KR100604041B1

KR100604041B1 - Method for fabricating mask

Info

Publication number: KR100604041B1
Application number: KR1020040040178A
Authority: KR
Inventors: 이일호
Original assignee: 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date: 2004-06-03
Filing date: 2004-06-03
Publication date: 2006-07-24
Also published as: KR20050115004A

Abstract

본 발명은 마스크 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 노광영역의 노광에너지 분포에 따라 마스크의 크롬막 두께를 다르게 형성하여 빛의 투과율을 조정함으로써 노광 균일도를 향상시키고 패턴 정밀도를 향상시켜 반도체 소자의 수율을 향상시키는 마스크 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a mask, and more particularly, by forming a chromium film thickness of the mask according to the exposure energy distribution of the exposure area to adjust the transmittance of light, thereby improving exposure uniformity and improving pattern accuracy to yield semiconductor devices. It relates to a mask manufacturing method for improving the.

본 발명의 상기 목적은 노광영역 내의 위치별 노광에너지 분포를 결정하는 단계, 상기 노광에너지 분포를 바탕으로 다수개의 지역으로 블록화하는 단계, 투명기판의 상부에 크롬막을 형성하는 단계 및 상기 블록에 따라 상기 크롬막의 두께가 달라지도록 크롬막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법에 의해 달성된다.The object of the present invention is to determine the exposure energy distribution for each position in the exposure area, block the plurality of areas based on the exposure energy distribution, forming a chromium film on the transparent substrate and the block according to the It is achieved by a mask manufacturing method comprising the step of forming a chromium film pattern so that the thickness of the chromium film is different.

따라서, 본 발명의 마스크 제조방법은 노광영역의 노광에너지 분포를 보정하여 노광 균일도를 향상시킴으로써 패턴 정밀도를 향상시키고 불량을 방지하며 궁극적으로 소자의 수율을 향상시키는 효과가 있다.Therefore, the mask manufacturing method of the present invention improves the exposure uniformity by correcting the exposure energy distribution of the exposure area, thereby improving pattern precision, preventing defects, and ultimately improving device yield.

마스크, 노광에너지, 크롬막, 두께Mask, exposure energy, chrome film, thickness

Description

Mask manufacturing method {Method for fabricating mask}

도 1은 일반적인 노광 공정의 개념도이다.1 is a conceptual diagram of a general exposure process.

도 2a 내지 도 2c는 종래기술에 의한 마스크 제조방법의 공정 단면도.2A to 2C are cross-sectional views of a method of manufacturing a mask according to the prior art.

도 3a 내지 도 3b는 본 발명에 의한 노광에너지의 블록화를 나타낸 도면.3A to 3B are diagrams showing the blocking of exposure energy according to the present invention.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 의한 마스크 제조방법의 공정 단면도.4A to 4E are cross-sectional views of a method of manufacturing a mask according to the present invention.

근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 발전에 따라 반도체 소자 제조 기술도 비약적으로 발전하고 있다. 상기 반도체 소자는 집적도, 미세화, 동작속도 등을 향상시키는 방향으로 기술이 발전하고 있다. 이에 따라 집적도 향상을 위한 리 소그래피 공정과 같은 미세 가공 기술에 대한 요구 특성 또한 엄격해지고 있다. In recent years, with the rapid development of information media such as computers, semiconductor device manufacturing technology is also rapidly developing. The semiconductor device has been developed in the direction of improving the degree of integration, miniaturization, operating speed and the like. As a result, requirements for micromachining techniques, such as lithography processes for improved integration, are becoming more stringent.

리소그래피 기술은 마스크(mask) 상에 형성된 패턴을 기판으로 전사하는 사진 기술로서 반도체 소자의 미세화 및 고집적화를 주도하는 핵심 기술이다. 일반적으로, 리소그래피 공정은 감광막을 도포하는 단계, 소프트베이크(softbake)하는 단계, 정렬 및 노광하는 단계, 노광후베이크(PEB : Post Exposure Bake)하는 단계 및 현상하는 단계를 포함하는 일련의 공정을 거쳐 수행된다.Lithography technology is a photographic technology for transferring a pattern formed on a mask to a substrate and is a core technology that leads to miniaturization and high integration of semiconductor devices. In general, the lithography process involves a series of processes including applying a photoresist, softbake, align and expose, post exposure bake (PEB), and develop. Is performed.

상기 노광을 위한 노광장치로는 스테퍼(stepper), 스캐너(scanner) 등이 존재한다. 1990년대 이후 많이 사용되고 있는 스테퍼는 하나의 샷(shot)을 노광한 후 기판을 X축, Y축으로 하나의 샷만큼 이동하여 다음 샷을 노광하는 방식으로 통상, 5 ~ 6 인치 정도의 마스크 사이즈를 가지며 샷 영역을 한정하기 때문에 균일도가 좋으며 스테퍼의 투영렌즈를 통과한 빛은 그 크기가 1/5로 축소되어 기판에 노광되는 것이 보통이다. 스캐너는 필드내 슬릿을 이용하여 노광을 함으로써 보다 균일도를 향상시키고 칩 사이즈의 대형화에 대응 가능한 대형 필드를 구현할 수 있다는 장점 때문에 최근에 많이 사용되고 있다. 통상, 6인치 정도의 마스크 사이즈를 가지며 1/4 축소 노광을 한다.An exposure apparatus for the exposure includes a stepper, a scanner, and the like. Steppers, which have been widely used since the 1990s, typically expose a mask size of about 5 to 6 inches by exposing one shot and then moving the substrate by one shot on the X and Y axes to expose the next shot. It has good uniformity because it limits the shot area, and the light passing through the projection lens of the stepper is usually reduced to 1/5 and exposed to the substrate. Scanners have been used in recent years because of the advantage that the exposure by using the slits in the field to improve the uniformity and to implement a large field that can cope with the increase in chip size. Typically, a mask size of about 6 inches and a quarter reduction exposure.

현재 사용되고 있는 노광장치는 대부분 마스크 상에 형성된 패턴을 기판에 축소 투영하는 방식을 사용하고 있으며 상기 마스크는 일반적으로 석영기판에 크롬(Cr)막을 증착하고 패터닝하여 제조된다.Most of the exposure apparatuses currently used use a method in which a pattern formed on a mask is reduced and projected onto a substrate, and the mask is generally manufactured by depositing and patterning a chromium (Cr) film on a quartz substrate.

광원(100)에서 송출된 광은 소정의 광학계(도시하지 않음)를 거친 후, 석영 기판(102)과 크롬막(104)으로 구성되는 마스크(103)를 통과하면서 상기 마스크(103)의 크롬막(104)에 의해 형성되는 소정의 패턴을 가지게 된다. 이후, 투영렌즈(106)을 통해 기판(108) 상에 축소 투영되며 빛에 노출된 감광막을 현상하면 상기 소정의 패턴에 대응하는 감광막 패턴(110)이 형성된다.The light emitted from the light source 100 passes through a predetermined optical system (not shown), and then passes through a mask 103 composed of the quartz substrate 102 and the chromium film 104, and then the chromium film of the mask 103. It has a predetermined pattern formed by 104. Thereafter, when the photoresist film is reduced and projected onto the substrate 108 through the projection lens 106 and exposed to light, the photoresist pattern 110 corresponding to the predetermined pattern is formed.

상기 노광시 노광장비 자체의 에러, 노후화, 광학계의 오염 등으로 인해 일부 영역에서는 에너지가 상대적으로 높거나 낮아져서 노광 균일도가 저하되어 패턴불량이 발생한다. 또한, 상기 마스크(103)를 통과하여 기판에 입사되는 빛은 회절에 의해 마스크의 중심부와 에지(edge)부의 노광에너지 차이가 발생하며 이로 인해 에지부에 패턴 불량이 자주 발생하는 문제가 있다.Due to errors of the exposure apparatus itself during the exposure, aging, contamination of the optical system, etc., the energy uniformity is relatively high or low in some areas, resulting in poor exposure uniformity and pattern defects. In addition, the light incident through the mask 103 and incident on the substrate causes diffraction of the exposure energy of the center portion and the edge portion of the mask due to diffraction, which causes a pattern defect frequently occurring at the edge portion.

도 2a 내지 2c는 종래기술에 의한 마스크 제조방법의 공정 단면도이다.2A to 2C are cross-sectional views of a mask manufacturing method according to the prior art.

먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 소정의 패턴을 설계한 후 석영기판(200) 상에 크롬막(202)을 증착한 후 레지스트막(204)을 도포한다.First, as shown in FIG. 2A, after a predetermined pattern is designed, a chromium film 202 is deposited on the quartz substrate 200, and then a resist film 204 is applied.

다음, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 레지스트막(204)을 소프트베이크하고 노광한 후 현상하여 소정의 패턴을 갖도록 한다.Next, as shown in FIG. 2B, the resist film 204 is softbaked, exposed, and developed to have a predetermined pattern.

다음, 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 패터닝된 레지스트막을 마스크로 하여 크롬막을 식각하여 설계된 소정의 패턴에 대응하는 크롬막 패턴(202)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 2C, a chromium film pattern 202 corresponding to a predetermined pattern designed by etching the chromium film using the patterned resist film as a mask is formed.

그러나, 종래의 마스크는 상술한 노광에너지의 불균일을 보정하는 수단이 마련되어 있지 않아 노광시 노광 균일도가 저하되어 패턴불량이 발생하고 궁극적으로 생산 수율을 저하시키는 문제가 있다.However, the conventional mask is not provided with a means for correcting the non-uniformity of the exposure energy described above, there is a problem that the exposure uniformity at the time of exposure is lowered, resulting in pattern defects and ultimately lower the production yield.

상기와 같은 문제를 해결하기 위해, 대한민국 공개특허 제 2000-0045356호는 마스크의 설계시 설계패턴을 다수개의 지역으로 구분하여 블록화한 후 상기 블록에 대응하여 마스크의 투과율을 조정하는 반도체 소자의 마스크 제조방법을 개시하고 있다.In order to solve the above problems, Korean Patent Laid-Open Publication No. 2000-0045356 discloses manufacturing a mask of a semiconductor device, in which a design pattern is divided into a plurality of areas in the design of a mask to block and then adjust the transmittance of the mask corresponding to the block. A method is disclosed.

그러나, 상기 특허에서는 투명기판을 식각하거나 필름을 부착하는 방법을 사용하여 마스크의 투과율을 조정하고 있는데, 투명기판을 식각하는 방법은 기판이 투명하기 때문에 투과율을 조정하는 데 한계가 있으며 필름을 부착하는 방법은 마스크를 장시간 사용시 필름이 떨어지거나 여러 블록으로 투과율을 조정하고자 할 때 제조방법이 복잡하다는 문제가 있다.However, the patent uses a method of etching a transparent substrate or attaching a film to adjust the transmittance of the mask. However, the method of etching a transparent substrate has a limitation in adjusting the transmittance because the substrate is transparent. The method has a problem in that the manufacturing method is complicated when the film is dropped or the transmittance is adjusted to several blocks when the mask is used for a long time.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 노광영역의 노광에너지 분포에 따라 마스크의 크롬 두께를 달리하여 빛의 투과율을 조정함으로써 노광 균일도를 향상시켜 패턴 정밀도를 향상시키고 반도체 소자의 수율을 향상시키는 마스크 제조방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
Therefore, the present invention is to solve the problems of the prior art as described above, by varying the chromium thickness of the mask according to the exposure energy distribution of the exposure area to adjust the light transmittance to improve the exposure uniformity to improve the pattern precision and the semiconductor It is an object of the present invention to provide a mask manufacturing method for improving the yield of the device.

본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.Details of the above object and technical configuration of the present invention and the effects thereof according to the present invention will be more clearly understood by the following detailed description with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention.

도 3a 내지 도 3b는 본 발명에 의한 노광에너지의 블록화를 나타낸 도면이다.3A to 3B are diagrams showing the blocking of exposure energy according to the present invention.

도 3a에 도시된 바와 같이, 광원(300)에서 송출된 빛은 소정의 광학계(302)를 거친 후 투영렌즈(304)를 통해 기판에 도달한다. 상기 기판 상의 노광영역(306)은 노광에너지의 분포가 존재하며 그 노광에너지 분포에 따라 다수개의 지역으로 블록화하여 그에 따른 마스크 상의 크롬막의 두께를 결정한다. 상기 보정된 크롬막 두께는 노광에너지의 불균일을 보정하여 전체 노광영역에 동일한 노광에너지를 가지도록 한다. 예를 들어, A 블록의 노광에너지를 100이라고 했을 때 B 블록, C 블록, D 블록의 에너지가 가각 96, 98, 95가 된다면 B 블록, C 블록, D 블록에서는 각각 4, 2, 5 만큼의 노광에너지가 더 투과되도록 크롬막의 두께를 조정하여 전체적으로 노광에너지가 균일하도록 한다. 이후, 이하에서 서술할 마스크 제조 방법을 통해 마스크를 제작한다.As shown in FIG. 3A, light emitted from the light source 300 passes through a predetermined optical system 302 and reaches the substrate through the projection lens 304. The exposure region 306 on the substrate has a distribution of exposure energy and blocks the plurality of regions according to the exposure energy distribution to determine the thickness of the chromium film on the mask. The corrected chromium film thickness corrects the unevenness of the exposure energy so as to have the same exposure energy in the entire exposure area. For example, when the exposure energy of the A block is 100, and the energy of the B block, the C block, and the D block is 96, 98, and 95, respectively, 4, 2, and 5 blocks of the B block, the C block, and the D block are used. The thickness of the chromium film is adjusted so that the exposure energy is more transmitted to make the exposure energy uniform. Then, a mask is produced through the mask manufacturing method mentioned below.

도 3a에 도시된 예는, 노광장비 자체의 에러, 노후화, 광학계의 오염 등으로 인해 일부 영역에서 노광에너지가 상대적으로 높거나 낮아져서 노광 균일도가 저하되는 방사상 형태를 도시한 것이나 본 발명이 상기 방사상 형태에 제한되는 것은 아니다. 아울러, 빛의 회절에 의해 마스크의 중심부와 에지부의 노광에너지의 차이에 기인한 노광에너지 불균일의 경우는, 도 3b에 도시된 바와 같이, 마스크의 중심부(330)와 에지부(320)로 블록화하여 크롬막의 두께를 조절하여 노광에너지의 불균일 문제를 해결하는 것이 가능하다.The example illustrated in FIG. 3A illustrates a radial form in which exposure uniformity is lowered due to a relatively high or low exposure energy in some areas due to an error of the exposure apparatus itself, aging, contamination of the optical system, etc., but the present invention relates to the radial form. It is not limited to. In addition, in the case of exposure energy nonuniformity caused by the difference in the exposure energy of the center portion and the edge portion of the mask due to the diffraction of light, as shown in FIG. 3B, the mask is blocked by the center portion 330 and the edge portion 320 of the mask. It is possible to solve the problem of nonuniformity of exposure energy by adjusting the thickness of the chromium film.

패턴이 미세화됨에 따라 마스크를 통과하는 빛은 마스크 상의 미세 패턴을 통과한 빛의 간섭에 의해 패턴형성에 많은 문제를 일으키는데 이를 광근접효과라 한다. 라인 앤 스페이스 패턴(line and space), 독립패턴과 같이 패턴의 구조차에 기인한 광근접효과의 차이가 발생한다. 상기 광근접효과에 기인한 패턴형성의 차이 또한 블록화하는 경향이 있고 본 발명에 의한 노광에너지 조정에 의해 블록별 패턴형성의 차이 내지는 노광에너지 불균일에 기인한 패턴 불량을 제거할 수 있다.As the pattern is miniaturized, light passing through the mask causes a lot of problems in pattern formation by interference of light passing through the fine pattern on the mask, which is called an optical proximity effect. Differences in optical proximity effects due to the structural differences of the patterns occur, such as line and space patterns and independent patterns. The difference in pattern formation due to the optical proximity effect also tends to be blocked, and pattern defects due to differences in pattern formation for each block or uneven exposure energy can be eliminated by adjusting the exposure energy according to the present invention.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 의한 마스크 제조방법의 공정 단면도이다.4A to 4E are process cross-sectional views of the mask manufacturing method according to the present invention.

설명의 편의를 위해, 설계된 마스크 패턴은 두 개의 블록(A, B)을 가지고 있고 블록 B의 크롬막 두께가 더 얇은 것으로 가정한다.For convenience of explanation, it is assumed that the designed mask pattern has two blocks A and B and the chrome film thickness of the block B is thinner.

먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이, 투명기판(400), 예를 들어 석영기판(quartz)을 세정한 후 상기 투명기판(400) 상에 크롬막(402)을 형성하고 제 1 레지스트막(404)을 도포한다. 상기 크롬막(402)은 스퍼터링, 진공증착 등의 공정을 통해 형성한다. 상기 제 1 레지스트막(404)은 스핀코팅 또는 딥코팅, 보다 바람직하게는 스핀코팅을 통해 형성한다. 즉, 석영기판을 2000 ~ 4000 rpm 정도로 회전시키면서 수백 nm의 두께로 제 1 레지스트막을 형성하는 것이 바람직하다. 상기 크롬막의 두께는 50 내지 150 nm, 보다 바람직하게는 100 nm 정도가 되도록 형 성한다. First, as shown in FIG. 4A, after cleaning the transparent substrate 400, for example, a quartz substrate, a chromium film 402 is formed on the transparent substrate 400, and the first resist film 404 is formed. ) Is applied. The chromium film 402 is formed through a process such as sputtering and vacuum deposition. The first resist layer 404 is formed by spin coating or dip coating, more preferably spin coating. That is, it is preferable to form the first resist film with a thickness of several hundred nm while rotating the quartz substrate at about 2000 to 4000 rpm. The chromium film is formed to have a thickness of 50 to 150 nm, more preferably about 100 nm.

다음, 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 레지스트막(404)을 소프트베이크 한 후, 노광, 현상 공정을 거쳐 패터닝하여 상기 크롬막(402)이 보다 얇게 형성되어야 할 블록 B를 노출시킨다. 상기 소프트베이크는 제 1 레지스트막의 용매를 제거하기 위해 실시하는 것으로서 제 1 레지스트막의 성분이 열분해되지 않을 정도의 온도 조건, 예를 들어 100 ~ 200℃의 온도 조건에서 수십분 내지 수시간 베이킹한다. 상기 노광을 위한 광원으로는 자외선 영역의 436 nm의 지-라인(g-line), 365 nm의 아이-라인(i-line), 405 nm의 에치-라인(h-line), DUV(Deep Ultraviolet) 영역의 248nm의 파장을 가지는 KrF 레이저와 193nm의 파장을 가지는 ArF 레이저 및 전자빔 등이 가능하지만 보다 미세한 패턴을 형성하기 위해서는 전자빔을 사용하는 것이 바람직하며 전자빔의 전류와 도즈(dose)를 적절히 조절하여 노광을 실시한다.Next, as shown in FIG. 4B, the first resist film 404 is softbaked and then patterned through an exposure and development process to expose the block B to which the chromium film 402 should be formed thinner. The soft bake is carried out to remove the solvent of the first resist film and is baked for several minutes to several hours at a temperature condition such that the components of the first resist film are not pyrolyzed, for example, a temperature condition of 100 to 200 ° C. Light sources for the exposure include 436 nm g-line in the ultraviolet region, 365 nm i-line, 405 nm etch-line and DUV (Deep Ultraviolet). ) KrF laser with 248nm wavelength, ArF laser with 193nm wavelength, electron beam, etc. are possible, but to form finer pattern, electron beam is preferably used, and the current and dose of electron beam are adjusted appropriately. Exposure is performed.

다음, 도 4c에 도시된 바와 같이, 노광에너지를 보정할 수 있도록 블록 B의 크롬막의 일부를 식각하여 블록 A의 크롬막(402a)과 블록 B의 크롬막(402b)의 단차를 형성한 후 상기 레지스트막(404)을 제거한다. 상기 크롬막의 식각은 건식식각, 예를 들어 반응성 이온식각(RIE : Reactive Ion Etching)으로 수행하는 것이 바람직하다.Next, as shown in FIG. 4C, a portion of the chromium film of the block B is etched to form the step difference between the chromium film 402a of the block A and the chromium film 402b of the block B so as to correct the exposure energy. The resist film 404 is removed. The etching of the chromium film is preferably performed by dry etching, for example, reactive ion etching (RIE).

다음, 도 4d에 도시된 바와 같이, 제 2 레지스트막을 도포하고 소프트베이크 한 후, 노광, 현상 공정을 거쳐 패터닝된 제 2 레지스트막(406)을 형성한다. 상기 노광은 전자빔을 사용하는 것이 바람직하며 전자빔의 전류와 도즈(dose)를 적절히 조절하여 실시한다.Next, as shown in FIG. 4D, after the second resist film is applied and softbaked, the patterned second resist film 406 is formed through exposure and development processes. Preferably, the exposure is performed using an electron beam, and appropriately adjusting the current and dose of the electron beam.

마지막으로, 도 4e에 도시된 바와 같이, 상기 패터닝된 제 2 레지스트막(406)을 저항막으로 하여 투명기판이 노출될 때까지 크롬막을 식각하여 크롬막 패턴을 완성한 후 제 2 레지스트막을 제거한다. 상기 크롬막의 식각은 건식식각, 예를 들어 반응성 이온식각으로 수행하는 것이 바람직하다.Finally, as shown in FIG. 4E, the chromium film is etched by using the patterned second resist film 406 as a resistive film until the transparent substrate is exposed, and then the second resist film is removed. The etching of the chromium film is preferably performed by dry etching, for example, reactive ion etching.

도 4a 내지 도 4e를 참조하여 설명한 실시예는 상기 블록이 두 개로 구성되어 있는 경우를 나타낸 것이다. 세 개 이상의 블록으로 구성되는 경우에는, 레지스트막을 도포하고 패터닝한 후 크롬막의 일부를 식각하는 단계를 반복함으로써 추가적인 단차를 형성하는 것이 가능하다.The embodiment described with reference to FIGS. 4A to 4E illustrates a case in which the block is composed of two. In the case of consisting of three or more blocks, it is possible to form an additional step by repeating the step of applying and patterning a resist film and then etching a part of the chromium film.

본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.Although the present invention has been shown and described with reference to preferred embodiments as described above, it is not limited to the above-described embodiments and those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Various changes and modifications will be possible.

따라서, 본 발명의 마스크 제조방법은 노광영역의 노광에너지 분포를 보정하여 노광 균일도를 향상시킴으로써 패턴 정밀도를 향상시키고 불량을 방지하며 궁극적으로 소자의 수율을 향상시키는 효과가 있다
Accordingly, the mask fabrication method of the present invention improves the exposure uniformity by correcting the exposure energy distribution in the exposure area, thereby improving pattern accuracy, preventing defects, and ultimately improving device yield.

Claims

In the mask manufacturing method,

Determining an exposure energy distribution for each position in the exposure area;

Blocking into a plurality of areas based on the exposure energy distribution;

Forming a chromium film on the transparent substrate; And

Forming a chromium film pattern such that the thickness of the chromium film varies according to the block;

Mask manufacturing method comprising a.

The method of claim 1,

And the block is radial.

The method of claim 1,

The block is a mask manufacturing method, characterized in that consisting of the central portion and the edge portion.

The method of claim 1,

The thickness of the chromium film is a mask manufacturing method, characterized in that 50 to 150 nm.

The method of claim 1,

Forming the chrome film pattern is

(A) applying and patterning a first resist film on the chromium film;

(B) etching a portion of the chromium film to form a step of the chromium film and removing the first resist film; And

(C) applying and patterning a second resist film on top of the chromium film and etching the chromium film until the transparent substrate is exposed;

Mask manufacturing method comprising a.

The method of claim 5,

Mask manufacturing method characterized in that the steps (A) and (B) are repeated a plurality of times.

The method according to any one of claims 1 to 6,

The etching of the chromium film is a mask manufacturing method, characterized in that performed by a dry etching method.