KR100534026B1 - Method of hdp-cvd process for filling high aspect ratio gaps - Google Patents
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Abstract
높은 종횡비를 갖는 갭을 채우기 위한 고밀도 플라즈마 증착방법을 제공한다. 이 방법은 산소(O2) 및 헬륨(He)이 혼합된 혼합가스(HeO2)를 준비하고, 혼합가스(HeO2) 및 시레인(SiH4)을 챔버내에 공급하고, 혼합가스(HeO2) 및 시레인(SiH 4)을 이용하여 증착 및 식각을 동시에 수행함으로써 기판 상에 산화막을 형성한다.Provided is a high density plasma deposition method for filling gaps with high aspect ratios. This method prepares a mixed gas (HeO 2 ) mixed with oxygen (O 2 ) and helium (He), supplies the mixed gas (HeO 2 ) and silane (SiH 4 ) into the chamber, and mixes the mixed gas (HeO 2). ) And silane (SiH 4 ) to simultaneously perform deposition and etching to form an oxide film on the substrate.
Description
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로써 더 구체적으로는 높은 종횡비를 갖는 갭으 채우기 위한 고밀도 플라즈마 증착방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a high density plasma deposition method for filling a gap having a high aspect ratio.
반도체 소자 기술에 발달함에 따라 기판 상에 형성되는 구조물의 집적도가 증가하고 있다. 기판에 형성되는 구조물, 예컨대 단위소자 및 배선들 사이의 갭 영역은 절연막으로 채워져 단위소자들 또는 배선들은 전기적으로 절연된다. 그러나, 반도체 소자의 집적도가 높아짐에 따라 상기 갭들의 폭은 줄어드는 반면 갭들의 깊이는 증가하여 갭의 종횡비가 높아진다. 그 결과, 높은 종횡비를 채우는 것이 더욱 더 힘들어 지고 절연막 내에 원하지 않는 보이드가 발생하는 등 문제를 유발한다.With the development of semiconductor device technology, the degree of integration of structures formed on substrates is increasing. The structure formed on the substrate, for example, the gap region between the unit elements and the wirings is filled with an insulating film so that the unit elements or the wirings are electrically insulated. However, as the degree of integration of semiconductor devices increases, the width of the gaps decreases while the depth of the gaps increases, resulting in a high aspect ratio of the gaps. As a result, filling up high aspect ratios becomes more difficult and causes problems such as unwanted voids in the insulating film.
최근에는 높은 종횡비를 갖는 갭들을 채우기 위한 방법으로 고밀도플라즈마 증착방법이 도입되었다.Recently, a high density plasma deposition method has been introduced as a method for filling gaps having a high aspect ratio.
도 1 내지 도 3은 통상적인 고밀도 플라즈마 증착방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.1 to 3 are cross-sectional views illustrating a conventional high density plasma deposition method.
도 1을 참조하면, 기판(10) 상에 갭 영역(12)이 형성되고 상기 갭 영역(12)에 고밀도 플라즈마 증착방법을 이용하여 산화막(14)을 증착한다. 고밀도 플라즈마 산화막 증착방법은 산소(O2)와 시레인(SiH4) 및 아르곤을 챔버내에 공급하여 증착 및 식각이 동시에 이루어짐으로써 산화막(14)을 증착한다. 이때, 수직인 법선방향을 갖는 면보다 45도의 범선방향을 갖는 면의 식각율이 높기 때문에 도 1에 도시된 것과 같이, 갭 영역의 모서리에 패싯(16)이 형성되어 입구의 종횡비는 낮게 유지된다.Referring to FIG. 1, a gap region 12 is formed on a substrate 10, and an oxide layer 14 is deposited on the gap region 12 by using a high density plasma deposition method. In the high-density plasma oxide film deposition method, oxygen (O 2 ), silane (SiH 4 ), and argon are supplied into the chamber to deposit and etch the oxide film 14 by simultaneously performing deposition and etching. In this case, since the etching rate of the surface having a sailing direction of 45 degrees is higher than that of the surface having a normal normal direction, as shown in FIG. 1, the facet 16 is formed at the edge of the gap region, so that the aspect ratio of the inlet is kept low.
도 2를 참조하면, 산화막의 증착공정이 진행됨에 따라 상기 갭 영역(12)은 산화막으로 채워진다. 앞서 언급한 바와 같이, 고밀도 플라즈마 증착방법을 이용할 경우, 면 방향에 따라 식각율이 다르기 때문에 면 방향에 따른 증착속도가 다르고, 갬 입구의 종횡비가 낮게 유지되기 때문에 종횡비가 높은 갭 영역도 일반적인 증착방법에 비하여 효과적으로 채워질 수 있다. 그러나, 갭 영역의 종횡비가 더욱 더 높아지면 고밀도 플라즈마 증착방법을 이용하더라도 갭 영역에 바람직하지 못한 보이드가 발생할 수 있다.Referring to FIG. 2, as the deposition process of the oxide film proceeds, the gap region 12 is filled with the oxide film. As mentioned above, in the case of using the high density plasma deposition method, the deposition rate is different according to the surface direction because the etching rate is different according to the surface direction, and the gap region with the high aspect ratio is also common because the aspect ratio of the inlet is kept low. It can be filled effectively as compared to. However, when the aspect ratio of the gap region becomes even higher, undesired voids may occur in the gap region even by using a high density plasma deposition method.
도 3을 참조하면, 고밀도 플라즈마 증착공정이 진행되는 동안 식각된 산화막은 패싯면(16)을 따라 갭 영역에서 대향하는 측벽에 재증착되어 돌출부(22)를 형성하는 문제가 있다. 상기 돌출부(22)는 증착을 방해하여 보이드(20)를 유발하는 원인이 된다.이러한 문제를 해결하기 위하여 미국특허번호 6,395,150(U.S.P. NO. 6,395,150, "VERY HIGH ASPECT RATIO GAPFILL USING HDP")에 아르곤을 사용하지 않고 아르곤보다 원자량이 낮은 헬륨을 사용하는 방법이 기술되어 있다. 또한, 미국특허 출원번호 2002/0187655(US 2002/0187655, "HDP-CVD DEPOSITION PROCESS FOR FILLING HIGH ASPECT RATIO GAPS")에는 고밀도플라즈마 증착법을 이용한 절연막 형성방법이 기술되어 있다.Referring to FIG. 3, the oxide film etched during the high density plasma deposition process is redeposited on the opposite sidewalls in the gap region along the facet surface 16 to form the protrusion 22. The protrusion 22 prevents deposition and causes the void 20. To solve this problem, US Pat. No. 6,395,150 (USP NO. 6,395,150, "VERY HIGH ASPECT RATIO GAPFILL USING HDP") is used. A method of using helium having an atomic weight lower than that of argon without using it is described. In addition, US Patent Application No. 2002/0187655 (US 2002/0187655, "HDP-CVD DEPOSITION PROCESS FOR FILLING HIGH ASPECT RATIO GAPS") describes a method of forming an insulating film using a high density plasma deposition method.
원자량이 낮은 헬륨을 이용할 경우 재증착되는 물질이 더 적은 양 식각되기 때문에 갭영역의 측벽에 돌출부가 형성되는 것을 방지할 수 있다. 이 때, 산화막의 화학양론(stoichiometry)을 유지하기 위해 공급되는 가스들의 조성비는 일정하게 유지하여야 하고, 적절한 식각/증착 비를 유지하기 위하여 산소와 헬륨의 분압을 적절히 조절하여야 한다. 그러나, 상기 미국출원번호 2002/0187655와 같이 통상적인 고밀도 플라즈마 증착공정에 사용되는 가스들은 각 공급원들로 부터 독립적으로 공급된다. 따라서, 시레인, 산소 및 헬륨의 각각의 분압을 적절히 조절할 수 없을 경우 식각/증착 비 및 증착속도에 바람직하지 못한 오차가 발생하여 요구되는 산화막을 형성할 수 없는 문제가 있다.When helium having a low atomic weight is used, the amount of redeposited material is etched less, thereby preventing the formation of protrusions on the sidewalls of the gap region. At this time, the composition ratio of the gas supplied to maintain the stoichiometry of the oxide film must be kept constant, and the partial pressure of oxygen and helium must be properly adjusted to maintain an appropriate etching / deposition ratio. However, the gases used in conventional high density plasma deposition processes, such as US Application No. 2002/0187655, are supplied independently from each source. Accordingly, when the partial pressures of silane, oxygen, and helium cannot be properly adjusted, an undesirable error occurs in the etching / deposition ratio and the deposition rate, thereby preventing the formation of the required oxide film.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 높은 종횡비를 갖는 갭을 채우기 위한 고밀도 플라즈마 증착방법을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a high density plasma deposition method for filling a gap having a high aspect ratio.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 고밀도 플라즈마 증착방법을 이용하여 산화막을 형성함에 있어서 공급가스의 조성비를 유지할 수 있는 방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a method for maintaining a composition ratio of a supply gas in forming an oxide film using a high density plasma deposition method.
상기 기술적 과제들은 본 발명은 소정의 조성비로 혼합된 산소 및 헬륨의 혼합가스를 이용하여 산화막을 증착하는 방법에 의해 달성되어질 수 있다. 이 방법은 산소(O2) 및 헬륨(He)이 혼합된 혼합가스(HeO2)를 준비하고, 상기 혼합가스(HeO2 ) 및 시레인(SiH4)를 챔버내에 공급하는 것을 포함한다. 상기 혼합가스(HeO2) 및 상기 시레인(SiH4)을 이용하여 증착 및 식각을 동시에 수행함으로써 기판 상에 산화막을 형성한다.The above technical problems can be achieved by the method of depositing an oxide film using a mixed gas of oxygen and helium mixed in a predetermined composition ratio. The method includes preparing a mixed gas HeO 2 mixed with oxygen (O 2 ) and helium (He), and supplying the mixed gas (HeO 2 ) and silane (SiH 4 ) into the chamber. An oxide film is formed on a substrate by simultaneously performing deposition and etching using the mixed gas HeO 2 and the silane SiH 4 .
본 발명에서 상기 산화막을 형성하는 동안 상기 혼합가스 및 상기 시레인의 공급량은 일정하게 유지하는 것이 바람직하며, 이 때, 상기 시레인은 상기 시레인(SiH4)은 10 내지 150 sccm으로 공급할 수 있고, 상기 혼합가스(HeO2)는 10 내지 200 sccm 공급할 수 있다. 또한, 상기 혼합가스(HeO2)의 헬륨비는 5 내지 15% 정도로 준비하는 것이 바람직하다. 그러나, 상기 공급량 및 조성은 여기에 한정하지 않고 공정에 따라 변경될 수 있다.In the present invention, while the oxide film is formed, the supply amount of the mixed gas and the silane is preferably kept constant, wherein the silane may be supplied with the silane (SiH 4 ) at 10 to 150 sccm. , The mixed gas (HeO 2 ) may be supplied to 10 to 200 sccm. In addition, the helium ratio of the mixed gas (HeO 2 ) is preferably prepared about 5 to 15%. However, the supply amount and composition are not limited to this and can be changed depending on the process.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the spirit of the present invention to those skilled in the art will fully convey. In the drawings, the thicknesses of layers and regions are exaggerated for clarity. In addition, where a layer is said to be "on" another layer or substrate, it may be formed directly on the other layer or substrate, or a third layer may be interposed therebetween. Portions denoted by like reference numerals denote like elements throughout the specification.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 고밀도 플라즈마 증착방법을 나타낸 공정흐름도이다.Figure 4 is a process flow diagram showing a high density plasma deposition method according to a preferred embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 고밀도 플라즈마 증착장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.5 is a view schematically showing a high density plasma deposition apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
도 4 및 도 5를 참조하면, 먼저 S1 단계에서, 헬륨(He)과 산소(O2)가 혼합된 혼합가스(HeO2)를 준비한다. 도 5에 도시된 것과 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 증착장치는 박막증착에 이용되는 소오스 가스들을 공급하는 가스 공급부(58)와 상기 가스공급부(58)로 부터 배관으로 연결된 반응 챔버(50)를 포함한다. 도면에서는 가스 공급부(58) 및 반응 챔버(50)를 개략적으로 나타내었지만 상기 가스공급부(58)로부터 상기 반응챔버(50)까지 소오스 가스를 공급하는 배관에는 유량을 제어하기 위한 유량제어기(도시 안함)와 소오스 가스를 바이패스시키기 위한 바이패스 라인(도시 안함) 등이 연결되어 있을 수 있다.4 and 5, first, in step S1, helium (He) and oxygen (O 2 ) mixed gas (HeO 2 ) is prepared. As shown in FIG. 5, the deposition apparatus according to the preferred embodiment of the present invention includes a gas supply unit 58 for supplying source gases used for thin film deposition and a reaction chamber 50 connected to the pipe from the gas supply unit 58. It includes. Although the gas supply unit 58 and the reaction chamber 50 are schematically illustrated in the drawings, a flow controller (not shown) for controlling the flow rate is provided in a pipe for supplying a source gas from the gas supply unit 58 to the reaction chamber 50. And a bypass line (not shown) for bypassing the source gas may be connected.
고밀도 플라즈마 산화막을 형성하는데는 시레인(SiH4)과 산소(O2) 및 불활성 기체가 필요하다. 따라서, 상기 가스공급부(58)는 시레인(SiH4)과 산소(O2) 및 불활성 기체를 공급할 수 있는 공급원들이 설치되어 있다. 본 발명은 불활성 기체로써 원자량이 작은 헬륨을 이용하되, 종래와 같이 산소 및 헬륨을 상기 반응챔버(50)에 각각 공급하여 상기 반응챔버(50) 내에서 혼합하지 않고, 산소 및 헬륨이 소정의 조성비로 혼합된 혼합가스를 공급할 수 있는 공급원을 구비하는 것이 특징이다.To form a high density plasma oxide film, silane (SiH 4 ), oxygen (O 2 ), and an inert gas are required. Therefore, the gas supply unit 58 is provided with sources capable of supplying silane (SiH 4 ), oxygen (O 2 ), and an inert gas. The present invention uses helium having a small atomic weight as an inert gas, but does not mix oxygen and helium in the reaction chamber 50 by mixing oxygen and helium in the reaction chamber 50 as in the prior art, and oxygen and helium have a predetermined composition ratio. It is characterized by having a supply source capable of supplying a mixed gas mixed with.
상기 가스공급부(58)는 산소 및 헬륨의 혼합가스(HeO2)를 공급하는 제1 공급원(52), 시레인(SiH4)을 공급하는 제2 공급원(54) 및 반응 챔버를 퍼지하기 위한 불활성기체를 공급하는 제3 공급원(56)을 포함한다. 상기 제3 공급원(56)은 질소 또는 아르곤을 공급할 수도 있다. 상기 혼합가스의 조성비는 적용되는 공정에 따라 선택될 수 있는데, 예컨대 혼합가스에 포함된 헬륨의 몰비는 5% 내지 15%인 것이 바람직하다.The gas supply unit 58 is a first source 52 for supplying a mixed gas of oxygen and helium (HeO 2 ), a second source 54 for supplying silane (SiH 4 ), and an inert gas for purging the reaction chamber. A third source 56 for supplying gas. The third source 56 may supply nitrogen or argon. The composition ratio of the mixed gas may be selected according to the process applied, for example, the molar ratio of helium contained in the mixed gas is preferably 5% to 15%.
S2 단계에서, 상기 반응챔버(50) 내에 기판을 배치한다. 상기 기판은 STI(Shallow Trench Isolation) 형성을 위하여 트렌치가 형성된 기판, 또는 높은 종횡비의 갭영역을 가지는 배선들이 형성된 기판, 또는 높은 종횡비의 갭영역을 가지는 단위소자들이 형성된 기판일 수 있다.In step S2, the substrate is placed in the reaction chamber 50. The substrate may be a substrate in which trenches are formed to form shallow trench isolation (STI), a substrate in which wirings having a high aspect ratio gap region are formed, or a substrate in which unit devices having a high aspect ratio gap region are formed.
S3 단계에서, 상기 기판이 배치된 반응챔버(50) 내에 상기 혼합가스(HeO2) 및 시레인(SiH4)을 공급하여 상기 기판 상에 실리콘산화막을 형성한다. 상기 반응챔버(50) 내에 혼합가스 및 시레인이 공급되면 상기 반응 챔버의 온도를 일정하게 유지하면서 플라즈마 파워를 인가하여 증착 및 식각이 동시에 수행함으로써 기판 상에 산화막을 형성한다. 상기 산화막이 형성되는 동안 상기 반응챔버(50) 내에 공급되는 혼합가스 및 시레인의 유량을 일정하게 유지함으로써, 균일한 막이 형성될 수 있도록 하는 것이 바람직하다. 예컨대, 상기 혼합가스는 10 내지 150 sccm 정도 공급하고, 상기 시레인은 10 내지 200 sccm 정도 공급할 수 있고, 필요에 따라 상기 혼합가스 및 상기 시레인의 공급량은 적절이 조절할 수도 있다.In step S3, the mixed gas HeO 2 and the silane SiH 4 are supplied into the reaction chamber 50 in which the substrate is disposed to form a silicon oxide film on the substrate. When the mixed gas and the silane are supplied into the reaction chamber 50, the oxide film is formed on the substrate by simultaneously performing deposition and etching by applying plasma power while maintaining a constant temperature of the reaction chamber. It is preferable to maintain a uniform flow rate of the mixed gas and the silane supplied in the reaction chamber 50 while the oxide film is formed, thereby forming a uniform film. For example, the mixed gas may be supplied at about 10 to 150 sccm, the silane may be supplied at about 10 to 200 sccm, and the supply amount of the mixed gas and the silane may be appropriately adjusted as necessary.
도 5에서는 실리콘산화막(SiO2) 형성을 위한 증착장치를 개략적으로 도시하였으나, 본 발명은 산소와 헬륨의 혼합가스를 공급함으로써 형성할 수 있는 BPSG(Boron Phosphorus Silicate Glass)막 또는 FSG(Phosphorus Silicate Glass)막 또는 FSG(Fluorine-doped Silicate Glass)막 형성에도 적용할 수 있다.In FIG. 5, a deposition apparatus for forming a silicon oxide film (SiO 2 ) is schematically illustrated. However, the present invention provides a BPSG (Boron Phosphorus Silicate Glass) film or Phosphorus Silicate Glass (FSG) which can be formed by supplying a mixed gas of oxygen and helium. It can also be applied to the formation of a film or a Fluorine-doped Silicate Glass (FSG) film.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 고밀도 플라즈마 증착방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.6 to 8 are process cross-sectional views for explaining a high density plasma deposition method according to a preferred embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, 갭 영역(62)을 갖는 기판(60) 상에 고밀도 플라즈마 증착방법을이용하여 산화막(64)을 형성한다. 본 발명에 따르면, 산소와 헬륨의 혼합가스(HeO2) 및 시레인(SiH4)을 상기 기판(60)이 배치된 반응챔버 내에 공급하고, 플라즈마를 여기시킴으로써 증착과 식각을 동시에 수행하여 상기 산화막(64)을 형성한다. 상기 갭 영역(62) 입구의 가장자리에는 패싯(66)이 형성된다.Referring to FIG. 6, an oxide film 64 is formed on a substrate 60 having a gap region 62 by using a high density plasma deposition method. According to the present invention, a mixed gas of oxygen and helium (HeO 2 ) and silane (SiH 4 ) are supplied into a reaction chamber in which the substrate 60 is disposed, and the deposition and etching are simultaneously performed by exciting the plasma to form the oxide film. Form 64. Facets 66 are formed at the edges of the gap region 62 inlet.
도 7을 참조하면, 증착공정이 계속 진행되는 동안 상기 갭 영역(62)은 산화막으로 점점 채워진다. 본 발명은 헬륨을 포함하는 공정가스를 사용함으로써 식각/증착 비가 낮다 따라서 상기 패싯(66)은 상기 갭 영역(62)의 모서리로부터 점점 멀어지고, 동시에 상기 갭 영역(62) 내에서 대향하는 산화막의 표면은 더욱 더 가까워진다. 또한, 가벼운 헬륨을 포함하는 공정가스를 사용하기 때문에 식각된 물질이 맞은편 측벽에 재증착되지 않는다. 따라서, 종횡비가 높은 갭 영역을 효과적으로 채울 수도 있다.Referring to FIG. 7, the gap region 62 is gradually filled with an oxide film while the deposition process continues. According to the present invention, the etching / deposition ratio is low by using a process gas including helium. Thus, the facet 66 is gradually moved away from the edge of the gap region 62, and at the same time, the surface of the oxide film opposing in the gap region 62 is removed. The surface gets even closer. In addition, because of the use of a process gas comprising light helium, the etched material does not redeposit on the opposite sidewall. Therefore, the gap region with a high aspect ratio can be effectively filled.
도 8을 참조하면, 상기 갭 영역(62) 내에서 대향하는 산화막의 표면이 서로 접촉하여 상기 갭 영역(62)이 산화막으로 완전히 채워진다. 이 때, 상기 패싯(66)은 상기 기판(60)으로 부터 더욱 더 멀어져서 상기 갭 영역(62)의 상부에 위치하게 된다. 종래기술에 따르면 도 2에 도시된 것과 같이 상기 갭 영역(62)이 채워진 후에 패싯(66)이 상기 갭 영역(62) 내에 위치할 수 있다. 따라서, 종래기술에서는 추가적인 증착시간이 더 필요하였으나, 본 발명에 따르면 상기 패싯(66)은 상기 기판(60)으로부터 멀어져서 형성되기 때문에 추가적인 증착시간이 필요하지 않다.Referring to FIG. 8, the surfaces of opposing oxide films in the gap regions 62 are in contact with each other so that the gap regions 62 are completely filled with oxide films. At this time, the facet 66 is further away from the substrate 60 to be located above the gap region 62. According to the prior art, the facet 66 may be located in the gap region 62 after the gap region 62 is filled as shown in FIG. 2. Therefore, in the prior art, an additional deposition time is required, but according to the present invention, since the facet 66 is formed away from the substrate 60, no additional deposition time is required.
상술한 것과 같이 본 발명에 따르면, 산소와 헬륨의 혼합가스와 시레인을 반응챔버에 공급하여 고밀도 플라즈마 증착방법을 형성한다. 종래에는 산소와 헬륨을 각각 반응챔버 내에 공급하기 때문에 산소와 헬륨의 조성비를 얻기 위해서는 각각 그 유량을 제어하여야 하였다. 그러나, 본 발명에 따르면 소정의 조성비로 혼합된 혼합가스를 반응 챔버 내에 공급하기 때문에 유량제어가 용이한 장점을 가진다.As described above, according to the present invention, a mixed gas of oxygen and helium and silane are supplied to the reaction chamber to form a high density plasma deposition method. Conventionally, since oxygen and helium are respectively supplied into the reaction chamber, the flow rate has to be controlled to obtain a composition ratio of oxygen and helium. However, according to the present invention, since the mixed gas mixed at a predetermined composition ratio is supplied into the reaction chamber, flow rate control is easy.
또한, 헬륨을 포함하는 공정가스를 이용함으로써 식각된 물질의 재증착을 예방할 수 있기 때문에 갭 영역 입구에 돌출부가 형성됨으로써 보이드를 유발하는 통상적인 고밀도 플라즈마 증착방법의 문제점을 극복할 수 있다.In addition, since the redeposition of the etched material can be prevented by using a process gas containing helium, a protrusion is formed at the entrance of the gap region, thereby overcoming a problem of the conventional high density plasma deposition method that causes voids.
도 1 내지 도 3은 통상적인 고밀도 플라즈마 증착방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.1 to 3 are cross-sectional views illustrating a conventional high density plasma deposition method.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 고밀도 플라즈마 증착방법을 나타낸 공정흐름도이다.Figure 4 is a process flow diagram showing a high density plasma deposition method according to a preferred embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 고밀도 플라즈마 증착 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.5 is a schematic view showing a high density plasma deposition apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 고밀도 플라즈마 증착방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.6 to 8 are process cross-sectional views for explaining a high density plasma deposition method according to a preferred embodiment of the present invention.
Claims (5)
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|---|---|---|---|
| KR10-2003-0037917A KR100534026B1 (en) | 2003-06-12 | 2003-06-12 | Method of hdp-cvd process for filling high aspect ratio gaps |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR20040107084A (en) | 2004-12-20 |
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