KR100612271B1 - Field emission display device and method for manufacturing thereof - Google Patents
Field emission display device and method for manufacturing thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR100612271B1 KR100612271B1 KR1020000002939A KR20000002939A KR100612271B1 KR 100612271 B1 KR100612271 B1 KR 100612271B1 KR 1020000002939 A KR1020000002939 A KR 1020000002939A KR 20000002939 A KR20000002939 A KR 20000002939A KR 100612271 B1 KR100612271 B1 KR 100612271B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- emitter
- protruding
- electron
- substrate
- display device
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
- H01J2329/02—Electrodes other than control electrodes
- H01J2329/04—Cathode electrodes
- H01J2329/0407—Field emission cathodes
- H01J2329/041—Field emission cathodes characterised by the emitter shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
- H01J2329/02—Electrodes other than control electrodes
- H01J2329/04—Cathode electrodes
- H01J2329/0407—Field emission cathodes
- H01J2329/0439—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2329/0444—Carbon types
- H01J2329/0455—Carbon nanotubes (CNTs)
Abstract
에미터의 표면에 돌출되어 전계 형성시 전자를 방출하는 돌출 팁들의 높이가 동일하게 형성되어 발광 균일성이 향상된 전계 방출 표시 소자와, 이 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 소자는, 일정한 간격을 두고 대향 배치되는 제1 및 제2 기판과; 상기 기판중 어느 하나의 기판에 제공되는 라인 형태의 캐소드 전극과; 상기 캐소드 전극과 수직으로 교차하도록 상기 기판중 다른 어느 하나의 기판에 제공되는 라인 형태의 애노드 전극과; 후막 기술에 의해 상기 캐소드 전극의 표면에 제공되며, 전계 형성시 전자를 방출하는 전자 방출 물질을 포함하는 면 타입의 에미터와; 상기 애노드 전극의 표면에 제공되며, 상기 에미터에서 방출된 전자가 충돌되어 발광함으로써 소정의 화상을 구현하는 발광체;를 포함하며, 상기 에미터의 표면에 돌출되는 전자 방출 물질의 돌출 팁들은 에미터의 표면으로부터 동일한 높이를 갖는다. 이로써, 에미터에서 동일한 양의 전자가 방출되게 되는바, 이에 따라, 복수의 형광층이 동일한 휘도로 발광되어 발광 균일성이 향상되고, 소자의 대형화가 가능하게 된다.The present invention relates to a field emission display device and a method of manufacturing the device, wherein the height of the protruding tips protruding from the surface of the emitter to emit electrons when forming an electric field is the same, and the light emission uniformity is improved. First and second substrates spaced apart from each other; A cathode having a line shape provided on one of the substrates; An anode in line form provided on one of the substrates so as to vertically intersect the cathode electrode; An emitter of the plane type provided on the surface of the cathode by thick film technology and comprising an electron emitting material which emits electrons upon formation of an electric field; A light emitter provided on a surface of the anode electrode and configured to emit a predetermined image by colliding and emitting electrons emitted from the emitter, wherein the protruding tips of the electron emission material protruding from the emitter surface are emitters. Have the same height from the surface. As a result, the same amount of electrons is emitted from the emitter, whereby the plurality of fluorescent layers emit light with the same luminance, thereby improving the uniformity of light emission and allowing the device to be enlarged.
FED, 전계, 레이저, 절단, 균일성, 팁, 높이FED, electric field, laser, cutting, uniformity, tip, height
Description
도 1은 종래 기술에 따른 전계 방출 표시 소자의 구성을 나타내는 단면도.1 is a cross-sectional view showing the configuration of a field emission display device according to the prior art.
도 2는 본 발명에 따른 전계 방출 표시 소자의 구성을 나타내는 단면도.2 is a cross-sectional view showing the configuration of a field emission display device according to the present invention;
도 3은 본 발명에 따른 전계 방출 표시 소자의 제조 방법을 나타내는 공정 순서도.3 is a process flowchart showing a method of manufacturing a field emission display device according to the present invention.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 소자 제조 방법에 적용된 팁 절단 공정을 순차적으로 나타내는 도면.4 to 7 are views sequentially showing a tip cutting process applied to the device manufacturing method of the present invention.
본 발명은 전계 방출 표시 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에미터의 표면에 돌출되어 전계 형성시 전자를 방출하는 돌출 팁들의 높이가 동일하게 형성되어 발광 균일성이 향상된 전계 방출 표시 소자와, 이 소자의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a field emission display device and a method of manufacturing the same. More particularly, the field emission display having the same height as the height of the protruding tips protruding on the surface of the emitter and emitting electrons when forming an electric field is improved. An element and the manufacturing method of this element are related.
일반적으로 전계 방출 표시 소자(FED; field emission display device)는 양자역학적인 터널링 효과를 이용하여 캐소드 전극에 제공된 에미터에서 전자를 방출 시키고, 방출된 전자는 애노드 전극에 제공된 형광체에 충돌하여 상기 형광체를 여기시킴으로써 소정의 화상을 구현하는 표시 소자이다.In general, a field emission display device (FED) emits electrons from an emitter provided at the cathode electrode using a quantum mechanical tunneling effect, and the emitted electrons collide with the phosphor provided at the anode electrode to form the phosphor. Excitation is a display element which implements a predetermined image.
여기서, 전자를 방출시키는 에미터에는 선단이 뾰족한 스핀트(spindt) 타입의 에미터와 면 타입의 에미터가 있다.Here, the emitter that emits electrons includes a spindt type emitter having a sharp tip and a surface type emitter.
상기 스핀트 타입의 에미터는 캐소드 전극의 일면으로 절연막과 게이트 전극을 형성한 다음, 게이트 전극과 절연막을 식각하고, 식각된 공간으로 몰리브덴이나 실리콘 등의 전자 방출 물질을 적층시키는 과정으로 제조된다.The spin type emitter is manufactured by forming an insulating film and a gate electrode on one surface of a cathode electrode, etching the gate electrode and the insulating film, and stacking an electron emission material such as molybdenum or silicon into the etched space.
이러한 스핀트 타입의 에미터는 전자 방출이 원활하게 이루어지도록 선단부의 곡률 반경을 수백 옹스트롱 정도로 극히 미세하게 형성하여 지엽적인 전계를 극대화시킨 구조이다.The spin type emitter is a structure that maximizes the local electric field by forming a very small radius of curvature of the tip portion of several hundred angstroms so that electron emission is smoothly performed.
그러나 상기 스핀트 타입의 에미터는 마이크로미터 단위의 에미터 팁 형성이 요구되므로 전체적으로 균일한 에미터 형성이 어려우며, 제조 단가가 높고, 대면적화에 불리한 단점을 갖는다.However, since the spin type emitter is required to form an emitter tip in units of micrometers, it is difficult to form a uniform emitter as a whole, and the manufacturing cost is high, and it has disadvantages in large area.
이에 따라 스핀트 타입의 에미터보다 단순한 제조 방법으로 평탄하게 형성되는 면 타입의 에미터가 제안되었는바, 도 1은 일반적인 면 타입 에미터를 갖는 전계 방출 표시 소자를 도시한 것이다.Accordingly, a surface type emitter having a flat surface formed by a simpler manufacturing method than a spin type emitter has been proposed. FIG. 1 illustrates a field emission display device having a general surface type emitter.
전계 방출 표시 소자는, 일정한 간격을 두고 대향 배치되는 후면 및 전면 기판(102,104)과, 후면 기판(104)의 일면에 라인 형상으로 배치되는 캐소드 전극(106)과, 캐소드 전극(106)과 수직으로 교차하도록 전면 기판(104)의 일면에 수직으로 배치되는 라인 형상의 애노드 전극(108)을 포함한다.The field emission display device includes the rear and
그리고, 캐소드 전극(106)의 표면으로는 전자 방출용 물질로 이루어지는 복수의 면 타입 에미터(110)가 제공되며, 에미터(110)와 마주하는 애노드 전극(108)의 일면으로는 형광층(112)이 제공되고, 후면 기판(102)과 전면 기판(104)에는 양 기판을 지지하기 위한 스페이서(114,116)가 각각 제공된다.The surface of the
여기에서, 상기 에미터(110)는 흑연(graphite) 또는 카본 나노튜브(CNT :carbon nanotube) 등의 카본 계열 전자 방출 물질을 일정 크기로 절단 및 분쇄하고, 이 전자 방출 물질을 프리트(frit)와 바인더 등의 첨가물과 혼합하여 에미터 페이스트를 제조하며, 이 에미터 페이스트를 인쇄법에 의해 기판에 사출함으로써 제조된다.Here, the
이에 따라, 에미터(110)에서 전자 방출이 개시되는 임계 전압 이상의 전압차가 걸리도록 캐소드 전극(106)과 애노드 전극(108)으로 소정의 전압 패턴을 인가하면, 양 전극(106,108)에 인가된 전압 차이에 따라 전계가 형성되어 화살표로 도시한 바와 같이 에미터(110)에서 전자가 방출되고, 방출된 전자는 형광층(112)에 충돌하여 형광층(112)을 발광시킴으로써 화상을 구현하게 된다.Accordingly, when a predetermined voltage pattern is applied to the
그런데, 상기와 같이 구성된 종래의 전계 방출 표시 소자에 의하면 도 1에 도시한 바와 같이, 에미터의 표면에 돌출된 전자 방출 물질(흑연, 또는 카본 나노튜브 등)의 돌출 팁들(118)은 그 높이가 서로 상이하다.However, according to the conventional field emission display device configured as described above, as shown in FIG. 1, the
따라서, 각각의 돌출 팁들(118)에 인가되는 전계의 세기가 서로 다르게 되어 각 돌출 팁에서는 서로 다른 양의 전자가 방출되며, 이로 인해, 형광층이 불균일하 게 발광됨으로써 발광 균일성이 저하되는 문제점이 있다.Therefore, the intensity of the electric field applied to each of the
이에, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로, 에미터의 표면에 돌출되어 전계 형성시 전자를 방출하는 돌출 팁들의 높이가 동일하게 형성되어 발광 균일성이 향상된 전계 방출 표시 소자를 제공함에 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a field emission display device having improved emission uniformity by forming the same height of the protruding tips protruding on the surface of the emitter and emitting electrons when forming an electric field. have.
본 발명의 다른 목적은, 상기한 특징을 갖는 전계 방출 표시 소자를 제조하는 소자 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a device manufacturing method for manufacturing a field emission display device having the above-mentioned characteristics.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,The present invention to achieve the above object,
일정한 간격을 두고 대향 배치되는 제1 및 제2 기판과;First and second substrates disposed to face each other at regular intervals;
상기 기판중 어느 하나의 기판에 제공되는 라인 형태의 캐소드 전극과;A cathode having a line shape provided on one of the substrates;
상기 캐소드 전극과 수직으로 교차하도록 상기 기판중 다른 어느 하나의 기판에 제공되는 라인 형태의 애노드 전극과;An anode in line form provided on one of the substrates so as to vertically intersect the cathode electrode;
후막 기술에 의해 상기 캐소드 전극의 표면에 제공되며, 전계 형성시 전자를 방출하는 전자 방출 물질을 포함하는 면 타입의 에미터와;An emitter of the plane type provided on the surface of the cathode by thick film technology and comprising an electron emitting material which emits electrons upon formation of an electric field;
상기 애노드 전극의 표면에 제공되며, 상기 에미터에서 방출된 전자가 충돌되어 발광함으로써 소정의 화상을 구현하는 발광체;A light emitter provided on a surface of the anode electrode and configured to emit a predetermined image by colliding and emitting electrons emitted from the emitter;
를 포함하며, 상기 에미터의 표면에 돌출되는 전자 방출 물질의 돌출 팁들은 에미터의 표면으로부터 동일한 높이를 갖는 전계 방출 표시 소자를 제공한다.Wherein the protruding tips of the electron emitting material protruding on the surface of the emitter provide a field emission display device having the same height from the surface of the emitter.
또한, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,In addition, the present invention to achieve the above object,
전면 기판 및 후면 기판의 일면으로 도전막을 형성하여 캐소드 전극과 애노 드 전극을 각각 형성하는 단계와;Forming a conductive film on one surface of the front substrate and the rear substrate to form a cathode electrode and an anode electrode, respectively;
애노드 전극의 일면으로 형광체를 도포하여 형광층을 형성하는 단계와;Applying a phosphor to one surface of the anode electrode to form a phosphor layer;
전계 형성시 전자를 방출하는 카본 계열의 전자 방출 물질과 이 전자 방출 물질을 기판에 고착시키는 첨가제를 혼합하여 에미터 페이스트를 제조하는 단계와;Preparing an emitter paste by mixing a carbon-based electron-emitting material that emits electrons upon formation of an electric field and an additive that fixes the electron-emitting material to a substrate;
에미터 페이스트를 캐소드 전극의 표면에 후막 기술에 의해 형성하는 단계와;Forming an emitter paste on the surface of the cathode by thick film technology;
에미터 페이스트를 건조 및 소성하는 단계와;Drying and firing the emitter paste;
상기 에미터 페이스트가 형성된 기판을 수평 상태로 고정 및 유지하는 단계와;Fixing and holding the substrate on which the emitter paste is formed in a horizontal state;
상기 에미터 페이스트의 표면에 돌출된 전자 방출 물질의 돌출 팁들을 동일한 높이로 절단하는 단계와;Cutting the protruding tips of the electron emitting material protruding on the surface of the emitter paste to the same height;
전면 기판과 후면 기판을 일체로 밀봉시키는 단계;Integrally sealing the front substrate and the back substrate;
를 포함하는 전계 방출 표시 소자의 제조 방법을 제공한다.It provides a method for manufacturing a field emission display device comprising a.
이로써, 전자 방출 물질의 돌출 팁들이 동일한 높이를 유지하게 되어 각각의 돌출 팁에서 방출되는 전자량이 동일하며, 이로 인해 형광층이 동일한 휘도로 발광된다.As a result, the protruding tips of the electron emitting material maintain the same height, so that the amount of electrons emitted from each protruding tip is the same, which causes the fluorescent layer to emit light with the same luminance.
따라서, 발광 균일성이 향상되어 각 화소에 의해 형성되는 전체 화면이 균일한 휘도로 디스플레이 되도록 할 수 있고, 이로 인해 소자의 대형화가 가능하게 된다.Therefore, the light emission uniformity is improved, so that the entire screen formed by each pixel can be displayed at a uniform brightness, which makes it possible to increase the size of the device.
이하, 첨부 도면을 참조로 하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전계 방 출 표시 소자 및 그의 제조 방법을 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an electric field emission display device and a method of manufacturing the same according to exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 전계 방출 표시 소자의 단면도로서, 전계 방출 표시 소자는 소정의 간격을 두고 대향 배치되는 후면 기판(2) 및 전면 기판(4)과, 후면 기판(2)에 소정의 라인 형상으로 배치되는 캐소드 전극(6)과, 캐소드 전극(6)의 패턴과 수직으로 교차하도록 전면 기판(4)에 라인 형상으로 배치되는 애노드 전극(8)을 포함한다.FIG. 2 is a cross-sectional view of the field emission display device according to the present invention, in which the field emission display device is arranged to face the
그리고 상기 캐소드 전극(6)에는 흑연(graphite) 또는 카본 나노튜브(CNT :carbon nanotube)와 같은 카본 계열의 전자 방출 물질을 포함하는 면 타입의 에미터(10)가 제공되며, 에미터(10)와 마주하는 애노드 전극(8)의 일면으로는 형광층(12)이 제공되고, 후면 기판(2)과 전면 기판(4)에는 양 기판을 지지하기 위한 스페이서(14,16)가 각각 제공된다.The
이러한 구조의 전계 방출 표시 소자에 있어서, 상기 에미터(10)는 캐소드 전극(6)이 제공된 기판(2)의 전면(全面)에 성막되거나, 또는 캐소드 전극(6)과 동일한 형상으로 상기 전극(6)의 표면에 제공되거나, 또는 캐소드 전극(6)의 화소 영역, 즉 캐소드 전극(6)과 애노드 전극(8)이 교차하는 영역에만 제공되며, 에미터(10)의 표면에 돌출된 전자 방출 물질의 돌출 팁들(18)은 도시한 바와 같이 동일한 높이를 유지한다.In the field emission display device having such a structure, the
다음으로, 본 발명에 의한 전계 방출 표시 소자의 제조 방법을 설명한다.Next, the manufacturing method of the field emission display element by this invention is demonstrated.
도 3은 본 발명에 의한 전계 방출 표시 소자의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정 순서도로서, 본 발명의 제조 방법은 도시한 바와 같이, 전면 기판 및 후면 기판의 일면으로 도전막을 형성하여 캐소드 전극과 애노드 전극을 각각 형성하고, 애노드 전극의 일면으로 형광체를 도포하여 형광층을 형성한 다음, 카본 계열의 전자 방출 물질과 첨가제를 혼합하여 에미터 페이스트를 제조하고, 이 에미터 페이스트를 캐소드 전극 또는 이 전극이 제공된 기판의 표면에 스크린 인쇄하며, 인쇄한 에미터 페이스트를 건조 및 소성하고, 에미터 페이스트가 형성된 기판을 수평 상태로 고정 및 유지하며, 에미터 페이스트의 표면에 돌출된 전자 방출 물질의 돌출 팁들을 동일한 높이로 절단한 후, 전면 기판과 후면 기판을 일체로 밀봉하는 과정으로 이루어진다.3 is a process flow chart sequentially showing a method of manufacturing a field emission display device according to the present invention. As shown in the drawing, a conductive film is formed on one surface of a front substrate and a rear substrate to form a cathode electrode and an anode electrode. And the phosphors were coated on one surface of the anode electrode to form a phosphor layer, and then the emitter paste was prepared by mixing a carbon-based electron-emitting material and an additive. Screen printing on the surface of the provided substrate, drying and firing the printed emitter paste, holding and holding the substrate on which the emitter paste is formed in a horizontal state, and protruding tips of the electron-emitting material protruding on the surface of the emitter paste After cutting to the same height, a process of integrally sealing the front substrate and the rear substrate.
이하, 상기 제조 방법을 도 2 내지 도 7을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the manufacturing method will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 7.
전계 방출 표시 소자를 제작하기 위하여, 먼저 전면 기판(4)의 일면으로 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide)를 스퍼터링한 다음, 이를 에칭하여 라인 형태의 애노드 전극(8)을 형성하고, 애노드 전극(8)의 표면으로 형광체를 일정 형상으로 스크린 인쇄한 후 열처리하여 형광층(12)을 형성하며, 이어서, 스페이서(16)용 페이스트를 형광층(12) 사이사이로 평행하게 인쇄하고 열처리한다.In order to fabricate the field emission display device, first, indium tin oxide is sputtered on one surface of the front substrate 4 and then etched to form a line-
그리고, 후면 기판(2)의 일면으로 인듐 틴 옥사이드 또는 은을 스퍼터링 또는 스크린 인쇄하여 라인 형태의 캐소드 전극(6)을 형성하며, 스크린 인쇄법을 이용하여 캐소드 전극(6) 사이사이에 스페이서(14)용 페이스트를 인쇄하고 열처리한다.In addition, indium tin oxide or silver is sputtered or screen printed on one surface of the
다음으로, 전자 방출 물질인 흑연 또는 카본 나노튜브 등의 카본 계열 물질을 일정 크기로 절단한 후, 이 전자 방출 물질에 프리트와 바인더 등의 첨가제를 혼합하여 특정의 점도를 갖는 에미터 페이스트를 제조하고, 제조된 에미터 페이스트를 캐소드 전극(6)의 일면에 인쇄하며, 인쇄한 에미터 페이스트를 건조 및 소성한다.Next, after cutting carbon-based materials such as graphite or carbon nanotubes, which are electron-emitting materials, to a certain size, additives such as frit and a binder are mixed with the electron-emitting materials to prepare an emitter paste having a specific viscosity. The manufactured emitter paste is printed on one surface of the
이 때, 페이스트 인쇄는 통상의 스크린 인쇄법 또는 전기 영동법을 포함하는 후막 기술로 이루어지는바, 에미터 페이스트의 스크린 인쇄는 기판과 스크린 메쉬를 스크린 인쇄기에 고정시키고, 스퀴이즈를 이용하여 에미터 페이스트를 기판에 인쇄하는 과정으로 이루어진다.At this time, the paste printing is made of a thick film technique including a conventional screen printing method or an electrophoresis method, and the screen printing of the emitter paste fixes the substrate and the screen mesh to the screen printing machine, and the squeeze is used to fix the emitter paste. The process consists of printing on a substrate.
상기와 같이 에미터 페이스트의 건조 및 소성을 완료하면 도 4에 도시한 바와 같이, 에미터(10)의 표면에는 전자 방출 물질의 팁들(18')이 서로 다른 높이로 돌출되는바, 상기 돌출 팁들의 높이를 동일하게 형성하기 위해 본 발명에서는 다음 공정이 구비된다.When the drying and firing of the emitter paste is completed as shown in FIG. 4, the
도 5에 도시한 바와 같이, 에미터(10)가 제공된 기판(2)을 기판 고정 스테이지(20)에 고정하여 기판(2)을 수평 상태로 유지하고, 이후, 도 6에 도시한 바와 같이 기판 고정 스테이지(20)의 측면에 일정 높이로 설치한 도시하지 않은 레이저 유닛으로부터 레이저 빔을 조사하면서 이 레이저 빔을 수평 방향으로 스캐닝한다.As shown in FIG. 5, the
이와 같이 하면, 전자 방출 물질의 돌출 팁들(18')은 레이저 빔에 의해 절단되고, 이로 인해 도 7에 도시한 바와 같이 돌출 팁들(18)이 동일한 높이를 유지하게 된다.In this way, the protruding
여기에서, 상기 레이저 빔은 돌출 팁의 절단이 가능한 높은 에너지를 갖는 레이저, 바람직하게는 1㎛ 이하의 파장을 갖는 YAG/EXIMER 레이저가 사용된다.Here, the laser beam is a laser having a high energy capable of cutting the protruding tip, preferably a YAG / EXIMER laser having a wavelength of 1 μm or less.
이와 같이 레이저 빔을 이용하여 돌출 팁들(18)의 높이를 동일하게 형성한 후에는, 전면 기판(4)과 후면 기판(2)의 가장자리에 배기구가 될 부분을 제외하고 씨일 프리트(seal frit)(22)를 도포한다. 이 때, 라인 형태의 애노드 전극(8)과 캐소드 전극(6)이 서로 수직으로 교차하도록 전면 기판(4)과 후면 기판(2)을 배치하고, 적당한 압력을 가하면서 열처리함으로써 봉착시킨다.After forming the same height of the protruding
그리고 상기 배기구에 진공 펌프를 연결시켜 기판 내부를 10-4 ∼ 10-10 토르(Torr)의 진공으로 형성한 다음, 배기구를 밀봉시킨다.A vacuum pump is connected to the exhaust port to form the inside of the substrate as a vacuum of 10 −4 to 10 −10 Torr, and then seal the exhaust port.
이로써, 에미터의 표면에 전자 방출 물질의 돌출 팁들이 동일한 높이로 형성되어 이 팁들에서 방출되는 전자량이 동일하게 된다.As a result, the protruding tips of the electron emitting material are formed at the same height on the surface of the emitter so that the amount of electrons emitted from these tips is the same.
따라서, 발광 균일성이 향상된 전계 방출 표시 소자를 제조할 수 있는 것이다.Accordingly, the field emission display device having improved light emission uniformity can be manufactured.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 에미터의 표면에 돌출된 전자 방출 물질의 돌출 팁이 동일한 높이를 갖는 전계 방출 표시 소자를 제조할 수 있으며, 이 방법에 의해 제조된 전계 방출 표시 소자는 에미터에서 동일한 양의 전자가 방출되므로 복수의 형광층이 동일한 휘도로 발광된다.As described above, according to the present invention, the field emission display device having the same height as the protruding tip of the electron-emitting material protruding on the surface of the emitter can be manufactured. Since the same amount of electrons are emitted from the emitter, the plurality of fluorescent layers emit light with the same luminance.
따라서, 이 소자는 발광 균일성이 향상되어 각 화소에 의해 형성되는 전체 화면이 균일한 휘도로 디스플레이 되고, 이로 인해 소자의 대형화가 가능하게 된다.Accordingly, the device has improved light emission uniformity, so that the entire screen formed by each pixel is displayed with uniform brightness, thereby enabling the device to be enlarged.
Claims (9)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000002939A KR100612271B1 (en) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | Field emission display device and method for manufacturing thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000002939A KR100612271B1 (en) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | Field emission display device and method for manufacturing thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010075967A KR20010075967A (en) | 2001-08-11 |
KR100612271B1 true KR100612271B1 (en) | 2006-08-11 |
Family
ID=19640466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020000002939A KR100612271B1 (en) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | Field emission display device and method for manufacturing thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100612271B1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100778991B1 (en) * | 2001-11-02 | 2007-11-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | A cathode-manufacturing method for minimizing the contact resistance in FED |
KR101034885B1 (en) * | 2009-10-01 | 2011-05-17 | 한국전기연구원 | Fabrication Method of Field Emission Device and Field Emission Device thereby method |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970071902A (en) * | 1996-04-15 | 1997-11-07 | 구자홍 | Mask bonding apparatus and method of flat cathode ray tube |
JPH10149760A (en) * | 1996-09-18 | 1998-06-02 | Toshiba Corp | Field emission type cold cathode apparatus, manufacture thereof, and vacuum microapparatus |
KR19990012717A (en) * | 1997-07-30 | 1999-02-25 | 손욱 | Dipole-type field emission display device |
KR19990018950A (en) * | 1997-08-28 | 1999-03-15 | 손욱 | Dipole-type field emission display device and its manufacturing method |
KR19990030320A (en) * | 1997-09-30 | 1999-04-26 | 다이 세이키 | Electron Emission Source and Manufacturing Method Thereof |
KR19990067713A (en) * | 1998-01-09 | 1999-08-25 | 포만 제프리 엘 | Field emission device, method for its fabrication, and use of said device |
KR20010049397A (en) * | 1999-10-11 | 2001-06-15 | 이철진 | Method for opening tip of carbon nanotubes and purifying the same |
-
2000
- 2000-01-21 KR KR1020000002939A patent/KR100612271B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970071902A (en) * | 1996-04-15 | 1997-11-07 | 구자홍 | Mask bonding apparatus and method of flat cathode ray tube |
JPH10149760A (en) * | 1996-09-18 | 1998-06-02 | Toshiba Corp | Field emission type cold cathode apparatus, manufacture thereof, and vacuum microapparatus |
KR19990012717A (en) * | 1997-07-30 | 1999-02-25 | 손욱 | Dipole-type field emission display device |
KR19990018950A (en) * | 1997-08-28 | 1999-03-15 | 손욱 | Dipole-type field emission display device and its manufacturing method |
KR19990030320A (en) * | 1997-09-30 | 1999-04-26 | 다이 세이키 | Electron Emission Source and Manufacturing Method Thereof |
KR19990067713A (en) * | 1998-01-09 | 1999-08-25 | 포만 제프리 엘 | Field emission device, method for its fabrication, and use of said device |
KR20010049397A (en) * | 1999-10-11 | 2001-06-15 | 이철진 | Method for opening tip of carbon nanotubes and purifying the same |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
1019990030320 |
1019990067713 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010075967A (en) | 2001-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3839713B2 (en) | Method for manufacturing flat display | |
KR100908712B1 (en) | Field emission display with emitter array structure to improve electron emission characteristics | |
KR100258714B1 (en) | Flat panel display having field emission cathode | |
KR100612271B1 (en) | Field emission display device and method for manufacturing thereof | |
KR100354225B1 (en) | Method for manufacturing emitter of field emission display device | |
KR100506078B1 (en) | Metal-insulator-carbon type field emission device using carbon nanotubes and dielectric materials | |
KR100556747B1 (en) | Field emission device | |
KR20010075970A (en) | Field emission display device and method for making thereof | |
JP4132502B2 (en) | Flat display and manufacturing method thereof | |
KR20070036910A (en) | Method of preparing electron emission display device | |
KR100346540B1 (en) | A field emission display and method of manufacturing the same | |
KR100786832B1 (en) | Method for printing negative pattern using by cross printing and field emission display device having gate hole made by the same method | |
KR101017037B1 (en) | Electron emission display device | |
KR100778408B1 (en) | Field emission display and method for fabricating thereof | |
KR100556745B1 (en) | Field emission device | |
KR100330155B1 (en) | Field emission display device | |
KR100254825B1 (en) | Tripod type fed | |
KR100399653B1 (en) | Method for printing negative pattern of flat panel display device and flat panel display device having pattern made by the same method | |
KR100778433B1 (en) | Method for manufacturing pattern of cathode substrate for field emission display device | |
KR101009980B1 (en) | Field Emission Display Device | |
KR101009982B1 (en) | Field Emission Display Device and Process of The Same | |
KR100261542B1 (en) | A method for manufacturing spacer of a field effect electron emission device | |
KR20050077960A (en) | Field emission display device | |
KR20010056151A (en) | The fabrication of field emission cathode of field emission display device | |
KR20050077957A (en) | Field emission display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110725 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |