KR100570980B1 - Sputtering apparatus - Google Patents

Sputtering apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR100570980B1
KR100570980B1 KR1020040097177A KR20040097177A KR100570980B1 KR 100570980 B1 KR100570980 B1 KR 100570980B1 KR 1020040097177 A KR1020040097177 A KR 1020040097177A KR 20040097177 A KR20040097177 A KR 20040097177A KR 100570980 B1 KR100570980 B1 KR 100570980B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
slit
width
target
substrate
sputtering
Prior art date
Application number
KR1020040097177A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이규성
김한기
김도근
허명수
정석헌
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020040097177A priority Critical patent/KR100570980B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100570980B1 publication Critical patent/KR100570980B1/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3464Sputtering using more than one target
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/354Introduction of auxiliary energy into the plasma
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

기판에 균일한 두께의 박막을 형성시키기 위한 스퍼터링 장치에 관한 것으로, 특히 소정의 거리를 두고 대향하며 내부 공간에 플라즈마가 형성되는 한 쌍의 타겟과 상기 타겟의 외측에 설치되어 상기 타겟의 내부 공간에 상기 타겟 면과 수직인 자기장을 형성하기 위한 자석 및 상기 한 쌍의 타겟과 기판 사이에 설치되어 스퍼터링 입자가 관통하는 슬릿이 형성된 스크린을 포함하며, 상기 슬릿은 상기 스퍼터링 입자의 밀도가 높은 곳의 폭이 상기 스퍼터링 입자의 밀도가 낮은 곳의 폭보다 좁다.The present invention relates to a sputtering apparatus for forming a thin film having a uniform thickness on a substrate, and in particular, a pair of targets facing each other at a predetermined distance and formed in a plasma in an internal space, and installed outside the target, A magnet formed to form a magnetic field perpendicular to the target surface, and a screen having a slit formed between the pair of targets and the substrate, the slit through which sputtering particles pass, wherein the slit has a width where the sputtering particles have a high density The density of this sputtering particle is narrower than the width of the low place.

스퍼터링, 스크린, 슬릿Sputtering, screen, slit

Description

스퍼터링 장치{Sputtering Apparatus} Sputtering Apparatus

도 1은 본 발명에 의한 스퍼터링 장치의 제1실시예를 나타낸 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing a first embodiment of a sputtering apparatus according to the present invention.

도 2, 도 3 및 도 4는 도 1에서 A-A 면을 따라 나타낸 스크린의 실시예이다.2, 3 and 4 are embodiments of the screen shown along the A-A plane in FIG.

도 5는 스크린이 없는 상태의 스퍼터링 장치와 본 발명에 의한 스크린이 있는 상태의 스퍼터링 장치를 이용하여 기판에 박막을 증착한 후 박막의 두께를 나타낸 그래프이다. 5 is a graph showing the thickness of a thin film after depositing a thin film on a substrate using a sputtering apparatus without a screen and the sputtering apparatus with a screen according to the present invention.

도 6은 본 발명에 의한 스퍼터링 장치의 제2실시예를 나타낸 사시도이다. 6 is a perspective view showing a second embodiment of a sputtering apparatus according to the present invention.

도 7은 본 발명에 의한 스퍼터링 장치의 제3실시예를 나타낸 단면도이다. 7 is a cross-sectional view showing a third embodiment of the sputtering apparatus according to the present invention.

< 도면의 주요부분의 부호에 대한 설명 ><Description of Signs of Major Parts of Drawings>

110a, 110b : 타겟, 110a, 110b: target,

120a, 120b : 자석,120a, 120b: magnet,

160 : 스크린,160: screen,

162 : 슬릿162: slit

본 발명은 스퍼터링 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판에 균일한 두 께의 박막을 형성시키기 위한 스퍼터링 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a sputtering apparatus, and more particularly to a sputtering apparatus for forming a uniform thickness thin film on the substrate.

기판 상에 박막을 형성시키는 방법으로는 화학적 반응을 수반하는 화학증착법과 화학적 반응없이 이루어지는 물리증착법이 있다. 물리증착법에는 재료를 증기화시키는 방법에 따라 스퍼터링(Sputtering), 이온 플레이팅(Ion Plating) 등의 여러 방법이 있다. 고체의 표면에 고에너지의 입자(이온)를 충돌시키면 그 고체 표면에서 입자가 튀어나오게 되는 현상을 스퍼터링이라 하고, 이를 이용하여 반도체 소자나 평판표시장치 등의 제조에 사용되는 기판 상에 박막을 형성시키는 장치를 스퍼터링 장치라 한다. As a method of forming a thin film on a substrate, there are chemical vapor deposition involving a chemical reaction and physical vapor deposition without a chemical reaction. Physical vapor deposition has a variety of methods such as sputtering, ion plating, etc., depending on the method of vaporizing the material. Sputtering is a phenomenon in which high energy particles (ions) collide with the surface of a solid, causing the particles to protrude from the surface of the solid. Sputtering is used to form a thin film on a substrate used for manufacturing a semiconductor device or a flat panel display. The sputtering device is called a sputtering device.

평판표시장치 중 하나로서 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Display Device)가 있다. 유기전계발광표시장치는 다수의 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Device)로 구성되며, 유기전계발광소자는 유기층에 캐소드(cathode)과 애노드(anode)를 통하여 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 재결합하여 여기자를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생되는 현상을 이용한다. One of the flat panel displays is an organic light emitting display device. The organic light emitting display device is composed of a plurality of organic light emitting devices, and the organic light emitting display device has electrons and holes injected into the organic layer through a cathode and an anode. ) Recombine to form excitons, and light of a specific wavelength is generated by energy from the formed excitons.

유기전계발광소자는 기판(substrate) 상에 애노드, 유기층, 캐소드의 적층형 구조를 가지고 있다. 기판은 일반적으로 유리를 사용하지만 경우에 따라 구부림이 가능한 플라스틱이나 필름 종류를 사용하기도 한다. 애노드로는 일함수가 큰 금속이나 산화물을 사용하며 ITO(Indium-Tin-Oxide) 등을 사용한다. 유기층은 전자수송층(Electron Transport Layer; ETL), 유기발광층(Emitting Layer; EML), 정공수송층(Hole Transport Layer; HTL)으로 구성되어 있으며, 별도의 전자주입층(Electron Injecting Layer; EIL) 또는 정공주입층(Hole Injecting Layer; HIL)을 추가로 삽입하기도 한다. 캐소드로는 일함수가 작은 금속이나 산화물을 사용하며 마그네슘 또는 리튬 등을 사용한다.The organic light emitting display device has a stacked structure of an anode, an organic layer, and a cathode on a substrate. The substrate is usually made of glass, but in some cases plastic or film types that can be bent are used. As the anode, a metal or an oxide having a large work function is used, and indium-tin-oxide (ITO) is used. The organic layer is composed of an electron transport layer (ETL), an organic emission layer (EML), a hole transport layer (HTL), and a separate electron injection layer (EIL) or hole injection. Sometimes a layer (Hole Injecting Layer) is inserted. As the cathode, a metal or oxide having a small work function is used, and magnesium or lithium is used.

기판 상에 애노드나 캐소드 등 전극을 증착시키기 위한 방법으로 여러 가지가 있으나, 화학증착법을 이용하면 전극 재료의 금속 산화물이 유기층 계면이나 전극 내부에 발생하여 전자 주입 특성이 변화하고 원하는 소자의 특성을 얻을 수 없다. 또한 전극과 유기층의 밀착성이 나쁘고 전극의 박리 등이 발생하여 안정된 소자의 제조가 곤란하다. 따라서 보다 유기전계발광소자의 제조에 있어서 양 전극을 기판에 증착하기 위해 주로 스퍼터링 장치가 사용되고 있다.Although there are various methods for depositing an electrode such as an anode or a cathode on a substrate, the chemical vapor deposition method causes metal oxides of the electrode material to be generated at the organic layer interface or inside the electrode to change electron injection characteristics and obtain desired device characteristics. Can't. Moreover, the adhesiveness of an electrode and an organic layer is bad, and peeling of an electrode arises, and it is difficult to manufacture a stable element. Therefore, sputtering apparatuses are mainly used to deposit both electrodes on a substrate in the manufacture of an organic light emitting display device.

미국특허 6,596,138 등에는 마그네트론식 스퍼터링 장치(magnetron type sputtering apparatus)에 대해 개시하고 있다. 동 문헌에 의하면 마그네트론식 스퍼터링 장치는 기판과 타겟을 평행하게 배치하고, 타겟의 하부에 설치되어 있는 자석을 이용하여 타겟 면에 평행하게 자기장을 형성하여 플라즈마의 밀도를 높임으로써 스퍼터링의 효율을 높인다. 그러나 이 방법에 의하면, 타겟 표면에서 발생하는 2차 전자나 높은 운동 에너지를 가지는 전자 등이 유기층에 충돌하여 유기층을 물리적으로 파괴시킴으로써 유기전계발광소자의 특성이 저하되거나 기능하지 않는 문제가 발생한다.U.S. Patent No. 6,596,138 and the like disclose a magnetron type sputtering apparatus. According to this document, a magnetron sputtering apparatus arranges a substrate and a target in parallel, forms a magnetic field parallel to the target surface by using a magnet provided under the target, and increases the density of the plasma by increasing the density of the sputtering. According to this method, however, the secondary electrons, electrons having high kinetic energy, etc. generated on the target surface collide with the organic layer and physically destroy the organic layer, thereby causing a problem that the characteristics of the organic light emitting device are not degraded or function.

대한민국 특허공개번호 2002-0087839 에서는 "대향 타겟식 스퍼터링 장치를 사용한 유기 박막 소자의 제조 방법"에 대해 개시하고 있다. 동 문헌에서 대향 타겟식 스퍼터링 장치(facing target type sputtering apparatus 또는 mirror shape target sputtering apparatus)는 소정의 공간을 두고 평행하게 대향하는 한 쌍의 타겟, 이들 타겟 면에 대하여 대략 수직방향으로 자계를 발생시키는 자계발생수단, 타겟의 대향하는 면 이외의 부분을 덮도록 배치한 차폐부를 포함한다. 이 장치에서는 타겟 사이의 공간과 대향하는 위치에 기판을 배치하고 타겟과 차폐부 사이에 전력을 인가하여 발생한 플라즈마를 타겟면 사이의 공간에 구속하여 기판 상에 막을 형성한다. 이 장치에 의하면 플라즈마 영역과 성막 영역을 완전히 분리하여 기판이 거의 플라즈마에 거의 노출되지 않아 유기층의 손상없이 박막을 형성시킬 수 있다. 그러나 이 장치에 의해 형성된 박막의 두께를 살펴보면, 기판의 중앙부의 두께가 모서리 부분의 두께보다 상대적으로 높아 전체적으로 박막이 균일하지 않게 형성되는 문제점이 있다.Korean Patent Publication No. 2002-0087839 discloses a method for manufacturing an organic thin film device using a counter-target sputtering apparatus. In this document, a facing target type sputtering apparatus or a mirror shape target sputtering apparatus is a pair of targets facing in parallel with a predetermined space and a magnetic field generating a magnetic field in a direction substantially perpendicular to these target surfaces. Generating means and a shielding portion disposed so as to cover portions other than the opposing surface of the target. In this apparatus, the substrate is placed at a position opposite to the space between the targets and the power generated between the target and the shield is constrained to the space between the target surfaces to form a film on the substrate. According to this apparatus, the plasma region and the deposition region are completely separated, so that the substrate is hardly exposed to the plasma so that a thin film can be formed without damaging the organic layer. However, looking at the thickness of the thin film formed by the device, there is a problem that the thickness of the central portion of the substrate is relatively higher than the thickness of the edge portion, the overall thin film is not formed uniformly.

또한 미국특허 6,689,253 에서는 두 쌍의 대향식 타겟을 이중으로 설치하여 전체적인 박막의 균일도 향상을 도모하는 방법을 제안하였다. 그러나 이는 한 쌍의 대향식 타겟을 더 설치하는 데 따른 장비의 크기가 커지고 제조 비용이 높아지는 문제점이 있다.In addition, US Patent 6,689,253 proposed a method for improving the uniformity of the overall thin film by installing two pairs of opposing targets in duplicate. However, this has a problem in that the size of the equipment and the manufacturing cost are increased due to the installation of a further pair of opposing targets.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기의 문제점을 해결하기 위해 기판에 균일한 두께를 가진 박막을 형성시킬 수 있는 스퍼터링 장치를 제공하는 데에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a sputtering apparatus capable of forming a thin film having a uniform thickness on a substrate in order to solve the above problems.

상기 기술적 과제를 해결하기 위해 본 발명은 소정의 거리를 두고 대향하며 내부 공간에 플라즈마가 형성되는 한 쌍의 타겟과 상기 타겟의 외측에 설치되어 상기 타겟의 내부 공간에 상기 타겟 면과 수직인 자기장을 형성하기 위한 자석 및 상기 한 쌍의 타겟과 기판 사이에 설치되어 스퍼터링 입자가 관통하는 슬릿이 형성된 스크린을 포함한다.In order to solve the above technical problem, the present invention opposes a predetermined distance and has a pair of targets in which plasma is formed in an inner space and a magnetic field perpendicular to the target surface in an inner space of the target. It includes a magnet for forming and the screen is provided between the pair of target and the substrate is formed with a slit through which the sputtering particles pass.

상기 자석은 영구자석인 것이 바람직하며, 상기 스크린은 상기 자기장의 방향에 평행으로 배치하는 것이 바람직하다.Preferably, the magnet is a permanent magnet, and the screen is preferably disposed parallel to the direction of the magnetic field.

상기 슬릿은 상기 스퍼터링 입자의 밀도가 높은 곳의 폭이 상기 스퍼터링 입자의 밀도가 낮은 곳의 폭보다 좁은 것이 바람직하며, 상기 슬릿에는 중심부의 폭보다 폭이 넓은 부위가 적어도 한 곳이 있는 것이 바람직하다. 또는 상기 슬릿은 중심부의 폭보다 양단의 폭이 더 넓은 것이 바람직하다.It is preferable that the width of the slit where the density of the sputtered particles is high is narrower than the width of the low density of the sputtered particles, and the slit preferably has at least one wider portion than the width of the center portion. . Alternatively, the slit may be wider at both ends than the width at the center portion.

또한, 본 발명은 소정의 거리를 두고 대향하며 내부 공간에 플라즈마가 형성되는 한 쌍의 타겟과 상기 타겟의 외측에 설치되어 상기 타겟의 내부 공간에 상기 타겟 면과 수직인 자기장을 형성하기 위한 자석 및 상기 타겟과 상기 자석을 내부에 포함하고 적어도 하나의 면에 스퍼터링 입자가 관통하는 슬릿이 형성된 진공용기를 포함한다. The present invention also provides a pair of targets facing each other at a predetermined distance and having a plasma formed therein, and a magnet installed outside the target to form a magnetic field perpendicular to the target surface in the target space. It includes a vacuum vessel including the target and the magnet therein and formed with a slit through which sputtering particles pass through at least one surface.

한편, 본 발명은 기판과 타겟을 평행하게 배치하고 플라즈마를 상기 타겟 면에 입사시켜 상기 타겟의 표면으로부터 나오는 스퍼터링 입자를 상기 기판 상에 증착시키는 스퍼터링 장치에 있어서, 상기 타겟과 상기 기판 사이에 설치되어 상기 스퍼터링 입자가 관통하는 슬릿이 형성된 스크린을 포함한다. Meanwhile, the present invention provides a sputtering apparatus in which a substrate and a target are disposed in parallel and a plasma is incident on the target surface to deposit sputtered particles from the surface of the target on the substrate, wherein the sputtering apparatus is provided between the target and the substrate. And a screen having slits through which the sputtered particles pass.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한 다. 그러나 본 실시예가 이하에서 개시되는 실시예들에 한정할 것이 아니라 서로 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위하여 과장되게 표현된 부분이 있을 수 있으며, 도면상에서 동일 부호로 표시된 요소는 동일 요소를 의미한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present embodiment is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the scope of the invention to those skilled in the art to the fullest extent. It is provided to inform you. Shapes of elements in the drawings may be exaggerated parts to emphasize more clear description, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings means the same elements.

도 1은 본 발명에 의한 스퍼터링 장치의 제1실시예를 나타낸 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing a first embodiment of a sputtering apparatus according to the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시예는 한 쌍의 타겟(110a, 110b), 한 쌍의 자석(120a, 120b) 및 스크린(160)으로 구성된다.Referring to FIG. 1, the present embodiment includes a pair of targets 110a and 110b, a pair of magnets 120a and 120b, and a screen 160.

한 쌍의 타겟(110a, 110b)은 내부에 소정 거리로 이격되어 대향하여 설치된다. 타겟(110a, 110b) 사이의 구속공간(140)에는 플라즈마가 구속된다. 타겟(100a, 110b)은 기판(150) 상에 형성하기를 원하는 박막에 대응한 조성을 가진다.The pair of targets 110a and 110b are spaced apart from each other by a predetermined distance therebetween. Plasma is confined in the confining space 140 between the targets 110a and 110b. The targets 100a and 110b have a composition corresponding to the thin film to be formed on the substrate 150.

타겟(110a, 110b)의 외측 면에는 구속공간(140)의 둘레에 자기장(130)을 형성시키기 위한 자석(120a, 120b)을 설치한다. 자기장(130)은 타겟(110a, 110b)의 면에 수직인 방향으로 형성되도록 한다. 따라서, 한쪽의 타겟(110a)에 설치된 자석(120a)과 다른 쪽의 타겟(110b)에 설치된 자석(120b)은 자극이 반대가 된다. 자석(120a, 120b)의 종류는 본 실시예에서는 영구자석을 사용한다. 그러나 필요에 따라 전자석을 사용할 수도 있다. Magnets 120a and 120b are formed on outer surfaces of the targets 110a and 110b to form the magnetic field 130 around the confining space 140. The magnetic field 130 is formed in a direction perpendicular to the surfaces of the targets 110a and 110b. Accordingly, the magnetic poles of the magnet 120a provided on one target 110a and the magnet 120b provided on the other target 110b are reversed. Types of the magnets 120a and 120b use permanent magnets in this embodiment. However, electromagnets can be used as needed.

기판(150)은 구속공간(140)과 대향하는 위치에 설치되며, 자기장(130)의 방향에 평행하게 즉 타겟(110a, 110b) 면에 수직인 방향으로 배치된다. The substrate 150 is disposed at a position opposite to the restraint space 140 and is disposed in a direction parallel to the direction of the magnetic field 130, that is, perpendicular to the surfaces of the targets 110a and 110b.

본 실시예에 의하면 플라즈마는 타겟(110a, 110b) 사이의 구속공간(140)에 형성되며, 플라즈마에 의해 타겟(110a, 110b) 면에서 튀어나온 입자 중 높은 운동에너지를 가진 전자 등은 자기장(130)에 의해 로렌쯔의 힘을 받아 구속공간(140) 외부로 튀어나갈 수 없다. 따라서 원하는 스퍼터링 입자만이 자기장(130)을 통과하여 기판(150) 상에 증착된다.According to the present embodiment, the plasma is formed in the confined space 140 between the targets 110a and 110b, and electrons having high kinetic energy among the particles protruding from the targets 110a and 110b by the plasma are formed in the magnetic field 130. Under the force of Lorentz, it is not possible to pop out of the confined space 140. Thus, only the desired sputtered particles pass through the magnetic field 130 and are deposited on the substrate 150.

그러나 자기장(130)을 빠져나오는 스퍼터링 입자의 밀도는 일정하지 않고 이를 조절할 수도 없다. 따라서 스퍼터링 입자의 밀도가 높은 쪽은 두꺼운 박막이 형성되고 스퍼터링 입자의 밀도가 낮은 쪽은 얇은 박막이 형성되어 전체적으로 기판(150) 상에 균일하지 않은 박막이 형성되는 것을 방지하기 위해, 본 실시예에서는 타겟(110a, 100b)과 기판(150) 사이에 스크린(160)을 설치한다.However, the density of the sputtered particles exiting the magnetic field 130 is not constant and may not be adjusted. Therefore, in order to prevent a non-uniform thin film from being formed on the substrate 150 as a whole, a thin thin film is formed at the higher density of the sputtered particles and a thin thin film is formed at the lower density of the sputtered particles. The screen 160 is installed between the targets 110a and 100b and the substrate 150.

스크린(160)은 타겟(110a, 110b)에서 튀어나온 스퍼터링 입자가 기판(160) 상에 도달하지 못하도록 한다. 다만 스크린(160)의 일면에는 스퍼터링 입자가 통과할 수 있는 슬릿(162)을 형성한다. 즉 스퍼터링 입자가 일정한 폭의 슬릿(162)을 통과하도록 하여 기판(160)에 증착되는 스퍼터링 입자의 밀도를 조절하게 된다.The screen 160 prevents sputtering particles protruding from the targets 110a and 110b on the substrate 160. However, one surface of the screen 160 forms a slit 162 through which sputtering particles can pass. That is, the sputtered particles pass through the slit 162 having a predetermined width to adjust the density of the sputtered particles deposited on the substrate 160.

슬릿(162)은 스퍼터링 입자의 밀도가 높은 곳의 폭이 스퍼터링 입자의 밀도가 낮은 곳의 폭보다 좁도록 한다. 스퍼터링 입자의 밀도는 스크린(160)이 없이 기판(150)에 박막을 형성하고, 이 박막의 두께를 측정하면 대략적으로 알 수 있다. 즉 형성된 박막의 두께가 두꺼우면 스퍼터링 입자의 밀도가 높고 박막의 두께가 얇으면 스퍼터링 입자의 밀도가 낮다. 따라서 스퍼터링 입자의 밀도가 높은 곳은 슬릿(162)의 폭을 작게 하여 입자가 잘 통과하지 못하도록 하고, 밀도가 낮은 곳은 상대적으로 슬릿(162)의 폭을 크게 하여 입자가 잘 통과하도록 한다.The slit 162 is such that the width where the density of the sputtered particles is high is narrower than the width where the density of the sputtered particles is low. The density of the sputtered particles can be approximated by forming a thin film on the substrate 150 without the screen 160 and measuring the thickness of the thin film. That is, if the thickness of the formed thin film is high, the density of the sputtered particles is high, and if the thickness of the thin film is thin, the density of the sputtered particles is low. Therefore, where the density of the sputtered particles is high, the width of the slit 162 is reduced so that the particles do not pass well, and where the density is low, the width of the slit 162 is relatively large to allow the particles to pass well.

도 2, 도 3 및 도 4는 도 1에서 A-A 면을 따라 나타낸 스크린의 실시예이다.2, 3 and 4 are embodiments of the screen shown along the A-A plane in FIG.

도 2를 참조하면, 스크린(210)에 형성된 슬릿(212)은 중심부의 폭보다 넓은 폭을 가진 부위가 있도록 형성된다. 즉 보통 중심부에서 스퍼터링 입자의 밀도가 높으므로, 슬릿(162)의 중심부의 폭을 좁게 형성하고 다른 부위의 폭을 넓게 한다.2, the slit 212 formed on the screen 210 is formed to have a portion having a width wider than that of the central portion. That is, since the density of sputtering particles is usually high in the central portion, the width of the central portion of the slit 162 is narrowly formed and the width of other portions is widened.

도 3을 참조하면, 스크린(220)에 형성된 슬릿(222)은 슬릿(222)의 중심부에서 양단으로 갈수록 소정의 각도를 이루고 폭이 커지도록 한다. 또한 도 4를 참조하면, 슬릿(232)의 중심부에서는 일정한 폭을 형성하다가 양단에서 폭이 넓어진다. 이와 같이 슬릿(232)을 중심부보다 양단의 폭이 넓도록 형성하면 기판(150)에 증착되는 스퍼터링 입자의 밀도를 균일하게 하여 균일한 박막을 얻을 수 있다.Referring to FIG. 3, the slit 222 formed on the screen 220 may have a predetermined angle and become wider toward both ends from the center of the slit 222. In addition, referring to Figure 4, while forming a constant width in the center of the slit 232 is wide at both ends. As such, when the slit 232 is formed to have a wider width at both ends than the central portion, a uniform thin film can be obtained by making the density of the sputtered particles deposited on the substrate 150 uniform.

상기의 예 외에도 슬릿을 도 2 내지 도 4에 나타난 가로 형태가 아닌 세로 형태가 되도록 형성할 수도 있으며, 스크린(160)에 복수개의 슬릿을 형성하여 스퍼터링 입자의 밀도를 조절할 수도 있다. In addition to the above examples, the slits may be formed to have a vertical shape instead of the horizontal shape shown in FIGS. 2 to 4, and a plurality of slits may be formed on the screen 160 to adjust the density of the sputtered particles.

이하에서는 도 1을 참조하여 본 실시예의 작동을 설명한다.Hereinafter, the operation of this embodiment will be described with reference to FIG. 1.

아르곤 가스가 타겟(110a, 110b)이 설치되어 있는 진공챔버(미도시) 내부로 주입된다. 타겟(110a, 100b)을 캐소드(cathode)로 하고 진공챔버(미도시)를 애노드(anode)로 하여 전력부(미도시)가 전력을 인가하면 아르곤 가스가 플라즈마가 되고, 타겟(110a, 110b) 표면에서 스퍼터링 입자가 튀어나온다. Argon gas is injected into a vacuum chamber (not shown) in which targets 110a and 110b are installed. When targets 110a and 100b are used as cathodes and vacuum chambers are used as anodes, the power unit (not shown) applies power, and argon gas becomes plasma, and targets 110a and 110b are used. Sputtering particles pop out from the surface.

극성입자 들은 자기장(130)에 의해 구속공간(140)에 구속되고 원하는 스퍼터링 입자는 스크린(160)의 슬릿(162)을 통과하여 기판(150)에 증착된다. 이 때 스퍼 터링 입자의 밀도가 높은 곳의 슬릿(162)의 폭이 좁으므로 기판(150)에 도달하는 스퍼터링 입자의 밀도는 어느 정도 균일하다. 따라서 기판(150)에는 균일한 두께의 박막이 형성된다.The polar particles are constrained in the confinement space 140 by the magnetic field 130 and the desired sputtered particles pass through the slit 162 of the screen 160 and are deposited on the substrate 150. At this time, since the width of the slit 162 where the density of the sputtering particles is high is narrow, the density of the sputtering particles reaching the substrate 150 is somewhat uniform. Therefore, a thin film of uniform thickness is formed on the substrate 150.

도 5는 스크린이 없는 상태의 스퍼터링 장치와 본 발명에 의한 스크린이 있는 상태의 스퍼터링 장치를 이용하여 기판에 박막을 증착한 후 박막의 두께를 나타낸 그래프이다. 작업압력은 1 mTorr 내지 20 mTorr 이고 약 1000W의 DC 전력을 인가하여 기판에 알루미늄(Al) 금속 박막을 증착하였다. 스크린은 도 2에 나타난 형상을 이용하였다.5 is a graph showing the thickness of a thin film after depositing a thin film on a substrate using a sputtering apparatus without a screen and the sputtering apparatus with a screen according to the present invention. The working pressure was 1 mTorr to 20 mTorr and an aluminum (Al) metal thin film was deposited on the substrate by applying a DC power of about 1000 W. The screen used the shape shown in FIG.

X축은 기판상의 한 일직선의 좌표를 나타내며, 약 250mm 지점이 기판의 중심부가 된다. Y축은 측정된 박막의 두께를 그 평균값에 대한 오차 값으로 바꾸어 백분율로 나타낸 것이다.The X axis represents a straight line coordinate on the substrate, and a point about 250 mm becomes the center of the substrate. The Y axis is expressed as a percentage by converting the measured thickness of the thin film into an error value with respect to the average value.

도 5를 참조하면, 스크린이 없는 경우 중심부의 두께가 양단의 두께보다 두껍고 그 차이도 ±30% 정도가 된다. 그러나 본 발명인 슬릿이 형성되어 있는 스크린을 배치하면 중심부와 양단의 두께 차이가 ±7% 이하에 불과하다. 따라서 본 발명에 의하면 훨씬 균일한 두께의 박막을 기판에 형성시킬 수 있다.Referring to FIG. 5, in the absence of a screen, the thickness of the center portion is thicker than the thickness of both ends, and the difference is about ± 30%. However, when the screen in which the slit is formed is arranged, the thickness difference between the center and both ends is only ± 7% or less. Therefore, according to the present invention, a thin film of even uniform thickness can be formed on the substrate.

도 6은 본 발명에 의한 스퍼터링 장치의 제2실시예를 나타낸 사시도이다. 6 is a perspective view showing a second embodiment of a sputtering apparatus according to the present invention.

도 6을 참조하면, 진공용기(500)의 내부에 한 쌍의 타겟부(520a, 520b)가 대향하여 설치된다. 타겟부(520a, 520b)는 타겟(미도시)과 자석(미도시)으로 구성되며 이에 대하여는 제1실시예와 같다. Referring to FIG. 6, a pair of target parts 520a and 520b are disposed to face each other in the vacuum container 500. The target units 520a and 520b include a target (not shown) and a magnet (not shown), which are the same as in the first embodiment.

진공용기(500)는 내부가 밀폐되는 구조로 되어 있으며, 타겟부(520a, 520b) 에 의해 형성되는 자기장은 Z축 방향으로 진공용기(500)의 내부 둘레를 따라 형성된다. The vacuum vessel 500 has a structure in which the inside is sealed, and the magnetic field formed by the target portions 520a and 520b is formed along the inner circumference of the vacuum vessel 500 in the Z-axis direction.

진공용기(500)의 기판(550)에 대응하는 면(500a)에는 슬릿(510)이 형성된다. 스퍼터링 입자는 슬릿(510)을 통해서 진공용기(500) 외부로 니와 기판(550)에 증착된다. 슬릿(510)의 형상에 대한 사항은 제1실시예의 것과 동일하다.A slit 510 is formed on the surface 500a of the vacuum container 500 corresponding to the substrate 550. Sputtered particles are deposited on the needle and the substrate 550 through the slit 510 to the outside of the vacuum vessel 500. Matters on the shape of the slit 510 are the same as those of the first embodiment.

본 실시예에서 슬릿(510)의 수는 제한이 없다. 만약 진공용기(500)의 다른 면(500b)에 대응하여 기판(550)이 설치된다면 상기 면(500b)에 슬릿(510)을 형성할 수 있다. 즉 본 실시예에 의하면 진공용기(500)의 주위에 다수의 기판을 설치하고 동시에 박막을 형성시킬 수 있으므로 제품의 생산성을 향상시킬 수 있다.In the present embodiment, the number of slits 510 is not limited. If the substrate 550 is installed corresponding to the other surface 500b of the vacuum vessel 500, the slit 510 may be formed on the surface 500b. In other words, according to the present embodiment, since a plurality of substrates may be installed around the vacuum container 500 and a thin film may be formed at the same time, productivity of the product may be improved.

본 실시예의 동작은 제1실시예와 동일하므로 설명을 생략한다.Since the operation of this embodiment is the same as that of the first embodiment, description thereof will be omitted.

도 7은 본 발명에 의한 스퍼터링 장치의 제3실시예를 나타낸 단면도이다. 7 is a cross-sectional view showing a third embodiment of the sputtering apparatus according to the present invention.

도 7을 참조하면, 타겟(600)과 기판(620)이 마주보고 평행하게 설치되어 있는 스퍼터링 장치에, 타겟(600)과 기판(620) 사이에 슬릿(632)이 형성된 스크린(630)을 설치한다.Referring to FIG. 7, a screen 630 in which a slit 632 is formed between the target 600 and the substrate 620 is installed in a sputtering apparatus in which the target 600 and the substrate 620 are disposed in parallel to each other. do.

스크린(630)의 면은 기판(620)의 면과 평행하게 배치되며, 스크린(630)과 슬릿(632)의 구조에 대하여는 제1실시예의 것과 동일하다.The surface of the screen 630 is disposed parallel to the surface of the substrate 620, and the structure of the screen 630 and the slit 632 is the same as that of the first embodiment.

즉 상기의 제1실시예와 제2실시예에서는 한 쌍의 타겟이 대향하여 설치되어 있는 대향 타겟식 스퍼터링 장치에 대한 예를 나타내었으나, 본 발명은 기판과 타겟이 평행하게 배치된 스퍼터링 장치에도 실시가 가능하다. 이러한 스퍼터링 장치의 구조와 동작에 대하여는 미국특허 6,596,138 등에 일 예가 나타나 있으므로 이 하 설명을 생략한다. In other words, in the first and second embodiments described above, an example of the counter-target sputtering apparatus in which a pair of targets are provided opposite to each other is shown, but the present invention is also applied to the sputtering apparatus in which the substrate and the target are arranged in parallel. Is possible. An example of the structure and operation of such a sputtering apparatus is shown in US Pat. No. 6,596,138 and the like, and a description thereof will be omitted.

상기에서 상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 기판에 균일한 두께의 박막을 형성시킬 수 있다. 따라서 제품의 품질과 생산성 향상을 도모할 수 있다.As described above, according to the present invention, a thin film having a uniform thickness can be formed on the substrate. Therefore, product quality and productivity can be improved.

또한 본 발명에 의하면 저온에서 기판에 유기전계발광소자의 전극 또는 유기층을 균일하게 형성할 수 있어 유기전계발광표시장치의 품질을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the present invention, the electrode or the organic layer of the organic light emitting diode can be uniformly formed on the substrate at low temperature, thereby improving the quality of the organic light emitting display device.

Claims (16)

소정의 거리를 두고 대향하며 내부 공간에 플라즈마가 형성되는 한 쌍의 타겟;A pair of targets facing each other at a predetermined distance and having a plasma formed therein; 상기 타겟의 외측에 설치되어 상기 타겟의 내부 공간에 상기 타겟 면과 수직인 자기장을 형성하기 위한 자석; 및A magnet installed outside the target to form a magnetic field perpendicular to the target surface in an inner space of the target; And 상기 한 쌍의 타겟과 기판 사이에 설치되어 스퍼터링 입자가 관통하는 슬릿이 형성된 스크린을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.And a screen having a slit formed between the pair of targets and the substrate to allow the sputtered particles to pass therethrough. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 자석은 영구자석인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.Sputtering apparatus, characterized in that the magnet is a permanent magnet. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스크린은 상기 자기장의 방향에 평행으로 배치한 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치. And the screen is disposed parallel to the direction of the magnetic field. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 슬릿은 상기 스퍼터링 입자의 밀도가 높은 곳의 폭이 상기 스퍼터링 입자의 밀도가 낮은 곳의 폭보다 좁은 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.And wherein the slit has a narrower width at a location where the density of the sputtered particles is higher than a width at a location where the density of the sputtered particles is low. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 슬릿에는 중심부의 폭보다 폭이 넓은 부위가 적어도 한 곳이 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.The slit has a sputtering device, characterized in that at least one portion wider than the width of the center portion. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 슬릿은 중심부의 폭보다 양단의 폭이 더 넓은 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.The slit is a sputtering device, characterized in that the width of both ends is wider than the width of the center. 소정의 거리를 두고 대향하며 내부 공간에 플라즈마가 형성되는 한 쌍의 타겟;A pair of targets facing each other at a predetermined distance and having a plasma formed therein; 상기 타겟의 외측에 설치되어 상기 타겟의 내부 공간에 상기 타겟 면과 수직인 자기장을 형성하기 위한 자석; 및A magnet installed outside the target to form a magnetic field perpendicular to the target surface in an inner space of the target; And 상기 타겟과 상기 자석을 내부에 포함하고 적어도 하나의 면에 스퍼터링 입자가 관통하는 슬릿이 형성된 진공용기를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.And a vacuum vessel including the target and the magnet therein and having a slit formed therein with at least one surface through which sputtering particles pass. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 자석은 영구자석인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.Sputtering apparatus, characterized in that the magnet is a permanent magnet. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 슬릿은 상기 스퍼터링 입자의 밀도가 높은 곳의 폭이 상기 스퍼터링 입자의 밀도가 낮은 곳의 폭보다 좁은 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.And wherein the slit has a narrower width at a location where the density of the sputtered particles is higher than a width at a location where the density of the sputtered particles is low. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 슬릿에는 중심부의 폭보다 폭이 넓은 부위가 적어도 한 곳이 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.The slit has a sputtering device, characterized in that at least one portion wider than the width of the center portion. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 슬릿은 중심부의 폭보다 양단의 폭이 더 넓은 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.The slit is a sputtering device, characterized in that the width of both ends is wider than the width of the center. 기판과 타겟을 평행하게 배치하고 플라즈마를 상기 타겟 면에 입사시켜 상기 타겟의 표면으로부터 나오는 스퍼터링 입자를 상기 기판 상에 증착시키는 스퍼터링 장치에 있어서,A sputtering apparatus in which a substrate and a target are disposed in parallel and a plasma is incident on the target surface to deposit sputtered particles coming from the surface of the target on the substrate. 상기 타겟과 상기 기판 사이에 설치되어 상기 스퍼터링 입자가 관통하는 슬릿이 형성된 스크린을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.And a screen disposed between the target and the substrate, the screen having slits through which the sputtering particles pass. 제 12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 스크린의 면은 상기 기판의 면과 평행인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.Sputtering device, characterized in that the surface of the screen is parallel to the surface of the substrate. 제 12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 슬릿은 상기 스퍼터링 입자의 밀도가 높은 곳의 폭이 상기 스퍼터링 입자의 밀도가 낮은 곳의 폭보다 좁은 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.And wherein the slit has a narrower width at a location where the density of the sputtered particles is higher than a width at a location where the density of the sputtered particles is low. 제 12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 슬릿에는 중심부의 폭보다 폭이 넓은 부위가 적어도 한 곳이 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.The slit has a sputtering device, characterized in that at least one portion wider than the width of the center portion. 제 12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 슬릿은 중심부의 폭보다 양단의 폭이 더 넓은 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.The slit is a sputtering device, characterized in that the width of both ends is wider than the width of the center.
KR1020040097177A 2004-11-24 2004-11-24 Sputtering apparatus KR100570980B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040097177A KR100570980B1 (en) 2004-11-24 2004-11-24 Sputtering apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040097177A KR100570980B1 (en) 2004-11-24 2004-11-24 Sputtering apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100570980B1 true KR100570980B1 (en) 2006-04-13

Family

ID=37180559

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040097177A KR100570980B1 (en) 2004-11-24 2004-11-24 Sputtering apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100570980B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102243631B1 (en) * 2019-11-18 2021-04-22 가천대학교 산학협력단 Method of fabricating epitaxial thin-film using metal oxide sputtering target and sputtering apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102243631B1 (en) * 2019-11-18 2021-04-22 가천대학교 산학협력단 Method of fabricating epitaxial thin-film using metal oxide sputtering target and sputtering apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1905865B1 (en) Sputtering apparatus and method for manufacturing transparent conducting film
US20150136585A1 (en) Method for sputtering for processes with a pre-stabilized plasma
JPS63310965A (en) Sputtering device
TW202018113A (en) Tilted magnetron in a pvd sputtering deposition chamber
JP2012224921A (en) Film forming apparatus
JP2007039712A (en) Sputtering system, and film deposition method
JP4901696B2 (en) Deposition equipment
JP4717887B2 (en) Sputtering equipment
KR100570980B1 (en) Sputtering apparatus
TWI632246B (en) Chamber pasting method in a pvd chamber for reactive re-sputtering dielectric material
JP4531599B2 (en) Sputtering source, sputtering equipment
CN113667949B (en) Magnetron sputtering equipment
US20080121515A1 (en) Magnetron sputtering utilizing halbach magnet arrays
KR20090131453A (en) Sputtering device and multi chamber using the same
KR20190062660A (en) Device for sputtering film in substrate
JP4999602B2 (en) Deposition equipment
KR101441386B1 (en) Sputtering apparatus
KR102219774B1 (en) Sputter deposition apparatus for coating a substrate and a method of performing a sputter deposition process
KR101105842B1 (en) Magnetron sputtering apparatus for toroidal target
KR102171588B1 (en) Sputtering device and method for sputtering
KR20080054056A (en) Facing target type sputtering apparatus
US20050205411A1 (en) [physical vapor deposition process and apparatus therefor]
KR20080012656A (en) Sputtering apparatus
JP2007119843A (en) Sputtering film deposition apparatus
KR102184777B1 (en) Facing targets sputtering apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130329

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140401

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160329

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180403

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190401

Year of fee payment: 14