KR100548926B1 - 주입 잠김된 페브리-페롯 레이저 다이오드를 이용한 광랜덤 액세스 메모리 - Google Patents

주입 잠김된 페브리-페롯 레이저 다이오드를 이용한 광랜덤 액세스 메모리 Download PDF

Info

Publication number
KR100548926B1
KR100548926B1 KR1020030034852A KR20030034852A KR100548926B1 KR 100548926 B1 KR100548926 B1 KR 100548926B1 KR 1020030034852 A KR1020030034852 A KR 1020030034852A KR 20030034852 A KR20030034852 A KR 20030034852A KR 100548926 B1 KR100548926 B1 KR 100548926B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical
optical signal
locked
specific wavelength
fabry
Prior art date
Application number
KR1020030034852A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030047965A (ko
Inventor
이혁재
정용덕
원용협
유학
Original Assignee
학교법인 한국정보통신학원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 학교법인 한국정보통신학원 filed Critical 학교법인 한국정보통신학원
Priority to KR1020030034852A priority Critical patent/KR100548926B1/ko
Publication of KR20030047965A publication Critical patent/KR20030047965A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100548926B1 publication Critical patent/KR100548926B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
    • G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
    • G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 광 랜덤 액세스 메모리는 외부로부터 입력되는 특정 파장을 갖는 광 신호에 의해 특정 파장의 모드로 주입 잠김되어 특정 파장으로 주입 잠김된 광 신호를 출력하는 제 1 광 발생 수단과, 제 1 광 발생 수단에서 출력되는 광 신호에 의해 특정 파장의 모드로 주입 잠김되며, 특정 파장으로 주입 잠김된 광 신호를 출력하는 제 2 광 발생 수단을 포함하며, 주입 잠김된 제 1, 2 광 발생 수단은 주입 잠김된 광 신호에 의해 연속적으로 주입 잠김이 유도되며, 연속적인 주입 잠김을 통해 상기 외부로부터 입력되는 특정 파장을 갖는 광 신호를 제 1, 2 광 발생 수단 사이에 저장한다.
이와 같이, 본 발명은 특정 파장대를 갖는 외부 광 신호에 의해 주입 잠김되는 두개의 페브리 페롯 레이저 다이오드의 광 쌍 안정성을 이용하여, 특정 파장대에서 일정 이상의 출력을 유지할 수 있는 광 랜덤 액세스 메모리를 제공할 수 있다.

Description

주입 잠김된 페브리-페롯 레이저 다이오드를 이용한 광 랜덤 액세스 메모리{OPTICAL RANDOM ACCESS MEMORY USING THE INJECTION LOCKED FABRY-PEROT LASER DIODES}
도 1은 종래 기술에 의한 파장 분할 다중화 방식의 광 패킷 교환 시스템을 도시한 블록도이고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 랜덤 액세스 메모리의 구조를 도시한 구조도이고,
도 3a 내지 도 3b는 도 2의 각 지점에서의 광 스펙트럼 관계도이고,
도 4는 본 발명의 페브리 페롯 레이저 다이오드들의 광 입출력 세기를 도시한 관계도이고,
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 광 랜덤 액세스 메모리의 구조를 도시한 구조도이고,
도 6a 내지 6b는 도 5의 각 지점에서 광 스펙트럼 관계도이다.
＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞
200 : 제 1 페브리 페롯 레이저 다이오드
210, 510 : 광 필터
220 : 제 2 페브리 페롯 레이저 다이오드
500 : 제 3 페브리 페롯 레이저 다이오드
520 : 광 커플러
530 : 광 섬유 거울
본 발명은 광 랜덤 액세스 메모리에 관한 것으로, 특히 주입 잠김된 페브리 페롯 레이저 다이오드의 광쌍 안정성을 이용하여 입력되는 광 신호를 기록하고 읽낼 수 있는 주입 잠김된 페브리 페롯 레이저 다이오드를 이용한 광 랜덤 액세스 메모리에 관한 것이다.
최근, 인터넷 사용이 일반화되고 정보 통신에 대한 생활의 의존도가 높아지면서 인터넷 서비스 요구 대역폭이 나날이 높아가고 있다. 이에 따라 데이터 트래픽의 증가량이 음성 트래픽의 증가량을 넘어서며 급격이 늘어나고 있다. 이러한 데이터 트래픽을 효율적으로 처리하기 위하여 광 네트워크의 구현이 시급하다.
현재, 데이터 트래픽을 효율적으로 처리하기 위한 광 네트워크는 파장 다중화 방식의 광 전송망 및 회선 교환 방식의 네트워크 구현이 진행중이다.
그러나, 데이터 트래픽의 특성이 불규칙하고 버스트(burst)한 특성을 가지고 있어 회선 교환 방식의 광 네트워크 구성은 늘어나는 데이터 트래픽에 효율적으로 대응하기에는 비효율적이다.
따라서, 광 네트워크의 궁극적 진화단계는 광 영역에서 패킷들을 처리하는 광 패킷 교환 방식이 될 것으로 예상되고 있으며, 이에 관하여 많은 연구가 진행되고 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 파장 분할 다중화 방식의 광 패킷 교환 시스템을 도시한 블록 도로써, 역다중화기(10), 입력 처리기(12), 제어기(14), 광 스위치(16), 버퍼(18), 출력 처리기(20), 다중화기(22)를 포함한다.
파장 다중화된 광 패킷들은 파장 역다중화기(10)를 거쳐 입력 처리기(12)에 입력되고, 입력 처리기(12)는 제어기(14)의 제어 하에 광 패킷들에 대한 헤더 검출 및 광 신호 품질 보상을 수행한다.
이후, 검출된 헤더 정보에 의해 각각의 광 패킷들의 광 경로가 설정되고, 스위치(16)는 설정된 경로에 맞추어 스위칭 동작을 수행한다. 이때 이미 점유된 경로로 가야하는 광 패킷들은 점유된 경로가 사용가능하게 될 때까지 광 메모리(18)에 저장된다.
점유된 경로가 사용가능하게 되면, 광 메모리(18)에 저장된 광 패킷들은 제어기(14)의 제어 하에 있는 출력 처리기(20) 및 다중화기(22)를 거쳐 출력된다.
그러나, 이와 같은 광 패킷 교환망 구형의 가장 큰 문제점은 광 정보 처리 기술의 한계라는 것이 현재까지의 연구에 의하여 드러났으며, 그 중에서도 광 패킷들의 임시 저장소인 광 버퍼의 부재가 가장 큰 걸림돌로 작용하고 있다.
시분할 다중화 방식의 전광 통신망 및 파장 분할 방식 기반의 광 패킷 교환망에서 사용될 광 메모리 장치는 크게 광섬유를 이용하는 것과 레이저 다이오드의 광쌍안정성을 이용하여 광 랜덤 액세스 메모리를 구현하는 것이 있다.
광 신호가 광 섬유를 거치는 동안에 겪는 시간 지연을 이용하여 광 메모리를 구현하는 방법은 여러 구조로 제안되었으나 기본적으로 광 섬유 지연선을 직렬 또는 원형으로 구성하여 광 신호가 원하는 시간 지연을 가질 수 있도록 하며, 이를 이용하여 광 신호가 선택적으로 광 섬유를 통과할 수 있도록 하는 방식이다.
이와 같이 광 섬유를 이용하여 광 메모리를 구현하기 위해서는 2:2 광스위치 또는 게이트 스위치 소자가 필요하며, 광 섬유에서 겪는 광손실을 보상하기 위해서 광 증폭기가 필요하다.
그러나, 이러한 광 증폭기의 사용에 의해 노이즈가 증가되고, 긴 길의 광섬유를 지나면서 겪는 색분산이 발생되는 문제점이 있다.
반도체 레이저 다이오드의 광쌍 안정성을 이용하여 광 메모리를 구현하는 방법은 반도체 레이저가 특정 광 입력에 대하여 두 가지 안정된 상태를 가지는 특성을 이용한다. 즉, 기록하고자 하는 광 입력을 통해 상위 안정 상태가 유도되고, 이 상태를 유지하기 위한 유지 광 입력을 별도로 사용한다.
광 입력을 통해 상위 안정 상태를 유지하고 있는 반도체 레이저의 출력을 게이트 스위치를 통해 출력하여 광 메모리는 구성된다.
그러나, 이러한 반도체 레이저 다이오드를 이용한 광 메모리는 기록된 데이터를 유지하기 위하여 별도의 유지 광원이 필요하고, 안정상태에서 반도체 레이저 다이오드의 출력차이가 미약하여 광 메모리에서 출력되는 광 데이터의 소광비가 작은 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 이와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 특정 파장대를 갖는 외부 광 신호에 의해 주입 잠김되는 두개의 광 발생 수단의 광 쌍 안정성을 이용하여, 특정 파장대에서 일정 이상의 출력을 유지할 수 있는 주입 잠김된 페브리-페롯 레이저 다이오드를 이용한 광 랜덤 액세스 메모리를 제공하고자 한다.
삭제
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 외부로부터 입력되는 특정 파장을 갖는 광 신호에 의해 특정 파장의 모드로 주입 잠김되어 상기 특정 파장으로 주입 잠김된 광 신호를 출력하는 제 1 광 발생 수단과, 상기 제 1 광 발생 수단에서 출력되는 광 신호에 의해 특정 파장의 모드로 주입 잠김되며, 상기 특정 파장으로 주입 잠김된 광 신호를 출력하는 제 2 광 발생 수단을 포함하며, 상기 주입 잠김된 제 1, 2 광 발생 수단은 상기 주입 잠김된 광 신호에 의해 연속적으로 주입 잠김이 유도되며, 상기 연속적인 주입 잠김을 통해 상기 외부로부터 입력되는 특정 파장을 갖는 광 신호는 상기 제 1, 2 광 발생 수단 사이에 저장된다.
삭제
이하, 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 실시 예에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 랜덤 액세스 메모리의 구조를 도시한 구조도이고, 도 3a 내지 도 3b는 도 2의 각 지점에서의 광 스펙트럼 관계도이고, 도 4는 본 발명의 페브리 페롯 레이저 다이오드들의 광 입출력 세기를 도시한 관계도이다.
도 2를 참조하면, 광 랜덤 액세스 메모리는 광 섬유로 연결된 제 1, 2 페브리 페롯 레이저 다이오드(FP-LD 1, 2)(200, 220)와 제 1, 2 페브리 페롯 레이저 다이오드(200, 220) 사이에 설치된 광 필터(210)로 이루어진다.
제 1, 2 페브리 페롯 레이저 다이오드(200, 220)는 다중 모드의 파장을 갖는 광 신호를 출력하는 광 발생 수단으로써, 특히 제 1 페브리 페롯 레이저 다이오드(200)는 외부로부터 입력되는 특정 모드의 파장을 갖는 광 신호에 의해 주입 잠김되어 특정 모드의 파장에 해당되는 광 신호만을 출력한다. 제 2 페브리 페 롯 레이저 다이오드(220)는 제 1 페브리 페롯 레이저 다이오드(200)에서 출력되는 광 신호에 의해 주입 잠김되어 특정 모드의 파장을 갖는 광 신호만을 출력한다.
광 필터(210)는 제 1, 2 페브리 페롯 레이저 다이오드(200, 220)에서 발생되는 광 신호에서 특정 모드의 파장대를 제외한 부분을 제거시킨다.
이러한 광 랜덤 액세스 메모리의 동작 과정을 설명하면 아래와 같다.
도 3a에 도시된 바와 같이, ‘A’단으로부터 제 1 페브리 페롯 레이저 다이오드(200)에 입력되는 광 신호가 없는 경우에, 제 1, 2 페브리 페롯 레이저 다이오드(200, 220)로부터 발생하는 다중 모드의 광 신호는 서로 같은 파장에서 겹치도록 제 1, 2 페브리 페롯 레이저 다이오드(200, 220)의 온도 설정은 조절된다. 이때, 제 1, 2 페브리 페롯 레이저 다이오드(200, 220)에 가해지는 전류는 서로 아무런 영향을 미치지 않는다.
즉, 제 1 페브리 페롯 레이저 다이오드(200)의 출력은 ‘B’단과 같이 다중 모드의 파장을 갖는 광 신호를 출력하고, 광 필터(210)는 ‘C’단과 같이 다중 모드의 파장을 갖는 광 신호에 특정 파장(λ1)만을 출력하고 나머지 파장 대의 광 신호를 필터링시킨다. 이러한 특정 파장(λ1)만 갖는 광 신호는 제 2 페브리 페롯 레이저 다이오드(220)에 입력되어 ‘D’단으로 출력된다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 특정 파장(λ1)을 갖는 광 신호가 제 1 페브리 페롯 레이저 다이오드(200)에 입력되는 경우에, 제 1 페브리 페롯 레이저 다이오드(200)는 특정 파장(λ1)을 갖는 광 신호에 의해 주입 잠김되며, 이에 따라 광 신호 중에서 특정 파장(λ1)에 해당되는 모드만 증폭시키고 다른 모드들을 억제시켜 ‘B’단으로 출력한다. 특정 파장(λ1)을 갖는 광 신호는 광 필터(220)를 통해 ‘C’단 출력되어 제 2 페브리 페롯 레이저 다이오드(220)에 입력되며, 제 2 페브리 페롯 레이저 다이오드(220)는 특정 파장(λ1)을 갖는 광 신호에 의해 주입 잠김이 유도되며, 이에 따라 제 2 페브리 페롯 레이저 다이오드(220)는 특정 파장(λ1)을 갖는 광 신호를 ‘C’단으로 출력하게 된다.
이후, 시간이 경과하여 제 1 페브리 페롯 레이저 다이오드(200)로 입력되는 광 신호가 사리진 후에도 한번 주입 잠김된 제 1, 2 페브리 레이저 다이오드(200, 220)는 서로 연속적으로 주입 잠김을 유도하여 그 상태를 유지하기 때문에 입력 광 신호가 저장되며, 저장된 광 신호는 도 3b의 ‘D’단으로 발생하게 된다.
제 1, 2 페브리 페롯 레이저 다이오드(200, 220)에 입출력되는 광 세기는, 도 4를 참조하여 설명한다.
외부로부터 입력되는 광 신호가 없는 경우에, 제 1, 2 페브리 페롯 레이저 다이오드(200, 220)의 특정 파장(λ1)에 해당되는 모드의 출력은 도 4의 ‘1’과 ‘2’와 같이 아주 작은 광 신호를 출력한다. 이 상태에서 제 1 페브리 페롯 레이저 다이오드(200)가 수직 편광된 외부 입력 광 신호에 의 특정 파장(λ1)에 주입 잠김 되면, 제 1, 2 페브리 페롯 레이저 다이오드(200, 220)의 출력은 도 4의 ‘3’과 ‘4’증폭된 광 신호를 출력한다.
이렇게 제 1 페브리 페롯 레이저 다이오드(200)에서 출력되는 특정 파장(λ1)을 갖는 광 신호는 제 2 페브리 페롯 레이저 다이오드(220)를 동일 파장(λ1)의 모드로 주입 잠김시키고, 이에 따라 제 2 페브리 페롯 레이저 다이오드(220)에서 출력되는 광 신호의 세기는 도 4의 ‘4’와 같다.
이후, 일정 시간이 경과하여 외부로부터 입력되는 광 신호가 사라지면, 주입 잠김된 제 1, 2 페브리 페롯 레이저 다이오드(200, 220)는 동일 파장(λ1)의 모드에 대하여 서로 주입 잠김을 유도하면서 출력 상태를 도 4의 ‘5’와 ‘6’을 유지하게 된다.
본 발명의 실시 예에서는 광 발생 수단으로 페브리 페롯 레이저 다이오드를 이용하여 광 랜덤 액세스 메모리를 구현하는 것으로 예를 들어 설명하였지만, 다중 모드의 광 신호를 출력할 수 있는 광 섬유 페브리 페롯 레이저 다이오드를 이용하여 광 랜덤 액세스 메모리를 구현할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 광 랜덤 액세스 메모리의 구조를 도시한 구조도이고, 도 6a 내지 6b는 도 5의 각 지점에서 광 스펙트럼 관계도이다.
도 5를 참조하면. 본 발명의 다른 실시 예에 따른 광 랜덤 액세스 메모리 구조는 외부로부터 입력되는 특정 파장(λ1)의 광 신호에 의해서 주입 잠김되어 특정 파장에 주입 잠김된 광 신호를 출력하는 제 3 페브리 페롯 레이저 다이오드(500)와, 제 3 페브리 페롯 레이저 다이오드(500)에서 출력되는 광 신호 중에서 특정 파장(λ1) 부분을 제외한 다른 부분의 광 신호를 필터링시켜 특정 파장 부분의 광 신호만을 출력하는 광 필터(510)와, 광 필터(510)에서 출력되는 특정 파장(λ1)의 광 신호를 반사시켜 광 필터(510)를 거쳐 제 3 페브리 페롯 레이저 다이오드(500)로 출력하는 반사 수단인 광 섬유 거울(530)로 이루어진다. 또한, 광 랜덤 액세스 메모리는 광 필터(510)에서 출력되는 광 신호 중 일부를 출력하고 다른 일부를 광 섬 유 거울(530)에 제공하고, 광 섬유 거울(530)에서 반사된 광 신호를 광 필터를 통해 제 3 페브리 페롯 레이저 다이오드(500)에 제공하는 광 커플러(520)를 더 포함한다.
이때, 제 3 페브리 페롯 레이저 다이오드(500)는 광 섬유 거울(530)에서 출력되는 특정 파장대의 광 신호에 의해서 주입 잠김된다.
이와 같은 구조를 갖는 광 랜덤 액세스 메모리의 동작 과정을 설명하면 아래와 같다.
먼저, 도 6a에 도시된 바와 같이, 외부로부터 광 신호가 ‘A'’단을 통해 제 3 페브리 페롯 레이저 다이오드(500)에 입력되지 않은 경우에, 제 3 페브리 페롯 레이저 다이오드(500)는 다중 모드를 갖는 광 신호를 ‘B'’단으로 출력한다.
광 필터(510)는 다중 모드를 갖는 광 신호 중에서 특정 파장(λ1)대의 광 신호를 제외한 부분을 필터링하여 특정 파정(λ1)대의 광신호만을 ‘C'’단으로 출력하고, ‘C'’단으로 출력되는 광 신호 중에서 일부는 광 커플러(520)를 통해 ‘D'’단으로 출력되고, 다른 일부의 광 신호는 광 섬유 거울(530)에 제공된다.
다른 일부의 광 신호는 광 섬유 거울(530)에 의해 반사되고, 반사된 광 신호는 광 커플러(520)와 광 필터(510)를 통해 제 3 페브리 페롯 레이저 다이오드(500)에 입력된다. 제 3 페브리 페롯 레이저 다이오드(500)는 광 섬유 거울(530)에서 반사되어 제공되는 특정 파장(λ1)대의 광 신호에 의해서 주입 잠김된다.
이후, 도 6b에 도시된 바와 같이, 외부로부터 특정 파장(λ1)대의 광 신호가 제 3 페브리 페롯 레이저 다이오드(500)에 입력되면, 제 3 페브리 페롯 레이저 다 이오드(500)는 ‘A'’단으로 입력되는 특정 파장(λ1)을 갖는 광 신호에 의해 특정 파장(??1) 모드로 주입 잠김되며, 이에 따라 특정 파장(λ1)대로 주입 잠김된 광 신호를 출력한다.
‘B'’단을 통해 특정 파장(λ1)대로 주입 잠김된 광 신호를 입력받은 광 필터(510)는 특정 파장(λ1)대의 광 신호를 제외한 부분을 필터링시켜 특정 파장(??1)대의 광 신호만을 출력한다.
광 필터(510)에서 출력되는 특정 파장(λ1)대의 광 신호는 광 커플러(520)를 통과해 광 섬유 거울(530)에 반사되어 다시 광 필터(510)를 거쳐 제 3 페브리 페롯 레이저 다이오드(500)에 인가되어 주입 잠김을 유도한다. 이때 ‘C'’단을 통해 특정 파장(λ1)대의 광 신호를 입력받은 광 커플러(520)는 다른 출력 단자 ‘D'’인 광 랜덤 액세스 메모리의 출력 단자를 가지며, 이러한 출력 단자를 통해 주입 잠김된 제 3 페브리 페롯 레이저 다이오드(500)의 광 출력이 검출된다. 즉, 광 커플러(520)의 다른 출력 단자 ‘D'’단에서 출력되는 광 출력은 외부로부터 입력되는 특정 파장(λ1)대를 갖는 광 신호이다.
이후, 외부로부터 입력되는 광 신호가 사라질 경우에, 제 3 페브리 페롯 레이저 다이오드(500)는 광 섬유 거울(530)에서 반사된 자기빔에 의해 주입 잠김이 유도되기 때문에, 광 커플러(520)의 다른 출력 단자 ‘D'’로 광 출력은 유지될 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에서는 광 발생 수단으로 페브리 페롯 레이저 다이오드를 이용하여 광 랜덤 액세스 메모리를 구현하는 것으로 예를 들어 설 명하였지만, 다중 모드의 광 신호를 출력할 수 있는 광 섬유 페브리 페롯 레이저 다이오드를 이용하여 광 랜덤 액세스 메모리를 구현할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 특정 파장대를 갖는 외부 광 신호에 의해 주입 잠김되는 두개의 페브리 페롯 레이저 다이오드의 광 쌍 안정성을 이용하여, 특정 파장대에서 일정 이상의 출력을 유지할 수 있는 광 랜덤 액세스 메모리를 제공할 수 있다..
또한, 본 발명은 특정 파장대를 갖는 외부 광 신호에 의해 주입 잠김되는 페브리 페롯 레이저 다이오드와 반사수단을 이용하여 페브리 페롯 레이저 다이오드를 특정 파장대로 자기빔 주입 잠김시켜 외부 광 신호를 저장하고, 특정 파장대의 외부 광 신호 출력을 유지할 수 있는 광 랜덤 액세스 메모리를 제공할 수 있다.

Claims (6)

  1. 외부로부터 입력되는 특정 파장을 갖는 광 신호에 의해 특정 파장의 모드로 주입 잠김되어 상기 특정 파장으로 주입 잠김된 광 신호를 출력하는 제 1 광 발생 수단과,
    상기 제 1 광 발생 수단에서 출력되는 광 신호에 의해 특정 파장의 모드로 주입 잠김되며, 상기 특정 파장으로 주입 잠김된 광 신호를 출력하는 제 2 광 발생 수단을 포함하며,
    상기 주입 잠김된 제 1, 2 광 발생 수단은 상기 주입 잠김된 광 신호에 의해 연속적으로 주입 잠김이 유도되며, 상기 연속적인 주입 잠김을 통해 상기 외부로부터 입력되는 특정 파장을 갖는 광 신호는 상기 제 1, 2 광 발생 수단 사이에 저장되는 것을 특징으로 하는 주입 잠김된 페브리-페롯 레이저 다이오드를 이용한 광 랜덤 액세스 메모리.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1, 2 광 발생 수단은, 다중 모드의 광 신호를 출력하는 페브리 페롯 레이저 다이오드 및 광 섬유 페브리 페롯 레이저 다이오드 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 주입 잠김된 페브리-페롯 레이저 다이오드를 이용한 광 랜덤 액세스 메모리.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 주입 잠김된 페브리-페롯 레이저 다이오드를 이용한 광 랜덤 액세스 메모리는,
    상기 제 1, 2 광 발생 수단에서 발생되는 광 신호에 특정 모드의 파장대를 제외한 부분을 제거시키는 광 필터를 더 포함하는 주입 잠김된 페브리-페롯 레이저 다이오드를 이용한 광 랜덤 액세스 메모리.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
KR1020030034852A 2003-05-30 2003-05-30 주입 잠김된 페브리-페롯 레이저 다이오드를 이용한 광랜덤 액세스 메모리 KR100548926B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030034852A KR100548926B1 (ko) 2003-05-30 2003-05-30 주입 잠김된 페브리-페롯 레이저 다이오드를 이용한 광랜덤 액세스 메모리

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030034852A KR100548926B1 (ko) 2003-05-30 2003-05-30 주입 잠김된 페브리-페롯 레이저 다이오드를 이용한 광랜덤 액세스 메모리

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030047965A KR20030047965A (ko) 2003-06-18
KR100548926B1 true KR100548926B1 (ko) 2006-02-02

Family

ID=29579899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030034852A KR100548926B1 (ko) 2003-05-30 2003-05-30 주입 잠김된 페브리-페롯 레이저 다이오드를 이용한 광랜덤 액세스 메모리

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100548926B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101024023B1 (ko) * 2004-12-29 2011-03-22 삼성전자주식회사 고속 파장선택 광원 및 그 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101024023B1 (ko) * 2004-12-29 2011-03-22 삼성전자주식회사 고속 파장선택 광원 및 그 방법
US7933520B2 (en) 2004-12-29 2011-04-26 Samsung Electronics Co., Ltd. High-speed wavelength selectable optical source and method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030047965A (ko) 2003-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5999293A (en) Optical switch
JP3590066B2 (ja) 光パケット処理
JP3438770B2 (ja) 光ディジタル再生装置
Yeo et al. A dynamically reconfigurable folded-path time delay buffer for optical packet switching
JP2002044020A (ja) 光信号再生装置
KR20040040708A (ko) 높은 소광비 및 넓은 입력 다이너믹 영역을 갖는 ｘｇｍ방식의 광 파장변환장치
CA2171337C (en) Optical pulse sequence generator
US7031617B2 (en) Method and system for optical wavelength conversion and regeneration
KR100548926B1 (ko) 주입 잠김된 페브리-페롯 레이저 다이오드를 이용한 광랜덤 액세스 메모리
CA2352351C (en) Multiwavelength light source device employing annular optical delay circuit
Chow et al. All-optical ASK/DPSK label-swapping and buffering using Fabry-Perot laser diodes
US8582930B2 (en) Fiber sensing systems and fiber sensing methods
Mikhailov et al. All-optical multiwavelength clock recovery using integrated semiconductor amplifier array module
Bernasconi et al. Monolithically integrated 40Gb/s wavelength converter with multi-frequency laser
CA2253485C (en) Optical clock division
Borghesani Semiconductor optical amplifiers for advanced optical applications
JP4844405B2 (ja) 光クロック信号再生装置
Wai et al. 1× N All-optical packet switch at 10 Gb/s
US20110222856A1 (en) All-Optical 2R Regeneration
Bernasconi et al. 40 Gbit/s RZ wavelength converter in a monolithically integrated chip with a tunable laser
KR100362385B1 (ko) 광전 혼합형 광 클럭 재생장치 및 방법
Liu et al. All-optical signal processing for optical packet switching networks
JP2003322888A (ja) 安定制御機能付き相互位相変調型波長変換器及び相互位相変調型波長変換器の安定制御方法
KR20030089677A (ko) 파장 분할 다중 방식 광통신용 광원장치 및 방법
Jackel et al. All-optical burst support for optical packets

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100106

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee