KR100552805B1 - 반도체 소자 제조용 레티클 및 이를 이용한 노광 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 노광 전 단계에서 오버레이 파라미터를 계측한 후 이 파라미터를 이용하여 전공정과 현공정간의 오버레이를 개선함으로써, 오버레이 문제로 인한 웨이퍼의 재작업률을 감소시킨 반도체 소자 제조용 레티클 및 이를 이용한 노광 방법에 관한 것으로, 투명 기판과; 상기 투명 기판에 형성되는 적어도 한 개 이상의 다이 및 상기 다이 외측의 스크라이브 라인을 포함하는 패턴 영역과; 제1 및 제2 마크로 이루어지며, 노광 단계 이전에 전공정과의 오버레이를 측정하기 위한 오버레이 마크;를 포함하는 반도체 소자 제조용 레티클을 이용하여 노광을 실시하며, 노광 방법은, (A) 웨이퍼상의 정렬 마크를 이용하여 웨이퍼의 위치를 계측하고, 이 계측 결과를 이용하여 레티클과 웨이퍼를 1차 정렬하는 단계와; (B) 레티클의 제1 마크를 웨이퍼상에 노광하는 단계와; (C) 레티클의 제2 마크가 웨이퍼상에 노광된 제1 마크와 위치 정렬되도록 레티클과 웨이퍼를 2차 정렬하는 단계와; (D) 웨이퍼의 제1 마크와 레티클의 제2 마크를 이용하여 전 공정과 현 공정간의 오버레이 파라미터를 계측하는 단계와; (E) 오버레이 파라미터를 이용하여 웨이퍼와 레티클을 3차 정렬하는 단계와; (F) 패턴 영역을 웨이퍼에 노광하는 단계;를 포함한다.

노광, 샷, 중첩, 정렬, 오버레이, 마크, 다이, 스크라이브 라인

Description

반도체 소자 제조용 레티클 및 이를 이용한 노광 방법{RETICLE FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND EXPOSURE METHOD USING THE SAME}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 레티클의 평면도이고,

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 노광 방법의 공정도이며,

도 3은 도 2의 방법에 따라 노광된 상태를 나타내는 웨이퍼의 평면도이고,

도 4는 도 2의 단계 (D)에서 오버레이 마크가 정렬된 상태를 나타내는 개념도이며,

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 노광 방법의 공정도이다.

본 발명은 반도체 소자 제조용 레티클 및 이를 이용한 노광 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 노광 전 단계에서 오버레이 파라미터를 계측한 후 이 파라미터를 이용하여 전 공정과 현 공정간의 오버레이를 개선함으로써, 오버레이 문제로 인한 웨이퍼의 재작업률을 감소시킨 반도체 소자 제조용 레티클 및 이를 이용한 노광 방법에 관한 것이다.

잘 알려진 바와 같이, 반도체 제조 공정 중 사진 공정은 감광막을 이용하여 웨이퍼상에 실제로 필요한 회로 패턴을 형성하는 공정으로서, 상기한 사진 공정은 설계하고자 하는 회로 패턴이 형성된 포토 마스크 또는 레티클에 빛을 조사하여 웨이퍼상에 도포된 감광막을 감광시키는 노광 공정을 포함한다.

고집적도의 반도체 소자를 제작하기 위해, 상기의 노광 공정에서는 레티클과 웨이퍼를 고정밀도로 위치 정렬하는 것이 요구된다.

이에, 종래의 노광 공정에 대해 살펴보면 다음과 같다.

웨이퍼 스테이지에 웨이퍼가 안착되면, VRA(Visual Reticle Alignment) 방식 등에 의해 레티클상의 정렬 마크의 위치가 계측되고, 이어서, LSA(Laser Step Alignment) 방식, FIA(Field Image Alignment) 방식, 또는 LIA(Laser Interferometric Alignment) 방식 등에 의해 웨이퍼상에 제공된 복수개, 예를 들어 8개의 정렬 마크의 위치가 계측되며, 이들 결과를 기초로 샷(shot) 위치에 레티클의 패턴 이미지가 겹쳐지도록 웨이퍼가 웨이퍼 스테이지에 의해 이동되고, 이후 레티클의 패턴 이미지가 웨이퍼에 투영 노광된다.

상기한 노광 공정이 끝나면, 노광 공정에 의해 감광된 웨이퍼상의 감광막의 일부 패턴을 제거하는 현상 공정이 진행되며, 상기한 현상 공정이 완료된 후에는 자기 중첩 진단 노광장치를 이용하여 오버레이(overlay)를 측정한 후, 그 결과를 노광 장비가 계산한 결과에 보정하여 후속 웨이퍼부터 보정 결과에 따라 레티클과 웨이퍼를 재정렬한 후 노광을 실시한다.

이와 같이, 노광 장비에 의한 노광 공정에서는 노광 장비가 계산한 결과와 실제 노광 후의 결과가 일치하지 않게 되는데, 이러한 불일치는 레티클의 위치와 웨이퍼의 위치를 직접적으로 계산하지 못하기 때문에 발생하기도 하지만, 웨이퍼를 올려놓는 웨이퍼 스테이지의 정밀도, 마크 감지의 정밀도에 따라 발생하기도 한다.

따라서, 상기와 같이 노광 장비가 계산한 결과와 실제 노광 후의 결과가 일치하지 않는 경우에는 노광된 웨이퍼의 재작업(rework)으로 인한 추가 비용이 발생되고, 재작업 단계에서 웨이퍼가 오염될 우려가 있으며, 이로 인해 수율 감소가 초래되는 문제점이 있다.

이에 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 노광 전 단계에서 전 공정과 현 공정간의 오버레이 파라미터를 측정할 수 있는 오버레이 마크를 갖는 레티클을 제공함을 목적으로 한다.

본 발명의 다른 목적은 노광 전 단계에서 상기한 레티클을 이용하여 전 공정과 현 공정간의 오버레이 파라미터를 측정하여 노광 조건에 피드백한 후 노광 공정을 실시함으로써, 오버레이 문제로 인한 재작업률을 감소시킬 수 있는 반도체 소자의 노광 방법을 제공하는 것이다.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

투명 기판과;

상기 투명 기판에 형성되는 적어도 한 개 이상의 다이 및 상기 다이 외측의 스크라이브 라인을 포함하는 패턴 영역과;

상기 투명 기판상의 특정 영역에 적어도 한 개 이상 형성되며, 노광 단계 이 전에 웨이퍼와의 오버레이 파라미터를 측정하기 위한 오버레이 마크;

를 포함하는 레티클을 제공한다.

본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 패턴 영역은 4개의 다이를 포함하고, 상기 오버레이 마크는 패턴 영역의 중심 위치에서 스크라이브 라인상에 형성되는 제1 마크와, 패턴 영역 외측의 비노광 영역에 제공되는 제2 마크를 포함한다.

이때, 상기 제1 및 제2 마크는 박스 인 박스형, 프레임 인 박스형, 프레임 인 프레임형, 바 인 바형 중에서 선택된 어느 한 형태로 이루어질 수 있으며, 상기 제1 마크의 인접 위치에는 통상의 정렬 마크가 형성될 수 있다.

그리고, 상기한 구성의 레티클을 사용하여 반도체 웨이퍼를 노광하는 방법의 일 실시예는,

(A) 웨이퍼 스테이지에 안착된 웨이퍼상의 정렬 마크를 이용하여 웨이퍼의 위치를 계측하고, 이 계측 결과를 이용하여 레티클과 웨이퍼를 1차 정렬하는 단계와;

(B) 상기 레티클의 제1 마크를 웨이퍼상에 노광하는 단계와;

(C) 상기 레티클의 제2 마크가 웨이퍼상에 노광된 제1 마크와 위치 정렬되도록 레티클과 웨이퍼를 2차 정렬하는 단계와;

(D) 상기 웨이퍼상에 노광된 제1 마크와 레티클의 제2 마크를 이용하여 전 공정과 현 공정간의 오버레이 파라미터를 계측하는 단계와;

(E) 상기 오버레이 파라미터를 이용하여 웨이퍼와 레티클을 3차 정렬하는 단계와;

(F) 상기 패턴 영역을 노광하는 단계;

를 포함한다.

상기한 노광 방법에 있어서, 상기 (B) 단계에서는 상기 (F) 단계에서의 노광량에 비해 1.5∼3배의 노광량으로 제2 마크를 노광하는 것이 바람직하며, 상기 (F) 단계 이후로 노광을 실시하는 후속 웨이퍼는 상기 (A) 단계와 (F) 단계 만으로 노광을 실시할 수 있다.

그리고, 본 발명의 다른 실시예에 따른 노광 방법은,

(G) 웨이퍼 스테이지에 안착된 웨이퍼상의 정렬 마크를 이용하여 웨이퍼의 위치를 계측하고, 이 계측 결과를 이용하여 레티클과 웨이퍼를 1차 정렬하는 단계와;

(H) 상기 레티클의 제2 마크가 웨이퍼상의 정렬 마크와 위치 정렬되도록 상기 레티클과 웨이퍼를 2차 정렬하는 단계와;

(I) 상기 레티클의 제2 마크를 웨이퍼상에 노광하는 단계와;

(J) 상기 웨이퍼상에 노광된 제2 마크와 레티클의 제1 마크가 위치 정렬되도록 레티클과 웨이퍼를 3차 정렬하는 단계와;

(K) 상기 웨이퍼상에 노광된 제2 마크와 레티클의 제1 마크를 이용하여 전 공정과 현 공정간의 오버레이 파라미터를 계측하는 단계와;

(L) 상기 오버레이 파라미터를 이용하여 웨이퍼와 레티클을 4차 정렬하는 단계와;

(M) 상기 패턴 영역을 노광하는 단계;

를 포함하여 이루어질 수도 있다.

이 경우, 상기 (I) 단계에서는 상기 (M) 단계에서의 노광량에 비해 1.5∼3배의 노광량으로 제2 마크를 노광하는 것이 바람직하며, 상기 (M) 단계 이후로 노광을 실시하는 후속 웨이퍼는 상기 (G) 단계와 (M) 단계 만으로 노광을 실시할 수 있다.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 레티클의 개략적인 구성을 나타내는 평면도이다.

본 발명의 실시예에 따른 레티클(10)은 투명 기판(12)을 포함한다. 상기 투명 기판(12)에는 패턴 영역(14)과, 이 영역 외측의 비노광 영역(16)이 제공되며, 상기 패턴 영역(14)은 4개의 다이(14a)들과, 다이(14a)들 외측의 스크라이브 라인(14b)을 포함한다.

이러한 구성의 레티클(10)에는 웨이퍼와의 중첩도 측정을 위한 오버레이 마크(OM: Overlay Mark)가 형성되는데, 본 실시예에 있어서, 상기 오버레이 마크(OM)는 상기 패턴 영역(14)의 중심 위치의 스크라이브 라인(14b)에 제공되는 제1 마크(OM1)와, 패턴 영역(14) 외측의 비노광 영역(16)에 제공되는 제2 마크(OM2)로 이루어진다.

이때, 상기 제1 및 제2 마크(OM1,OM2)는 박스 인 박스 형태로 이루어질 수 있는데, 바람직하게는 제1 마크(OM1)가 아우터 박스로 이루어지고, 제2 마크(OM2) 가 이너 박스로 이루어진다.

물론, 도시하지는 않았지만, 상기 제1 및 제2 마크(OM1,OM2)는 프레임 인 박스형, 프레임 인 프레임형, 바 인 바형 중에서 선택된 어느 한 형태로 이루어질 수도 있는바, 상기한 형상의 제1 및 제2 마크는 일본 특개평9-251945호 및 특개평10-160413호 등에 잘 개시되어 있다.

그리고, 상기 제1 마크(OL1)의 인접 위치에는 통상의 정렬 마크(AM: Alignment Mark)가 형성된다.

상기 도 1에서, 점선으로 표시한 영역은 노광 영역을 나타낸다.

이하, 상기의 레티클(10)을 이용하여 웨이퍼를 노광하는 방법의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.

먼저, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일실시예를 설명한다.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 노광 방법의 공정도이고, 도 3은 도 2의 방법에 따라 웨이퍼가 노광된 상태를 나타내는 평면도이며, 도 4는 도 2의 (D) 단계에서 웨이퍼상의 제1 마크와 레티클상의 제2 마크가 오버레이된 상태를 나타내는 도면이다.

웨이퍼 스테이지(미도시함)에 웨이퍼(W)가 안착되면, 광 또는 전자빔을 웨이퍼(W)상에 형성된 정렬 마크(AM')들에 조사하고, 정렬 마크(AM')들로부터의 회절광 또는 반사광을 사용하여 정렬 마크(AM')들의 위치를 검출하며, 상기 검출된 위치에 기초하여 웨이퍼 스테이지를 이동하여 레티클(10)과 웨이퍼(W)를 1차 정렬한다(단계 A).

이어서, 노광장치의 광원에서 발생된 빛을 레티클(10)에 입사시켜 웨이퍼(W)상에 레티클(10)의 제1 마크(OM1)를 노광한다(단계 B). 이때, 상기 제1 마크(OM1)는 패턴 영역(12)을 노광할 때 사용하는 통상의 노광량에 비해 1.5∼3배 정도의 노광량으로 노광한다. 이와 같이 하면, 웨이퍼(W)상의 감광막(미도시함)에 있어서, 현상 공정을 실시하지 않더라도 빛을 받은 제1 마크 부분과 나머지의 빛을 받지 않은 부분의 구별이 가능하게 된다.

상기와 같이 웨이퍼(W)상에 제1 마크(OM1')를 노광한 후에는 레티클(10)의 제2 마크(OM2)가 웨이퍼(W)상에 노광된 제1 마크(OM1')와 위치 정렬되도록 레티클(10)과 웨이퍼(W)를 2차 정렬한다(단계 C). 2차 정렬 작업을 완료하면 도 3에 도시한 바와 같이 레티클(10)상의 제2 마크(OM2)는 웨이퍼(W)상의 제1 마크(OM1') 내측에 위치하게 되는바, 이후에는 제1 및 제2 마크(OM1',OM2)를 이용하여 웨이퍼(W)와 레티클(10)의 오버레이 파라미터를 계측한다(단계 D).

상기 박스 인 박스 형태의 오버레이 마크를 이용하여 오버레이 파라미터를 계측하는 방법은 잘 알려져 있으므로, 여기에서는 상세한 설명을 생략한다.

물론, 상기 단계 D에서의 오버레이 파라미터의 계측은 웨이퍼(W)상의 제1 마크(OM1')를 현상하지 않은 상태에서 이루어진다.

계속하여, 상기 단계 D에서 얻어진 오버레이 파라미터를 이용하여 보정계수를 산출하고, 이 보정계수를 노광장치에 피드백시켜 웨이퍼(W)와 레티클(10)을 3차 정렬한다(단계 E).

이와 같이 3차 정렬 작업까지 실시하면 웨이퍼(W)와 레티클(10)이 고정밀도 로 위치 정렬되는바, 이후로는 패턴 영역(12) 전체를 노광하여 웨이퍼(W)상에 각 샷별로 노광을 실시한다(단계 F).

이러한 구성의 본 실시예에 의하면, 웨이퍼를 노광하기 이전에 웨이퍼와 레티클의 오버레이 파라미터를 측정함으로써, 노광 작업 이전에 웨이퍼 및 레티클을 고정밀도로 위치 정렬할 수 있게 된다.

따라서, 노광 후의 재작업률 발생을 억제할 수 있다.

그리고, 위에서 설명한 단계 A로부터 단계 F까지는 첫 번째 웨이퍼에서만 실시하고, 후속 웨이퍼의 노광 작업시에는 도 2의 점선 박스 내에 있는 단계 B로부터 단계 E까지는 생략할 수 있다. 즉, 후속 웨이퍼는 첫 번째 단계(단계 A)를 실시한 후 단계 F로 진행하여 곧바로 노광을 실시할 수 있으며, 이 경우에는 생산성 향상이 가능하다. 물론, 후속 웨이퍼의 경우에도 첫 번째 웨이퍼와 동일한 공정에 따라 노광 공정을 실시할 수 있다.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 노광 방법의 공정도를 도시한 것으로, 본 실시예의 노광 방법은 웨이퍼상의 감광막에 제2 마크를 노광하는 것을 특징으로 한다.

즉, 도 2의 방법에서와 마찬가지로 웨이퍼 스테이지에 안착된 웨이퍼(W)상의 정렬 마크(AM')들을 이용하여 웨이퍼(W)의 위치를 계측하고, 이 계측 결과를 이용하여 레티클(10)과 웨이퍼(W)를 1차 정렬하며(단계 G), 상기 레티클(10)의 제2 마크(OM2)가 웨이퍼(W)상의 정렬 마크(AM')와 위치 정렬되도록 상기 레티클(10)과 웨이퍼(W)를 2차 정렬한 후(단계 H), 상기 레티클(10)의 제2 마크(OM2)를 웨이퍼(W) 상에 노광한다(단계 I).

이때, 상기 제2 마크(OM2)는 패턴 영역(12)을 노광할 때 사용하는 통상의 노광량에 비해 1.5∼3배 정도의 노광량으로 노광한다. 이와 같이 하면, 웨이퍼(W)상의 감광막에 있어서, 현상 공정을 실시하지 않더라도 빛을 받은 부분과 받지 않은 부분의 구별이 가능하게 된다.

이어서, 웨이퍼(W)상에 노광된 제2 마크(도 4의 OM2')와 레티클(10)의 제1 마크(도 4의 OM1)가 위치 정렬되도록 레티클(10)과 웨이퍼(W)를 3차 정렬하고(단계 J), 웨이퍼(W)상에 노광된 제2 마크(OM2')와 레티클(10)의 제1 마크(OM1)를 이용하여 레티클(10)과 웨이퍼(W)의 오버레이 파라미터를 계측하며(단계 K), 상기한 오버레이 파라미터를 이용하여 웨이퍼(W)와 레티클(10)을 4차 정렬한다(단계 L).

이와 같이 4차 정렬 작업까지 실시하면 웨이퍼(W)와 레티클(10)이 고정밀도로 위치 정렬되는바, 이후로는 패턴 영역(12) 전체를 노광하여 웨이퍼(W)상에 각 샷별로 노광을 실시한다(단계 M).

이러한 구성의 본 실시예에 의하면, 웨이퍼를 노광하기 이전에 웨이퍼와 레티클의 오버레이 파라미터를 측정함으로써, 노광 작업 이전에 웨이퍼 및 레티클을 고정밀도로 위치 정렬할 수 있게 된다.

따라서, 노광 후의 재작업률 발생을 억제할 수 있다.

그리고, 위에서 설명한 단계 G로부터 단계 M까지는 첫 번째 웨이퍼에서만 실시하고, 후속 웨이퍼의 노광 작업시에는 도 5의 점선 박스 내에 있는 단계 H로부터 단계 L까지는 생략할 수 있다. 즉, 후속 웨이퍼는 첫 번째 단계(단계 G)를 실시한 후 단계 M으로 진행하여 곧바로 노광을 실시할 수 있으며, 이 경우에는 생산성 향상이 가능하다. 물론, 후속 웨이퍼의 경우에도 첫 번째 웨이퍼와 동일한 공정에 따라 노광 공정을 실시할 수 있다.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명은 패턴 영역의 실질적인 노광 단계 이전에 전 공정과 현 공정간의 오버레이 파라미터를 측정한 후, 상기 파라미터를 노광장치에 피드백하여 웨이퍼와 레티클을 고정밀도로 정렬함으로써, 웨이퍼와 레티클에 제공된 정렬 마크를 이용한 1차 정렬 후 노광 및 현상을 진행하고, 이후 웨이퍼와 레티클의 중첩도를 계측하던 종래의 경우에 비해 중첩도 저하로 인한 재작업률을 최소화할 수 있는 효과가 있으며, 이로 인해 생산성 향상이 가능하다.

Claims (10)

1. 투명 기판과;

   상기 투명 기판에 형성되는 적어도 한 개 이상의 다이 및 상기 다이 외측의 스크라이브 라인을 포함하는 패턴 영역과;

   상기 투명 기판상의 특정 영역에 적어도 한 개 이상 형성되며, 노광 단계 이전에 웨이퍼와의 오버레이를 측정하기 위한 오버레이 마크를 포함하며,

   상기 오버레이 마크는 패턴 영역의 중심 위치에서 스크라이브 라인상에 형성되는 제1 마크와, 패턴 영역 외측의 비노광 영역에 제공되는 제2 마크를 포함하는 반도체 소자 제조용 레티클.
2. 삭제
3. 제 2항에 있어서, 상기 패턴 영역은 4개의 다이를 포함하는 반도체 소자 제조용 레티클.
4. 제 2항에 있어서, 상기 제1 마크의 인접 위치에는 정렬 마크가 제공되는 반도체 소자 제조용 레티클.
5. 제 2항 내지 제 4항중 어느 한 항에 기재된 레티클을 사용하여 반도체 웨이 퍼를 노광하는 방법으로서,

   (A) 웨이퍼 스테이지에 안착된 웨이퍼상의 정렬 마크를 이용하여 웨이퍼의 위치를 계측하고, 이 계측 결과를 이용하여 레티클과 웨이퍼를 1차 정렬하는 단계와;

   (B) 상기 레티클의 제1 마크를 웨이퍼상에 노광하는 단계와;

   (C) 상기 레티클의 제2 마크가 웨이퍼상에 노광된 상기 제1 마크와 위치 정렬되도록 레티클과 웨이퍼를 2차 정렬하는 단계와;

   (D) 상기 정렬된 웨이퍼의 제1 마크와 레티클의 제2 마크를 이용하여 전 공정과 현 공정간의 오버레이 파라미터를 계측하는 단계와;

   (E) 상기 오버레이 파라미터를 이용하여 웨이퍼와 레티클을 3차 정렬하는 단계와;

   (F) 상기 패턴 영역을 노광하는 단계;

   를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기중첩 진단 노광 방법.
6. 제 5항에 있어서, 상기 (B) 단계의 노광시 노광량은 상기 (F) 단계에서의 노광량에 비해 1.5∼3배인 것을 특징으로 하는 자기중첩 진단 노광 방법.
7. 제 6항에 있어서, 상기 (F) 단계 이후로 노광을 실시하는 후속 웨이퍼는 상기 (A) 단계와 (F) 단계 만으로 노광을 실시하는 노광 방법.
8. 제 2항 내지 제 4항중 어느 한 항에 기재된 레티클을 사용하여 반도체 웨이퍼를 노광하는 방법으로서,

   (G) 웨이퍼 스테이지에 안착된 웨이퍼상의 정렬 마크를 이용하여 웨이퍼의 위치를 계측하고, 이 계측 결과를 이용하여 레티클과 웨이퍼를 1차 정렬하는 단계와;

   (H) 상기 레티클의 제2 마크가 웨이퍼상의 정렬 마크와 위치 정렬되도록 상기 레티클과 웨이퍼를 2차 정렬하는 단계와;

   (I) 상기 레티클의 제2 마크를 웨이퍼상에 노광하는 단계와;

   (J) 상기 웨이퍼상에 노광된 제2 마크와 레티클의 제1 마크가 위치 정렬되도록 레티클과 웨이퍼를 3차 정렬하는 단계와;

   (K) 상기 정렬된 웨이퍼의 제2 마크와 레티클의 제1 마크를 이용하여 전 공정과 현 공정간의 오버레이 파라미터를 계측하는 단계와;

   (L) 상기 오버레이 파라미터를 이용하여 웨이퍼와 레티클을 4차 정렬하는 단계와;

   (M) 상기 패턴 영역을 노광하는 단계;

   를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기중첩 진단 노광 방법.
9. 제 8항에 있어서, 상기 (I) 단계의 노광시 노광량은 상기 (M) 단계에서의 노광량에 비해 1.5∼3배인 것을 특징으로 하는 자기중첩 진단 노광 방법.
10. 제 9항에 있어서, 상기 (M) 단계 이후로 노광을 실시하는 후속 웨이퍼는 상기 (G) 단계와 (M) 단계 만으로 노광을 실시하는 노광 방법.

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