KR100590257B1

KR100590257B1 - Plasma processing equipment

Info

Publication number: KR100590257B1
Application number: KR1020020056913A
Authority: KR
Inventors: 이강일; 정지영; 김영각
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2002-09-18
Filing date: 2002-09-18
Publication date: 2006-06-15
Also published as: KR20040025094A

Abstract

본 발명은 유도결합형 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 플라즈마 처리공간을 형성하는 것으로 그 내부에 피처리기판을 상면에 안착시키는 기판홀더가 설치된 처리챔버와; 상기 처리챔버의 상면을 커버하는 상부유전체와; 상기 상부유전체의 일측에 설치되며 고주파 전력이 인가되는 안테나와; 상기 상부유전체의 하측에 소정의 간격을 두고 설치되는 하부유전체; 및 상기 상·하부 유전체의 사이에 설치되어 안테나와 플라즈마가 용량 결합하는 것을 억제시키는 페러데이실드를 포함한다.The present invention relates to an inductively coupled plasma processing apparatus, comprising: a processing chamber having a substrate holder for forming a plasma processing space therein and having a substrate to be mounted thereon; An upper dielectric covering an upper surface of the processing chamber; An antenna installed at one side of the upper dielectric and to which high frequency power is applied; A lower dielectric disposed below the upper dielectric at predetermined intervals; And a Faraday shield disposed between the upper and lower dielectrics to suppress capacitive coupling between the antenna and the plasma.

상술한 바와 같이 페러데이실드를 별도의 부재로 제작된 상·하부유전체의 사이에 삽입하여 설치하도록 구성함에 따라 안테나와 플라즈마가 용량 결합하는 것을 효과적으로 억제시켜 플라즈마 처리장치의 생산성을 향상시키면서도 그 제작성을 간편하게 하고 유지 보수성을 편리하게 이점을 제공한다.As described above, the Faraday shield is inserted into and installed between the upper and lower dielectrics made of a separate member, thereby effectively suppressing capacitive coupling between the antenna and the plasma, thereby improving productivity of the plasma processing apparatus while improving productivity. It offers the advantage of simplicity and convenient maintenance.

플라즈마 처리장치, 유전체, 페러데이실드, 유도전류Plasma Processing Equipment, Dielectric, Faraday Shield, Inductive Current

Description

Inductively Coupled Plasma Treatment System {PLASMA PROCESSING EQUIPMENT}

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 의한 유도결합형 플라즈마 처리장치의 구성을 개략적으로 도시한 전체 구성도,1 is an overall configuration diagram schematically showing the configuration of an inductively coupled plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 2는 상기 도 1의 패러데이실드의 구성을 도시한 평면도이다.FIG. 2 is a plan view illustrating the structure of the Faraday shield of FIG. 1.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1 : 피처리기판 3 : 기판홀더1: substrate to be processed 3: substrate holder

5 : 처리챔버 P : 플라즈마5: process chamber P: plasma

7 : 상부유전체 11: 안테나7: upper dielectric 11: antenna

18 : 하부유전체 30 : 페러데이실드18: lower dielectric 30: Faraday shield

31 : 접지연결부 33 : 슬랏31: ground connection 33: slot

33a : 제1슬랏 33b : 제2슬랏33a: first slot 33b: second slot

33c : 제3슬랏33c: third slot

본 발명은 유도 결합형 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 안테나와 플라즈마의 용량 결합을 방지하는 페러데이 실드 조립구조가 개선된 유도결합형 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to an inductively coupled plasma processing apparatus, and more particularly, to an inductively coupled plasma processing apparatus having an improved Faraday shield assembly structure for preventing capacitive coupling of an antenna and a plasma.

반도체 혹은 TFT의 고집적화와 높은 양산율을 위하여 플라즈마를 이용한 에칭공정에서 처리물의 선폭 미세화 및 높은 처리속도가 요구된다. 이러한 요구로부터 최근 낮은 압력 하에서 높은 밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있는 유도결합형 플라즈마 처리장치가 널리 사용되고 있다.In order to achieve high integration and high mass production rate of semiconductors or TFTs, the line width of the processed material and the high processing speed are required in the etching process using plasma. In recent years, inductively coupled plasma processing apparatuses capable of generating high density plasma under low pressure have been widely used.

유도결합형 플라즈마 처리장치는 처리챔버의 밖으로 설치된 고주파 안테나에 수백㎑ 내지 수백㎒의 고주파 전력을 급전하고 안테나에 의하여 형성되는 유도자장이 처리챔버 내에 도입된 프로세스가스에 에너지를 공급하여 플라즈마 발생 및 유지하도록 한 것이다. The inductively coupled plasma processing apparatus supplies a high frequency power of hundreds of kHz to several hundred MHz to a high frequency antenna installed outside the processing chamber, and induces a magnetic field formed by the antenna to supply energy to the process gas introduced into the processing chamber to generate and maintain plasma. I did it.

그 구체적 구성은 진공용기로서 전기적으로 접지되어 있고 그 상면이 유전체로 된 처리챔버와, 상기 처리챔버의 내부 바닥에 설치되어 피 처리기판을 지지하는 기판홀더와, 상기 유전체에 근접한 위치에 배치되어 고주파 전원이 공급되는 안테나와, 상기 안테나로 고주파전력을 공급하는 고주파전원 등으로 구성된다.The concrete structure is a vacuum chamber which is electrically grounded and whose upper surface is made of a dielectric, a substrate holder which is provided on the inner bottom of the processing chamber to support a substrate to be processed, and which is disposed at a position close to the dielectric, And an high frequency power supply for supplying high frequency power to the antenna.

그런데, 상술한 구성에서 플라즈마의 발생은 유도전기장 뿐만 아니라 안테나와 처리챔버 공간과의 전위차로 인한 축전 전기장에 의해서도 가능하다. 이 축전전기장은 처리실의 수직방향으로 형성되며 수직전기장의 세기가 강할 경우 유전체의 식각을 유발할 수 있으며, 또한, 막을 형성하여 유전체를 오염시키는 문제점이 발생하거나 상기 유전체가 깎이는 문제점이 발생한다.However, in the above-described configuration, the generation of plasma can be caused not only by the induction electric field but also by the storage electric field due to the potential difference between the antenna and the processing chamber space. The storage electric field is formed in the vertical direction of the processing chamber, and when the strength of the vertical electric field is high, the dielectric may be etched. In addition, the formation of a film may contaminate the dielectric or cause the dielectric to be shaved.

이를 방지하기 위하여 종래에는 페러데이 실드(FARADAY SHIELD)를 사용하여 상기 안테나와 플라즈마가 용량 결합하는 것을 억제하도록 하고 있다.In order to prevent this, conventionally, a Faraday shield is used to suppress the capacitive coupling between the antenna and the plasma.

상기 페러데이실드는 상기 유전체의 상면과 안테나의 사이에 접지되어 설치되며, 이때, 상기 안테나와 페러데이실드간의 아크(ARC)방지를 위하여 일정한 거리를 유지하는 것이 일반적이다.The Faraday shield is grounded between the top surface of the dielectric and the antenna, and at this time, it is common to maintain a constant distance to prevent arc (ARC) between the antenna and the Faraday shield.

그러나, 상기와 같은 구성에 의해 결과적으로 안테나와 처리챔버의 공간과의 거리가 멀어질수록 플라즈마 생성 효율이 현저하게 저하되고, 플라즈마의 착화성 및 안정성에 악영향을 미칠 뿐만 아니라 전력소모가 많아지게 되는 문제점이 있다.However, as a result of the above configuration, as the distance between the antenna and the processing chamber increases, the plasma generation efficiency is remarkably lowered and not only adversely affects the ignition and stability of the plasma, but also increases power consumption. There is a problem.

따라서, 종래에는 상기 유전체의 사이에 페러데이실드를 삽입하여 사용하는 구성이 있다.Therefore, there is conventionally a configuration in which a Faraday shield is inserted between the dielectrics.

그러나, 그와 같은 경우 상기 안테나와 페러데이실드 간의 높은 전위차로 인하여 상기 유전체와 페러데이실드가 열 팽창하게 될 경우 열 팽창률이 서로 다르므로 크랙발생의 원인을 제공하는 문제점이 있으며 페러데이실드의 상부유전체로 인하여 플라즈마 생성 효율 역시 저하된다.However, in such a case, when the dielectric and the Faraday shield are thermally expanded due to the high potential difference between the antenna and the Faraday shield, the thermal expansion rates are different and thus provide a cause of cracking. Plasma generation efficiency is also lowered.

또한, 유전체의 내부에 설치함에 따라 그 제작과정이 어려운 문제점이 있다.In addition, there is a problem that the manufacturing process is difficult as installed inside the dielectric.

이러한 문제점을 해소시키기 위하여 종래에는 유전체를 두 부분으로 10㎛~100㎛의 두께로 막을 입혀 상술한 페러데이실드를 대신하는 기술이 사용되고 있으나 그 제작방법이 복잡하고 비용이 많이 들 뿐 만 아니라 페러데이실드의 두께가 얇은 막으로 형성되어 있기 때문에 고주파 안테나와 플라즈마가 용량 결합하는 것을 효과적으로 막지 못하는 문제점이 여전히 존재한다.In order to solve such a problem, conventionally, a technique of replacing the above-mentioned Faraday shield by coating a dielectric with two parts in a thickness of 10 μm to 100 μm is used, but the manufacturing method is not only complicated and expensive, but also Since a thin film is formed, there is still a problem in that the high frequency antenna and the plasma are not effectively prevented from capacitively coupling.

따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출 된 것으로서, 본 발명의 목적은 페러데이실드의 조립위치를 개선하여 플라즈마 발생효율을 향상시키면서도 안테나와 플라즈마가 용량결합하는 것을 효과적으로 억제하며 그 제작성을 간편하게 하고 유지 보수성을 편리하게 하는 유도결합형 플라즈마 처리장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, the object of the present invention is to improve the assembly position of the Faraday shield while improving the plasma generating efficiency, while effectively suppressing the capacitive coupling of the antenna and the plasma and its manufacturability It is to provide an inductively coupled plasma processing device that is convenient and easy to maintain.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 플라즈마 처리공간을 형성하고 내부에 피처리기판을 그 상면에 안착시키는 기판홀더가 설치된 처리챔버와; 상기 처리챔버의 상면을 커버하는 상부유전체와; 상기 상부유전체에 의해 상기 처리챔버와 격리되어 상기 상부유전체의 상면에 설치된 고주파 전력이 인가되는 안테나와; 상기 상부유전체의 하측에 소정의 간격을 두고 설치되는 하부유전체; 및 상기 상·하부 유전체의 사이에 설치되어 안테나와 플라즈마가 용량 결합하는 것을 억제시키는 페러데이실드를 포함한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a processing chamber including a substrate holder for forming a plasma processing space therein and mounting a substrate to be processed on an upper surface thereof; An upper dielectric covering an upper surface of the processing chamber; An antenna which is isolated from the processing chamber by the upper dielectric and applied with high frequency power provided on an upper surface of the upper dielectric; A lower dielectric disposed below the upper dielectric at predetermined intervals; And a Faraday shield disposed between the upper and lower dielectrics to suppress capacitive coupling between the antenna and the plasma.

상기 상·하부유전체의 간격은 이온평균충돌행정길이보다 작게 함이 바람직하다.It is preferable that the gap between the upper and lower dielectrics is smaller than the ion average collision stroke length.

상기 페러데이실드에는 적어도 하나의 접지연결부가 마련된다. The Faraday shield is provided with at least one ground connection.

상기 안테나는 그 유도전류라인이 상기 페러데이실드와 대응된 형태로 4각의 고리 형상으로 감겨지되 평면을 이루도록 구성되며; 상기 페레데이실드는 4각 형태의 판으로 제작되며, 각 유도전류라인과 직교된 방향으로 복수의 슬랏이 형성된 것으로, 상기 슬랏은 상기 페러데이실드 중앙측으로 부터 각 변의 중앙부측으로 대칭되게 형성된 “＋”자형의 제1슬랏과; 상기 페러데이실드의 중앙측으로부터 각(角)부측으로 대칭되게 형성된 “×”형의 제2슬랏과; 상기 제1,2슬랏의 사이에 위치하 여 상기 페러데이실드의 중앙측으로부터 외측을 향하여 계단형태로 하여 대칭되게 형성된 제3슬랏으로 구성된다.The antenna is configured such that its induced current line is wound in a quadrangular ring shape in a form corresponding to the Faraday shield and is in a plane; The Faraday shield is formed of a quadrangular plate, and a plurality of slots are formed in a direction orthogonal to each induction current line, and the slots are “+” shaped to be symmetrically formed from the Faraday shield center side to the center side of each side. The first slot of; A second slot of “x” shape formed symmetrically from the central side of the Faraday shield to the square side; The third slot is positioned between the first and second slots and is formed symmetrically in a stepped shape from the center side of the Faraday shield to the outside.

이하, 도 1 및 도 2를 참조로 하여 본 발명의 일 실시 예에 의한 유도결합형 플라즈마 처리장치의 구성 및 동작원리에 대해서 좀더 자세히 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation principle of an inductively coupled plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 and 2.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 의한 유도결합형 플라즈마처리장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면이고, 도 2는 상기 도 1의 페러데이실드의 구성을 도시한 평면도이다.1 is a view schematically showing the configuration of the inductively coupled plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a plan view showing the configuration of the Faraday shield of FIG.

도 1에 도시된 바와 같이 그 내부에 피처리기판(1)이 안착되는 기판홀더(3)가 마련되며 플라즈마(P) 처리공간을 형성하는 처리챔버(5)와, 상기 처리챔버(5)의 상면을 커버하여 상기 처리챔버(5)의 내부의 기밀을 유지시키는 상부유전체(7)와, 상기 상부유전체(7)의 상면에 설치되어 상기 상부유전체(7)에 의해 상기 플라즈마(P)와 격리됨과 아울러 고주파전원장치(9)로부터 고주파(예컨대, 수백㎑~ 수백㎒)전력이 인가되도록 전류라인을 평면을 이루도록 하여 고리모양으로 감아서 된 안테나(11)로 구성된다.As shown in FIG. 1, a substrate holder 3 on which a substrate 1 is to be mounted is provided, and a processing chamber 5 forming a plasma P processing space therein, and the processing chamber 5 of the processing chamber 5. An upper dielectric 7 covering an upper surface to maintain an airtight inside the processing chamber 5, and provided on an upper surface of the upper dielectric 7 to be isolated from the plasma P by the upper dielectric 7. In addition, it consists of an antenna 11 wound in a ring shape so that the current line is formed in a plane so that high frequency (eg, hundreds of kHz to several hundred MHz) power is applied from the high frequency power supply device 9.

이때, 상기 고주파전원장치(9) 및 안테나(11)의 사이에는 정합기(13)가 설치되어 상기 전력이 적절히 분배될 수 있도록 구성된다.At this time, a matching device 13 is installed between the high frequency power supply device 9 and the antenna 11 so that the power can be properly distributed.

상기 기판홀더(3)는 정합기(15)를 개재하여 수백㎑~수십㎒ 주파수의 고주파전원(17)이 접속되어 플라즈마 처리 중 피처리기판(1)에 입사하는 이온의 에너지를 제어하도록 구성된다.The substrate holder 3 is configured to control the energy of ions incident on the substrate 1 during the plasma processing by connecting a high frequency power source 17 having a frequency of several hundred kHz to several tens of MHz through the matching unit 15. .

한편, 상기 상부유전체(7)의 하부에는 하부유전체(18)를 매개로 하여 페러데이실드(30)가 설치되며, 상기 상부유전체(7) 및 하부유전체(18)와의 거리(d) 즉, 상기 페러데이실드(30)의 두께는 플라즈마(P)의 이온평균충돌행정길이 보다 작게 제작되어 플라즈마(P)가 발생하지 않도록 함이 바람직하다.Meanwhile, a Faraday shield 30 is installed under the upper dielectric 7 via the lower dielectric 18, and the distance d between the upper dielectric 7 and the lower dielectric 18, that is, the Faraday. The thickness of the shield 30 is preferably made smaller than the ion average collision stroke length of the plasma P so that the plasma P is not generated.

상기 하부유전체(18)는 상기 페러데이실드(30)를 지지함과 아울러 유지보수용 기능을 수행하도록 된 것으로서, 상기 상부유전체(7)에 비하여 그 두께가 얇게 형성되어 플라즈마(P) 내의 이온들로부터 오염되거나 식각되었을 경우 그 교체가 쉽게 가능토록 구성된다.The lower dielectric 18 supports the Faraday shield 30 and performs a maintenance function. The lower dielectric 18 is thinner than the upper dielectric 7 so that the lower dielectric 18 is formed from ions in the plasma P. If contaminated or etched, the replacement is easily possible.

상기 처리챔버(5)에는 처리가스가 공급되는 가스공급구(5a) 및 상기 처리챔버를 진공상태로 유지시키기 위해 상기 처리챔버 내부의 공기를 배기시키는 배기구(5b)가 마련되며, 상기 상부유전체(7) 및 처리챔버(5)의 접촉부에는 상기 처리챔버(7) 내부의 기밀유지를 위한 오링부재(21)가 설치되고, 상기 하부유전체(18)는 브라켓부재(21)에 의해 지지된다, The process chamber 5 is provided with a gas supply port 5a through which a process gas is supplied and an exhaust port 5b for exhausting air in the process chamber to maintain the process chamber in a vacuum state, and the upper dielectric ( 7) and the O-ring member 21 for maintaining the airtight inside the processing chamber 7 is installed at the contact portion of the processing chamber 5, the lower dielectric 18 is supported by the bracket member 21,

다음 도 2는 상기 도 1의 상기 페러데이실드(30)의 구성을 도시한 평면도로서, 도시된 바와 같이 도전성의 금속판으로 제작되는 것으로서, 전기적으로 접지되어 고주파 안테나(11)를 통해 흐르는 전류와 플라즈마(P)가 용량 결합하는 것을 방지하는 역할을 수행하는 것으로서, 그 측면에서 적어도 하나의 접지연결부(31)가 마련된다.Next, FIG. 2 is a plan view illustrating the structure of the Faraday shield 30 of FIG. 1, which is made of a conductive metal plate as shown in FIG. 1, and is electrically grounded and flows through the high frequency antenna 11. As P) serves to prevent capacitive coupling, at least one ground connection portion 31 is provided at the side thereof.

상기 패러데이실드(30)는 상기 안테나(11)로부터 유도전류가 생성되어 발열하는 것을 줄이기 위해 상기 안테나(11)의 전류의 흐름과 직교된 방향으로 슬랏(33)이 형성된다.The Faraday shield 30 has a slot 33 formed in a direction orthogonal to the flow of current of the antenna 11 in order to reduce the generation of induced current generated from the antenna 11 to generate heat.

이때, 상기 피처리기판(1)이 LCD(LIQUID CRYSTAL DISPLAY)제작용 글라스이거나 또는 유기EL제작용 글라스 등과 같이 4각일 경우 그 글라스 형태와 대응되게 처리챔버(5)와, 상·하부유전체(7,15) 및 페러데이실드(30)가 4각의 형태로 이루어 질 것이며, 따라서, 상기 안테나(11)의 전류라인 또한 4각의 고리모양으로 감겨서 구성될 것이다.At this time, when the substrate 1 to be processed is a glass made of LCD (Liquid Crystal Display) or an organic EL glass, or the like, the processing chamber 5 and the upper and lower dielectrics 7 correspond to the glass shape. 15 and the Faraday shield 30 will be in the form of a quadrilateral, and therefore, the current line of the antenna 11 will also be configured by winding in a quadrilateral loop.

그와 같은 경우 상기 슬랏(33)을 좀더 효과적으로 상기 안테나(11)의 전류라인에 직교된 방향으로 형성시키기 위하여 도 2에 도시된 바와 같이 구성한다.In such a case, the slot 33 is configured as shown in FIG. 2 to more effectively form it in the direction orthogonal to the current line of the antenna 11.

그에 대해 좀더 자세히 설명하면, 상기 슬랏(33)을 상기 페러데이실드(30) 중앙측으로부터 각 변의 중앙부측으로 대칭되게 형성된 “＋”자형의 제1슬랏(33a)과, 상기 페러데이실드(30)의 중앙측으로부터 각(角)부측으로 대칭되게 형성된 “×”형의 제2슬랏(33b)과; 상기 제1,2슬랏(33a,33b)의 사이에 위치하여 상기 페러데이실드(30)의 중앙측으로부터 페러데이실드(30)외측을 향하여 계단형태로 하여 대칭되게 형성된 제3슬랏(33c)으로 한다. In more detail, the slot 33 has a "+" shaped first slot 33a symmetrically formed from the center side of the Faraday shield 30 and the center of the Faraday shield 30. A second slot 33b of “x” shape formed symmetrically from the side to the angular portion side; The third slot 33c is positioned between the first and second slots 33a and 33b and is formed symmetrically in a stepped form toward the outside of the Faraday shield 30 from the center side of the Faraday shield 30.

도 2에서 점선표시된 부분은 상기 안테나(11)에 의한 유도전류라인을 나타낸 것이다.The dotted line in FIG. 2 shows the induced current line by the antenna 11.

상술한 바와 같이 본 발명은 유전체를 상·하부유전체로 하고, 상기 상·하부유전체의 사이에 페러데이실드를 설치하여 구성함에 따라 페러데이실드를 유전체의 내부에 삽입하여 구성하는 종래의 구조에 비하여 제작성을 향상시킴과 아울러 유전체의 내부에 페러데이실드를 삽입하여 제작할 경우 유전체의 열팽창에 의한 크랙이 쉽게 발생하게 되는 문제점을 해소시킨다.As described above, according to the present invention, the dielectric is made of the upper and lower dielectrics, and the Faraday shield is formed between the upper and the lower dielectrics. In addition, the present invention solves the problem that cracks due to thermal expansion of the dielectric easily occur when the Faraday shield is inserted into the dielectric.

또한, 그 두께가 얇은 하부유전체를 페러데이실드하부에 위치시켜 지지하도록 구성함에 따라 식각 및 오염 등의 문제가 발생할 경우 상기 하부유전체만을 교체하게 되어 그 유지보수성이 향상된다.In addition, since the lower dielectric having a thin thickness is positioned to support the lower part of the Faraday shield, when a problem such as etching and contamination occurs, only the lower dielectric is replaced, thereby improving its maintainability.

뿐 만 아니라 식각 및 오염 등의 문제가 발생할 경우 상술한 바와 같이 재료비가 적게드는 하부유전체만을 교체하면 되므로 그 유지 보수를 위한 비용이 적게 드는 이점이 있다.In addition, when problems such as etching and contamination occur, as described above, only a lower dielectric having a low material cost may be replaced, thereby reducing the cost of maintenance.

이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.As described above, in the detailed description of the present invention, specific embodiments have been described. However, various modifications may be made without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined by the claims below and equivalents thereof.

Claims

A processing chamber in which a plasma processing space is formed and a substrate holder for mounting a substrate to be processed on the upper surface thereof is installed therein;

An upper dielectric covering an upper surface of the processing chamber;

An antenna which is isolated from the processing chamber by the upper dielectric and applied with high frequency power provided on an upper surface of the upper dielectric;

A lower dielectric disposed below the upper dielectric at predetermined intervals; And

It is provided between the upper and lower dielectrics, and includes a Faraday shield for suppressing capacitive coupling between the antenna and the plasma,

The antenna is configured such that its induced current line is wound in a quadrangular ring shape in a form corresponding to the Faraday shield and is in a plane;

The peredide shield is made of a square plate, a plurality of slots are formed in a direction orthogonal to each induction current line,

The slot is a "+" type first slot formed symmetrically from the Faraday shield center side to the center side of each side;

A second slot of “x” shape formed symmetrically from the central side of the Faraday shield to the square side;

An inductively coupled plasma processing apparatus comprising: a third slot positioned between the first and second slots and formed symmetrically in a stepped shape from the center side of the Faraday shield to the outside.

The method of claim 1,

Wherein the spacing between the upper and lower dielectrics is smaller than the ion average collision stroke length.

The method of claim 1,

Inductively coupled plasma processing apparatus, characterized in that the Faraday shield is provided with at least one ground connection.

delete