KR100592229B1 - Method of manufacturing partition wall of gas discharge display device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 가스 방전 표시 소자의 격벽 제조 방법에 관한 것으로, 특히 고정세 직벽 구조를 갖는 AC PDP(plasma display panel) 격벽(Barrier Rib)의 제조 방법을 기재한다. 본 발명에 따른 가스방전표시소자의 격벽 제조 방법(Method for fabricating a barrier rib of plasma display panel)은 마이크로머시닝(micro-machining) 기술의 일종인 LIGA(X-ray lithography & Galvanoforming & Abforming) 공정의 레지스트 코팅(Resist coating)(PMMA)과 싱크로트론 방출(synchrotron radiation)을 이용한 패터닝(patterning)법을 응용하여 초기 PMMA 패터닝 구조(patterning structure)를 만든 후 금속(Ni, Cu 등) 도금 대신 유전체 패턴(pattern) 도금을 하여 고정세 직벽 구조의 격벽을 형성한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a partition wall of a gas discharge display device, and more particularly to a method for manufacturing an AC plasma display panel (PDP) barrier rib having a high-definition straight wall structure. Method for fabricating a barrier rib of plasma display panel according to the present invention is a resist of the X-ray lithography & galvanoforming & abforming (LIGA) process, which is a kind of micro-machining technology. After applying the patterning method using resist coating (PMMA) and synchrotron radiation, an initial PMMA patterning structure is made and then a dielectric pattern is used instead of metal (Ni, Cu, etc.) plating. Plating forms a partition wall of a high-definition straight wall structure.

Description

가스방전표시소자의 격벽 제조 방법{Method for fabricating a barrier rib of plasma display panel}Method for fabricating a barrier rib of plasma display panel

도 1은 종래의 스크린 프린팅법에 의한 가스방전표시 소자의 격벽 제조 방법을 공정 순서별로 보여주는 도면,1 is a view showing a partition manufacturing method of a gas discharge display device according to a conventional screen printing method in order of process;

도 2는 종래의 에칭법에 의한 가스방전표시 소자의 격벽 제조 방법을 공정 순서별로 보여주는 도면,2 is a view showing the partition wall manufacturing method of the gas discharge display device by a conventional etching method in order of process;

도 3은 종래의 샌드블라스트법에 의한 가스방전표시 소자의 격벽 제조 방법을 공정 순서별로 보여주는 도면,3 is a view showing the partition wall manufacturing method of the gas discharge display device according to the conventional sandblasting method by process order,

도 4는 종래의 스퀴징법에 의한 가스방전표시 소자의 격벽 제조 방법을 공정 순서별로 보여주는 도면,4 is a view showing the partition wall manufacturing method of the gas discharge display device by the conventional squeegee method in order of process,

도 5는 종래의 감광성 페이스를 이용한 가스방전표시 소자의 격벽 제조 방법을 공정 순서별로 보여주는 도면,FIG. 5 is a view showing the partition wall manufacturing method of a gas discharge display device using a conventional photosensitive face in order of a process; FIG.

도 6a 내지 도 6e는 본 발명에 따른 가스방전표시 소자의 격벽 제조 방법을 공정 순서별로 보여주는 도면들,6a to 6e are views showing the partition wall manufacturing method of the gas discharge display device according to the present invention in order of process;

도 7은 싱크로트론(Syncrotron)의 동작 원리를 보여주는 설명도,7 is an explanatory diagram showing an operating principle of a syncrotron;

그리고 도 8은 전기영동의 원리를 설명하기 위한 설명도이다.8 is an explanatory diagram for explaining the principle of electrophoresis.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

11. 기판 12. 데이타 전극11.Substrate 12.Data Electrode

13. 유전체층 14. 격벽 형성용 보조전극13. Dielectric layer 14. Auxiliary electrode for partition wall formation

15. 레지스트 16. X-ray 리소그래피용 마스크15. Resist 16. Masks for X-ray Lithography

16a. 블랭크층 16b, 흡수층16a. Blank layer 16b, absorber layer

17. 격벽17. Bulkhead

본 발명은 가스 방전 표시 소자의 격벽 제조 방법에 관한 것으로, 특히 고정세 직벽 구조를 갖는 AC PDP(plasma display panel) 격벽(Barrier Rib)의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing partition walls of gas discharge display devices, and more particularly, to a method for manufacturing AC plasma display panel (PDP) barrier ribs having a high-definition straight wall structure.

격벽은 PDP 내에서 방전셀 공간을 확보하고 또한 각 방전셀 간의 크로스토크(crosstalk)를 방지하며, 상판과 하판의 봉착시 외압으로부터 방전공간을 유지하는 등 그 기능은 다양한 만큼 PDP의 핵심층의 역할을 한다. 격벽은 상판과 하판 사이의 방전공간 확보를 위해 통상 100㎛ 이상의 높이를 요하는데, 이런 두께를 얻기 위해서 다음과 같은 다양한 격벽 제조 방법이 이용되어 왔다. The partition wall functions as a core layer of the PDP as it has various functions such as securing the discharge cell space in the PDP, preventing crosstalk between each discharge cell, and maintaining the discharge space from external pressure when sealing the upper and lower plates. do. The barrier ribs generally require a height of 100 μm or more to secure a discharge space between the upper plate and the lower plate. Various barrier rib manufacturing methods have been used to obtain such a thickness.

도 1은 종래의 스크린 프린팅법에 의한 PDP의 격벽 제조 방법을 보여주는 개략적 공정 단계별 단면도이다. 가장 오랫동안 응용된 스크린 프린팅법 인쇄 공정은, 도시된 바와 같이, 스크린 프린팅에 의한 인쇄 공정과 건조 공정 및 소성 공정으로 이루어진다. 이러한 공정들은 인쇄기와 소성로 등의 비교적 간단한 장비로 용 이하게 제조가 가능하고, 재료 이용 효율이 높은 강점을 지니고 있다. 그러나 이 방법은 10 회 이상의 반복적인 인쇄 공정이 요구되어 공정시간이 길고, 현재까지 50㎛ 이하의 선폭을 갖는 격벽의 제조가 불가하다는 점등 해상도(resolution) 구현의 한계로 인하여 사용이 어려운 실정이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a process of manufacturing a partition wall of a PDP by a conventional screen printing method. The screen printing method printing process applied for the longest time consists of the printing process by screen printing, a drying process, and a baking process, as shown. These processes can be easily manufactured with relatively simple equipment such as printing presses and kilns, and have high strengths in material use efficiency. However, this method is difficult to use due to the limitation of the lighting resolution (realization) that it is impossible to manufacture a partition wall having a line width of less than 50㎛ to date, because it requires more than 10 repeated printing process.

도 2는 종래의 에칭법에 의한 가스방전표시 소자의 격벽 제조 방법을 공정 순서별로 보여주는 도면이다. 도시된 바와 같이, 에칭법은 프릿 글래스 페이스트(frit glass paste)를 기판에 코팅하고 소성한 후, 그 위에 레지스트를 도포하고 노광 및 현상을 하여 마스크를 만든 다음, 이를 이용하여 프릿 글래스층을 식각함으로써 격벽을 형성하고 레지스트를 제거하여 다시 한번 소성한다. 이는 습식식각법을 이용하므로 직벽 구조의 형성이 어렵다. FIG. 2 is a diagram illustrating a method of manufacturing a partition wall of a gas discharge display device by a conventional etching method in order of a process. As shown in the drawing, the etching method includes coating a frit glass paste on a substrate and baking it, applying a resist thereon, exposing and developing a mask to form a mask, and then etching the frit glass layer using the same. The barrier ribs are formed and the resist is removed and fired again. It is difficult to form a straight wall structure because it uses a wet etching method.

도 3은 종래의 샌드블라스트법에 의한 가스방전표시 소자의 격벽 제조 방법을 공정 순서별로 보여주는 도면이다. 도시된 바와 같은 샌드블라스트(Sandblast) 공정은 고정세 패턴으로 형상이 직벽에 가까운 격벽 제조가 가능하기 때문에 후지쯔(Fujitsu) 등의 각 제조사들에서 응용되고 있는 등 현재 AC PDP 개발품들에서 가장 많이 적용되고 있는 격벽 제조 방법이다. 그러나 SXGA나 HDTV 등의 초고정세 패턴으로의 적용이나, 격벽의 재료가 되는 무연 Firt Glass(환경친화성 물질)의 개발, 저코스트를 위한 폐재(sandblasting된 Frit Glass)의 재이용법 개발 및 전극이나 방전 공간의 오염 등 해결해야 될 문제는 아직 많은 상태이다.3 is a diagram illustrating a method of manufacturing a partition of a gas discharge display device according to a conventional sandblasting method, in order of process. Sandblast process as shown is the most widely used in AC PDP developments, such as being applied by each manufacturer such as Fujitsu because it is possible to manufacture the partition wall close to the straight wall shape in a high-definition pattern It is a manufacturing method of the bulkhead. However, it is applied to ultra high-definition patterns such as SXGA and HDTV, development of lead-free firt glass (environmentally friendly material) as a material for bulkhead, development of reuse method of sandblasted frit glass for low cost, and electrode or discharge There are still many problems to be solved, such as pollution of space.

도 4는 종래의 스퀴징(squeezing)법에 의한 가스방전표시 소자의 격벽 제조 방법을 공정 순서별로 보여주는 도면이다. 도시된 바와 같이, 스퀴징법은 기판 상 에 두꺼운 레지스트를 도포하고 노광과 현상을 거쳐서 남은 레지스트 부패턴에 글래스 페이스트를 채워 소성한 다음 남은 부패턴을 제거함으로써 격벽을 형성한다. 광원을 이용하여 공정하므로 미세한 형상의 격벽 형성이 가능하고 유리 기판에 적합한 장점이 있으나 100μm 이상의 패턴을 도포할 때 시간이 많이 소요되고 형성된 패턴이 허물어지거나 소성시 겨벽 균열의 위험이 있고 소성후에도 감광성 필름이 잔존하여 이를 깨끗이 제거하는 방법이 과제로 남아있다. 4 is a diagram illustrating a method of manufacturing a partition wall of a gas discharge display device according to a conventional squeezing method in order of process. As shown, the squeegeeing method forms a partition by applying a thick resist on the substrate, filling the glass paste with the remaining resist subpattern through exposure and development, and then firing the removed subpattern. It is possible to form the partition wall of fine shape because it is processed using a light source, and it has the advantage of being suitable for the glass substrate, but it takes much time when applying the pattern over 100μm, the formed pattern is torn down, there is a risk of cracking of the wall when firing, and the photosensitive film even after firing The remaining problem is how to clean it out.

도 5는 종래의 감광성 페이스트를 이용한 가스방전표시 소자의 격벽 제조 방법을 공정 순서별로 보여주는 도면이다. 도시된 바와 같이, 감광성 페이스트를 이용한 방법은 두꺼운 감광성 격벽 물질의 페이스트를 도포하여 건조한 다음, 패턴된 마스크를 올려 노광하고 현상하여 남은 형상을 소성하여 격벽을 형성하는 방법이다. 이러한, 감광성 격벽 물질의 페이스트(Paste)를 이용한 공정은 스크린 인쇄에 비해 고정세는 가능하나, 재료의 단가가 비싸고 재료의 이용 효율이 낮으며, 노광 회수를 비롯한 노광 공정의 안정성이 부여되어야 하는 약점을 지니고 있다.FIG. 5 is a diagram illustrating a method of manufacturing a barrier rib of a gas discharge display device using a conventional photosensitive paste, in order of process. As shown, the method using the photosensitive paste is a method of applying a paste of a thick photosensitive partition material to dry, and then lifting the patterned mask to expose and develop to fire the remaining shape to form the partition wall. Although the process using a paste of the photosensitive partition material can be fixed compared to screen printing, the material has a weakness that the cost of the material is high, the use efficiency of the material is low, and the stability of the exposure process including the number of exposures should be given. I have it.

또한 건조막(Dry Film)에 의한 Addtive법은 Frit Glass 자체의 재료 이용 효율도 높고 고정세도 가능하나, 후막 형성후 레지스트(Resist) 제거가 중요한 과제이다. 레지스트(Resist) 제거를 하는 스트립(strip) 공정에서 형성된 후막이 무너지는 문제점을 지니고 있다. In addition, the Addtive method by dry film has high efficiency of use of the material of the Frit Glass itself and high definition, but removing the resist after forming the thick film is an important problem. The thick film formed in a strip process for resist removal has a problem of collapse.

이상과 같이 각 제조 공정은 장점과 개선점을 동시에 지니고 있기 때문에 각사에서는, PDP 적용을 위한 개발에 박차를 가하고 있는 실정이다.As described above, since each manufacturing process has advantages and improvements at the same time, each company is accelerating the development for PDP application.

한편 '97년 12월에 세라믹 전문회사인 일본 쿄세라(Kyocera)에서 금형을 이 용한 가압성형법을 개발하여 보고한 바 있다. 이 공법의 최대 장점은 간단한 공정으로 20㎛의 선폭 까지 격벽을 형성할 수 있는 고신뢰성 공정이다. 격벽의 폭을 최대로 줄임으로써, 발광 면적을 증가시키고 이에 따라 휘도와 효율을 향상시키는 방법이다. 특히 공정수를 감소시키고 프레스나 금형 등의 간단한 설비를 이용하기 때문에 PDP 제조의 저가격화도 동시에 달성할 수 있는 공정이다. 그러나 현재 페이스트(Paste), 금형의 재료, 소성 공정 및 금형 탈착 방법 등 기술적이고 구체적인 방법은 제시되지 않은 상태이기 때문에 아직 대형 PDP 제조의 적용에는 문제가 있다. 또한 가압,가열 성형시 유리 기판에 변형을 유발하는 문제점 등을 지니고 있다.Meanwhile, in December '97, a ceramic specialist, Kyocera, Japan, developed and reported a press molding method using a mold. The biggest advantage of this method is a high reliability process that can form barrier ribs up to a line width of 20 µm with a simple process. By reducing the width of the partition to the maximum, it is a method of increasing the light emitting area, thereby improving the brightness and efficiency. In particular, since the number of processes is reduced and simple equipment such as presses and molds are used, the low cost of PDP manufacturing can be achieved at the same time. However, since technical and specific methods such as paste, mold material, firing process and mold desorption method have not been presented, there is a problem in the application of large-scale PDP production. In addition, there is a problem that causes deformation in the glass substrate during pressing, heat molding.

이와 같이, 격벽 형성을 위한 기존의 공정들은 특성의 한계, 공정의 복잡성, 오염 및 공정단가의 문제 등 여러 가지 문제점 및 한계를 나름대로 지니고 있다.As such, existing processes for forming the barrier ribs have various problems and limitations, such as limitations of characteristics, complexity of processes, contamination, and process cost.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하고자 창안한 것으로, 공정 단가를 낮출 수 있는 마이크로머쉬닝법을 적용하여 HDTV용 고해상도(high resolution) 격벽의 제조가 가능한 가스방전표시소자(특히 AC PDP)의 격벽 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to improve the above problems, and manufactures a partition of a gas discharge display device (especially an AC PDP), which is capable of manufacturing a high resolution partition for an HDTV by applying a micromachining method that can lower the process cost. The purpose is to provide a method.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 가스방전표시소자의 제조 방법은, (가) 데이타 전극들이 형성된 기판 상에 격벽 제조용 보조 전극들을 형성하는 단계; (나) 상기 보조 전극이 형성된 기판 상에 소정 두께 이상의 포토레지스트 후막을 도포하는 단계; (다) 상기 포토레지스트 후막을 X-ray 마스크를 이용 한 X-ray 리소그래피법으로 패터닝하여 상기 보조 전극들이 노출되도록 하는 홈들을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; (라) 상기 보조전극들 전원을 연결하여 전기영동법으로 상기 홈들에 격벽을 형성하는 단계; 및 (마) 스트리핑을 통하여 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a method of manufacturing a gas discharge display device according to the present invention includes the steps of: (a) forming auxiliary electrodes for barrier rib manufacturing on a substrate on which data electrodes are formed; (B) applying a photoresist thick film of a predetermined thickness or more on a substrate on which the auxiliary electrode is formed; (C) patterning the photoresist thick film by X-ray lithography using an X-ray mask to form a photoresist pattern having grooves to expose the auxiliary electrodes; (D) forming a barrier rib in the grooves by connecting power of the auxiliary electrodes; And (e) removing the photoresist pattern through stripping.

본 발명에 있어서, 상기 (가) 단계에서 상기 보조전극들은, 상기 데이타 전극들 형성된 기판 상에 유전체층을 형성하고 이 유전체층 위에 형성하되, 각각 상기 데이타 전극들 사이의 중간 지점들에 대응하는 위치에 형성하고, 상기 (나) 단계에서 상기 포토레지스트 후막은 PMMA 레지스트를 캐스팅법으로 100㎛ 이상의 두께가 되도록 형성하되, 상기 (나) 단계는, (나-1) 크로스 링크 폴리머와 반응가속제(reaction accelerator) 및 접착향상제를 함께 용액화하는 포토레지스트 제조 단계; 및 (나-2) 상기 포토레지스트를 캐스팅법으로 상기 기판 상에 균일하게 도포하는 도포 단계;를 포함하며, 상기 (다) 단계에서 상기 X ray 마스크는 다이아몬드, 베릴륨 등의 저 원자번호 물질로 만들어져 X-ray를 투과시키는 블랭크트층 및 Au, W 등의 고원자 번호 물질로 만들어져 X-ray를 흡수하는 흡수층으로 이루어지며, 상기 (라) 단계에서 상기 전기 영동법은 SiO2 계, B2O3 혹은 알루미나계의 무연 유전체 분말이 분산된 용액에 LiCl, NaCl, KCl, CaCl2 중 적어도 어느 한 금속염을 넣은 전해액 속에서 이루어지는 것이 바람직하다.In the present invention, in the step (a), the auxiliary electrodes form a dielectric layer on the substrate on which the data electrodes are formed and are formed on the dielectric layer, respectively, at positions corresponding to intermediate points between the data electrodes. In the step (b), the thick photoresist film is formed to have a thickness of 100 μm or more by casting a PMMA resist, and the step (b) includes (b-1) a crosslinked polymer and a reaction accelerator. ) And a photoresist manufacturing step of liquefying the adhesion promoter; And (b-2) applying the photoresist uniformly onto the substrate by a casting method. In the step (c), the X-ray mask is made of a low atomic number material such as diamond or beryllium. It is made of a blank layer that transmits X-rays and an absorbing layer made of a plateau number material such as Au and W, and absorbs X-rays. In the step (d), the electrophoresis method is SiO 2 type , B 2 O 3 or It is preferable that the alumina lead-free dielectric powder is made in an electrolyte solution in which at least one metal salt of LiCl, NaCl, KCl, CaCl 2 is added to a solution in which the alumina-based lead-free dielectric powder is dispersed.

또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 또 다른 가스방전표시소자의 제조 방법은, (가) 데이타 전극들이 형성된 기판 상에 격벽 제조용 보조 전극들을 형성하는 단계; (나) 상기 보조 전극이 형성된 기판 상에 소정 두께 이상의 포토레지스트 후막을 도포하는 단계; (다) 상기 포토레지스트 후막을 자외선을 이용한 리소그래피법으로 패터닝하여 상기 보조 전극들이 노출되도록 하는 홈들을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; (라) 상기 보조전극들 전원을 연결하여 전기영동법으로 상기 홈들에 격벽을 형성하는 단계; 및 (마) 스트리핑을 통하여 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, another method of manufacturing a gas discharge display device according to the present invention in order to achieve the above object, (A) forming a secondary electrode for forming a partition on the substrate on which the data electrodes are formed; (B) applying a photoresist thick film of a predetermined thickness or more on a substrate on which the auxiliary electrode is formed; (C) patterning the photoresist thick film by lithography using ultraviolet light to form a photoresist pattern having grooves to expose the auxiliary electrodes; (D) forming a barrier rib in the grooves by connecting power of the auxiliary electrodes; And (e) removing the photoresist pattern through stripping.

본 발명에 있어서, 상기 (가) 단계에서 상기 보조전극들은, 상기 데이타 전극들 형성된 기판 상에 유전체층을 형성하고 이 유전체층 위에 형성하되, 각각 상기 데이타 전극들 사이의 중간 지점들에 대응하는 위치에 형성하고, 상기 (나) 단계에서 상기 포토레지스트 후막은 PMMA 레지스트를 캐스팅법으로 100㎛ 이상의 두께가 되도록 형성하되, 상기 (나) 단계는, (나-1) 크로스 링크 폴리머와 반응가속제(reaction accelerator) 및 접착향상제를 함께 용액화하는 포토레지스트 제조 단계; 및 (나-2) 상기 포토레지스트를 캐스팅법으로 상기 기판 상에 균일하게 도포하는 도포 단계;를 포함하며, 상기 (라) 단계에서 상기 전기 영동법은 SiO2 계, B2O3계 혹은 알루미나계의 무연 유전체 분말이 분산된 용액에 LiCl, NaCl, KCl, CaCl2 중 적어도 어느 한 금속염을 넣은 전해액 속에서 이루어지는 것이 바람직하다.In the present invention, in the step (a), the auxiliary electrodes form a dielectric layer on the substrate on which the data electrodes are formed and are formed on the dielectric layer, respectively, at positions corresponding to intermediate points between the data electrodes. In the step (b), the thick photoresist film is formed to have a thickness of 100 μm or more by casting a PMMA resist, and the step (b) includes (b-1) a crosslinked polymer and a reaction accelerator. ) And a photoresist manufacturing step of liquefying the adhesion promoter; And (b-2) applying the photoresist uniformly onto the substrate by a casting method. In the step (d), the electrophoresis method is based on SiO 2 , B 2 O 3 , or alumina. It is preferable that the lead-free dielectric powder of is made in an electrolyte solution in which at least one metal salt of LiCl, NaCl, KCl, CaCl 2 is added.

이하 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 가스방전표시소자의 제조 방법을 상세하게 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a gas discharge display device according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

본 발명에서는 HDTV용 고해상도(high resolution), 고정세 직벽 구조의 격벽 제조가 가능한 동시에 공정단가를 낮출 수 있는 마이크로머시닝(micro-machining) 기술을 적용하여 AC PDP의 격벽을 제조한다. 즉, 본 발명은 기존의 MEMS(micro electronics mechenic system)에 응용되는 초고정세 공정 기술인 마이크로머시닝(micro-machining) 기술의 일종인 LIGA(X-ray lithography & Galvanoforming & Abforming) 공정의 레지스트 코팅(Resist coating)(PMMA)과 싱크로트론 방출(synchrotron radiation)을 이용한 패터닝(patterning)법을 응용하여 초기 PMMA 패터닝 구조(patterning structure)를 만든 후 금속(Ni, Cu 등) 도금 대신 유전체 패턴(pattern) 도금을 하여 격벽을 형성한다. LIGA(X-ray lithography & Galvanoforming & Abforming) 공정은 대표적인 마이크로머시닝 공정으로 PMMA(polymethyl-methacarborate) 레지스트(resist)를 싱크로트론 방출(synchrotron radiation)을 이용하여 엑스레이 리소그래피(X-ray lithography)법으로 패터닝(patterning)하는 공정 기술을 일컫는다.In the present invention, it is possible to manufacture a high resolution, high-definition straight wall structure for HDTV, and at the same time, a micro-machining (micro-machining) technology for lowering the cost of manufacturing a barrier of AC PDP is manufactured. That is, the present invention is a resist coating of the X-ray lithography & galvanoforming & abforming (LIGA) process, which is a kind of micro-machining technology, which is an ultra-fine process technology applied to a conventional micro electronics mechenic system (MEMS). (PMMA) and patterning method using synchrotron radiation to create an initial PMMA patterning structure, followed by dielectric pattern plating instead of metal (Ni, Cu, etc.) To form. LIGA (X-ray lithography & Galvanoforming & Abforming) process is a representative micromachining process. patterning process technology).

도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 의한 가스방전표시 소자의 격벽 제조 방법을 공정 순서별로 보여주는 도면들이다. 도시된 바와 같은 격벽 제조 방법은, 마이크로 머시닝 공정(micro machining process)에서 PMMA에 X-ray lithography 기술을 응용 후, 유전체(SiO2-B2O3계) 분말(powder)이 분산된 용액 내에서 전기영동법에 의해 고 종횡비(high aspect ratio)의 격벽을 만드는 신공정을 보여준다. 그 구체적인 실시예의 공정 방법은 다음과 같다.6A through 6D are diagrams illustrating a method of manufacturing a partition wall of a gas discharge display device according to the present invention, in order of processing. In the method of manufacturing a partition wall as shown, after applying X-ray lithography technique to PMMA in a micro machining process, a dielectric (SiO 2 -B 2 O 3 based) powder is dispersed in a solution. Electrophoresis shows a new process for making high aspect ratio bulkheads. The process method of the specific Example is as follows.

먼저, 격벽(barrier rib)을 쌓기 전에, 도 6a에 도시된 바와 같이, 기판 상에 데이타(data) 전극(12)을 형성하고, 그 위에 유전체층(13)을 데이타 전극(12)을 형성하여 덮은 다음, 유전체층(13) 위에 전기영동법을 구현하기 위한 보조 전극(14)을 형성한다. 이 보조 전극(14)은 전기영동(electrophoresis)에 적용할 수 있을 뿐만 아니라 구조 변경에 따른 활용도 가능하다.First, before the barrier ribs are stacked, as shown in FIG. 6A, a data electrode 12 is formed on a substrate, and a dielectric layer 13 is formed thereon to cover the data electrode 12. Next, the auxiliary electrode 14 for implementing the electrophoresis method is formed on the dielectric layer 13. This auxiliary electrode 14 can be applied not only to electrophoresis, but also used in accordance with the structural change.

다음에, 도 6b에 도시된 바와 같이, 포토레지스트(photoresist)를 크로스 링크 폴리머(cross linked polymers)와 반응가속제(reaction accelerator) 및 접착향상제 등과 함께 용액화하여 보조 전극(14)이 형성된 유전체층(13) 위에 도포하여 포토레지스트 후막(15')을 형성한다. 포토레지스트(Photoresist) 도포시에는 스핀 코팅(spin coating)으로도 가능하나 보통 100㎛ 이상의 후막을 형성하여야 하기 때문에 캐스팅(casting)법으로 균일 도포한다. 이렇게 도포된 포토레지스트 후막(15')을 X-ray용 마스크(16)를 사용하여, X-ray 리소그래피(lithography)를 행한다. 이 때 마스크(16)는 마스크 블랭크층(mask blank(thin membrane))(16a)과 흡수층(absorber)(16b)으로 이루어진다. 마스크 블랭크(mask blank)층(16a)은 X ray에 대해서 투과도가 좋고 기계적, 열적으로 안정한 저 원자번호(low atominc number)의 다이아몬드(diamond), 베릴륨(beryllium) 등의 물질로 만들고, 흡수층(absorber)(16b)은 X-ray에 대해서 흡수력이 뛰어난 고 원자번호(high atomic number)의 Au, W 등으로 만든다. 이렇게 X-ray 노출(exposing) 후에는, 도 6c에 도시된 바와 같은 통상의 방법으로 현상(developing)한다. 즉, 도 6c는 현상(developing)한 후 포토레지스트 패턴(photoresist pattern)(15)을 모습을 보여준다.Next, as shown in FIG. 6B, the photoresist is a dielectric layer in which the auxiliary electrode 14 is formed by liquefying photoresist with cross linked polymers, a reaction accelerator, and an adhesion promoter. 13) to form a photoresist thick film 15 '. In the case of photoresist coating, spin coating may be performed, but since a thick film of 100 μm or more is usually formed, uniform coating is performed by casting. The thus-coated photoresist thick film 15 'is subjected to X-ray lithography using the mask 16 for X-rays. At this time, the mask 16 is composed of a mask blank (thin membrane) 16a and an absorber 16b. The mask blank layer 16a is made of a low atominc number diamond, beryllium, or the like which is transparent to X ray and mechanically and thermally stable, and is an absorber. 16b is made of high atomic number Au, W and the like which are excellent in absorbing X-rays. After this X-ray exposure, development is carried out in a conventional manner as shown in FIG. 6C. That is, FIG. 6C shows a photoresist pattern 15 after developing.

다음에, 도 6d에 도시된 바와 같이, 보조전극(14)에 외부로부터 전원을 연결하여 전기영동법으로 격벽(17)을 형성한다. 여기서, 사용되는 전기영동은 SiO2-B2O 3 계의 전기영동이다. 이는 금속염(LiCl, NaCl, KCl, CaCl2, 등)을 넣어, 금속이 유전체 입자 표면에 부착되어 (+)하전을 띤 상태로 있는데, 이 때 패널(panel)의 보조 전극(14)에 (-) 전압을 걸어주게 되면, 이 형광체 하전입자들은 전기영동에 의해 패널에 형성되어 있는 보조전극(14)으로 이동하여 부착되게 된다. 이러한 방법으로 격벽(barrier rib)(17)을 형성하게 되는 것이다.Next, as shown in FIG. 6D, the power source is connected to the auxiliary electrode 14 from the outside to form the partition wall 17 by electrophoresis. Here, electrophoresis used is electrophoresis of SiO 2 -B 2 O 3 system. The metal salt (LiCl, NaCl, KCl, CaCl 2 , etc.) is added to the metal particles to the surface of the dielectric particles to form a (+) charge, at which time the auxiliary electrode 14 of the panel (- When the voltage is applied, the phosphor-charged particles are moved and attached to the auxiliary electrode 14 formed on the panel by electrophoresis. In this way, a barrier rib 17 is formed.

다음에, 도 6e에 도시된 바와 같이, 스트리핑(stripping)을 통하여 포토레지스트 패턴(15)을 제거한 후 격벽(17) 만을 남긴다. Next, as shown in FIG. 6E, only the partition 17 is left after removing the photoresist pattern 15 through stripping.

이상과 같은 격벽 제조 공정은 크게 마이크로머시닝 공정(micro-machining process)과 전기영동법으로 나누어 진행된다. 마이크로머시닝(Micro-machining) 공정으로는 X-ray 리소그래피(lithography)가 사용된다. X-ray 리소그래피(lithography)의 기본 원리인 싱크로트론(syncrotron)의 원리는 도 7에 도시된 바와 같다. The bulkhead manufacturing process as described above is largely divided into a micro-machining process and an electrophoresis method. X-ray lithography is used as a micromachining process. The principle of syncrotron, the basic principle of X-ray lithography, is shown in FIG. 7.

전자는 직선운동을 하기 때문에 자기장(magnetic field) H를 걸어줌으로해서 전자를 회전운동시킨다. 이렇게 가속된 전자가 튀어나오게 되는 것이 싱크로트론 방출(synchrotron radiation)이다. 이렇게 나오는 싱크로트론 방출(synchrotron radiation)은 전자파와 자기파가 합쳐진 전자기파(X-ray)이며, 파장이 1∼4Å에 이른다. 에러(Error)는 거의 없으며 벽면 조도(거칠기)는 Ra=300Å로 표면은 매끄럽다. Since the electrons move in a linear motion, they rotate the electrons by applying a magnetic field H. The accelerating electrons come out of synchrotron radiation. This synchrotron radiation is an electromagnetic wave (X-ray) in which electromagnetic waves and magnetic waves are combined, and has a wavelength of 1 to 4 GHz. There is little error and the surface roughness (roughness) is Ra = 300Å and the surface is smooth.

X-ray 리소그래피(lithography)는 단파장(shorter wavelength)의 X-ray를 사용하여, 단시간 강한 에너지를 이용하므로 고 종횡비(high aspect ratio)가 쉽게 얻어진다. 또한, 기판(substrate)의 토포그래피(topography;물체표면의 굴곡), 기판 형태(substrate type), 기판(substrate)의 표면반사에 상관없이 재생성(reproducibility)이 좋다는 장점이 있다. 이는 대량생산을 가능하도록 하는 강한 장점이라 할 수 있다. 또 다른 중요한 장점은 저 원자번호 물질의 오염(low atomic number contamination)이 없는 장점이 있다.X-ray lithography uses shorter wavelength X-rays, and uses high energy for a short time, so high aspect ratios are easily obtained. In addition, there is an advantage that the reproducibility is good regardless of the topography of the substrate, the substrate type, and the surface reflection of the substrate. This is a strong advantage to enable mass production. Another important advantage is the absence of low atomic number contamination.

전극·전해액계에서 물질이동은 도 8에 도시된 바와 같은 전기영동(electrical migration), 대류(convection) 및 확산(diffusion)에 의해 일어난다. 전기영동이란 전기적인 힘에 의해 이온이나 분자가 이동하는 것을 말하며 그냥 영동이라고도 불리운다. 확산은 이온이나 분자의 농도차에 의해 일어나며, 전기도금과 같은 전기화학반응에서 전극 표면으로의 이온의 이동은 주로 확산에 의해 일어난다. 본 실시예에서는 B2O3계나 SiO2계 또는 알루미나계의 무연 유리 분말(glass powder)을 알칼리 이온 등으로 하전시켜 전기영동에 이용한다. 즉, SiO2-B2O3 유전체 입자 외부에 K, Li, Na 등의 (+)로 하전된 알칼리 이온이 붙어서 음극(cathod)으로의 물질이동을 일컫는 것이다. 이렇게 제조된 유전체 격벽은 전기영동후 530∼580℃ 의 온도범위에서 기존의 페이스트(paste) 소성공정과 동일하게 소성한다. 소성을 함으로써 유기물 등의 기타 오염물을 제거하며, 패키징 밀도(packing density)를 높이는 역할을 한다. 그리고 SiO2-B2O3계 유전체와 기판과의 밀착성을 좋게하여, 견고한 구조물을 형성한다.Mass transfer in the electrode / electrolyte system occurs by electromigration, convection, and diffusion as shown in FIG. 8. Electrophoresis refers to the movement of ions or molecules by electrical forces, also called electrophoresis. Diffusion is caused by the difference in concentration of ions or molecules, and the movement of ions to the electrode surface is mainly caused by diffusion in electrochemical reactions such as electroplating. In this embodiment, lead-free glass powder of B 2 O 3, SiO 2 , or alumina is charged with alkali ions and used for electrophoresis. That is, it refers to the movement of materials to the cathode by attaching positively charged alkali ions such as K, Li, and Na to the outside of the SiO 2 -B 2 O 3 dielectric particles. The dielectric barrier ribs thus prepared are fired in the same temperature range as the conventional paste firing process in the temperature range of 530 to 580 ° C after electrophoresis. The firing removes other contaminants such as organic matter, and serves to increase the packaging density. In addition, the adhesion between the SiO 2 -B 2 O 3 based dielectric and the substrate is improved to form a rigid structure.

또한, 실시예에서는 X-ray를 대신하여 일반 UV로 노광시키는 LIGA-like 공정 법도 적용하여 제조하기도 한다. LIGA-like란 일반적인 포토레지스트 후막(thick PR)을 사용하여, X-ray 대신 일반 노광작업을 거쳐 원하는 패터닝(patterning) 작업을 하는 것이다. 이런 경우, 특별히 X-ray 마스크(Mask)를 제작할 필요없이 일반적인 마스크를 사용하므로 제조 단가를 많이 낮출수 있다. X-ray 리소그래피(lithography)를 이용한 방법보다는 패턴 해상도(pattern resolution)이 약간 떨어지긴 하지만, 현 PDP 제조공정에서의 해상도(resolution) 보다는 좋기 때문에 이용가치는 충분하다. 이와 같이, 본 실시예에서는 LIGA-like 방법도 적용될 수 있다.In addition, the embodiment is also manufactured by applying a LIGA-like process method that is exposed to normal UV in place of X-ray. LIGA-like is the use of a typical photoresist thick film (thick PR), and instead of the X-rays to perform the desired patterning (patterning). In this case, since a general mask is used without specially manufacturing an X-ray mask, the manufacturing cost can be reduced. Although the pattern resolution is slightly lower than that using X-ray lithography, its value is sufficient because it is better than the resolution in current PDP manufacturing processes. As such, the LIGA-like method may also be applied in the present embodiment.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 가스방전표시소자의 격벽 제조 방법(Method for fabricating a barrier rib of plasma display panel)은 마이크로머시닝(micro-machining) 기술의 일종인 LIGA(X-ray lithography & Galvanoforming & Abforming) 공정의 레지스트 코팅(Resist coating)(PMMA)과 싱크로트론 방출(synchrotron radiation)을 이용한 패터닝(patterning)법을 응용하여 초기 PMMA 패터닝 구조(patterning structure)를 만든 후 금속(Ni, Cu 등) 도금 대신 유전체 패턴(pattern) 도금을 하여 고정세 직벽 구조의 격벽을 형성함으로써, 소형의 소자(device)에 초고정세 제품을 생산할 수 있다. 특히, 현재 PDP와 같이 40″이상의 대면적화에 대응에 대해선 아직 미진하나(X-ray lithography, mask 제조기술),선폭을 ㎛단위로 제어할 수 있고 패턴 두께도 mm 단위 까지 형성할 수 있는 고종횡비 마이크로 구조(high aspect ratio micro-structure) 제조 기술이므로, 선폭 대 비 높이가 1 : 10 이상인 고종횡비(high aspect ratio) 격벽 제조가 가능하며, 격벽면의 표면 조도가 300Å 이하인 격벽을 얻을 수 있다. 다음은 본 발명에 따른 가스방전표시소자의 격벽제조 방법을 통하여 얻을 수 있는 주요 효과들이다.As described above, the method for fabricating a barrier rib of plasma display panel according to the present invention is LIGA (X-ray lithography & Galvanoforming & a kind of micro-machining technology) After the initial PMMA patterning structure was made by applying resist coating (PMMA) and patterning method using synchrotron radiation in the abforming process, instead of plating metal (Ni, Cu, etc.) By forming a partition wall having a high-definition straight wall structure by performing dielectric pattern plating, it is possible to produce an ultra-high definition product in a small device. In particular, it is still insufficient to cope with the large area of 40 ″ or more like PDP (X-ray lithography, mask manufacturing technology), but it has high aspect ratio that can control the line width in the unit of μm and the pattern thickness can be formed up to the unit of mm. Because of the high aspect ratio micro-structure manufacturing technology, it is possible to manufacture a high aspect ratio partition wall having a line width-to-ratio height of 1 to 10 or more, and a partition wall having a surface roughness of 300 mm or less can be obtained. The following are the main effects that can be obtained through the method of manufacturing the partition wall of the gas discharge display device according to the present invention.

1) 고 종횡비(High aspect ratio)(100:1 이상도 가능) 격벽을 높은 생산성으로 형성할 수 있다.1) High aspect ratio (100: 1 or more possible) Bulkhead can be formed with high productivity.

2) 평탄하고 부드러운(smooth) 벽면 형성이 가능하다.2) It is possible to form a smooth and smooth wall surface.

3) 선폭을 수 마이크로 단위까지도 제어가 가능하기 때문에 HDTV용 PDP에 적용 가능하다.3) Since the line width can be controlled to several micro units, it can be applied to PDP for HDTV.

4) 격벽 형상을 스트라이프(stripe) 상이 아닌 포스트(post) 형태로도 가공할 수 있다. 4) The partition wall shape may be processed in the form of a post rather than a stripe.

5) 격벽 전극(Barrier rib Electrode) AC PDP 신구조 개발에 적용 가능하다. 5) Barrier rib Electrode Applicable to the development of new AC PDP structure.

6) 격벽의 치밀성 증대된다. 즉, 격벽 내에 잔존하는 방출가스(outgas)가 감소하고, 형광체 열화 및 특성 저하가 방지되며, 격벽의 기계적 강도, 방열 특성 등이 향상된다.6) The compactness of the bulkhead is increased. That is, the outgas remaining in the partition wall is reduced, deterioration of phosphor and deterioration of characteristics are prevented, and the mechanical strength, heat dissipation characteristics, etc. of the partition wall are improved.

7) 일정한 셀 크기내에서 격벽폭 감소 및 형광체 체적 증가로 발광 단면적, 반사효율 등이 증가한다. 이는 AC PDP 휘도 및 효율의 증대로 이어진다.7) Light emission cross-sectional area, reflection efficiency, etc. are increased by decreasing bulkhead width and increasing phosphor volume within a certain cell size. This leads to an increase in AC PDP brightness and efficiency.

Claims (15)

(가) 데이타 전극들이 형성된 기판 상에 격벽 제조용 보조 전극들을 형성하는 단계; (A) forming auxiliary electrodes for barrier rib manufacturing on a substrate on which data electrodes are formed; (나) 상기 보조 전극이 형성된 기판 상에 소정 두께 이상의 포토레지스트 후막을 도포하는 단계;(B) applying a photoresist thick film of a predetermined thickness or more on a substrate on which the auxiliary electrode is formed; (다) 상기 포토레지스트 후막을 X-ray 마스크를 이용한 X-ray 리소그래피법으로 패터닝하여 상기 보조 전극들이 노출되도록 하는 홈들을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;(C) patterning the photoresist thick film by X-ray lithography using an X-ray mask to form a photoresist pattern having grooves to expose the auxiliary electrodes; (라) 상기 보조전극들에 전원을 연결하여 전기영동법으로 상기 홈들에 격벽을 형성하는 단계; 및 (D) forming a barrier rib in the grooves by connecting power to the auxiliary electrodes by electrophoresis; And (마) 스트리핑을 통하여 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스방전표시소자의 격벽 제조 방법.(E) removing the photoresist pattern through stripping; partition wall manufacturing method of a gas discharge display device comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 (가) 단계에서 상기 보조전극들은 각각 상기 데이타 전극들 사이에 형성된 것을 특징으로 하는 가스방전표시소자의 격벽 제조 방법.The method of claim 1, wherein the auxiliary electrodes are formed between the data electrodes, respectively. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 (가) 단계에서 상기 보조전극들은, 상기 데이타 전극들 형성된 기판 상에 유전체층을 형성하고 이 유전체층 위에 형성하되, 각각 상기 데이타 전극들 사이의 중간 지점들에 대응하는 위치에 형성하는 것을 특징으로 하는 가스방전표시소자의 격벽 제조 방법.In the step (a), the auxiliary electrodes are formed on the substrate on which the data electrodes are formed and are formed on the dielectric layer, wherein the auxiliary electrodes are formed at positions corresponding to intermediate points between the data electrodes. A method of manufacturing partition walls of gas discharge display devices. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 (나) 단계에서 상기 포토레지스트 후막은 PMMA 레지스트로 형성된 것을 특징으로 하는 가스방전표시소자의 제조 방법.And (b) the photoresist thick film is formed of a PMMA resist. 제1항 또는 제4항에 있어서,The method according to claim 1 or 4, 상기 (나) 단계는,The (b) step, (나-1) 크로스 링크 폴리머와 반응가속제(reaction accelerator) 및 접착향상제를 함께 용액화하는 포토레지스트 제조 단계; 및(B-1) a photoresist manufacturing step of liquefying a cross link polymer, a reaction accelerator, and an adhesion promoter; And (나-2) 상기 포토레지스트를 스핀 코팅법 혹은 캐스팅법으로 상기 기판 상에 균일하게 도포하는 도포 단계;를(B-2) an application step of uniformly applying the photoresist on the substrate by spin coating or casting; 포함하는 것을 특징으로 하는 가스방전표시소자의 격벽 제조 방법.A barrier rib manufacturing method of a gas discharge display device comprising a. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 (나) 단계에서 상기 포토레지스트 후막은 상기 캐스팅법으로 100㎛ 이상의 두께가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 가스방전표시소자의 격벽 제조 방법.In the step (b), the thick photoresist film is formed to have a thickness of 100 μm or more by the casting method. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 (다) 단계에서 상기 X ray 마스크는 다이아몬드, 베릴륨 등의 저 원자번호 물질로 만들어져 X-ray를 투과시키는 블랭크트층 및 Au, W 등의 고원자 번호 물질로 만들어져 X-ray를 흡수하는 흡수층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 가스방전표시소자의 격벽 제조 방법.In the step (c), the X-ray mask is made of a low atomic number material such as diamond and beryllium to transmit X-ray, and an absorbing layer made of high-numbered material such as Au and W to absorb X-ray. Forming a partition wall of the gas discharge display device, characterized in that formed. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 (라) 단계에서 상기 전기 영동법은 SiO2 계, B2O3계 혹은 알루미나계의 무연 유전체 분말이 분산된 용액에 LiCl, NaCl, KCl, CaCl2 중 적어도 어느 한 금속염을 넣은 전해액 속에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스방전표시소자의 격벽 제조 방법.In the step (d), the electrophoresis is performed in an electrolyte solution in which at least one metal salt of LiCl, NaCl, KCl, or CaCl 2 is added to a solution in which a lead-free dielectric powder of SiO 2 , B 2 O 3 , or alumina is dispersed. A partition wall manufacturing method of a gas discharge display device, characterized in that. (가) 데이타 전극들이 형성된 기판 상에 격벽 제조용 보조 전극들을 형성하는 단계; (A) forming auxiliary electrodes for barrier rib manufacturing on a substrate on which data electrodes are formed; (나) 상기 보조 전극이 형성된 기판 상에 소정 두께 이상의 포토레지스트 후막을 도포하는 단계;(B) applying a photoresist thick film of a predetermined thickness or more on a substrate on which the auxiliary electrode is formed; (다) 상기 포토레지스트 후막을 자외선을 이용한 리소그래피법으로 패터닝하여 상기 보조 전극들이 노출되도록 하는 홈들을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;(C) patterning the photoresist thick film by lithography using ultraviolet light to form a photoresist pattern having grooves to expose the auxiliary electrodes; (라) 상기 보조전극들에 전원을 연결하여 전기영동법으로 상기 홈들에 격벽을 형성하는 단계; 및 (D) forming a barrier rib in the grooves by connecting power to the auxiliary electrodes by electrophoresis; And (마) 스트리핑을 통하여 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스방전표시소자의 격벽 제조 방법.(E) removing the photoresist pattern through stripping; partition wall manufacturing method of a gas discharge display device comprising a. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 (가) 단계에서 상기 보조전극들은 각각 상기 데이타 전극들 사이에 형성된 것을 특징으로 하는 가스방전표시소자의 격벽 제조 방법.The method of claim 1, wherein the auxiliary electrodes are formed between the data electrodes, respectively. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 (가) 단계에서 상기 보조전극들은, 상기 데이타 전극들 형성된 기판 상에 유전체층을 형성하고 이 유전체층 위에 형성하되, 각각 상기 데이타 전극들 사이의 중간 지점들에 대응하는 위치에 형성하는 것을 특징으로 하는 가스방전표시소자의 격벽 제조 방법.In the step (a), the auxiliary electrodes are formed on the substrate on which the data electrodes are formed and are formed on the dielectric layer, wherein the auxiliary electrodes are formed at positions corresponding to intermediate points between the data electrodes. A method of manufacturing partition walls of gas discharge display devices. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 (나) 단계에서 상기 포토레지스트 후막은 PMMA 레지스트로 형성된 것을 특징으로 하는 가스방전표시소자의 제조 방법.And (b) the photoresist thick film is formed of a PMMA resist. 제9항 또는 제12항에 있어서,The method of claim 9 or 12, 상기 (나) 단계는,The (b) step, (나-1) 크로스 링크 폴리머와 반응가속제(reaction accelerator) 및 접착향상제를 함께 용액화하는 포토레지스트 제조 단계; 및(B-1) a photoresist manufacturing step of liquefying a cross link polymer, a reaction accelerator, and an adhesion promoter; And (나-2) 상기 포토레지스트를 스핀 코팅법 혹은 캐스팅법으로 상기 기판 상에 균일하게 도포하는 도포 단계;를(B-2) an application step of uniformly applying the photoresist on the substrate by spin coating or casting; 포함하는 것을 특징으로 하는 가스방전표시소자의 격벽 제조 방법.A barrier rib manufacturing method of a gas discharge display device comprising a. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 (나) 단계에서 상기 포토레지스트 후막은 상기 캐스팅법으로 100㎛ 이상의 두께가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 가스방전표시소자의 격벽 제조 방법.In the step (b), the thick photoresist film is formed to have a thickness of 100 μm or more by the casting method. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 (라) 단계에서 상기 전기 영동법은 SiO2 계, B2O3계 혹은 알루미나계의 무연 유전체 분말이 분산된 용액에 LiCl, NaCl, KCl, CaCl2 중 적어도 어느 한 금속염을 넣은 전해액 속에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스방전표시소자의 격벽 제조 방법.In the step (d), the electrophoresis is performed in an electrolyte solution in which at least one metal salt of LiCl, NaCl, KCl, or CaCl 2 is added to a solution in which a lead-free dielectric powder of SiO 2 , B 2 O 3 , or alumina is dispersed. 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