KR100563765B1 - Processing chamber for the insulator installation in the electrode - Google Patents
Processing chamber for the insulator installation in the electrode Download PDFInfo
- Publication number
- KR100563765B1 KR100563765B1 KR1020040051606A KR20040051606A KR100563765B1 KR 100563765 B1 KR100563765 B1 KR 100563765B1 KR 1020040051606 A KR1020040051606 A KR 1020040051606A KR 20040051606 A KR20040051606 A KR 20040051606A KR 100563765 B1 KR100563765 B1 KR 100563765B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- plate
- electrode
- insulating
- process chamber
- insulating plate
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/3255—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
Abstract
본 발명은 절연체가 전극에 구비된 식각장비의 공정챔버에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마 식각공정이 수행되는 공정챔버 내부에 화학적인 반응과 고전압으로부터 전극을 보호하는 절연체의 열팽창계수나 기타 특성값이 상이함에 따라 절연체에 크랙(Crack)의 발생되는 것을 방지할 수 있게 한 절연체가 전극에 구비된 식각장비의 공정챔버에 관한 것이다.The present invention relates to a process chamber of an etching apparatus equipped with an insulator, and more particularly, to a thermal expansion coefficient or other characteristic value of an insulator protecting the electrode from chemical reaction and high voltage in a process chamber in which a plasma etching process is performed. The present invention relates to a process chamber of an etching apparatus provided with an electrode, which makes it possible to prevent the occurrence of cracks in the insulator.
본 발명은 전극이 내부에 설치되는 식각장비의 공정챔버에 있어서, 상기 전극 양측면에 각각 접하며 상기 전극과 동일한 측면 형상으로 소정 두께를 갖는 제 1절연판과, 상기 제 1절연판의 외측면에 각각 접하며 상기 제 1절연판과 동일한 측면 형상으로 소정 두께를 갖되 다수개의 작은 나사로 제 1절연판을 체결한 금속박판과, 상기 금속박판과 동일한 측면 형상으로 소정 두께를 갖으며, 상기 금속박판의 외측면에 각각 접하고 볼트로 제 1절연판과 금속박판을 전극에 체결시키는 제 2절연측판과, 상기 제 1절연판과 금속박판과 제 2측판이 전극의 양측면에 체결된 상면에 전극과 동일한 높이로 각각 부착되는 제 3절연상판을 포함한 구성을 특징으로 하는 절연체가 전극에 구비된 식각장비의 공정챔버를 제공한다.The present invention provides a process chamber of an etching apparatus having an electrode installed therein, the first insulating plate having a predetermined thickness in contact with both sides of the electrode and having the same side shape as the electrode, and the outer surface of the first insulating plate, respectively. A metal thin plate having a predetermined thickness in the same side shape as the first insulating plate but fastening the first insulating plate with a plurality of small screws, and a predetermined thickness in the same side shape as the metal thin plate, in contact with the outer surface of the metal thin plate, respectively A second insulating side plate for fastening the first insulating plate and the metal thin plate to the electrode, and a third insulating top plate having the same height as the electrode on the upper surface where the first insulating plate, the metal thin plate and the second side plate are fastened to both sides of the electrode, respectively. It provides an insulator characterized in that the configuration including a process chamber of the etching equipment provided in the electrode.
식각장비, 공정챔버, 전극, 절연체, 열팽창계수Etching Equipment, Process Chamber, Electrode, Insulator, Thermal Expansion Coefficient
Description
도 1은 종래의 식각장비의 공정챔버 내부에 설치된 전극에 절연체를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating an insulator in an electrode installed in a process chamber of a conventional etching apparatus.
도 2는 도 1의 A 부분을 발췌한 부분 확대도이다.FIG. 2 is an enlarged view illustrating a portion A of FIG. 1.
도 3은 본 발명의 제 1실시예에 따른 절연체가 전극에 구비된 식각장비의 공정챔버에 구비된 전극에 절연체가 설치된 상태를 도시한 확대 단면도이다.3 is an enlarged cross-sectional view illustrating a state in which an insulator is installed in an electrode provided in a process chamber of an etching apparatus having an insulator according to a first embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 제 2실시예에 따른 절연체가 전극에 구비된 식각장비의 공정챔버에 구비된 전극에 절연체가 설치된 상태를 도시한 확대 단면도이다.4 is an enlarged cross-sectional view illustrating a state in which an insulator is installed in an electrode provided in a process chamber of an etching apparatus having an insulator according to a second embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 제 3실시예에 따른 절연체가 전극에 구비된 식각장비의 공정챔버에 구비된 전극에 절연체가 설치된 상태를 도시한 확대 단면도이다.FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view illustrating a state in which an insulator is installed in an electrode provided in a process chamber of an etching apparatus having an insulator according to a third embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
120, 220, 320 : 전극 122, 222, 322 : 제 1절연판120, 220, 320:
124 : 금속박판 126, 226, 326 : 제 2절연측판124:
128, 228, 328 : 제 3절연상판 224 : 금속중판128, 228, 328: third insulated plate 224: metal plate
323 : 단차구멍 324 : 단차봉323: stepped hole 324: stepped rod
327 : 틈 B : 볼트327: gap B: bolt
P : 작은나사P: Small screw
본 발명은 절연체가 전극에 구비된 식각장비의 공정챔버에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마 식각공정이 수행되는 공정챔버 내부에 화학적인 반응과 고전압으로부터 전극을 보호하는 절연체의 열팽창계수나 기타 특성값이 상이함에 따라 절연체에 크랙(Crack)의 발생되는 것을 방지할 수 있게 한 절연체가 전극에 구비된 식각장비의 공정챔버에 관한 것이다.The present invention relates to a process chamber of an etching apparatus equipped with an insulator, and more particularly, to a thermal expansion coefficient or other characteristic value of an insulator protecting the electrode from chemical reaction and high voltage in a process chamber in which a plasma etching process is performed. The present invention relates to a process chamber of an etching apparatus provided with an electrode, which makes it possible to prevent the occurrence of cracks in the insulator.
일반적으로, 전극은 공정챔버의 내부 상, 하면에 각각 장착되며, 식각공정이 수행되는 대상물인 기판이 적재되는 전극의 양측에, 전극간에 가해지는 고전압에 따라 전극으로 유입된 가스의 방전으로 형성되는 플라즈마의 화학적인 반응과 고전압으로부터 보호하는 절연체가 설치되며, 전극은 통상적으로 알루미늄이 사용되며, 반도체를 처리하는데 비교적 저렴한 재료이고, 가장 폭넓게 사용된다.In general, the electrodes are mounted on the upper and lower surfaces of the process chamber, respectively, and are formed by discharge of gas introduced into the electrodes according to high voltage applied between the electrodes on both sides of the electrode on which the substrate, which is an object to be etched, is loaded. Insulators are provided that protect against chemical reactions and high voltages in the plasma. The electrodes are typically aluminum, a relatively inexpensive material for processing semiconductors, and the most widely used.
또한, 식각공정은 알루미늄에 대해 부식을 초래할 수 있으므로 알루미늄재질인 전극을 표면을 보호하기 위한 산화 알루미늄(Al₂O₃)피막과 같은 비교적 불활성의 세라믹 재료가 사용된다.In addition, since the etching process may cause corrosion to aluminum, a relatively inert ceramic material such as an aluminum oxide (Al₂O₃) coating is used to protect the surface of the aluminum electrode.
종래의 식각장비의 공정챔버는 도 1에서 도시한 바와 같이 내부가 중공인 공정챔버(10)의 내부 상면에 상부전극(16)이 설치되고, 상기 상부전극(16)과 대향된 공정챔버(10) 내부 하면에 기판(미도시)이 적재되는 적재대(18)가 설치된 하부전극 (20)이 장착되며, 일측면에 기판이 공정챔버(10) 내부로 반입 또는 반출될 수 있도록 개구된 출입구(12)를 개폐하는 게이트(14)가 설치된다.In the process chamber of the conventional etching equipment, as shown in FIG. 1, an
상술한 하부전극(20)은 도 1의 A 부분을 발췌한 도 2에서 도시한 바와 같이 양측면에 테프론절연판(22)과 상기 테프론절연판(22)의 외면에 세라믹절연측판(24)을 접촉되게 위치시킨 다음 다수개의 볼트(B)로 체결시키며, 상기 테프론절연판(22)과 세라믹절연측판(24)의 상면에 세라믹절연상판(26)을 부착시켜 하부전극(20)의 표면을 화학적, 고전압으로부터 전극(16, 20)을 보호하였다.The
그러나, 식각공정의 수행에 따라 공정챔버(10) 내부에 발생되는 고온의 열로 인해 각각의 절연체가 변형되며, 이때, 하부전극(20)의 양측면에 부착된 테프론절연판(22)이 상기 테프론절연판(22)의 외면에 부착된 세라믹절연측판(24)보다 열팽창계수가 높으므로 열에 의한 테프론절연판(22)의 신장률이 높아짐에 따라 팽창에 의해 세라믹절연측판(24)에 크랙이 발생되어 파손되는 문제점이 있었다.However, as the etching process is performed, each of the insulators is deformed due to the high temperature heat generated inside the
본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그 목적은 열팽창계수와 기타 특성값이 각각 다른 상태로 전극에 장착된 절연판이 식각공정이 수행되는 과정에서 공정챔버 내부의 열에 의해 절연판에 크랙이 발생되는 것을 방지하기 위한 절연체가 전극에 구비된 식각장비의 공정챔버를 제공함에 있다.The present invention has been made to solve the above problems, the object of the present invention is to insulate the insulating plate by the heat inside the process chamber in the process of performing the etching process the insulating plate mounted on the electrode with different thermal expansion coefficient and other characteristic value respectively. An insulator for preventing cracks is provided to provide a process chamber of an etching apparatus provided in an electrode.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 1실시예는 전극이 내부에 설치되는 식각장비의 공정챔버에 있어서, 상기 전극 양측면에 각각 접하며 상기 전극과 동일한 측면 형상으로 소정 두께를 갖는 제 1절연판; 상기 제 1절연판의 외측면에 각각 접하며 상기 제 1절연판과 동일한 측면 형상으로 소정 두께를 갖되 다수개의 작은 나사로 제 1절연판을 체결한 금속박판; 상기 금속박판과 동일한 측면 형상으로 소정 두께를 갖으며, 상기 금속박판의 외측면에 각각 접하고 볼트로 제 1절연판과 금속박판을 전극에 체결시키는 제 2절연측판; 상기 제 1절연판과 금속박판과 제 2측판이 전극의 양측면에 체결된 상면에 전극과 동일한 높이로 각각 부착되는 제 3절연상판;을 포함한 구성을 특징으로 하는 절연체가 전극에 구비된 식각장비의 공정챔버를 제공한다.In order to achieve the above object, a first embodiment of the present invention provides a process chamber of an etching apparatus in which an electrode is installed therein, the first insulating plate having a predetermined thickness in contact with both sides of the electrode and having the same side shape as the electrode; A metal sheet contacting the outer surface of the first insulating plate and having a predetermined thickness in the same side shape as the first insulating plate, and fastening the first insulating plate with a plurality of small screws; A second insulating side plate having a predetermined thickness in the same side shape as that of the metal thin plate, the second insulating side plate being in contact with the outer surface of the metal thin plate and fastening the first insulating plate and the metal thin plate to the electrodes with bolts; The first insulating plate, the metal thin plate and the second side plate is attached to the upper surface fastened to both sides of the electrode, the third insulating upper plate is attached to the same height as the electrode, respectively; process comprising an insulator equipped with an electrode Provide a chamber.
그러므로, 열팽창계수가 개중에서 가장 큰 제 1절연판의 팽창력이, 열팽창계수가 중간인 금속박판에 의해 팽창력이 흡수, 차단되므로 제 2절연측판으로 전달되는 팽창력을 최소화시키므로 팽창력에 의해 제 2절연측판이 파손되는 것을 방지한다.Therefore, since the expansion force of the first insulating plate having the largest thermal expansion coefficient is absorbed and blocked by the metal thin plate having the intermediate thermal expansion coefficient, the expansion force transmitted to the second insulating side plate is minimized. To prevent breakage.
또한, 본 발명의 제 1실시예에서는 상기 금속박판의 열팽창계수가 테프론 보다는 작고 세라믹 보다는 큰 재질로 형성되므로 공정챔버 내부에 열이 가해졌을 때 열팽창계수가 제 1절연판보다는 작고 제 2절연측판보다는 큰 금속박판이 제 1절연판과 제 2절연측판 사이에 개입됨으로써 제 1절연판의 변형력이 제 2절연측판에 전위되지 않고 금속박판에 흡수되거나 감소시키므로 바람직하다.In addition, in the first embodiment of the present invention, since the thermal expansion coefficient of the metal sheet is smaller than that of Teflon and larger than that of ceramic, the thermal expansion coefficient is smaller than that of the first insulating plate and larger than the second insulating side plate when heat is applied to the inside of the process chamber. Since the metal thin plate is interposed between the first insulating plate and the second insulating side plate, the deformation force of the first insulating plate is absorbed or reduced in the metal thin plate without dislocation to the second insulating side plate.
또한, 본 발명의 제 1실시예에서의 상기 금속박판은 알루미늄판으로 형성되 어 식각장비에 폭넓게 사용되는 반면 가격이 저렴하므로 바람직하다.In addition, the metal sheet in the first embodiment of the present invention is preferably formed of an aluminum plate because it is widely used in etching equipment and low price.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 2실시예는 전극이 내부에 설치되는 식각장비의 공정챔버에 있어서, 상기 전극 양측면에 각각 접하며 전극과 동일한 측면 형상으로 소정 두께를 갖는 제 1절연판; 상기 제 1절연판과 동일한 측면 형상으로 소정 두께를 갖고, 상기 제 1절연판의 외측면에 각각 접하며 다수개의 작은나사로 제 1절연판과 금속중판이 전극의 양측면에 체결된 금속중판; 상기 금속중판과 동일한 측면 형상으로 소정 두께를 갖으며, 볼트에 의해 금속중판을 전극의 양측면에 체결시키는 제 2절연측판; 상기 제 1절연판과 금속중판과 제 2절연측판이 전극의 양측면에 체결된 상면에 전극과 동일한 높이로 각각 부착되는 제 3절연상판;을 포함한 구성을 특징으로 하는 절연체가 전극에 구비된 식각장비의 공정챔버를 제공한다.In order to achieve the above object, a second embodiment of the present invention provides a process chamber of an etching apparatus in which an electrode is installed therein, the first insulating plate having a predetermined thickness in contact with both sides of the electrode and having the same side shape as the electrode; A metal intermediate plate having a predetermined thickness in the same side shape as that of the first insulating plate, wherein the first insulating plate and the metal intermediate plate are fastened to both sides of the electrode by a plurality of small screws, respectively contacting the outer surface of the first insulating plate; A second insulating side plate having a predetermined thickness in the same side shape as that of the metal plate and fastening the metal plate to both sides of the electrode by bolts; The first insulating plate, the metal intermediate plate, and the second insulating side plate attached to both sides of the electrode on the upper surface of the third insulating upper plate respectively attached to the same height as the electrode; Provide a process chamber.
그러므로, 열팽창계수가 개중에서 가장 큰 제 1절연판의 팽창력이 열팽창계수가 보통인 금속중판에 의해 팽창력이 흡수, 차단되며, 볼트에 의해 제 2절연측판을 팽창율이 작은 금속중판에 체결시키므로 제 2절연측판에 전달되는 제 1절연판의 팽창력이 최소화되므로 바람직하다.Therefore, the expansion force of the first insulating plate having the largest thermal expansion coefficient is absorbed and blocked by the metal intermediate plate having the normal thermal expansion coefficient, and the second insulating side plate is fastened to the metal medium plate having a small expansion rate by bolts. It is preferable because the expansion force of the first insulating plate transmitted to the side plate is minimized.
또한, 본 발명의 제 2실시예에서의, 상기 금속중판은 열팽창계수는 테프론 보다는 작고 세라믹 보다는 큰 재질로 형성되므로 열이 가해졌을 때 열팽창계수가 제 1절연판보다는 작고 제 2절연측판보다는 큰 금속중판이 제 1절연판과 제 2절연측판 사이에 개입됨으로써 제 1절연판의 변형력이 제 2절연측판에 전위되지 않고 금속중판에 흡수되거나 감소시키므로 바람직하다.In addition, in the second embodiment of the present invention, the coefficient of thermal expansion of the metal plate is smaller than Teflon and formed of a material larger than ceramic, so that when the heat is applied, the coefficient of thermal expansion is smaller than that of the first insulating plate and larger than the second insulating side plate. It is preferable because the deformation force of the first insulating plate is absorbed or reduced by the metal intermediate plate without dislocation to the second insulating side plate by intervening between the first insulating plate and the second insulating side plate.
또한, 본 발명의 제 2실시예에서의 상기 금속중판은 알루미늄판으로 형성되어 식각장비에 폭넓게 사용되는 반면 가격이 저렴하므로 바람직하다.In addition, the metal plate in the second embodiment of the present invention is preferably formed of an aluminum plate because it is widely used in etching equipment, while the price is low.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 3실시예는 전극이 내부에 설치되는 식각장비의 공정챔버에 있어서, 상기 전극의 양측면에 각각 접하며 상기 전극과 동일한 측면 형상으로 소정 두께를 갖고, 외측면에 다수개의 단차구멍이 형성된 제 1절연판; 상기 제 1절연판에 형성된 단차구멍에 결합되되 관통구멍이 중앙부에 형성된 단차봉; 상기 제 1절연판과 동일한 측면 형상으로 소정 두께를 갖으며, 상기 제 1절연판에 형성된 단차구멍에 관통구멍이 형성된 단차봉이 삽입되되 상기 단차봉의 관통구멍을 통해 볼트로 전극의 양측면에 체결시키는 제 2절연측판; 상기 제 1절연판과 제 2절연측판이 전극의 양측면에 체결된 상면에 전극과 동일한 높이로 각각 부착되는 제 3절연상판;을 포함한 구성을 특징으로 하는 절연체가 전극에 구비된 식각장비의 공정챔버를 제공한다.In order to achieve the above object, a third embodiment of the present invention is a process chamber of an etching apparatus in which an electrode is installed therein, each of which is in contact with both sides of the electrode and has a predetermined thickness in the same side shape as the electrode, A first insulating plate having a plurality of stepped holes formed therein; A stepped bar coupled to a stepped hole formed in the first insulating plate, wherein a stepped hole is formed in the center portion thereof; Second insulation having a predetermined thickness in the same side shape as that of the first insulating plate and having a through hole formed in the stepped hole formed in the first insulating plate, and fastened to both sides of the electrode with bolts through the through hole of the stepped rod. shroud; And a third insulating upper plate attached to the upper surface of which the first insulating plate and the second insulating side plate are fastened to both sides of the electrode, respectively, at the same height as the electrode. to provide.
그러므로, 제 1절연판에 형성된 단차구멍에 상기 단차구멍의 직경보다 작은 직경을 갖는 단차봉이 삽입되어 열에 의해 단차봉이 변형되어도 단차구멍과 단차봉에 형성된 틈에 의해 제 2절연측판에 팽창력이 전위되지 않으므로 바람직하다.Therefore, even when the stepped rod having a diameter smaller than the diameter of the stepped hole is inserted into the stepped hole formed in the first insulating plate and the stepped rod is deformed by heat, the expansion force is not displaced in the second insulating side plate due to the gap formed in the stepped hole and the stepped rod. desirable.
또한, 본 발명의 제 3실시예에서의 상기 제 1절연판은 고강도 폴리카보네이 트(Poly-Carbonate)로 대체 형성되어 내충격성이 가장 우수하고 내열성 등이 우수하므로 바람직하다.In addition, the first insulating plate in the third embodiment of the present invention is preferable because it is formed of high-strength polycarbonate (Poly-Carbonate) is excellent in impact resistance and excellent heat resistance.
또한, 본 발명의 제 3실시예에서의 상기 단차봉은 테프론봉으로 형성되어 내열성과 전기절연성 및 내마모성이 우수하므로 절연체로 사용이 바람직하다.In addition, since the stepped rod in the third embodiment of the present invention is formed of a Teflon rod and is excellent in heat resistance, electrical insulation and abrasion resistance, it is preferably used as an insulator.
또한, 본 발명의 제 3실시예에서의 상기 제 1절연판에 형성된 다수개의 단차구멍 내주면과 상기 단차구멍에 삽입되는 단차봉의 외주면에 틈이 형성되므로 단차봉이 열에 의해 변형되더라도 형성된 틈에 의해 제 2절연측판으로 변형력이 전위되는 것이 차단된다.In addition, since a gap is formed in the inner peripheral surface of the plurality of stepped holes formed in the first insulating plate and the outer peripheral surface of the stepped rod inserted into the stepped hole in the third embodiment of the present invention, the second insulating is formed by the gap formed even if the stepped rod is deformed by heat. Dislocation of the strain force to the side plate is blocked.
이하, 본 발명의 절연체가 전극에 구비된 식각장비의 공정챔버를 첨부도면을 참조하여 실시예들을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings, a process chamber of an etching apparatus provided in an electrode.
< 제 1 실시예 ><First Embodiment>
본 발명의 제 1실시예의 절연체가 전극에 구비된 식각장비의 공정챔버를 설명하면 도 3에 도시한 바와 같이, 전극(120)의 양측면에 접한 상태로 위치시키는 제 1절연판(122)과, 이러한 제 1절연판(122)의 외측면에 접하는 금속박판(124)과, 전술한 금속박판(124)의 외측면에서 삽입되여 제 1절연판(122)에 체결시키는 다수개의 작은나사(P)와, 상술한 금속박판(124)의 외측면에 접촉되는 제 2절연측판 (126)과, 상술한 제 2절연판(126)의 외측에서 삽입되며 제 1절연판(122)에 체결된 금속박판(124)을 전극(120)에 체결시키는 볼트(B)와, 상술한 제 1절연판(122)과 금속박판(124)과 제 2절연측판(126)이 각각 접촉된 상부면에 부착되는 제 3절연상판(128)을 포함한다.When the insulator of the first embodiment of the present invention describes the process chamber of the etching equipment provided in the electrode, as shown in Figure 3, the first
여기서, 상술한 제 1절연판(122)은 테프론(Teflon)으로 형성되고, 제 2절연측판(126)과 제 3절연상판(128)은 세라믹(Ceramic)으로 형성되는 것은 공지된 사항이다.Here, it is well known that the first
상술한 제 1절연판(122)은 전극(120)의 양측면에 접한 상태로 위치되며 상술한 전극(120)과 동일한 측면 형상으로 소정 두께를 갖으며, 상술한 제 2절연측판(126)은 금속박판(124)과 동일한 측면 형상으로 소정의 두께를 갖는다.The first
상술한 금속박판(124)은 제 1절연판(122)과 동일한 측면 형상으로 두께가 얇은 박판이다.The metal
한편, 상술한 금속박판(124)은 테프론으로 형성된 제 1절연판(122)의 열팽창계수와 세라믹으로 형성된 제 2절연측판(126)의 열팽창계수 사이 값인 알루미늄이 사용되며, 상술한 알루미늄재에 한정되지 않고 상술한 절연체 개중에 열팽창계수가 가장 큰 테프론과 열팽창계수가 가장 작은 세라믹의 범위 안의 열팽창계수를 갖는 재질로 변경이 가능하다.On the other hand, the above-described metal
그러므로, 도 3에 도시한 바와 같이, 식각공정이 수행되는 과정에서 공정챔버 내부에 열이 발생되며 이때, 각각 접촉된 상태로 전극(120)의 양측에 설치된 절연체는 개중 가장 열팽창계수가 큰 제 1절연판(122)과 제일 작은 제 2절연측판 (126)의 사이에 열팽창계수가 제 1절연판(122)과 제 2절연측판(126)의 사이 값인 금속박판(124)을 개입시켜 열팽창계수가 가장 큰 제 1절연판(122)의 팽창력이 개입된 금속박판(124)에 의해 흡수됨에 따라 제 2절연측판(126)에 미치는 팽창력이 최소화되므로 제 2절연측판(126)의 크랙에 의한 파손을 방지한다. Therefore, as illustrated in FIG. 3, heat is generated inside the process chamber during the etching process, and in this case, the insulators installed on both sides of the
즉, 일체로 형성된 제 2절연측판(126)과, 작은나사(P)로 체결시켜 일체로 구성된 제 1절연판(122)과 금속박판(124)을 제 2절연측판(126)의 외측에서 볼트(B)에 의해 전극(120)에 각각 체결시켜 열팽창계수가 개중에서 가장 큰 제 1절연판(122)의 팽창력이 열팽창계수가 작은 금속박판(124)에 의해 흡수, 차단되므로 제 2절연측판(126)과 금속박판(124) 및 제 1절연판(122)을 볼트(B)에 의해 제 2절연측판(126)의 외측에서 전극(120)의 양측에 체결하여도 상술한 제 2절연측판(126)에 미치는 팽창력을 최소화시키는 것이다. 그러므로, 볼트(B)가 체결되는 제 1절연판(122)의 체결구멍은 외측면에 체결되는 금속박판(124)에 의해 변형이 최소화된다.That is, the first
한편, 제 1절연판(122)이나 금속박판(124) 및 제 2절연측판(126)이 파손됨에 따른 보수 작업을 실시할 경우, 제 1절연판(122)과 금속박판(124)과 제 2절연측판(126)에 일체로 체결된 볼트(B)를 분리한 다음, 금속박판(124)과 제 1절연판(122)을 각각 분리시켜 각각의 절연체를 보수 또는 교환한 다음 다시 체결한다.On the other hand, when performing repair work due to damage of the first insulating
< 제 2 실시예 >Second Embodiment
본 발명의 제 2실시예의 절연체가 전극에 구비된 식각장비의 공정챔버를 설명하면, 도 4에서 도시한 바와 같이 전극(220)의 양측면에 각각 접촉된 상태로 위 치되는 제 1절연판(222)과, 이러한 제 1절연판(222)의 외측면에 각각 접하는 금속중판(224)과, 이 금속중판(224)의 외측에서 삽입되어 제 1절연판(222)에 접촉된 금속중판(224)을 전극(220)의 양측면에 각각 체결시키는 작은나사(P)와, 상술한 금속중판(224)의 외측면에 접촉되는 제 2절연측판(226)과, 상술한 제 2절연판(226)의 외측에서 삽입되어 금속중판(224)에 체결시키는 다수개의 볼트(B)와, 상술한 제 1절연판(222)과 금속중판(224)과 제 2절연측판(226)이 각각 결합된 상면에 전극(220)과 동일한 높이로 부착되는 제 3절연상판(228)을 포함한다.Referring to the process chamber of the etching apparatus provided in the electrode of the second embodiment of the present invention, as shown in Figure 4, the first insulating
상술한 제 1절연판(222)은 전극(220)과 동일한 측면 형상으로 소정 두께를 갖으며, 상술한 금속중판(224)은 상술한 제 1절연판(222)과 동일한 측면 형상으로 두께가 중간인 중판이고, 상술한 제 2절연측판(226)은 금속중판(224)과 동일한 측면 형상으로 소정의 두께를 갖는다.The first insulating
한편, 상술한 금속중판(224)은 테프론으로 형성된 제 1절연판(222)의 열팽창계수와 세라믹으로 형성된 제 2절연측판(224)의 열팽창계수 사이 값인 알루미늄재가 사용되며, 상술한 알루미늄재에 한정하지 않고 각각의 절연체 개중에 열팽창계수가 가장 큰 테프론과 열팽창계수가 가장 작은 세라믹의 범위 안인 열팽창계수를 갖는 재질로 변경이 가능하다.On the other hand, the above-described metal
그러므로, 도 4에 도시한 바와 같이, 식각공정이 수행되는 과정에서 공정챔버 내부의 온도가 상승하면, 각각 접촉된 상태로 전극(220)의 양측에 설치된 절연체는 개중 가장 열팽창계수가 큰 제 1절연판(222)과 제일 작은 제 2절연측판(226)의 사이에 열팽창계수가 제 1절연판(222)과 제 2절연측판(226)의 사이 값인 금속중 판(224)을 개입시켜 열팽창계수가 가장 큰 제 1절연판(222)의 팽창력이 개입된 금속중판(224)에 의해 흡수됨에 따라 제 2절연측판(226)에 미치는 팽창력이 최소화되므로 제 2절연측판(226)에 크랙이 발생되는 것을 방지한다.Therefore, as shown in FIG. 4, when the temperature inside the process chamber rises during the etching process, the insulators disposed on both sides of the
즉, 제 2절연측판(226)과, 작은나사(P)로 전극(220)의 양측면에 제 1절연판(222)과 금속중판(224)을 체결시켜 열팽창계수가 개중에서 가장 큰 제 1절연판(222)의 팽창력이 열팽창계수가 작은 금속중판(224)에 의해 팽창력이 흡수, 차단되며, 볼트(B)에 의해 제 2절연측판(226)을 팽창율이 작은 금속중판(224)에 체결시키므로 제 2절연측판(226)에 전달되는 제 1절연판(222)의 팽창력이 최소화되므로 제 2절연측판(226)이 팽창력에 의해 파손되는 것을 방지한다. That is, the first insulating
한편, 제 1절연판(222)이나 금속중판(224) 및 제 2절연측판(226)이 파손됨에 따른 보수 작업을 실시할 경우, 금속중판(224)에 체결된 제 2절연측판(226)에서 볼트(B)를 분리한 다음, 전극(220)의 양측면에 체결된 작은나사(P)를 분리시켜 금속중판(224)과 제 1절연판(222)을 보수 또는 교환한 다음 역순위로 다시 체결한다.On the other hand, when performing repair work due to damage of the first insulating
< 제 3 실시예 >Third Embodiment
본 발명의 제 3실시예의 절연체가 전극에 구비된 식각장비의 공정챔버를 설명하면, 상술한 전극(320)은 도 5에서 도시한 바와 같이 전극(320)의 양측면에 각각 접하며 양측면 가장자리 부근에 다수개의 단차구멍(323)이 형성된 제 1절연판(322)과, 이러한 제 1절연판(322)에 형성된 단차구멍(323)에 삽입되되 중앙에 관통구멍(325)이 형성된 단차봉(324)과, 상술한 제 1절연판(322)의 외측면에 각각 접촉 되는 제 2절연측판(326)과, 상술한 제 2절연판(326)의 외측에서 각각 삽입되며 이러한 제 2연결측판(326)이 제 1절연판(322)에 형성된 단차구멍(323)에 삽입되는 단차봉(324)의 관통구멍(325)으로 전극(320)의 양측면에 체결시키는 볼트(B)와, 상술한 제 1절연판(322)과 제 2절연측판(326)이 접촉된 상부면에 각각 부착되는 제 3절연상판(328)을 포함한다.When the insulator of the third embodiment of the present invention describes the process chamber of the etching equipment provided in the electrode, the above-described
상술한 제 1절연판(322)은 전극(320)의 양측면에 접촉된 상태로 위치되고 상술한 전극(320)과 동일한 측면 형상으로 소정 두께를 갖으며 내측에 단차구멍(323)이 형성된다.The first insulating
한편, 상술한 제 1절연판(322)은 고강도 폴리카보네이트(Poly-Carbonate)로 대체 형성 가능하다.On the other hand, the first insulating
상술한 단차봉(324)은 테프론재로 형성되고 상술한 제 1절연판(322)에 형성된 단차구멍(323)에 삽입될 수 있게 상응된 형상으로 단차가 형성되며 중앙부에 볼트(B)가 관통되는 관통구멍(325)이 형성된다.The stepped
상술한 제 2절연측판(326)은 제 1절연판(322)과 동일한 측면 형상으로 소정의 두께를 갖는다.The second
상술한 제 1절연판(322)에 형성된 단차구멍(323)의 내주면과 상술한 단차구멍(323)에 삽입되는 단차봉(324)의 외주면에 틈(327)이 형성된다.A
아울러, 도 5에 도시한 바와 같이, 식각공정이 수행되는 과정에서 공정챔버 내부에 열이 발생되며 이때, 전극(320)의 양측면에 접촉된 제 1절연판(322)에 형성된 단차구멍(323)의 내주면과 상술한 단차구멍(323)에 삽입된 단차봉(324)의 외주 면 사이에 틈(327)이 형성되므로 제 1절연판(322)과 단차봉(324)이 팽창되더라도 틈(327)의 범위 내에서 팽창량이 수용되므로 팽창되여 제 2절연측판(326)으로 팽창력이 제 2절연측판(326)에 미치지 않는다.In addition, as shown in FIG. 5, heat is generated in the process chamber during the etching process, and at this time, the stepped
즉, 전극(320) 양측에 설치된 제 1절연판(322)과, 이러한 제 1절연판(322)의 외측면에 접촉되는 제 2절연측판(326)의 외측에서 볼트(B)에 의해 제 2절연측판(326)과 제 1절연판(322)의 내부에 삽입된 단차봉(324)을 전극(320)의 양측면에 체결시키므로 제 1절연판(322)과 단차봉(324)이 팽창되더라도 제 1절연판의 단차구멍(323)에 삽입된 단차봉(324) 사이에 형성된 틈(327)의 범위 안에서 팽창되므로 그 팽창력이 제 2절연측판(326)에 전달되지 않으므로 파손을 방지한다.That is, the second insulating side plate by the bolt B on the outside of the first insulating
한편, 제 1절연판(322)이나 단차봉(324) 및 제 2절연측판(326)이 파손됨에 따른 보수 작업을 실시할 경우, 전극(320)의 양측면에 접촉되며 단차구멍(323)에 게재된 단차봉(324)의 관통구멍(325)을 통해 제 2절연측판(326)에 체결된 볼트(B)를 분리한 다음, 제 2절연측판(326)과 단차봉(324) 및 제 1절연판(322)을 각각 분리시켜 각각의 절연체를 보수 또는 교환한 다음 역순위로 체결한다.On the other hand, when the repair work is performed as the first insulating
이와 같은 본 발명의 절연체가 전극에 구비된 식각장비의 공정챔버는 열팽창계수와 기타 특성값이 각각 다른 상태로 전극에 장착된 절연체에 식각공정이 수행되는 과정에서 열팽창계수가 금속판을 절연체 사이에 개입시켜 변형력을 흡수 또는 차단하거나, 열에 의한 변형량이 수용되는 틈을 형성시켜 공정챔버 내부의 온도 상승시 하부챔버에 설치된 절연판에 크랙이 발생되는 것을 방지하는 효과가 있다.In the process chamber of the etching apparatus equipped with the insulator of the present invention as described above, the coefficient of thermal expansion intervenes the metal plate between the insulators during the etching process performed on the insulator mounted on the electrode with different thermal expansion coefficients and other characteristic values. By forming a gap that absorbs or blocks the deformation force or accommodates the deformation amount due to heat, there is an effect of preventing cracks in the insulation plate installed in the lower chamber when the temperature inside the process chamber rises.
Claims (10)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040051606A KR100563765B1 (en) | 2004-07-02 | 2004-07-02 | Processing chamber for the insulator installation in the electrode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040051606A KR100563765B1 (en) | 2004-07-02 | 2004-07-02 | Processing chamber for the insulator installation in the electrode |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060002525A KR20060002525A (en) | 2006-01-09 |
KR100563765B1 true KR100563765B1 (en) | 2006-03-24 |
Family
ID=37105468
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040051606A KR100563765B1 (en) | 2004-07-02 | 2004-07-02 | Processing chamber for the insulator installation in the electrode |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100563765B1 (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10340777A (en) | 1997-06-06 | 1998-12-22 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Planar heater |
KR20010085739A (en) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | 조셉 제이. 스위니 | Coil and coil support for generating a plasma |
KR20030066118A (en) * | 2002-02-04 | 2003-08-09 | 주성엔지니어링(주) | Showerhead type gas supplier which minimizes thermal expansion-induced deformation |
-
2004
- 2004-07-02 KR KR1020040051606A patent/KR100563765B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10340777A (en) | 1997-06-06 | 1998-12-22 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Planar heater |
KR20010085739A (en) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | 조셉 제이. 스위니 | Coil and coil support for generating a plasma |
KR20030066118A (en) * | 2002-02-04 | 2003-08-09 | 주성엔지니어링(주) | Showerhead type gas supplier which minimizes thermal expansion-induced deformation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060002525A (en) | 2006-01-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20240077138A1 (en) | Edge seal for lower electrode assembly | |
EP0673056B1 (en) | Plasma processing chamber and method of treating substrates in a plasma processing chamber | |
US7461614B2 (en) | Method and apparatus for improved baffle plate | |
KR100561973B1 (en) | Laser chamber with fully integrated electrode feedthrough main insulator | |
KR20090068284A (en) | Components for a plasma processing apparatus | |
CN1877808A (en) | Substrate support with clamping electrical connector | |
KR20150070970A (en) | Installation fixture for elastomer bands | |
KR100563765B1 (en) | Processing chamber for the insulator installation in the electrode | |
KR100892928B1 (en) | Lower eletrode assembly of manufacturing FPD | |
US5534728A (en) | Semiconductor device having a corrosion-resistant metal wiring layer | |
KR100622856B1 (en) | Plasma processing apparatus | |
KR20020019610A (en) | Improved connectors for an electrostatic chuck | |
JP2006245436A (en) | Silicon nitride wiring board and semiconductor module using it | |
JP2012004495A (en) | Power introduction terminal and plasma processing device equipped with the same | |
CN111383880B (en) | Plasma processor's mounting structure and corresponding plasma processor | |
KR100963481B1 (en) | Ground structure, and heater and chemical vapor deposition apparatus including the same | |
KR101093747B1 (en) | Upper electrode assembly for plasma etching | |
KR100622844B1 (en) | Plasma processing apparatus | |
US20040020439A1 (en) | Process chamber window assembly | |
KR101157790B1 (en) | Plasma treatment apparatus | |
JP2008258374A (en) | Electrode for mounting wafer | |
KR20060030586A (en) | Plasma processing apparatus | |
KR200471903Y1 (en) | Insulating plate for dry etching chamber | |
KR20090025022A (en) | Fixing unit and chamber having the same | |
JP4913113B2 (en) | Lower electrode assembly of flat panel display device manufacturing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120302 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |