JPH11354476A - Method for storing silicon wafer - Google Patents
Method for storing silicon waferInfo
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- JPH11354476A JPH11354476A JP16164898A JP16164898A JPH11354476A JP H11354476 A JPH11354476 A JP H11354476A JP 16164898 A JP16164898 A JP 16164898A JP 16164898 A JP16164898 A JP 16164898A JP H11354476 A JPH11354476 A JP H11354476A
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- silicon wafer
- nitrogen gas
- ultrapure water
- storing
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- Prevention Of Fouling (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】 本発明は、ポリッシング処
理後のシリコンウエハ表面を清浄に保持するシリコンウ
エハの保管方法に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a method for storing a silicon wafer that keeps the surface of the silicon wafer after polishing processing clean.
【０００２】[0002]
【従来の技術】 半導体デバイスの微細化と高集積化が
進むに従って、シリコンウエハの表面汚染が、製造歩留
まりやデバイス特性・信頼性に与える影響はますます大
きくなっている。このため、シリコンウエハ表面をいか
に清浄に保つかが重要であり、ポリッシング処理後のシ
リコンウエハでは、化学的洗浄と機械的洗浄を組み合わ
した最終洗浄が行われている。2. Description of the Related Art As semiconductor devices become finer and more highly integrated, the influence of silicon wafer surface contamination on the manufacturing yield, device characteristics, and reliability is increasing more and more. For this reason, it is important how to keep the surface of the silicon wafer clean. The silicon wafer after the polishing process is subjected to final cleaning combining chemical cleaning and mechanical cleaning.
【０００３】 しかしながら、ポリッシング処理直後の
シリコンウエハは、ポリッシングで用いたコロイダルシ
リカ研磨液やワックス等の汚染物がこびりついている。
このため、このままの状態で一時保管した場合、シリコ
ンウエハ表面に汚れがこびりついてしまい、最終洗浄を
行っても、汚染物（パーティクル）を確実に除去するこ
とが困難であった。[0005] However, contaminants such as colloidal silica polishing liquid and wax used in the polishing are stuck to the silicon wafer immediately after the polishing process.
For this reason, when the silicon wafer is temporarily stored in this state, dirt sticks to the surface of the silicon wafer, and it is difficult to reliably remove contaminants (particles) even after the final cleaning.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】 本発明は上記した従
来の課題に鑑みてなされたものであり、その目的とする
ところは、シリコンウエハ表面への汚染微粒子付着や吸
着・反応による表面薄膜形成による表面汚染を抑制する
とともに、比較的大きな汚染物（パーティクル）を除去
することができるため、ポリッシング処理後のシリコン
ウエハ表面を清浄に保持することができるシリコンウエ
ハの保管方法を提供するものである。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to form a surface thin film by adhesion of contaminating fine particles to a silicon wafer surface or adsorption / reaction. An object of the present invention is to provide a method for storing a silicon wafer, which can suppress surface contamination and remove relatively large contaminants (particles), so that the surface of the silicon wafer after the polishing process can be kept clean.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】 すなわち、本発明によ
れば、ポリッシング処理直後のシリコンウエハを清浄に
保管するシリコンウエハの保管方法であって、窒素ガス
でバブリングした超純水中に、シリコンウエハを浸すこ
とを特徴とするシリコンウエハの保管方法が提供され
る。That is, according to the present invention, there is provided a method for storing a silicon wafer in a state where the silicon wafer immediately after the polishing process is cleanly stored, wherein the silicon wafer is stored in ultrapure water bubbled with nitrogen gas. A method for storing a silicon wafer, characterized by immersing the silicon wafer, is provided.
【０００６】 また、本発明においては、窒素ガスの流
量が、０．１〜５．０ｋｇｆ／ｍ2であることが好まし
い。In the present invention, it is preferable that the flow rate of the nitrogen gas is 0.1 to 5.0 kgf / m 2 .
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】 本発明のシリコンウエハの保管
方法は、窒素ガスでバブリングした超純水中に、シリコ
ンウエハを浸すものである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the method for storing a silicon wafer of the present invention, a silicon wafer is immersed in ultrapure water bubbled with nitrogen gas.
【０００８】 上記のようなシリコンウエハの保管方法
は、シリコンウエハ表面への汚染微粒子付着や吸着・反
応による表面薄膜形成による表面汚染を抑制するととも
に、比較的大きな汚染物（パーティクル）を除去するこ
とができるため、ポリッシング処理後のシリコンウエハ
表面を清浄に保持することができる。The above-described method of storing a silicon wafer suppresses surface contamination due to adhesion of contaminant fine particles on the surface of the silicon wafer and formation of a surface thin film by adsorption / reaction, and also removes relatively large contaminants (particles). Therefore, the surface of the silicon wafer after the polishing process can be kept clean.
【０００９】 また、本発明のシリコンウエハの保管方
法の主な特徴としては、超純水中に投入したシリコンウ
エハを窒素ガスでバブリングすることである。これによ
り、不安定なオゾンや過酸化水素で行うよりも保守管理
が容易であり、経済的である。The main feature of the method for storing a silicon wafer according to the present invention is that the silicon wafer put into ultrapure water is bubbled with nitrogen gas. This makes maintenance and management easier and more economical than using unstable ozone or hydrogen peroxide.
【００１０】 次に、本発明のシリコンウエハの保管方
法について詳細に説明する。図１は、本発明のシリコン
ウエハの保管方法の一例を説明した概略説明図である。
図１に示すように、シリコンウエハ２０を一時保管する
保管タンク１には、リンス処理用の超純水１０が充填さ
れており、保管タンク１の底部には、窒素ガスをバブリ
ングする散気管２とシリコンウエハ２０の下方および左
右斜め下方に窒素ガスの気泡（バブル）を当てる散気板
３がそれぞれ配設されている。Next, a method for storing a silicon wafer according to the present invention will be described in detail. FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an example of a method for storing a silicon wafer according to the present invention.
As shown in FIG. 1, a storage tank 1 for temporarily storing a silicon wafer 20 is filled with ultrapure water 10 for rinsing treatment, and a diffusion pipe 2 for bubbling nitrogen gas is provided at the bottom of the storage tank 1. And a diffuser plate 3 for applying nitrogen gas bubbles below the silicon wafer 20 and obliquely below the silicon wafer 20.
【００１１】 ここで、ポリッシング処理後のシリコン
ウエハ２０を保管タンク１に投入すると、窒素ガスの気
泡（バブル）の破裂によるスクラビング効果と超純水１
０によるリンス効果により、シリコンウエハ２０表面に
こびりついたコロイダルシリカ研磨液やワックス等の汚
染物の付着や吸着・反応による表面薄膜形成等を抑制す
るとともに、比較的大きい汚染物（パーティクル）を除
去することができることから、シリコンウエハ２０を清
浄に保持することができる。Here, when the silicon wafer 20 after the polishing process is put into the storage tank 1, the scrubbing effect due to the burst of nitrogen gas bubbles and the ultrapure water 1
By the rinsing effect of 0, the adhesion of contaminants such as colloidal silica polishing liquid or wax adhered to the surface of the silicon wafer 20 and the formation of a surface thin film due to adsorption and reaction are suppressed, and relatively large contaminants (particles) are removed. Therefore, the silicon wafer 20 can be kept clean.
【００１２】 また、最終洗浄を行った後のシリコンウ
エハ表面の清浄度をより向上させることができる。Further, the cleanliness of the silicon wafer surface after the final cleaning can be further improved.
【００１３】 このとき、窒素ガスの流量は、０．１〜
５．０ｋｇｆ／ｍ2であることが好ましく、１．０〜
３．０ｋｇｆ／ｍ2であることがより好ましい。これ
は、シリコンウエハ２０に対して窒素ガスの気泡（バブ
ル）を十分当てることができ、なおかつシリコンウエハ
２０を浮かせるほど強くないからである。At this time, the flow rate of the nitrogen gas is 0.1 to
It is preferably 5.0 kgf / m 2 ,
More preferably, it is 3.0 kgf / m 2 . This is because nitrogen gas bubbles can be sufficiently applied to the silicon wafer 20 and are not strong enough to float the silicon wafer 20.
【００１４】 尚、超純水によるリンス処理は、保管タ
ンクの底部または上部から超純水を一定時間供給しオー
バーフローしつつシリコンウエハ表面処理を行うオーバ
ーフローリンスであることが好ましい。The rinsing treatment with ultrapure water is preferably an overflow rinsing in which silicon wafer surface treatment is performed while supplying ultrapure water from the bottom or upper part of the storage tank for a certain time and overflowing.
【００１５】[0015]
【実施例】 本発明を実施例に基づいて、更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限られるものでは
ない。尚、シリコンウエハ表面の清浄度は、以下に示す
方法により評価した。EXAMPLES The present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples. The cleanliness of the silicon wafer surface was evaluated by the following method.
【００１６】 （ＬＰＤの測定方法）ＬＰＤ（ライト・
ポイント・ディフェクト）とは、集光下で輝点として観
察できる欠陥、パーティクルおよび結晶欠陥等を表した
ものであり、日立電子エンジニアリング社製：ＬＳ−６
０００を用いて測定した。(Method of Measuring LPD) LPD (Light
The term “point defect” refers to defects, particles, crystal defects, and the like that can be observed as bright spots under condensed light, and is manufactured by Hitachi Electronics Engineering, Ltd .: LS-6.
000.
【００１７】 （実施例、比較例）常法によるポリッシ
ング処理後のシリコンウエハを、図１に示す保管タンク
１を用いて、窒素ガス（流量：１．０ｋｇｆ／ｍ2）で
バブリングしながら１０分間保管し、保管後のシリコン
ウエハのＬＰＤを測定するとともに、常法による最終洗
浄後のシリコンウエハのＬＰＤを測定した（実施例）。
また、比較例として、窒素ガスでバブリングしない場合
について、同様にシリコンウエハのＬＰＤをそれぞれ測
定した（比較例）。以上、得られた結果を表１に示す。(Examples and Comparative Examples) A silicon wafer after a polishing treatment by an ordinary method is bubbled with nitrogen gas (flow rate: 1.0 kgf / m 2 ) for 10 minutes using a storage tank 1 shown in FIG. The silicon wafer was stored, the LPD of the silicon wafer after storage was measured, and the LPD of the silicon wafer after final cleaning by a conventional method was measured (Example).
In addition, as a comparative example, the LPD of the silicon wafer was similarly measured when no bubbling was performed with nitrogen gas (comparative example). Table 1 shows the obtained results.
【００１８】[0018]
【表１】 [Table 1]
【００１９】[0019]
【発明の効果】 以上の説明から明らかなように、本発
明のシリコンウエハの保管方法は、シリコンウエハ表面
への汚染微粒子付着や吸着・反応による表面薄膜形成に
よる表面汚染を抑制するとともに、比較的大きな汚染物
（パーティクル）を除去することができるため、ポリッ
シング処理後のシリコンウエハ表面を清浄に保持するこ
とができる。As is apparent from the above description, the method for storing a silicon wafer of the present invention suppresses surface contamination due to adhesion of contaminating fine particles to the surface of the silicon wafer and formation of a surface thin film by adsorption / reaction, and relatively. Since large contaminants (particles) can be removed, the surface of the silicon wafer after the polishing treatment can be kept clean.
【００２０】 また、本発明のシリコンウエハの保管方
法は、超純水中に投入したシリコンウエハを窒素でバブ
リングすることにより、不安定なオゾンや過酸化水素で
行うよりも保守管理が容易であり、経済的である。In the method for storing a silicon wafer according to the present invention, by performing bubbling with nitrogen on a silicon wafer placed in ultrapure water, maintenance and management are easier than with an unstable ozone or hydrogen peroxide. Is economical.
【図１】 本発明のシリコンウエハの保管方法の一例を
説明した概略説明図である。FIG. 1 is a schematic explanatory view illustrating an example of a method for storing a silicon wafer of the present invention.
１…保管タンク、２…散気管、３…散気板、４…カセッ
ト、１０…超純水、２０…シリコンウエハ。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Storage tank, 2 ... Air diffuser, 3 ... Air diffuser plate, 4 ... Cassette, 10 ... Ultrapure water, 20 ... Silicon wafer.
Claims (2)
を清浄に保管するシリコンウエハの保管方法であって、 窒素ガスでバブリングした超純水中に、シリコンウエハ
を浸すことを特徴とするシリコンウエハの保管方法。1. A method for storing a silicon wafer, which cleanly stores a silicon wafer immediately after a polishing process, wherein the silicon wafer is immersed in ultrapure water bubbled with nitrogen gas. .
ｆ／ｍ2である請求項１に記載のシリコンウエハの保管
方法。2. The flow rate of nitrogen gas is 0.1 to 5.0 kg.
The method for storing a silicon wafer according to claim 1, wherein the f / m 2 is f / m 2 .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16164898A JPH11354476A (en) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | Method for storing silicon wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16164898A JPH11354476A (en) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | Method for storing silicon wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354476A true JPH11354476A (en) | 1999-12-24 |
Family
ID=15739189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16164898A Withdrawn JPH11354476A (en) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | Method for storing silicon wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11354476A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014013536A1 (en) * | 2012-07-17 | 2014-01-23 | 三洋電機株式会社 | Solar cell manufacturing method |
| US10121649B2 (en) | 2008-12-04 | 2018-11-06 | Siltronic Ag | Cleaning method of semiconductor wafer |
| CN112768347A (en) * | 2021-01-07 | 2021-05-07 | 天津中环领先材料技术有限公司 | Corrosion process for reducing thickness deviation value of damaged layer of wafer |
-
1998
- 1998-06-10 JP JP16164898A patent/JPH11354476A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10121649B2 (en) | 2008-12-04 | 2018-11-06 | Siltronic Ag | Cleaning method of semiconductor wafer |
| WO2014013536A1 (en) * | 2012-07-17 | 2014-01-23 | 三洋電機株式会社 | Solar cell manufacturing method |
| JPWO2014013536A1 (en) * | 2012-07-17 | 2016-06-23 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Manufacturing method of solar cell |
| CN112768347A (en) * | 2021-01-07 | 2021-05-07 | 天津中环领先材料技术有限公司 | Corrosion process for reducing thickness deviation value of damaged layer of wafer |
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Legal Events
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050906 |