KR100610272B1 - Multi Color LED With Wide Directivity Structure - Google Patents
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Abstract
본 발명은 멀티칼러(Multi Color)를 조합한 백색 발광다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 일정 파장 변환 효율이 향상되고 넓은 지향 각을 갖는 멀티칼러(Multi Calor)발광다이오드 구조에 관한 것이다. 본 멀티칼러 발광다이오드 구조는, 반사형 반사판(Reflector) 구조를 갖는 리드프레임(Lead Frame) 양쪽 끝단에 각각의 다이패드부(10a)(10b)에 접착제로 부착되어진 한 쌍의 적색(Red), 또는 황색(Amber Color)LED칩(1)(1a)으로 구성되며, 상기 적색(Red) 또는 황색(Amber Color)LED칩(1)(1a)사이에 청색(Blue)LED칩(2)(2a)과 정중앙에 접착제로 접착한 InGaN, GaN계 녹색(Pure Green Color)LED칩(515nm~535nm)(3)으로 구성되며, 상기 청색(Blue)LED칩(2)(2a)과, 녹색(Pure Green)LED칩(3)을 부착하기 위한 공통의 양극패드(Anode Pad)부(11a)를 가진 발광다이오드로서 이 녹색(Pure Green)칩(3)의 양쪽 옆에 청색(Blue), 녹색(Pure Green)의 공통 양극패드(Anode Pad)부(11a)에 접착된 InGaN, GaN계 청색(Blue Color)LED칩(450nm~470nm)(2)(2a)과, 이들 각각의 칩(1)(1a)(2)(2a)(3)을 연결하여 전극을 형성 시켜주는 골드와이어(Gold Wire)(5)와, 청색(Blue), 녹색(Pure Green)의 공통 양극패드(Anode Pad)부(11a)와 적색(Red) 또는 황색(Amber), 녹색(Pure Green), 청색(Blue)칩의 공통 음극리드(Common Anode Lead)부(11)를 연결시켜주는 골드와이어(Gold Wire)(5a)와, 반사형 플라스틱 반사판(Reflector)부(13a)에 빛이 투과 할 수 있도록 채워준 광투과성에폭시(14)로 구성된다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a white light emitting diode combining multi colors, and more particularly, to a multi calor light emitting diode structure having a constant wavelength conversion efficiency and having a wide direct angle. The multi-color light emitting diode structure includes a pair of red (Red) attached to each of the die pad portions 10a and 10b with adhesive on both ends of a lead frame having a reflective reflector structure, Or Yellow (Amber Color) LED chip (1) (1a), between the red (Red) or Amber (Amber Color) LED chip (1) (1a) Blue LED chip (2) (2a) ) And InGaN, GaN-based green (Cure Green Color) LED chip (515nm ~ 535nm) (3) bonded to the center and the blue LED chip (2) (2a) and green (Pure) Green: A light emitting diode having a common anode pad portion 11a for attaching the LED chip 3 to the sides of the green chip 3, blue and green. InGaN and GaN blue color LED chips (450 nm to 470 nm) (2) (2a) bonded to a common anode pad portion (11a) of Green, and their respective chips (1) (1a). (2) (2a) (3) to connect the gold wire (Gold Wire) (5) to form an electrode, Blue, Common Anode Pad part 11a of Pure Green and Common Anode Lead part of Red or Amber, Pure Green, and Blue chips ( 11) is composed of a gold wire (Gold Wire) (5a) for connecting, and a light transmissive epoxy (14) filled to allow light to pass through the reflective plastic reflector (13).
이에 따라, 본 발명은 일정 파장 변환 효율이 향상되고 넓은 지향각의 구조를 이루고 있어 저가 생산으로 경제적인 사용을 이루게 하고, 비엘유(Back Light Units)의 보조 광원으로 사용되는 LED의 색의 다양성을 구현하면서 간단한 구조로 생산성 향상을 이룬다.Accordingly, the present invention improves the constant wavelength conversion efficiency and forms a wide direct angle structure, thereby achieving economical use with low cost production, and improving the color diversity of the LED used as an auxiliary light source of BLU. While implementing, it improves productivity with simple structure.
멀티칼러, 발광다이오드, GaAs, AlGaAs, AlGaAsP계 적색(Red), 황색(Amber Color)LED 칩Multi-Color, Light Emitting Diode, GaAs, AlGaAs, AlGaAsP-based Red (Red), Amber (Amber Color) LED Chip
Description
도 1은 본 발명에 의한 멀티칼러 사이드라이트(Multi Color Side Light) 발광 다이오드의 평면 횡단면도이고,1 is a planar cross-sectional view of a multi color side light light emitting diode according to the present invention;
도 2는 본 발명에 의한 멀티칼러 사이드라이트(Multi Color Side Light) 발광 다이오드의 정면 종단면도이고,2 is a front longitudinal cross-sectional view of a multi color side light light emitting diode according to the present invention;
도 3은 본 발명에 의한 멀티칼러 사이드라이트(Multi Color Side Light) 발광 다이오드의 측면 종단면도이고,3 is a side longitudinal sectional view of a multi-color side light light emitting diode according to the present invention;
도 4는 본 발명에 의한 멀티칼러 사이드라이트(Multi Color Side Light) 발광 다이오드의 저면 횡단면도이고,4 is a bottom cross-sectional view of a multi color side light light emitting diode according to the present invention;
도 5는 본 발명에 의한 멀티칼러 사이드라이트(Multi Color Side Light) 발광 다이오드의 요부 종단면도이다.5 is a longitudinal cross-sectional view of main parts of a multi-color side light light emitting diode according to the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Explanation of symbols for the main parts of the drawings *
1,1a : GaAs, AlGaAs, AlGaAsP계 적색(Red), 황색(Amber Color)LED칩 (605nm-640nm)1,1a: GaAs, AlGaAs, AlGaAsP-based red (Red), yellow (Amber Color) LED chip (605nm-640nm)
2,2a : InGaN, GaN계 청색(Blue Color)LED칩(450nm~470nm) 2,2a: InGaN, GaN-based Blue Color LED Chip (450nm ~ 470nm)
3 : InGaN, GaN계 녹색(Pure Green Color)LED칩(515nm~535nm) 3: InGaN, GaN Pure Green Color LED Chip (515nm ~ 535nm)
5,5a,51 : 골드와이어(Gold Wire)5,5a, 51: Gold Wire
6 : 적색(Red) 또는 황색(Amber Color)LED1, 2의 공통 양극리드(Common Cathode Lead)부6: Common Cathode Lead of Red or Amber Color LED1, 2
7 : 청색(Blue Color)LED 2의 음극리드(Cathode Lead)부7: Cathode lead of blue color LED 2
8 : 녹색(Pure Green Color)LED의 리드(Lead)부8: Lead part of Pure Green Color LED
9 : 청색(Blue Color)LED 1의 음극리드(Cathode Lead)부9: Cathode lead of Blue Color LED 1
10 : 적색(Red) 또는 황색(Amber Color)LED 1의 음극리드(Cathode Lead)부10: Cathode Lead of Red or Amber Color LED 1
10a : 적색(Red) 또는 황색(Amber Color)LED 2의 양극패드(Anode Pad)부10a: Anode Pad of Red or Amber Color LED 2
10b : 적색(Red) 또는 황색(Amber Color)LED 1의 공통음극패드(Cathode Pad)부10b: Common Cathode Pad of Red or Amber Color LED 1
11,11a : 적색(Red) 또는 황색(Amber), 녹색(Pure Green), 청색(Blue) 칩의 공통 양극패드(Common Anode Lead)부11,11a: Common Anode Lead of Red, Amber, Green, and Blue Chips
12 : 적색(Red) 또는 황색(Amber Color)LED 1, 2의 점프리드(Jump Lead)12: Jump Lead of Red or Amber Color LEDs 1 and 2
13 : 플라스틱제13: plastic
13a : 플라스틱 반사판(Reflector)부13a: plastic reflector
14 : 광투과성에폭시수지 14: light transmissive epoxy resin
15 : 방열수지(SiO2, TiO2)함유 에폭시수지부15: epoxy resin containing heat dissipation resin (SiO 2 , TiO 2 )
본 발명은 멀티칼러(Multi Color)를 조합한 백색 발광다이오드 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 일정 파장 변환 효율이 향상되고 넓은 지향 각을 얻을 수 있도록 한 넓은 지향각의 구조를 갖는 멀티칼러 발광다이오드 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a white light emitting diode in which multi colors are combined. More particularly, the present invention relates to a multi-color light emitting diode structure having a structure having a wide direct angle to improve a constant wavelength conversion efficiency and obtain a wide direct angle. It is about.
일반적으로 백색 발광다이오드 제조방법에 관한 종래 기술은 InGaN, GaN계의 발광다이오드 칩(430nm~470nm, Blue LED)을 반사컵부에 실장한 후, 이 반사컵부에 광의 일부를 흡수하여 광의 파장과는 다른 파장을 가지는 포토루미네선스 형광체를 포팅(Potting)하여 백색광을 얻는 방법과 각각의 적색(Red), 녹색(Green), 청색(Blue)LED를 조합하여 얻는 방법이 최근에 가장 많이 사용되고 있는 백색 발광다이오드 제작 방법이다. In general, a related art related to a method of manufacturing a white light emitting diode includes mounting an InGaN, GaN-based light emitting diode chip (430 nm to 470 nm, Blue LED) in a reflecting cup part, and then absorbing a part of the light to reflect the part of the reflecting cup part so that The method of obtaining white light by potting a photoluminescent phosphor having a wavelength and combining each of red, green, and blue LEDs is the most commonly used white light emission. Diode manufacturing method.
하지만, 포토루미네선스 형광체를 포팅(Potting)하여 백색광을 얻는 방법은 그 공정이 매우 복잡하고, 형광체의 혼합비율이 일정하지 않으면 파장 불일치로 인하여 얼룩이 생기고 시인성도 그만큼 저하되며, 형광체의 두께와 혼합 비율에 따라 제조할 때마다 다른 파장의 제품이 생산되는 방식이기에 그 제조 공정이 매우 복잡하며 어렵다. 또한, 단일 칼라를 구현함으로서 백라이트유닛(Back light Units)의 보조 광원으로 사용되는 색의 다양성을 구현시키기가 불가능한 한계가 있다. However, the method of obtaining white light by potting photoluminescent phosphors is very complicated. If the mixing ratio of the phosphors is not constant, staining occurs due to wavelength mismatch, and visibility is also reduced. The manufacturing process is very complicated and difficult because the products of different wavelengths are produced every time according to the ratio. In addition, there is a limitation that it is impossible to implement a variety of colors used as an auxiliary light source of the backlight unit (Back light Units) by implementing a single color.
그리고 각각의 적색(Red), 녹색(Green), 청색(Blue)LED를 조합하여 얻는 방법은 조립비용이 고가이며 지향각이 매우 협소하고 세트(Set) 적용 시 면적을 많이 차지하는 문제가 있으며, 색의 조합을 정확하게 하기 어려운 문제로 순수 백색광을 얻는데 한계가 있다.In addition, the method of combining the red, green, and blue LEDs has a problem in that the assembly cost is high, the angle of inclination is very narrow, and the area is large when the set is applied. There is a limit in obtaining pure white light as a problem that cannot be precisely combined.
본 발명은 이러한 종래의 백색 발광다이오드 제조방법의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 일정 파장 변환 효율이 향상되고 넓은 지향각을 얻을 수 있도록 하는 넓은 지향각의 구조를 갖는 멀티칼러 발광다이오드 구조를 제공하는데 있다.The present invention is to solve the problems of the conventional method of manufacturing a white light emitting diode, and to provide a multi-color light emitting diode structure having a structure of a wide direct angle to improve the constant wavelength conversion efficiency and obtain a wide direct angle. .
본 발명의 다른 목적은 저가의 발광다이오드 칩을 반사컵형태의 리플렉터(Reflector) 리드 프레임 패드면에 실장 한 후 골드와이어로 각각의 전극을 연결하고 광폭시 에폭시로 몰드함으로서 고휘도 및 멀티칼러를 구동할 수 있는 넓은 지향각의 구조를 갖는 멀티칼러 발광다이오드 구조를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to mount a low-cost light emitting diode chip on a reflector cup-shaped reflector lead frame pad surface, and then connect each electrode with a gold wire and mold with broad epoxy to drive high brightness and multicolor. The present invention provides a multicolor light emitting diode structure having a structure having a wide direct angle.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 넓은 지향각의 구조를 갖는 멀티칼러 발광다이오드 구조의 기술적인 특징은, 반사형 리플렉터(Reflector) 구조를 갖는 리드프레임(Lead Frame) 양쪽 끝단에 각각의 다이패드부에 접착제로 부착되어진 한 쌍의 적색(Red), 황색(Amber Color)LED 칩으로 구성되며, 상기 적색(Red) 또는 황색(Amber Color)LED칩 사이에는 청색(Blue)LED칩과 정중앙에 접착제로 접착한 InGaN, GaN계 녹색(Pure Green Color)LED칩(515nm~535nm)으로 구성되며, 상기 청색(Blue)LED칩와, 녹색(Pure Green)LED 칩을 부착하기 위한 공통의 양극 패드(Anode Pad)부를 가진 발광다이오드에 있어서, 상기 녹색(Pure Green) 칩의 양쪽 옆에 청색(Blue), 녹색(Pure Green)용의 양극 패드(Anode Pad)부에 접착된 InGaN, GaN계 청색(Blue Color)LED칩(450nm~470nm)과, 각각의 칩을 전극을 형성 시켜주는 골드와이어(Gold Wire)와, 청색(Blue), 녹색(Pure Green)칩용의 공통 양극 패드(Anode Pad)부와 적색(Red) 또는 황색(Amber), 녹색(Pure Green), 청색(Blue) 칩들을 공통 양극리드(Common Anode Lead)부에 연결시켜주는 골드와이어(Gold Wire)와, 반사형 플라스틱 리플렉터(Reflector)부에 빛이 투과 할 수 있도록 채워준 광 투과성 에폭시로 구성되어 있다.Technical features of the multi-color light emitting diode structure having a wide direct angle structure of the present invention for achieving this purpose, each die pad portion at both ends of the lead frame having a reflective reflector structure It consists of a pair of red and yellow color LED chips attached with adhesive to each other, and between the red and yellow color LED chips with a blue LED chip and an adhesive in the center Composed of bonded InGaN and GaN-based Pure Green Color LED chips (515nm to 535nm), common anode pads for attaching the Blue LED chip and the Pure Green LED chip In the light emitting diode having a portion, InGaN, GaN-based Blue Color LEDs adhered to anode pad portions for blue and green green on both sides of the green chip. Chips (450nm ~ 470nm) and Gold Wires that form electrodes for each chip Common Anode Pad for Blue, Green Green Chip and Common Anode with Red or Amber, Pure Green, and Blue Chip It is composed of gold wire connected to the lead part and light transmitting epoxy filled in the reflective plastic reflector part to transmit light.
본 발명의 다른 기술적 특징으로는 상기 적색(Red) 또는 황색(Amber)LED칩 2개와, 청색(Blue)LED칩 2개와, 녹색(Pure Green)LED칩 1개를 동일 평면상의 패키지(Package)에 부착하고, 녹색(Pure Green)칩을 중심으로 적색(Red) 또는 황색(Amber)LED칩과, 청색(Blue)LED칩과, 녹색(Pure Green)칩을 동시에 전기를 가하여 발광하도록 구성되어 있다.According to another technical feature of the present invention, two red or yellow LED chips, two blue LED chips, and one green green LED chip may be packaged in the same planar package. And red or yellow LED chips, blue LED chips, and green green chips are applied to emit light at the same time with respect to the green green chip.
본 발명의 또 다른 기술적 특징으로는 상기 각각의 적색(Red) 또는 황색(Amber)LED칩 1의 음극리드(Cathode Lead)나 적색(Red) 또는 황색(Amber)칩2의 양극리드(Anode Leda)를 전기적으로 연결 시켜주기 위해 플라스틱제 사출 외벽으로 점프리드(Jump Lead)를 만들어 이것으로 음극리드(Cathode lead)나 양극리드(Anode Lead)중 어느 하나에 연결시켜서 구성되어 있다.Another technical feature of the present invention is the cathode lead of each of the red or yellow LED chips 1 or the anode lead of the red or yellow chip 2. It is made by connecting jump lead to cathode lead or anode lead with plastic injection outer wall.
본 발명의 또 다른 기술적 특징으로는 상기 동일 패키지(Package) 안에 5개 이상의 칩을 동작시켜줌으로 인하여 발생되는 열을 효과적으로 분산시켜 주기 위해 사출 플라스틱제의 아래부분을 대기 중에 노출시켜 주도록 구성하고 있다.Another technical feature of the present invention is to expose the lower part of the injection plastic to the air in order to effectively disperse the heat generated by operating five or more chips in the same package (Package).
본 발명의 또 다른 기술적 특징으로는 상기 동일 패키지(Package) 안에 5개 이상의 칩을 동작시켜줌으로 인하여 발생되는 열을 효과적으로 분산시켜 주기 위해 방열수지(SiO2, TiO2)함유 에폭시수지로 점프리드 내부의 홈을 채워서 구성하고 있다.According to another technical feature of the present invention, an inside of a jump lead with an epoxy resin containing a heat dissipating resin (SiO 2 , TiO 2 ) to effectively dissipate heat generated by operating five or more chips in the same package. It is made up by filling the groove of.
이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the present invention will be described in detail.
도 1은 본 발명에 의한 멀티칼러 사이드라이트(Multi Color Side Light)발광 다이오드를 평면 횡단면도로 나타내고, 도 2는 본 발명에 의한 멀티칼러 사이드라이트(Multi Color Side Light) 발광 다이오드를 정면 종단면도로 나타내고, 도 3은 본 발명에 의한 멀티칼러 사이드라이트(Multi Color Side Light) 발광 다이오드를 측면 종단면도로 나타내고, 도 4는 본 발명에 의한 멀티칼러 사이드라이트(Multi Color Side Light) 발광 다이오드를 저면 횡단면도로 나타내고, 도 5는 본 발명에 의한 멀티칼러 사이드라이트(Multi Color Side Light) 발광 다이오드를 요부 종단면도로 나타내고 있다.1 is a planar cross-sectional view showing a multi color side light light emitting diode according to the present invention, FIG. 2 is a front longitudinal cross-sectional view of a multi color side light light emitting diode according to the present invention. 3 is a side cross-sectional view of a multi color side light light emitting diode according to the present invention, FIG. 4 is a bottom cross-sectional view of a multi color side light light emitting diode according to the present invention. FIG. 5 shows a main portion longitudinal cross-sectional view of a multi-color side light light emitting diode according to the present invention.
도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이 본 발명은, 반사형 리플렉터(Reflector)구조를 갖는 리드프레임(Lead Frame) 양쪽 끝단에 각각의 다이패드부(10a)(10b)에 접착제로 부착되어진 한 쌍의 적색(Red) 또는 황색(Amber Color)LED칩(1)(1a)사이에는 청색(Blue)LED칩(2)(2a)과 정중앙에 접착제로 접착한 InGaN, GaN계 녹색(Pure Green Color)LED칩(515nm~535nm)(3)으로 구성되어 있다.As shown in FIGS. 1 to 5, the present invention provides a pair of adhesives attached to respective
또한 상기 청색(Blue LED)칩(2)(2a)과 녹색(Pure Green)LED칩(3)을 부착하기 위한 공통의 양극패드(Anode Pad)부(11a)를 가진 발광다이오드로서 이 녹색(Pure Green)칩(3)의 양쪽 옆에 청색(Blue), 녹색(Pure Green)의 공통 양극패드(Anode Pad)부(11a)에 접착된 InGaN, GaN계 청색(Blue Color)LED칩(450nm~470nm)(2)(2a)과, 이들 각각의 칩(1)(1a)(2)(2a)(3)을 전극을 형성 시켜주는 골드와이어(Gold Wire)(5)(5a)(51)와, 청색(Blue), 녹색(Pure Green)용의 공통 양극패드(Anode Pad)부(11a)와 적색(Red) 또는 황색(Amber), 녹색(Pure Green), 청색(Blue) 칩용 공통 양극리드(Common Anode Lead)부(11)를 연결시켜주는 골드와이어(Gold Wire)(5a)와 반사형 플라스틱 리플렉터(Reflector)부(13a)에 빛이 투과 할 수 있도록 채워준 광 투과성 에폭시(14)로 구성되어 있다.In addition, as a light emitting diode having a common anode pad portion 11a for attaching the blue LED chip 2 and 2a and the green LED chip 3, Green InGaN, GaN-based Blue Color LED Chips (450nm to 470nm) bonded to Blue and Pure Green Common Anode Pads 11a on Both Sides of Chip 3 (2) (2a) and each of these chips (1) (1a) (2) (2a) (3) with gold wires (5) (5a) 51 forming electrodes Common anode pad part 11a for blue, green, and common anode leads for red, yellow, pure green, and blue chips It consists of a gold wire (5a) connecting the common anode (11)
여기서 상기 적색(Red) 또는 황색(Amber)LED칩(Chip)(1)(1a) 2개와, 청색(Blue)LED칩(2)(2a) 2개와, 녹색(Pure Green)LED칩(3) 1개를 동일 평면상의 패키지에 부착하고 녹색(Pure Green)LED칩(3)을 중심으로 적색(Red)LED칩(1)(1a)과, 청색(Blue)LED칩(2)(2a)과, 녹색(Pure Green)LED칩(3)을 동시에 전류 또는 전압을 가하여서 풀칼라(Full Color)와 백색 발광다이오드를 얻을 수 있도록 구성되어 진다.Here, two red or yellow LED chips (1) (1a), two blue (LED) chips (2) (2a), and green (green) LED chips (3). One is attached to the package on the same plane, and the red LED chip (1) (1a) and the blue (LED) chip (2) (2a) are centered around the green LED chip (3). By applying current or voltage simultaneously to the Pure Green LED chip 3, a full color and a white light emitting diode can be obtained.
그리고 상기 적색(Red) 또는 황색(Amber)LED칩(1)의 음극리드(Cathode Lead)(10)와, 적색(Red) 또는 황색(Amber)LED칩(2)의 음극리드(Cathode Lead)를 전기적으로 연결 시켜주기 위해 플라스틱제(13) 사출 외벽으로 점프리드(Jump Lead)(12)를 만들어 이를 굴곡(Bending) 시켜 음극리드(Cathode lead)(8)(9)를 연결시켜서 음극리드(Cathode Lead)를 만들 수 있도록 이루어진다.The cathode lead 10 of the red or yellow LED chip 1 and the cathode lead of the red or yellow LED chip 2 are connected to each other. To make the electrical connection, a jump lead (12) is made of an outer wall of plastic (13) and made to bend, and the cathode lead (8) and 9 are connected to the cathode lead (Cathode). It is made to create a lead.
또한 상기 동일 패키지 안에 5개 이상의 칩을 동작시켜줌으로 인하여 발생되는 열을 효과적으로 분산시켜 주기 위해 사출 플라스틱제(13)의 아래부분을 대기 중에 노출시켜 방열 효과를 높여주도록 하는 구조로 구성되어 있다.In addition, in order to effectively dissipate heat generated by operating five or more chips in the same package, the lower portion of the injection-
한편, 상기 동일 패키지 안에 5개 이상의 칩을 동작시켜줌으로 인하여 발생되는 열을 효과적으로 분산시켜 주기 위해 방열수지(SiO2, TiO2)함유 에폭시 수지(15)로 점프리드(12) 내부의 홈을 채워서 이루어진다.Meanwhile, in order to effectively disperse heat generated by operating five or more chips in the same package, a groove inside the
이상과 같은 본 발명은 비교적 저가의 GaAs, AlGaAs, AlGaAsP계 적색(Red), 또는 황색(Amber Color)(605nm-640nm) 발광다이오드의 칩 1개 이상과, InGaN, GaN계 녹색(Pure Green Color)LED칩(515nm~535nm) 1개 이상과, InGaN, GaN계 청색(Blue Color)LED칩(450nm~470nm) 1개 이상의 칩(Chip)을 동일 평면상의 반사컵 구조를 가진 리플렉터(Reflector) 리드프레임 패드 면에 실장한 후, 골드와이어(Gold Wire)로 각각의 전극을 형성시킨 후 광 투과성 에폭시로 몰드함으로서 얻어지는 구조의 백색 발광 다이오드 및 멀티칼러(Multi Color)을 구동함으로서 백라이트 유닛(Back light Units)의 보조 광원으로 사용되는 LED의 색의 다양성을 구현 할 수 있다.As described above, the present invention provides a relatively low-cost GaAs, AlGaAs, AlGaAsP-based red (Red) or yellow (Amber Color) (605nm-640nm) light emitting diodes of at least one chip, InGaN, GaN-based green (Pure Green Color) Reflector leadframe with at least one LED chip (515nm to 535nm) and one or more InGaN and GaN blue color LED chips (450nm to 470nm). After mounting on the pad surface, each electrode is formed of gold wire, and then the white light emitting diode and multi color of the structure obtained by molding with a light-transmissive epoxy are driven to back light units. It can realize the color variety of LED used as an auxiliary light source.
이와 같은 본 발명은 일정 파장 변환 효율이 향상되고 넓은 지향 각을 갖는 넓은 지향각의 구조를 이루고 있어 저가 생산으로 경제적인 사용을 이루게 하고, 백 라이트유닛(Back light Units)의 보조 광원으로 사용되는 LED의 색의 다양성을 구현하면서 간단한 구조로 생산성 향상을 이룰 수 있으며, 하나의 패키지에 다양한 색깔을 구현 할 수 있는 멀티칼러(Multi Color)와 백색의 발광다이오드를 동시에 구현할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.As described above, the present invention improves the wavelength conversion efficiency and forms a wide direct angle structure having a wide direct angle, thereby achieving economical use with low cost production, and being used as an auxiliary light source for back light units. It is possible to improve productivity with a simple structure while implementing a variety of colors, and the effect of simultaneously implementing multi-color and white light emitting diodes that can realize various colors in one package can be obtained.
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