KR100603925B1 - Ashing equipment for use of semiconductor fabrication - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 제조용 애싱 설비의 프로세스 챔버에서 포토레지스트가 제거된 후 언로딩된 웨이퍼가 파손되지 않는 범위에서 고온의 웨이퍼를 최대한 급속 냉각시켜 애싱 공정에 소요되는 전체 시간을 크게 단축시킨 애싱 설비에 관한 것으로, 본 발명에 의하면, 고온의 웨이퍼를 상온으로 냉각시키는 쿨링 스테이지에 고온의 웨이퍼에 의하여 가열된 공기를 외부로 배출시키는 열배출홈을 형성하고, 열배출홈으로부터 가열된 공기가 쿨링 스테이지로부터 용이하게 배출되도록 쿨링 스테이지의 상면으로부터 소정 간격을 갖도록 원형 배열된 적어도 3 개 이상의 돌기를 형성하고, 웨이퍼의 냉각 효율을 배가시키기 위하여 쿨링 스테이지의 내부에 복수개의 냉각수관을 통과시켜 웨이퍼의 냉각 시간을 크게 단축시켜 반도체 소자 제작 시간을 크게 단축시킨다.The present invention relates to an ashing facility which greatly reduces the overall time required for the ashing process by rapidly cooling a hot wafer as quickly as possible in a range in which an unloaded wafer is not damaged after a photoresist is removed from a process chamber of an ashing facility for semiconductor manufacturing. According to the present invention, a heat discharging groove for discharging air heated by a high temperature wafer to the outside is formed in a cooling stage for cooling a high temperature wafer to room temperature, and the air heated from the heat discharging groove is easily removed from the cooling stage. At least three protrusions are arranged in a circular manner with a predetermined distance from the upper surface of the cooling stage so as to be discharged smoothly, and a plurality of cooling water tubes are passed through the inside of the cooling stage to increase the cooling efficiency of the wafer, thereby greatly increasing the cooling time of the wafer. Shorten the manufacturing time of semiconductor devices Celebrate.

Description

반도체 제조용 애싱 설비{Ashing equipment for use of semiconductor fabrication}Ashing equipment for use of semiconductor fabrication

도 1은 본 발명에 의한 반도체 제조용 애싱(ashing) 설비의 개념도.1 is a conceptual diagram of an ashing facility for manufacturing a semiconductor according to the present invention.

도 2는 본 발명에 의한 반도체 제조용 애싱 설비의 분해 사시도.Figure 2 is an exploded perspective view of the ashing facility for manufacturing a semiconductor according to the present invention.

본 발명은 반도체 제조용 애싱(ashing) 설비에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 애싱 설비의 프로세스 챔버에서 포토레지스트가 제거된 후 언로딩된 웨이퍼가 파손되지 않는 범위에서 고온의 웨이퍼를 최대한 급속 냉각시켜 애싱 공정에 소요되는 전체 시간을 크게 단축시킨 반도체 제조용 애싱 설비에 관한 것이다.The present invention relates to an ashing facility for semiconductor manufacturing, and more particularly, to an ashing process by rapidly cooling a high temperature wafer to the extent that the unloaded wafer is not damaged after the photoresist is removed from the process chamber of the ashing facility. The present invention relates to an ashing facility for manufacturing a semiconductor that greatly shortens the overall time required for the process.

최근들어 개발 속도가 더욱 빨라지고 있는 반도체 제조 기술에 힘입어 단위 면적당 집적도가 뛰어남과 동시에 처리 속도가 빠른 반도체 소자의 개발이 급속히 진행되고 있다.Recently, thanks to the semiconductor manufacturing technology, which has been developed more rapidly, the development of semiconductor devices having a high integration speed and a high processing speed is rapidly progressing.

이와 같은 기술 개발에 의하여 최근에는 반도체 소자의 모재료가 되는 순수 실리콘 웨이퍼를 점차 대구경화 시킴으로써 동수의 반도체 공정을 수행하였을 때 소구경 웨이퍼에 비하여 생산성 및 수율을 향상시킴과 동시에 반도체 소자의 코스 트를 크게 낮추고자하는 기술의 개발이 활발하게 진행되고 있다.As a result of this technology development, in recent years, pure silicon wafers, which are the base materials of semiconductor devices, have been gradually enlarged to increase the productivity and yield compared to the small-diameter wafers. There is an active development of a technology to significantly lower.

그러나, 웨이퍼의 대구경화에 따라서 생산성 및 수율이 향상되고 코스트가 낮아지는 장점이 있지만 웨이퍼가 대구경화됨에 따라서 파생되는 설비측면의 문제점도 예상치 못하게 많이 발생되고 있다.However, although the productivity and yield are improved and the cost is lowered according to the large diameter of the wafer, there are also many problems in terms of equipment derived from the large diameter of the wafer.

일례로, 종래 사진 식각 공정을 진행한 후, 대구경 웨이퍼에 잔존하는 포토레지스트를 제거하는 애싱 공정의 경우를 살펴보면, 포토레지스트를 제거하기 위해서 플라즈마 방식이나 오존 방식으로 애싱 공정을 수행할 때, 대구경 웨이퍼는 약 250℃ 이상의 온도로 가열되므로 포토레지스트가 제거된 후 후속 공정을 진행하기 위해서는 먼저 고온으로 가열된 대구경 웨이퍼를 상온으로 냉각시켜주어야만 한다.For example, in the case of the ashing process of removing the photoresist remaining on the large-diameter wafer after performing the conventional photolithography process, when the ashing process is performed by the plasma method or the ozone method to remove the photoresist, the large-diameter wafer Since is heated to a temperature of about 250 ℃ or more after the photoresist is removed, the large diameter wafer heated to a high temperature must first be cooled to room temperature in order to proceed with the subsequent process.

이를 위해서 대구경 웨이퍼는 대기중에 노출된 쿨링 스테이지로 로딩된 후, 고온의 대구경 웨이퍼는 쿨링 스테이지의 내부에 배치된 약 18℃의 냉각수가 흐르는 냉각수관 및 냉각효율을 증가시키기 위해서 쿨링 스테이지의 상부에 형성되어 대구경 웨이퍼에 의하여 가열된 공기가 외부로 배출되도록 하는 냉각홈에 의하여 서서히 냉각된다.To this end, the large-diameter wafer is loaded into the cooling stage exposed to the atmosphere, and a high-temperature large-diameter wafer is formed on the cooling stage to increase the cooling efficiency and a cooling water pipe flowing at about 18 ° C. cooling water disposed inside the cooling stage. And is gradually cooled by a cooling groove for discharging the air heated by the large-diameter wafer to the outside.

이때, 냉각홈은 쿨링 스테이지의 상부에 형성된 동심원 형상의 5 개의 링형 홈과 쿨링 스테이지의 상부 중심으로부터 원주면 방향으로 곧게 방사상으로 뻗은 방사형 홈으로 구성된다.At this time, the cooling groove is composed of five concentric ring-shaped grooves formed in the upper portion of the cooling stage and radial grooves extending radially straight in the circumferential direction from the upper center of the cooling stage.

이때, 시간의 흐름에 따라서 대구경 웨이퍼가 냉각되는 온도를 <표 1>에 도시하였다.In this case, the temperature at which the large-diameter wafer is cooled with time is shown in Table 1.

5초5 sec 10초10 sec 15초15 seconds 20초20 seconds 25초25 seconds 30초30 seconds 1차 측정Primary measurement 182℃182 ℃ 163℃163 ℃ 142℃142 ℃ 126℃126 ℃ 85℃85 ℃ 26℃26 ℃ 2차 측정Secondary measurement 184℃184 ℃ 162℃162 ℃ 140℃140 ℃ 129℃129 ℃ 44℃44 ℃ 26℃26 ℃

<표 1>을 참조하면 상온을 26℃라 정의하였을 때 약 250℃의 온도로 쿨링 스테이지로 배출된 대구경 웨이퍼가 상온에 도달하기 위해서는 약 30초의 시간이 소요되는 것을 알 수 있다.Referring to Table 1, when the room temperature is defined as 26 ° C, it can be seen that it takes about 30 seconds for the large-diameter wafer discharged to the cooling stage to reach the room temperature at a temperature of about 250 ° C.

그러나, 웨이퍼는 점차 대구경화되어가고 있지만 대구경 웨이퍼를 냉각하는 방식은 대구경화 추세에 적응하지 못하여 대구경 웨이퍼의 냉각 속도가 크게 저하되고, 이로 인하여 대구경 웨이퍼의 냉각에 소요되는 시간이 크게 증가되어 설비 효율성이 크게 저하되어 하나의 반도체 소자가 제작되는 전체 시간이 증가되는 문제점이 있다.However, although wafers are gradually becoming large diameters, the cooling method of large diameter wafers does not adapt to the large diameter trend, and the cooling speed of large diameter wafers is greatly reduced, and thus, the time required for cooling large diameter wafers is greatly increased, thereby increasing facility efficiency. This is greatly reduced and there is a problem in that the total time for manufacturing one semiconductor device is increased.

따라서, 본 발명은 이와 같은 종래 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 반도체 설비의 애싱 설비의 냉각수관을 대구경 웨이퍼에 적합하게 개량함과 동시에 대구경 웨이퍼에 의하여 가열된 공기가 대구경 웨이퍼와 쿨링 스테이지의 사이로부터 외부로 용이하게 배출되도록 하여 대구경 웨이퍼의 냉각 속도가 최적화되도록 함에 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of such a conventional problem, and an object of the present invention is to improve the cooling water pipe of the ashing equipment of the semiconductor equipment to be suitable for the large-diameter wafer, and at the same time, the air heated by the large-diameter wafer is used for the large-diameter wafer and the cooling stage. It is to be easily discharged from the outside to the outside to optimize the cooling rate of the large-diameter wafer.

본 발명의 다른 목적들은 후술될 본 발명의 상세한 설명에서 보다 명확해질 것이다.Other objects of the present invention will become more apparent in the following detailed description of the invention.

이와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 반도체 제조용 애싱설비는 포토 레지스트가 제거될 웨이퍼가 적재된 웨이퍼 카세트가 대기하는 웨이퍼 카세트 대기 챔버와, 웨이퍼의 포토레지스트가 제거되는 프로세스 챔버와, 프로세스 챔버에서 포토레지스트가 제거된 웨이퍼가 안착되어 냉각되는 쿨링 스테이지와, 웨이퍼 카세트 대기 챔버, 프로세스 챔버 및 쿨링 챔버로 웨이퍼를 로딩/언로딩하는 로봇 암을 포함하며, 쿨링 스테이지는 동심원 형상으로 복수개의 링형 열방출홈, 동심원의 중심으로부터 외측까지 연장된 방사형 열방출홈이 형성된 상부 몸체와, 상부 몸체의 밑면에 설치된 복수개의 냉각수 배관과, 상부 몸체와 냉각수 배관을 지지하는 하부 몸체와, 웨이퍼와 상부 몸체의 상면이 소정 간격을 갖도록 상부 몸체의 상면으로부터 소정 높이 돌출된 돌기를 포함한다.In order to achieve the object of the present invention, an ashing apparatus for manufacturing a semiconductor includes a wafer cassette standby chamber in which a wafer cassette on which a wafer on which photoresist is to be removed is loaded is placed, a process chamber in which photoresist of a wafer is removed, and a photo in a process chamber. A cooling stage on which the resist-removed wafer is seated and cooled, and a robot arm for loading / unloading the wafer into the wafer cassette atmospheric chamber, the process chamber, and the cooling chamber, wherein the cooling stage has a plurality of ring heat dissipation grooves in a concentric shape. The upper body has a radial heat dissipation groove extending from the center of the concentric circle to the outside, a plurality of cooling water pipes provided on the bottom of the upper body, the lower body for supporting the upper body and the cooling water pipe, and the upper surface of the wafer and the upper body A predetermined height from an upper surface of the upper body to have a predetermined distance It includes a projecting ledge.

이하, 본 발명에 의한 반도체 제조용 애싱 설비를 첨부된 도 1 또는 도 2를 참조하여 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the ashing facility for manufacturing a semiconductor according to the present invention will be described in more detail with reference to FIG. 1 or FIG. 2.

첨부된 도 1에는 본 발명에 의한 반도체 제조용 애싱 설비(100)가 도시되어 있는 바, 애싱 설비(100)는 전체적으로 보아 사진 공정이 진행된 후 포토레지스트가 제거될 대구경 웨이퍼(10)가 로트(lot) 단위로 수납되어 있는 웨이퍼 카세트(20)가 대기하고 있는 웨이퍼 카세트 대기 챔버(30)와 대구경 웨이퍼(10)의 상면에 잔존하는 포토레지스트를 제거하기 위하여 약 250℃ 이상으로 발열되며 표면이 아노다이징 처리된 프로세서 챔버(40), 프로세서 챔버(40)에서 포토레지스트가 제거된 고온의 대구경 웨이퍼(10)를 상온으로 냉각시키는 쿨링 챔버(50) 및 웨이퍼 카세트 대기 챔버(30)로부터 프로세서 챔버(40)로, 프로세서 챔버(40)로부터 쿨링 챔버(50)로 대구경 웨이퍼(10)를 이송하는 로봇 암(60)을 포함한다.1 shows an ashing facility 100 for manufacturing a semiconductor according to the present invention, in which the ashing facility 100 is viewed as a whole. In order to remove photoresist remaining on the upper surface of the wafer cassette atmospheric chamber 30 and the large-diameter wafer 10 in which the wafer cassette 20 stored in the unit is waiting, the surface is anodized and the surface is anodized. From the processor chamber 40, the cooling chamber 50 and the wafer cassette standby chamber 30 to cool the high temperature large diameter wafer 10 from which the photoresist has been removed from the processor chamber 40 to room temperature, from the processor chamber 40, And a robot arm 60 for transferring the large diameter wafer 10 from the processor chamber 40 to the cooling chamber 50.

도 2에는 본 발명의 핵심 부분인 쿨링 챔버(50)에 설치된 쿨링 스테이지(55)가 도시되어 있는 바, 쿨링 스테이지(55)는 다시 상부 몸체(51), 하부 몸체(53) 및 냉각수관(52)으로 구성된다.2 shows a cooling stage 55 installed in the cooling chamber 50, which is a core part of the present invention, the cooling stage 55 is again the upper body 51, lower body 53 and the coolant pipe 52 It consists of

상부 몸체(51)는 대구경 웨이퍼(10)가 안착될 정도의 크기를 갖는 원판 형상으로 상부 몸체(51)의 상면 중앙으로부터 외주면 방향으로는 직경이 증가되는 동심원 형상의 제 1 열방출홈(51a)이 복수개 형성되고, 제 1 열방출홈(51a)이 형성된 상태에서 상부 몸체(51)의 상면 중앙으로부터 상부 몸체(51)의 외주면을 향하여 방사 형상으로 곧게 뻗은 제 2 열방출홈(51b)이 복수개 형성된다. 이때, 제 1, 제 2 열방출홈(51a,51b)의 깊이는 약 2mm의 깊이를 갖는다.The upper body 51 is a disk shape having a size enough to seat the large-diameter wafer 10, the first heat dissipation groove 51a having a concentric shape whose diameter increases from the center of the upper surface of the upper body 51 to the outer circumferential surface thereof. A plurality of second heat dissipation grooves 51b are formed, and a plurality of second heat dissipation grooves 51b extending radially straight from the center of the upper surface of the upper body 51 toward the outer circumferential surface of the upper body 51 in the state where the first heat dissipation grooves 51a are formed. Is formed. At this time, the first and second heat dissipation grooves 51a and 51b have a depth of about 2 mm.

이때, 고온의 대구경 웨이퍼(10)에 의하여 가열된 공기는 제 1, 제 2 열방출홈(51a,51b)을 따라서 쿨링 스테이지(55)의 상부 몸체(51)로부터 빠져나가는데, 제 1 및 제 2 열방출홈(51a,51b)의 홈면적이 너무 작아서 고온의 공기가 쉽게 빠져나갈 수 없음으로 고온의 공기가 대구경 웨이퍼(10)와 쿨링 스테이지(55)의 상부 몸체(51)의 사이로부터 단시간내 배출되도록 상부 몸체(51)에는 일정 간격을 갖으면서 원형으로 돌기(51c)들이 배열된다.At this time, the air heated by the high temperature large diameter wafer 10 exits from the upper body 51 of the cooling stage 55 along the first and second heat dissipation grooves 51a and 51b. Since the groove areas of the heat dissipation grooves 51a and 51b are so small that hot air cannot escape easily, the hot air can be discharged within a short time from between the large-diameter wafer 10 and the upper body 51 of the cooling stage 55. The protrusions 51c are arranged in a circular shape with a predetermined interval on the upper body 51 so as to be discharged.

이때, 돌기(51c)들은 적어도 상호 120°를 갖도록 상부 몸체(51)에 적어도 3 개 이상이 형성되는 것이 바람직하다. At this time, it is preferable that at least three or more protrusions 51c are formed on the upper body 51 to have at least 120 ° to each other.

또한 돌기(51c)들은 쿨링 스테이지(55)의 상부 몸체(51)와 대구경 웨이퍼(10)의 밑면 사이의 간격이 0.3mm ∼ 1mm 정도 되도록 상부 몸체(51)로부터 0.3mm ∼ 1mm의 높이로 돌출되도록 한다.In addition, the protrusions 51c may protrude from the upper body 51 to a height of 0.3 mm to 1 mm such that a distance between the upper body 51 of the cooling stage 55 and the bottom surface of the large-diameter wafer 10 is about 0.3 mm to 1 mm. do.

한편, 고온의 대구경 웨이퍼(10)가 냉각되면서 가열된 가열 공기는 상부 몸체(51)가 가열 공기에 비하여 저온일수록 쉽게 냉각되어 대구경 웨이퍼(10)의 냉각 성능이 향상됨으로 상부 몸체(51)의 하부에는 약 18℃ 정도의 저온 냉각수가 통과하는 냉각수관(52)이 형성된다.Meanwhile, the heated air heated while the high temperature large diameter wafer 10 is cooled is more easily cooled as the upper body 51 is lower than the heating air, so that the cooling performance of the large diameter wafer 10 is improved, so that the lower portion of the upper body 51 is improved. The cooling water pipe 52 through which the low-temperature cooling water of about 18 ° C. passes is formed.

이때, 냉각수관(52)은 대구경 웨이퍼(10)의 냉각에 적합하도록 적어도 2 개 이상의 냉각수관을 형성하도록 하는 것이 무방한 바, 본 발명에서는 바람직하게 제 1 냉각수관(52a)과 제 2 냉각수관(52b)으로 구성된다.At this time, the cooling water pipe 52 may be formed to have at least two cooling water pipes suitable for cooling the large-diameter wafer 10. In the present invention, the first cooling water pipe 52a and the second cooling water pipe are preferable. 52b.

제 1 냉각수관(52a)은 가열 공기의 흐름이 가장 원활하지 못한 대구경 웨이퍼(10)의 밑면 중앙에 해당하는 부분을 집중적으로 통과하도록 대구경 웨이퍼(10)의 밑면 중앙에 대응하는 부분에서 환형으로 절곡되면서 통과되도록 하고, 제 2 냉각수관(52b)은 제 1 냉각수관(52a)과 소정 간격 이격되어 대구경 웨이퍼(10)의 반지름의 절반에 해당하는 부분을 환형으로 감싸면서 통과하도록 하여 대구경 웨이퍼의 냉각 능력을 배가시킨다.The first cooling water pipe 52a is bent in an annular shape at a portion corresponding to the bottom center of the large-diameter wafer 10 so as to intensively pass the portion corresponding to the bottom center of the large-diameter wafer 10 where the flow of heating air is not smooth. The second cooling water pipe 52b is spaced apart from the first cooling water pipe 52a by a predetermined interval and passes through a portion corresponding to half of the radius of the large-diameter wafer 10 in an annular shape, thereby cooling the large-diameter wafer. Doubles your ability.

한편, 상부 몸체(51), 제 1 냉각수관(52a) 및 제 2 냉각수관(52b)은 하부 몸체(53)와 나사(54)에 의하여 고정 지지된다.Meanwhile, the upper body 51, the first cooling water pipe 52a, and the second cooling water pipe 52b are fixedly supported by the lower body 53 and the screw 54.

<표 2>에는 이와 같이 상부 몸체(51)에 상부 몸체(51)의 상면과 대구경 웨이퍼(10)의 밑면 사이에 소정 간격을 형성시켜 대구경 웨이퍼(10)와 상부 몸체(51_ 사이에서 가열된 공기가 쉽게 외부로 빠져나가도록 하는 돌기(51c)와, 냉각수관(52)을 복수개로 설치하였을 때 대구경 웨이퍼(10) 동일한 조건(250℃)에서 상온(26℃)이하로 냉각되는 시간과 온도의 관계가 설명되고 있다.In Table 2, a predetermined gap is formed on the upper body 51 between the upper surface of the upper body 51 and the bottom surface of the large diameter wafer 10 to heat the air heated between the large diameter wafer 10 and the upper body 51_. When the plurality of projections 51c and the coolant pipes 52 are provided in plural to easily escape to the outside, the large-diameter wafer 10 has a time and temperature that is cooled below room temperature (26 ° C) under the same conditions (250 ° C). The relationship is explained.

5초5 sec 10초10 sec 15초15 seconds 20초20 seconds 25초25 seconds 30초30 seconds 1차 측정Primary measurement 29℃29 ℃ 25.4℃25.4 ℃ 24.3℃24.3 ℃ 24.2℃24.2 ℃ 24.2℃24.2 ℃ 24℃24 ℃ 2차 측정Secondary measurement 25℃25 ℃ 22.6℃22.6 ℃ 22.6℃22.6 ℃ 22.5℃22.5 ℃ 22.2℃22.2 ℃ 22℃22 ℃

앞서 설명한<표 1>과 <표 2>를 비교해보면 종래에는 250℃의 대구경 웨이퍼가(10) 26℃까지 냉각되는데 30초의 시간이 소요된 반면, 본 발명에서는 5초와 10초 사이에서 250℃의 웨이퍼가 26℃이하로 냉각됨을 알 수 있다.Comparing the above-described <Table 1> and <Table 2> 30 seconds of the conventional 250 ℃ large diameter wafer (10) to 26 ℃, while it takes 250 seconds between 5 and 10 seconds in the present invention It can be seen that the wafer of is cooled below 26 ° C.

이상에서 살펴본 바와 같이, 고온의 웨이퍼를 상온으로 냉각시키는 쿨링 스테이지에 고온의 웨이퍼에 의하여 가열된 공기를 외부로 배출시키는 열배출홈을 형성하고, 열배출홈으로부터 가열된 공기가 쿨링 스테이지로부터 용이하게 배출되도록 쿨링 스테이지의 상면으로부터 소정 간격을 갖도록 원형 배열된 적어도 3 개 이상의 돌기를 형성하고, 웨이퍼의 냉각 효율을 배가시키기 위하여 쿨링 스테이지의 내부에 복수개의 냉각수관을 통과시켜 웨이퍼의 냉각 시간을 크게 단축시켜 반도체 소자 제작 시간을 크게 단축시키는 효과가 있다.As described above, a heat discharge groove for discharging air heated by the hot wafer to the outside is formed in a cooling stage for cooling the hot wafer to room temperature, and the air heated from the heat discharge groove is easily removed from the cooling stage. Forming at least three or more protrusions that are circularly arranged to have a predetermined distance from the upper surface of the cooling stage so as to be discharged, and a plurality of cooling water pipes are passed through the inside of the cooling stage to increase the cooling efficiency of the wafer, thereby greatly reducing the cooling time of the wafer. In this case, the semiconductor device fabrication time can be greatly shortened.

Claims (3)

포토레지스트가 제거될 웨이퍼를 적재한 웨이퍼 카세트가 대기하는 웨이퍼 카세트 대기 챔버와, 상기 웨이퍼의 상기 포토레지스트가 제거되는 프로세스 챔버와, 상기 프로세스 챔버에서 상기 포토레지스트가 제거된 상기 웨이퍼가 안착되어 냉각되는 쿨링 스테이지와, 상기 웨이퍼 카세트 대기 챔버, 상기 프로세스 챔버 및 상기 쿨링 챔버로 웨이퍼를 로딩/언로딩하는 로봇 암을 포함하며,A wafer cassette waiting chamber in which a wafer cassette on which a photoresist is to be removed is loaded is waiting, a process chamber in which the photoresist of the wafer is removed, and the wafer from which the photoresist has been removed from the process chamber are seated and cooled A cooling stage, and a robot arm for loading / unloading wafers into the wafer cassette standby chamber, the process chamber, and the cooling chamber, 상기 쿨링 스테이지는 직경이 증가하는 동심원 형상을 가지는 복수개의 링형 열방출홈과 상기 동심원 형상의 복수개의 링형 열방출홈의 중심으로부터 방사상 곧게 뻗은 방사형 열방출홈이 형성된 상부 몸체와;The cooling stage includes: an upper body having a plurality of ring-shaped heat dissipating grooves having a concentric shape of increasing diameter and a radial heat dissipating groove extending radially straight from a center of the plurality of ring-shaped heat dissipating grooves of concentric shapes; 상기 상부 몸체의 밑면에 설치된 복수개의 냉각수 배관과;A plurality of cooling water pipes installed on a bottom surface of the upper body; 상기 상부 몸체와 상기 냉각수 배관을 지지하는 하부 몸체와;A lower body supporting the upper body and the cooling water pipe; 상기 웨이퍼에 의해 가열된 공기가 상기 웨이퍼와 상기 상부 몸체 사이에서 배출되도록 상기 상부 몸체의 상면으로부터 소정 높이 돌출된 돌기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 애싱 설비.Ashing facility for manufacturing a semiconductor, characterized in that it comprises a projection protruding a predetermined height from the upper surface of the upper body so that the air heated by the wafer is discharged between the wafer and the upper body. 제 1 항에 있어서, 상기 냉각수 배관은 상기 웨이퍼의 밑면 중앙에 대응하는 부분에 설치된 제 1 냉각수 배관과, 상기 제 1 냉각수 배관과 상기 웨이퍼의 원주면 사이에 설치된 제 2 냉각수 배관을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 애싱 설비.2. The coolant pipe of claim 1, wherein the coolant pipe includes a first coolant pipe provided at a portion corresponding to a center of a bottom surface of the wafer, and a second coolant pipe provided between the first coolant pipe and a circumferential surface of the wafer. Ashing equipment for semiconductor manufacturing. 제 1 항에 있어서, 상기 돌기는 적어도 3 개 이상으로 상기 상부 몸체의 상면에 소정 간격으로 원형 배열된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 애싱 설비.The ashing facility for semiconductor manufacturing according to claim 1, wherein at least three protrusions are circularly arranged on the upper surface of the upper body at predetermined intervals.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63266824A (en) * 1987-04-24 1988-11-02 Toshiba Corp Resist curing device
JPH01251616A (en) * 1988-03-31 1989-10-06 Hitachi Ltd Asher
JPH0536597A (en) * 1991-07-26 1993-02-12 Tokyo Electron Ltd Treatment method
JPH06283493A (en) * 1993-03-29 1994-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate cooling device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63266824A (en) * 1987-04-24 1988-11-02 Toshiba Corp Resist curing device
JPH01251616A (en) * 1988-03-31 1989-10-06 Hitachi Ltd Asher
JPH0536597A (en) * 1991-07-26 1993-02-12 Tokyo Electron Ltd Treatment method
JPH06283493A (en) * 1993-03-29 1994-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate cooling device

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