KR100612328B1 - Molding Apparutus of Semiconductor Package - Google Patents

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KR100612328B1
KR100612328B1 KR20030062937A KR20030062937A KR100612328B1 KR 100612328 B1 KR100612328 B1 KR 100612328B1 KR 20030062937 A KR20030062937 A KR 20030062937A KR 20030062937 A KR20030062937 A KR 20030062937A KR 100612328 B1 KR100612328 B1 KR 100612328B1
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Abstract

본 발명은 열가소성 수지를 이용한 반도체 패키지 몰딩 장치 및 이를 사용한 반도체 패키지 몰딩 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor package molding apparatus using a thermoplastic resin and a semiconductor package molding method using the same.

본 발명에 의하면, 반도체 패키지 몰딩 장치에 있어서, 바닥면에 피몰딩체인 복수개의 반도체 칩이 고착된 공통기판을 안치시키는 하부 금형과, 상기 하부 금형과의 상호 결합에 의하여, 수지원으로부터 봉지 수지를 유입하기 위한 게이트를 선단에 형성하고 상기 게이트의 후방에 위치하여 상기 게이트로부터 봉지수지를 유입 받는 피몰딩 공간인 공통기판 안치부를 형성하는 상부 금형을 포함하여 구성하되, 상기 하부 금형과 상부 금형은 상호 결합에 의하여 봉지 수지가 유입될 수 있고 공통기판 안치부 내의 에어가 배기될 수 있도록 상기 공통기판 안치부와 하부 금형과 상부 금형의 후방 경계부 사이에 에어밴트 버퍼부를 형성하는 것을 특징으로 한다. 상기와 같은 구성에 의하면, 열가소성 수지를 사용하여 몰딩 공정을 단축할 수 있는 이점이 있다.According to the present invention, in a semiconductor package molding apparatus, an encapsulating resin is formed from a water support by mutual coupling between a lower mold for placing a common substrate on which a plurality of semiconductor chips as a molded object are adhered to a bottom surface and the lower mold. And a top mold formed at a tip of the gate to be introduced and positioned at a rear side of the gate to form a common substrate settled portion, which is a molded space for receiving an encapsulation resin from the gate, wherein the lower mold and the upper mold are mutually intersected. The air vent buffer may be formed between the common substrate settled portion and the rear boundary of the lower mold and the upper mold so that the encapsulation resin may be introduced by the coupling and the air in the common substrate settled portion may be exhausted. According to the above configuration, there is an advantage that the molding process can be shortened by using a thermoplastic resin.

반도체패키지, 몰딩장치, 열가소성수지Semiconductor Package, Molding Device, Thermoplastic

Description

반도체 패키지 몰딩 장치{Molding Apparutus of Semiconductor Package}Semiconductor package molding device {Molding Apparutus of Semiconductor Package}

도 1은 일반적으로 반도체 칩이 고착된 공통기판의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a common substrate to which a semiconductor chip is generally fixed.

도 2a는 종래 기술에 의한 다수개의 반도체 칩을 봉지하는 예시도이다.2A is an exemplary diagram of encapsulating a plurality of semiconductor chips according to the prior art.

도 2b는 도 2a의 종래 기술에 의해 다수개의 반도체 칩이 봉지된 상태도이다.FIG. 2B is a state diagram in which a plurality of semiconductor chips are encapsulated by the related art of FIG. 2A.

도 3a는 종래 기술의 다른 예에 의한 다수개의 반도체 칩을 봉지하는 예시도이다.3A illustrates an example of encapsulating a plurality of semiconductor chips according to another example of the related art.

도 3b는 도 3a의 종래 기술에 의해 다수개의 반도체 칩이 봉지된 상태도이다.3B is a state diagram in which a plurality of semiconductor chips are encapsulated by the prior art of FIG. 3A.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 패키지 몰딩 장치의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a semiconductor package molding apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 5는 도 4에 의한 상부 금형과 하부 금형이 형성하는 내부 공간의 평면도이다.5 is a plan view of an internal space formed by the upper mold and the lower mold according to FIG. 4.

도 6은 도 4의 몰딩 장치를 사용하여 반도체 패키지를 열가소성 수지 몰딩하는 동작 종단면도이다.6 is a longitudinal cross-sectional view illustrating an operation of molding a semiconductor package using a molding apparatus of FIG. 4.

도 7은 도 4의 몰딩 장치를 사용하여 반도체 패키지를 열가소성 수지 몰딩하는 동작 횡단면도이다.FIG. 7 is an operation cross-sectional view of thermoplastic resin molding a semiconductor package using the molding apparatus of FIG. 4.

도 8은 도 4의 구성에 의하여 열가소성 수지가 충진된 상태도이다.8 is a state diagram filled with a thermoplastic resin by the configuration of FIG.

도 9는 도 4에 있어서 상부 금형과 하부 금형이 분리된 후의 공통기판에 몰딩된 열가소성 수지 봉지체의 사시도이다.FIG. 9 is a perspective view of a thermoplastic resin encapsulation molded in a common substrate after the upper mold and the lower mold are separated in FIG. 4.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *       Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 ; 하부 금형 10a ; 하부 금형 바닥면10; Lower mold 10a; Bottom mold bottom

20 ; 상부 금형 B1 ; 에어밴트 버퍼부20; Upper mold B1; Air Vent Buffer

G ; 게이트 C ; 공통기판 안치부G; Gate C; Common board

B2 ; 유동성 조절용 버퍼부 B2T ; 유동성 조절용 버퍼부 윗면B2; Fluidity control buffer part B2 T ; Top of buffer part for fluidity adjustment

30 ; 공통 기판 35 ; 반도체 칩30; Common substrate 35; Semiconductor chip

40 ; 열가소성 수지 400 ; 열경화성 수지40; Thermoplastic resin 400; Thermosetting resin

50 ; 실린더 52 ; 피스톤50; Cylinder 52; piston

100 ; 디스펜서 200 ; 스퀴저100; Dispenser 200; Squeezer

RT ; 하부금형과 상부금형의 후방 경계부RT; Rear boundary of lower mold and upper mold

40′; 열가소성 수지 봉지체40 '; Thermoplastic Encapsulation

40″; 열가소성 수지 봉지층40 ″; Thermoplastic Encapsulation Layer

본 발명은 반도체 패키지 몰딩 장치 및 이를 사용한 몰딩 방법에 관한 것으 로 상세하게는, 봉지재로 수지 특히, 열가소성 수지를 이용하고 금형의 공통기판 안치부 후방에 보이드를 제거할 수 있는 버퍼부를 형성함으로써 몰딩 시간이 단축되고 내열성이 우수한 반도체 패키지 몰딩 장치 및 이를 사용한 몰딩 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor package molding apparatus and a molding method using the same. More specifically, the present invention relates to a molding method by using a resin, in particular, a thermoplastic resin, as an encapsulant, and forming a buffer portion capable of removing voids behind a common substrate mounting portion of a mold. The present invention relates to a semiconductor package molding apparatus having a short time and excellent heat resistance, and a molding method using the same.

최근 반도체 패키지의 제조 공정은, 웨이퍼에서 다이싱되어 분리된 복수개의 반도체 칩을 공통기판에 고착한 후, 복수개의 반도체 칩을 공통의 봉지재로 봉지하고, 상기 봉지재와 공통 기판을 공통기판에 미리 인쇄하여 놓은 패턴을 따라 잘라내어 수행되며, 그 결과 개개의 반도체 패키지가 완성된다.Recently, in the manufacturing process of a semiconductor package, a plurality of semiconductor chips, which are diced and separated from a wafer, are fixed to a common substrate, and then the plurality of semiconductor chips are encapsulated with a common encapsulant, and the encapsulant and the common substrate are encapsulated on a common substrate. It is cut out along a preprinted pattern, and as a result, individual semiconductor packages are completed.

도 1에는 일반적인 복수개의 반도체 칩(35)이 고착(bonding)된 공통기판(30)의 단면도가 도시되어 있다.FIG. 1 is a cross-sectional view of a common substrate 30 in which a plurality of general semiconductor chips 35 are bonded.

도 1에 도시된 반도체 칩(35)과 공통 기판(30)은 전기적으로 접속되어 있고 공통기판(30)의 저면에는 외부 전극 패턴이 있어서 하나의 반도체 칩 소자로서 PCB(Printed Circuit Board)에 실장되었을 때 다른 소자와 접속하게 된다.The semiconductor chip 35 and the common substrate 30 shown in FIG. 1 are electrically connected to each other, and the bottom surface of the common substrate 30 has an external electrode pattern so that the semiconductor chip 35 is mounted on a printed circuit board (PCB) as a semiconductor chip element. When connected with other devices.

그리고, 복수개의 반도체 칩(35) 예컨대 수백 개가 공통 기판(30)에 고착되어 전기적 접속이 완료되면, 상기 고착된 반도체 칩(35)을 봉지재로 봉지하는 공정이 수행된다.When the plurality of semiconductor chips 35, for example, several hundreds are fixed to the common substrate 30 and electrical connection is completed, a process of encapsulating the fixed semiconductor chips 35 with an encapsulant is performed.

이하에서는 도 2a 내지 도 3b를 기초로 종래 기술에 의하여 복수개의 반도체 칩을 봉지하는 방법에 대하여 기술한다.Hereinafter, a method of encapsulating a plurality of semiconductor chips according to the prior art will be described with reference to FIGS. 2A to 3B.

도 2a에는 종래 기술에 의해 반도체 칩을 봉지하는 공정을 나타낸 예시도가 도시되어 있다.2A is an exemplary diagram illustrating a process of encapsulating a semiconductor chip according to the prior art.

도 2a에 도시된 봉지 공정은 디스펜싱 공정(Dispensing Process)으로 디스펜서(100)에서 소정량의 봉지재(400)를 떨어뜨려서 모든 반도체 칩을 공통의 봉지층으로 봉지한다.In the encapsulation process illustrated in FIG. 2A, a predetermined amount of encapsulant 400 is dropped from the dispenser 100 in a dispensing process to encapsulate all semiconductor chips with a common encapsulation layer.

그리고, 도 2b에는 도 2a에 의한 디스펜싱 공정에 의하여 복수개의 반도체 칩을 공통 봉지층(400′)으로 봉지한 상태도가 도시되어 있다. 도 2b에 도시된 바와 같이, 복수개의 반도체 칩(35)이 공통의 봉지층(400′)에 의하여 공통 봉지되어 있다.2B illustrates a state diagram in which a plurality of semiconductor chips are encapsulated with a common encapsulation layer 400 ′ by the dispensing process of FIG. 2A. As shown in FIG. 2B, a plurality of semiconductor chips 35 are commonly encapsulated by a common encapsulation layer 400 ′.

도 3a에는 다른 종래 기술에 의해 반도체 칩을 봉지하는 공정을 나타낸 예시도가 도시되어 있다. 도 3a에 도시된 봉지 공정은 스크린 프린트 공정(Screen Printing Process)으로 스퀴저(squeezer)(200)에 의해서 봉지재(400)를 스퀴징해서 복수개의 반도체 칩(35)을 봉지한다.3A is an exemplary diagram illustrating a process of encapsulating a semiconductor chip by another conventional technique. The encapsulation process illustrated in FIG. 3A encapsulates a plurality of semiconductor chips 35 by squeezing the encapsulant 400 by a squeezer 200 in a screen printing process.

그리고, 도 3b에는 도 3a에 의한 스크린 프린트 공정에 의하여 복수개의 반도체 칩을 공통의 봉지층(400′)으로 봉지한 상태도가 도시되어 있다.3B illustrates a state diagram in which a plurality of semiconductor chips are encapsulated with a common encapsulation layer 400 ′ by the screen printing process of FIG. 3A.

그러나, 상기와 같은 종래 기술에 의한 공통기판에 복수개의 반도체 칩을 봉지하는 공정은 다음과 같은 문제점이 있다.However, the process of encapsulating a plurality of semiconductor chips in a common substrate according to the prior art as described above has the following problems.

먼저, 종래 기술에 의한 디스펜싱 공정은 다음과 같은 문제점이 있다.First, the dispensing process according to the prior art has the following problems.

첫째, 디스펜싱 공정에 의하는 경우 봉지재(400)의 토출을 위해서 적정한 유동성 유지가 필요한데, 이 경우 봉지재의 점성이 낮아져서 도 2b의 A에 도시된 바와 같이, 봉지층(400′)의 가장자리가 무너지는 문제점이 발생한다.First, in the dispensing process, it is necessary to maintain proper fluidity in order to discharge the encapsulant 400. In this case, the viscosity of the encapsulant is lowered, so that the edge of the encapsulation layer 400 ′ is shown in FIG. 2B. Crumbling problem occurs.

둘째, 디스펜싱 공정에 의하는 경우 봉지재(400)의 물성에 따라 공정 조건이 매번 변경되어야 하는데, 이 경우 봉지층(400′)의 높이 제어 등 공정 관리가 매우 어렵게 되며, 그 결과 제품의 생산성이나 양산성이 저하되는 문제점이 있다.Second, in the dispensing process, the process conditions must be changed every time according to the physical properties of the encapsulant 400. In this case, process control such as height control of the encapsulation layer 400 'becomes very difficult, and as a result, the productivity of the product However, there is a problem that the mass productivity is lowered.

그리고, 종래 기술에 의한 스크린 프린팅 공정은, 프린팅된 봉지층(400′)의 전체 면적에 대한 두께를 균일하게 관리하기가 매우 어렵다는 문제점이 있다.In addition, the screen printing process according to the related art has a problem that it is very difficult to uniformly manage the thickness of the entire area of the printed encapsulation layer 400 ′.

즉, 스크린 프린팅 공정의 경우 봉지재의 점성이 높아서 프린팅시에 스퀴저(200)에 의해 끌려가는 현상이 발생하여 도 3b의 B에 도시된 바와 같이 중앙부가 함몰되는 현상이 발생한다. 상기와 같은 중앙부 함몰 현상은 추가 공정을 요하게 되고 재료 이용율을 낮추게 되는 문제점으로 지적되고 있다.That is, in the case of the screen printing process, a phenomenon in which the encapsulant is attracted by the squeegee 200 during printing may occur, and the center portion may be recessed as shown in B of FIG. 3B. The central depression as described above has been pointed out as a problem that requires an additional process and lowers the material utilization rate.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 창작된 것으로 본 발명에 의한 반도체 패키지 몰딩 장치 및 이를 사용한 반도체 패키지 몰딩 방법은, 박형 대면적의 반도체 패키지를 수지 특히, 열가소성 수지와 금형을 이용하여 몰딩하기 위한 몰딩 장치 및 몰딩 방법을 제공하는 데 있다.The present invention was created to solve the problems of the prior art as described above. The semiconductor package molding apparatus according to the present invention and the semiconductor package molding method using the same include a thin large-area semiconductor package using a resin, in particular, a thermoplastic resin and a mold. The present invention provides a molding apparatus and a molding method for molding.

본 발명의 다른 목적은 수지 특히, 열가소성 수지를 이용하여 반도체 패키지를 몰딩하는 경우, 내부 보이드(void)가 발생하지 않도록 하기 위한 반도체 패키지 몰딩 장치 및 이를 사용한 몰딩 방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor package molding apparatus and a molding method using the same to prevent internal voids from occurring when molding a semiconductor package using a resin, in particular, a thermoplastic resin.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명인 반도체 패키지 몰딩 장치는, 피몰딩체인 복수개의 반도체 칩이 고착된 공통기판을 안치시키는 바닥면을 구비하는 하부 금형과, 상기 하부 금형과의 상호 결합에 의하여 피몰딩 공간인 공통기판 안치부를 형성하는 상부 금형을 포함하여 구성하되, 금형의 선단측에는 상기 공통기판 안치부와 연통하여 수지원으로부터 열가소성 수지를 유입하기 위한 게이트가 형성되고, 상기 게이트에서 유입되는 열가소성 수지가 균일한 압력으로 상기 공통기판 안치부로 유입되도록 상기 공통기판 안치부의 전단 근처의 금형 전면에 걸쳐 형성되는 열가소성 수지의 유동성 조절용 버퍼부가 형성되며, 상기 열가소성 수지가 유입되는 상기 공통기판 안치부 내의 에어가 배기될 수 있도록 상기 공통기판 안치부의 후단 근처의 금형 전면에 걸쳐 상기 유동성 조절용 버퍼부와 평행하게 형성되는 에어밴트용 버퍼부가 제공되는 것을 특징으로 한다.The semiconductor package molding apparatus of the present invention for achieving the above object is a lower mold having a bottom surface for placing a common substrate on which a plurality of semiconductor chips as a molded body is fixed, and by the mutual coupling with the lower mold And an upper mold for forming a common substrate settling portion, which is a molding space, wherein a gate for introducing a thermoplastic resin from a water support is formed at a front end side of the mold to communicate with the common substrate settled portion, and the thermoplastic resin introduced from the gate. Is formed over the entire surface of the mold near the front end of the common substrate settled portion so that the common substrate settled portion is introduced into the common substrate settled portion, and a buffer portion for controlling the fluidity of the thermoplastic resin is formed. The rear end of the common substrate Over the front of the mold is characterized in that the additional flow regulating buffer air vent that is formed in parallel to the buffer portion and provided.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명인 반도체 패키지 몰딩 방법은, 복수개의 반도체 칩이 고착된 공통기판을 하부 금형에 고정하여 안치시키는 과정과, 상기 하부 금형에 상부 금형을 결합하여 게이트와 공통기판 안치부와 상기 공기판 안치부의 후방에 에어밴트 버퍼부를 형성하는 과정과, 상기 공통기판 안치부로 열가소성 수지를 주입하여 상기 복수개의 반도체 칩을 공통의 열가소성 수지 봉지층으로 봉지하는 과정과, 상기 에어밴트 버퍼부로 주입되어 경화된 열가소성 수지를 제거하고 상기 열가소성 수지 봉지층과 공통기판을 개개의 반도체 칩 단위로 자르는 과정을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The semiconductor package molding method of the present invention for achieving the above object, the process of fixing the common substrate to which the plurality of semiconductor chips are fixed to the lower mold and placed in the lower mold, by coupling the upper mold to the lower mold and the inside of the gate and common substrate Forming an air vent buffer portion behind the tooth portion and the air plate settled portion, injecting a thermoplastic resin into the common substrate settled portion, and sealing the plurality of semiconductor chips with a common thermoplastic resin encapsulation layer; It is characterized in that it comprises a step of removing the thermoplastic resin is injected and cured into the negative portion and the thermoplastic resin encapsulation layer and the common substrate to be cut into individual semiconductor chip units.

다음은 본 발명인 반도체 패키지 몰딩 장치 및 이를 사용한 반도체 패키지 몰딩 방법의 바람직한 일 실시예를 첨부한 도면을 기초로 상세하게 설명한다.Next will be described in detail with reference to the accompanying drawings, a preferred embodiment of the present invention semiconductor package molding device and a semiconductor package molding method using the same.

도 4에는 본 발명의 일 실시예에 의한 몰딩장치가 도시되어 있다. 도 4에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 의한 몰딩장치는 하부 금형(10)과 상부 금형(20)으로 구성된다.4 shows a molding apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, the molding apparatus according to an embodiment of the present invention includes a lower mold 10 and an upper mold 20.

상기 하부 금형(10)은 바닥면(10a)에 피몰딩체인 복수개의 반도체 칩이 고착된 공통기판(10)을 고정 안치시킨다.The lower mold 10 fixes and seats the common substrate 10 to which the plurality of semiconductor chips, which are to be molded, are fixed, is fixed to the bottom surface 10a.

그리고, 상기 상부 금형(20)은 상기 하부 금형(10)과의 상호 결합에 의하여 반도체 패키지의 피몰딩 공간인 공통기판 안치부(C)와 상기 공통기판 안치부(C) 내부로 봉지 수지를 유입하기 위한 통로인 게이트(G)를 형성한다.In addition, the upper mold 20 flows encapsulating resin into the common substrate settling portion C and the common substrate settled portion C, which are spaces to be molded of the semiconductor package, by mutual coupling with the lower mold 10. The gate G which is a passage for forming is formed.

그리고, 상기 상부 금형(20)과 하부 금형(10)은 상호 결합에 의하여 에어밴트 버퍼부(B1)와 유동성 조절용 버퍼부(B2)를 형성한다.In addition, the upper mold 20 and the lower mold 10 form an air vent buffer part B1 and a fluidity control buffer part B2 by mutual coupling.

상기 에어밴트 버퍼부(B1)는 상기 공통기판 안치부(C)의 후방 즉, 공통기판 안치부(C)와 하부 금형과 상부 금형의 후방 경계부(RT)(이하에서는 단순히‘후방 경계부(RT)’라고 함) 사이에 형성되어서 열가소성 수지로 공통기판 안치부(C) 충진시 공통기판 안치부(C) 내의 에어를 배출시키기 위한 공간이며 동시에 공통기판 안치부(C) 내부에 보이드(void) 및 미충진 공간이 생기지 않도록 봉지재인 열가소성 수지가 유입될 수 있는 공간이다.The air vent buffer portion B1 is located behind the common substrate settlement C, that is, the rear boundary portion RT of the common substrate settlement C and the lower mold and the upper mold (hereinafter, simply referred to as the rear boundary portion RT). It is formed between the ') and the thermoplastic resin to fill the common substrate set-up portion (C) when filling the air in the common substrate set-up portion (C) and at the same time voids (void) and inside the common substrate set-up (C) It is a space in which the thermoplastic resin, which is an encapsulant, may be introduced so that an unfilled space does not occur.

그리고, 상기 유동성 조절용 버퍼부(B2)는 상기 게이트(G)와 공통기판 안치부(C) 사이에 형성되어서 상기 게이트(G)에서 유입되는 봉지 수지를 균일한 압력으로 상기 공통기판 안치부(C) 내부로 토출하기 위한 공간부이다.In addition, the fluidity control buffer part B2 is formed between the gate G and the common substrate setter C, so that the encapsulating resin flowing from the gate G is uniformly pressured. The space part for discharging to inside.

그리고, 상기 유동성 조절용 버퍼부(B2)의 윗면(B2T)은 만곡 형상으로 구현되어 있고, 상기 게이트(G)는 바닥면(GB)이 상향 경사지도록 테이핑 처리가 되어 있다.In addition, the upper surface B2 T of the fluidity control buffer part B2 is implemented in a curved shape, and the gate G is tapered so that the bottom surface G B is inclined upward.

도 5에는 상기 하부 금형(10)과 상부 금형(20)에 의해 형성되는 내부 공간의 평면도가 도시되어 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 게이트(G)의 폭은 입구에서 출구로 갈수로 넓어지는 형상 즉, 선협후광 형상으로 구현되어 있다.5 is a plan view of an inner space formed by the lower mold 10 and the upper mold 20. As shown in Figure 5, the width of the gate (G) is implemented in a shape that is wider from the entrance to the exit, that is, a line narrowed halo shape.

다음은 상기와 같은 형상과 구조를 갖는 하부 금형(10)과 상부 금형(20)에 의하여 열가소성 수지에 의해 반도체 패키지를 몰딩하는 과정에 대하여 설명한다.Next, a process of molding the semiconductor package by the thermoplastic resin by the lower mold 10 and the upper mold 20 having the shape and structure as described above will be described.

도 6에는 도 4의 몰딩 장치를 사용하여 반도체 패키지를 열가소성 수지 몰딩하는 동작 종단면도가 도시되어 있다.FIG. 6 is a longitudinal cross-sectional view of an operation of molding a semiconductor package using a molding apparatus of FIG. 4.

상기 게이트(G)의 입구에는 실린더(50)가 연결되어서 피스톤(52)의 압력에 의해서 열가소성 수지(40)를 토출시킨다.The cylinder 50 is connected to the inlet of the gate G to discharge the thermoplastic resin 40 by the pressure of the piston 52.

본원 발명의 일 실시예에서 봉지재로 사용되는 열가소성 수지는 예컨대, LCP(Liquid Crystal Polymers) 또는 PPS(Poly Phenylene Sulfide)이다.In one embodiment of the present invention, the thermoplastic resin used as the encapsulant is, for example, Liquid Crystal Polymers (LCP) or Poly Phenylene Sulfide (PPS).

본원 발명의 일 실시예로 사용되는 열가소성 수지는 고내열성(녹는점 260℃ 이상)이 우수하다.Thermoplastic resin used in one embodiment of the present invention is excellent in high heat resistance (melting point 260 ℃ or more).

그리고, 도 6에는 상기 피스톤(52)의 압력에 의해서 열가소성 수지(40)가 게이트(G)를 통해 토출되어서 상기 공통기판 안치부(C) 내부로 유입되는 수지의 단면 플로(flow)가 도시되어 있다.6 illustrates a cross-sectional flow of resin in which the thermoplastic resin 40 is discharged through the gate G by the pressure of the piston 52 and flows into the common substrate setter C. have.

그리고, 도 7은 도 4의 몰딩 장치를 사용하여 반도체 패키지를 열가소성 수지 몰딩하는 동작 횡단면도인데, 도 7에는 열가소성 수지(40)가 게이트(G)를 통해 토출되어서 상기 공통기판 안치부(C) 내부로 유입되는 수지의 평면 플로(flow)가 도시되어 있다.7 is an operation cross-sectional view of thermoplastic resin molding of a semiconductor package using the molding apparatus of FIG. 4. In FIG. 7, the thermoplastic resin 40 is discharged through the gate G to form the inside of the common substrate mounting portion C. FIG. The planar flow of resin entering the furnace is shown.

도 6과 도 7에 도시된 바와 같이 상기 피스톤(52)의 압력에 의해 게이트(G)로 유입된 열가소성 수지(40)는 게이트(G) 특유의 형상에 의하여 유동성 조절용 버퍼부(B2)와 공통기판 안치부(C)로 높은 토출압과 균일한 수지 플로를 형성시키면서 토출된다.As shown in FIG. 6 and FIG. 7, the thermoplastic resin 40 introduced into the gate G by the pressure of the piston 52 is common to the fluidity control buffer part B2 by the shape of the gate G. FIG. It discharges, forming a high discharge pressure and uniform resin flow to the board | substrate set-up part C. FIG.

즉, 선협후광의 게이트(G) 형상에 의해서 회전(curl)되는 플로가 형성되지 않고 동시에 전면에서 균일하게 플로가 형성된다. 그리고, 상기 게이트(G)의 윗면(B2T)이 만곡되게 형성되어 있기 때문에 수지 플로가 회전(curl)되는 현상은 발생되지 않는다.In other words, the flow that is curled by the shape of the gate G of the line narrowing backlight is not formed, and at the same time, the flow is uniformly formed on the entire surface. Since the upper surface B2 T of the gate G is formed to be curved, a phenomenon in which the resin flow is curled does not occur.

또한 바닥면(GB)이 상향 경사지게 형성되어 있어서 게이트(G)의 출구가 입구에 비하여 매우 좁게 되어 있기 때문에 열가소성 수지의 토출 압력이 매우 높아지게 되고 그 결과 유동성 조절용 버퍼부(B2)로 유입되는 열가소성 수지의 속도는 매우 빠르다.In addition, since the bottom surface G B is formed to be inclined upwardly, the exit of the gate G is very narrow compared to the inlet, so that the discharge pressure of the thermoplastic resin becomes very high, and as a result, the thermoplastic flows into the flow control buffer part B2. The speed of the resin is very fast.

상기 게이트(G)를 통과한 열가소성 수지는 공통기판(30)이 놓여져 있는 몰딩 영역으로 유입되기 전 유동성 조절용 버퍼부(B2)로 유입되는데, 이 때 유동성 조절용 버퍼부(B2)는 열가소성 수지의 주입 압력을 조절하여 전면적에서 균일한 압력으로 공통기판 안치부(C)로 열가소성 수지(40)가 유입되도록 한다.The thermoplastic resin that has passed through the gate G flows into the fluid control buffer portion B2 before flowing into the molding region in which the common substrate 30 is placed. In this case, the fluid control buffer portion B2 is injected with the thermoplastic resin. The pressure is adjusted to allow the thermoplastic resin 40 to flow into the common substrate set-up portion C at a uniform pressure across the entire surface.

상기 게이트(G)를 통과한 열가소성 수지(40)는 유동성 조절용 버퍼부(B2)를 모두 채운 후 균일한 주입 압력으로 공통 기판(30)이 고정 안치되어 있는 몰딩 영역인 공통기판 안치부(C)로 유입된다.The thermoplastic resin 40 that has passed through the gate G fills all of the fluidity control buffer part B2 and then has a common substrate mounting part C, which is a molding region in which the common substrate 30 is fixed and held at a uniform injection pressure. Flows into.

상기 공통기판 안치부(C)로 주입되는 열가소성 수지의 수지 플로에 의하여 상기 공통기판(30)이 유동되는 문제가 발생할 수 있는데, 본원 발명의 일 실시예에서는 내열성 양면 접착테이프(미도시)를 사용하여 공통 기판(30)을 하부 금형(20) 에 고정시킨다.The common substrate 30 may flow due to the resin flow of the thermoplastic resin injected into the common substrate setter C. In an embodiment of the present invention, a heat resistant double-sided adhesive tape (not shown) is used. The common substrate 30 is fixed to the lower mold 20.

그리고, 상기 공통기판(30)을 하부 금형(20)에 고정시키는 다른 실시예로는 고정핀(미도시)에 의하여 공통기판(30)과 하부 금형(20)을 체결할 수 있다.In another embodiment of fixing the common substrate 30 to the lower mold 20, the common substrate 30 and the lower mold 20 may be fastened by fixing pins (not shown).

상기 공통기판 안치부(C)로 유입된 열가소성 수지는 도 6과 도 7에 도시된 바와 같은 수지 플로를 형성하면서 복수개의 반도체 칩(35)을 봉지한다.The thermoplastic resin introduced into the common substrate mounting portion C encapsulates the plurality of semiconductor chips 35 while forming a resin flow as shown in FIGS. 6 and 7.

상기 열가소성 수지가 공통기판(30)을 봉지하는 과정에서 공통기판 안치부 (C) 내부에 있던 에어는 에어밴트 버퍼부(B1)로 배기된다. 본 발명의 일 실시예에서는 공통기판(30)의 두께가 0.2 ~ 0.3mm 의 박형이고 반도체 칩(35)의 두께가 0.35mm 그리고 공통기판 안치부(C)의 높이가 0.6 ~ 1.2mm이므로, 공통기판 안치부(C) 내부의 미량의 모든 에어는 에어밴트 버퍼부(B1)로 배출될 수 있게 된다. 상기와 같은 결과 열가소성 수지에 의한 봉지 과정에서 발생할 수 있는 보이드를 제거할 수 있게 된다.In the process of encapsulating the common substrate 30, the air inside the common substrate mounting portion C is exhausted to the air vent buffer portion B1. In an embodiment of the present invention, since the thickness of the common substrate 30 is 0.2 to 0.3 mm, the thickness of the semiconductor chip 35 is 0.35 mm, and the height of the common substrate settlement portion C is 0.6 to 1.2 mm, All of the trace amount of air inside the substrate set-up portion C can be discharged to the air vent buffer portion B1. As a result, it is possible to remove the voids that may occur during the sealing process by the thermoplastic resin.

상기 공통기판 안치부(C)의 복수개의 반도체 칩(35)을 봉지한 열가소성 수지(40)는 공통기판 안치부(C)를 충진시키면서 에어밴트 버퍼부(B1)로 유입된다.The thermoplastic resin 40 encapsulating the plurality of semiconductor chips 35 of the common substrate setter C is introduced into the air vent buffer unit B1 while filling the common substrate setter C.

도 8에는 상기와 같은 과정에 의해서 열가소성 수지가 충진된 상태도가 도시되어 있다. 도 8에 도시된 바와 같이, 공통기판 안치부(C)와 후방 경계부(RT)에 에어밴트 버퍼부(B1)를 형성함으서 공통기판 안치부(C)의 후방 상부 영역(C1)에 생길 수 있는 수지 미충진 현상은 발생하지 않게 된다.8 is a state diagram filled with the thermoplastic resin by the above process. As shown in FIG. 8, the air vent buffer portion B1 may be formed at the common substrate settlement C and the rear boundary RT, and thus may be formed in the rear upper region C1 of the common substrate settlement C. As shown in FIG. Unfilled resin does not occur.

즉, 열가소성 수지가 충진되는 영역이 공통기판 안치부(C)로 종단되는 것이 아니라 에어밴트 버퍼부(B1)로까지 확장되기 때문에 공통기판 안치부(C)의 후방 상부 영역(C1)에 수지 미충진 현상은 발생하지 않게 되는 것이다.That is, since the region filled with the thermoplastic resin is not terminated by the common substrate settlement portion C but extends to the air vent buffer portion B1, the resin is not filled in the rear upper region C1 of the common substrate settlement portion C. The phenomenon does not occur.

그리고, 도 11에 도시된 바와 같이, 실제 공통기판 안치부(C) 내에 갇힐 수 있는 보이드(V)는 에어밴트 버퍼부(B1)로 보내어져서 공통기판 안치부(C) 영역에는 보이드(V)는 없다.As shown in FIG. 11, the voids V, which can be trapped in the actual common substrate settlement portion C, are sent to the air vent buffer portion B1, and the voids V are formed in the common substrate settlement portion C region. There is no.

도 9에는 열가소성 수지로 반도체 칩을 봉지한 후 상부 금형과 하부 금형을 분리한 경우의 몰딩된 열가소성 수지 봉지체(40′)[이하에서는 간단히 ‘봉지체(40′)’라고도 함]의 사시도가 도시되어 있다.FIG. 9 is a perspective view of a molded thermoplastic resin encapsulation body 40 '(hereinafter referred to simply as an encapsulation body 40') in the case where the upper mold and the lower mold are separated after encapsulating the semiconductor chip with a thermoplastic resin. Is shown.

상기와 같은 봉지 과정이 완료된 후에는 봉지체(40′) 중에서 상기 게이트 (G)와 에어밴트 버퍼부(B1)와 유동성 조절용 버퍼부(B2)에 의해서 각각 몰딩되어 경화된 열가소성 수지 부분을 제거하는 과정이 수행된다. After the encapsulation process is completed, a portion of the encapsulation body 40 'that is molded by the gate G, the air vent buffer part B1, and the fluidity control buffer part B2 is cured to remove the cured thermoplastic resin part. The process is carried out.

도 9에 도시된 바와 같이 상기 게이트(G)의 바닥면(GB)이 상향 경사지게 형성되어 있으므로 도 9의 열가소성 수지 봉지체(40′)에서 게이트(G)에 의해서 몰딩된 부분을 제거하기가 용이하게 된다.As shown in FIG. 9, since the bottom surface G B of the gate G is formed to be inclined upward, it is difficult to remove the part molded by the gate G from the thermoplastic resin encapsulation 40 ′ of FIG. 9. It becomes easy.

그리고, 에어밴트 버퍼부(B1)와 유동성 조절용 버퍼부(B2)에 의해서 형성된 몰딩부분은 반도체 패키지와는 관계가 없기 때문에 몰딩된 형상이 어떻한 형상이던 반도체 패키지와는 무관하다.The molding portion formed by the air vent buffer portion B1 and the fluidity control buffer portion B2 is independent of the semiconductor package because the molded portion is not related to the semiconductor package.

상기와 같이 봉지체(40′) 중에서 게이트(G)와 에어밴트 버퍼부(B1)와 유동성 조절용 버퍼부(B2) 부분 각각을 제거한 후, 열가소성 수지 봉지층(40″)과 공통 기판(30)을 공통 기판(30)에 미리 인쇄된 패턴대로 자르면 개개의 반도체 패키지가 완성된다.After removing each of the gate G, the air vent buffer part B1, and the fluidity control buffer part B2 from the encapsulation body 40 'as described above, the thermoplastic resin encapsulation layer 40 ″ and the common substrate 30 are removed. The semiconductor package is completed by cutting the N in a pattern printed in advance on the common substrate 30.

상기의 본 발명의 실시예는 본 발명의 기술적 사상의 일실시예에 불과하며, 동업계의 통상의 기술자에 있어서는, 본 발명의 기술적인 사상 내에서 다른 변형된 실시가 가능함은 물론이다.The above embodiments of the present invention are merely one embodiment of the technical idea of the present invention, and of course, other modifications are possible within the technical idea of the present invention.

상기와 같은 구성과 과정을 가지는 본 발명인 반도체 패키지 몰딩 장치 및 이를 사용한 반도체 패키지 몰딩 방법은 다음과 같은 효과가 있다.The semiconductor package molding apparatus and the semiconductor package molding method using the same according to the present invention having the above configuration and process have the following effects.

첫째, 종래의 열경화성 수지를 사용하는 경우에는 금형의 온도를 상승시키면서 몰딩해야 하기 때문에 몰딩시간이 길었지만, 본 발명에 의한 열가소성 수지를 봉지재로 이용하는 경우 열가소성 수지 자체가 냉각되면서 반도체 패키지를 몰딩하기 때문에 몰딩 공정 시간이 단축되는 효과가 있다.First, in the case of using a conventional thermosetting resin, the molding time is long because the molding temperature is increased while the mold temperature is increased. Molding process time is shortened.

둘째, 봉지재로 고내열성의 열가소성 수지를 사용하기 때문에 반도체 패키지의 내열 특성이 좋아지게 되고, 그 결과 납(Pb) 프리(free) 구현 PCB 실장 환경에서도 본 발명에 의한 고내열성의 반도체 패키지를 사용할 수 있는 효과가 있다. Second, since the heat resistant thermoplastic resin is used as the encapsulating material, the heat resistance characteristics of the semiconductor package are improved, and as a result, the high heat resistant semiconductor package according to the present invention can be used even in a Pb-free real PCB mounting environment. It can be effective.

셋째, 상기와 같이 몰딩 공정시간이 빨라지기 때문에 제품의 생산성이 높아지는 효과가 있다.Third, since the molding process time is faster as described above, there is an effect of increasing the productivity of the product.

네째, 봉지재로 열가소성 수지를 사용하기 때문에 봉지재를 재활용할 수 있는 효과가 있다.Fourth, since the thermoplastic resin is used as the encapsulant, there is an effect that the encapsulant can be recycled.

다섯째, 봉지재로 사용하는 열가소성 수지를 PPS로 사용하는 경우 제품 코스트가 현저히 절감되는 효과가 있다.Fifth, when the thermoplastic resin used as the encapsulant as the PPS, the product cost is significantly reduced.

Claims (6)

반도체 패키지 몰딩 장치에 있어서:In a semiconductor package molding device: 피몰딩체인 복수개의 반도체 칩이 고착된 공통기판을 안치시키는 바닥면을 구비하는 하부 금형과;A lower mold having a bottom surface on which a common substrate on which a plurality of semiconductor chips, which are to be molded, are fixed, is placed; 상기 하부 금형과의 상호 결합에 의하여 피몰딩 공간인 공통기판 안치부를 형성하는 상부 금형을 포함하여 구성하되,Comprising an upper mold to form a common substrate set-up portion to be molded space by mutual coupling with the lower mold, 금형의 선단측에는 상기 공통기판 안치부와 연통하여 수지원으로부터 열가소성 수지를 유입하기 위한 게이트가 형성되고,A gate for introducing a thermoplastic resin from a water support is formed at the tip side of the mold in communication with the common substrate settled portion. 상기 게이트에서 유입되는 열가소성 수지가 균일한 압력으로 상기 공통기판 안치부로 유입되도록 상기 공통기판 안치부의 전단 근처의 금형 전면에 걸쳐 형성되는 열가소성 수지의 유동성 조절용 버퍼부가 형성되며,A buffer portion for adjusting fluidity of the thermoplastic resin is formed over the entire surface of the mold near the front end of the common substrate settled portion so that the thermoplastic resin flowing from the gate flows into the common substrate settled portion at a uniform pressure. 상기 열가소성 수지가 유입되는 상기 공통기판 안치부 내의 에어가 배기될 수 있도록 상기 공통기판 안치부의 후단 근처의 금형 전면에 걸쳐 상기 유동성 조절용 버퍼부와 평행하게 형성되는 에어밴트용 버퍼부가 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 몰딩 장치.And an air vent buffer portion formed parallel to the fluidity control buffer portion over the entire surface of the mold near the rear end of the common substrate settle portion so that air in the common substrate settled portion into which the thermoplastic resin flows is exhausted. Semiconductor package molding apparatus. 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 유동성 조절용 버퍼부는,According to claim 1, wherein the fluidity control buffer unit, 단면상에서 볼 때 윗면이 만곡 형상으로 구현됨으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 몰딩 장치.The semiconductor package molding apparatus, characterized in that the upper surface is formed by the curved shape when viewed in section. 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 게이트는,The method of claim 1, wherein the gate, 상기 열가소성 수지의 토출 압력이 높아지도록 바닥면이 단면상에서 볼 때 상향 경사면을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 몰딩 장치.The semiconductor package molding apparatus, characterized in that the bottom surface is provided with an inclined upward surface when viewed from the cross section so that the discharge pressure of the thermoplastic resin is increased. 삭제delete
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