KR100532950B1 - Wet-cleaning method of wafer - Google Patents
Wet-cleaning method of wafer Download PDFInfo
- Publication number
- KR100532950B1 KR100532950B1 KR10-2003-0024069A KR20030024069A KR100532950B1 KR 100532950 B1 KR100532950 B1 KR 100532950B1 KR 20030024069 A KR20030024069 A KR 20030024069A KR 100532950 B1 KR100532950 B1 KR 100532950B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- wet cleaning
- chemical layer
- polar
- polar chemical
- Prior art date
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000007523 nucleic acids Chemical class 0.000 claims description 4
- 102000039446 nucleic acids Human genes 0.000 claims description 4
- 108020004707 nucleic acids Proteins 0.000 claims description 4
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims description 2
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 claims description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 47
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002355 dual-layer Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- C11D2111/22—
Abstract
본 발명은 웨이퍼 습식 세정 방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 웨이퍼 습식 세정 방법은, 습식 세정용기 내에 서로 섞이지 않는 극성 케미컬층과 무극성 케미컬층으로 이루어진 2층의 케미컬액을 상기 무극성 케미컬층이 위에 배치되게 채우는 단계; 상기 습식 세정용기 내의 극성 케미컬층 내에 잠기도록 웨이퍼를 수직 방향으로 인입시켜 상기 웨이퍼 표면으로부터 입자성 이물을 제거하는 단계; 및 상기 표면의 입자성 이물이 제거된 웨이퍼를 상기 습식 세정용기 밖으로 인출시키는 단계;를 포함하며, 상기 웨이퍼 표면으로부터 제거된 입자성 이물은 극성 케미컬 내에 부유되며, 상기 습식 세정용기 밖으로의 웨이퍼 인출시 상기 극성 케미컬 내에 부유하고 있는 입자성 이물은 상기 무극성 케미컬층의 방해 작용에 의해 상기 웨이퍼 표면에 재흡착되는 것이 방지되는 것을 특징으로 한다. The present invention discloses a wafer wet cleaning method. The disclosed wet cleaning method of the present invention comprises the steps of: filling a non-chemical chemical layer disposed thereon with a two-layered chemical liquid comprising a polar chemical layer and a non-polar chemical layer which are not mixed with each other in a wet cleaning container; Removing particulate foreign material from the wafer surface by drawing the wafer in a vertical direction to be immersed in the polar chemical layer in the wet cleaning vessel; And drawing out the wafer from which the particulate foreign material on the surface has been removed from the wet cleaning container, wherein the particulate foreign material removed from the wafer surface is suspended in the polar chemical and is removed from the wet cleaning container. Particulate foreign matter suspended in the polar chemical is prevented from being resorbed on the surface of the wafer by the interference action of the non-polar chemical layer.
Description
본 발명은 웨이퍼 세정 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 케미컬액을 이용하여 웨이퍼 표면의 입자성 이물을 제거하는 웨이퍼 습식 세정 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer cleaning method, and more particularly, to a wafer wet cleaning method for removing particulate foreign matter on a wafer surface using a chemical liquid.
일반적으로 알려진 바와 같이, 반도체 소자가 고집적화 및 고성능화됨에 따라 실리콘 웨이퍼에 대한 세정도 요구가 더욱 엄격해지고 있다. 따라서, 청정도가 높은 웨이퍼 표면을 확보하는 세정 기술이 무엇보다도 절실하게 요구되고 있다.As is generally known, as semiconductor devices become more integrated and higher performance, the demand for cleaning of silicon wafers becomes ever more stringent. Therefore, above all, there is an urgent need for a cleaning technology for securing a wafer surface having high cleanliness.
도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 따른 웨이퍼 습식 세정 방법을 설명하기 위한 공정단면도이다.1A to 1C are cross-sectional views illustrating a method of wet cleaning a wafer according to the related art.
종래 기술에 따른 웨이퍼 습식 세정 방법은, 먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이, 습식 세정용기(1) 내에 케미컬액(4)을 채운다. 이때, 상기 케미컬액(4)은 웨이퍼 표면의 입자성 이물을 제거하기 위한 것으로서, HF 또는 DI.W(DeIonized Water) 등을 이용한다. In the wafer wet cleaning method according to the related art, first, as shown in FIG. 1A, the chemical liquid 4 is filled into the wet cleaning container 1. At this time, the chemical liquid 4 is for removing particulate foreign matter on the wafer surface, using HF or DI.W (DeIonized Water).
이어서, 도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 습식 세정용기(1) 내로 웨이퍼(3)를 수직 방향으로 인입시켜 상기 웨이퍼(3)가 케미컬액(4) 내로 완전히 잠기도록 한다. 이때, 상기 웨이퍼(3) 표면의 입자성 이물(2)은 상기 케미컬액(4)과 상호 인력 작용에 의해 웨이퍼(3) 표면으로부터 제거된다.Subsequently, as shown in FIG. 1B, the wafer 3 is drawn vertically into the wet cleaning container 1 so that the wafer 3 is completely submerged into the chemical liquid 4. At this time, the particulate foreign material 2 on the surface of the wafer 3 is removed from the surface of the wafer 3 by mutual attraction action with the chemical liquid 4.
그런다음, 도 1c에 도시된 바와 같이, 상기 습식 세정용기(1)로부터 표면의 입자성 이물이 제거된 웨이퍼(3)를 인출시킨다. Then, as shown in FIG. 1C, the wafer 3 from which the particulate foreign matter on the surface is removed from the wet cleaning container 1 is taken out.
그러나, 종래의 기술에서는 습식 세정용기 내에 케미켈액으로서 단일의 액체를 이용하여 웨이퍼 표면의 입자성 이물을 세정하였다. However, in the prior art, the particulate foreign material on the wafer surface was cleaned using a single liquid as the chemical liquid in the wet cleaning container.
삭제delete
즉, 종래의 기술에서는 HF 또는 DI.W 등의 단일의 케미컬액이 담긴 습식 세정용기 내로 웨이퍼를 인입시켜 케미컬액의 표면 장력에 의해 웨이퍼 표면의 입자성 이물을 제거하였다. 그런데, 이와같은 종래 기술에서는 웨이퍼 표면으로부터 제거된 입자성 이물이 케미컬액 내에 부유하게 되는 바, 상기 웨이퍼를 세정용기 밖으로 인출시키는 과정에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 케미컬액(4) 내에 부유하고 있던 입자성 이물(2)이 웨이퍼(3) 표면에 재흡착되는 문제가 발생된다. That is, in the prior art, the wafer was introduced into a wet cleaning container containing a single chemical liquid such as HF or DI.W to remove particulate foreign matter on the surface of the wafer by the surface tension of the chemical liquid. However, in such a prior art, the particulate foreign material removed from the wafer surface becomes suspended in the chemical liquid, and as shown in FIG. 2, in the process of drawing the wafer out of the cleaning container, the chemical liquid 4 is contained in the chemical liquid 4. A problem arises in which the suspended particulate matter 2 is resorbed on the surface of the wafer 3.
이에 본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 케미컬액 내의 부유하고 있는 입자성 이물이 다시 웨이퍼에 재흡착되는 것을 방지할 수 있는 웨이퍼 습식 세정 방법을 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a wafer wet cleaning method which can prevent the particulate foreign matter suspended in the chemical liquid from being resorbed to the wafer again.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 습식 세정 방법은, 습식 세정용기 내에 서로 섞이지 않는 극성 케미컬층과 무극성 케미컬층으로 이루어진 2층의 케미컬액을 상기 무극성 케미컬층이 위에 배치되게 채우는 단계; 상기 습식 세정용기 내의 극성 케미컬층 내에 잠기도록 웨이퍼를 수직 방향으로 인입시켜 상기 웨이퍼 표면으로부터 입자성 이물을 제거하는 단계; 및 상기 표면의 입자성 이물이 제거된 웨이퍼를 상기 습식 세정용기 밖으로 인출시키는 단계;를 포함하며, 상기 웨이퍼 표면으로부터 제거된 입자성 이물은 극성 케미컬 내에 부유되며, 상기 습식 세정용기 밖으로의 웨이퍼 인출시 상기 극성 케미컬 내에 부유하고 있는 입자성 이물은 상기 무극성 케미컬층의 방해 작용에 의해 상기 웨이퍼 표면에 재흡착되는 것이 방지되는 것을 특징으로 한다. Wafer wet cleaning method according to the present invention for achieving the above object comprises the steps of filling the non-polar chemical layer disposed on the two-layer chemical liquid consisting of a polar chemical layer and a non-polar chemical layer is not mixed with each other in a wet cleaning container; Removing particulate foreign material from the wafer surface by drawing the wafer in a vertical direction to be immersed in the polar chemical layer in the wet cleaning vessel; And drawing out the wafer from which the particulate foreign material on the surface has been removed from the wet cleaning container, wherein the particulate foreign material removed from the wafer surface is suspended in the polar chemical and is removed from the wet cleaning container. Particulate foreign matter suspended in the polar chemical is prevented from being resorbed on the surface of the wafer by the interference action of the non-polar chemical layer.
(실시예)이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다. Embodiments Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 웨이퍼 습식 세정 방법을 설명하기 위한 공정단면도이다.3A to 3D are cross-sectional views illustrating a method of wet cleaning a wafer according to the present invention.
먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이, 습식 세정용기(10) 내에 서로 섞이지 않는 극성 케미컬층(11)과 무극성 케미컬층(12)으로 이루어진 2층의 케미컬액을 채운다. 이때, 상기 무극성 케미컬층(12)이 위에 배치되도록 채운다. 여기서, 상기 극성 케미컬층(11)은 표면 장력이 강한 NH4OH, HCl, HF, NaOH, HNO3, H2O2, ROH(R은 알킬기), 숙신산(HOOCCH2CH2COOH), 시트르산(C3H4(OH)(COOH)3) 중 어느 하나의 케미컬액 또는 하나 이상을 혼합한 케미컬액을 사용하며, 1∼10000ℓ용량으로 채운다. 상기 무극성 케미컬층(12)은 상기 극성 케미컬층(11)에 비해 표면 장력이 작은 에테르(RCOOR'), 벤젠(C6H6), 아세톤((CH3)2C0), 사염화탄소(CCl4) 및 핵산(Nucleic acid) 중 어느 하나의 케미컬액 또는 하나 이상의 혼합액을 사용하며, 1∼10000ℓ용량으로 채운다. 한편, 상기 습식 세정용기(10)의 재질로는 테프론(teflon) 또는 쿼츠(quartz) 등을 이용한다.First, as shown in FIG. 3A, two layers of chemical liquids, which are not mixed with each other, of the polar chemical layer 11 and the nonpolar chemical layer 12 are filled in the wet cleaning container 10. At this time, the non-polar chemical layer 12 is filled to be disposed thereon. Here, the polar chemical layer 11 is NH4OH, HCl, HF, NaOH, HNO3, H2O2, ROH (R is an alkyl group), succinic acid (HOOCCH2CH2COOH), citric acid (C3H4 (OH) (COOH) 3) having a strong surface tension Use any one of the chemical liquids or a mixture of one or more chemical liquids, and fill with 1 to 10000 l capacity. The non-polar chemical layer 12 has a lower surface tension than the polar chemical layer 11 ether (RCOOR '), benzene (C6H6), acetone ((CH3) 2C0), carbon tetrachloride (CCl4) and nucleic acid (Nucleic acid) Any one of the chemical liquids or one or more mixed liquids are used, and is filled with a capacity of 1 to 10000 l. Meanwhile, a material of the wet cleaning container 10 uses teflon or quartz.
이어서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 습식 세정용기(10) 내로 웨이퍼(13)를 수직 방향으로 인입시키되, 웨이퍼(13)가 극성 케미컬층(11)에 완전히 잠기도록 한다. 이때, 상기 웨이퍼(13)의 크기는 4인치 이상을 이용한다. 또한, 상기 습식 세정용기(10)의 온도는 -10∼200℃을 유지한다.Subsequently, as shown in FIG. 3B, the wafer 13 is introduced into the wet cleaning container 10 in the vertical direction, so that the wafer 13 is completely immersed in the polar chemical layer 11. At this time, the size of the wafer 13 uses 4 inches or more. In addition, the temperature of the wet cleaning vessel 10 is maintained at -10 ~ 200 ℃.
이 과정에서, 상기 웨이퍼(13) 표면의 입자성 이물(14)은 극성 케미컬층(11)의 강한 표면 장력에 의해 웨이퍼(13)의 표면으로부터 분리되며, 분리된 입자성 이물(14)은 극성 케미컬층(11)에 부유하게 된다.In this process, the particulate foreign material 14 on the surface of the wafer 13 is separated from the surface of the wafer 13 by the strong surface tension of the polar chemical layer 11, and the separated particulate foreign material 14 is polarized. It will float in the chemical layer 11.
그런 다음, 도 3c 및 도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 입자성 이물(14)이 분리된 웨이퍼(13)를 상기 무극성 케미컬층(12)을 통과하여 세정용기(10) 밖으로 인출시킨다. 이때, 상기 웨이퍼(13)의 인출 속도는 0.0001∼1000mm/sec를 유지한다.Then, as illustrated in FIGS. 3C and 3D, the wafer 13 from which the particulate foreign material 14 is separated is drawn out of the cleaning container 10 through the nonpolar chemical layer 12. At this time, the extraction speed of the wafer 13 is maintained at 0.0001 to 1000mm / sec.
여기서, 본 발명에서는 웨이퍼(13)의 인출시 상기 웨이퍼(13)가 무극성 케미컬층(12)을 통과하면서 상기 표면 장력이 작은 무극성 케미컬층(12)의 방해 작용으로 인해 상기 극성 케미컬층(11) 내에 부유하고 있는 입자성 이물(14)이 상기 웨이퍼(13) 표면에 재흡착되는 것이 방지된다.Here, in the present invention, when the wafer 13 is taken out, the polar chemical layer 11 may pass through the non-polar chemical layer 12, and the polar chemical layer 11 may be prevented due to the interference action of the non-polar chemical layer 12 having a small surface tension. The particulate foreign matter 14 floating in the inside is prevented from being resorbed on the surface of the wafer 13.
따라서, 본 발명은 웨이퍼 표면의 입자성 이물을 제거하기 위한 케미컬액으로서 극성 케미컬층과 무극성 케미컬층의 2중층으로 이루어진 케미컬액을 사용함으로써 상기 극성 케미컬액에 의해 웨이퍼 표면으로부터 입자성 이물을 제거할 수 있으며, 또한, 상기 무극성 케미컬액에 의해 상기 분리된 입자성 이물이 웨이퍼 표면에 재흡착되는 것을 방지할 수 있다. Accordingly, the present invention uses a chemical liquid consisting of a dual layer of a polar chemical layer and a nonpolar chemical layer as a chemical liquid for removing particulate foreign matter on the wafer surface, thereby removing particulate foreign matter from the wafer surface by the polar chemical liquid. In addition, the separated particulate matter may be prevented from being resorbed on the wafer surface by the nonpolar chemical liquid.
이상에서와 같이, 본 발명은 습식 세정용기 내에 극성 케미컬층/무극성 케미컬층의 2중층으로 이루어진 케미컬액을 공급한 다음, 상기 케미컬액을 이용하여 웨이퍼를 습식 세정함으로써, 상기 극성 케미컬층의 강한 표면 장력에 의해 웨이퍼 표면으로부터 입자성 이물을 제거할 수 있으며, 또한, 상기 무극성 케미컬층의 방해 작용을 통해 상기 분리된 입자성 이물이 웨이퍼 표면에 재흡착되는 것을 방지할 수 있다. As described above, the present invention provides a strong surface of the polar chemical layer by supplying a chemical liquid consisting of a double layer of a polar chemical layer / a non-polar chemical layer in a wet cleaning container, and then wet cleaning the wafer using the chemical liquid. It is possible to remove particulate foreign matter from the wafer surface by tension, and also to prevent the separated particulate foreign material from being resorbed on the wafer surface through the blocking action of the nonpolar chemical layer.
따라서, 본 발명은 청정도가 높은 웨이퍼 표면을 확보 가능함으로써, 생산 수율 및 높은 신뢰성의 반도체 디바이스를 확보할 수 있는 이점이 있다. Therefore, the present invention can secure a wafer surface with high cleanliness, and thus there is an advantage that a semiconductor device with high production yield and high reliability can be secured.
기타, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다. In addition, this invention can be implemented in various changes within the range which does not deviate from the summary.
도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 따른 웨이퍼 습식 세정 방법을 설명하기 위한 공정단면도.1A to 1C are cross-sectional views illustrating a method of wet cleaning a wafer according to the related art.
도 2는 종래 기술에 따른 웨이퍼 습식 세정 방법의 문제점을 도시한 도면.2 illustrates a problem of a wafer wet cleaning method according to the prior art.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 웨이퍼 습식 세정 방법을 설명하기 위한 공정단면도.3A to 3D are cross-sectional views illustrating a method of wet cleaning a wafer according to the present invention.
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0024069A KR100532950B1 (en) | 2003-04-16 | 2003-04-16 | Wet-cleaning method of wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0024069A KR100532950B1 (en) | 2003-04-16 | 2003-04-16 | Wet-cleaning method of wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040090138A KR20040090138A (en) | 2004-10-22 |
| KR100532950B1 true KR100532950B1 (en) | 2005-12-02 |
Family
ID=37371302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0024069A KR100532950B1 (en) | 2003-04-16 | 2003-04-16 | Wet-cleaning method of wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100532950B1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200053096A (en) * | 2018-11-08 | 2020-05-18 | 삼성전자주식회사 | Method of cleaning a semiconductor chip and apparatus for performing the same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01146331A (en) * | 1987-12-03 | 1989-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Surface treatment method for plane type object to be treated |
| KR970003586A (en) * | 1995-06-30 | 1997-01-28 | 김주용 | Semiconductor Wafer Cleaning Method |
| KR0155305B1 (en) * | 1994-12-23 | 1998-12-01 | 정선종 | Wafer drying method |
| JP2003100712A (en) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Sharp Corp | Method for cleaning metal oxide thin film |
-
2003
- 2003-04-16 KR KR10-2003-0024069A patent/KR100532950B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01146331A (en) * | 1987-12-03 | 1989-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Surface treatment method for plane type object to be treated |
| KR0155305B1 (en) * | 1994-12-23 | 1998-12-01 | 정선종 | Wafer drying method |
| KR970003586A (en) * | 1995-06-30 | 1997-01-28 | 김주용 | Semiconductor Wafer Cleaning Method |
| JP2003100712A (en) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Sharp Corp | Method for cleaning metal oxide thin film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20040090138A (en) | 2004-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7641738B2 (en) | Method of wet cleaning a surface, especially of a material of the silicon-germanium type | |
| US6274059B1 (en) | Method to remove metals in a scrubber | |
| US6410436B2 (en) | Method of cleaning porous body, and process for producing porous body, non-porous film or bonded substrate | |
| KR100370312B1 (en) | Cleaning method of porous surface and semiconductor surface | |
| KR102349982B1 (en) | Pressure feed container, storage method using the pressure feed container, and method for transferring liquid using the pressure feed container | |
| US20060254612A1 (en) | Polar fluid removal from surfaces using supercritical fluids | |
| KR20090006265A (en) | Plasma cleaing method | |
| KR19990023914A (en) | Apparatus and method for etching dielectric layer on semiconductor substrate | |
| KR970067662A (en) | Cleaning liquid of semiconductor substrate and cleaning method using same | |
| Tong et al. | A simple chemical treatment for preventing thermal bubbles in silicon wafer bonding | |
| KR100532950B1 (en) | Wet-cleaning method of wafer | |
| JP3857314B2 (en) | Silicon drying method | |
| CN104817055B (en) | The forming method of semiconductor structure | |
| JP3210800B2 (en) | Semiconductor substrate cleaning method | |
| CN110447088B (en) | Method for cleaning semiconductor wafer | |
| JPH09246227A (en) | Silicon wafer cleaning equipment | |
| KR20030095589A (en) | Method For Manufacturing Semiconductors | |
| JPH0813165A (en) | Method for etching silicon | |
| KR100234401B1 (en) | Wafer cleaning method | |
| KR0155305B1 (en) | Wafer drying method | |
| US6939408B1 (en) | Method for surface preparation of workpieces utilizing fluid separation techniques | |
| KR960008670Y1 (en) | Processing chemical supplying system for semiconductor manufacture | |
| KR100495653B1 (en) | Process for clearing an wafer | |
| JPH11354476A (en) | Method for storing silicon wafer | |
| JP2001007072A (en) | Cleaning liquid |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20101025 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |