KR100608435B1 - Method for ashing the semiconductor device - Google Patents
Method for ashing the semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- KR100608435B1 KR100608435B1 KR1020040117385A KR20040117385A KR100608435B1 KR 100608435 B1 KR100608435 B1 KR 100608435B1 KR 1020040117385 A KR1020040117385 A KR 1020040117385A KR 20040117385 A KR20040117385 A KR 20040117385A KR 100608435 B1 KR100608435 B1 KR 100608435B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- sccm
- flow rate
- time
- seconds
- torr
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 애싱 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 컬러 포토레지스트를 제거하여 반도체 소자의 특성을 향상하는 반도체 소자의 애싱 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of ashing a semiconductor device, and more particularly, to a method of ashing a semiconductor device that removes a color photoresist to improve characteristics of the semiconductor device.
본 발명의 반도체 소자의 애싱 방법은 컬러 포토레지스트 제거를 위한 애싱 조건을 적용하여 블루, 그린 및 레드 포토레지스트를 제거함으로써 반도체 소자의 특성을 향상하는 효과가 있다.The ashing method of a semiconductor device of the present invention has an effect of improving characteristics of a semiconductor device by removing blue, green and red photoresist by applying an ashing condition for removing a color photoresist.
컬러 포토레지스트, 애싱Color photoresist, ashing
Description
도 1은 본 발명에 따른 컬러 포토레지스트의 구조를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing the structure of a color photoresist according to the present invention.
본 발명은 반도체 소자의 애싱 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 컬러 포토레지스트를 제거하여 반도체 소자의 특성을 향상하는 반도체 소자의 애싱 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of ashing a semiconductor device, and more particularly, to a method of ashing a semiconductor device that removes a color photoresist to improve characteristics of the semiconductor device.
근래에 정보 통신 분야의 급속한 발달과 컴퓨터와 같은 정보 매체가 널리 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 반도체 장치는 고속의 처리 속도와 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이에 따라, 반도체 장치의 제조 기술은 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 발전되고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, rapid progress in the field of information communication and the spread of information media such as computers have led to dramatic development of semiconductor devices. Semiconductor devices are required to have a high processing speed and a large storage capacity. Accordingly, the manufacturing technique of the semiconductor device has been developed in the direction of improving the degree of integration, reliability, and response speed.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 장치로 제조하기 위한 반도체 기판에 대하여 증착, 사진, 식각, 이온 주입, 연마, 세정 등의 단위 공정들을 반복적으로 수행함으로서 제조된다. 상기 단위 공정들 중 상기 식각 공정은 습식 식각 및 건식 식 각에 의해 수행할 수 있는데, 최근의 0.15㎛ 이하의 디자인 룰(design rule)을 요구하는 미세 패턴(pattern)을 형성하기 위한 식각은 주로 건식 식각에 의해 수행되고 있다.Generally, a semiconductor device is manufactured by repeatedly performing unit processes such as deposition, photo, etching, ion implantation, polishing, and cleaning on a semiconductor substrate for manufacturing a semiconductor device. Among the unit processes, the etching process can be performed by wet etching and dry etching. The etching for forming a fine pattern requiring a design rule of 0.15 μm or less in recent years is mainly performed by dry etching Is performed by etching.
상기 식각 및 이온 주입 공정은 상기 반도체 기판 상에 형성된 피가공막을 선택적으로 식각하기 위한 마스크(Mask)와 반도체 기판 상에 선택적으로 이온을 주입하기 위한 마스크가 필요하고, 상기 마스크는 반도체 기판 상에 포토레지스트 조성물을 도포하여 포토레지스트 막을 형성하는 공정과 상기 포토레지스트 막을 특정 패턴으로 형성하기 위한 노광 및 현상 공정을 통해 반도체 기판 상에 형성된다.The etching and ion implantation processes require a mask to selectively etch a workpiece film formed on the semiconductor substrate and a mask to selectively implant ions onto the semiconductor substrate, A resist composition is applied to form a photoresist film, and an exposure and development process to form the photoresist film in a specific pattern.
상기 식각 및 이온 주입 공정이 종료된 후에는 상기 마스크로 사용된 포토레지스트 막을 제거하는 애싱(Ashing) 공정이 수행되야 한다. 상기와 같은 애싱 공정은 반도체 기판 상에 형성되는 다층막들의 가공과 더불어 수차례 반복되어 수행된다.After the etching and ion implantation processes are completed, an ashing process for removing the photoresist film used as the mask must be performed. Such an ashing process is repeated several times with the processing of the multilayer films formed on the semiconductor substrate.
애싱 장치는 애싱 공정이 수행되는 공정 챔버의 상부에는 마이크로파(Microwave)에 의해 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 챔버가 구비되고, 공정 챔버의 내부에는 반도체 기판이 놓여지는 플레이트가 구비된다. 상기 플레이트의 내부에는 히터가 구비되어 상기 플레이트를 가열하고, 상기 플레이트가 반도체 기판을 공정 온도로 가열한다.In the ashing apparatus, a plasma generating chamber for generating plasma by microwave is provided on the upper part of the process chamber where the ashing process is performed, and a plate on which the semiconductor substrate is placed is provided in the process chamber. A heater is provided inside the plate to heat the plate, and the plate heats the semiconductor substrate to a process temperature.
상기 애싱 장치의 공정은 반도체 기판이 플레이트에 안착되면, 플레이트에 내장된 히터에 의해 가열된 플레이트가 반도체 기판을 가열하고, 공정 챔버의 내부는 진공 상태로 형성된다. 이어서, 플라즈마 발생 챔버에서 형성된 플라즈마 상태 의 산소 레디칼이 공정 챔버로 공급된다. 상기 산소 레디칼과 포토레지스트 막이 반응하여 포토레지스트 막이 제거된다.When the semiconductor substrate is placed on the plate, the plate heated by the heater incorporated in the plate heats the semiconductor substrate, and the inside of the process chamber is formed in a vacuum state. The oxygen radical of the plasma state formed in the plasma generating chamber is then supplied to the process chamber. The oxygen radical reacts with the photoresist film to remove the photoresist film.
상기와 같은 종래기술은 유도결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma, ICP) 형태이거나 다이오드 형태 등의 플라즈마를 이용하여 건식으로 애싱하고, 제거(remove) 공정을 실시하여 컬러(Color) 포토레지스트를 제거하였으나, 완벽히 제거되지 않았다. 컬러 포토레지스트는 주로 이미지 센서(Image sensor)에서 사용되는데 빛을 이용한 소자에 사용된다. 상기 컬러 포토레지스트는 반도체 소자의 제조 공정중 재작업할 필요가 있다. 그러나 컬러 포토레지스트에는 일반 포토레지스트와 달리 블루(Blue), 그린(Green), 레드(Red)의 색소가 첨가되어 재작업하기가 쉽지 않아 소자의 특성을 저하시키는 문제점이 있었다. The above-described conventional technique removes a color photoresist by ashing using a plasma such as an inductively coupled plasma (ICP) type or a diode type, and performing a removing process to completely remove the color photoresist. It was not removed. Color photoresists are mainly used in image sensors and are used in light-based devices. The color photoresist needs to be reworked during the manufacturing process of semiconductor devices. However, unlike general photoresist, blue, green, and red pigments are added to the color photoresist, which makes it difficult to rework the photoresist, thereby deteriorating the characteristics of the device.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 컬러 포토레지스트 제거를 위한 애싱 조건을 적용하여 컬러 포토레지스트를 제거하여 반도체 소자의 특성을 향상할 수 있는 반도체 소자의 애싱 방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of improving the characteristics of a semiconductor device by removing a color photoresist by applying an ashing condition for removing a color photoresist The present invention provides an ashing method.
본 발명의 상기 목적은 O2/N2를 이용하여 기판의 포토레지스트를 애싱하는 단계; Ar을 이용하여 상기 O2/N2 가스를 제거하는 단계; 상기 기판을 반송하는 단계; 상기 포토레지스트를 O2/N2를 이용하여 애싱하는 단계; Ar을 이용하여 상기 O2/N2 가스를 제거하는 단계; 상기 기판을 반송하는 단계; 상기 포토레지스트를 O2/N2/CF4를 이용하여 애싱하는 단계; Ar을 이용하여 상기 O2/N 2/CF4 가스를 제거하는 단계; 상기 포토레지스트를 O3를 이용하여 애싱하는 단계; 상기 O3 가스를 제거하는 단계; 상기 포토레지스트를 O2/N2/CF4를 이용하여 애싱하는 단계; Ar을 이용하여 상기 O2/N2/CF4 가스를 제거하는 단계; 상기 포토레지스트를 O3를 이용하여 애싱하는 단계 및 상기 O3 가스를 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 소자의 애싱 방법에 의해 달성된다.The above object of the present invention is achieved by a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: ashing a photoresist of a substrate using O 2 / N 2 ; Removing the O 2 / N 2 gas using Ar; Transporting the substrate; Ashing the photoresist with O 2 / N 2 ; Removing the O 2 / N 2 gas using Ar; Transporting the substrate; Ashing the photoresist using O 2 / N 2 / CF 4 ; Removing the O 2 / N 2 / CF 4 gas using Ar; Ashing the photoresist with O 3 ; Removing the O 3 gas; Ashing the photoresist using O 2 / N 2 / CF 4 ; Removing the O 2 / N 2 / CF 4 gas using Ar; A step of ashing the photoresist with O 3 , and a step of removing the O 3 gas.
본 발명의 다른 목적은 O2/N2를 이용하여 기판의 포토레지스트를 애싱하는 단계; Ar을 이용하여 상기 O2/N2 가스를 제거하는 단계; 상기 포토레지스트를 O2 /N2를 이용하여 애싱하는 단계; Ar을 이용하여 상기 O2/N2 가스를 제거하는 단계; 상기 포토레지스트를 O2/N2/CF4를 이용하여 애싱하는 단계; Ar을 이용하여 상기 O2/N2/CF4 가스를 제거하는 단계; 상기 포토레지스트를 O3를 이용하여 애싱하는 단계; 상기 O3 가스를 제거하는 단계; 상기 포토레지스트를 O2/N2/CF4를 이용하여 애싱하는 단계; Ar을 이용하여 상기 O2/N2/CF4 가스를 제거하는 단계; 상기 포토레지스트를 O3를 이 용하여 애싱하는 단계 및 상기 O3 가스를 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 소자의 애싱 방법에 의해 달성된다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device, comprising ashing a photoresist of a substrate using O 2 / N 2 ; Removing the O 2 / N 2 gas using Ar; Ashing the photoresist with O 2 / N 2 ; Removing the O 2 / N 2 gas using Ar; Ashing the photoresist using O 2 / N 2 / CF 4 ; Removing the O 2 / N 2 / CF 4 gas using Ar; Ashing the photoresist with O 3 ; Removing the O 3 gas; Ashing the photoresist using O 2 / N 2 / CF 4 ; Removing the O 2 / N 2 / CF 4 gas using Ar; A step of ashing the photoresist using O 3 , and a step of removing the O 3 gas.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to the like elements throughout.
도 1은 본 발명에 따른 컬러 포토레지스트의 구조를 나타낸 단면도이다. 도 1과 같이, 보호막(Passivation)층(100) 상에 블루(110), 그린(120), 레드(130)의 포토레지스트가 순차적으로 적층되어 있다. 본 발명의 플라즈마 전원은 마이크로파를 이용하며 제거 공정은 종래기술을 사용해도 무방하다. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a color photoresist according to the present invention. As shown in FIG. 1, photoresists of blue 110, green 120, and red 130 are sequentially stacked on a
다음은 본 발명에 따른 제1 실시예를 설명한다. 제1 실시예의 애싱 방법은 8단계로 진행하는데, 제1 단계의 포토레지스트를 표 1과 같은 조건으로 애싱한다.The following describes a first embodiment according to the present invention. The ashing method of the first embodiment proceeds to step 8, wherein the photoresist of the first step is ashed under the same conditions as in Table 1.
표 1에서 알 수 있듯이 제1 단계의 제1 공정은 15Torr의 압력, 2500W의 전력, 10000sccm의 O2 유량, 1000sccm의 N2 유량, 30초의 시간 및 200℃ 온도를 이용하고, 제2 공정은 15Torr의 압력, 0W의 전력, 1000sccm의 Ar(아르곤) 유량, 30초의 시간 및 0℃ 온도를 이용한다. 이때, Ar을 이용하여 O2/N2 가스를 제거한다. As shown in Table 1, the first step of the first step uses a pressure of 15 Torr, a power of 2500 W, an O 2 flow rate of 10000 sccm, an N 2 flow rate of 1000 sccm, a time of 30 seconds and a temperature of 200 ° C., A power of 0 W, an Ar (argon) flow rate of 1000 sccm, a time of 30 seconds, and a temperature of 0 캜. At this time, O 2 / N 2 gas is removed using Ar.
상기 제1 단계가 완료되면 일단 기판은 챔버 밖으로 반송한다. 이는 마지막 블루 포토레지스트(110)가 열에 의해 손상을 받아 간혹 필링(Peeling) 현상을 유발하기 때문이다.Once the first step is completed, the substrate is once transported out of the chamber. This is because the last
제2 단계의 포토레지스트를 표 2와 같은 조건으로 애싱한다.The photoresist in the second step is ashed under the same conditions as in Table 2. [
표 2에서 알 수 있듯이 제2 단계의 제1 공정은 15Torr의 압력, 2500W의 전력, 10000sccm의 O2 유량, 1000sccm의 N2 유량, 30초의 시간 및 120℃ 온도를 이용하고, 제2 공정은 15Torr의 압력, 0W의 전력, 1000sccm의 Ar 유량, 30초의 시간 및 0℃ 온도를 이용한다. 이때, Ar을 이용하여 O2/N2 가스를 제거한다. As shown in Table 2, the first step of the second step uses a pressure of 15 Torr, a power of 2500 W, an O 2 flow rate of 10000 sccm, an N 2 flow rate of 1000 sccm, a time of 30 seconds and a temperature of 120 ° C., A power of 0 W, an Ar flow rate of 1000 sccm, a time of 30 seconds, and a temperature of 0 캜. At this time, O 2 / N 2 gas is removed using Ar.
상기 제2 단계가 완료되면 일단 기판은 챔버 밖으로 반송한다. 이는 마지막 블루 포토레지스트(110)가 열에 의해 손상을 받아 간혹 필링(Peeling) 현상을 유발하기 때문이다. Once the second step is completed, the substrate is once transported out of the chamber. This is because the last
제3 단계의 포토레지스트를 표 3과 같은 조건으로 애싱한다.The photoresist in the third step is ashed under the same conditions as in Table 3. [
표 3에서 알 수 있듯이 제3 단계의 제1 공정은 15Torr의 압력, 2500W의 전력, 10000sccm의 O2 유량, 1000sccm의 N2 유량, 1000sccm의 CF4 유량, 30초의 시간 및 200℃ 온도를 이용하고, 제2 공정은 15Torr의 압력, 0W의 전력, 1000sccm의 Ar 유량, 30초의 시간 및 0℃ 온도를 이용한다. 이때, Ar을 이용하여 O2/N2/CF4 가스를 제거한다. As shown in Table 3, the first step of the third step uses a pressure of 15 Torr, a power of 2500 W, an O 2 flow rate of 10000 sccm, an N 2 flow rate of 1000 sccm, a CF 4 flow rate of 1000 sccm, a time of 30 seconds, , The second step uses a pressure of 15 Torr, a power of 0 W, an Ar flow rate of 1000 sccm, a time of 30 seconds, and a temperature of 0 캜. At this time, O 2 / N 2 / CF 4 gas is removed using Ar.
제4 단계의 포토레지스트를 표 4와 같은 조건으로 애싱한다.The photoresist of the fourth step is ashed under the same conditions as those shown in Table 4.
표 4에서 알 수 있듯이 제4 단계의 제1 공정은 2Torr의 압력, 0W의 전력, 2000sccm의 O3 유량, 20초의 시간 및 250℃ 온도를 이용하고, 제2 공정은 2Torr의 압력, 2000W의 전력, 2000sccm의 O3 유량, 30초의 시간 및 250℃ 온도를 이용하며, 제3 공정은 0.5Torr의 압력, 2500W의 전력, 2000sccm의 O3 유량, 30초의 시간 및 250℃ 온도를 이용한다. As can be seen from Table 4, the first step of the fourth step uses a pressure of 2 Torr, a power of 0 W, an O 3 flow rate of 2000 sccm, a time of 20 seconds and a temperature of 250 ° C, the second step uses a pressure of 2 Torr, , An O 3 flow rate of 2000 sccm, a time of 30 seconds, and a temperature of 250 ° C, and the third process uses a pressure of 0.5 Torr, a power of 2500 W, an O 3 flow rate of 2000 sccm, a time of 30 seconds and a temperature of 250 ° C.
이후, 제5 단계에서 O3 가스를 제거한다. Thereafter, the O 3 gas is removed in the fifth step.
제6 단계의 포토레지스트를 표 5와 같은 조건으로 애싱한다.The photoresist of the sixth step is ashed under the same conditions as shown in Table 5.
표 5에서 알 수 있듯이 제6 단계의 제1 공정은 15Torr의 압력, 2500W의 전 력, 10000sccm의 O2 유량, 1000sccm의 N2 유량, 1000sccm의 CF4 유량, 30초의 시간 및 200℃ 온도를 이용하고, 제2 공정은 15Torr의 압력, 0W의 전력, 1000sccm의 Ar 유량, 30초의 시간 및 0℃ 온도를 이용한다. 이때, Ar을 이용하여 O2/N2/CF4 가스를 제거한다.As shown in Table 5, the first step of the sixth step uses a pressure of 15 Torr, a power of 2500 W, an O 2 flow rate of 10000 sccm, an N 2 flow rate of 1000 sccm, a CF 4 flow rate of 1000 sccm, a time of 30 seconds, And the second step uses a pressure of 15 Torr, a power of 0 W, an Ar flow rate of 1000 sccm, a time of 30 seconds, and a temperature of 0 캜. At this time, O 2 / N 2 / CF 4 gas is removed using Ar.
제7 단계의 포토레지스트를 표 6과 같은 조건으로 애싱한다.The photoresist in the seventh step is ashed under the same conditions as in Table 6. [
표 6에서 알 수 있듯이 제7 단계의 제1 공정은 2Torr의 압력, 0W의 전력, 2000sccm의 O3 유량, 20초의 시간 및 250℃ 온도를 이용하고, 제2 공정은 2Torr의 압력, 2000W의 전력, 2000sccm의 O3 유량, 30초의 시간 및 250℃ 온도를 이용하며, 제3 공정은 0.5Torr의 압력, 2500W의 전력, 2000sccm의 O3 유량, 30초의 시간 및 250℃ 온도를 이용한다. As can be seen from Table 6, the first step of the seventh step uses a pressure of 2 Torr, a power of 0 W, an O 3 flow rate of 2000 sccm, a time of 20 seconds and a temperature of 250 ° C, a second step uses a pressure of 2 Torr, , An O 3 flow rate of 2000 sccm, a time of 30 seconds, and a temperature of 250 ° C, and the third process uses a pressure of 0.5 Torr, a power of 2500 W, an O 3 flow rate of 2000 sccm, a time of 30 seconds and a temperature of 250 ° C.
이후, 제8 단계에서 O3 가스를 제거한다. Then, the O 3 gas is removed in an eighth step.
다음은 본 발명에 따른 제2 실시예를 설명한다. 제2 실시예의 애싱 방법은 상기 제1 실시예의 8단계를 6단계로 축소하여 진행하는데, 제2 실시예의 제1 단계의 포토레지스트를 표 7과 같은 조건으로 애싱한다. Next, a second embodiment according to the present invention will be described. In the ashing method of the second embodiment, the eight steps of the first embodiment are reduced to six steps, and the photoresist of the first step of the second embodiment is ashed under the same conditions as in Table 7. [
표 7에서 알 수 있듯이 제1 단계의 제1 공정은 15Torr의 압력, 2500W의 전력, 10000sccm의 O2 유량, 1000sccm의 N2 유량, 30초의 시간 및 120℃ 온도를 이용하고, 제2 공정은 15Torr의 압력, 0W의 전력, 1000sccm의 Ar(아르곤) 유량, 30초의 시간 및 0℃ 온도를 이용한다. 이때, Ar을 이용하여 O2/N2 가스를 제거한다.As shown in Table 7, the first step of the first step uses a pressure of 15 Torr, a power of 2500 W, an O 2 flow rate of 10000 sccm, an N 2 flow rate of 1000 sccm, a time of 30 seconds and a temperature of 120 ° C., A power of 0 W, an Ar (argon) flow rate of 1000 sccm, a time of 30 seconds, and a temperature of 0 캜. At this time, O 2 / N 2 gas is removed using Ar.
제3 공정은 15Torr의 압력, 2500W의 전력, 10000sccm의 O2 유량, 1000sccm의 N2 유량, 30초의 시간 및 120℃ 온도를 이용하고, 제4 공정은 15Torr의 압력, 0W의 전력, 1000sccm의 Ar 유량, 30초의 시간 및 0℃ 온도를 이용한다. 이때, Ar을 이용하여 O2/N2 가스를 제거한다. In the third step, a pressure of 15 Torr, a power of 2500 W, an O 2 flow rate of 10000 sccm, an N 2 flow rate of 1000 sccm, a time of 30 seconds, and a temperature of 120 ° C. are used. In the fourth step, a pressure of 15 Torr, a power of 0 W, A flow rate, a time of 30 seconds, and a temperature of 0 캜. At this time, O 2 / N 2 gas is removed using Ar.
제5 공정은 15Torr의 압력, 2500W의 전력, 10000sccm의 O2 유량, 1000sccm의 N2 유량, 1000sccm의 CF4 유량, 30초의 시간 및 200℃ 온도를 이용하고, 제6 공정은 15Torr의 압력, 0W의 전력, 1000sccm의 Ar 유량, 30초의 시간 및 0℃ 온도를 이용한다. 이때, Ar을 이용하여 O2/N2/CF4 가스를 제거한다. In the fifth step, a pressure of 15 Torr, a power of 2500 W, an O 2 flow rate of 10000 sccm, an N 2 flow rate of 1000 sccm, a CF 4 flow rate of 1000 sccm, a time of 30 seconds and a temperature of 200 ° C are used. , An Ar flow rate of 1000 sccm, a time of 30 seconds, and a temperature of 0 占 폚. At this time, O 2 / N 2 / CF 4 gas is removed using Ar.
제2 단계의 포토레지스트를 표 8과 같은 조건으로 애싱한다.The photoresist in the second step is ashed under the same conditions as in Table 8. [
표 8에서 알 수 있듯이 제2 단계의 제1 공정은 2Torr의 압력, 0W의 전력, 2000sccm의 O3 유량, 20초의 시간 및 250℃ 온도를 이용하고, 제2 공정은 2Torr의 압력, 2000W의 전력, 2000sccm의 O3 유량, 30초의 시간 및 250℃ 온도를 이용하며, 제3 공정은 0.5Torr의 압력, 2500W의 전력, 2000sccm의 O3 유량, 30초의 시간 및 250℃ 온도를 이용한다. As can be seen from Table 8, the first step of the second step uses a pressure of 2 Torr, a power of 0 W, an O 3 flow rate of 2000 sccm, a time of 20 seconds and a temperature of 250 ° C, a second step uses a pressure of 2 Torr, , An O 3 flow rate of 2000 sccm, a time of 30 seconds, and a temperature of 250 ° C, and the third process uses a pressure of 0.5 Torr, a power of 2500 W, an O 3 flow rate of 2000 sccm, a time of 30 seconds and a temperature of 250 ° C.
이후, 제3 단계에서 O3 가스를 제거한다. Then, O 3 gas is removed in the third step.
제4 단계의 포토레지스트를 표 9와 같은 조건으로 애싱한다.The photoresist in the fourth step is ashed under the same conditions as in Table 9. [
표 9에서 알 수 있듯이 제4 단계의 제1 공정은 15Torr의 압력, 2500W의 전력, 10000sccm의 O2 유량, 1000sccm의 N2 유량, 1000sccm의 CF4 유량, 30초의 시간 및 200℃ 온도를 이용하고, 제2 공정은 15Torr의 압력, 0W의 전력, 1000sccm의 Ar 유량, 30초의 시간 및 0℃ 온도를 이용한다. 이때, Ar을 이용하여 O2/N2/CF4 가스를 제거한다.As shown in Table 9, the first step of the fourth step uses a pressure of 15 Torr, a power of 2500 W, an O 2 flow rate of 10000 sccm, an N 2 flow rate of 1000 sccm, a CF 4 flow rate of 1000 sccm, a time of 30 seconds, , The second step uses a pressure of 15 Torr, a power of 0 W, an Ar flow rate of 1000 sccm, a time of 30 seconds, and a temperature of 0 캜. At this time, O 2 / N 2 / CF 4 gas is removed using Ar.
제5 단계의 포토레지스트를 표 10과 같은 조건으로 애싱한다.The photoresist in the fifth step is ashed under the same conditions as in Table 10.
표 10에서 알 수 있듯이 제5 단계의 제1 공정은 2Torr의 압력, 0W의 전력, 2000sccm의 O3 유량, 20초의 시간 및 250℃ 온도를 이용하고, 제2 공정은 2Torr의 압력, 2000W의 전력, 2000sccm의 O3 유량, 30초의 시간 및 250℃ 온도를 이용하며, 제3 공정은 0.5Torr의 압력, 2500W의 전력, 2000sccm의 O3 유량, 30초의 시간 및 250℃ 온도를 이용한다. As can be seen from Table 10, the first step of the fifth step uses a pressure of 2 Torr, a power of 0 W, an O 3 flow rate of 2000 sccm, a time of 20 seconds and a temperature of 250 ° C, the second step uses a pressure of 2 Torr, , An O 3 flow rate of 2000 sccm, a time of 30 seconds, and a temperature of 250 ° C, and the third process uses a pressure of 0.5 Torr, a power of 2500 W, an O 3 flow rate of 2000 sccm, a time of 30 seconds and a temperature of 250 ° C.
이후, 제6 단계에서 O3 가스를 제거한다. Then, the O 3 gas is removed in the sixth step.
따라서, 블루 포토레지스트(110) 애싱은 O2/N2를 이용하되 110℃~130℃의 낮은 온도에서 이용하고, 그린 포토레지스트(반드시 F 사용)(120)는 O2/N2/CF4
를 이용하며, 레드 포토레지스트(130)는 O2/N2를 이용한다. 상기 그린 포토레지스트(120)와 레드 포토레지스트(130)는 200℃ 이하의 온도를 사용한다. Ar 공정 시간은 15초~60초를 사용하나 나머지 공정은 타겟(Target)에 따라 변동한다. 또한, 마지막 단계의 애싱은 반드시 O3 플라즈마로 처리해야 한다.Therefore, the
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation, Various changes and modifications will be possible.
따라서, 본 발명의 반도체 소자의 애싱 방법은 컬러 포토레지스트 제거를 위한 애싱 조건을 적용하여 블루, 그린 및 레드 포토레지스트를 제거함으로써 반도체 소자의 특성을 향상하는 효과가 있다.Accordingly, the ashing method of a semiconductor device of the present invention has an effect of improving characteristics of a semiconductor device by removing blue, green, and red photoresist by applying an ashing condition for removing a color photoresist.
Claims (14)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040117385A KR100608435B1 (en) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | Method for ashing the semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040117385A KR100608435B1 (en) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | Method for ashing the semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060078244A KR20060078244A (en) | 2006-07-05 |
| KR100608435B1 true KR100608435B1 (en) | 2006-08-02 |
Family
ID=37170182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040117385A KR100608435B1 (en) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | Method for ashing the semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100608435B1 (en) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR940004742A (en) * | 1992-08-18 | 1994-03-15 | 김광호 | Method of Peeling Cyrilized Resist |
| KR19980026563A (en) * | 1996-10-10 | 1998-07-15 | 문정환 | How to remove photoresist |
| KR0155380B1 (en) * | 1989-08-28 | 1998-12-01 | 미다 가쓰시게 | Sample processing method |
| JP2001023931A (en) | 1999-07-09 | 2001-01-26 | Toshiba Corp | Method for selectively forming copper coating film |
| KR20020037718A (en) * | 2000-11-15 | 2002-05-22 | 마찌다 가쯔히꼬 | Ashing method |
| KR20020074012A (en) * | 2001-03-19 | 2002-09-28 | 삼성전자 주식회사 | An ashing process for forming via contact |
| KR20040103554A (en) * | 2003-05-29 | 2004-12-09 | 삼성전자주식회사 | Method of forming interconnections using metallic mask layer |
| US6833081B2 (en) | 2001-12-21 | 2004-12-21 | Nanya Technology Corporation | Method of metal etching post cleaning |
-
2004
- 2004-12-30 KR KR1020040117385A patent/KR100608435B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0155380B1 (en) * | 1989-08-28 | 1998-12-01 | 미다 가쓰시게 | Sample processing method |
| KR940004742A (en) * | 1992-08-18 | 1994-03-15 | 김광호 | Method of Peeling Cyrilized Resist |
| KR19980026563A (en) * | 1996-10-10 | 1998-07-15 | 문정환 | How to remove photoresist |
| JP2001023931A (en) | 1999-07-09 | 2001-01-26 | Toshiba Corp | Method for selectively forming copper coating film |
| KR20020037718A (en) * | 2000-11-15 | 2002-05-22 | 마찌다 가쯔히꼬 | Ashing method |
| KR20020074012A (en) * | 2001-03-19 | 2002-09-28 | 삼성전자 주식회사 | An ashing process for forming via contact |
| US6833081B2 (en) | 2001-12-21 | 2004-12-21 | Nanya Technology Corporation | Method of metal etching post cleaning |
| KR20040103554A (en) * | 2003-05-29 | 2004-12-09 | 삼성전자주식회사 | Method of forming interconnections using metallic mask layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20060078244A (en) | 2006-07-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI385728B (en) | Method for removing damaged dielectric material | |
| US6723654B2 (en) | Method and apparatus for in-situ descum/hot bake/dry etch photoresist/polyimide layer | |
| TWI587390B (en) | Method for etching organic hardmasks | |
| KR100267698B1 (en) | Device and method for posttreatment of etching | |
| EP1880414B1 (en) | Method for resist strip in presence of regular low k and/or porous low k dielectric materials | |
| KR100379210B1 (en) | Method for Semiconductor Wafer Ashing | |
| TWI388027B (en) | Method to pre-heat and stabilize etching chamber condition and improve mean time between clean | |
| US20010005638A1 (en) | Method for removing photoresist layer | |
| JPH10172960A (en) | Ashing method | |
| JP2003173951A (en) | Method for manufacturing electron beam lithography mask and mask blanks for electron beam lithography | |
| JPH08339950A (en) | Photoresist pattern formation and photoresist treatment device | |
| KR100608435B1 (en) | Method for ashing the semiconductor device | |
| WO2004049073A3 (en) | Drying process for low-k dielectric films | |
| TWI467647B (en) | Method for high aspect ratio patterning in a spin-on layer | |
| US6429142B1 (en) | In-situ photoresist removal by an attachable chamber with light source | |
| KR100598283B1 (en) | Method for ashing the semiconductor device | |
| US9378954B2 (en) | Plasma pre-treatment for improved uniformity in semiconductor manufacturing | |
| JPH10242028A (en) | Adhesion improvement method of interlayer insulating film and resist material layer | |
| KR20090067997A (en) | Method for forming resist pattern of semiconductor device | |
| JP2006245234A (en) | Plasma processing method and apparatus | |
| JP2005026348A (en) | Plasma treatment method | |
| US7566660B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| KR100802307B1 (en) | Method of etching metal layer | |
| JPH07106310A (en) | Dry etching method | |
| KR100652285B1 (en) | Method for removing photoresist residue |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |