KR100591942B1 - Light Emitting Devices - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광소자에 관한 것으로서, 특히 두 상부 전극 구조를 갖는 발광소자의 내부에서 형성된 빛을 효과적으로 방출하여 외부양자효율을 증대시킬 수 있는 발광소자를 제공함에 그 목적이 있다. The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to provide a light emitting device that can effectively increase the external quantum efficiency by emitting light formed inside the light emitting device having two upper electrode structures.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 발광소자는 기판 상에 순차적으로 형성된 n형 접촉층, 활성층 및 p형 접촉층과, 상기 활성층 및 p형 접촉층의 일부가 제거되어 소정부분 노출된 n형 접촉층과, 상기 n형 접촉층 및 상기 p형 접촉층 상에 각각 n형 및 p형 전극이 형성되는 두 상부전극 구조에 있어서, 상기 기판, n형 접촉층, 활성층 및 p형 접촉층 중에서 하나 이상의 측면이 비 평면처리된 것을 특징으로 한다. The light emitting device according to the present invention for achieving the above object is an n-type contact layer, an active layer and a p-type contact layer formed sequentially on the substrate, and the n-type exposed a predetermined portion by removing a portion of the active layer and p-type contact layer A contact layer and two upper electrode structures in which n-type and p-type electrodes are formed on the n-type contact layer and the p-type contact layer, respectively, wherein one of the substrate, the n-type contact layer, the active layer, and the p-type contact layer The above aspect is characterized by being non-planarized.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 발광소자는 측면 발광이 80 %를 차지하는 두 상부전극 구조에서 측면을 비 평면처리하여 측면의 표면적을 증가시키고, 빛의 탈출 임계각을 증가시키는 이점이 있다. 따라서, 외부 양자효율을 증가시켜 광 방출을 용이하게 하므로 발광 효율을 증대시키고, 칩 내부에서 동작 중 발생되는 열이 외부로 용이하게 방출되어 신뢰성을 향상시키는 이점이 있다. As described above, the light emitting device according to the present invention has an advantage of increasing the surface area of the side by non-planarizing the side surface in two upper electrode structures in which side light emission occupies 80%, and increasing the exit angle of light. Therefore, since light emission is facilitated by increasing external quantum efficiency, light emission efficiency is increased, and heat generated during operation inside the chip is easily released to the outside, thereby improving reliability.

두 상부 전극구조, 발광소자, 비 평면, 곡면, 요철면, 임계각Two upper electrode structure, light emitting element, non-planar, curved surface, uneven surface, critical angle

Description

발광소자{Light Emitting Devices}Light Emitting Devices

도 1은 종래 기술에 따른 발광소자를 개략적으로 도시하는 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device according to the prior art.

도 2는 종래 기술에 따른 발광소자를 개략적으로 도시하는 평면도.2 is a plan view schematically showing a light emitting device according to the prior art;

도 3은 본 발명의 일 예에 따른 발광소자를 개략적으로 도시하는 단면도.3 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 발광소자를 개략적으로 도시하는 평면도.4 is a plan view schematically illustrating the light emitting device of FIG. 3.

도 5는 본 발명의 제 2 예에 따른 발광소자를 개략적으로 도시하는 단면도.5 is a sectional view schematically showing a light emitting device according to a second example of the present invention;

도 6은 도 5의 발광소자를 개략적으로 도시하는 평면도.6 is a plan view schematically illustrating the light emitting device of FIG. 5.

도 7은 본 발명의 제 3 예에 따른 발광소자를 개략적으로 도시하는 단면도.Fig. 7 is a sectional view schematically showing a light emitting element according to a third example of the present invention.

도 8은 도 7의 발광소자를 개략적으로 도시하는 평면도.8 is a plan view schematically illustrating the light emitting device of FIG. 7.

도 9는 본 발명의 제 4 예에 따른 발광소자를 개략적으로 도시하는 단면도.9 is a sectional views schematically showing a light emitting element according to a fourth example of the present invention;

도 10은 본 발명의 제 5 예에 따른 발광소자를 개략적으로 도시하는 평면도.10 is a plan view schematically showing a light emitting element according to a fifth example of the present invention;

도 11은 종래의 발광소자와 본 발명에 따른 발광소자의 시간에 따른 광도변화를 나타내는 그래프.11 is a graph showing the change in intensity over time of the conventional light emitting device and the light emitting device according to the present invention.

본 발명은 발광소자에 관한 것으로서, 특히 두 상부 전극구조(two-top structure)를 갖는 발광소자의 내부에서 형성된 빛을 효과적으로 방출하여 외부양자효율을 증대시킬 수 있는 발광소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device capable of effectively emitting light formed inside a light emitting device having a two-top structure, thereby increasing external quantum efficiency.

일반적으로 발광소자는 활성층을 사이에 구비한 n형 및 p형 접촉층이 형성되어 상기 n형 및 p형 접촉층에 각각 n형 및 p형 전극이 양극 구조를 갖도록 형성된다. In general, a light emitting device has an n-type and p-type contact layer having an active layer interposed therebetween so that the n-type and p-type electrodes have an anode structure in the n-type and p-type contact layers, respectively.

상기에서 p형 접촉층은 저항률이 매우 높으므로 p형 접촉층 전면에 금속 전극을 형성하게 되는데, 이렇게 형성된 전극은 두께를 증가시킬수록 p형 접촉층에 균일하게 전류를 분포시키는 역할을 수행하지만 반대로 발광소자의 내부에서 형성된 빛의 방출을 감소시키는 역할을 한다. Since the p-type contact layer has a very high resistivity, a metal electrode is formed on the entire surface of the p-type contact layer. As the thickness increases, the electrode forms a uniform current distribution in the p-type contact layer. It serves to reduce the emission of light formed inside the light emitting element.

따라서, 일반적인 질화물 발광소자에 있어서 외부로 방출되는 빛의 약 20 % 정도 만이 p형 전극 상부로 방출되어지고, 나머지 80 % 정도는 칩의 측면을 통해 발광을 하게된다. 게다가 질화갈륨과 공기와의 굴절률은 각각 2.4와 1로 두 가지 물질 사이에는 23.6도의 임계각이 형성된다. 이 경우 그 이상의 각도로 발생되는 빛은 외부로 방출되지 못하고 내부로 전반사를 일으키게된다. Therefore, in the general nitride light emitting device, only about 20% of light emitted to the outside is emitted to the upper portion of the p-type electrode, and the remaining 80% emits light through the side of the chip. In addition, the refractive indices of gallium nitride and air are 2.4 and 1, respectively, forming a critical angle of 23.6 degrees between the two materials. In this case, light generated at an angle greater than this does not emit to the outside and causes total internal reflection.

상기와 같은 이유로 질화물 발광다이오드의 일반적인 외부양자효율은 약 10 % 내외에 머물고 있는 실정으로, 조명용 발광소자의 구현을 위해서는 더 높은 외부양자 효율이 필요한 실정이다. For the same reason, the general external quantum efficiency of the nitride light emitting diode remains at about 10%, and the external external quantum efficiency is required to realize the light emitting device for lighting.

도 1 및 도 2는 종래 기술에 따른 두 상부전극 구조를 갖는 발광소자의 구조를 개략적으로 도시하는 단면 및 평면도이다. 1 and 2 are a cross-sectional view and a plan view schematically showing the structure of a light emitting device having two upper electrode structures according to the prior art.

도 1에 도시된 바와 같이 종래에는 질화물 발광소자의 경우, 사파이어 기판(11)의 일 면 상에 n형 접촉층(12), 활성층(13), p형 접촉층(14)이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 p형 접촉층(14) 및 활성층(13)의 소정 부분이 제거되면서 노출된 n형 접촉층(12)과 상기 p형 접촉층(14) 상의 소정 부분에 각각 n형 및 p형 전극(15)(17)이 형성된 두 상부 전극구조를 형성한다. 상기에서 p형 접촉층(14)과 p형 전극(17) 사이에는 상기 p형 접촉층(14)을 덮는 투명전극(16)이 형성된다. As shown in FIG. 1, in the case of a nitride light emitting device, an n-type contact layer 12, an active layer 13, and a p-type contact layer 14 are sequentially stacked on one surface of a sapphire substrate 11. And n-type and p-type electrodes at predetermined portions on the n-type contact layer 12 and the p-type contact layer 14 exposed while the predetermined portions of the p-type contact layer 14 and the active layer 13 are removed. (15) and (17) form two upper electrode structures. In the above, the transparent electrode 16 covering the p-type contact layer 14 is formed between the p-type contact layer 14 and the p-type electrode 17.

상술한 소자의 평면도가 도 2에 도시된 것으로, 도 1 및 도 2에서 보는 바와 같이 종래의 발광소자의 경우 상기 n형 접촉층(12)을 노출시키기 위해 상기 활성층(13)과 p형 접촉층(14)이 제거된 측면은 거의 수직에 가까운 평면의 형태로 제조하고 있다. The plan view of the above-described device is shown in FIG. 2, and as shown in FIGS. 1 and 2, in the conventional light emitting device, the active layer 13 and the p-type contact layer are exposed to expose the n-type contact layer 12. The side from which (14) was removed is manufactured in the form of the plane near the perpendicular | vertical.

이는 측면 발광 효율이 상부 발광효율보다 높은 질화물계 반도체에서, 발광소자 발광율의 약 80 %를 차지하는 측면으로 방출되는 광자 중 임계각 이상의 각도를 가진 광자는 칩 내부로 전반사를 일으켜 빛이 칩의 내부에 가두어지게 되고 이는 발광소자 또는 기판 내에서 흡수되어 외부 양자효율을 현저히 저하시키는 원인이 된다.This is because in the nitride semiconductor where the side luminous efficiency is higher than the top luminous efficiency, photons having an angle greater than or equal to the critical angle among the photons emitted to the side which occupy about 80% of the light emitting element emission rate cause total reflection to the inside of the chip. It is confined, which is absorbed in the light emitting device or the substrate, causing a significant decrease in external quantum efficiency.

따라서, 본 발명에서는 두 상부전극 구조를 갖는 발광소자의 측면을 비 평면으로 제조하여 면적 및 광의 탈출 임계각을 변형시켜 발광 효율을 증대시킬 수 있는 발광소자를 제공함에 그 목적이 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a light emitting device capable of increasing the luminous efficiency by modifying the area and the escape critical angle of light by making the side surfaces of the light emitting device having two upper electrode structures non-planar.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 발광소자는 기판 상에 순차적으로 형성된 n형 접촉층, 활성층 및 p형 접촉층과, 상기 활성층 및 p형 접촉층의 일 부가 제거되어 소정부분 노출된 n형 접촉층과, 상기 n형 접촉층 및 상기 p형 접촉층 상에 각각 n형 및 p형 전극이 형성되는 두 상부전극 구조에 있어서, 상기 기판, n형 접촉층, 활성층 및 p형 접촉층 중에서 하나 이상의 측면이 비 평면처리된 것을 특징으로 한다. The light emitting device according to the present invention for achieving the above object is an n-type contact layer, an active layer and a p-type contact layer formed sequentially on a substrate, and a portion of the n-type exposed by removing a portion of the active layer and p-type contact layer A contact layer and two upper electrode structures in which n-type and p-type electrodes are formed on the n-type contact layer and the p-type contact layer, respectively, wherein one of the substrate, the n-type contact layer, the active layer, and the p-type contact layer The above aspect is characterized by being non-planarized.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명을 상세히 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the present invention.

도 3 내지 도 10은 본 발명의 각 실시 예에 따른 발광소자의 개략적인 단면도 및 측면도이고, 도 11은 본 발명으로 제조된 발광소자와 종래의 발광소자의 신뢰성 테스트 결과이다. 3 to 10 are schematic cross-sectional views and side views of light emitting devices according to embodiments of the present invention, and FIG. 11 is a reliability test result of a light emitting device manufactured according to the present invention and a conventional light emitting device.

본 발명의 일 실시 예는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 질화물 발광소자의 경우, 기판(21)의 일 면 상에 n형 접촉층(22), 활성층(23), p형 접촉층(24)이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 p형 접촉층(24) 및 활성층(23)의 소정 부분이 제거되면서 노출된 n형 접촉층(22)과 상기 p형 접촉층(24) 상의 소정 부분에 각각 n형 및 p형 전극(25)(27)이 형성된 두 상부 전극구조를 형성한다. 상기 기판(21)으로는 사파이어(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 질화갈륨(GaN), 탄화규소(SiC), 셀레늄아연(ZnSe) 또는 질화붕소(BN) 등을 사용할 수 있고, 상기 p형 접촉층(24)과 상기 p형 전극(27) 사이에 투명전극(26)을 형성할 수 있다. 3 and 4, in the case of a nitride light emitting device, an n-type contact layer 22, an active layer 23, and a p-type contact layer may be formed on one surface of a substrate 21. 24 are sequentially stacked, and predetermined portions of the n-type contact layer 22 and the p-type contact layer 24 exposed while the predetermined portions of the p-type contact layer 24 and the active layer 23 are removed. Two upper electrode structures in which n-type and p-type electrodes 25 and 27 are formed are formed, respectively. As the substrate 21, sapphire (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), gallium nitride (GaN), silicon carbide (SiC), selenium zinc (ZnSe), or boron nitride (BN) may be used. A transparent electrode 26 may be formed between the p-type contact layer 24 and the p-type electrode 27.

상기에서 소정 부분의 n형 접촉층을 노출시키는 패터닝 과정을 상세히 설명하면 다음과 같다.The patterning process of exposing the n-type contact layer of the predetermined portion will be described in detail as follows.

상기 순차적으로 적층된 p형 접촉층 상에 마스크로 이용될 수 있는 금속, 산화물 또는 감광성 수지를 도포 한다. A metal, an oxide, or a photosensitive resin which may be used as a mask is applied onto the sequentially stacked p-type contact layer.

이렇게 도포된 마스크는 선택적으로 자외선 광에 반응하는 감광성 수지의 성질을 이용하여 잔여할 p형 접촉층의 테두리가 비선형인 포토 마스크를 사용하여 마스킹 작업을 실시한다. The mask thus applied is masked by using a photo mask whose edge of the p-type contact layer to be remaining is nonlinear by using the property of the photosensitive resin to react with ultraviolet light selectively.

그후, 플라즈마를 이용한 건식 식각 등의 방법을 이용하여 상기 p형 접촉층 및 활성층을 일부 제거하여 소정 부분의 n형 접촉층이 노출되도록 한다. Thereafter, the p-type contact layer and the active layer are partially removed using a dry etching method using plasma to expose the n-type contact layer of a predetermined portion.

이렇게 일부 제거된 p형 접촉층 및 활성층의 측면(29)은 도 4의 평면도에서 볼 수 있듯 평면이 아닌 곡면 처리가 되어 측면으로 발광되는 빛의 탈출 임계각을 변형시켜 광자 방출 효과가 개선되며, 측면의 표면적이 종래에 비해 상대적으로 증가되므로 칩 내부에서 형성된 광자들이 외부로 빠져 나올 수 있는 확률을 증가시킨다. The side surface 29 of the p-type contact layer and the active layer partially removed is a curved surface rather than a flat surface as shown in the plan view of FIG. 4 to modify the exit angle of light emitted to the side to improve the photon emission effect. Since the surface area of is increased in comparison with the related art, the probability that photons formed inside the chip can escape to the outside increases.

도 5 및 도 6은 본 발명의 제 2 실시 예를 나타내는 것으로, 도시된 바와 같이 질화물 발광소자의 경우, 기판(21)의 일 면 상에 n형 접촉층(22), 활성층(23), p형 접촉층(24)이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 p형 접촉층(24) 및 활성층(23)의 소정 부분이 제거되면서 노출된 n형 접촉층(22)과 상기 p형 접촉층(24) 상의 소정 부분에 각각 n형 및 p형 전극(25)(27)이 형성된 두 상부 전극구조를 형성한다. 5 and 6 illustrate a second embodiment of the present invention. In the case of a nitride light emitting device as shown, an n-type contact layer 22, an active layer 23, and p are formed on one surface of a substrate 21. The n-type contact layer 24 is sequentially stacked, and the n-type contact layer 22 and the p-type contact layer 24 exposed while the predetermined portions of the p-type contact layer 24 and the active layer 23 are removed. Two upper electrode structures in which n-type and p-type electrodes 25 and 27 are formed at predetermined portions of the image are formed.

이후, 개별 칩으로 분리하는 스크라이빙 공정 수율 증가 및 스크라이빙 공정 중 발생하는 크랙 전파에 의한 초기특성 저하 및 신뢰성 감소를 개선하고자 n형 접촉층을 개별 소자로 분리하는 식각을 진행할 수 있는데, 이때, n형 접촉층의 측면(30)을 도 3 및 도 4의 곡면 형성 방법과 같이 비선형 마스크를 이용한 패터닝 작업으로 상기 n형 접촉층의 측면을 곡면으로 제조할 수 있다. 이러한 경우에도 활성층 및 p형 접촉층보다 상대적으로 두께가 두껍게 형성되는 n형 접촉층의 측면 면적 및 빛의 탈출 임계각의 증가로 발광 효율을 증대시킬 수 있게된다. Thereafter, in order to improve the yield of the scribing process of separating into individual chips, and to reduce the initial characteristics and the reliability of the crack propagation generated during the scribing process, etching may be performed to separate the n-type contact layer into individual devices. In this case, the side surface 30 of the n-type contact layer may be manufactured by a patterning operation using a nonlinear mask as in the curved surface forming method of FIGS. 3 and 4, and the side surface of the n-type contact layer may be manufactured as a curved surface. Even in this case, it is possible to increase the luminous efficiency by increasing the side area of the n-type contact layer and the exit critical angle of light, which are relatively thicker than the active layer and the p-type contact layer.

도 7 및 도 8은 본 발명의 제 3 실시 예로 상술한 제 1 및 제 2 실시 예를 혼합한 것이다. 7 and 8 are a mixture of the first and second embodiments described above as a third embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이 소정 부분의 n형 접촉층을 노출시키기 위한 p형 접촉층 및 활성층의 제거 시와, 개별소자 분리 시에 비선형 마스크를 사용한 패터닝 작업으로 상기 n형 접촉층의 측면(30)과, 활성층 및 p형 접촉층의 측면(29)이 곡면 처리되어 측면의 면적 및 임계각을 증가시켜 발광 효율을 더욱 증대시킬 수 있게된다.As shown, the side surface 30 of the n-type contact layer is formed by removing a p-type contact layer and an active layer for exposing a predetermined portion of the n-type contact layer, and patterning using a nonlinear mask when separating individual elements, The side surfaces 29 of the active layer and the p-type contact layer are curved to increase the area and critical angle of the side surfaces to further increase the luminous efficiency.

도 9는 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 발광소자로, 기판의 측면(31)과, n형 접촉층의 측면(30) 및 활성층 및 p형 접촉층의 측면(29) 모두를 비평면처리한 것을 나타낸다. 9 is a light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention, wherein the side surface 31 of the substrate, the side surface 30 of the n-type contact layer, and the side surface 29 of both the active layer and the p-type contact layer are non-planarized. Indicates that one did.

상술한 경우에도 기판의 측면 발광 효율을 증대시킬 수 있게 된다.Even in the case described above, the side luminous efficiency of the substrate can be increased.

또한, 도시하지 않았지만 소자의 형성 후 기판을 제거한 경우에도 측면을 비평면 처리하는 본 발명을 적용시켜 발광 효율을 증대시킬 수 있다.In addition, although not shown, even when the substrate is removed after the formation of the device, the light emission efficiency can be increased by applying the present invention which non-planarizes the side surface.

도 10은 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 발광소자로, 측면(31)의 곡면 형태 다른 예를 보여주고 있다.10 is a light emitting device according to a fifth embodiment of the present invention, and shows another example of the curved shape of the side surface 31.

이러한 곡면의 경우 역시 도시한 n형 측면(31)외에도 활성층 및 p형 접촉층의 측면에도 적용 가능하고, 상기 두 가지 측면 모두에도 적용이 가능하여 측면의 면적 및 임계각의 증가로 광방출 효과를 증가시킬 수 있게된다. This curved surface is also applicable to the side of the active layer and p-type contact layer in addition to the n-type side 31 shown, and can also be applied to both of the two sides to increase the light emission effect by increasing the area and critical angle of the side I can do it.

상술한 구조에서 비 평면의 형태는 균일 또는 불균일에 관계없고, 평면이 아닌 모든 곡면 및 요철면을 포함한다. In the above-described structure, the shape of the non-plane is irrespective of uniformity or non-uniformity, and includes all curved and uneven surfaces that are not planar.

도 11은 종래의 발광소자와 본 발명의 발광소자를 신뢰성 테스트하여 시간별 광도변화를 나타내는 그래프이다. 11 is a graph showing the change in intensity over time by the reliability test of the conventional light emitting device and the light emitting device of the present invention.

칩의 테두리가 곡면으로 형성된 발광소자는 소자의 동작시 발생되는 열이 곡면에 전파되고 발광소자의 측면을 따라 외부로 일반 칩에 용이하게 방출된다. 일반 칩의 경우 20 ㎃, 80 ℃ 인가 조건에 대해 1,000 시간 동안 신뢰성 시험 후, 광도가 평균 40 % 저하되는 결과를 나타내나, 본 발명에 따른 측면을 곡면 처리하여 가공된 발광소자는 동일한 조건에서 광도가 10 % 저하되는 결과를 나타낸다. In the light emitting device having a curved edge of the chip, heat generated during operation of the device is propagated to the curved surface and is easily released to the general chip along the side of the light emitting device. In the case of a general chip, after 1,000 hours of reliability test for 20 인가 and 80 ° C application conditions, the brightness was decreased by an average of 40%. However, the light emitting device processed by curved surface of the surface according to the present invention has the brightness under the same conditions. Results in a 10% drop.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 발광소자는 측면 발광이 80 %를 차지하는 두 상부전극 구조에서 측면을 비 평면처리하여 측면의 표면적을 증가시키고, 빛의 탈출 임계각을 증가시키는 이점이 있다. As described above, the light emitting device according to the present invention has an advantage of increasing the surface area of the side by non-planarizing the side surface in two upper electrode structures in which side light emission occupies 80%, and increasing the exit angle of light.

따라서, 외부 양자효율을 증가시켜 광 방출을 용이하게 하므로 발광 효율을 증대시키고, 칩 내부에서 동작 중 발생되는 열이 외부로 용이하게 방출되어 신뢰성을 향상시키는 이점이 있다.Therefore, since light emission is facilitated by increasing external quantum efficiency, light emission efficiency is increased, and heat generated during operation inside the chip is easily released to the outside, thereby improving reliability.

Claims (3)

기판을 준비하는 단계;Preparing a substrate; 상기 기판 상에 n형 접촉층, 활성층, p형 접촉층을 순차적으로 형성하는 단계;Sequentially forming an n-type contact layer, an active layer, and a p-type contact layer on the substrate; 상기 p형 접촉층 상에 테두리가 비선형인 마스크를 사용하여 마스킹 작업을 실시하는 단계;Performing a masking operation on the p-type contact layer using a mask having a nonlinear edge; 상기 활성층 및 p형 접촉층의 일부를 플라즈마를 이용한 건식 식각으로 제거하여 n형 접촉층의 소정부분을 노출시키며, 활성층 및 p형 접촉층의 측면을 비평면 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.And removing a portion of the active layer and the p-type contact layer by dry etching using plasma to expose a predetermined portion of the n-type contact layer, and non-planar treatment of the side surfaces of the active layer and the p-type contact layer. Method of manufacturing a light emitting device. 기판을 준비하는 단계;Preparing a substrate; 상기 기판 상에 n형 접촉층, 활성층, p형 접촉층을 순차적으로 형성하는 단계;Sequentially forming an n-type contact layer, an active layer, and a p-type contact layer on the substrate; 상기 활성층, p형 접촉층의 소정부분을 제거하여 노출시키는 단계;Removing a portion of the active layer and a p-type contact layer to expose the active layer; 상기 n형 접촉층을 비선형 마스크를 이용한 패터닝 작업으로 개별 소자로 분리하며, n형 접촉층의 측면을 비평면 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.And separating the n-type contact layer into individual elements by a patterning operation using a nonlinear mask, and non-planar treatment of the side surface of the n-type contact layer. 기판을 준비하는 단계;Preparing a substrate; 상기 기판 상에 n형 접촉층, 활성층, p형 접촉층을 순차적으로 형성하는 단계;Sequentially forming an n-type contact layer, an active layer, and a p-type contact layer on the substrate; 상기 p형 접촉층 상에 테두리가 비선형인 마스크를 사용하여 마스킹 작업을 실시하는 단계;Performing a masking operation on the p-type contact layer using a mask having a nonlinear edge; 상기 활성층 및 p형 접촉층의 일부를 플라즈마를 이용한 건식 식각으로 제거하여 n형 접촉층의 소정부분을 노출시키며, 활성층 및 p형 접촉층의 측면을 비평면 처리하는 단계;Removing a portion of the active layer and the p-type contact layer by dry etching using plasma to expose a predetermined portion of the n-type contact layer, and non-planar treatment of side surfaces of the active layer and the p-type contact layer; 상기 n형 접촉층을 비선형 마스크를 이용한 패터닝 작업으로 개별 소자로 분리하며, n형 접촉층의 측면을 비평면 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.And separating the n-type contact layer into individual elements by a patterning operation using a nonlinear mask, and non-planar treatment of the side surface of the n-type contact layer.
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