing the shadow images from the opposite edge and the adjacent side thereof.

또는, 상기 복수개의 조명부는 네 개이며 상기 네 개의 조명부는 상기 반도체 소자의 네 개의 변 중 각각의 대향 변을 향하여 빛을 조사하어, 각각의 대향 변에 그림자를 생성하도록 한다. 한편, 상기 영상처리 단계에서, 상기 네 개의 변으로부터의 그림자 영상들을 합성하여 반도체 소자 전체의 영상을 획득하는 것을 특 징으로 한다.Alternatively, the plurality of illumination units are four, and the four illumination units irradiate light toward respective opposite sides of the four sides of the semiconductor device to generate shadows on each opposite side. On the other hand, in the image processing step, it is characterized in that to obtain the image of the entire semiconductor device by synthesizing the shadow images from the four sides.

상기 검사 단계에서, 상기 반도체 소자 전체의 그림자 영상으로부터 반도체 소자의 외곽선을 획득하고 외곽선을 기준으로 중심선을 계산하고 그 중심선을 기준으로 상기 외곽선에 대한 최외곽 사각형을 추출하여, 상기 사각형의 네변의 길이로부터 반도체 소자의 크기를 검사하는 것을 특징으로 한다.In the inspecting step, the outline of the semiconductor device is obtained from the shadow image of the entire semiconductor device, the center line is calculated based on the outline, and the outermost rectangle of the outline is extracted based on the center line, and the lengths of the four sides of the rectangle are obtained. It is characterized in that the size of the semiconductor device is inspected.

상술한 본 발명의 양상은 첨부된 도면을 참조하여 설명되는 바람직한 실시예들을 통하여 더욱 명백해질 것이다. 이하에서는 바람직한 실시예를 통해 당업자가 본 발명을 용이하게 이해하고 재현할 수 있도록 상세히 설명하기로 한다.Aspects of the present invention described above will become more apparent through preferred embodiments described with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily understand and reproduce the present invention.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 소자 검사장치(10)를 도시한 것이다. 도시된 바와 같이, 본 발명의 반도체 소자 검사장치(10)는 제어부(11); 반도체 소자(12)를 수납한 트레이(13)를 지지하는 지지대(14); 반도체 소자(12)의 상면에 대하여 경사진 각도로 빛을 조사하는 광조사부(15); 광조사 수단에서 조사된 후 반도체 소자(12)로부터 반사되는 빛을 검출하는 광검출부(16); 검출된 빛으로부터 반도체 소자의 외관을 검출하는 영상처리부(17); 및 외관으로부터 사각형 형상의 반도체 소자의 크기를 계산하여 검사하는 영상검사부(18)를 구비하여 구성된다.1 shows a semiconductor device inspection apparatus 10 according to a first embodiment of the present invention. As shown, the semiconductor device inspection apparatus 10 of the present invention includes a control unit 11; A support 14 for supporting the tray 13 containing the semiconductor element 12 therein; A light irradiation part 15 for irradiating light at an inclined angle with respect to the upper surface of the semiconductor element 12; A light detector 16 for detecting light reflected from the semiconductor element 12 after being irradiated by the light irradiation means; An image processor 17 for detecting an appearance of the semiconductor device from the detected light; And an image inspection unit 18 for calculating and inspecting the size of the rectangular semiconductor element from the appearance.

광조사부(15)는 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 소자(12)의 상면에 대하여 경사진 각도로 빛을 조사하도록 구성된다. 도 2는 광조사 수단의 평면도를 도시한 것이다. 도시된 바와 같이, 광조사부(15)는 4개의 조명부(R1, R2, R3, R4)로 구성되며, 각각의 조명부에는 다수개의 LED로 구성된 광원이 고정 배치된다. As shown in FIG. 1, the light irradiator 15 is configured to irradiate light at an inclined angle with respect to the upper surface of the semiconductor element 12. 2 shows a plan view of the light irradiation means. As shown, the light irradiation unit 15 is composed of four lighting units (R1, R2, R3, R4), a light source consisting of a plurality of LEDs are fixedly disposed in each lighting unit.

이러한 각 조명부는 제어부(11)의 제어에 의해 순차적으로 점등 및 소등된 다. 예를 들어, R1→R2→R3→R4의 순서에 따라 하나씩 순차적으로 점등 및 소등된다. 도 3(a)는 본 발명에 따른 그림자 영상의 생성을 도시한 개념도로서, 각 조명부의 점등에 따라, 그 대향하는 모서리 및 그 인접한 변에 그림자를 생성하게 된다. 종래의 기술에서와 같이 단순히 반도체 소자의 상부 표면 전체에 빛을 조사하는 것과는 달리, 각 모서리 부분을 구분하여 빛을 조사함에 따라 각 모서리 및 그 인접한 변의 형상을 보다 뚜렷하게 확인할 수 있는 그림자를 얻을 수 있게 된다.Each of the lighting units is sequentially turned on and off by the control of the control unit 11. For example, the light turns on and off one by one in the order of R1? R2? R3? R4. 3 (a) is a conceptual diagram illustrating the generation of a shadow image according to the present invention. As shown in FIG. 3A, shadows are generated at opposite edges and adjacent sides of each lighting unit. Unlike in the conventional technique, simply irradiating light to the entire upper surface of the semiconductor device, by dividing each corner portion and irradiating light, a shadow that can more clearly identify the shape of each corner and its adjacent sides can be obtained. do.

광검출부(16)는 일반적인 CCD 카메라 등으로 구성되어 반도체 소자(12)의 모서리 및 그 주변부에 생성된 그림자 영상을 검출한다.The light detector 16 is configured by a general CCD camera or the like to detect shadow images generated at the corners and peripheral portions of the semiconductor device 12.

영상처리부(17)는 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 제어부(11)의 제어에 의한 순차적 점등 및 소등에 따른 반도체 소자의 그림자 영상들(도 3(a) 참조)을 합성하여 반도체 소자의 합성 영상을 얻어 외관을 검출하게 된다. As illustrated in FIG. 3B, the image processor 17 synthesizes shadow images (see FIG. 3A) of the semiconductor device due to sequential lighting and turning off under the control of the controller 11. The appearance of the composite image is obtained.

영상검사부(18)는 영상처리부(17)로부터의 합성영상을 기초로 하여 반도체 소자의 크기를 검사하게 된다. 도 4는 영상처리부(17)가 합성한 영상을 기초로 하여, 반도체 소자의 외곽선을 얻는 과정을 도시한 것이다. 먼저, 도 4(a)의 합성영상으로부터 외곽선을 추출하고(도 4(b)), 외곽선을 기준으로 중심선을 계산하고(도 4(c)), 그 중심선을 기준으로 최외곽 사각형을 추출(도 4(d))하게 된다. 이때의 최외곽 사각형은 외곽선을 포함하는 최소의 사각형으로, 이렇게 추출된 사각형의 네변의 길이로부터 반도체 소자의 가로 및 세로의 크기(TDx, TDy)를 판정하게 된다.The image inspecting unit 18 inspects the size of the semiconductor device based on the synthesized image from the image processing unit 17. 4 illustrates a process of obtaining an outline of a semiconductor device based on an image synthesized by the image processor 17. First, an outline is extracted from the composite image of FIG. 4 (a) (FIG. 4 (b)), a center line is calculated based on the outline (FIG. 4 (c)), and an outermost rectangle is extracted based on the center line ( FIG. 4 (d)). At this time, the outermost quadrangles are the smallest quadrangles including outlines, and the horizontal and vertical sizes (TDx and TDy) of the semiconductor device are determined from the lengths of the four sides of the extracted quadrangle.

도 4(b)에서의 외곽선은 통상의 가장자리 검출 알고리즘을 이용하여 가장자리의 위치를 검출하고 이를 기초로 하여 외곽선을 얻게 된다. 이때의 정밀도는 수 ㎛ 내지 수십 ㎛ 까지 가능하다. The outline in FIG. 4 (b) detects the position of the edge using a conventional edge detection algorithm and obtains the outline based on the outline. The precision at this time can be up to several micrometers to several tens of micrometers.

광조사부(15)를 구성하는 조명부의 배치에 대하여 보다 상세하게 설명한다. The arrangement of the illumination unit constituting the light irradiation unit 15 will be described in more detail.

도 2에 도시된 바와 같이, 전술한 실시예의 조명부는 네개(R1, R2, R3, R4)로 구성되며, 네개의 조명부에서 반도체 소자의 네개의 모서리 중 각각의 대향 모서리를 향하여 빛을 조사하여 각각의 대향 모서리 및 그 인접한 변에 그림자를 생성하도록, 반도체 소자의 각 모서리 방향으로 배치된다. As shown in FIG. 2, the lighting unit of the above-described embodiment is composed of four (R1, R2, R3, and R4), each of which is irradiated with light toward each of the four opposite corners of the semiconductor device from the four lighting units Are disposed in the direction of each corner of the semiconductor element, so as to create shadows at opposite edges and adjacent sides thereof.

그러나, 이러한 조명부의 구성은 위와 같은 방법만으로 한정되는 것은 아니며, 다양하게 변경되어 사용될 수 있다. 예를 들어, 전술한 네개의 조명부는 반도체 소자의 네개의 변 중 각각의 대향 변을 향하여 빛을 조사하여 각각의 대향 변에 그림자를 생성하도록, 각 변의 방향에 배치되는 것도 가능하다. 또한, 조명부는 서로 마주보도록 구성된 한 쌍으로도 구성 가능하여, 한 쌍의 조명부는 반도체 소자의 대향 모서리를 향하여 빛을 조사하여 각각의 대향 모서리 및 그 인접한 변에 그림자를 생성하도록, 서로 마주보는 모서리 방향에 배치되는 것도 가능하다.However, the configuration of the lighting unit is not limited to the above method alone, and may be variously changed and used. For example, the above-described four lighting units may be disposed in the direction of each side to irradiate light toward each opposite side of the four sides of the semiconductor element to generate a shadow on each opposite side. In addition, the lighting unit may be configured as a pair configured to face each other, wherein the pair of lighting units irradiate light toward opposite edges of the semiconductor device to generate shadows at each opposite edge and adjacent sides thereof, so as to face each other. It is also possible to arrange in the direction.

본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 소자 검사장치를 설명한다. 전술한 제1 실시예에서는 네개 또는 한 쌍의 조명부가 순차적으로 점등되도록 하여 각각의 대향 모서리 및 그 인접한 변, 또는 대향 변에 그림자를 생성되도록 하는 것으로, 순차적 점등에 따른 시간이 소모되는 문제가 있을 수 있다. A semiconductor device inspection apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described. In the first embodiment described above, four or a pair of lighting units are sequentially turned on to generate shadows at each of the opposite edges and adjacent sides or opposite sides, which may cause time consuming lighting. Can be.

이에 따라, 본 실시예에서는 네개 또는 한 쌍으로 구성된 조명부 각각이 방출하는 빛의 파장 즉, 색이 다르게 되도록 광원을 구성한다. 이를 위해서는 각각 의 조명부가 다른 색을 발광하는 LED로 구성될 수 있으며, 동일한 색을 발광하는 광원 위에 필터를 부착하여 구성될 수도 있다. Accordingly, in the present embodiment, the light source is configured to have different wavelengths, that is, colors, of light emitted from each of the four or a pair of lighting units. To this end, each lighting unit may be composed of LEDs emitting different colors, and may be configured by attaching a filter on a light source emitting the same color.

여러개의 조명부가 파장이 다른 빛을 점등하기 때문에, 각 모서리 및 그 인접한 변에 생성되는 그림자의 영상을 구분하여 획득할 수 있다. 즉, 각 모서리 및 그 인접한 변의 그림자는 각각 다른 색의 빛에 대한 그림자이기 때문에 각각의 그림자를 구별할 수 있다. 이렇게 구분되어 획득된 그림자 영상을 도 3과 같은 방법으로 합성하여 반도체 소자 전체의 영상을 얻은 다음, 도 4와 동일한 방법으로 반도체 소자의 크기를 검사하게 된다.Since a plurality of lighting units illuminate light having different wavelengths, images of shadows generated at each corner and adjacent sides thereof may be separately obtained. That is, the shadows of each edge and its adjacent sides are distinguished from each other because they are shadows of light of different colors. The shadow images thus obtained are synthesized in the same manner as in FIG. 3 to obtain an image of the entire semiconductor device, and then the size of the semiconductor device is inspected in the same manner as in FIG. 4.

따라서, 제1 실시예에서와는 달리, 순차적 점등에 따른 시간 소모가 없이 일시에 반도체 소자의 외곽선 및 크기를 검사하게 된다.Therefore, unlike in the first embodiment, the outline and size of the semiconductor device are examined at one time without time consuming due to sequential lighting.

이와 같이 본 발명에 따르면, 반도체 소자의 외관 및 크기를 보다 정확하게 알 수 있는 효과가 있다.Thus, according to the present invention, there is an effect that can know the appearance and size of the semiconductor device more accurately.

앞에서 설명되고 도면에 도시된 본 발명의 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하므로, 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호 범위에 속하게 될 것이다.Embodiments of the present invention described above and illustrated in the drawings should not be construed as limiting the technical spirit of the present invention. Those skilled in the art of the present invention can change and change the technical spirit of the present invention in various forms, and the improvement and modification are within the protection scope of the present invention as long as it is obvious to those skilled in the art. Will belong.

Claims (22)

봉지재에 의해 패키징된 반도체 칩을 갖는 사각형의 반도체 소자를 검사하는 반도체 소자 검사장치에 있어서,A semiconductor device inspection apparatus for inspecting a rectangular semiconductor device having a semiconductor chip packaged by an encapsulant, 제어부;Control unit; 적어도 두개 이상의 조명부로 구성되며, 상기 제어부의 제어에 따라 각 조명부가 순차적으로 점등 및 소등되어, 상기 반도체 소자의 상면에 대하여 경사진 각도로 빛을 조사하여 상기 반도체 소자에 그림자를 생성하도록 하는 광조사부;The light irradiation unit is composed of at least two lighting units, each lighting unit is sequentially turned on and off under the control of the controller, and irradiates light at an inclined angle with respect to the upper surface of the semiconductor element to generate a shadow on the semiconductor element ; 상기 순차적으로 점등 및 소등되는 빛에 의한 그림자가 생성된 반도체 소자로부터 반사되는 그림자 영상을 검출하는 광검출부; 및A light detector for detecting a shadow image reflected from the semiconductor device in which the shadows of the light sequentially turned on and off are generated; And 상기 검출된 반도체 소자의 그림자 영상들을 합성하여 반도체 소자의 외관을 검출하는 영상처리부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사장치.And an image processor which synthesizes the detected shadow images of the semiconductor device to detect an appearance of the semiconductor device. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 조명부는 서로 마주보도록 구성된 한 쌍이며, 상기 한 쌍의 조명부는 상기 반도체 소자의 대향 모서리를 향하여 빛을 조사하여 각각의 대향 모서리 및 그 인접한 변에 그림자를 생성하도록, 서로 마주보는 모서리 방향에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사장치.The lighting unit is a pair configured to face each other, wherein the pair of lighting units are disposed at opposite corners to irradiate light toward opposite edges of the semiconductor device to generate shadows at each opposite edge and adjacent sides thereof. Semiconductor device inspection apparatus characterized in that. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 조명부는 네 개이며, 상기 네 개의 조명부는 상기 반도체 소자의 네 개의 모서리 중 각각의 대향 모서리를 향하여 빛을 조사하여 각각의 대향 모서리 및 그 인접한 변에 그림자를 생성하도록, 각각의 모서리 방향에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사장치.The four lighting units are arranged in each corner direction so that the four lighting units irradiate light toward each of the four corners of the semiconductor device to generate shadows at each of the opposite edges and adjacent sides thereof. Semiconductor device inspection apparatus characterized in that. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 조명부는 네 개이며, 상기 네 개의 조명부는 상기 반도체 소자의 네 개의 변 중 각각의 대향 변을 향하여 빛을 조사하여 각각의 대향 변에 그림자를 생성하도록, 각각의 변의 방향에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사장치.The lighting unit is four, and the four lighting unit is disposed in the direction of each side to irradiate light toward each opposite side of the four sides of the semiconductor element to create a shadow on each opposite side, Semiconductor device inspection apparatus. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 2 to 4, 상기 영상처리부는 상기 모서리 및 그 인접한 변, 또는 상기 네 개의 변으로부터의 그림자 영상들을 합성하여 반도체 소자 전체의 그림자 영상을 획득하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사장치.And the image processor acquires a shadow image of the entire semiconductor device by synthesizing shadow images from the corners, adjacent sides, or the four sides. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 반도체 소자 전체의 그림자 영상으로부터 반도체 소자의 외곽선을 획득하고 외곽선을 기준으로 중심선을 계산하고 그 중심선을 기준으로 상기 외곽선에 대한 최외곽 사각형을 추출하여, 상기 사각형의 네변의 길이로부터 반도체 소자의 크기를 검사하는 영상검사부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사장치.The outline of the semiconductor device is obtained from the shadow image of the entire semiconductor device, the center line is calculated based on the outline, and the outermost rectangle of the outline is extracted based on the center line, and the size of the semiconductor device is determined from the lengths of the four sides of the rectangle. Semiconductor device inspection apparatus further comprises an image inspection unit for inspecting. 봉지재에 의해 패키징된 반도체 칩을 갖는 사각형의 반도체 소자를 검사하는 반도체 소자 검사장치에 있어서,A semiconductor device inspection apparatus for inspecting a rectangular semiconductor device having a semiconductor chip packaged by an encapsulant, 조사되는 빛의 파장이 다른 적어도 두개 이상의 조명부로 구성되며, 상기 반도체 소자의 상면에 대하여 경사진 각도로 빛을 조사하여 상기 반도체 소자에 그림자를 생성하는 광조사부;A light irradiation unit including at least two lighting units having different wavelengths of irradiated light, and irradiating light at an inclined angle with respect to an upper surface of the semiconductor device to generate a shadow in the semiconductor device; 상기 다른 파장의 빛에 의한 그림자가 생성된 반도체 소자로부터 반사되는 그림자 영상을 검출하는 광검출부; 및A light detector detecting a shadow image reflected from the semiconductor device in which the shadows of the light having different wavelengths are generated; And 상기 반도체 소자의 그림자 영상들을 합성하여 반도체 소자의 외관을 검출하는 영상처리부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사장치.And an image processor configured to synthesize shadow images of the semiconductor device to detect an appearance of the semiconductor device. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 조명부는 서로 마주보도록 구성된 한 쌍이며, 상기 한 쌍의 조명부는 상기 반도체 소자의 대향 모서리를 향하여 빛을 조사하여 각각의 모서리 및 그 인접한 변에 각각 다른 파장의 빛에 의한 그림자를 생성하도록, 서로 마주보는 모서리에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사장치.The lighting unit is a pair configured to face each other, and the pair of lighting units irradiate light toward opposite edges of the semiconductor device to generate shadows of light having different wavelengths at each corner and adjacent sides thereof. Semiconductor device inspection apparatus, characterized in that disposed in the opposite corner. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 조명부는 네 개이며, 상기 네 개의 조명부는 상기 반도체 소자의 네 개의 모서리 중 각각의 대향 모서리를 향하여 빛을 조사하여 각각의 대향 모서리 및 그 인접한 변에 각각 다른 파장의 빛에 의한 그림자를 생성하도록, 각각의 모서리 방향에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사장치.The lighting unit is four, and the four lighting unit irradiates light toward each of the four opposite corners of the semiconductor device to generate shadows of light of different wavelengths on each of the opposite edges and adjacent sides thereof. Semiconductor device inspection apparatus, characterized in that arranged in each corner direction. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 조명부는 네 개이며, 상기 네 개의 조명부는 상기 반도체 소자의 네 개의 변 중 각각의 대향 변을 향하여 빛을 조사하여 각각의 대향 변에 다른 파장의 그림자를 생성하도록, 각각의 변의 방향에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사장치.The illumination unit is four, the four illumination unit is disposed in the direction of each side to irradiate light toward each of the four sides of the semiconductor element to generate a shadow of a different wavelength on each opposite side Semiconductor device inspection apparatus, characterized in that. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 8 to 10, 상기 영상처리부는 상기 모서리 및 그 인접한 변, 또는 상기 네개의 변으로부터 반사되어 얻어진 다른 파장의 그림자 영상들을 합성하여 반도체 소자 전체의 그림자 영상을 획득하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사장치.And the image processing unit synthesizes shadow images of different wavelengths obtained by reflecting the edges and their adjacent sides or the four sides to obtain a shadow image of the entire semiconductor device. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 반도체 소자 전체의 그림자 영상으로부터 반도체 소자의 외곽선을 획득하고 외곽선을 기준으로 중심선을 계산하고 그 중심선을 기준으로 상기 외곽선에 대한 최외곽 사각형을 추출하여, 상기 사각형의 네변의 길이로부터 반도체 소자의 크기를 검사하는 영상검사부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사장치.The outline of the semiconductor device is obtained from the shadow image of the entire semiconductor device, the center line is calculated based on the outline, and the outermost rectangle of the outline is extracted based on the center line, and the size of the semiconductor device is determined from the lengths of the four sides of the rectangle. Semiconductor device inspection apparatus further comprises an image inspection unit for inspecting. 봉지재에 의해 패키징된 반도체 칩을 갖는 사각형의 반도체 소자를 검사하는 반도체 소자 검사방법에 있어서,A semiconductor device inspection method for inspecting a rectangular semiconductor device having a semiconductor chip packaged by an encapsulant, 복수개의 조명부로부터 상기 반도체 소자의 상면에 경사진 각도로 상기 복수개의 구별된 빛을 조사하여, 상기 복수개의 구별 가능한 그림자를 생성하는 광조사 단계;Irradiating the plurality of distinct lights at an inclined angle on the upper surface of the semiconductor device from a plurality of lighting units to generate the plurality of distinguishable shadows; 상기 그림자가 생성된 반도체 소자로부터 반사되는 그림자 영상을 검출하는 영상검출 단계;An image detecting step of detecting a shadow image reflected from the semiconductor device in which the shadow is generated; 상기 검출된 그림자 영상들을 합성하는 영상처리 단계; 및An image processing step of synthesizing the detected shadow images; And 상기 합성된 영상으로부터 반도체 소자의 외곽선을 검출하여 반도체 소자의 크기를 검사하는 검사 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사방법.And inspecting the size of the semiconductor device by detecting an outline of the semiconductor device from the synthesized image. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 광조사 단계에서, 상기 복수개의 조명부는 상기 반도체 소자에 대하여 평면적으로 다른 방향에 배치되며, 각각 순차적으로 점등 및 소등되는 것에 의해 상기 복수개의 구별된 빛을 조사하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사방법.In the light irradiation step, the plurality of lighting unit is disposed in a different direction in the plane with respect to the semiconductor element, each of the semiconductor device inspection method characterized in that irradiated with the plurality of distinct light by being sequentially turned on and off. . 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 광조사 단계에서, 상기 복수개의 조명부는 상기 반도체 소자에 대하여 평면적으로 다른 방향에 배치되며, 각각 서로 다른 파장의 빛이 점등되는 것에 의해 상기 복수개의 구별된 빛을 조사하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사방법.In the light irradiation step, the plurality of lighting unit is disposed in a different direction in a plane with respect to the semiconductor device, the semiconductor device, characterized in that for irradiating the plurality of distinct light by the light of the light of different wavelengths, respectively method of inspection. 제14항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 14 to 15, 상기 복수개의 조명부는 서로 마주보도록 구성된 한 쌍이며 상기 한 쌍의 조명부는 상기 반도체 소자의 대향 모서리를 향하여 빛을 조사하여, 각각의 대향 모서리 및 그 인접한 변에 그림자를 생성하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사방법.The plurality of lighting unit is a pair configured to face each other and the pair of lighting unit is irradiated light toward the opposite edge of the semiconductor element, so as to generate a shadow on each opposite edge and its adjacent sides Device inspection method. 제16항에 있어서,The method of claim 16, 상기 영상처리 단계에서, 상기 대향 모서리 및 그 인접한 변으로부터의 그림자 영상들을 합성하여 반도체 소자 전체의 그림자 영상을 획득하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사방법.And in the image processing step, obtain shadow images of the entire semiconductor device by synthesizing shadow images from the opposite edges and their adjacent sides. 제14항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 14 to 15, 상기 복수개의 조명부는 네 개이며 상기 네 개의 조명부는 상기 반도체 소자의 네 개의 모서리 중 각각의 대향 모서리를 향하여 빛을 조사하여, 각각의 대향 모서리 및 그 인접한 변에 그림자를 생성하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사방법.The plurality of lighting units are four and the four lighting units are irradiated with light toward each of the four opposite corners of the semiconductor element, so as to create a shadow on each of the opposite corner and its adjacent sides Semiconductor device inspection method. 제18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 영상처리 단계에서, 상기 대향 모서리 및 그 인접한 변으로부터의 그림자 영상들을 합성하여 반도체 소자 전체의 그림자 영상을 획득하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사방법.And in the image processing step, obtain shadow images of the entire semiconductor device by synthesizing shadow images from the opposite edges and their adjacent sides. 제14항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 14 to 15, 상기 복수개의 조명부는 네 개이며 상기 네 개의 조명부는 상기 반도체 소자의 네 개의 변 중 각각의 대향 변을 향하여 빛을 조사하여, 각각의 대향 변에 그림자를 생성하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사방법.The plurality of lighting units are four and the four lighting units are irradiated with light toward each of the four sides of the semiconductor device, the semiconductor device inspection method, characterized in that to generate a shadow on each opposite side . 제20항에 있어서,The method of claim 20, 상기 영상처리 단계에서, 상기 네 개의 변으로부터의 그림자 영상들을 합성하여 반도체 소자 전체의 영상을 획득하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사방법.In the image processing step, the semiconductor device inspection method, characterized in that to obtain the image of the entire semiconductor device by synthesizing the shadow images from the four sides. 제17항, 제19항 또는 제21항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 17, 19 or 21, 상기 검사 단계에서, 상기 반도체 소자 전체의 그림자 영상으로부터 반도체 소자의 외곽선을 획득하고 외곽선을 기준으로 중심선을 계산하고 그 중심선을 기준으로 상기 외곽선에 대한 최외곽 사각형을 추출하여, 상기 사각형의 네변의 길이로부터 반도체 소자의 크기를 검사하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사방법.In the inspecting step, the outline of the semiconductor device is obtained from the shadow image of the entire semiconductor device, the center line is calculated based on the outline, and the outermost rectangle of the outline is extracted based on the center line, and the lengths of the four sides of the rectangle are obtained. Inspecting the size of the semiconductor device from the semiconductor device inspection method.
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