KR20170079967A - Vision inspection method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 소자핸들러에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 소자에 대한 비전검사를 수행하는 소자핸들러 및 비전검사방법에 관한 것이다.
본 발명은, 표면에서 다수의 구형 형상의 돌출부(1a)들이 형성된 소자(1)에 대하여 상기 다수의 돌출부(1a)에 대한 비전검사를 수행하는 비전검사방법에 있어서, 상기 소자(1)의 표면에 대하여 상대이동시키면서 상기 소자(1)의 표면에 대한 광의 입사각이 0°보다 크고 90°보다 작은 제1입사각을 가지는 슬릿광을 상기 소자(1)의 표면에 조사하면서, 상기 소자(1)의 표면 상의 높이를 광삼각법에 의하여 측정하는 동시에 상기 슬릿광이 조사된 상기 소자(1)의 표면에 대한 제1이미지를 획득하는 이미지획득단계와; 상기 이미지획득단계에서 획득된 상기 제1이미지에서 픽셀단위로 픽셀 값이 미리 설정된 값 이상의 영역 내에서 상기 이미지획득단계에서 측정된 높이가 최대인 위치를 상기 돌출부(1a)의 정점의 위치로 지정하는 슬릿광분석단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비전검사방법을 개시한다.The present invention relates to a device handler, and more particularly, to a device handler for performing a vision inspection for a device and a vision inspection method.
A vision inspection method for performing vision inspection on a plurality of projections (1a) with respect to an element (1) having a plurality of spherical projections (1a) formed on a surface thereof, characterized in that the surface While irradiating the surface of the device (1) with slit light having a first incident angle larger than 0 DEG and smaller than 90 DEG with respect to the surface of the device (1) while relatively moving the device An image acquiring step of measuring a height on the surface by photodetection and acquiring a first image with respect to the surface of the element 1 irradiated with the slit light; Designating a position at which the height measured in the image acquiring step is the maximum in a region in which the pixel value is equal to or larger than a predetermined value in units of pixels in the first image acquired in the image acquiring step, And a slit light analysis step.

Description

비전검사방법 {Vision inspection method}Vision inspection method

본 발명은 비전검사방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 소자에 대한 비전검사를 수행하는 비전검사방법에 관한 것이다.The present invention relates to a vision inspection method, and more particularly, to a vision inspection method for performing a vision inspection on a device.

반도체 소자는, 반도체 공정, 소잉공정 등을 거쳐 고객 트레이 등에 적재되어 출하된다. 여기서 각 공정은, 수율향상 및 출하 후 신뢰성 향상을 위하여 비전검사 등을 수행하고 있다.Semiconductor devices are loaded on customer trays through semiconductor processes, sawing processes, etc., and then shipped. Here, each process performs vision inspection to improve the yield and improve the reliability after shipment.

한편 반도체 소자에 대한 비전검사는 리드(lead)나 볼 그리드(ball grid)의 파손여부, 크랙(crack), 스크래치(scratch) 여부 등과 같은 반도체 소자의 외관상태 및 표면상태의 양호여부를 검사한다.On the other hand, the vision inspection for the semiconductor device checks whether the appearance and the surface condition of the semiconductor device are good, such as whether the lead or the ball grid is damaged, cracked, scratched, or the like.

한편, 상기와 같은 반도체 소자의 외관상태 및 표면상태의 검사가 추가되면서 그 검사시간 및 각 모듈들의 배치에 따라서 전체 공정수행을 위한 시간 및 장치의 크기에 영향을 미치게 된다.On the other hand, the inspection of the external appearance and the surface condition of the semiconductor device as described above affects the time for performing the entire process and the size of the device depending on the inspection time and the arrangement of the modules.

특히 다수의 소자가 적재된 웨이퍼, 트레이 등의 로딩, 각 소자들에 대한 비전검사를 위한 하나 이상의 모듈, 검사 후 검사결과에 따른 언로딩모듈의 구성 및 배치에 따라서 장치의 크기가 달라진다.In particular, the size of the device varies depending on the configuration and arrangement of the unloading module depending on the loading of the wafer or tray on which a plurality of devices are loaded, one or more modules for vision inspection for the respective devices, and inspection result after inspection.

그리고 장치의 크기는 소자검사라인 내에 설치될 수 있는 소자핸들러의 숫자를 제한하거나, 미리 정해진 숫자의 소자핸들러의 설치에 따라서 소자 생산을 위한 설치비용에 영향을 주게 된다.And the size of the device may affect the number of device handlers that can be installed in the device inspection line or the installation cost for device production depending on the installation of a predetermined number of device handlers.

본 발명의 목적은, 상기와 같은 점들을 인식하여 소자 표면에 형성된 볼단자등 돌출부에 대한 비전검사에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있는 비전검사방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a vision inspection method capable of recognizing the above-mentioned points and improving the reliability of a vision inspection of protrusions such as a ball terminal formed on the surface of the device.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 표면에서 다수의 구형 형상의 돌출부(1a)들이 형성된 소자(1)에 대하여 상기 다수의 돌출부(1a)에 대한 비전검사를 수행하는 비전검사방법에 있어서, 상기 소자(1)의 표면에 대하여 상대이동시키면서 상기 소자(1)의 표면에 대한 광의 입사각이 0°보다 크고 90°보다 작은 제1입사각을 가지는 슬릿광을 상기 소자(1)의 표면에 조사하면서, 상기 소자(1)의 표면 상의 높이를 광삼각법에 의하여 측정하는 동시에 상기 슬릿광이 조사된 상기 소자(1)의 표면에 대한 제1이미지를 획득하는 이미지획득단계와; 상기 이미지획득단계에서 획득된 상기 제1이미지에서 픽셀단위로 픽셀 값이 미리 설정된 값 이상의 영역 내에서 상기 이미지획득단계에서 측정된 높이가 최대인 위치를 상기 돌출부(1a)의 정점의 위치로 지정하는 슬릿광분석단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비전검사방법을 개시한다.The present invention has been made in order to achieve the above-mentioned object of the present invention, and it is an object of the present invention to provide a device (1) in which a plurality of spherical protrusions (1a) 1. A vision inspection method for performing a vision inspection, comprising the steps of: moving a slit light beam having a first incident angle larger than 0 DEG and smaller than 90 DEG with respect to a surface of the element (1) While measuring the height on the surface of the element 1 by photolithography and while obtaining the first image of the surface of the element 1 irradiated with the slit light An image acquiring step; Designating a position at which the height measured in the image acquiring step is the maximum in an area in which the pixel value is equal to or larger than a predetermined value in units of pixels in the first image obtained in the image acquiring step, as a position of a vertex of the projection 1a And a slit light analysis step.

상기 돌출부(1a)는, 볼단자일 수 있다.The projecting portion 1a may be a ball terminal.

상기 슬릿광은, 단색광이 사용됨이 바람직하다.The slit light is preferably monochromatic light.

본 발명에 따른 비전검사방법은, 소자표면에서 돌출부, 특히 볼단자의 정점의 위치를 검출함에 있어서 소자표면에 슬릿광을 조사하고 소자에 조사된 이미지로부터 미리 설정된 값 이상의 픽셀값을 가지는 영역 내에서 슬릿광 조사에 의하여 측정된 높이가 최대인 위치를 돌출부의 정점의 위치로 지정함으로써 비전검사의 반복에 따른 신뢰성 향상 및 비전검사속도를 현저히 향상시킬 수 있는 이점이 있다.The vision inspection method according to the present invention is a vision inspection method for detecting a position of a protrusion on a surface of a device, particularly a peak of a ball terminal, in a region irradiated with slit light on a surface of the device, The position at which the height measured by the slit light irradiation is maximized is designated as the position of the apex of the protruding portion, thereby improving the reliability of the vision inspection and improving the vision inspection speed remarkably.

도 1은, 본 발명에 따른 비전검사방법을 수행하기 위한 비전검사모듈의 일예를 보여주는 개념도이다.
도 2는, 도 1의 비전검사모듈의 배치를 보여주는 평면도이다.
도 3a는, 도 1의 비전검사모듈의 변형예를 보여주는 개념도이다.
도 3b는, 도 3a의 비전검사모듈의 배치를 보여주는 평면도이다.
도 3c는, 도 3a의 비전검사모듈의 변형예를 보여주는 개념도이다.
도 4a 내지 도 6b는, 본 발명에 따른 비전검사방법을 수행하는 과정으로서 돌출부의 위치에 따라서 슬릿광의 변화를 보여주는 개념도들로서, 도 4a 및 도 4b는, 돌출부의 정점을 지나기 전, 도 5a 및 도 5b는, 돌출부의 정점, 도 6a 및 도 6b는 돌출부의 정점을 지난 후의 슬릿광의 조사패턴을 보여주는 도면들이다.
도 7은, 본 발명에 따른 비전검사방법을 수행하는 과정에서 측정된 돌출부의 높이 및 실제 돌출부의 높이의 관계를 보여주는 그래프이다.1 is a conceptual diagram showing an example of a vision inspection module for performing a vision inspection method according to the present invention.
2 is a plan view showing the arrangement of the vision inspection module of FIG.
FIG. 3A is a conceptual diagram showing a variation of the vision inspection module of FIG. 1. FIG.
FIG. 3B is a plan view showing the arrangement of the vision inspection module of FIG. 3A.
FIG. 3C is a conceptual diagram showing a variation of the vision inspection module of FIG. 3A.
FIGS. 4A and 4B are conceptual diagrams showing a change in slit light according to the position of the protruding portion in the process of performing the vision inspection method according to the present invention. FIG. 4A and FIG. Figs. 6A and 6B are views showing the irradiation pattern of the slit light after passing the apex of the protrusion. Fig.
7 is a graph showing the relationship between the height of the protrusion measured in the course of performing the vision inspection method according to the present invention and the height of the actual protrusion.

이하, 본 발명에 따른 비전검사방법에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a vision inspection method according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 비전검사방법은, 소자(1)의 표면 등에 대한 외관을 카메라, 스캐너 등을 이용하여 이미지를 획득하는 비전검사모듈(410)에 의하여 수행된다.The vision inspection method according to the present invention is performed by a vision inspection module 410 that acquires an image by using a camera, a scanner, or the like in terms of the appearance of the surface of the element 1 or the like.

여기서 소자(1)는, WL-CSP (Wafer level chip scale pacake), SD램, 플래쉬램, CPU 등 반도체 공정을 마친 소자들로서 표면에 볼그리드 등 돌출부(1a)가 형성된 소자이면 모두 그 대상이 될 수 있다.Here, the element 1 is a semiconductor-processed element such as a WL-CSP (wafer level chip scale package), an SD RAM, a flash RAM, a CPU, etc., and any element having a projection 1a such as a ball grid .

상기 비전검사모듈(410)는, 소자(1)에 대한 비전검사를 수행하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The vision inspection module 410 may have various configurations as a configuration for performing the vision inspection for the element 1. [

예로서, 상기 비전검사모듈(410)는, 소자(1)의 표면에 대한 외관을 카메라, 스캐너 등을 이용하여 이미지를 획득하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.For example, the vision inspection module 410 can have various configurations as a configuration for acquiring an image of a surface of the element 1 using a camera, a scanner, and the like.

여기서 상기 비전검사모듈(410)에 의하여 획득된 이미지는, 프로그램 등을 이용하여 이미지 분석 후 불량여부 등의 비점검사에 활용된다.Here, the image obtained by the vision inspection module 410 is used for a boiling point inspection such as a defect after image analysis using a program or the like.

한편 상기 비전검사모듈(410)는, 비전검사의 종류에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 특히 2차원비전검사 및 3차원비전검사를 모두 수행하도록 구성됨이 바람직하다.Meanwhile, the vision inspection module 410 may be configured to perform various types of vision inspection, in particular, to perform both a two-dimensional vision inspection and a three-dimensional vision inspection.

예로서, 상기 비전검사모듈(410)는, 2차원비전검사를 위하여 소자(1)의 표면에 대한 이미지를 획득하는 제1이미지획득부(712)와, 제1이미지획득부(712)의 이미지획득을 위하여 소자(1)의 표면에 광을 조사하는 제1광원부(711)를 포함하는 2차원비전검사부(710)와; 3차원비전검사를 위하여 소자(1)의 표면에 대한 이미지를 획득하는 제2이미지획득부(722)와, 제2이미지획득부(722)의 이미지획득을 위하여 소자(1)의 표면에 광을 조사하는 제2광원부(721)를 포함하는 3차원비전검사부(720)를 포함할 수 있다.For example, the vision inspection module 410 includes a first image acquiring section 712 for acquiring an image of the surface of the element 1 for a two-dimensional vision inspection, and a second image acquiring section 712 for acquiring an image of the first image acquiring section 712 A two-dimensional vision inspection unit 710 including a first light source unit 711 for irradiating light to the surface of the element 1 for acquisition; A second image acquiring section 722 for acquiring an image of the surface of the element 1 for three-dimensional vision inspection, a second image acquiring section 722 for acquiring light on the surface of the element 1 for image acquisition of the second image acquiring section 722, Dimensional vision inspection unit 720 including a second light source unit 721 for irradiating the three-dimensional vision inspection unit 720.

특히 상기 비전검사모듈(410)는, 2차원비전검사부(710) 및 3차원비전검사부(720)의 구성 및 배치에 따라서 다양한 구성이 가능하다.In particular, the vision inspection module 410 can have various configurations according to the configurations and arrangements of the two-dimensional vision inspection unit 710 and the three-dimensional vision inspection unit 720.

먼저, 상기 비전검사모듈(410)는, 한국 공개특허공보 제10-2010-0122140호에 그 실시예 및 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이 구성될 수 있다First, the vision inspection module 410 can be configured as shown in FIG. 2A and FIG. 2B in the embodiment of FIG. 10 (A) 10-2010-0122140

여기서 상기 3차원비전검사부(720)의 제2광원부(721)는, 다양한 구성이 가능하며 레이저와 같은 단색광, 백색광 등이 사용될 수 있다.Here, the second light source unit 721 of the 3D vision inspection unit 720 may have various configurations, and monochromatic light such as laser or white light may be used.

특히 측정대상인 3차원형상이 미세한 경우 레이저광의 경우 난반사가 커 그 측정이 곤란한바 난반사가 적은 백색광의 사용이 바람직하다.In particular, when the three-dimensional shape to be measured is fine, it is preferable to use a white light having a small diffused reflection because it is difficult to measure the laser light because the diffused reflection is large.

그리고, 상기 3차원비전검사부(720)의 제2광원부(721)는, 소자(1)의 표면에 슬릿형태, 즉 슬릿광로 조사함이 바람직하며, 광원으로부터 광을 전달하는 광파이버와, 상기 광파이버와 연결되어 슬릿형상의 광을 소자(1)의 표면에 조사하는 슬릿부를 포함하여 구성될 수 있다.The second light source unit 721 of the 3D vision inspection unit 720 is preferably irradiated with slit light, that is, slit light, on the surface of the element 1 and includes an optical fiber for transmitting light from the light source, And a slit portion connected to the slit portion and irradiating the slit-like light to the surface of the device.

한편, 측정대상인 소자(1)의 크기가 큰 경우 하나의 카메라(스캐너)에 의하여 소자(1)의 표면 상의 볼단자, 범프 등 돌출부분의 높이 등 3차원 측정이 어려운 경우가 있다.On the other hand, when the size of the element 1 to be measured is large, it is sometimes difficult to measure three-dimensionally, such as the height of a protruding portion such as a ball terminal and a bump on the surface of the element 1 by a single camera (scanner).

이에, 상기 3차원비전검사부(720)는, 2개 이상의 제2이미지획득부(722)를 포함할 수 있다.Accordingly, the 3D vision inspection unit 720 may include two or more second image acquisition units 722.

이때 상기 3차원비전검사부(720)는, 제2이미지획득부(722) 각각에 대응되는 광원부(721)를 포함할 수 있으며, 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 하나의 광원부(721)와, 광원부(721)를 중심을 기준으로 점대칭으로 배치되는 한 쌍의 제2이미지획득부(722)를 포함할 수 있다.The three-dimensional vision inspection unit 720 may include a light source unit 721 corresponding to each of the second image acquisition units 722. As shown in FIGS. 3A and 3B, the three-dimensional vision inspection unit 720 may include one light source unit 721, And a pair of second image acquisition units 722 arranged in a point symmetry with respect to the center of the light source unit 721. [

아울러, 상기 비전검사모듈(410)는, 3차원비전검사부(720) 및 2차원비전검사부(710)의 배치에 있어서, 소자(1)의 이동방향을 기준으로, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 서로 중첩되어 구성되거나, 도 3a 내지 도 3c에 도시된 바와 같이, 2차원비전검사부(710) 및 3차원비전검사부(720)가 순차적으로 배치될 수 있다.1 and 2 based on the moving direction of the element 1 in the arrangement of the three-dimensional vision inspection unit 720 and the two-dimensional vision inspection unit 710, The two-dimensional vision inspection unit 710 and the three-dimensional vision inspection unit 720 can be sequentially arranged, as shown in FIGS. 3A to 3C.

특히 상기 비전검사모듈(410)은, 2차원비전검사부(710) 및 3차원비전검사부(720)가 순차적으로 배치된 경우, 도 3b에 도시된 바와 같이, 3차원비전검사부(720)에서 소자(1)의 이동방향을 따라서 한 쌍의 제2이미지획득부(722) 배치되고 한 쌍의 제2이미지획득부(722) 사이에 광원부(721)가 배치될 수 있다.In particular, when the two-dimensional vision inspection unit 710 and the three-dimensional vision inspection unit 720 are sequentially disposed, the vision inspection module 410 may detect the three-dimensional vision inspection unit 720 1, and the light source unit 721 may be disposed between the pair of second image acquiring units 722. In this case,

또한 상기 비전검사모듈(410)는, 2차원비전검사부(710) 및 3차원비전검사부(720)가 순차적으로 배치된 경우, 도 3c에 도시된 바와 같이, 3차원비전검사부(720)에서 소자(1)의 이동방향을 따라서 제2이미지획득부(722) 및 광원부(721)가 순차적으로 배치될 수 있다.3C, when the two-dimensional vision inspection unit 710 and the three-dimensional vision inspection unit 720 are sequentially disposed, the vision inspection module 410 may detect the three- The second image acquiring unit 722 and the light source unit 721 may be sequentially disposed along the moving direction of the first image acquiring unit 722 and the light source unit 721. [

본 발명에 따른 비전검사방법은, 도 4a 내지 도 6b에 도시된 바와 같이, 표면에서 다수의 구형 형상의 돌출부(1a)들이 형성된 소자(1)에 대하여 다수의 돌출부(1a)에 대한 비전검사를 수행하는 것을 특징으로 한다.4A to 6B, the vision inspection method according to the present invention is a vision inspection method for a plurality of protrusions 1a with respect to an element 1 having a plurality of spherical protrusions 1a formed on the surface thereof .

그리고 본 발명에 따른 비전검사방법은, 소자(1)의 표면에 대하여 상대이동시키면서 소자(1)의 표면에 대한 광의 입사각이 0°보다 크고 90°보다 작은 제1입사각을 가지는 슬릿광을 소자(1)의 표면에 조사하면서, 소자(1)의 표면 상의 높이를 광삼각법에 의하여 측정하는 동시에 슬릿광이 조사된 소자(1)의 표면에 대한 제1이미지를 획득하는 이미지획득단계와; 이미지획득단계에서 획득된 제1이미지에서 픽셀단위로 픽셀 값이 미리 설정된 값 이상의 영역 내에서 이미지획득단계에서 측정된 높이가 최대인 위치를 상기 돌출부(1a)의 정점의 위치로 지정하는 슬릿광분석단계를 포함한다.In the vision inspection method according to the present invention, slit light having a first incident angle larger than 0 degrees and smaller than 90 degrees with respect to the surface of the element (1) while moving relative to the surface of the element (1) 1), while measuring the height on the surface of the element (1) by photon triangulation and acquiring a first image of the surface of the element (1) irradiated with the slit light; A slit light analyzing step of designating, as a position of a vertex of the protruding portion (1a), a position at which the height measured in the image obtaining step is the maximum in an area in which a pixel value is in a unit of a pixel in a first image obtained in the image obtaining step, .

상기 이미지획득단계는, 소자(1)의 표면에 대하여 상대이동시키면서 소자(1)의 표면에 대한 광의 입사각이 0°보다 크고 90°보다 작은 제1입사각을 가지는 슬릿광을 소자(1)의 표면에 조사하면서, 소자(1)의 표면 상의 높이를 광삼각법에 의하여 측정하는 동시에 슬릿광이 조사된 소자(1)의 표면에 대한 제1이미지를 획득하는 단계로서 다양한 방법에 의하여 수행될 수 있다.The image acquiring step is a step of acquiring a slit light having a first incident angle larger than 0 DEG and smaller than 90 DEG with respect to the surface of the element (1) while moving relative to the surface of the element (1) A step of measuring the height on the surface of the element 1 by photolithography and a step of acquiring a first image of the surface of the element 1 irradiated with the slit light can be performed by various methods.

여기서 상기 슬릿광은, 조도값으로 판별이 가능한바 단색광, 예를 들면 백색광으로 조사되는 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the slit light is irradiated with monochromatic light, for example, white light, which can be discriminated by the illuminance value.

그리고 상기 소자(1)의 표면 상의 높이, 즉 소자(1)의 표면에 형성된 볼단자, 범프 등의 돌출부(1a)의 높이는, 조사된 슬릿광을 이용하여 광삼각법에 의하여 측정된다.The height of the surface of the element 1, that is, the height of the protruding portion 1a such as a ball terminal and a bump formed on the surface of the element 1 is measured by the photo-trigonometry using the irradiated slit light.

그런데 상기 돌출부(1a)의 높이는, 도 7에 도시된 바와 같이, 그 정점이 높음에도 불구하고 슬릿광의 왜곡에 의하여 돌출부(1a)의 정점을 지난 위치에서 최대값을 가진다.As shown in FIG. 7, the height of the protruding portion 1a has a maximum value at the position beyond the apex of the protruding portion 1a due to the distortion of the slit light even though the vertex is high.

이는, 돌출부(1a)에 슬릿광이 조사될 때 광의 왜곡에 기인하며, 이러한 광의 왜곡에 의하여 돌출부(1a)의 정점의 위치를 측정하는데 있어서 오차요인으로 작용하며 비전검사의 반복시 검사의 신뢰성을 저하시키는 문제점이 있다.This is due to the distortion of the light when the slit light is irradiated on the projection 1a and acts as an error factor in measuring the position of the apex of the projection 1a due to the distortion of the light. .

특히, 볼단자와 같은 돌출부(1a)의 이상적 형상은 구의 일부형상을 이루는데 표면의 일부가 손상이 있는 경우 광의 왜곡현상은 극대화되며 비전검사시 돌출부(1a)의 정점의 위치의 오차의 발생원인 및 반복 수행시 검사의 신뢰성을 크게 저하시킨다.Particularly, the ideal shape of the projection 1a such as a ball terminal forms a partial shape of a sphere. When a part of the surface is damaged, the distortion of the light is maximized and the cause of the error of the position of the apex of the projection 1a And significantly reduces the reliability of the test when repeated.

이에, 본 발명은, 슬릿광의 조사에 의하여 광삼각법에 의하여 소자(1)의 표면 상의 높이를 측정함과 아울러 슬릿광이 조사된 소자(1)에 대한 이미지를 이용하여 비전검사에 따른 측정오차를 최소화함과 아울러 비전검사의 반복 수행에도 불구하고 그 검사결과의 신뢰성을 향상시켰다.Accordingly, in the present invention, the height of the surface of the element (1) is measured by the optical triangulation method by irradiation of the slit light, and the measurement error due to the vision inspection is measured using the image of the element (1) And the reliability of the test results was improved despite repeated vision tests.

이에 상기 이미지획득단계는, 소자(1)의 표면에 대하여 상대이동시키면서 소자(1)의 표면에 대한 광의 입사각이 0°보다 크고 90°보다 작은 제1입사각을 가지는 슬릿광을 소자(1)의 표면에 조사하면서, 소자(1)의 표면 상의 높이를 광삼각법에 의하여 측정하는 동시에 슬릿광이 조사된 소자(1)의 표면에 대한 제1이미지를 획득한다.The image acquiring step is a step of acquiring the slit light having a first incident angle larger than 0 DEG and smaller than 90 DEG with respect to the surface of the element 1 while moving relative to the surface of the element 1, While the surface is irradiated, the height of the surface of the element 1 is measured by a photo-trigonometry method, and a first image of the surface of the element 1 irradiated with the slit light is obtained.

여기서 상기 소자(1)의 표면 상의 높이는, 소자(1)의 표면에 대한 제1이미지의 하나 이상의 픽셀에 대응되는 위치로 맵핑시켜 측정함이 바람직하다.Here, the height on the surface of the element 1 is preferably measured by mapping to a position corresponding to one or more pixels of the first image with respect to the surface of the element 1.

상기 슬릿광분석단계는, 이미지획득단계에서 획득된 제1이미지에서 픽셀단위로 픽셀 값이 미리 설정된 값 이상의 영역 내에서 이미지획득단계에서 측정된 높이가 최대인 위치를 돌출부(1a)의 정점의 위치로 지정하는 단계로서 다양한 방법에 의하여 수행될 수 있다.The slit light analysis step may include a step of analyzing a position where a height measured in the image acquiring step is the maximum in an area in which a pixel value in a first image obtained in the image acquiring step is equal to or larger than a predetermined value, , And can be performed by various methods.

구체적으로, 앞서 이미지획득단계에서 획득된 제1이미지에서 픽셀단위로 픽셀 값이 미리 설정된 값 이상의 유효영역을 설정한다.Specifically, the pixel value in the first image obtained in the image acquiring step is set to a valid area which is equal to or larger than a preset value.

그리고 상기 유효영역 내에서 이미지획득단계에서 측정된 높이가 최대인 위치를 돌출부(1a)의 정점의 위치로 지정한다.A position at which the height measured in the image acquiring step is maximum in the effective area is designated as the position of the apex of the protrusion 1a.

여기서 슬릿광이 돌출부(1a)의 정점을 지난 상태에서 광삼각법에 의한 측정높이(H)는 더 증가하나 슬릿광의 소자(1)의 표면 상에 조사된 슬릿광에 대응되는 픽셀값(조도)는 상대적으로 작은 값을 가지게 된다.Here, the measured height H by the photo-trigonometric method is further increased while the slit light passes the apex of the protruding portion 1a, but the pixel value (roughness) corresponding to the slit light irradiated on the surface of the slit light element 1 is It has a relatively small value.

이러한 점을 고려하여 상기 슬릿광분석단계는, 이미지획득단계에서 획득된 제1이미지에서 미리 설정된 값 이상의 픽셀값을 계산하여 소자(1)의 표면 상에 조사된 슬릿광의 폭을 계산하고 계산된 슬릿광의 폭이 최대인 위치를 돌출부(1a)의 정점의 위치로 지정한다.In consideration of this point, the slit light analysis step calculates a pixel value of a predetermined value or more in the first image obtained in the image obtaining step, calculates the width of the slit light irradiated on the surface of the element 1, The position where the width of the light is maximum is specified as the position of the apex of the protrusion 1a.

한편 상기 슬릿광분석단계는, 이미지획득단계에서 획득된 제1이미지와 소자(1)의 크기 및 제1이미지의 픽셀크기를 맵핑시킨다.On the other hand, the slit light analysis step maps the size of the element 1 and the pixel size of the first image obtained in the image obtaining step with the first image.

그리고, 상기 소자(1) 상의 실제위치와 제1이미지의 픽셀위치를 대응시키면, 계산된 슬릿광의 폭이 최대인 위치의 픽셀의 위치로부터 소자(1) 상의 실제위치를 계산할 수 있다.Then, by associating the actual position on the element 1 with the pixel position of the first image, the actual position on the element 1 can be calculated from the position of the pixel at the position where the width of the calculated slit light is maximum.

한편 본 발명에 따른 비전검사방법은, 앞서 설명한 3차원비전검사부(720)에 의하여 수행될 수 있으나, 도 1 내지 도 3c에 도시된 비전검사모듈에 수행되는 것에 국한되는 것은 아니며 슬릿광을 이용하여 3차원비전검사를 수행할 수 있는 비전검사모듈이면 어떠한 모듈도 가능하다.Meanwhile, the vision inspection method according to the present invention can be performed by the above-described three-dimensional vision inspection unit 720. However, the present invention is not limited to the vision inspection module shown in FIGS. 1 to 3C, Any module can be a vision inspection module that can perform 3D vision inspection.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 범위는 이와 같은 특정 실시예들에만 한정되는 것이 아니며, 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경될 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims.

1 : 소자 1a : 돌출부1: element 1a: protrusion

Claims (3)

표면에서 다수의 구형 형상의 돌출부(1a)들이 형성된 소자(1)에 대하여 상기 다수의 돌출부(1a)에 대한 비전검사를 수행하는 비전검사방법에 있어서,
상기 소자(1)의 표면에 대하여 상대이동시키면서 상기 소자(1)의 표면에 대한 광의 입사각이 0°보다 크고 90°보다 작은 제1입사각을 가지는 슬릿광을 상기 소자(1)의 표면에 조사하면서, 상기 소자(1)의 표면 상의 높이를 광삼각법에 의하여 측정하는 동시에 상기 슬릿광이 조사된 상기 소자(1)의 표면에 대한 제1이미지를 획득하는 이미지획득단계와;
상기 이미지획득단계에서 획득된 상기 제1이미지에서 픽셀단위로 픽셀 값이 미리 설정된 값 이상의 영역 내에서 상기 이미지획득단계에서 측정된 높이가 최대인 위치를 상기 돌출부(1a)의 정점의 위치로 지정하는 슬릿광분석단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비전검사방법.1. A vision inspection method for performing a vision inspection on a plurality of projections (1a) with respect to a device (1) having a plurality of spherical projections (1a) formed on a surface thereof,
While irradiating the surface of the element (1) with slit light having a first angle of incidence of light with respect to the surface of the element (1) larger than 0 and smaller than 90 degrees while moving relative to the surface of the element , An image acquiring step of measuring a height on the surface of the element (1) by a photolithography method and acquiring a first image of the surface of the element (1) irradiated with the slit light;
Designating a position at which the height measured in the image acquiring step is the maximum in a region in which the pixel value is equal to or larger than a predetermined value in units of pixels in the first image acquired in the image acquiring step, And a slit light analysis step. 청구항 1에 있어서,
상기 돌출부(1a)는, 볼단자인 것을 특징으로 하는 비전검사방법.The method according to claim 1,
Wherein the projecting portion (1a) is a ball terminal. 청구항 1에 있어서,
상기 슬릿광은, 단색광인 것을 특징으로 하는 비전검사방법.The method according to claim 1,
Wherein the slit light is monochromatic light.
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