KR100555621B1 - 사이드 로브 억제형 미세 보조 패턴이 형성된 반도체마스크 및 그 미세 보조 패턴 형성방법 - Google Patents

사이드 로브 억제형 미세 보조 패턴이 형성된 반도체마스크 및 그 미세 보조 패턴 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 포토 리소그라피(Photo Lithography) 기술에 의하여 한계 해상력 이하의 선폭을 갖는 미세 보조 패턴이 형성된 위상 반전 마스크에 있어서, 사이드 로브(Side Lobe)를 억제할 수 있도록 미세 보조 패턴이 형성된 위상 반전 마스크와, 상기 위상 반전 마스크에 미세 보조 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에서는, 주 패턴(4)이 형성되어 있고, 상기 주 패턴(4) 사이에 복수개의 미세 보조 패턴(2, 3)이 인접하게 형성되어 있는 위상 반전 마스크(1)로서, 상기 주 패턴(4)에 근접한 미세 보조 패턴(2)은 주 패턴(4)과 동일한 투과율을 가지며; 상기 주 패턴(4)과 동일한 투과율을 갖는 미세 보조 패턴(2) 사이에 형성되는 내부의 미세 보조 패턴(3)은, 상기 주 패턴(4)의 투과율 보다 더 낮은 투과율을 가지는 차광패턴인 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크가 제공된다.
마스크, 보조 패턴, 차광패턴, 사이드 로브, 위상 반전

Description

사이드 로브 억제형 미세 보조 패턴이 형성된 반도체 마스크 및 그 미세 보조 패턴 형성방법{Semiconductor Mask having Dummy Patterns and Method for Making Dummy Patterns therein}
도 1은 본 발명에 따라 위상 반전 마스크에 복수개의 미세 보조 패턴이 형성되어 있는 형상을 보여주는 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 본 발명에 따른 미세 보조 패턴이 형성된 위상 반전 마스크의 노광에 따른 결과를 보여주는 도면으로서, 그림(가)은 도 1에서 점선으로 표시된 영역 W의 선 B-B에 따른 단면도이고, 그림(나), 그림(다) 및 그림(라)은 각각 그림(가)에 광선이 투과될 때 위상 반전 효과에 의하여 미세 보조 패턴과 주 패턴에 발생하게 되는 위상차, 진폭, 광 강도를 도시한 그래프도 이다.
도 3은 종래 기술에 따라 반도체 마스크에 복수개의 미세 보조 패턴이 형성되어 있는 형상을 보여주는 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 종래의 미세 보조 패턴이 형성된 반도체 마스크의 노광에 따른 결과를 보여주는 도면으로서, 그림(1)은 도 3에서 점선으로 표시된 영역 W의 선 A-A에 따른 단면도이고, 그림(2), 그림(3) 및 그림(4)은 각각 그림(1)에 광선이 투과될 때 위상 반전 효과에 의하여 미세 보조 패턴과 주 패턴에 발생하게 되 는 위상차, 진폭, 광 강도를 도시한 그래프도이다.
본 발명은 반도체 마스크의 일종인 위상 반전 마스크에 관한 것으로서, 구체적으로는, 반도체 포토 리소그라피(Photo Lithography) 기술에 의하여 한계 해상력 이하의 선폭을 갖는 미세 보조 패턴이 형성된 위상 반전 마스크(Phase Shifting Mask)에 있어서, 사이드 로브(Side Lobe)를 억제할 수 있도록 미세 보조 패턴이 형성된 위상 반전 마스크와, 상기 위상 반전 마스크에 미세 보조 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
마스크 패턴 형성 기술은 반도체 기판에 형성되는 패턴의 정확도에 밀접한 영향을 준다. 특히, 마스크 패턴을 형성함에 있어서, 광 근접효과를 제대로 고려하지 못하면 패턴 선폭에 왜곡이 발생하여 선폭 선형성(Linearity)이 짧아지는 현상이 발생한다. 이러한 선폭 선형성이 짧아짐은 결국 반도체 소자의 특성에 악영향을 가져오게 된다.
이러한 문제점을 개선하기 위하여 광학 근접 보상기술(Optical Proximity Correction), 위상 반전 마스크 기술이 등장하였다. 특히, 최근에는 광근접 효과를 제어하는 보조 패턴(Dummy Pattern)을 이용하는 기술이 제안되었다.
다음에서는 도 3 및 도 4를 참조하여 보조 패턴을 이용하여 마스크 패턴의 해상도를 개선하는 종래의 기술을 설명한다. 도 3은 종래 기술에 위상 반전 마스크의 주 패턴(10)이 형성되어 있고, 그 주변에 복수개의 미세 보조 패턴(11, 12)이 형성되어 있는 형상을 보여주는 평면도이다.
주 패턴(10)의 주변에 형성되는 미세 보조 패턴(11, 12)은 마스크 패턴의 해상도 개선을 위하여 배치되는 것으로서, 상기 미세 보조 패턴(11, 12)은 반도체 마스크 상에는 존재하지만, 실제로 노광 후에는 반도체 기판상에는 만들어지지 않는 것이다. 이를 위하여 상기 미세 보조 패턴(11, 12)은 한계 해상력 이하의 선폭을 갖도록 미세하게 형성된다.
여기서, 한계 해상력은 조명계의 파장(??)과 조명계 렌즈 구경(N.A.)에 의하여 결정되는데, 구체적으로 한계 해상력은 다음의 수학식 1로 표현되는 "레일라이 방정식(Rayleigh's Equation)"에 의하여 결정된다.
Figure 112003051057319-pat00001
위 수학식 1에서 k는 상수이고, ??는 조명계의 파장이며, N.A.는 조명계 렌즈 구경이다.
일반적인 값 k=0.5, ??= 0.248, N.A.=0.65를 위 수학식 1에 적용하게 되면 한계 해상력 R은 0.19 um이 된다. 따라서, 미세 보조 패턴은 상기 한계 해상력 R의 값보다 작은 선폭을 갖도록 형성되어야 한다. 이러한 조건을 만족하는 미세 보 조 패턴을 마스크에 형성하는 경우, 노광 과정에서 빛이 마스크의 미세 보조 패턴은 통과하되, 레지스트에는 미세 보조 패턴의 이미지가 나타나지 않게 된다. 즉, 물리적으로 마스크만을 투광하고 레지스트에는 이미지가 나타나지 않게 되는 패턴을 형성할 수 있는 것이다.
이러한 미세 보조 패턴을 적용하는 반도체 마스크는 감쇄형 위상 반전 마스크(Attenuated Phase Shift Mask)와 함께 적용하는 경우도 많다. 감쇄형 위상 반전 마스크는 완전 차광층 대신에 투과율이 극히 낮은 위상 반전층을 사용한다는 점에서 종래의 바이너리 마스크(Binary Mask)와 차이점이 있다. 최근에는 이러한 감쇄형 위상 반전 마스크가 널리 사용되고 있는데, 그에 따라 주 패턴뿐만 아니라 미세 보조 패턴도 감쇄형 위상 반전 패턴으로 사용하는 것이 일반적인 추세이다.
일반적으로 상기한 미세 보조 패턴은, 도 3에 도시된 것처럼 마스크의 해상도 개선을 위하여 필요에 따라 주 패턴 주변에 복수개로 배치될 수 있다. 주 패턴 간의 간격이 넓을 경우에는 복수 개의 미세 보조 패턴을 삽입하므로써 주 패턴의 해상도를 획기적으로 높일 수 있으나, 다른 한편으로는 복수 개의 미세 보조 패턴이 근접하여 배치됨으로 인하여 특정 거리에서는 광간섭 현상이 유발되는 문제점이 발생하게 된다.
이러한 광간섭 현상에 대하여 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4에 도시된 그림에서 맨 위의 그림(1)은 도 3에서 점선으로 표시된 영역 W의 선 A-A에 따른 단면도이다. 그림(2), 그림(3) 및 그림(4)은 각각 그림(1)에 광선이 투과될 때 위상 반전 효과에 의하여 미세 보조 패턴과 주 패턴에 발생하게 되는 위상차, 진폭, 광 강도를 도시한 것이다. 도 4의 그림(1) 및 그림(2)에 도시된 바와 같이, 주 패턴(10) 및 다수개의 미세 보조 패턴(11, 12)이 형성된 마스크(20)를 노광시키게 되면, 주 패턴(10)과 미세 보조 패턴(11) 사이, 그리고 미세 보조 패턴(11, 12) 사이로 투과된 빛은 정상광(Normal Light)이 되며, 미세 보조 패턴(11, 12)을 투과된 빛은 위상이 반전되는 위상 반전 광(Phase Shift Light)이 된다. 종래의 기술에서는 주 패턴(10)과 미세 보조 패턴(11, 12)이 모두 대략 4 내지 12%의 투과율을 갖는다.
패턴 사이를 투과한 정상광과, 미세 보조 패턴(11, 12)을 통과한 위상 반전 광은, 위상 반전 효과에 의하여 도 4의 그림(3)에 도시된 것처럼, 그 진폭에 있어서도 위상차를 갖게 되는데, 도 4의 그림(3)에서 양(+)의 진폭 부분은 정상광에 대한 것이고, 음(-)의 진폭 부분은 위상 반전 광에 대한 것이며, 점선으로 도시된 것은 이상적인 상태의 진폭을, 그리고 실선으로 도시된 것은 실제의 진폭을 나타낸다.
도 4의 그림(3)에 도시된 바와 같이, 미세 보조 패턴(11, 12)이 형성된 부분을 통과한 위상 반전 광의 경우에는 음(-)의 진폭을 갖게 되는데, 미세 보조 패턴(11, 12)을 모두 동일한 투과율을 갖도록 형성하는 경우, 양측의 미세 보조 패턴(11)의 경우 보다, 그 사이에 위치하고 있는 중앙의 미세 보조 패턴(12)에서의 음(-)의 진폭이 상대적으로 더 커지게 되는 현상이 발생한다. 즉, 미세 보조 패턴(11) 사이에 위치하는 내측 미세 보조 패턴(12)을 투과한 위상 반전 광에서는 도 4의 그림(3)에서 부호 G로 표시된 것과 진폭의 증가가 존재하게 되는 것이다.
도 4의 그림(4)은 광 강도를 그래프로 표시한 것으로서, 점선으로 도시된 것은 이상적인 광 강도이며, 실선으로 도시된 것은 실제의 광 강도를 합성하여 나타낸 것이다. 그림(4)에서 알 수 있듯이, 양측의 미세 보조 패턴(11) 사이에 위치하게 되는 내부의 미세 보조 패턴(12)에서는 G'의 차이를 가지고 광 강도가 더 크게 나타나게 되는 것이다.
즉, 위에서 알 수 있는 바와 같이, 복수개의 미세 보조 패턴(11, 12)을 모두 동일한 투과율을 갖도록 형성하는 경우, 미세 보조 패턴(11) 사이에 위치하게 되는 미세 보조 패턴(12)에서는, 위상 반전 광의 진폭이 상대적으로 커지고, 광 강도가 더 크게 나타나는 등의 바람직하지 아니한 사이드 로브 현상이 강하게 발생하게 되는 것이다.
이러한 사이드 로브 현상에 의하여 내부의 미세 보조 패턴(12)에서의 광 강도가 비정상적으로 더 크게 나타나서 미세 보조 패턴으로서의 한계 해상력을 초과할 경우가 발생하게 되고, 이는 결국 마스크 및 그에 따른 반도체 소자의 불량을 야기하는 원인이 된다.
또한, 위와 같은 현상은 결국 패턴 선폭의 왜곡을 가져오고, 그에 따라 선폭의 선형성이 짧아지며, 반도체의 소자 특성에 악영향을 주게 된다. 따라서, 이러한 미세 보조 패턴에 있어서 사이드 로브 현상을 억제하는 것이 매우 중요한 과제로 대두되고 있다.
본 발명은 위와 같은 종래 기술의 문제점과 과제를 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 위상 반전 마스크에 한계 해상력 이하의 선폭을 갖는 미세 보조 패턴을 형성함에 있어서, 미세 보조 패턴 사이에 형성되는 내부의 미세 보조 패턴에서 발생하는 사이드 로브를 선택적으로 억제할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
특히, 본 발명에서는 이러한 사이드 로브를 억제하므로써, 복수개의 미세 보조 패턴을 밀집되게 배치할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에서는 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 주 패턴이 형성되어 있고, 상기 주 패턴 사이에 복수개의 미세 보조 패턴이 인접하게 형성되어 있는 위상 반전 마스크로서, 상기 주 패턴에 근접한 미세 보조 패턴은 주 패턴과 동일한 투과율을 가지며; 상기 주 패턴과 동일한 투과율을 갖는 미세 보조 패턴 사이에 형성되는 내부의 미세 보조 패턴은, 상기 주 패턴의 투과율 보다 더 낮은 투과율을 가지는 차광패턴인 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크가 제공된다.
또한, 본 발명에서는 구체적인 실시예로서, 상기한 위상 반전 마스크에서, 상기 주 패턴과, 그에 최근접한 미세 보조 패턴은 4 내지 12%의 투과율을 가지며; 상기 주 패턴의 투과율 보다 더 낮은 투과율을 가지는 차광패턴으로 형성되는 내부의 미세 보조 패턴은 0 내지 2%의 투과율을 가지는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크가 제공된다.
본 발명에서는 상기한 발명 이외에도, 위상 반전 마스크에 복수개의 미세 보 조 패턴을 형성하는 방법으로서, 주 패턴과 주 패턴 사이에 복수개의 미세 보조 패턴을 인접하게 형성하는데, 상기 주 패턴에 근접한 미세 보조 패턴은 주 패턴과 동일한 투과율을 갖도록 형성하며; 상기 주 패턴과 동일한 투과율을 갖는 미세 보조 패턴 사이에 형성되는 내부의 미세 보조 패턴은, 상기 주 패턴의 투과율 보다 더 낮은 투과율을 가지는 차광패턴으로 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 보조 패턴 형성방법이 제공된다.
또한, 본 발명에서는 상기한 미세 보조 패턴 형성방법의 구체적인 일 실시예로서, 상기 주 패턴과, 그에 근접한 미세 보조 패턴은 4 내지 12%의 투과율을 가지며, 상기 주 패턴의 투과율 보다 더 낮은 투과율을 가지는 차광패턴으로 형성되는 내부의 미세 보조 패턴은 0 내지 2%의 투과율을 가지는 것을 특징으로 하는 미세 보조 패턴 형성방법이 제공된다.
다음에서는 첨부도면을 참고하여 본 발명의 구체적인 실시예들을 살펴봄으로써 본 발명의 구성에 대하여 설명한다.
도 1에는 위상 반전 마스크의 주 패턴(4) 주변에 본 발명의 방법에 따라 복수개의 미세 보조 패턴(2, 3)이 형성되어 있는 형상을 보여주는 평면도가 도시되어 있다. 앞서 살펴본 바와 같이, 복수개의 미세 보조 패턴이 형성될 때, 미세 보조 패턴 사이에 배치되는 미세 보조 패턴에서 사이드 로브가 발생하는 것을 방지하기 위하여, 본 발명에서는 복수개의 미세 보조 패턴에 대하여 선택적으로 그 투과율을 상대적으로 저하시키는 구성을 채택하였다.
구체적으로, 복수개의 미세 보조 패턴(2, 3)을 위상 반전 마스크에 형성함에 있어서, 주 패턴(1)에 근접한 미세 보조 패턴들(2)의 사이에 배치되는 내측의 미세 보조 패턴(3)을, 다른 주변의 미세 보조 패턴들(2)의 투과율 보다 더 작은 투과율을 갖는 소위 "차광패턴"으로 형성하는 것이다. 예를 들어 주변의 미세 보조 패턴들(2)이 주 패턴(4)과 동일하게 6%의 투과율을 갖도록 형성되는 경우, 상기 미세 보조 패턴들(2) 사이에 배치되는 내측 미세 보조 패턴(3)의 경우에는 이보다 낮은 0 내지 2% 범위의 투과율을 갖도록 하는 것이다. 통상적으로 주 패턴(4)은 4 내지 12%의 투과율을 가지며, 미세 보조 패턴(2, 3)은 약 50 내지 100 nm의 선폭을 갖는다.
도 2에는 위와 같은 본 발명에 따른 방법에 의하여 미세 보조 패턴이 형성된 위상 반전 마스크에 있어서의 노광에 따른 효과를 설명하기 위한 개략도가 도시되어 있는데, 도 2의 맨 위의 그림(가)은 도 1에서 점선으로 표시된 영역 W의 선 B-B에 따른 단면도이다. 그림(나), 그림(다) 및 그림(라)은 각각 그림(가)에 광선이 투과될 때 위상 반전 효과에 의하여 미세 보조 패턴과 주 패턴에 발생하게 되는 위상차, 진폭, 광 강도를 도시한 것이다.
도 2의 그림(가) 및 그림(나)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 방법에 의하여 주 패턴(4) 및 다수개의 미세 보조 패턴(2, 3)이 형성된 위상 반전 마스크(1)를 노광시키게 되면, 주 패턴(4)과 근접 미세 보조 패턴(2) 사이, 그리고 미세 보조 패턴(2, 3) 사이로 투과되는 빛은 정상광(Normal Light)이 되며, 미세 보조 패턴(2, 3)을 투과하는 빛은 위상 반전 광(Phase Shift Light)이 된다.
이 때, 동일한 투과율을 가지는 주 패턴(4)과 근접 미세 보조 패턴(2)을 통 과한 위상 반전 광과 정상광은, 위상 반전 효과에 의하여 도 2의 그림(나)에 도시된 것처럼, 위상차를 갖게 된다. 이에 비하여, 상대적으로 낮은 투과율을 가지는 "차광패턴"으로 형성된 내부의 미세 보조 패턴(3)의 경우에는, 도 2의 그림(나)에서 도시된 바와 같이, 종래와는 달리 그 낮은 투과율로 인하여 미세 보조 패턴(3)이 형성된 부분을 통과한 위상 반전 광의 위상은 무시할만한 상태가 된다(이러한 이유에서 도 2에서 내부의 미세 보조 패턴에 해당하는 부분에 음영을 표시하였다).
한편, 도 2의 그림(다)은 진폭을 표시한 것인데, 그림(다)에서 양(+)의 진폭 부분은 정상광에 대한 것이고, 음(-)의 진폭 부분은 위상 반전 광에 대한 것이며, 점선으로 도시된 것은 이상적인 상태의 진폭을, 그리고 실선으로 도시된 것은 실제의 진폭을 나타낸다. 도 2의 그림(다)에 도시된 바와 같이, 미세 보조 패턴(2, 3)이 형성된 부분을 통과한 위상 반전 광의 경우에는 음(-)의 진폭을 갖게 된다. 도면에서 알 수 있듯이, 미세 보조 패턴을 모두 동일한 투과율을 갖도록 형성하는 종래의 경우와는 달리, 본 발명에서는 내부의 미세 보조 패턴(3)에서의 음(-)의 진폭이, 양측의 근접 미세 보조 패턴(2) 보다 오히려 상대적으로 더 작아지게 된다. 즉, 도 2의 그림(다)에서 부호 H로 표시된 것과 같은 차이로서, 내부의 미세 보조 패턴(3)에서의 음(-)의 진폭이 감소하게 되는 것이다.
도 2의 그림(라)은 광 강도를 그래프로 표시한 것으로서, 점선으로 도시된 것은 이상적인 광 강도이며, 실선으로 도시된 것은 실제의 광 강도를 중첩된 형태로 나타낸 것이다. 그림(라)에서 알 수 있듯이, 본 발명에서는 내부의 미세 보조 패턴(3)을 "차광패턴"으로 형성하였기 때문에 양측의 미세 보조 패턴(2)의 경우보 다 그 사이에 위치하게 되는 내부의 미세 보조 패턴(3)에서의 광 강도가 J로 표시된 정도로 더 작게 나타나게 된다. 이는 미세 보조 패턴(2, 3) 사이의 보강 간섭에 의한 사이드 로브가 크게 줄어들게 되었다는 것을 의미하며, 미세 보조 패턴으로서 한계 해상력을 초과할 가능성이 그만큼 낮아지게 되었다는 것을 의미한다.
위에서 알 수 있는 바와 같이, 복수개의 미세 보조 패턴을 모두 동일한 투과율을 갖도록 형성하였던 종래의 경우와는 달리, 본 발명에 따라 미세 보조 패턴(2) 사이에 위치하게 되는 내부의 미세 보조 패턴(3)을 투과율이 상대적으로 낮은 "차광패턴"으로 형성하는 경우, 미세 보조 패턴(3)에서의 위상 반전 광의 진폭이 상대적으로 작아지고, 광 강도 차이 역시 줄어들게 되는 바, 미세 보조 패턴(2, 3) 사이에 발생하게 되는 사이드 로브 현상의 억제됨을 확인할 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 위상 반전 마스크의 주 패턴 사이에 복수개의 미세 보조 패턴을 형성함에 있어서, 미세 보조 패턴들 사이에 위치하는 미세 보조 패턴을 선택적으로 상대적인 투과율이 낮은 "차광패턴"으로 형성하게 되는데, 이러한 방법에 의하면 미세 보조 패턴 간에 발생하는 사이드 로브의 발생을 억제할 수 있게 된다.
이러한 사이드 로브의 발생을 억제할 수 있게 됨에 따라, 반도체 제조시 리소그라피 공정에 있어서의 불안전으로 인하여 미세 보조 패턴이 불완전하게 형성되는 것을 방지할 수 있게 되는 효과가 발휘된다.
특히, 위와 같이 미세 보조 패턴 간에 발생하는 사이드 로브의 발생을 억제할 수 있게 되므로, 복수개의 미세 보조 패턴을 밀집되게 배치할 수 있으며, 그에 따라 위상 반전 마스크의 해상도를 더욱 향상시킬 수 있고 CMP의 평탄화에도 유리하게 될 뿐만 아니라, 마스크의 제조 공정에 있어서의 효율을 높일 수 있고 결과적으로 수율을 향상시킬 수 있게 되는 효과가 발휘된다.

Claims (4)

  1. 주 패턴(4)이 형성되어 있고, 상기 주 패턴(4) 사이에 복수개의 미세 보조 패턴(2, 3)이 인접하게 형성되어 있는 위상 반전 마스크(1)로서,
    상기 주 패턴(4)에 근접한 미세 보조 패턴(2)은 주 패턴(4)과 동일한 투과율을 가지며;
    상기 주 패턴(4)과 동일한 투과율을 갖는 미세 보조 패턴(2) 사이에 형성되는 내부의 미세 보조 패턴(3)은, 상기 주 패턴(4)의 투과율 보다 더 낮은 투과율을 가지는 차광패턴인 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 주 패턴(4)과, 그에 근접한 미세 보조 패턴(2)은 4 내지 12%의 투과율을 가지며,
    상기 주 패턴(4)의 투과율 보다 더 낮은 투과율을 가지는 차광패턴으로 형성되는 내부의 미세 보조 패턴(3)은 0 내지 2%의 투과율을 가지는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
  3. 위상 반전 마스크(1)에 복수개의 미세 보조 패턴(2, 3)을 형성하는 방법으로 서,
    주 패턴(4)과 주 패턴(4) 사이에 복수개의 미세 보조 패턴(2, 3)을 인접하게 형성하는데,
    상기 주 패턴(4)에 근접한 미세 보조 패턴(2)은 주 패턴(4)과 동일한 투과율을 갖도록 형성하며;
    상기 주 패턴(4)과 동일한 투과율을 갖는 미세 보조 패턴(2) 사이에 형성되는 내부의 미세 보조 패턴(3)은, 상기 주 패턴(4)의 투과율 보다 더 낮은 투과율을 가지는 차광패턴으로 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 보조 패턴 형성방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 주 패턴(4)과, 그에 근접한 미세 보조 패턴(2)은 4 내지 12%의 투과율을 가지며,
    상기 주 패턴(2)의 투과율 보다 더 낮은 투과율을 가지는 차광패턴으로 형성되는 내부의 미세 보조 패턴(3)은 0 내지 2%의 투과율을 가지는 것을 특징으로 하는 미세 보조 패턴 형성방법.
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