KR100609220B1 - Apparatus for providing a liquid, and exposing system including the same - Google Patents

Apparatus for providing a liquid, and exposing system including the same Download PDF

Info

Publication number
KR100609220B1
KR100609220B1 KR1020050070621A KR20050070621A KR100609220B1 KR 100609220 B1 KR100609220 B1 KR 100609220B1 KR 1020050070621 A KR1020050070621 A KR 1020050070621A KR 20050070621 A KR20050070621 A KR 20050070621A KR 100609220 B1 KR100609220 B1 KR 100609220B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bath
liquid
refractive material
liquid refractive
discharge
Prior art date
Application number
KR1020050070621A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김진엽
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020050070621A priority Critical patent/KR100609220B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100609220B1 publication Critical patent/KR100609220B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
    • B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

침지식 노광 시스템용 액체 공급 장치가 개시된다. 본 장치는, 액상 굴절 물질을 수용하는 베쓰와, 상기 베쓰의 하면에 설치되고 그 위에 반도체 기판이 안착되는 지지대와, 상기 베쓰의 일측면에 설치되어 상기 베쓰 내부로 상기 액상 굴절 물질을 공급하는 인입관과, 상기 베쓰의 타측면에 설치되어 상기 베쓰 외부로 상기 액상 굴절 물질을 배출하는 배출관과, 상기 액상 굴절 물질을 상기 베쓰에 공급 및 배출하기 위하여 상기 액상 굴절 물질을 순환시키는 펌프와, 상기 순환되는 액상 굴절 물질 내에 포함된 오염물을 제거하는 오염물 제거 수단을 포함한다. 그리하여, 액상 굴절 물질 내부에 함유된 오염물이 제거되므로 공정 효율이 향상되고, 또한 액상 굴절 물질을 계속하여 사용할 수 있으므로 제조 비용이 절감될 수 있다.Disclosed is a liquid supply apparatus for an immersion exposure system. The apparatus includes a bath accommodating a liquid refractive material, a support installed on a lower surface of the bath, and a semiconductor substrate mounted thereon, and a drawer installed on one side of the bath to supply the liquid refractive material to the bath. A pipe, a discharge pipe installed at the other side of the bath to discharge the liquid refractive material out of the bath, a pump for circulating the liquid refractive material to supply and discharge the liquid refractive material to the bath, and the circulation And contaminant removal means for removing contaminants contained in the liquid refractory material. Thus, the contaminants contained in the liquid refractory material are removed, thereby improving process efficiency, and the manufacturing cost can be reduced because the liquid refractory material can be continuously used.

Description

액체 공급 장치 및 이를 포함하는 노광 시스템{Apparatus for Providing a Liquid, and Exposing System Including the Same}Apparatus for Providing a Liquid, and Exposing System Including the Same}

도 1은 종래의 침지식 노광 시스템에 사용된 액체 공급 장치의 개요도이다.1 is a schematic diagram of a liquid supply apparatus used in a conventional immersion exposure system.

도 2는 본 발명에 따른 침지식 노광 시스템용 액체 공급 장치의 개요도이다.2 is a schematic view of a liquid supply apparatus for an immersion exposure system according to the present invention.

본 발명은 반도체 소자의 제조 장치에 관한 것으로서, 더욱 자세하게는, 침지 방식에 의한 포토리소그래피(Photolithography) 시스템에서 액상 굴절 물질을 공급하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to an apparatus for supplying a liquid refractive material in a photolithography system by an immersion method.

반도체 산업을 흔히 장치 산업이라고 일컫는데, 이는 장비가 비용적인 측면이나 기술적인 측면에서 매우 큰 비중을 차지하고 있기 때문이다. 최근, 반도체 소자의 제조 공정에서 기판 상에 형성되는 패턴의 크기가 매우 작아지고 있으며, 그에 따라 장비의 성능에 대한 요구 조건도 엄격해지고 있다. 특히, 노광 시스템은 마스크 패턴을 빛을 통해 웨이퍼 상에 전달하는 장치이므로, 반도체 소자의 고집적화를 선도하는 중요한 장비라고 할 수 있다. The semiconductor industry is often referred to as the device industry because equipment is a big part of cost and technology. In recent years, the size of the pattern formed on the substrate in the manufacturing process of the semiconductor device is very small, and accordingly the requirements for the performance of the equipment is also becoming strict. In particular, since the exposure system is a device for transferring a mask pattern onto a wafer through light, it can be said to be an important device leading to high integration of semiconductor devices.

종래의 노광 시스템은, 감광 재료의 광화학 반응을 유도하는 특정 파장의 빛 을 균일한 조도 분포로 발생하는 조명계와, 조명계로부터 발산되는 빛이 투영되는 마스크와, 마스크를 통해 형성된 소정의 패턴 영상을 집광하여 웨이퍼 표면에 도포된 감광 재료 상에 축소시켜 투영하는 렌즈 시스템으로 구성된다.Conventional exposure systems condense an illumination system that generates light of a particular wavelength with a uniform illuminance distribution that induces a photochemical reaction of a photosensitive material, a mask on which light emitted from the illumination system is projected, and a predetermined pattern image formed through the mask. And a lens system which projects by shrinking and projecting onto the photosensitive material applied to the wafer surface.

특히, 렌즈 시스템의 최종 렌즈와 반도체 기판 사에의 공간을 충전시키기 위하여 비교적 높은 굴절 지수를 가진 액체, 예컨대 물에 반도체 기판을 침지하는 방법이 제안되어 왔다. 이 방법은, 노광 방사선이 액체에서 보다 짧은 파장을 갖기 때문에 해상도(Resolution capability)가 향상될 수 있다. 도 1에는 종래의 침지식 노광 시스템의 개요를 도시하였다. 도 1에서, 도면 부호 10은 액상 굴절 물질(40)을 수용하는 용기를 가리키고, 도면 부호 12는 용기(10) 내부에 액상 굴절 물질(40)을 공급하는 인입관을 가리키며, 도면 부호 14는 용기(10) 외부로 액상 굴절 물질(40)을 배출하는 배출관을 가리킨다. 여기서, 용기(10)의 바닥에는 반도체 기판(W)이 안착되는 지지대(20)가 설치되어 있다. 그리고, 렌즈 시스템(30)의 일단이 액상 굴절 물질(40)을 개재하여 반도체 기판(W)의 상면과 근접하게 배치되어 있다.In particular, a method of immersing a semiconductor substrate in a liquid, such as water, having a relatively high refractive index has been proposed in order to fill the space between the final lens of the lens system and the semiconductor substrate. This method can improve resolution since exposure radiation has a shorter wavelength in the liquid. 1 shows an overview of a conventional immersion exposure system. In FIG. 1, reference numeral 10 denotes a vessel containing a liquid refractory material 40, reference numeral 12 denotes an inlet pipe for supplying a liquid refractory substance 40 inside the container 10, and reference numeral 14 denotes a container. (10) refers to the discharge pipe for discharging the liquid refractory material 40 to the outside. Here, the support 20 on which the semiconductor substrate W is mounted is provided in the bottom of the container 10. One end of the lens system 30 is disposed close to the upper surface of the semiconductor substrate W via the liquid refractive material 40.

이러한, 침지식 노광 시스템에서, 반도체 기판(W)은 액상 굴절 물질(40) 내에 침지되어 있다. 반도체 기판(W)에는 감광 재료가 도포되어 있는데, 이 감광 재료는 많은 유해 성분을 포함하고 있다. 따라서, 반도체 기판(W)이 노광되는 동안에 감광 재료에 포함된 많은 유해 성분들이 액상 굴절 물질 내부로 용해될 수 있다. 특히, 스텝 또는 스캔 방식에 의한 노광 시스템에서는 반도체 기판(W)이 수평 방향으로 이동하기 때문에, 반도체 기판(W)과 액상 굴절 물질(40) 사이의 마찰이 심해져서 보다 많은 유해 성분들이 빠른 속도로 용해되거나, 또는 감광 재료의 미세 파티클 등의 오염물이 이탈되어 액상 굴절 물질 내에 잔류하게 된다. 따라서, 액상 굴절 물질을 장시간 사용하게 되면 공정 효율이 저하될 수 있다. 또한, 종래의 액체 공급 장치에서는 한번 사용된 액상 굴절 물질을 별도로 보관한 뒤 이를 폐기하고 있으나, 만약 이 액상 굴절 물질을 그대로 방류하게 되면 심각한 환경 오염원으로 작용할 수 있다.In such an immersion exposure system, the semiconductor substrate W is immersed in the liquid refractive material 40. The photosensitive material is apply | coated to the semiconductor substrate W, This photosensitive material contains many harmful components. Therefore, many harmful components included in the photosensitive material may be dissolved into the liquid refractive material while the semiconductor substrate W is exposed. In particular, in the exposure system by the step or scan method, since the semiconductor substrate W is moved in the horizontal direction, friction between the semiconductor substrate W and the liquid refractive material 40 is increased so that more harmful components are rapidly generated. Dissolved or contaminants such as fine particles of the photosensitive material are released and remain in the liquid refractive material. Therefore, when the liquid refractive material is used for a long time, process efficiency may be reduced. In addition, in the conventional liquid supply apparatus, once used liquid refractory material is stored separately and then discarded, but if the liquid refractory material is discharged as it is, it may act as a serious environmental pollution source.

본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 액상 굴절 물질을 장시간 사용하더라도 오염으로 인한 공정 효율의 저하를 방지할 수 있는 침지식 노광 시스템용 액체 공급 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above-described problem, and an object of the present invention is to provide a liquid supply apparatus for an immersion type exposure system that can prevent a decrease in process efficiency due to contamination even when a liquid refractive material is used for a long time.

또한, 본 발명의 다른 목적은 상술한 액체 공급 장치를 포함하는 침지식 노광 시스템을 제공하는 것이다. 그리하여, 액상 굴절 물질 내부에 함유된 오염물이 제거되므로 공정 효율이 향상되고, 또한 액상 굴절 물질을 계속하여 사용할 수 있으므로 제조 비용이 절감될 수 있다.It is another object of the present invention to provide an immersion exposure system comprising the liquid supply apparatus described above. Thus, the contaminants contained in the liquid refractory material are removed, thereby improving process efficiency, and the manufacturing cost can be reduced because the liquid refractory material can be continuously used.

본 발명에 따른 침지식 노광 시스템용 액체 공급 장치는, 액상 굴절 물질을 수용하는 베쓰와, 상기 베쓰의 하면에 설치되고 그 위에 반도체 기판이 안착되는 지지대와, 상기 베쓰의 일측면에 설치되어 상기 베쓰 내부로 상기 액상 굴절 물질을 공급하는 인입관과, 상기 베쓰의 타측면에 설치되어 상기 베쓰 외부로 상기 액상 굴절 물질을 배출하는 배출관과, 상기 액상 굴절 물질을 상기 베쓰에 공급 및 배출하기 위하여 상기 액상 굴절 물질을 순환시키는 펌프와, 상기 순환되는 액상 굴절 물질 내에 포함된 오염물을 제거하는 오염물 제거 수단을 포함한다.The liquid supply apparatus for an immersion exposure system according to the present invention includes a bath for accommodating a liquid refractive material, a support installed on a bottom surface of the bath, and a semiconductor substrate mounted thereon, and a bath provided on one side of the bath. An inlet pipe for supplying the liquid refractive material to the inside, a discharge pipe disposed on the other side of the bath to discharge the liquid refractive material to the outside of the bath, and the liquid to supply and discharge the liquid refractive material to the bath And a pump for circulating the refractive material and contaminant removal means for removing contaminants contained in the circulated liquid refractory material.

또한, 본 발명에 따른 침지식 노광 시스템은, 감광 재료의 광화학 반응을 유도하는 특정 파장의 빛을 발생하는 조명계; 상기 조명계로부터 발산되는 빛이 투영되는 마스크; 상기 마스크를 통해 형성된 소정의 패턴 영상을 집광하여 반도체 기판의 표면에 도포된 상기 감광 재료 상에 축소시켜 투영하는 렌즈부; 및 상기 렌즈부의 일단과 상기 반도체 기판 사이에 액상 굴절 물질을 공급하는 액상 공급 장치;를 포함하는데, 여기서 액상 공급 장치는, 상기 액상 굴절 물질을 수용하는 베쓰; 상기 베쓰의 하면에 설치되고 그 위에 상기 반도체 기판이 안착되는 지지대; 상기 베쓰의 일측면에 설치되어 상기 베쓰 내부로 상기 액상 굴절 물질을 공급하는 인입관; 상기 베쓰의 타측면에 설치되어 상기 베쓰 외부로 상기 액상 굴절 물질을 배출하는 배출관; 상기 액상 굴절 물질을 상기 베쓰에 공급 및 배출하기 위하여 상기 액상 굴절 물질을 순환시키는 펌프; 및 상기 순환되는 액상 굴절 물질 내에 포함된 오염물을 제거하는 오염물 제거 수단;을 포함한다.In addition, the immersion exposure system according to the present invention includes an illumination system for generating light of a specific wavelength inducing a photochemical reaction of the photosensitive material; A mask on which light emitted from the illumination system is projected; A lens unit for condensing and projecting a predetermined pattern image formed through the mask on the photosensitive material applied to a surface of a semiconductor substrate; And a liquid supply device for supplying a liquid refractive material between one end of the lens unit and the semiconductor substrate, wherein the liquid supply device includes: a bath that accommodates the liquid refractive material; A support installed on the bottom surface of the bath and on which the semiconductor substrate is mounted; An inlet pipe installed on one side of the bath to supply the liquid refractive material to the inside of the bath; A discharge pipe installed at the other side of the bath to discharge the liquid refractive material to the outside of the bath; A pump for circulating the liquid refractive material to supply and discharge the liquid refractive material to the bath; And contaminant removal means for removing contaminants contained in the circulating liquid refractory material.

이하에서는, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 침지식 노광 시스템용 액체 공급 장치의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a preferred embodiment of the liquid supply apparatus for an immersion exposure system according to the present invention.

도 2를 참조하면, 굴절 매체로서 비교적 높은 굴절 지수를 가지는 액상의 굴절 물질(40)이 베쓰(10)에 수용된다. 액상 굴절 물질(40)로는 예컨대, 물 또는 기름이 사용될 수 있으며, 액상 굴절 물질(40) 내에서는 노광 시스템의 렌즈 시스템(30)으로부터 입사되는 빛이 원래의 파장보다 더 작은 유효 파장으로 변하게 된다. Referring to FIG. 2, a liquid refractive material 40 having a relatively high refractive index as a refractive medium is accommodated in the bath 10. For example, water or oil may be used as the liquid refractive material 40, and in the liquid refractive material 40, light incident from the lens system 30 of the exposure system is changed to an effective wavelength smaller than the original wavelength.

한편, 베쓰(10)의 바닥에는 반도체 기판(W)이 안착될 수 있는 지지대(20)가 설치된다. 또한, 렌즈 시스템(30)의 일단이 액상 굴절 물질(40) 내에 침지된다. 따라서, 렌즈 시스템(30)의 최종 렌즈와 반도체 기판(W) 사이에는 액상 굴절 물질(40)이 개재된다.Meanwhile, a support 20 on which the semiconductor substrate W may be seated is installed at the bottom of the bath 10. In addition, one end of the lens system 30 is immersed in the liquid refractive material 40. Therefore, the liquid refractive material 40 is interposed between the final lens of the lens system 30 and the semiconductor substrate W.

그리고, 베쓰(10)의 일측면에는 인입관(12)이 설치되어 있다. 이 인입관(12)를 통해 액상 굴절 물질이 베쓰(10) 내부로 인입될 수 있다. 또한, 베쓰(10)의 타측면에는 배출관(14)이 설치되어 있다. 이 배출관(14)을 통해 액상 굴절 물질(40)이 베쓰(10)의 외부로 배출될 수 있다.And an inlet pipe 12 is provided on one side of the bath 10. The liquid refractive material may be introduced into the bath 10 through the inlet pipe 12. In addition, the discharge pipe 14 is provided on the other side of the bath 10. The liquid refractory material 40 may be discharged to the outside of the bath 10 through the discharge pipe 14.

액상 굴절 물질(40)은 일정한 유속으로 베쓰(10) 내부를 통과하게 되는데, 배출관(14)으로부터 배출된 액상 굴절 물질(40)은 펌프(44)에 의하여 인입관(12)을 거쳐 다시 베쓰(10) 내부로 인입된다. 즉, 액상 굴절 물질(40)은 펌프(44)에 의해서 순환된다. 이러한 액상 굴절 물질(40)의 순환 라인 중에 액상 굴절 물질(40)에 함유된 오염물을 제거하는 오염물 제거 수단(42)이 개재된다. 오염물 제거 수단(42)은 필터링(filtering), 흡착(adsorption), 증류(distillation) 또는 추출(extraction) 방식 중 어느 하나의 방식을 이용한 여과 장치로 구성될 수 있다. The liquid refractory material 40 passes through the interior of the bath 10 at a constant flow rate, and the liquid refractory material 40 discharged from the discharge pipe 14 passes through the inlet pipe 12 by the pump 44 again. 10) It is drawn inside. That is, the liquid refractory material 40 is circulated by the pump 44. Contaminant removal means 42 for removing contaminants contained in the liquid refractive material 40 is interposed in the circulation line of the liquid refractive material 40. The contaminant removing means 42 may be constituted by a filtration device using any one of filtering, adsorption, distillation or extraction.

이와 같이 구성된 침지식 노광 시스템용 액체 공급 장치에서는, 반도체 기판위에 도포된 감광 재료로 인해 액상 굴절 물질이 오염되는 경우에도, 액상 굴절 물질을 교환하지 않고 계속적으로 사용할 수 있다. 즉, 액상 굴절 물질의 순환 라인 중에 설치된 오염물 제거 수단에 의해 액상 굴절 물질 속에 용해된 감광 재료의 유 해 성분 및/또는 감광 재료의 파티클(Particle)을 용이하게 제거할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 액체 공급 장치가 설치된 노광 시스템을 사용하면, 액상 굴절 물질을 장시간 반복하여 사용하는 것이 가능하게 된다. 그러므로, 액상 굴절 물질을 여러번 교체 사용하는 것에 비하여 제조 비용을 절감할 수 있으며, 액상 굴절 물질의 반복 사용으로 인해 공정 효율이 저하되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.In the liquid supply apparatus for the immersion exposure system configured as described above, even when the liquid refractive substance is contaminated by the photosensitive material applied on the semiconductor substrate, the liquid refractive substance can be continuously used without replacing the liquid refractive substance. That is, it is possible to easily remove the harmful component of the photosensitive material and / or the particles of the photosensitive material by the contaminant removing means installed in the circulation line of the liquid refractive material. Therefore, when using the exposure system provided with the liquid supply apparatus which concerns on this invention, it becomes possible to repeatedly use a liquid refractive substance for a long time. Therefore, the manufacturing cost can be reduced as compared with the replacement of the liquid refractive material many times, and the process efficiency can be effectively prevented from being lowered due to the repeated use of the liquid refractive material.

지금까지 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위 내에서 변형된 형태로 구현할 수 있을 것이다. 그러므로 여기서 설명한 본 발명의 실시예는 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 하고, 본 발명의 범위는 상술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Although a preferred embodiment of the present invention has been described so far, those skilled in the art will be able to implement in a modified form without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments of the present invention described herein are to be considered in descriptive sense only and not for purposes of limitation. Should be interpreted as being included in.

Claims (4)

침지식 노광 시스템에 사용되는 액체 공급 장치로서,A liquid supply device used for an immersion exposure system, 액상 굴절 물질을 수용하는 베쓰와,A bath containing a liquid refractive material, 상기 베쓰의 하면에 설치되고 그 위에 반도체 기판이 안착되는 지지대와,A support installed on a bottom surface of the bath and on which a semiconductor substrate is mounted; 상기 베쓰의 일측면에 설치되어 상기 베쓰 내부로 상기 액상 굴절 물질을 공급하는 인입관과,An inlet pipe installed on one side of the bath to supply the liquid refractive material to the inside of the bath; 상기 베쓰의 타측면에 설치되어 상기 베쓰 외부로 상기 액상 굴절 물질을 배출하는 배출관과,A discharge pipe installed at the other side of the bath to discharge the liquid refractive material to the outside of the bath; 상기 액상 굴절 물질을 상기 베쓰에 공급 및 배출하기 위하여 상기 액상 굴절 물질을 순환시키는 펌프와,A pump for circulating the liquid refractive material to supply and discharge the liquid refractive material to the bath; 상기 순환되는 액상 굴절 물질 내에 포함된 오염물을 제거하는 오염물 제거 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 액체 공급 장치.And contaminant removal means for removing contaminants contained in the circulating liquid refractory material. 제1항에서,In claim 1, 상기 오염물 제거 수단은 필터링(filtering), 흡착(adsorption), 증류(distillation) 또는 추출(extraction) 방식 중 어느 하나의 방식을 이용한 여과 장치인 것을 특징으로 하는 액체 공급 장치.And said contaminant removing means is a filtration device using any one of filtering, adsorption, distillation or extraction. 감광 재료의 광화학 반응을 유도하는 특정 파장의 빛을 발생하는 조명계; 상기 조명계로부터 발산되는 빛이 투영되는 마스크; 상기 마스크를 통해 형성된 소정의 패턴 영상을 집광하여 반도체 기판의 표면에 도포된 상기 감광 재료 상에 축소시켜 투영하는 렌즈부; 및 상기 렌즈부의 일단과 상기 반도체 기판 사이에 액상 굴절 물질을 공급하는 액상 공급 장치;를 포함하는 노광 시스템으로서,An illumination system for generating light of a specific wavelength inducing a photochemical reaction of the photosensitive material; A mask on which light emitted from the illumination system is projected; A lens unit for condensing and projecting a predetermined pattern image formed through the mask on the photosensitive material applied to a surface of a semiconductor substrate; And a liquid supply device for supplying a liquid refractive material between one end of the lens unit and the semiconductor substrate. 상기 액상 공급 장치는, The liquid supply device, 상기 액상 굴절 물질을 수용하는 베쓰;A bath containing the liquid refractive material; 상기 베쓰의 하면에 설치되고 그 위에 상기 반도체 기판이 안착되는 지지대;A support installed on the bottom surface of the bath and on which the semiconductor substrate is mounted; 상기 베쓰의 일측면에 설치되어 상기 베쓰 내부로 상기 액상 굴절 물질을 공급하는 인입관;An inlet pipe installed on one side of the bath to supply the liquid refractive material to the inside of the bath; 상기 베쓰의 타측면에 설치되어 상기 베쓰 외부로 상기 액상 굴절 물질을 배출하는 배출관;A discharge pipe installed at the other side of the bath to discharge the liquid refractive material to the outside of the bath; 상기 액상 굴절 물질을 상기 베쓰에 공급 및 배출하기 위하여 상기 액상 굴절 물질을 순환시키는 펌프; 및A pump for circulating the liquid refractive material to supply and discharge the liquid refractive material to the bath; And 상기 순환되는 액상 굴절 물질 내에 포함된 오염물을 제거하는 오염물 제거 수단;을 포함하는 것을 특징으로 노광 시스템.And contaminant removal means for removing contaminants contained in the circulating liquid refractory material. 제3항에서,In claim 3, 상기 오염물 제거 수단은 필터링(filtering), 흡착(adsorption), 증류(distillation) 또는 추출(extraction) 방식 중 어느 하나의 방식을 이용한 여과 장치인 것을 특징으로 하는 노광 시스템.And said contaminant removal means is a filtration device using any one of filtering, adsorption, distillation or extraction.
KR1020050070621A 2005-08-02 2005-08-02 Apparatus for providing a liquid, and exposing system including the same KR100609220B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050070621A KR100609220B1 (en) 2005-08-02 2005-08-02 Apparatus for providing a liquid, and exposing system including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050070621A KR100609220B1 (en) 2005-08-02 2005-08-02 Apparatus for providing a liquid, and exposing system including the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100609220B1 true KR100609220B1 (en) 2006-08-02

Family

ID=37184891

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050070621A KR100609220B1 (en) 2005-08-02 2005-08-02 Apparatus for providing a liquid, and exposing system including the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100609220B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR940022715A (en) * 1993-03-05 1994-10-21 김광호 Solution supply device for semiconductor manufacturing
JP2004273613A (en) 2003-03-06 2004-09-30 Seiko Epson Corp Resist coater and semiconductor device
JP2005085789A (en) 2003-09-04 2005-03-31 Canon Inc Exposure apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR940022715A (en) * 1993-03-05 1994-10-21 김광호 Solution supply device for semiconductor manufacturing
JP2004273613A (en) 2003-03-06 2004-09-30 Seiko Epson Corp Resist coater and semiconductor device
JP2005085789A (en) 2003-09-04 2005-03-31 Canon Inc Exposure apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101213283B1 (en) Immersion photolithography system
JP4938424B2 (en) Method for preventing or reducing contamination of an immersion projection apparatus and immersion lithography apparatus
JP5331472B2 (en) Immersion lithography equipment
JP5653839B2 (en) Immersion type lithographic apparatus, method for preventing or reducing contamination thereof, and device manufacturing method
JP5027749B2 (en) Lithographic apparatus and method for illuminating the underside of a liquid supply system
KR101005511B1 (en) Lithographic apparatus and method of cleaning a lithographic apparatus
KR101155069B1 (en) Substrates and methods of using those substrates
KR101160949B1 (en) Lithographic apparatus and a method of removing contamination
JP2010183119A (en) Immersion photolithography system using inverted wafer-projection optics interface
CN1637608A (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW200707562A (en) Contaminant removal apparatus and method therefor
KR100609220B1 (en) Apparatus for providing a liquid, and exposing system including the same
KR20070037876A (en) Lithography apparatus
KR102406939B1 (en) Optical systems for microlithography
JP2009182328A (en) Immersion lithography apparatus
JP2006019585A (en) Aligner, its method, and substrate processing equipment
KR20080012477A (en) Apparatus and method using immersion lithography
KR100727848B1 (en) Apparatus for exposing the edge of a substrate
US7978303B2 (en) Method for removing micro-bubbles and/or particles from liquid, liquid supply apparatus and immersion exposure apparatus
KR20080101199A (en) Immersion lithography apparatus and method for fabricating semiconductor device with the same
JP2008192913A (en) Cleaning member for immersion exposure device, and cleaning method using the same
KR20060032883A (en) Exposure device for immersion lithography

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee