KR100527190B1 - 다층구조 화소전극을 갖는 유기전계발광소자 및 그의제조방법 - Google Patents

다층구조 화소전극을 갖는 유기전계발광소자 및 그의제조방법 Download PDF

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Abstract

다층구조 화소전극을 갖는 유기전계발광소자 및 그의 제조방법을 제시한다. 기판 상에 상부 화소전극과 하부 화소전극을 갖는 다층구조 화소전극을 형성한다. 상기 화소전극이 형성된 기판 상에 트렌치를 갖는 화소정의막(pixel defined layer)을 형성하되, 상기 트렌치는 상기 상부 화소전극 상에 위치하도록 형성한다. 상기 트렌치를 갖는 화소정의막을 전면 건식식각함으로써, 상기 트렌치 바닥의 잔존화소정의막을 식각하여 상기 상부 화소전극을 노출시킨다. 상기 잔존화소정의막으로 인해 전해질용액인 현상액 또는 스트립용액에 상기 상부 화소전극막이 직접적으로 노출되지 않도록 함으로써, 상기 상부 화소전극막과 상기 하부 화소전극막 사이에 갈바닉 현상이 발생하지 않도록 한다. 결과적으로 상기 화소전극의 막파손을 방지함으로써 유기전계발광소자의 불량 발생을 감소시킨다.

Description

다층구조 화소전극을 갖는 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 {a organic electroluminescence device employing multi-layered pixel electrode and a method of fabricating the same}
본 발명은 유기전계발광소자(organic electroluminescence device) 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 특히 다층구조의 화소전극을 갖는 유기전계발광소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
유기전계발광소자는 배면발광형과 전면발광형으로 나뉘어지는데, 화소 구동회로가 내장된 유기전계발광소자가 배면발광형인 경우는 화소 구동회로가 기판을 차지하는 넓은 면적으로 인하여 빛이 나올 수 있는 면적 즉, 개구율에 심각한 제약을 받을 수 밖에 없다. 따라서, 개구율 향상을 위해 전면발광형 유기전계발광소자의 개념이 도입되게 되었다.
이러한 전면발광형 유기전계발광소자에 있어서 화소전극은 반사특성이 우수하고 적절한 일함수를 가지는 도전물질이 적당하나, 이러한 특성들을 동시에 만족하고 적용가능한 단일물질은 현재 없다고 보여진다. 따라서, 전면발광형 유기전계발광소자의 화소전극으로 다층구조를 채용함으로써 상기 특성들을 만족시키게 되었다.
대한민국 특허출원 제 2000-0058739호는 전면발광형 유기전계발광소자에 대해 개시하고 있다. 상기 유기전계발광소자는 기판, 상기 기판의 상면에 형성된 반사판, 상기 반사판의 상면에 형성된 제1 전극, 상기 제1전극의 상면에 형성된 발광층 및 상기 발광층의 상면에 빛을 투과시키도록 형성된 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이와 같이, 기판의 상면에 반사판을 형성하여 발광층에서 발광하는 빛이 기판의 반대방향으로 반사되는 구조 즉, 전면발광형 유기전계발광소자를 구현한다.
도 1은 종래의 다층구조 화소전극을 갖는 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판(10)상에 화소전극을 형성한다. 상기 기판(10)은 능동 매트릭스 유기전계발광소자의 경우 통상적인 방법에 의해 형성된 박막트랜지스터(미도시)를 포함한다. 상기 화소전극은 상부 화소전극(22)과 하부 화소전극(21)을 포함하는 다층구조를 갖는다. 상기 상부 화소전극(22)을 포함하는 기판(10) 상에 상기 상부 화소전극(22)을 노출시키는 개구부(45a)를 갖는 화소정의막(pixel defined layer; 45)을 형성한다.
상기 화소정의막(45)이 감광절연막인 경우는 상기 개구부(45a)는 노광 및 현상을 포함한 사진공정을 실시하여 형성한다. 상기 현상과정에서는 노광에 의해 화학적 결합에 변화가 생긴 화소정의막이 현상액에 의해 제거되면서 상기 개구부(45a)가 형성됨과 동시에 상기 상부 화소전극(22)을 노출시키게 되는데, 이 과정에서 상기 상부 화소전극(22)은 상기 현상액에 노출되게 된다.
상기 화소정의막(45)이 일반 절연막인 경우는 상기 개구부(45a)는 포토레지스트를 식각마스크로 한 식각공정을 실시하여 형성한다. 상기 식각공정 후에는 상기 포토레지스트는 스트립용액에 의해 제거되는데, 이 과정에서 상기 개구부(45a)내의 상기 상부 화소전극(22)은 상기 스트립용액에 노출되게 된다.
상기 현상액과 상기 스트립용액은 보통 전해질 용액이다. 상기 상부 화소전극(22)막에는 막 형성과정에서 발생한 핀홀(pin hole)이나 파티클(particle)로 인한 미세한 구멍이 있게 되는데, 그 구멍을 통해 상기 전해질 용액이 흘러 들어가게 되면, 상기 상부 화소전극(22)막과 그 하부의 상기 하부 화소전극(21)막이 동시에 상기 전해질 용액에 노출되게 된다.
특히, 상기 상부 화소전극(22)의 두께가 감소할수록 유기전계발광소자의 발광효율이 증가하는 경향이 있어 상기 상부 화소전극(22)의 두께를 얇게 하는 것이 바람직한데, 이 경우 상기 상부 화소전극(22)막 형성과정에 있어 핀홀이나 파티클에 의한 미세한 구멍이 생길 확률이 더욱 높아지게 되므로, 상기 상부 화소전극(22)막과 그 하부의 상기 하부 화소전극(21)막이 동시에 상기 전해질 용액에 노출될 확률 또한 높아진다.
한편, 갈바닉(galvanic) 현상은 기전력의 차이가 나는 두 물질이 동시에 전해질용액에 노출될 때 나타나는 현상으로 기전력(electromotive force; EMF)이 큰 물질이 부식(corrosion)된다.
상기 상부 화소전극(22)막과 상기 하부 화소전극(21)막은 서로 다른 물질이므로 기전력에 있어 차이날 수 있다. 이 경우 상술한 바와 같이 상기 상부 화소전극(22)막과 상기 하부 화소전극(21)막이 동시에 상기 전해질 용액에 노출되게 되면 갈바닉 현상이 발생한다. 결과적으로 상기 상부 화소전극(22)막과 상기 하부 화소전극(21)막 중 기전력이 큰 물질이 부식되어 화소전극의 막파손(22a)이 발생한다.
도 2는 상술한 바와 같은 제조방법에 있어 문제점을 설명하기 위한 사진으로, 상기 화소정의막(45) 형성후의 상기 상부 화소전극(22)의 표면을 촬영한 사진이다.
도 2를 참조하면, 상기 상부 화소전극(22) 표면에는 상술한 갈바닉 현상으로 인한 상기 상부 화소전극막의 파손(22a)이 발생한 것을 알 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 다층구조 화소전극 상에 화소정의막을 형성하는 과정에 있어 갈바닉 현상의 발생을 제지함으로써 화소전극막의 파손을 방지할 수 있는 다층구조 화소전극을 갖는 유기전계발광소자 및 그의 제조방법을 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 다층구조 화소전극을 갖는 유기전계발광소자의 일 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 기판 상에 상부 화소전극과 하부 화소전극을 갖는 다층구조 화소전극을 형성하고, 상기 화소전극이 형성된 기판 상에 상기 상부 화소전극 상에 위치하는 트렌치를 갖는 화소정의막(pixel defined layer)을 형성하고, 상기 트렌치 바닥의 잔존화소정의막을 식각하여 상기 상부 화소전극을 노출시키는 것을 포함한다.
상기 화소정의막은 감광절연막일 수 있다. 이 경우, 상기 트렌치는 하프-톤 노광법으로 형성되거나, 불충분 현상(under develop)을 실시하여 형성되는 것이 바람직하다.
상기 화소정의막은 일반 절연막일 수 있다. 이 경우, 상기 트렌치는 불충분 식각을 실시하여 형성되는 것이 바람직하다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 다층구조 화소전극을 갖는 유기전계발광소자의 다른 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 기판 상에 상부 화소전극과 하부 화소전극을 갖는 다층구조 화소전극을 형성하고, 상기 상부 화소전극이 형성된 기판의 전면 상에 화소전극보호막을 형성하고, 상기 화소전극보호막이 형성된 기판 상에 상기 상부 화소전극 상의 상기 화소전극보호막을 노출시키는 개구부를 갖는 화소정의막을 형성하고, 상기 노출된 화소전극보호막을 식각하여 상기 상부 화소전극을 노출시키는 것을 포함한다.
상기 화소전극보호막은 상기 상부 화소전극과 식각선택비를 갖는 물질인 것이 바람직하다.
상기 화소정의막은 감광절연막이거나 일반 절연막일 수 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 다층구조 화소전극을 갖는 유기전계발광소자를 제공한다. 상기 유기전계발광소자는 기판 상에 배치된 상부 화소전극과 하부 화소전극을 갖는 다층구조 화소전극, 상기 상부 화소전극 상에 배치된 발광층을 포함한 유기막, 상기 유기막과 상기 상부 화소전극 사이에 개재되고 상기 유기막과 상기 상부 화소전극을 연결하는 개구부를 갖는 화소정의막, 상기 화소정의막과 상기 상부 화소전극 사이에 개재된 화소전극보호막을 포함한다.
상기 화소전극보호막은 상기 상부 화소전극과 식각선택비를 갖는 물질인 것이 바람직하다.
상기 화소정의막은 감광절연막이거나 일반 절연막일 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.
도면들에 있어서, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 다층구조 화소전극을 갖는 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3a를 참조하면, 기판(100) 상에 화소전극을 형성한다. 상기 기판(100)은 능동 매트릭스 유기전계발광소자의 경우 통상적인 방법에 의해 형성된 박막트랜지스터(미도시)를 포함한다. 상기 화소전극은 상부 화소전극(202)과 그 하부의 하부 화소전극(201)을 포함하는 다층구조로 형성된다.
상기 하부 화소전극(201)은 반사율이 60%이상인 것이 바람직하고, 상기 화소전극이 애노드인 경우, 상기 상부 화소전극(202)은 일함수가 4.5 내지 5.8eV인 도전물질인 것이 바람직하다. 따라서,상기 하부 화소전극(201)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금, 은(Ag), 은 합금 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어진 것이 바람직하고, 상기 상부 화소전극(202)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 이리듐(Ir), 은(Ag) 및 그 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어지는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 상기 하부 화소전극(201)이 알루미늄(Al) 또는 알루미늄-네오디늄(AlNd)이고 상부 화소전극(202)은 ITO일 수 있다. 또한, 상기 하부 화소전극(201)의 두께는 50 내지 300㎚인 것이 바람직하며, 상기 상부 화소전극(202)의 두께는 1 내지 30㎚인 것이 바람직하다.
이어서, 상기 상부 화소전극(202)이 형성된 기판 상에 트렌치(405a)를 갖는 화소정의막(pixel defined layer; 405)을 형성한다. 상기 트렌치(405a)는 상기 상부 화소전극(202) 상에 위치하도록 한다. 상기 트렌치(405a) 바닥에는 잔존화소정의막(405b)이 남아 있다.
상기 화소정의막(405)은 감광절연막일 수 있다. 상기 감광절연막은 아크릴계 수지, BCB(benzocyclobutene), PI(polyimide)이 바람직하다. 이 경우 상기 트렌치(405a)는 하프-톤 노광법으로 형성하는 것이 바람직하다. 다시 말해서, 하프-톤 마스크를 이용한 노광과정에서, 상기 마스크의 하프-톤 부분에 의해 노광된 화소정의막은 그 상부 부분에 화학적 결합의 변화가 생기고, 그 하부 부분에는 화학적 결합의 변화가 생기지 않는다. 상기 화학적 결합의 변화가 생긴 상부 부분은 현상과정에서 제거되어 상기 트렌치(405a)를 형성하고, 상기 하부 부분은 상기 트렌치(405a) 바닥에 잔존화소정의막(405b)으로 남는다. 결과적으로, 상기 현상과정에서는 상기 잔존화소정의막(405b)으로 인해 상기 화소전극(202)이 현상액에 노출되는 것이 방지된다.
또한, 상기 화소정의막(405)이 감광절연막인 경우, 상기 트렌치(405a)는 불충분 현상(under develop)을 실시하여 형성하는 것이 바람직하다. 다시 말해서, 일반적인 노광을 실시하고 불충분한 현상(under develop)을 실시함으로써 상기 트렌치(405a)와 그 바닥의 상기 잔존화소정의막(405b)을 형성한다. 결과적으로, 상기 불충분 현상(under develop)과정에서는 상기 잔존화소정의막(405b)으로 인해 상기 상부 화소전극(202)이 현상액에 노출되는 것이 방지된다.
상기 화소정의막(405)은 일반 절연막일 수 있다. 이 경우 상기 트렌치(405a)는 불충분 식각을 실시하여 형성하는 것이 바람직하다. 다시 말해서, 포토레지스트막을 식각마스크로 하여 식각공정을 실시함에 있어 불충분하게 식각함으로써 상기 트렌치(405a)와 그 바닥의 상기 잔존화소정의막(405b)을 형성한다. 결과적으로, 후속하는 상기 포토레지스트막의 제거과정에 있어서는 상기 잔존화소정의막(405b)으로 인해 상기 상부 화소전극(202)이 스트립 용액에 노출되는 것이 방지된다.
도 3b를 참조하면, 상기 잔존화소정의막(405b)을 식각하여 상기 트렌치(405a) 내에 상부 화소전극(202)을 노출시킨다.
상기 화소정의막이 감광절연막인 경우는 상기 잔존화소정의막(405b)은 애슁으로 식각한다. 예를 들어, 애슁속도가 400nm/min인 경우 상기 잔존화소정의막(405b)이 200nm의 두께를 가진다면 애슁이 30초간 진행될 수 있다. 상기 애슁에 사용되는 기체는 산소(O2), 아르곤(Ar), 사불화탄소(CF4), 육불화황(SF6)등을 포함한다. 상기 애슁과정에 있어 상기 화소정의막(405)의 상부 또한 일부 식각될 수 있으며, 상기 애슁 기체에 노출된 상기 화소정의막(405)은 경화되어 아웃개싱(outgasing)이 감소되므로 유기전계발광소자의 수명을 향상시킨다.
상기 화소정의막이 일반 절연막인 경우는 상기 잔존화소정의막(405b)은 건식식각으로 식각한다. 상기 잔존화소정의막(405b)을 식각하는 과정에서 상기 화소정의막(405)의 상부 또한 일부 식각될 수 있다.
도 3c를 참조하면, 상기 노출된 상부 화소전극(202)을 포함하는 기판(100) 전면 상에 적어도 발광층이 포함된 유기막을 적층한다. 상기 유기막은 홀수송층(510), 발광층(530), 전자수송층(550), 전자주입층(570)을 포함하는 것이 바람직하다. 이들 유기막은 진공 열증착법을 사용하여 형성할 수 있다.
상기 유기막 상부에는 진공 열증착법, 스퍼터링법 등을 사용하여 투명전극(590)을 형성한다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 다층구조 화소전극을 갖는 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4a를 참조하면, 기판(100) 상에 화소전극을 형성한다. 상기 기판(100)은 능동 매트릭스 유기전계발광소자의 경우 통상적인 방법에 의해 형성된 박막트랜지스터(미도시)를 포함한다. 상기 화소전극은 상부 화소전극(202)과 그 하부의 하부 화소전극(201)을 포함하는 다층구조로 형성된다.
상기 하부 화소전극(201)은 반사율이 60%이상인 것이 바람직하고, 상기 화소전극이 애노드인 경우, 상기 상부 화소전극(202)은 일함수가 4.5 내지 5.8eV인 도전물질인 것이 바람직하다. 따라서,상기 하부 화소전극(201)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금, 은(Ag), 은 합금 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어진 것이 바람직하고, 상기 상부 화소전극(202)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 이리듐(Ir), 은(Ag) 및 그 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어지는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 상기 하부 화소전극(201)이 알루미늄(Al) 또는 알루미늄-네오디늄(AlNd)이고 상부 화소전극(202)은 ITO일 수 있다. 또한, 상기 하부 화소전극(201)의 두께는 50 내지 300㎚인 것이 바람직하며, 상기 상부 화소전극(202)의 두께는 1 내지 30㎚인 것이 바람직하다.
이어서, 상기 상부 화소전극(202)이 포함된 기판(100)의 전면 상에 화소전극보호막(300)을 형성한 후, 상기 화소전극보호막(300)을 노출시키는 개구부(405a)를 갖는 화소정의막(405)을 형성한다. 상기 개구부(405a)는 상기 상부 화소전극(202) 상에 위치한다.
상기 화소정의막(405)은 감광절연막일 수 있다. 상기 감광절연막은 아크릴계 수지, BCB(benzocyclobutene), PI(polyimide)이 바람직하다. 이 경우 상기 개구부(405a)는 노광 및 현상을 포함한 사진공정을 실시하여 형성함으로써, 상기 화소전극보호막(300)을 노출시킨다. 결과적으로, 상기 현상공정에서는 상기 개구부(405a)내의 상기 화소전극보호막(300)으로 인해 상기 상부 화소전극(202)이 현상액에 노출되는 것을 방지할 수 있다.
또한 상기 화소정의막(405)은 일반 절연막일 수 있다. 이 경우 포토레지스트막을 식각마스크로 한 식각공정을 실시하여 상기 개구부(405a)를 형성함으로써, 상기 화소전극보호막(300)을 노출시킨다. 결과적으로, 후속하는 상기 포토레지스트막의 제거과정에서는 상기 개구부(405a)내의 상기 화소전극보호막(300)으로 인해 상기 상부 화소전극막(202)이 스트립 용액에 노출되는 것을 방지할 수 있다.
도 4b를 참조하면, 상기 노출된 화소전극보호막(300)을 상기 화소정의막(405)을 식각마스크로 하여 건식식각함으로써, 상기 상부 화소전극(202)을 노출시킨다. 이 때, 상기 상부 화소전극(202)이 손상되는 것을 방지 하기 위해 상기 화소전극보호막(300)은 상기 상부 화소전극(202)에 대해 식각선택비를 갖는 물질인 것이 바람직하다.
도 4c를 참조하면, 상기 노출된 상부 화소전극(202)을 포함하는 기판(100) 전면 상에 적어도 발광층이 포함된 유기막을 적층한다. 상기 유기막은 홀수송층(510), 발광층(530), 전자수송층(550), 전자주입층(570)을 포함하는 것이 바람직하다. 이들 유기막은 진공 열증착법을 사용하여 형성할 수 있다.
상기 유기막 상부에는 진공 열증착법, 스퍼터링법 등을 사용하여 투명전극(590)을 형성한다.
도 4c를 다시 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 다층구조 화소전극을 갖는 유기전계발광소자를 설명한다.
기판(100) 상에 화소전극이 배치된다. 상기 기판(100)은 능동 매트릭스 유기전계발광소자의 경우 통상적인 방법에 의해 형성된 박막트랜지스터(미도시)를 포함한다. 상기 화소전극은 상부 화소전극(202)과 그 하부의 하부 화소전극(201)을 포함하는 다층구조이다.
상기 상부 화소전극(202) 상에는 적어도 발광층이 포함된 유기막이 배치된다. 상기 유기막은 홀수송층(510), 발광층(530), 전자수송층(550), 전자주입층(570)인 것이 바람직하다. 상기 유기막 상부에는 투명전극(590)이 배치된다.
상기 유기막과 상기 상부 화소전극(202) 사이에는 화소정의막(pixel defined layer; 405)이 개재되되, 상기 화소정의막(405)은 상기 유기막과 상기 상부 화소전극(202)을 연결하는 개구부(405a)를 갖는다.
또한, 상기 화소정의막(405)과 상기 상부 화소전극(202) 사이에 화소전극보호막(300)이 개재된다. 상기 화소전극보호막(300)은 상기 상부 화소전극(202)에 대해 식각선택비를 갖는 물질인 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 화소전극이 형성된 기판 상에 화소정의막을 형성함에 있어 전해질용액인 현상액 또는 스트립용액에 상기 상부 화소전극막이 직접적으로 노출되지 않도록 함으로써, 상기 상부 화소전극막과 상기 하부 화소전극막 사이에 갈바닉 현상이 발생하지 않도록 한다. 결과적으로 상기 화소전극의 막파손을 방지함으로써 유기전계발광소자의 불량 발생을 감소시킨다.
도 1은 종래의 다층구조 화소전극을 갖는 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 종래의 다층구조 화소전극을 갖는 유기전계발광소자의 제조방법에 있어 문제점을 설명하기 위한 사진이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 다층구조 화소전극을 갖는 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4a 및 도 4c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 다층구조 화소전극을 갖는 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
(도면의 주요 부위에 대한 부호의 설명)
100 : 기판 201 : 하부 화소전극
202 : 상부 화소전극 300 : 화소전극보호막
405 : 화소정의막 590 : 투명전극

Claims (15)

  1. 기판 상에 상부 화소전극과 하부 화소전극을 갖는 다층구조 화소전극을 형성하고;
    상기 화소전극이 형성된 기판 상에 상기 상부 화소전극 상에 위치한 트렌치를 갖는 화소정의막(pixel defined layer)을 형성하고;
    상기 트렌치를 갖는 화소정의막을 전면 건식식각함으로써, 상기 트렌치 바닥의 잔존화소정의막을 식각하여 상기 상부 화소전극을 노출시키는 것을 포함하는 유기전계발광소자 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 화소정의막은
    감광절연막인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자 제조방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 트렌치는
    하프-톤 노광법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자 제조방법.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 트렌치는
    불충분 현상(under develop)을 실시하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 화소정의막은 일반 절연막이고;
    상기 트렌치는
    불충분 식각을 실시하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자 제조방법.
  6. 기판 상에 상부 화소전극과 하부 화소전극을 갖는 다층구조 화소전극을 형성하고;
    상기 상부 화소전극이 형성된 기판의 전면 상에 화소전극보호막을 형성하고;
    상기 화소전극보호막이 형성된 기판 상에 상기 상부 화소전극 상의 상기 화소전극보호막을 노출시키는 개구부를 갖는 화소정의막을 형성하고;
    상기 화소정의막을 식각마스크로 사용하여 상기 노출된 화소전극보호막을 건식식각하여 상기 개구부 내에 상기 상부 화소전극을 노출시키는 것을 포함하는 유기전계발광소자 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 화소전극보호막은
    상기 상부 화소전극과 식각선택비를 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자 제조방법.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 화소정의막은
    감광절연막인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자 제조방법.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 화소정의막은
    일반 절연막인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자 제조방법.
  10. 기판 상에 배치된 상부 화소전극과 하부 화소전극을 갖는 다층구조 화소전극;
    상기 상부 화소전극 상에 배치된 발광층을 포함한 유기막;
    상기 유기막과 상기 상부 화소전극 사이에 개재되고, 상기 유기막과 상기 상부 화소전극을 연결하는 개구부를 갖는 화소정의막;
    상기 화소정의막과 상기 상부 화소전극 사이에 개재된 화소전극보호막을 포함하는 유기전계발광소자.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 화소전극보호막은
    상기 상부 화소전극과 식각선택비를 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 화소정의막은
    감광절연막인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  13. 제 10항에 있어서,
    상기 화소정의막은
    일반 절연막인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 노출된 상부 화소전극 상에 발광층을 구비하는 유기막을 형성하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자 제조방법.
  15. 제 6항에 있어서,
    상기 노출된 상부 화소전극 상에 발광층을 구비하는 유기막을 형성하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자 제조방법.
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