KR20060032883A - Exposure device for immersion lithography - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이머젼 리소그래피용 노광 장치에 관한 것으로서, 특히 노광 광원을 집광해주는 콘덴서 렌즈와, 콘덴서 렌즈의 하부에 웨이퍼로 광을 집광해주는 프로젝션 렌즈와, 콘덴서 렌즈와 프로젝션 렌즈 사이에 웨이퍼를 패터닝하기 위한 패턴을 갖는 레티클과, 프로젝션 렌즈와 웨이퍼 사이에 설치되며 광 굴절율이 1보다 큰 이머젼 물질층이 순환되는 투과용 툴을 구비한다. 그러므로 본 발명은 프로젝션 렌즈와 웨이퍼 사이에 이머젼 물질층이 순환되는 투과용 툴을 추가함으로써 웨이퍼와 이머젼 물질층이 직접 닿아 발생하게 되는 마이크로 버블 현상과, 웨이퍼 스테이지, 웨이퍼, 프로젝션 렌즈 표면 등의 오염을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 이로 인해 노광 공정의 마아진을 향상시킬 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus for immersion lithography, and more particularly, to a condenser lens for condensing an exposure light source, a projection lens for condensing light onto a wafer under the condenser lens, and a pattern for patterning a wafer between the condenser lens and the projection lens. And a transmission tool installed between the projection lens and the wafer and having a layer of the immersion material having a light refractive index greater than one. Therefore, the present invention provides a microbubble phenomenon caused by the direct contact between the wafer and the immersion material layer by adding a transmission tool through which the immersion material layer is circulated between the projection lens and the wafer, and the contamination of the wafer stage, the wafer, and the projection lens surface. Not only can this be reduced, but this also improves the margin of the exposure process.

이머젼 리소그래피, 프로젝션 렌즈, 웨이퍼, 이머젼 물질층 Immersion lithography, projection lenses, wafers, immersion material layers

Description

이머젼 리소그래피용 노광 장치{Exposure device for immersion lithography} Exposure device for immersion lithography             

도 1은 종래 기술에 의한 리소그래피용 노광 장치의 개략적인 구조를 나타낸 도면,1 shows a schematic structure of a lithographic exposure apparatus according to the prior art;

도 2는 본 발명에 따른 이머젼 리소그래피용 노광 장치의 개략적인 구조를 나타낸 도면,2 shows a schematic structure of an exposure apparatus for immersion lithography according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따른 이머젼 리소그래피용 노광 장치에 구성된 이머젼 툴을 나타낸 도면.3 shows an immersion tool configured in an exposure apparatus for immersion lithography according to the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

100 : 노광 장치 102 : 광원100 exposure apparatus 102 light source

104 : 콘덴서 렌즈 106 : 레티클104: condenser lens 106: reticle

107, 132 : 패턴 108 : 프로젝션 렌즈 107, 132: Pattern 108: Projection Lens

110 : 투과용 툴 112 : 이미젼 물질110: penetrating tool 112: image material

120 : 레이저 광 130 : 웨이퍼 120: laser light 130: wafer

140 : 웨이퍼 스테이지 150 : 이머젼 물질 공급부140: wafer stage 150: immersion material supply portion

152 : 이머젼 물질 배출부
152: immersion material discharge unit

본 발명은 리소그래피용 노광 장치에 관한 것으로서, 특히 해상력 및 공정 마아진을 향상시킬 수 있는 이머젼 리소그래피(immersion lithography)용 노광 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus for lithography, and more particularly to an exposure apparatus for immersion lithography capable of improving resolution and process margins.

반도체 장치의 고집적화, 고밀도화 추세에 따라 좀더 미세한 패턴을 형성하기 위하여 높은 해상력을 구현하는 포토리소그래피 기술이 연구, 개발되고 있다. k1을 프로세스에 대응한 정수, 노광 빛의 파장을 ??, 노광 장치의 렌즈 개구수를 NA라고 할 경우 다음 수학식 1과 같이 노광 장치의 해상력(R)이 정의된다.In accordance with the trend of higher integration and higher density of semiconductor devices, photolithography techniques for realizing high resolution have been researched and developed. When k1 is an integer corresponding to the process, the wavelength of exposure light is ??, and the lens numerical aperture of the exposure apparatus is NA, the resolution R of the exposure apparatus is defined as in the following equation (1).

R=k1 CDOT {lambda over NA} R = k1 CDOT {lambda over NA}

상기 수학식 1에서 알 수 있듯이 높은 해상력을 얻기 위해서는 노광 장치의 렌즈 개구수 NA가 높아져야 하고 노광 광원의 파장이 짧아져야 한다. 이로 인해 실제 노광 장치에 사용되는 노광 빛의 파장이 I선(365nm)에서부터 KrF 엑시머 레이저(248nm), ArF 엑시머 레이저(193nm) 등으로 점차 단파장화 되고 있다.As can be seen from Equation 1, in order to obtain high resolution, the lens numerical aperture NA of the exposure apparatus must be high and the wavelength of the exposure light source must be shortened. For this reason, the wavelength of the exposure light used for the actual exposure apparatus is gradually shortened from I line (365 nm) to KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm) and the like.

도 1은 종래 기술에 의한 리소그래피용 노광 장치의 개략적인 구조를 나타낸 도면이다.1 shows a schematic structure of a lithographic exposure apparatus according to the prior art.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래 노광 장치(20)는 노광 광원(22)인 레이저광(30)을 집광해주는 콘덴서 렌즈(condenser lens)(24)와, 콘덴서 렌즈(24)의 하부에 웨이퍼(40)로 광을 집광해주는 프로젝션 렌즈(28)와, 콘덴서 렌즈(24)와 프로젝션 렌즈(28) 사이에서 웨이퍼(40)의 레지스트(42)를 패터닝하기 위한 패턴(27)을 갖는 레티클(reticle)(26)을 포함한다. 미설명된 도면 부호 50은 웨이퍼(40)가 안착되어 이동하는 웨이퍼 스테이지를 나타낸 것이다. As shown in FIG. 1, the conventional exposure apparatus 20 includes a condenser lens 24 for condensing a laser light 30, which is an exposure light source 22, and a wafer under the condenser lens 24. A reticle having a projection lens 28 for condensing light with 40 and a pattern 27 for patterning the resist 42 of the wafer 40 between the condenser lens 24 and the projection lens 28. (26). Unexplained reference numeral 50 denotes a wafer stage in which the wafer 40 is seated and moved.

이와 같이 구성된 종래 노광 장치(20)는 노광 광원(22)인 레이저광(30)이 콘덴서 렌즈(24)를 거쳐 집광되어 레티클(26)을 통과한 후에 프로젝션 렌즈(28)를 통하여 레지스트(42)가 도포된 웨이퍼(40)에 조사된다. 이에 따라 레티클(26)에 형성된 패턴(27)이 웨이퍼(40) 상의 레지스트(42)에 그대로 투영된다.The conventional exposure apparatus 20 configured as described above has a resist 42 through the projection lens 28 after the laser light 30, which is the exposure light source 22, is focused through the condenser lens 24 and passes through the reticle 26. Is irradiated onto the coated wafer 40. As a result, the pattern 27 formed on the reticle 26 is projected onto the resist 42 on the wafer 40 as it is.

이와 같은 노광 장치를 이용하여 웨이퍼 상에 노광 공정을 진행하게 되면, 콘텐서 렌즈(24)와 레티클(26)을 통과하는 레이저 광은 회절 성분에 의하여 0차 및 고차광(예컨대 ㅁ 1차, ㅁ 3차 등)으로 회절된다. 이렇게 회절된 레이저 광의 0차광은 빛의 세기(intensity)를 나타내며 나머지 고차광(ㅁ 1차, ㅁ 3차 등)은 레티클 패턴의 정보를 가지게 되는데, 고차광이 프로젝션 렌즈에 집광되어야만 웨이퍼의 레지스트에 원하는 패턴을 구현할 수 있다.When the exposure process is performed on the wafer using such an exposure apparatus, the laser light passing through the condenser lens 24 and the reticle 26 is subjected to zero order and high order light (e.g.,? Third order, etc.). The zero-order light of the diffracted laser light indicates the intensity of light, and the remaining high-order light (1st order, 3rd order, etc.) has the information of the reticle pattern.High-lightness is focused on the projection lens. You can implement any pattern you like.

그런데, 반도체 소자의 고집적화에 따라 미세화되고 있는 패턴의 임계 치수(CD)를 정확하게 구현하기 위한 기술로서 이머젼 리소그래피 기술이 등장하게 되었다.However, immersion lithography has emerged as a technique for accurately realizing a critical dimension (CD) of a pattern that is being miniaturized with high integration of semiconductor devices.

이머젼 리소그래피는 노광 광원인 레이저광 파장에 대한 굴절률이 공기 또는 진공 상태의 굴절률 1보다 큰 이머젼 물질층을 프로젝션 렌즈와 웨이퍼 사이에 형 성함으로써 프로젝션 렌즈를 통하여 입사되는 빛이 웨이퍼에 도달하기 전에 이머젼 물질층을 통과하여 레이저광의 유효 파장을 보다 짧게 하여 해상력을 증가시키는 기술이다. 이때 이머젼 물질층은 물이나 PETE와 같은 액상 물질을 이용하는데, 통상적으로 물의 굴절률이 1.3, 그리고 PETE의 굴절률이 1.5정도이다.Immersion lithography forms an layer of an immersion material between the projection lens and the wafer with a refractive index of greater than 1 in air or vacuum in the laser light wavelength, which is an exposure light source, so that the light incident through the projection lens reaches the wafer before it reaches the wafer. It is a technique of increasing the resolution by shortening the effective wavelength of laser light through a layer. At this time, the immersion material layer uses a liquid material such as water or PETE. Typically, the refractive index of water is 1.3 and the refractive index of PETE is about 1.5.

이러한 이머젼 리소그래피 기술을 적용한 노광 공정은 한 필드나 조금 더 크게 이머젼 물질을 프로젝션 렌즈와 웨이퍼 사이에 소량 공급, 회수하는데, 좀더 상세하게는 한 샷 노광하고 다른 샷으로 웨이퍼 스테이지를 이동하면서 이머젼 물질을 공급하고 노광한 후에 이를 회수하는 과정을 반복하게 된다.The exposure process using this immersion lithography technology supplies and recovers a small amount of immersion material between the projection lens and the wafer in one field or a little larger. More specifically, it exposes one shot and moves the wafer stage to another shot to supply the immersion material. After the exposure, the process of recovering the same is repeated.

이렇게 이머젼 물질을 웨이퍼 상에서 수백 번을 공급, 회수하는 과정을 반복하게 되면, 웨이퍼의 토포로지때문에 그 경계면에서 마이크로 버블이 발생하게 된다. 마이크로 버블은 웨이퍼에 입사되는 레이저광을 산란시켜 레지스트의 패터닝을 열화시키게 된다.When the immersion material is repeatedly supplied and recovered hundreds of times on the wafer, microbubbles are generated at the interface due to the wafer topology. The microbubbles scatter laser light incident on the wafer and degrade the patterning of the resist.

또한 반복적으로 공급, 회수되는 이머젼 물질층은 노광 장치의 웨이퍼 스테이지, 웨이퍼 상하부 그리고 프로젝션 렌즈의 표면을 오염시킬 수 있으며 이머젼 물질층의 흐름 또는 흔들림으로 인해 노광 공정의 공정 마아진을 저하시키는 원인으로 작용하는 문제점이 있다.
In addition, the immersion material layer repeatedly supplied and recovered may contaminate the surfaces of the wafer stage, the upper and lower surfaces of the exposure apparatus, and the projection lens, and may act as a cause of lowering the process margin of the exposure process due to the flow or shaking of the immersion material layer. There is a problem.

본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 프로젝션 렌즈와 웨이퍼 사이에 이머젼 물질층이 순환되는 투과용 툴을 추가함으로써 웨이퍼와 이머젼 물질층이 직접 닿아 발생하게 되는 마이크로 버블 현상과, 웨이퍼 스테이지, 웨이퍼, 프로젝션 렌즈 표면 등의 오염을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 이로 인해 노광 공정의 마아진을 향상시킬 수 있는 이머젼 리소그래피용 노광 장치를 제공하는데 있다.
An object of the present invention is to solve the problems of the prior art by the microbubble phenomenon that the wafer and the immersion material layer is directly contacted by adding a transmission tool through which the immersion material layer is circulated between the projection lens and the wafer, The present invention provides an exposure apparatus for immersion lithography that can reduce contamination of a wafer stage, a wafer, a projection lens surface, and the like, thereby improving margin of an exposure process.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 노광 장치에 있어서, 노광 광원을 집광해주는 콘덴서 렌즈와, 콘덴서 렌즈의 하부에 웨이퍼로 광을 집광해주는 프로젝션 렌즈와, 콘덴서 렌즈와 프로젝션 렌즈 사이에 웨이퍼를 패터닝하기 위한 패턴을 갖는 레티클과, 프로젝션 렌즈와 웨이퍼 사이에 설치되며 광 굴절율이 1보다 큰 이머젼 물질층이 순환되는 투과용 툴을 구비한다.In order to achieve the above object, the present invention provides an exposure apparatus, comprising a condenser lens for condensing an exposure light source, a projection lens for condensing light onto a wafer under the condenser lens, and a pattern for patterning a wafer between the condenser lens and the projection lens. And a reticle having a pattern, and a transmission tool installed between the projection lens and the wafer and through which the immersion material layer having a light refractive index greater than one is circulated.

본 발명에 따르면, 프로젝션 렌즈와 웨이퍼 사이에 이머젼 물질층이 순환되는 투과용 툴이 추가됨으로써 이머젼 물질층에 의해 웨이퍼에 도달되는 레이저광의 유효 파장이 짧아져 해상력이 증가될 뿐만 아니라 이머젼 물질층이 프로젝션 렌즈와 웨이퍼에 직접 닿지 않아 마이크로 버블 현상 및 오염 문제를 줄일 수 있다.
According to the present invention, the addition of a transmission tool through which the immersion material layer is circulated between the projection lens and the wafer shortens the effective wavelength of the laser light reaching the wafer by the immersion material layer, thereby increasing the resolution and projecting the immersion material layer. Direct contact with the lens and wafer reduces microbubbles and contamination.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 이머젼 리소그래피용 노광 장치의 개략적인 구조를 나타낸 도면이다. 2 shows a schematic structure of an exposure apparatus for immersion lithography according to the present invention.                     

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 노광 장치(100)는 노광 광원(102)인 레이저광(120)을 집광해주는 콘덴서 렌즈(104)와, 콘덴서 렌즈(104)의 하부에 웨이퍼(130)로 광을 집광해주는 프로젝션 렌즈(108)와, 콘덴서 렌즈(104)와 프로젝션 렌즈(108) 사이에서 웨이퍼(130)의 레지스트(132)를 패터닝하기 위한 패턴(107)을 갖는 레티클(106)과, 프로젝션 렌즈(108)와 웨이퍼(130) 사이에 설치되며 광 굴절율이 1보다 큰 이머젼 물질층(미도시됨)이 순환되는 투과용 툴(110)을 포함한다. 미설명된 도면 부호 140은 웨이퍼(130)가 안착되어 이동하는 웨이퍼 스테이지를 나타낸 것이다. As shown in FIG. 2, the exposure apparatus 100 according to the present invention includes a condenser lens 104 for condensing a laser light 120, which is an exposure light source 102, and a wafer 130 below the condenser lens 104. A reticle 106 having a projection lens 108 for condensing light with a pattern, and a pattern 107 for patterning the resist 132 of the wafer 130 between the condenser lens 104 and the projection lens 108. And a transmission tool 110 installed between the projection lens 108 and the wafer 130 and circulating an immersion material layer (not shown) having a light refractive index greater than one. Unexplained reference numeral 140 denotes a wafer stage on which the wafer 130 is seated and moved.

본 발명에 따른 투과용 툴(110)은 광 투과율이 100%인 유리 등으로 이루어진다. 그리고 도 3에 도시된 바와 같이, 투과용 툴(110)은 이머젼 물질(112)이 공급되는 이머젼 물질 공급부(150)와 이머젼 물질(112)이 배출되는 이머젼 물질 배출부(152)와 연결되어 노광 공정시 툴 내부에서 이머젼 물질층(112)이 계속 순환된다. 이때 이머젼 물질층(112)은 광 굴절률이 1.3인 물이나 1.5인 PETE와 같은 액체 물질을 이용한다.The transmission tool 110 according to the present invention is made of glass or the like having a light transmittance of 100%. As shown in FIG. 3, the transmission tool 110 is connected to the immersion material supply unit 150 through which the immersion material 112 is supplied and the immersion material discharge unit 152 through which the immersion material 112 is discharged. During the process, the immersion material layer 112 continues to circulate within the tool. In this case, the immersion material layer 112 uses a liquid material such as water having an optical refractive index of 1.3 or PETE having 1.5.

이와 같이 구성된 본 발명에 따른 노광 장치는 노광 광원(102)인 레이저광(120)이 콘덴서 렌즈(104)를 거쳐 집광되어 레티클(106)을 통과한 후에 프로젝션 렌즈(108)와 투과용 툴(110)을 통하여 레지스트(132)가 도포된 웨이퍼(130)에 조사되어 레티클(106)의 패턴(107)이 웨이퍼(130) 상의 레지스트(132)에 그대로 투영된다.The exposure apparatus according to the present invention configured as described above has the projection lens 108 and the transmission tool 110 after the laser light 120 that is the exposure light source 102 is focused through the condenser lens 104 and passes through the reticle 106. The resist 132 is irradiated onto the coated wafer 130, so that the pattern 107 of the reticle 106 is projected onto the resist 132 on the wafer 130 as it is.

좀더 상세하게, 본 발명의 노광 장치는 프로젝션 렌즈와 웨이퍼 사이에 이머 젼 물질 공급부(150) 및 배출부(152)에 의해 이머젼 물질층이 순환되는 투과용 툴(110)이 추가됨으로써 프로젝션 렌즈(108)를 통과한 레이저 광(120)이 투과용 툴(110)의 이머젼 물질층(112)에 의해 유효 파장이 짧아져 웨이퍼(130)의 레지스트에 투영되는 패턴의 해상력이 증가하게 된다. 이때, 투과용 툴(110)과 웨이퍼(130) 사이의 거리가 짧기 때문에 웨이퍼(130)로 입사되는 레이저광(120)이 굴절되지 않고 입사된다. More specifically, the exposure apparatus of the present invention provides a projection lens 108 by adding a transmission tool 110 through which the immersion material layer is circulated by the immersion material supply unit 150 and the discharge unit 152 between the projection lens and the wafer. ), The effective wavelength is shortened by the immersion material layer 112 of the transmission tool 110 to increase the resolution of the pattern projected onto the resist of the wafer 130. At this time, since the distance between the transmission tool 110 and the wafer 130 is short, the laser light 120 incident on the wafer 130 is incident without being refracted.

또 본 발명은 이머젼 물질층(112)이 투과용 툴(110)에 의해 프로젝션 렌즈(108)와 웨이퍼(130)와 직접 닿지 않아 웨이퍼 스테이지(140), 웨이퍼(130), 프로젝션 렌즈(108) 표면 등의 오염을 줄일 수 있다.In addition, since the immersion material layer 112 does not directly contact the projection lens 108 and the wafer 130 by the transmissive tool 110, the surface of the wafer stage 140, the wafer 130, and the projection lens 108 may be reduced. This can reduce contamination.

또한 본 발명은 한샷 노광하고 다른 샷으로 웨이퍼 스테이지(140)를 이동하면서 투과용 툴(110)에 이머젼 물질층의 공급, 배출하는 순환 과정을 계속하면서 노광 공정을 진행할 수 있기 때문에 연속적인 노광에 의해 이머젼 물질층이 히팅되지 않고 일정한 온도로 유지된다.In addition, since the present invention can proceed with the exposure process while continuing the cycle of supplying and discharging the immersion material layer to the transmission tool 110 while moving the wafer stage 140 to one shot exposure and another shot, the continuous exposure is performed. The immersion material layer is not heated and is kept at a constant temperature.

또한 종래 이머젼 물질층(112)이 웨이퍼(130)에 직접 닿은 상태에서 웨이퍼 스테이지(140)가 움직일 경우 웨이퍼 토포로지로 인해 마이크로 버블 현상이 발생되었으나, 본 발명에서는 유리 등의 투과용 툴(110)에 의해 이머젼 물질층이 웨이퍼(130)에 닿지 않기 때문에 레이저광을 산란시키는 마이크로 버블 현상을 방지하면서 이머젼 물질층의 흐름 또는 흔들림으로 인한 노광 공정의 마아진 저하를 막을 수 있다.In addition, when the wafer stage 140 moves while the conventional immersion material layer 112 is in direct contact with the wafer 130, microbubble phenomenon occurs due to the wafer topology. Since the immersion material layer does not come into contact with the wafer 130, it is possible to prevent the microbubble phenomenon that scatters the laser light while preventing the margin of the exposure process due to the flow or shaking of the immersion material layer.

한편, 본 발명은 상술한 실시예에 국한되는 것이 아니라 후술되는 청구범위 에 기재된 본 발명의 기술적 사상과 범주내에서 당업자에 의해 여러 가지 변형이 가능하다.
On the other hand, the present invention is not limited to the above-described embodiment, various modifications are possible by those skilled in the art within the spirit and scope of the present invention described in the claims to be described later.

상기한 바와 같이, 본 발명은 프로젝션 렌즈와 웨이퍼 사이에 이머젼 물질층이 순환되는 투과용 툴을 추가함으로써 웨이퍼와 이머젼 물질층이 직접 닿아 발생하게 되는 마이크로 버블 현상과, 웨이퍼 스테이지, 웨이퍼, 프로젝션 렌즈 표면 등의 오염을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 이로 인해 노광 공정의 마아진을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention provides a microbubble phenomenon caused by the direct contact between the wafer and the immersion material layer by adding a transmission tool through which the immersion material layer is circulated between the projection lens and the wafer, and the wafer stage, the wafer, and the projection lens surface. In addition to reducing contamination such as this, there is an effect that can improve the margin of the exposure process.

Claims (4)

노광 장치에 있어서,In the exposure apparatus, 노광 광원을 집광해주는 콘덴서 렌즈;A condenser lens for condensing an exposure light source; 상기 콘덴서 렌즈의 하부에 웨이퍼로 광을 집광해주는 프로젝션 렌즈;A projection lens for condensing light onto a wafer under the condenser lens; 상기 콘덴서 렌즈와 상기 프로젝션 렌즈 사이에 웨이퍼를 패터닝하기 위한 패턴을 갖는 레티클; 및A reticle having a pattern for patterning a wafer between the condenser lens and the projection lens; And 상기 프로젝션 렌즈와 상기 웨이퍼 사이에 설치되며 광 굴절율이 1보다 큰 이머젼 물질층이 순환되는 투과용 툴을 구비하는 것을 특징으로 하는 이머젼 리소그래피용 노광 장치.And a transmission tool disposed between the projection lens and the wafer and having a layer of immersion material having a light refractive index greater than one. 제 1항에 있어서, 상기 투과용 툴은 광 투과율이 100%인 것을 특징으로 하는 이머젼 리소그래피용 노광 장치.The exposure apparatus for immersion lithography according to claim 1, wherein the transmission tool has a light transmittance of 100%. 제 2항에 있어서, 상기 투과용 툴은 유리로 이루어진 것을 특징으로 하는 이머젼 리소그래피용 노광 장치.The exposure apparatus for immersion lithography according to claim 2, wherein the transmission tool is made of glass. 제 1항에 있어서, 상기 투과용 툴은 상기 이머젼 물질층이 공급되는 이머젼 물질 공급부와 상기 이머젼 물질이 배출되는 이머젼 물질 배출부와 연결되는 것을 특징으로 하는 이머젼 리소그래피용 노광 장치.The exposure apparatus for immersion lithography according to claim 1, wherein the transmission tool is connected to an immersion material supply portion to which the immersion material layer is supplied, and an immersion material discharge portion to discharge the immersion material.
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