KR100506087B1 - Electronic apparatus having high efficient cooling means - Google Patents

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KR100506087B1 KR10-2003-0001113A KR20030001113A KR100506087B1 KR 100506087 B1 KR100506087 B1 KR 100506087B1 KR 20030001113 A KR20030001113 A KR 20030001113A KR 100506087 B1 KR100506087 B1 KR 100506087B1
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Abstract

고효율 냉각수단을 구비하는 전자장치에 관해 개시되어 있다. 개시된 전자장치는 적어도 하나의 면에 적어도 하나의 열원이 장착된 발열부재, 상기 발열부재를 냉각하기 위한 냉각수단을 포함하되, 상기 냉각수단은 상기 발열부재를 삽입 고정할 수 있는 적어도 하나의 홈을 구비하는 것을 특징으로 한다. 이러한 본 발명을 이용하면 발열부재의 장착 위치에 관계없이 발열부재 전체를 고르게 냉각시킬 수 있기 때문에, 상기 발열부재에서 영역별 온도차를 최소화 할 수 있다. 또한 반도체 공정을 이용하여 상기 냉각수단을 제조할 수 있기 때문에, 상기 발열부재가 장착되는 영역의 부피를 줄일 수 있는데, 이러한 결과는 전자장치의 소형화에 부합되는 것이다.An electronic device having a high efficiency cooling means is disclosed. The disclosed electronic device includes a heating member having at least one heat source mounted on at least one surface thereof, and cooling means for cooling the heating member, wherein the cooling means has at least one groove for inserting and fixing the heating member. It is characterized by including. By using the present invention, since the entire heating member can be cooled evenly regardless of the mounting position of the heating member, the temperature difference for each region in the heating member can be minimized. In addition, since the cooling means can be manufactured using a semiconductor process, the volume of the region in which the heat generating member is mounted can be reduced, and this result corresponds to the miniaturization of the electronic device.

Description

고효율 냉각수단을 구비하는 전자장치{Electronic apparatus having high efficient cooling means}Electronic apparatus having high efficient cooling means

본 발명은 전자장치에 관한 것으로서, 자세하게는 컴퓨터에 구비된 메모리 모듈 등과 같은 발열부재 전체에 걸쳐 고른 냉각효과를 얻을 수 있는 냉각수단이 구비된 전자장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic device, and more particularly, to an electronic device provided with cooling means capable of obtaining an even cooling effect across an entire heating element such as a memory module provided in a computer.

반도체 기술의 발전에 따라 메모리 칩의 집적도가 높아지면서 다수의 메모리 칩으로 구성되는 메모리 장치(메모리 모듈)의 부피는 기존에 비해 크게 줄어들었다. 그러나 메모리 칩의 집적도가 높아지면서 메모리 칩의 단위 면적에서 발생되는 열량 또한 증가하여 현재는 CPU뿐만 아니라 메모리 장치의 발열문제가 메모리 장치의 신뢰성을 가늠할 수 있는 중요한 이슈의 하나가 되고 있다.With the development of semiconductor technology, as the degree of integration of memory chips has increased, the volume of memory devices (memory modules) composed of a plurality of memory chips has been greatly reduced. However, as the degree of integration of memory chips increases, the amount of heat generated in the unit area of the memory chips also increases, and the heat generation problem of not only the CPU but also the memory device has become one of the important issues for estimating the reliability of the memory device.

이에 따라 CPU와 메모리 모듈과 같은 고 발열 요소가 내장된 전자장치, 예컨대 컴퓨터에 공기순환을 이용하여 상기 고 발열요소를 냉각하기 위한 수단으로써 냉각 팬이 마련되어 있다.Accordingly, a cooling fan is provided as a means for cooling the high heat generating element using air circulation in an electronic device, for example, a computer in which high heat generating elements such as a CPU and a memory module are incorporated.

컴퓨터에 상기 냉각 팬이 장착됨으로써, CPU에 대한 발열문제와 함께 CPU 둘레에 장착된 메모리 모듈에 대한 발열문제가 해소되는 듯 하였으나, 메모리 모듈의 장착위치와 컴퓨터내의 열적 환경에 따라 메모리 모듈의 발열 문제는 냉각 팬을 이용한 컴퓨터 전체 냉각 방식보다는 새로운 냉각방식, 예를 들면 특정 발열요소만을 선택적으로 냉각하는 선택적 냉각방식의 도입을 필요로 하고 있다.When the cooling fan is installed in the computer, the heat generation problem with the CPU and the heat generation problem with the memory module mounted around the CPU seem to be solved. However, the heat generation problem of the memory module depends on the mounting position of the memory module and the thermal environment in the computer. Requires the introduction of new cooling methods, such as selective cooling, which selectively cools only certain heating elements, rather than computer-wide cooling using cooling fans.

구체적으로, 2GB(Giga Byte) 정도의 메모리 모듈의 경우, 27.7W 정도의 열량이 발생되는데, 이러한 메모리 모듈이 냉각 팬과 수직하게 장착되거나 CPU 뒤쪽에 장착되는 경우, 냉각 팬으로부터 공급되는 공기와 메모리 모듈이 접촉되는 실 면적은 매우 좁아지기 때문에, 상기한 메모리 모듈은 충분히 냉각되기 어렵다. 이러한 원인으로 냉각 팬과 수직하게 장착된 메모리 모듈과 CPU 뒤쪽에 장착된 메모리 모듈에 장착된 메모리 칩의 온도가 메모리 칩의 안정적 동작을 위해 설정된 최대 허용 온도 이상으로 높아지는 일이 빈번히 발생된다.Specifically, a 2GB (Giga Byte) memory module generates about 27.7W of heat, and when such a memory module is mounted perpendicular to the cooling fan or mounted behind the CPU, air and memory supplied from the cooling fan are installed. Since the real area to which the modules come in contact becomes very narrow, the above-mentioned memory module is difficult to cool sufficiently. For this reason, the temperature of the memory module mounted vertically to the cooling fan and the memory chip mounted to the memory module mounted to the rear of the CPU is frequently raised above the maximum allowable temperature set for stable operation of the memory chip.

메모리 모듈이 고 용량화되는 추세를 고려할 때, 이러한 일은 더욱 빈번해질 것으로 예상된다. 예컨대, 4GB의 메모리 모듈의 경우, 발열량은 2GB보다 훨씬 높은 50W 정도로 예상된다. 따라서 냉각 팬에 수직하게 장착된 메모리 모듈과 CPU 뒤쪽에 장착된 메모리 모듈만을 위한, 냉각 팬과는 별도의 냉각수단이 요구된다.Given the trend toward higher capacity memory modules, this is expected to become more frequent. For example, for a 4GB memory module, the heat generation is expected to be about 50W, much higher than 2GB. Therefore, a cooling means separate from the cooling fan is required only for the memory module mounted vertically to the cooling fan and the memory module mounted to the rear of the CPU.

이에 따라 최근에는 도 1에 도시된 바와 같은 메모리 모듈 냉각수단이 제시된 바 있다. Accordingly, the memory module cooling means as shown in FIG. 1 has recently been proposed.

도 1을 참조하면, 도 1에 제시된 메모리 모듈 냉각수단(이하, 종래의 냉각수단이라 함)은 고체 열 확산 대류방식을 이용한 것으로써, 메모리 모듈(10) 양측에 각각 구비되는 제1 및 제2 박판(18, 24)으로 구성된다. 메모리 모듈(10)의 제1 면과 이에 마주하는 제2 면에 각각 복수의 칩(12)이 장착되어 있다. 복수의 칩(12)은 상기 제1 및 제2 면에서 서로 마주하도록 장착되어 있다. 제1 및 제2 박판(18, 24)은 메모리 모듈(10)의 상기 제1 및 제2 면에 장착된 칩(12)과 접촉되기 때문에, 칩(12)으로부터 발생되는 열은 제1 및 제2 박판(18, 24) 전체로 신속하게 퍼지게 된다. 이렇게 퍼진 열은 냉각 팬(미도시)으로부터 공급되는 공기에 의해 제1 및 제2 박판(18, 24)으로부터 제거된다. 이러한 과정을 거쳐 칩(12)이 냉각된다. 제1 및 제2 박판(18, 24)은 모두 두 부분으로 구성되는데, 제1 박판(18)은 칩(12)과 직접 접촉되는 제1 TIM(Thermal Interface Material)(14)과 칩(12)으로부터 전달되는 열이 넓은 면적으로 퍼지게 하는 제1 열전도판(16)으로 구성되고, 제2 박판(24)은 제1 TIM(14)과 동등한 제2 TIM(20) 및 제1 열전도판(16)과 동등한 제2 열전도판(22)으로 구성된다. 제1 및 제2 열전도판(16, 22)은 모두 알루미늄 판이다.Referring to FIG. 1, the memory module cooling means (hereinafter, referred to as a conventional cooling means) shown in FIG. 1 uses a solid heat diffusion convection method, and includes first and second portions respectively provided at both sides of the memory module 10. It consists of thin plates 18 and 24. A plurality of chips 12 are mounted on the first and second surfaces of the memory module 10, respectively. The plurality of chips 12 are mounted to face each other on the first and second surfaces. Since the first and second thin plates 18 and 24 are in contact with the chips 12 mounted on the first and second surfaces of the memory module 10, the heat generated from the chips 12 is first and second. It spreads quickly throughout the two thin plates 18 and 24. This spread heat is removed from the first and second thin plates 18, 24 by air supplied from a cooling fan (not shown). Through this process, the chip 12 is cooled. Both the first and second thin plates 18 and 24 are composed of two parts. The first thin plate 18 has a first thermal interface material (TIM) 14 and a chip 12 in direct contact with the chip 12. The first heat conduction plate 16 is configured to spread heat from the large area, and the second thin plate 24 includes the second TIM 20 and the first heat conduction plate 16 which are equivalent to the first TIM 14. And a second heat conductive plate 22 equivalent to. The first and second heat conductive plates 16 and 22 are both aluminum plates.

도 2에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 TIM(14, 20)은 각각 제1 및 제2 열전도판(16, 22)을 칩(12)과 부착시키는 역할을 한다.As shown in FIG. 2, the first and second TIMs 14 and 20 serve to attach the first and second thermal conductive plates 16 and 22 to the chip 12, respectively.

한편, 도 1에 도시된 종래 냉각수단에 대한 총 열 저항(R)은 다음 수학식 1로 표현된다.On the other hand, the total heat resistance (R) for the conventional cooling means shown in Figure 1 is represented by the following equation (1).

수학식 1에서, TW 및 Tair는 각각 열원, 곧 메모리 모듈(10)의 온도 및 메모리 모듈(10) 둘레의 공기 온도이고, Q는 메모리 모듈(10)의 제1 면 또는 제2 면으로부터 발생되는 총 열량이다.In Equation 1, T W and T air are the heat source, that is, the temperature of the memory module 10 and the air temperature around the memory module 10, respectively, and Q is from the first or second side of the memory module 10. Total calories generated.

도 1에서 알 수 있듯이, 메모리 모듈(10)의 한쪽 방향, 예컨대 제1 면과 마주하는 방향에서의 총 열 저항(R)은 제1 TIM(14)에 기인한 열저항(RTIM)과 제1 열전도판(16)에 기인한 열저항(Rplate) 및 공기에 기인한 열저항(Rair)의 합이다.As can be seen in FIG. 1, the total thermal resistance R in one direction of the memory module 10, for example, the direction facing the first surface, is determined by the thermal resistance R TIM due to the first TIM 14. 1 The sum of the heat resistance (R plate ) attributable to the heat conduction plate 16 and the heat resistance (R air ) attributable to air .

제1 열전도판(16)에 기인한 열저항(Rplate) 및 공기에 기인한 열저항(Rair)은 각각 다음 수학식 2 및 3으로 주어진다.The thermal resistance R plate due to the first thermal conductive plate 16 and the thermal resistance R air due to air are given by Equations 2 and 3, respectively.

수학식 2 및 3에서, k는 열전도, A는 제1 열전도판(16)의 제1 면의 면적, t는 제1 열전도판(16)의 두께, h는 공기의 유속이다.In Equations 2 and 3, k is heat conduction, A is the area of the first surface of the first heat conduction plate 16, t is the thickness of the first heat conduction plate 16, and h is the flow velocity of air.

상술한 종래의 냉각수단의 경우, 장착이 간편하고, 가격이 저렴하다는 이점이 있다.In the case of the conventional cooling means described above, there is an advantage that the mounting is simple and the price is low.

그러나 컴퓨터와 같은 전자장치에서 냉각 팬의 풍량은 일정하다. 때문에 메모리 모듈사이에 열전달을 위한 박판이 구비된 경우에도 메모리 모듈사이의 간격이 좁은 관계로 상기 박판의 열전도 능력은 낮아지게 된다.However, in electronic devices such as computers, the airflow of the cooling fan is constant. Therefore, even when a thin plate for heat transfer is provided between the memory modules, the heat conduction capability of the thin plate is reduced due to the narrow space between the memory modules.

이러한 난제를 피하기 위해서는 결국 메모리 모듈간의 간격을 더 증가시켜야 하는데, 그렇게 하는 경우, 전자장치에서 메모리 모듈이 장착되는 영역이 넓어져서 상기 전자장치의 부피가 증가하게 된다. 현재의 추세가 전자장치의 소형화에 있음을 고려할 때, 이러한 결과는 바람직하지 못한 것이다.In order to avoid such a problem, the distance between the memory modules must be further increased, in which case, the area in which the memory module is mounted in the electronic device is widened, thereby increasing the volume of the electronic device. Given the current trend in miniaturization of electronic devices, this result is undesirable.

본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 발열체에 대한 냉각 효율이 높고 부피를 줄일 수 있는 냉각수단을 구비하는 전자장치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to improve the above-described problems of the related art, and to provide an electronic device having a high cooling efficiency for a heating element and a cooling means capable of reducing a volume.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 전자장치에 있어서, 적어도 하나의 면에 적어도 하나의 열원이 장착된 발열부재, 상기 발열부재를 냉각하기 위한 냉각수단을 포함하며, 상기 냉각수단은 상기 발열부재를 삽입 고정할 수 있는 적어도 하나의 홈을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자장치를 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention includes a heat generating member having at least one heat source mounted on at least one surface of the electronic device, and cooling means for cooling the heat generating member, wherein the cooling means includes the heat generating unit. An electronic device comprising at least one groove for inserting and fixing a member.

상기 냉각수단은 단일체로 형성되며 상기 홈은 가늘고 긴 슬롯 형상인 것이 바람직하다.Preferably, the cooling means is formed in a single body and the groove is in the shape of an elongated slot.

상기 냉각수단의 외면 및 내면 중 어느 한 면, 또는 그 양면에 미리 설정된 방향으로 연장되는 주름이 형성되어 있다.Wrinkles extending in a predetermined direction are formed on either or both of the outer and inner surfaces of the cooling means.

상기 냉각수단은 상기 발열부재에 직접 접촉되어 삽입 고정되어 있다.The cooling means is inserted into and fixed in direct contact with the heat generating member.

상기 냉각수단의 양 끝단에 상기 홈으로부터 방출되는 열을 제거하기 위한 평판 열 전달 장치가 더 구비되어 있다.Both ends of the cooling means are further provided with a flat plate heat transfer device for removing heat emitted from the groove.

상기 평판 열 전달장치는 상기 냉각수단의 양끝에 장착되는 하판, 상기 하판과 마주하는 위치에서 상기 하판의 테두리와 밀착되어 있되, 상기 하판과 소정 간격만큼 이격된 상판 및 상기 하판의 소정 영역에 장착된 윅 플레이트로 구성된다.The flat plate heat transfer device is attached to the lower plate mounted at both ends of the cooling means, the lower plate is in close contact with the edge of the lower plate at a position facing the lower plate, and the upper plate spaced apart from the lower plate by a predetermined interval and the predetermined area of the lower plate. It consists of a wick plate.

상기 냉각수단의 윗면과 상기 홈사이의 영역은 길이 방향으로 소정의 길이만큼 연장되며, 이 연장된 영역에 히트 파이프가 내재되어 있다.The region between the upper surface of the cooling means and the groove extends by a predetermined length in the longitudinal direction, and the heat pipe is embedded in the extended region.

상기 연장된 영역의 밑면 또는 윗면에 상기 히트 파이프의 냉각을 위한 열 전달장치가 더 장착되어 있다.A heat transfer device for cooling the heat pipe is further mounted on the bottom or top of the extended area.

상기 냉각수단의 적어도 어느 한 면에 주름이 형성되어 있다.Wrinkles are formed on at least one side of the cooling means.

본 발명은 또한 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 메모리 칩이 장착된 메모리 모듈과 상기 메모리 모듈을 냉각하기 위한 냉각수단이 구비된 전자장치에 있어서, 상기 냉각수단은 상기 메모리 모듈의 한 면에 장착된 메모리 칩을 냉각하기 위한 제1 열 전달장치와 상기 메모리 모듈의 다른 면에 장착된 메모리 칩을 냉각하기 위한 냉각수단으로 구성된 것이되, 상기 제1 열 전달장치는 상기 메모리 모듈의 한 면에 장착된 메모리 칩과 동시에 접촉되는 하판; 상기 하판의 테두리와 밀착되어 있되, 내부적으로 상기 하판으로부터 소정 거리만큼 이격되어 있는 상판; 및 상기 하판의 소정 영역에 장착된 윅 플레이트로 구성된 것을 특징으로 하는 전자장치를 제공한다.The present invention also provides an electronic device having a memory module equipped with a memory chip and a cooling means for cooling the memory module in order to achieve the technical problem, wherein the cooling means is a memory mounted on one side of the memory module; A first heat transfer device for cooling a chip and a cooling means for cooling the chip mounted on the other side of the memory module, wherein the first heat transfer device is a memory mounted on one side of the memory module. A bottom plate in contact with the chip at the same time; An upper plate that is in close contact with the edge of the lower plate and is spaced apart from the lower plate by a predetermined distance internally; And it provides an electronic device comprising a wick plate mounted in a predetermined region of the lower plate.

이때, 상기 냉각수단은 상기 메모리 모듈의 다른 면에 장착된 메모리 칩과 동시에 접촉되는 하판; 상기 하판의 테두리와 밀착되어 있되, 내부적으로 상기 하판으로부터 소정 거리만큼 이격된 상판; 및 상기 하판의 소정 영역에 장착된 윅 플레이트로 구성된 제2 열 전달 장치이다.In this case, the cooling means includes a lower plate which is in contact with the memory chip mounted on the other surface of the memory module; An upper plate closely contacted with an edge of the lower plate, and spaced apart from the lower plate by a predetermined distance internally; And a wick plate mounted on a predetermined region of the lower plate.

그리고 상기 윅 플레이트에 상기 메모리 칩과 일대 일로 대응되는 윅 영역이 마련되어 있다.The wick plate is provided with a wick region in one-to-one correspondence with the memory chip.

상기 상판 안쪽에 상기 상판의 안쪽 영역을 상기 메모리 모듈의 어느 한 면에 장착된 메모리 칩의 수만큼 분할하기 위한 칸막이가 구비되어 있다.A partition for dividing the inner region of the upper plate by the number of memory chips mounted on any one surface of the memory module is provided inside the upper plate.

상기 상판의 외면 및 내면 중 적어도 어느 한 면에 소정의 방향으로 주름이 형성되어 있다.Wrinkles are formed in at least one of an outer surface and an inner surface of the upper plate in a predetermined direction.

상기 제1 및 제2 열 전달장치는 일체로 형성되어 있고, 각각의 표면에 주름이 형성되어 있다.The first and second heat transfer devices are integrally formed, and wrinkles are formed on each surface thereof.

본 발명은 또한 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 메모리 칩이 장착된 메모리 모듈과 상기 메모리 모듈을 냉각하기 위한 냉각수단이 구비된 전자장치에 있어서, 상기 냉각수단은 상기 메모리 모듈이 삽입될 수 있는 적어도 두 개의 홈이 형성된 단일체로 된 열 전달장치이되, 상기 열 전달장치는 상기 적어도 두 개의 홈이 형성되어 있되, 상기 홈들사이에 소정의 공간이 확보되도록 형성된 하부 구조체; 상기 하부 구조체의 표면을 따라 구비된 윅 구조체; 및 상기 홈을 감싸는 상부 구조체를 포함하되, 상기 하부 구조체와 윅 구조체사이로 유입되는 액상 냉매가 기화되는 과정에서 발생되는 증기를 수용하기 위한 공간이 상기 상부 구조체와 상기 윅 구조체사이에 마련되어 있고, 상기 하부 구조체, 윅 구조체 및 상부 구조체의 양단에 밀봉 패널이 밀착된 것을 특징으로 하는 전자장치를 제공한다.The present invention also provides an electronic device having a memory module equipped with a memory chip and a cooling means for cooling the memory module in order to achieve the technical problem, wherein the cooling means includes at least two to which the memory module can be inserted. A heat transfer apparatus having a single body having two grooves formed therein, wherein the heat transfer apparatus includes: a lower structure in which the at least two grooves are formed and a predetermined space is secured between the grooves; A wick structure provided along a surface of the substructure; And an upper structure surrounding the groove, wherein a space for accommodating vapor generated in the process of vaporizing the liquid refrigerant flowing between the lower structure and the wick structure is provided between the upper structure and the wick structure, and the lower structure An electronic device is provided in which sealing panels are adhered to both ends of a structure, a wick structure, and an upper structure.

상기 상부 구조체의 외면 및 내면 중 적어도 어느 한 면에 주름이 형성되어 있다.Wrinkles are formed on at least one of an outer surface and an inner surface of the upper structure.

상기 윅 구조체와 상기 상부 구조체사이의 상기 공간에 이 공간을 복수 영역으로 분할하기 위한 격벽이 상기 메모리 모듈의 길이 방향으로 구비되어 있다.In the space between the wick structure and the upper structure, a partition wall for dividing the space into a plurality of regions is provided in the longitudinal direction of the memory module.

상기 상부 구조체의 표면에 주름이 형성되어 있다.Wrinkles are formed on the surface of the upper structure.

이러한 본 발명의 전자장치에 구비된 냉각수단을 이용하면, 반도체 칩 등과 같은 발열체가 장착된 발열부재, 예컨대 메모리 모듈의 장착 위치에 관계없이 발열부재의 전체를 고르게 냉각시킬 수 있다. 때문에 발열부재에서 영역별 온도차를 최소화 할 수 있다. 또, 상기 냉각수단이 반도체 공정을 이용하여 제조할 수 있기 때문에, 발열부재가 장착되는 영역의 부피를 줄일 수 있는데, 이러한 결과는 전자장치의 소형화에 부합되는 것이다.By using the cooling means provided in the electronic device of the present invention, it is possible to evenly cool the entire heat generating member regardless of the mounting position of the heat generating member, for example, the memory module, on which the heat generating element such as a semiconductor chip is mounted. Therefore, it is possible to minimize the temperature difference by region in the heat generating member. In addition, since the cooling means can be manufactured using a semiconductor process, it is possible to reduce the volume of the region in which the heat generating member is mounted. This result corresponds to the miniaturization of the electronic device.

이하, 본 발명의 실시예에 의한 냉각수단을 구비하는 메모리 모듈 및 이것이 구비된 전자장치를 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.Hereinafter, a memory module having a cooling means and an electronic device having the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In this process, the thicknesses of layers or regions illustrated in the drawings are exaggerated for clarity.

먼저, 본 발명의 실시예에 의한 전자장치(이하, 컴퓨터라 함)의 구성에 대해 간략히 설명한다.First, the configuration of an electronic device (hereinafter referred to as a computer) according to an embodiment of the present invention will be briefly described.

도 3에 도시한 바와 같이, 컴퓨터(38)는 중앙처리장치(40), 주·보조기억장치(42), 입출력장치가 연결되는 I/O 인터페이스(44), 전원공급기(46) 등을 포함한다. 주·보조기억장치(42)에서 주기억장치는 ROM과 RAM으로 구성된 다수의 메모리 모듈로 구성되고, 보조기억장치는 하드디스크, 플로피디스크, 광디스크 등으로 구성된다. 이때, 상기 주기억장치를 구성하는 상기 메모리 모듈들에 냉각수단(미도시)이 구비되어 있다. 상기 냉각수단에 대해서는 후술된다. 상기 냉각수단은 종래와 같이 메모리 모듈의 한쪽에 구비된 메모리 칩들과 접촉되는 박판 형태가 아니라 한 개의 메모리 모듈 전체를 감쌀 수 있는 또는 적어도 2개 이상의 메모리 모듈들을 각각 감쌀 수 있는 홈이 형성된 단일체인 것이 바람직하나 거푸집형태 혹은 케이스일 수 있다. 따라서 이러한 냉각수단을 이용하면, 한 개의 메모리 모듈 혹은 적어도 2개 이상의 메모리 모듈에 장착된 모든 메모리 칩을 하나의 냉각수단으로 동시에 냉각할 수 있다. 상기 홈은 가늘고 긴 슬롯(slot)인 것이 바람직하다. 따라서 상기 홈은 삽입되는 대상에 따라 다양한 형태가 될 수 있다.As shown in FIG. 3, the computer 38 includes a central processing unit 40, a main / secondary storage device 42, an I / O interface 44 to which an input / output device is connected, a power supply 46, and the like. do. In the main and auxiliary memory device 42, the main memory device is composed of a plurality of memory modules composed of ROM and RAM, and the auxiliary memory device is composed of a hard disk, a floppy disk, an optical disk, and the like. At this time, cooling means (not shown) are provided in the memory modules constituting the main memory. The cooling means will be described later. The cooling means is not a thin plate form in contact with the memory chips provided on one side of the memory module as in the prior art but is a unit having a groove formed to cover the entire memory module or at least two or more memory modules, respectively. Preferred but may be in form or case. Therefore, by using the cooling means, it is possible to simultaneously cool all the memory chips mounted on one memory module or at least two or more memory modules by one cooling means. The groove is preferably an elongated slot. Therefore, the groove may have various shapes according to the object to be inserted.

다음에는 이러한 냉각수단에 대해 설명한다.Next, the cooling means will be described.

<제1 실시예><First Embodiment>

제1 실시예에 의한 냉각수단(이하, 제1 냉각수단이라 함)(50)은 한 개의 메모리 모듈을 냉각하는데 사용되는 냉각수단, 곧 한 개의 홈을 갖는 냉각수단에 관한 것이다. 이하, 상기 홈을 슬롯이라 한다.The cooling means (hereinafter referred to as first cooling means) 50 according to the first embodiment relates to a cooling means used for cooling one memory module, that is, a cooling means having one groove. Hereinafter, the groove is called a slot.

구체적으로, 제1 냉각수단(50)은 도 4에 도시한 바와 같이, 메모리 모듈(도 1의 10참조) 전체를 감쌀 수 있는 거푸집 혹은 케이스 형태로써, 상기 메모리 모듈과 동등한 제1 길이(L1)를 갖는다. 제1 냉각수단(50)의 재질은 알루미늄인 것이 바람직하다. 필요할 경우, 구리나 은 등 열전도성이 우수한 다른 재질로 된 것일 수 있다. 제1 냉각수단(50)이 상기 메모리 모듈에 장착되는 경우, 상기 메모리 모듈 양면에 장착된 메모리 칩(도 1의 12참조)은 모두 제1 냉각수단(50)에 의해 덮이는 것이 바람직하다. 따라서, 제1 냉각수단(50)의 높이(H), 바람직하게는 메모리 모듈이 삽입되는 공간인 슬롯(52)의 높이는 메모리 칩(12)의 높이(H0)와 메모리 칩(12)과 메모리 모듈(10)의 상단사이의 간격(d0)을 합한 값과 적어도 같은 것이 바람직하다. 제1 냉각수단(50)의 메모리 모듈(10) 양면에 장착된 메모리 칩(12)과 접촉되는, 소정의 제1 두께(t1)를 갖는 두 면은 메모리 모듈(10) 위쪽으로 연결되어 있다. 곧, 제1 냉각수단(50)은 메모리 모듈(10) 양면에 장착된 메모리 칩(12) 전체와 동시에 접촉되는 구조를 갖는 단일 구조체 혹은 단일 하우징이다.Specifically, as shown in FIG. 4, the first cooling means 50 is a form or case that can wrap the entire memory module (see 10 of FIG. 1), and has a first length L1 equivalent to that of the memory module. Has It is preferable that the material of the 1st cooling means 50 is aluminum. If necessary, it may be made of another material having excellent thermal conductivity such as copper or silver. When the first cooling means 50 is mounted to the memory module, all of the memory chips (see 12 in FIG. 1) mounted on both surfaces of the memory module are preferably covered by the first cooling means 50. Therefore, the height H of the first cooling means 50, preferably the height of the slot 52, which is a space into which the memory module is inserted, is the height H 0 of the memory chip 12, the memory chip 12, and the memory. It is preferably at least equal to the sum of the intervals d 0 between the tops of the modules 10. Two surfaces having a predetermined first thickness t1, which are in contact with the memory chips 12 mounted on both surfaces of the memory module 10 of the first cooling means 50, are connected upwards of the memory module 10. In other words, the first cooling means 50 is a single structure or a single housing having a structure that is in contact with the entire memory chip 12 mounted on both sides of the memory module 10 at the same time.

한편, 도 11 또는 도 12에 도시된 바와 같이, 제1 냉각수단(50)이 메모리 모듈(92)에 장착되는 경우, 제1 냉각수단(50)의 상기 두 면과 메모리 모듈(92)에 장착된 메모리 칩(92a)의 전면은 틈이 없이 완전하게 밀착되는 것이 바람직하다. 따라서 제1 냉각수단(50)의 상기 두 면사이의 간격, 곧 슬롯(52)의 폭(W)은 메모리 모듈(92)의 메모리 칩(92a)이 장착된 부분의 두께(T)와 정확하게 같은 것이 바람직하다. 11 or 12, when the first cooling means 50 is mounted on the memory module 92, the first cooling means 50 is mounted on the two surfaces of the first cooling means 50 and the memory module 92. It is preferable that the front surface of the memory chip 92a is completely in contact with no gap. Therefore, the gap between the two surfaces of the first cooling means 50, that is, the width W of the slot 52, is exactly the same as the thickness T of the portion where the memory chip 92a of the memory module 92 is mounted. It is preferable.

<제2 실시예>Second Embodiment

냉각 팬에 의해 공급되는 바람과 접촉되는 표면적을 넓게 하기 위해, 제1 냉각수단(50)의 표면 형태를 변형한 경우이다.This is a case where the surface shape of the first cooling means 50 is modified in order to widen the surface area in contact with the wind supplied by the cooling fan.

제2 실시예를 포함한 하기 실시예에서 제1 실시예에서 언급한 부재와 동일한 부재에 대해서는 제1 실시예에서 사용한 참조번호 또는 부호를 그대로 사용한다. 그리고 동일한 부재에 대한 설명은 생략한다.In the following examples including the second embodiment, the same reference numerals or symbols used in the first embodiment are used for the same members as those mentioned in the first embodiment. The description of the same member is omitted.

도 5를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 의한 냉각수단(이하, 제2 냉각수단이라 함)(50')은 제1 냉각수단(50)과 동일한 형상이다. 그러나 제2 냉각수단(50') 표면에 주름(54)이 형성되어 있다. 주름(54)은 제2 냉각수단(50')의 제1 길이(L1) 방향으로 형성되어 있다. 주름(54)은 상기 냉각 팬이 설치된 위치를 고려하여 상기 냉각 팬으로부터 오는 바람이 제2 냉각수단(50')의 보다 넓은 면적과 접촉될 수 있는 형태로 형성된 것이 바람직하다. 따라서 주름(54)은 제1 길이(L1) 방향에 수직한 방향 혹은 사선으로 형성된 것일 수 있다. 또한 도면에 도시한 바와 달리, 제2 냉각수단(50')의 표면 일부, 예컨대 상기 냉각 팬으로부터 오는 바람에 가장 많이 노출되는 부분 또는 반대로 상기 바람에 가장 많이 노출되지 않는 부분에만 주름을 형성할 수 있다. 제2 냉각수단(50')에 주름(54)이 주기적으로 형성되어 있기 때문에, 제2 냉각수단(50')의 두께 또한 주기적으로 변하게 된다. 제2 냉각수단(50')의 주름(54)이 볼록한 부분의 두께(이하, 제2 두께라 함)(t2)는 제1 냉각수단(50)의 제1 두께(t1)와 동일한 것이 바람직하다.Referring to FIG. 5, the cooling means (hereinafter referred to as a second cooling means) 50 ′ according to the second embodiment of the present invention has the same shape as the first cooling means 50. However, wrinkles 54 are formed on the surface of the second cooling means 50 '. The corrugation 54 is formed in the direction of the first length L1 of the second cooling means 50 '. The corrugation 54 is preferably formed in such a way that the wind coming from the cooling fan can come into contact with a larger area of the second cooling means 50 'in consideration of the position where the cooling fan is installed. Accordingly, the pleats 54 may be formed in a direction perpendicular to the first length L1 direction or diagonally. In addition, unlike in the drawings, the wrinkles may be formed only on a portion of the surface of the second cooling means 50 ′, for example, the portion that is most exposed to the wind coming from the cooling fan, or vice versa. have. Since the pleats 54 are formed on the second cooling means 50 'periodically, the thickness of the second cooling means 50' also changes periodically. It is preferable that the thickness (hereinafter referred to as a second thickness) t2 of the portion where the pleats 54 of the second cooling means 50 'are convex is the same as the first thickness t1 of the first cooling means 50. .

<제3 실시예>Third Embodiment

적어도 2개 이상의 메모리 모듈이 밀집된 경우에 상기 메모리 모듈 전체를 한꺼번에 냉각할 수 있는 냉각수단에 관한 것이다. 설명의 편의 상, 3개의 메모리 모듈이 밀집된 경우를 가정하고, 상기 3개의 메모리 모듈을 한꺼번에 냉각시킬 수 있는 냉각수단에 대해 설명한다.The present invention relates to cooling means capable of cooling the entire memory module at once when at least two or more memory modules are concentrated. For convenience of explanation, assuming that three memory modules are concentrated, a description will be given of cooling means for cooling the three memory modules at once.

구체적으로, 도 6을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 의한 냉각수단(이하, 제3 냉각수단이라 함)(56)은 제1 냉각수단(50)과 동일하게 제1 길이(L1)와 높이(H)를 갖는다. 제3 냉각수단(56)에 제1 내지 제3 슬롯(58, 60, 62)이 형성되어 있다. 제1 내지 제3 슬롯(58, 60, 62) 각각에 한 개의 메모리 모듈이 삽입된다. 제1 내지 제3 슬롯(58, 60, 62) 각각은 제1 냉각수단(50)의 슬롯(52)과 동일한 폭(W)을 갖는다. 제1 내지 제3 슬롯(58, 60, 62) 각각의 다른 조건도 제1 냉각수단(50)의 슬롯(52)과 동등한 것이 바람직하다. 제1 및 제2 슬롯(58, 60)사이에 제1 격벽(56a)이 존재하고, 제2 및 제3 슬롯(60, 62)사이에 제2 격벽(56b)이 존재한다. 또한 제3 냉각수단(56)에는 제1 격벽(56a)과 함께 제1 슬롯(58) 영역을 정의하는 제1 외벽(57a)이 존재하고, 제2 격벽(56b)과 함께 제3 슬롯(62) 영역을 정의하는 제2 외벽(57b)이 존재한다. 제1 및 제2 격벽(56a, 56b)과 제1 및 제2 외벽(57b)은 모두 제1 두께(t1)를 갖는데, 서로 다른 두께 일 수 있다. 특히, 제1 및 제2 격벽(56a, 56b)의 경우, 메모리 모듈간의 간격을 좁게 하여 메모리 모듈이 장착되는 영역의 부피를 줄이기 위해 가능한 얇은 것이 바람직하다. 제1 및 제2 격벽(56a, 56b)과 제1 및 제2 외벽(57a, 57b)의 상단은 메모리 모듈 상단 위쪽으로 연결된다. 따라서, 제3 냉각수단(56) 역시 제1 냉각수단(50)과 마찬가지로 3개의 메모리 모듈을 동시에 감쌀 수 있는 거푸집 또는 케이스 형태이다.Specifically, referring to Figure 6, the cooling means (hereinafter referred to as the third cooling means) 56 according to the third embodiment of the present invention is the same as the first cooling means 50, the first length (L1) And height (H). First to third slots 58, 60, and 62 are formed in the third cooling means 56. One memory module is inserted into each of the first to third slots 58, 60, and 62. Each of the first to third slots 58, 60, 62 has the same width W as the slot 52 of the first cooling means 50. It is preferable that other conditions of each of the first to third slots 58, 60, and 62 are also equivalent to the slots 52 of the first cooling means 50. The first partition wall 56a exists between the first and second slots 58 and 60, and the second partition wall 56b exists between the second and third slots 60 and 62. In addition, the third cooling means 56 includes a first outer wall 57a that defines a region of the first slot 58 together with the first partition 56a, and a third slot 62 together with the second partition 56b. There is a second outer wall 57b defining the region. The first and second partition walls 56a and 56b and the first and second outer walls 57b both have a first thickness t1, and may be different thicknesses. In particular, in the case of the first and second barrier ribs 56a and 56b, it is desirable to be as thin as possible in order to reduce the volume of the area where the memory module is mounted by narrowing the distance between the memory modules. Upper ends of the first and second partition walls 56a and 56b and the first and second outer walls 57a and 57b are connected to an upper end of the memory module. Thus, like the first cooling means 50, the third cooling means 56 is also in the form of a form or case that can simultaneously wrap three memory modules.

도 13 및 도 14는 이러한 제3 냉각수단(56)이 PCB기판(90) 상에 장착된 제1 내지 제3 메모리 모듈(94, 96, 98)에 장착되는 경우를 보여준다.13 and 14 illustrate a case in which the third cooling means 56 is mounted on the first to third memory modules 94, 96, and 98 mounted on the PCB substrate 90.

도 13 및 도 14에서 볼 수 있듯이, 제3 냉각수단(56)은 제1 내지 제3 메모리 모듈(94, 96, 98) 모두를 한꺼번에 감싸도록 장착된다. 또 도 14에서 볼 수 있듯이, 제3 냉각수단(56)은 제1 내지 제3 메모리 모듈(94, 96, 98)의 양면에 장착된 메모리 칩들(94a, 96a, 98a)과 밀착되게 장착된다.As shown in FIGS. 13 and 14, the third cooling means 56 is mounted to surround all of the first to third memory modules 94, 96, and 98 at once. As shown in FIG. 14, the third cooling means 56 is mounted in close contact with the memory chips 94a, 96a and 98a mounted on both surfaces of the first to third memory modules 94, 96 and 98.

<제4 실시예>Fourth Example

제3 실시예에 적용한 전제와 동일한 전제가 적용된다.The same premise as that applied to the third embodiment applies.

도 7을 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 의한 메모리 모듈 냉각수단(이하, 제4 냉각수단이라 함)(56')은 상기한 제3 냉각수단(도 6의 56)과 동일한 형상이되, 표면에 주름(64)이 존재한다. 주름(64)은 제1 길이(L1) 방향으로 주기적으로 형성되어 있다. 이러한 주름(64)은 도면에 도시된 바와 같이 제4 냉각수단(56')의 전면에 형성된 것이 바람직하지만, 제4 냉각수단(56')의 표면 일부 예컨대, 냉각 팬으로부터 오는 바람과 접촉되는 면적이 넓지 않은 부분에만 형성될 수 있다. 주름(64)이 주기적으로 형성됨에 따라, 제4 냉각수단(56')에서 제1 및 제2 격벽(56a, 56b)을 제외한 나머지 부분의 두께도 주기적으로 변한다. 주름(64)의 볼록한 부분은 제1 두께(t1)인 것이 바람직하고, 제1 및 제2 격벽(56a, 56b)도 제1 두께(t1)로 된 것이 바람직하다. 제4 냉각수단(56')의 나머지 부분은 제3 냉각수단(56)과 동일하다.Referring to FIG. 7, the memory module cooling means (hereinafter referred to as a fourth cooling means) 56 ′ according to the fourth embodiment of the present invention has the same shape as that of the third cooling means (56 in FIG. 6). As a result, wrinkles 64 are present on the surface. The wrinkles 64 are formed periodically in the direction of the first length L1. This corrugation 64 is preferably formed on the front surface of the fourth cooling means 56 'as shown in the figure, but the area in contact with a portion of the surface of the fourth cooling means 56', for example, the wind from the cooling fan. It can only be formed in this non-wide part. As the corrugations 64 are formed periodically, the thicknesses of the remaining portions of the fourth cooling means 56 'except for the first and second partition walls 56a and 56b also change periodically. It is preferable that the convex part of the corrugation 64 is 1st thickness t1, and it is preferable that the 1st and 2nd partitions 56a and 56b also become 1st thickness t1. The remaining part of the fourth cooling means 56 ′ is the same as the third cooling means 56.

한편, 도 13 및 도 14에서, 제1 내지 제3 메모리 모듈(94, 96, 98)로 구성된 주기억장치(100)에 장착되는 제3 냉각수단(56)은 상기한 제4 냉각수단(56')으로 대체될 수 있다. 따라서 주기억장치(100)가 CPU 뒤쪽에 장착되거나, 냉각 팬에 수직한 방향으로 장착되는 경우, 제3 냉각수단(56)을 주기억장치(100)에 장착시킴으로써 주기억장치(100)의 냉각효율을 종래보다 충분히 높일 수 있다. 그리고 주기억장치(100)의 전 영역에 걸쳐 균일한 냉각 효과를 얻을 수도 있다. 제3 냉각수단(56)을 표면에 주름(64)이 형성된 제4 냉각수단(56')으로 대체하는 경우, 제4 냉각수단(56')의 표면적이 제3 냉각수단(56)에 비해 훨씬 넓기 때문에, 주기억장치(100)의 냉각 효율 및 냉각 균일도는 보다 높아지게 된다.Meanwhile, in FIGS. 13 and 14, the third cooling means 56 mounted on the main memory device 100 composed of the first to third memory modules 94, 96, and 98 is the fourth cooling means 56 ′. Can be replaced by). Therefore, when the main memory device 100 is mounted to the rear of the CPU or mounted in a direction perpendicular to the cooling fan, the cooling efficiency of the main memory device 100 can be improved by mounting the third cooling means 56 to the main memory device 100. It can raise more fully. In addition, a uniform cooling effect may be obtained over the entire area of the main memory device 100. When the third cooling means 56 is replaced by the fourth cooling means 56 ′ having the pleats 64 formed on the surface, the surface area of the fourth cooling means 56 ′ is much higher than that of the third cooling means 56. Since it is wide, the cooling efficiency and cooling uniformity of the main memory 100 become higher.

<제5 실시예>Fifth Embodiment

제3 실시예에 적용한 전제와 동일한 전제가 적용된다.The same premise as that applied to the third embodiment applies.

도 8을 참조하면, 본 발명의 제5 실시예에 의한 냉각수단(이하, 제5 냉각수단이라 함)(56")은 두 부분으로 구성되어 있다. 제1 부분(65)은 메모리 모듈에 장착되는 몸체로써, 예를 들면 제3 냉각수단(56) 또는 제4 냉각수단(56')이다. 제2 부분(66, 68)은 제1 부분(65)의 양단에 장착되는 평판 열 전달장치이다. 메모리 모듈에 이와 같은 제5 냉각수단(56")이 장착되는 경우, 상기 메모리 모듈의 사방 모든 면이 냉각수단에 둘러싸이게 된다. 곧, 제5 냉각수단(56")의 제1 부분(65)이 상기 메모리 모듈에 장착된 모든 메모리 칩과 접촉되기 때문에, 상기 메모리 모듈의 양측면은 제1 부분(65)에 의해 둘러싸이고, 제2 부분(66, 68)은 이러한 제1 부분(65)의 양단면에 장착되기 때문에, 상기 메모리 모듈의 양단은 제2 부분(65)에 의해 둘러싸이게 된다.Referring to Fig. 8, the cooling means (hereinafter referred to as the fifth cooling means) 56 "according to the fifth embodiment of the present invention is composed of two parts. The first portion 65 is mounted to the memory module. Body, for example, the third cooling means 56 or the fourth cooling means 56 '. The second portions 66 and 68 are flat plate heat transfer devices mounted at both ends of the first portion 65. When the fifth cooling means 56 ″ is mounted on the memory module, all sides of the memory module are surrounded by the cooling means. In other words, since the first portion 65 of the fifth cooling means 56 "is in contact with all the memory chips mounted in the memory module, both sides of the memory module are surrounded by the first portion 65, and Since the two parts 66 and 68 are mounted at both end surfaces of the first part 65, both ends of the memory module are surrounded by the second part 65.

제3 또는 제4 냉각수단(56, 56')을 통해서 알 수 있듯이, 제5 냉각수단(56")의 제1 부분(65) 만으로 상기 메모리 모듈에 대한 충분한 냉각효과를 얻을 수 있으나, 상기 제3 냉각수단(56) 또는 제4 냉각수단(56')의 제1 내지 제3 슬롯(58, 60, 62) 양단은 개방되어 있기 때문에, 이를 통해서 적은 양이기는 하지만 상기 메모리 모듈에 발생된 열이 방출될 수 있다. 제2 부분(66, 68)은 제1 내지 제3 슬롯(58, 60, 62)의 개방된 영역을 통해서 방출되는 열을 상기 메모리 모듈로부터 신속하게 제거하기 위한 것이다.As can be seen through the third or fourth cooling means 56, 56 ′, only the first portion 65 of the fifth cooling means 56 ″ can achieve a sufficient cooling effect on the memory module. Since both ends of the first to third slots 58, 60, and 62 of the third cooling means 56 or the fourth cooling means 56 'are open, the heat generated in the memory module is reduced by a small amount. The second portions 66 and 68 are for quickly removing heat from the memory module through the open areas of the first to third slots 58, 60 and 62.

제5 냉각수단(56")의 제2 부분(66, 68)은 제1 부분(65)의 일단에 장착된 제1 평판 열 전달장치(66)와 타단에 장착된 제2 평판 열 전달장치(68)이다. 제1 및 제2 평판 열 전달장치(66, 68)는 각각 도 9에 도시한 바와 같은 구성을 갖는다.The second portions 66, 68 of the fifth cooling means 56 ″ are provided with a first flat plate heat transfer device 66 mounted at one end of the first portion 65 and a second flat plate heat transfer device mounted at the other end ( 68. The first and second flat plate heat transfer devices 66 and 68 each have a configuration as shown in FIG.

구체적으로, 도 9를 참조하면, 제1 평판 열 전달장치(66) 또는 제2 평판 열 전달장치(68)는 하판(70), 하판(70)의 소정 영역 상에 장착되는 윅 플레이트(72), 윅 플레이트(72)가 장착된 하판(70)의 나머지 부분과 접촉되는 상판(74)으로 구성된다. 하판(70)은 제5 냉각수단(56")의 제1 부분(65)의 양단에 접촉된다. 따라서 제1 부분(65)의 양단을 통해서, 곧 제3 냉각수단(56) 또는 제4 냉각수단(56')의 제1 내지 제3 슬롯(58, 60, 62)의 개방된 영역을 통해서 방출되는 열은 하판(70)을 통해서 제2 부분(66, 68)에 전달된다. 도면에 도시하지는 않았지만, 윅 플레이트(72)는 윅 플레이트(72)와 하판(70)사이로 공급되는 액상의 냉매가 증발되는 영역인 복수의 홀들이 형성되어 있고, 상기 복수의 홀들사이에 플래너 윅이 존재한다. 제2 부분(66, 68)에 열이 전달되면서 상기 액상의 냉매는 윅 플레이트(72)의 상기 복수의 홀들을 통해서 증발된다. 상기 액상의 냉매는 상기 플래너 윅을 통해서 하판(70)과 윅 플레이트(72)사이로 공급된다. 이러한 액상 냉매의 공급을 위해, 윅 플레이트(72)와 하판(70)사이에 모세관력(capillary force)이 나타날 수 있을 정도의 미세한 틈이 존재한다. 상판(74)과 윅 플레이트(72)사이에 소정의 공간(76)이 존재한다. 이 공간(76)에 윅 플레이트(72)의 상기 복수의 홀을 통해서 발생된 증기가 위치하게 된다. 상판(74)의 외부면은 냉각 팬으로부터 공급되는 바람과 접촉되기 때문에, 공간(76)에 존재하는 증기들은 상판(74)과 접촉되면서 냉각된다. 이 결과, 상판(74)의 내부면을 따라 액상의 냉매가 하판(70)쪽으로 흘러내리게 되고, 이렇게 흘러내린 상기 액상의 냉매는 상기한 바와 같이, 윅 플레이트(72)의 상기 플래너 윅을 통해서 윅 플레이트(72)와 하판(70)사이로 공급된다.Specifically, referring to FIG. 9, the first plate heat transfer device 66 or the second plate heat transfer device 68 is a lower plate 70, a wick plate 72 mounted on a predetermined region of the lower plate 70. The upper plate 74 is in contact with the rest of the lower plate 70 on which the wick plate 72 is mounted. The lower plate 70 is in contact with both ends of the first portion 65 of the fifth cooling means 56 ". Thus, through both ends of the first portion 65, the third cooling means 56 or the fourth cooling means. Heat released through the open areas of the first to third slots 58, 60, 62 of the means 56 ′ is transferred to the second portions 66, 68 through the bottom plate 70. Although not, the wick plate 72 is formed with a plurality of holes, which are regions in which the liquid refrigerant supplied between the wick plate 72 and the lower plate 70 is evaporated, and a planar wick exists between the plurality of holes. As the heat is transferred to the second portions 66 and 68, the liquid refrigerant evaporates through the plurality of holes of the wick plate 72. The liquid refrigerant is lower plate 70 and the wick plate through the planar wick. It is supplied between the 72. For the supply of this liquid refrigerant, a capillary force is applied between the wick plate 72 and the lower plate 70. There is a small gap that can be seen There is a predetermined space 76 between the top plate 74 and the wick plate 72. In the space 76, the plurality of holes of the wick plate 72 is formed. The steam generated therethrough is located in. Since the outer surface of the top plate 74 is in contact with the wind supplied from the cooling fan, the steam present in the space 76 is cooled in contact with the top plate 74. As a result, The liquid refrigerant flows down the lower plate 70 along the inner surface of the upper plate 74, and the liquid refrigerant thus flowed down the wick plate 72 through the planar wick of the wick plate 72, as described above. ) And the bottom plate 70 is supplied.

한편, 상판(74)의 표면은 상기 냉각 팬에서 오는 바람에 의해서 냉각되기 때문에, 상기 외부면의 표면적은 가능한 넓게 하는 것이 바람직하다. 이를 위해 상판(74) 표면에 주름(미도시)을 형성할 수 있다. 이때, 상기 주름은 도 5 또는 도 7에 도시한 바와 같은 주름들(54, 64)과 동등한 것이 될 수 있다. 상판(74) 표면에 상기 주름을 형성하는 대신, 상판(74)의 전체 혹은 일부, 예컨대 상부 자체를 주름지게 형성할 수 있다. 또한, 상기 액상 냉매가 상판(74)에서 하판(70)으로 원활하게 공급되도록 하기 위해, 상판(74)의 측면 안쪽에 캐필러리 패턴(capillary pattern)이 구비될 수 있다.On the other hand, since the surface of the upper plate 74 is cooled by the wind coming from the cooling fan, it is preferable to make the surface area of the outer surface as wide as possible. To this end, wrinkles (not shown) may be formed on the top plate 74. In this case, the wrinkles may be equivalent to the wrinkles 54 and 64 as shown in FIG. 5 or FIG. 7. Instead of forming the pleats on the surface of the top plate 74, all or a portion of the top plate 74, for example, the top itself may be formed to be pleated. In addition, in order to smoothly supply the liquid refrigerant from the upper plate 74 to the lower plate 70, a capillary pattern may be provided inside the side surface of the upper plate 74.

<제6 실시예>Sixth Embodiment

제3 실시예의 전제가 적용된다.The premise of the third embodiment applies.

도 10을 참조하면, 제6 실시예에 의한 냉각수단(이하, 제6 냉각수단이라 함)(80)은 제1 길이(L1)의 제1 내지 제3 슬롯(58, 60, 62)이 형성된 부분(82)과 제2의 냉각팬(F)이 장착되는, 제2 길이(L2)로 형성된 부분(84)을 포함한다. 따라서 제6 냉각수단(80)의 전체 길이(L3)(이하, 제3 길이라 함)는 제1 길이(L1)와 제2 길이(L2)의 합과 같다. 제2 길이(L2)로 형성된 부분(84)은 제1 내지 제3 슬롯(58, 60, 62)이 형성된 부분(82)에서 제1 내지 제3 슬롯(58, 60, 62)을 제외한 위쪽 부분(82a)이 한쪽 방향으로 제2 길이(L2)만큼 연장된 것이다. 이와 같이 상기 두 부분은 일체화된 것이다. 제2 길이(L2)로 연장된 부분의 저면에 상기한 냉각 팬(이하, 시스템 냉각 팬이라 함)과 별도로 히트 파이프만을 냉각하기 위한 팬(이하, 전용 냉각 팬이라 함)(F)이 장착되어 있다. 전용 냉각 팬(F)은 상기 연장된 부분의 저면 대신에 상부에 구비될 수도 있다. 제2 길이(L2)만큼 연장된 부분은 소정의 두께(H1)를 갖는데, 이 두께(H1)는 제1 내지 제3 슬롯(58, 60, 62)이 형성된 부분의 두께(H2)에서 슬롯의 높이를 제한 것과 같다. 제1 내지 제3 슬롯(58, 60, 62)이 형성된 부분(82)에서 소정의 두께(H1)를 갖는 제1 내지 제3 슬롯(58, 60, 62)을 제외한 위쪽 부분에 히트 파이프(86)가 내재되어 있다. 히트 파이프(86)는 제1 내지 제3 슬롯(58, 60, 62)에 하나씩 대응되도록 슬롯과 동수인 것이 바람직하다. 히트 파이프(86)는 제1 내지 제3 슬롯(58, 60, 62)의 한쪽에서 제2 길이(L2)로 연장된 부분의 끝까지 서로 평행하게 구비되어 있다. 일체화된 상기 두 부분은 상기한 제1 내지 제5 냉각수단과 동일하게 열전도성이 우수한 물질, 예컨대 알루미늄 혹은 구리나 은으로 만들어진 것이다. 제6 냉각수단(80)이 메모리 모듈에 장착되어 상기 메모리 모듈의 냉각에 사용되는 경우, 상기 메모리 모듈에서 발생되는 열을 제6 냉각수단(80)의 제1 및 제2 격벽(56a, 56b)과 제1 및 제2 외벽(57a, 57b)을 통해서 제1 내지 제3 슬롯(58, 60, 62)의 위쪽 부분(82a)으로 집중된다. 위쪽 부분(82a)에는 히트 파이프(86)가 존재하고, 히트 파이프(86)는 제2 길이(L2)를 갖는 상기 연장된 부분까지 내재되어 있다.Referring to FIG. 10, the cooling means (hereinafter referred to as a sixth cooling means) 80 according to the sixth embodiment includes first to third slots 58, 60, and 62 having a first length L1. And a portion 84 formed of a second length L2 on which the portion 82 and the second cooling fan F are mounted. Therefore, the total length L3 (hereinafter referred to as a third length) of the sixth cooling means 80 is equal to the sum of the first length L1 and the second length L2. The portion 84 formed with the second length L2 has an upper portion except for the first to third slots 58, 60, and 62 in the portion 82 where the first to third slots 58, 60, and 62 are formed. 82a is extended by the 2nd length L2 in one direction. Thus, the two parts are integrated. On the bottom of the portion extending to the second length L2, a fan (hereinafter referred to as a dedicated cooling fan) F for cooling only the heat pipe separately from the cooling fan (hereinafter referred to as a system cooling fan) is mounted. have. The dedicated cooling fan F may be provided at the top instead of the bottom of the extended portion. The portion extending by the second length L2 has a predetermined thickness H1, which is the thickness of the slot at the thickness H2 of the portion where the first to third slots 58, 60, and 62 are formed. Same as limiting height. Heat pipe 86 in the upper portion except for the first to third slots 58, 60 and 62 having a predetermined thickness H1 in the portion 82 where the first to third slots 58, 60 and 62 are formed. ) Is implied. The heat pipes 86 are preferably equal to the slots so as to correspond to the first to third slots 58, 60, and 62 one by one. The heat pipes 86 are provided in parallel with each other from one side of the first to third slots 58, 60, 62 to the end of the portion extending to the second length L2. The two parts integrated are made of a material having excellent thermal conductivity, such as aluminum, copper or silver, as in the first to fifth cooling means. When the sixth cooling means 80 is mounted to the memory module and used to cool the memory module, the heat generated from the memory module is transferred to the first and second partition walls 56a and 56b of the sixth cooling means 80. And through the first and second outer walls 57a, 57b to the upper portion 82a of the first to third slots 58, 60, 62. There is a heat pipe 86 in the upper portion 82a, and the heat pipe 86 is embedded up to the extended portion having the second length L2.

한편, 히트 파이프(86)는 도 10의 우측에 단면으로 도시한 바와 같이, 소정 두께를 갖는 외피(86b)와 외피(86b)로 둘러싸인 공중부분(86a)으로 구성된다. 공중부분(86a)은 액상 냉매가 기화되는 과정에서 발생된 증기가 이동되는 영역이고, 외피(86b)는 상기 액상 냉매가 모세관력에 의해 열원(여기서는 메모리 모듈이 삽입되는 제1 내지 제3 슬롯(58, 60, 62)이 형성된 영역)으로 이동되는 경로가 된다.On the other hand, the heat pipe 86 is composed of an outer shell 86b having a predetermined thickness and an air portion 86a surrounded by the outer shell 86b, as shown in the cross section on the right side of FIG. 10. The air portion 86a is a region in which vapor generated in the process of vaporizing the liquid refrigerant is moved, and the outer shell 86b is a heat source (herein, the first to third slots in which the memory module is inserted) by the capillary force. 58, 60, 62) is a path to be moved to).

이러한 히트 파이프(86)에 의해 제1 내지 제3 슬롯(58, 60, 62)이 형성된 부분(82)의 위쪽 부분(82a)으로 집중되는 열은 히트 파이프(86)의 외피(86b)로 공급되는 액상 냉매를 기화시키게 되고, 이 과정에서 발생된 증기는 히트 파이프(86)의 공중부분(86a)을 통해서 연장된 부분(84)까지 이동되어 상기 전용 냉각 팬에 의해 냉각된다. 이때, 상기 증기가 갖고 있던 열은 외부로 제거된다. The heat concentrated by the heat pipe 86 to the upper portion 82a of the portion 82 in which the first to third slots 58, 60, and 62 are formed is supplied to the shell 86b of the heat pipe 86. The liquid refrigerant is vaporized, and the steam generated in this process is moved through the air portion 86a of the heat pipe 86 to the extended portion 84 and cooled by the dedicated cooling fan. At this time, the heat of the steam is removed to the outside.

제6 냉각수단(80)과 같이 히트 파이프(86)를 구비하는 경우, 제1 내지 제3 슬롯(58, 60, 62) 위쪽 부분(82a)의 제1 두께(H1)는 제3 내지 제5 냉각수단(56, 56', 56")의 대응하는 부분의 두께보다 두꺼운 것이 사실이다. 하지만, 히트 파이프(86)의 열전달 특성이 우수하다. 그리고 히트 파이프(86)와 제1 내지 제3 슬롯(58, 60, 62)사이의 간격은 제3 내지 제5 냉각수단(56, 56', 56")의 상기 대응하는 부분의 두께와 같거나 그 보다 얇다. 때문에, 히트 파이프(86)를 냉각수단의 한 요소로 구비하는 경우, 그렇지 않은 경우보다 메모리 모듈로부터 열을 보다 신속하게 제거할 수 있고, 또한 열이 상기 메모리 모듈의 어느 한 부분 혹은 영역에 집중되는 것을 방지할 수 있다.When the heat pipe 86 is provided as the sixth cooling means 80, the first thickness H1 of the upper portion 82a of the first to third slots 58, 60, and 62 is third to fifth. It is true that it is thicker than the thickness of the corresponding part of the cooling means 56, 56 ', 56 ". However, the heat transfer characteristics of the heat pipe 86 are excellent. And the heat pipe 86 and the first to third slots are excellent. The spacing between 58, 60, 62 is equal to or less than the thickness of the corresponding portion of the third to fifth cooling means 56, 56 ′, 56 ″. Therefore, when the heat pipe 86 is provided as one element of the cooling means, heat can be removed from the memory module more quickly than otherwise, and heat is concentrated in any part or area of the memory module. Can be prevented.

도면에 도시되어 있지 않지만, 제6 냉각수단(80)은 히트 파이프(86) 대신 그와 동등한 역할을 하는 다른 열 전달 수단을 구비할 수 있다. 예컨대, 히트 파이프(86)가 내재된 위치에 제3 길이(L3)를 갖는 도 9에 도시한 평판 열 전달장치(66)가 내재될 수 있다.Although not shown in the figure, the sixth cooling means 80 may be provided with other heat transfer means instead of the heat pipe 86, which serves an equivalent. For example, a flat plate heat transfer device 66 shown in FIG. 9 having a third length L3 at the location where the heat pipe 86 is embedded may be embedded.

<제7 실시예>Seventh Example

단일 메모리 모듈 냉각용 냉각수단에 관한 것이다.A cooling means for cooling a single memory module.

도 15를 참조하면, 제7 실시예에 의한 냉각수단(이하, 제7 냉각수단이라 함)(120, 122)은 제1 내지 제6 냉각수단(50, 50', 56, 56', 56", 80)과 달리 일체화된 형태로 구비되지 않고 메모리 모듈(110)의 양측에 분리되어 구비된다. 제7 냉각수단(120, 122) 중에서 메모리 모듈(110)의 좌측에 구비된 냉각수단(120)(이하, 제1 요소라 함)은 메모리 모듈(110)에 장착된 메모리 칩(110a) 중에서 메모리 모듈(110)의 좌측면에 장착된 메모리 칩들과 접촉되고, 우측에 구비된 냉각수단(122)(이하, 제2 요소라 함)은 메모리 모듈(110)의 우측면에 장착된 메모리 칩들과 접촉된다. 제1 및 제2 요소들(120, 122)은 모두 소정의 높이(H3)를 갖는데, 이 높이(H3)는 적어도 메모리 칩(110a)의 높이 보다 큰 것이 바람직하다. 제1 및 제2 요소들(120, 122)은 메모리 모듈(110)을 중심으로 대칭이다. 제1 및 제2 요소(120, 122)는 열 전달장치로써, 모두 동일하게 구성된 것이 바람직하나, 각 요소별로 다르게 구성된 것이라도 무방하다. 후자의 경우, 제1 요소(120)는 평판형 열전달 장치이고, 제2 요소(122)는 구성이 다른 평판형 열전달 장치이거나 다수의 히트 파이프로 구성될 수 있다.Referring to FIG. 15, the cooling means (hereinafter, referred to as a seventh cooling means) 120 and 122 according to the seventh embodiment may include first to sixth cooling means 50, 50 ′, 56, 56 ′, 56 ″. Unlike the integrated form, 80 is provided on both sides of the memory module 110. The cooling means 120 provided on the left side of the memory module 110 among the seventh cooling means 120 and 122. (Hereinafter, referred to as a first element) is in contact with memory chips mounted on the left side of the memory module 110 among the memory chips 110a mounted on the memory module 110, and cooling means 122 provided on the right side. (Hereinafter, referred to as a second element) is in contact with memory chips mounted on the right side of the memory module 110. The first and second elements 120 and 122 both have a predetermined height H3. The height H3 is preferably at least greater than the height of the memory chip 110a. The first and second elements 120 and 122 are symmetric about the memory module 110. The first and second elements 120, In the latter case, the first element 120 is a flat plate heat transfer device, and the second element 122 is a heat transfer device. The configuration may be other flat heat transfer devices or may consist of multiple heat pipes.

도 16은 제1 및 제2 요소들(120, 122) 모두가 동일하게 구성된 경우의 어느 한 요소(예컨대, 제2 요소(122))에 대한 구성을 보여주는 사시도인데, 제1 및 제2 요소들(120, 122)이 서로 다르게 구성된 경우에 어느 한 요소의 구성을 보여주는 사시도가 될 수 있다.FIG. 16 is a perspective view showing a configuration of one element (eg, the second element 122) when both the first and second elements 120 and 122 are configured in the same manner. When 120 and 122 are configured differently, it may be a perspective view showing the configuration of any one element.

도 16을 참조하면, 제2 요소(122)는 메모리 칩(110a)과 접촉되는 하판(122a), 하판(122a)의 메모리 칩(110a)과 접촉되는 영역의 이면에 장착되는 윅 플레이트(122b) 및 윅 플레이트(122b)를 중심으로 하판(122a)과 대향하는 위치에서 하판(122a)과 밀착되는 상판(122c)을 포함한다. 윅 플레이트(122b)는 하판(122a)의 상기 이면에 단순히 장착되더라도 무방하나, 도면에 도시한 바와 같이 하판(122a)의 윅 플레이트(122b)가 장착되는 영역(PA)을 윅 플레이트(122b) 두께만큼 제거한 다음에 그곳에 윅 플레이트(122b)를 장착하는 것이 바람직하다. 후자와 같이 윅 플레이트(122b)를 장착하는 경우, 윅 플레이트(122b)의 장착이 용이하고, 윅 플레이트(122b)가 장착된 후에 윅 플레이트(122b)의 움직임을 줄일 수 있다. 윅 플레이트(122b)와 하판(122a)은 접촉은 양쪽사이로 유입되는 액상 냉매의 표면장력에 의해 유지된다. 하판(122a)과 윅 플레이트(122b)사이로 상기 액상 냉매가 유입되도록 하기 위해, 그리고 하판(122a)과 윅 플레이트(122b)사이로 유입된 상기 액상 냉매가 메모리 칩(110a)으로부터 전달되는 흡수하여 기화될 수 있도록 하기 위해, 윅 플레이트(122b)에 윅 패턴이 형성된 복수의 윅 영역들(WA1, WA2, ... WAn)이 존재한다. 윅 영역들(WA1, WA2,... WAn)은 각각 메모리 모듈(110)에 장착된 메모리 칩(110a)과 일대 일로 대응된다. 윅 영역들(WA1, WA2,...WAn)에는 상기 액상 냉매에 대해 모세관력을 유발하는 다양한 형태의 윅 패턴이 형성될 수 있다. 그리고 복수의 윅 영역들(WA1, WA2,... WAn)사이에 하판(122a)과 윅 플레이트(122b)사이를 미세한 간격으로 유지하기 위한 패턴(예컨대, 돌기)(미도시)이 구비될 수 있다. 이러한 패턴은 상기 액상 냉매가 각 윅 영역들(WA1, WA2,... WAn)사이로 원활히 공급될 수 있도록 하기 위한 것으로써, 하판(122a)과 윅 플레이트(122b)사이에 상기 미세한 간격에 대응되는 두께를 갖는 스페이서가 구비되는 것으로 대체될 수 있다. 복수의 윅 영역들(WA1, WA2,... WAn)은 도면에 도시한 바와 같이 구분되지 않고 하나로 연결될 수도 있다.Referring to FIG. 16, the second element 122 may include a lower plate 122a in contact with the memory chip 110a and a wick plate 122b mounted on the rear surface of the region in contact with the memory chip 110a of the lower plate 122a. And an upper plate 122c in close contact with the lower plate 122a at a position facing the lower plate 122a about the wick plate 122b. Although the wick plate 122b may be simply mounted on the rear surface of the lower plate 122a, the area PA in which the wick plate 122b of the lower plate 122a is mounted is thick as shown in the drawing. After removing as much, it is preferable to mount the wick plate 122b there. When the wick plate 122b is mounted as in the latter case, the wick plate 122b can be easily mounted and the movement of the wick plate 122b can be reduced after the wick plate 122b is mounted. The contact of the wick plate 122b and the lower plate 122a is maintained by the surface tension of the liquid refrigerant flowing between both sides. In order to allow the liquid refrigerant to flow between the lower plate 122a and the wick plate 122b, and the liquid refrigerant introduced between the lower plate 122a and the wick plate 122b is absorbed and vaporized from the memory chip 110a. In order to be able to do so, there are a plurality of wick regions WA1, WA2,... WAn in which a wick pattern is formed in the wick plate 122b. The wick regions WA1, WA2,... WAn correspond one-to-one with the memory chip 110a mounted in the memory module 110, respectively. In the wick regions WA1, WA2,... WAn, various types of wick patterns may be formed to induce capillary forces with respect to the liquid refrigerant. In addition, a pattern (eg, protrusion) (not shown) may be provided between the plurality of wick regions WA1, WA2,... WAn to maintain a minute gap between the lower plate 122a and the wick plate 122b. have. This pattern is for allowing the liquid refrigerant to be smoothly supplied between each of the wick regions WA1, WA2,... WAn, corresponding to the minute gap between the lower plate 122a and the wick plate 122b. It can be replaced by having a spacer with a thickness. The plurality of wick regions WA1, WA2,... WAn may be connected to one another without being divided as shown in the drawing.

도 17의 (a)도 내지 (g)도는 윅 플레이트(122b)의 다양한 예를 보여준다.17A to 17G show various examples of the wick plate 122b.

먼저, (a)도를 참조하면, 복수의 윅 영역들(WA1, WA2, ... WAn)은 소정의 간격(d) 만큼 이격되어 있다. (b)도에 도시한 바와 같이, 윅 플레이트(122b) 전 영역에 걸쳐 고르게 윅(wick)이 형성되는 경우, 윅 플레이트(122b) 전영역이 하나의 윅 영역이 되므로, 윅 영역들(WA1, WA2, ... WAn)간의 간격은 불필요하게 된다. 윅 영역들(WA1, WA2, ... WAn)은 각각 메모리 칩(110a)과 일대 일로 대응되기 때문에, 윅 영역들(WA1, WA2, ... WAn)간의 간격(d)은 메모리 모듈(110)에 장착된 메모리 칩(110a)간의 간격에 상응하는 것이 바람직하다. 윅 플레이트(122b)에 형성된 윅 영역들(WA1, WA2, ... WAn)은 모두 동등하므로, 제1 윅 영역(WA1)에 대한 설명으로 나머지 윅 영역들(WA2,...WAn)에 대한 설명을 대신한다.First, referring to (a), the plurality of wick regions WA1, WA2,... WAn are spaced apart by a predetermined interval d. As shown in (b), when the wick is formed evenly over the entire area of the wick plate 122b, the entire area of the wick plate 122b becomes one wick area. The interval between WA2, ... WAn) becomes unnecessary. Since the wick regions WA1, WA2,... WAn respectively correspond one-to-one with the memory chip 110a, the interval d between the wick regions WA1, WA2,... WAn is the memory module 110. It is preferable to correspond to the interval between the memory chip (110a) mounted on the). Since the wick regions WA1, WA2,... WAn formed in the wick plate 122b are all equivalent, the description of the first wick region WA1 is performed on the remaining wick regions WA2,... WAn. Replace description.

구체적으로, 제1 윅 영역(WA1)에 제1 홀(h1)이 형성되어 있다. 제1 홀(h1)은 가로 방향으로 제1 간격(D1)으로 균일하게 형성되어 있고, 세로방향으로도 제1 간격(D1)과 같은 간격으로 이격되어 있다. 제1 홀(h1)사이에 윅(124)이 형성된다. 따라서 제1 간격(D1)은 적어도 윅 플레이트(122b)에 유입되는 액상 냉매에 대해 모세관력을 미칠 수 있을 정도의 간격인 것이 바람직하다. 제1 홀(h1)은 윅(124)을 통해서 공급된 상기 액상 냉매가 기화되는 과정에서 발생되는 증기가 방출되는 영역이다. 제1 홀(h1)은 윅 플레이트(122b)의 길이 방향에 수직한 방향, 곧 세로 방향으로 형성된 직사각형이다. 제1 홀(h1)이 이러한 형태를 갖는 것은 액상 냉매가 피드백 되는 방향과 관계가 있다. 곧, 도 15 및 도 16을 통해서 짐작할 수 있듯이 제1 홀(h1)을 통해서 방출된 증기가 상판(122c)에 접촉되면, 상판(122c)은 시스템 냉각 팬에 의해 메모리 칩(110a)의 표면온도보다 훨씬 낮은 온도로 유지된다. 따라서 상기 증기가 상판(122c)에 접촉되면서 상판(122c) 내면에 액상의 냉매가 맺히게 된다. 이렇게 맺힌 액상 냉매는 상판(122c) 내면을 따라 하판쪽으로 피드백 된다. 곧, 윅 플레이트(122b)의 아래쪽으로 피드백 된다. 따라서, 액상 냉매를 윅 플레이트(122b)의 아래쪽에서 위쪽으로 공급하기 위해서는 윅(124)이 윅 플레이트(122b)의 아래쪽에서 위쪽으로 길게 형성된 것이 바람직하다. 이러한 연유로 제1 홀(h1)은 윅 플레이트(122b)의 아래쪽에서 위쪽으로, 곧 길이 방향에 수직한 방향으로 긴 직사각형으로 형성된 것이 바람직하다. 물론, 하기에서 설명한 바와 같이 메모리 모듈이 장착되는 모양에 따라, 예컨대 메모리 모듈이 수직면에 장착되는 경우에 제1 홀(h)의 형성 방향은 달라질 수 있다.Specifically, the first hole h1 is formed in the first wick area WA1. The first holes h1 are uniformly formed at the first interval D1 in the horizontal direction, and are spaced apart at the same interval as the first interval D1 in the vertical direction. The wick 124 is formed between the first holes h1. Accordingly, the first interval D1 is preferably such that the capillary force is applied to at least the liquid refrigerant flowing into the wick plate 122b. The first hole h1 is a region in which steam generated in the process of vaporizing the liquid refrigerant supplied through the wick 124 is discharged. The first hole h1 is a rectangle formed in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the wick plate 122b, that is, in a vertical direction. This shape of the first hole h1 is related to the direction in which the liquid refrigerant is fed back. 15 and 16, when the vapor discharged through the first hole h1 comes into contact with the top plate 122c, the top plate 122c is subjected to a surface temperature of the memory chip 110a by the system cooling fan. Maintained at a much lower temperature. Therefore, as the vapor contacts the upper plate 122c, a liquid refrigerant forms on the inner surface of the upper plate 122c. The liquid refrigerant thus formed is fed back to the lower plate along the inner surface of the upper plate 122c. Soon, feedback is made to the bottom of the wick plate 122b. Therefore, in order to supply the liquid refrigerant from the bottom of the wick plate 122b to the top, it is preferable that the wick 124 is elongated upward from the bottom of the wick plate 122b. For this reason, it is preferable that the first hole h1 is formed in a long rectangle from the bottom of the wick plate 122b to an upward direction, that is, in a direction perpendicular to the longitudinal direction. Of course, as described below, according to the shape in which the memory module is mounted, for example, when the memory module is mounted on the vertical plane, the direction in which the first hole h may be formed may vary.

제1 홀(h1) 및 윅(124)의 크기가 모세관력을 유발할 만큼 작다는 것을 고려하면, 제1 홀(h1)이 형성된 방향은 모세관력을 이용하여 액상 냉매를 펌핑하는데 있어서 큰 영향을 주지 않을 수도 있으나, 불가피하지 않은 경우를 제외하고는 상기한 바를 지향하는 것이 바람직하다.Considering that the sizes of the first holes h1 and the wicks 124 are small enough to induce capillary forces, the direction in which the first holes h1 are formed does not significantly affect the pumping of the liquid refrigerant using capillary forces. Although it may not be, it is preferable to point out the above except inevitable cases.

한편, 상기한 바와 같이, 액상 냉매가 윅 플레이트(122b)의 아래쪽으로 공급되는 경우, 상기 액상 냉매는 상판(122c)의 수직면 안쪽을 따라 흘러내린 후, 수평으로 윅 플레이트(122b)와 접촉되는 아래쪽 측면 안쪽을 따라 윅 플레이트(122b)에 공급된다. 따라서 상기 액상 냉매가 상판(122c) 아래쪽 측면 안쪽에 도달되면서 모세관력을 쉽게 받을 수 있도록 상기 측면 안쪽에 캐필러리 패턴이 형성된 것이 바람직하다.On the other hand, as described above, when the liquid refrigerant is supplied to the lower side of the wick plate 122b, the liquid refrigerant flows down the inside of the vertical plane of the upper plate 122c, and then the lower side contacting the wick plate 122b horizontally. It is supplied to the wick plate 122b along the side inner side. Therefore, it is preferable that the capillary pattern is formed on the inner side of the liquid refrigerant so that the capillary force can be easily received while reaching the inner side of the lower side of the upper plate 122c.

계속해서, 윅 플레이트(122b)는 도 17의 (b)도에 도시한 바와 같이 전 영역에 균일한 밀도로 제1 홀(h1)이 분포될 수 있다. (b)도에서, 참조번호 126은 윅 플레이트(122b)의 길이방향에 수직한 세로방향의 윅을, 128은 제1 홀(h1)의 행(row)과 행(row)사이에 존재하는 가로방향의 윅을 나타낸다. 그리고 참조번호 130은 윅 플레이트(122b)의 좌측에서 액상냉매가 공급되는 경우에 모세관력에 의해 윅 플레이트(122b)의 전 영역으로 상기 액상냉매가 퍼지는 과정을, 132는 액상냉매가 아래쪽에서 공급되는 경우에 액상냉매가 퍼지는 과정을, 134는 액상냉매가 윅 플레이트(122b)의 우측에서 공급되는 경우에 액상냉매가 퍼지는 과정을 각각 보여준다.Subsequently, in the wick plate 122b, as illustrated in FIG. 17B, the first hole h1 may be distributed at a uniform density throughout the entire region. In (b), reference numeral 126 denotes a longitudinal wick perpendicular to the longitudinal direction of the wick plate 122b, and 128 denotes a transverse line existing between the row and the row of the first hole h1. Represents a wick in a direction. In addition, reference numeral 130 denotes a process in which the liquid refrigerant spreads to the entire area of the wick plate 122b by capillary force when liquid refrigerant is supplied from the left side of the wick plate 122b, and 132 is a liquid refrigerant supplied below. In the case, the liquid refrigerant spreads, and 134 shows a process in which the liquid refrigerant spreads when the liquid refrigerant is supplied from the right side of the wick plate 122b.

도 17의 (c)도는 윅 플레이트(122b)의 윅 영역들(WA1, WA2,...WAn)에 크기가 서로 다른 홀들(h1, h2, h3) 및 윅들(136, 138, 140)이 형성된 경우에 대한 일 예로써, 제1 윅 영역(WA1)에 크기와 간격 모두 서로 다른 제1 내지 제3 홀(h1, h2, h3)과 폭이 서로 다른 윅들(136, 138, 140)이 형성되어 있다. 그리고 나머지 윅 영역들(WA2,...WAn)에 제1 홀(h1)을 비롯해서 서로 폭이 다른 윅들(136, 138, 140)이 존재한다. 어느 윅 영역에서나 윅들(136, 138, 140)의 폭, 곧 홀들(h1, h2, h3)의 간격은 윅 플레이트(122b)의 길이방향에 수직한 방향으로 위쪽으로 갈수록 점차 좁아진다. 제1 윅 영역(WA1)의 경우, 홀들의 크기도 위쪽으로 갈수록 점차 작아져서 하부영역에 형성된 제1 홀(h1)이 가장 넓고, 중간영역에 형성된 제2 홀(h2)이 그 다음으로 넓고, 상부영역에 형성된 제3 홀(h3)이 가장 좁다. 어느 윅 영역에서나 하부영역에 형성된 제1 홀(h1)은 가장 넓은 제1 간격(D1)으로 형성되어 있다. 그리고 제1 윅 영역(WA1)의 중간영역에 형성된 제2 홀(h2) 및 나머지 윅 영역(WA2, ...WAn)의 중간영역에 형성된 제1 홀(h1)은 모두 제1 간격(D1)보다 좁은 제2 간격(D2)으로 형성되어 있다. 또한, 제1 윅 영역의 상부영역에 형성된 제3 홀(h3) 및 나머지 윅 영역들(WA2,...WAn)의 상부영역에 형성된 제1 홀(h1)은 제2 간격(D2)보다 좁은 제3 간격(D3)으로 형성되어 있다. 이와 같이, 각 윅 영역(WA1, WA2,..WAn)에서 홀들(h1, h2, h3)이 형성된 간격이 상부영역으로 갈수록 점차 좁아진다는 것은 각 윅 영역(WA1, WA2,...WAn)의 윅들(136, 138, 140)의 폭이 하부영역에서 상부영역으로 갈수록 좁아진다는 것을 의미하는 바, 각 윅 영역(WA1, WA2,...WAn)의 하부영역에서 상부영역으로 갈수록 액상냉매에 대한 모세관력은 커지게 된다. 도면의 양측의 "대" "소"는 이를 나타낸다.FIG. 17C shows holes W1, H2, H3 and wicks 136, 138, 140 having different sizes in the wick regions WA1, WA2,... WAn of the wick plate 122b. As an example of the case, wicks 136, 138, and 140 having different widths and first to third holes h1, h2, and h3 having different sizes and intervals are formed in the first wick region WA1. have. In addition, there are wicks 136, 138, and 140 having different widths, including the first hole h1 in the remaining wick regions WA2,... WAn. In any wick region, the widths of the wicks 136, 138, 140, that is, the intervals of the holes h1, h2, h3, become gradually narrower upwards in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the wick plate 122b. In the case of the first wick area WA1, the size of the holes also decreases upwards, so that the first hole h1 formed in the lower area is widest, and the second hole h2 formed in the middle area is next wider. The third hole h3 formed in the upper region is the narrowest. In any wick region, the first hole h1 formed in the lower region is formed at the widest first interval D1. The first hole h1 formed in the middle region of the first wick region WA1 and the first hole h1 formed in the middle region of the remaining wick regions WA2,... It is formed at a narrower second interval D2. In addition, the third hole h3 formed in the upper region of the first wick region and the first hole h1 formed in the upper region of the remaining wick regions WA2,... WAn are narrower than the second interval D2. It is formed in 3rd space | interval D3. As described above, the interval in which the holes h1, h2, and h3 are formed in each of the wick regions WA1, WA2, .... WAn becomes gradually narrower toward the upper region. This means that the widths of the wicks 136, 138, and 140 become narrower from the lower region to the upper region, and thus, the liquid coolant becomes smaller from the lower region to the upper region of each of the wick regions WA1, WA2, ... WAn. The capillary force becomes large. "Large" and "small" on both sides of the figure indicate this.

도 17의 (d)도는 윅 플레이트(122b) 전 영역에 걸쳐 한 종류의 홀, 예컨대 제1 홀(h1)이 윅 플레이트(122b)의 길이 방향에 수직한 방향으로 형성된 경우를 보여준다. 제1 홀(h1)은 윅 플레이트(122b)의 하부영역에서 제1 간격(D1)으로 형성되어 있고, 중간영역에서는 제2 간격(D2)으로, 상부영역에서는 제3 간격(D3)으로 형성되어 있다. 따라서 모세관력은 상부영역으로 갈수록 증가된다. 액상 냉매가 윅 플레이트(122b) 위쪽에서 공급되는 경우, 모세관력이 하부영역으로 갈수록 증가하도록 하기 위해 상기 각 영역별 제1 홀(h1)의 간격은 반대로 되는 것이 바람직하다.FIG. 17D illustrates a case in which one type of hole, for example, a first hole h1, is formed in a direction perpendicular to the length direction of the wick plate 122b over the entire area of the wick plate 122b. The first hole h1 is formed at a first interval D1 in the lower region of the wick plate 122b, at a second interval D2 in the middle region, and at a third interval D3 in the upper region. have. Thus, the capillary force increases toward the upper region. When the liquid refrigerant is supplied above the wick plate 122b, the interval between the first holes h1 for each region is reversed in order to increase the capillary force toward the lower region.

도 17의 (e)도는 (d)도와 마찬가지로 윅 영역을 구분하지 않고 윅 플레이트(122b)의 전 영역에 크기가 서로 다른 제1 내지 제3 홀들(h1, h2, h3)이 형성된 경우를 보여준다.FIG. 17E illustrates a case in which first to third holes h1, h2, and h3 having different sizes are formed in the entire region of the wick plate 122b without dividing the wick region, as in FIG.

구체적으로, 윅 플레이트(122b)의 하부영역에 제1 홀(h1)이, 중간영역에 제2 홀(h2)이, 상부영역에 제3 홀(h3)이 각각 형성되어 있다. 제1 내지 제3 홀들(h1, h2, h3)은 윅 플레이트(122b)의 길이방향에 수직한 방향으로 형성되어 있다. 제1 및 제2 홀(h1, h2)은 각각 제1 및 제2 간격(D1, D2)으로 형성되어 있고, 제3 홀(h3)은 제3 간격(D3)으로 형성되어 있다. 이처럼 제1 내지 제3 홀들(h1, h2, h3)이 윅 플레이트(122b)의 상부영역으로 갈수록 좁게 형성되어 있기 때문에, 모세관력은 상부영역으로 갈수록 증가된다.Specifically, the first hole h1 is formed in the lower region of the wick plate 122b, the second hole h2 is formed in the middle region, and the third hole h3 is formed in the upper region, respectively. The first to third holes h1, h2, and h3 are formed in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the wick plate 122b. The first and second holes h1 and h2 are formed at the first and second intervals D1 and D2, respectively, and the third hole h3 is formed at the third interval D3. As the first to third holes h1, h2, and h3 are formed narrower toward the upper region of the wick plate 122b, the capillary force increases toward the upper region.

17도의 (f)도는 홀 및 윅이 윅 플레이트의 길이 방향으로, 곧 메모리 모듈의 길이 방향으로 형성된 경우를 보여준다.(F) of FIG. 17 shows a case where holes and wicks are formed in the length direction of the wick plate, that is, in the length direction of the memory module.

이를 참조하면, 윅 플레이트(122b)에 제4 홀(h4)이 윅 플레이트(122b)의 길이 방향으로 균일한 밀도로 형성되어 있다. 제4 홀(h4)은 윅 플레이트(122b)의 길이 방향에 수직한 방향으로 제1 간격(D1) 만큼 이격되어 있다. 제4 홀(h4)이 균일한 밀도로 분포되어 있기 때문에, 제4 홀(h4)사이에 형성되는 윅(136) 또한 윅 플레이트(122b) 전 영역에 걸쳐 균일한 밀도로 분포하며, 그 폭도 전 영역에 걸쳐 동일하다.Referring to this, the fourth hole h4 is formed in the wick plate 122b at a uniform density in the longitudinal direction of the wick plate 122b. The fourth holes h4 are spaced apart by the first interval D1 in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the wick plate 122b. Since the fourth holes h4 are distributed at a uniform density, the wicks 136 formed between the fourth holes h4 are also distributed at a uniform density over the entire area of the wick plate 122b, and the width thereof is also equal to that of the fourth holes h4. The same throughout the area.

한편, (f)도에서 제4 홀(h4)은 제1 간격(D1)대신에 제2 간격(D2) 또는 제3 간격(D3)만큼 이격될 수 있다. 또 제4 홀(h4)은 상기한 제2 홀(h2) 또는 제3 홀(h3)에 상응하는 것으로 대체될 수 있는데, 어느 홀도 대체되던 대체된 홀은 제1 간격(D1), 제2 간격(D2) 또는 제3 간격(D3)만큼 이격될 수 있다.On the other hand, in FIG. 4 (f), the fourth hole h4 may be spaced apart by the second interval D2 or the third interval D3 instead of the first interval D1. In addition, the fourth hole h4 may be replaced with the second hole h2 or the third hole h3. The replaced hole in which either hole is replaced is the first interval D1 and the second hole. It may be spaced apart by the interval D2 or the third interval D3.

(e)도에 도시한 윅 플레이트(122b)는 액상 냉매가 윅 플레이트(122b)의 우측 또는 좌측에서 공급되는 경우에 적합하기 때문에, 수직면에 수직으로 장착된 메모리 모듈의 냉각에 사용되는 평판 열전달 장치에 적합하다.The wick plate 122b shown in (e) is suitable for the case where the liquid refrigerant is supplied from the right side or the left side of the wick plate 122b, and thus the flat plate heat transfer device used for cooling the memory module mounted vertically on the vertical plane. Suitable for

도 17의 (g)도는 윅 플레이트에서 윅의 폭, 곧 홀간의 간격이 윅 플레이트의 길이 방향에 따라 균일하지 않은 경우에 대한 일 예를 보여준다.Figure 17 (g) shows an example of the case where the width of the wick, that is, the spacing between the holes in the wick plate is not uniform along the length direction of the wick plate.

이를 참조하면, 윅 플레이트(122b)에 제4 홀(h4)이 윅 플레이트(122b)의 길이 방향으로 형성되어 있다. 제4 홀(h4)은 윅 플레이트(122b)의 우측영역에서 길이방향에 수직한 방향으로 제1 간격(D1) 만큼 이격되어 있고, 중간영역에서 제2 간격(D2)만큼 이격되어 있으며, 좌측영역에서 제3 간격(D3)만큼 이격되어 있다. 이에 따라 윅 플레이트(122b)의 우측영역에 형성된 윅(142)보다 중간영역에 형성된 윅(144)의 폭이 좁고, 좌측영역에 형성된 윅(146)의 폭은 상기 중간영역에 형성된 윅(144)보다 더 좁다. 결국, 제4 홀(h4)의 분포 밀도는 윅 플레이트(122b)의 영역에 따라 달라지게 되는데, 윅 플레이트(122b)의 우측 영역에서 가장 낮고, 좌측영역으로 갈수록 높아진다. 제4 홀(h4)이 윅 플레이트(122b)의 길이 방향으로 형성되어 있지만, 제4 홀(h4)은 길이방향에 수직한 방향으로 열(column)을 이룬다. 따라서 제4 홀(h4)의 열과 열은 미세한 간격을 이루기 때문에, 제4 홀(h4)의 열과 열사이에도 윅(148, 150, 152)이 존재하게 된다. 제4 홀(h4)은 열사이의 폭이 윅 플레이트(122b)의 우측영역에서 넓고 좌측영역으로 갈수록 좁아지도록 열을 이루고 있다. 따라서 윅 플레이트(122b)의 우측영역에 존재하는 열사이의 윅(148)이 중간영역에 존재하는 열사이의 윅(150)보다 폭이 넓고, 좌측영역에 존재하는 열사이의 윅(152)은 상기 중간영역에 존재하는 열사이의 윅(150)보다 폭이 좁다. 이에 따라 윅 플레이트(122b)의 우측에서 액상 냉매가 공급되는 경우, 상기 액상 냉매에 대한 길이방향 및 이에 수직한 방향으로의 모세관력은 윅 플레이트(122b)의 좌측으로 갈수록 커진다.Referring to this, the fourth hole h4 is formed in the wick plate 122b in the longitudinal direction of the wick plate 122b. The fourth hole h4 is spaced apart from the right region of the wick plate 122b by the first interval D1 in the direction perpendicular to the longitudinal direction, and spaced apart from the middle region by the second interval D2, and the left region. Are spaced apart by a third interval D3. Accordingly, the width of the wick 144 formed in the middle region is narrower than that of the wick 142 formed in the right region of the wick plate 122b, and the width of the wick 146 formed in the left region is the wick 144 formed in the intermediate region. Narrower than As a result, the distribution density of the fourth hole h4 varies depending on the region of the wick plate 122b, which is the lowest in the right region of the wick plate 122b and becomes higher toward the left region. Although the fourth hole h4 is formed in the longitudinal direction of the wick plate 122b, the fourth hole h4 forms a column in a direction perpendicular to the longitudinal direction. Accordingly, since the rows and the rows of the fourth holes h4 form minute intervals, the wicks 148, 150, and 152 exist between the rows and the rows of the fourth holes h4. The fourth holes h4 form a row such that the width between the rows is wider in the right region of the wick plate 122b and narrower toward the left region. Therefore, the wick 148 between the rows existing in the right region of the wick plate 122b is wider than the wick 150 between the columns existing in the intermediate region, and the wick 152 between the columns existing in the left region is the intermediate region. It is narrower than the wick 150 between the columns present in. Accordingly, when the liquid refrigerant is supplied from the right side of the wick plate 122b, the capillary force in the longitudinal direction and the direction perpendicular to the liquid refrigerant increases toward the left side of the wick plate 122b.

한편, 도 17의 (g)도와 관련하여 다른 조건은 동일하게 하면서 제4 홀(h4)을 제2 홀(h2) 또는 제3 홀(h3)에 상응되는 것으로 대체할 수 있다. 또 다른 조건은 동일하게 하면서 윅 플레이트(122b)의 각 영역에 형성된 열사이의 윅들(148, 150, 152)의 폭은 동일하게 할 수 있다. 또 윅 플레이트(122b)가 윅 영역들(WA1, WA2,...WAn)로 구분된 경우, 각 윅 영역에 형성된 홀 모양을 사각형 한 종류로만 제한하지 않고, 적어도 두 종류 이상으로 구성할 수 있다. 이 경우는 윅 플레이트(122b) 전 영역에 홀이 형성되는 경우에도 적용될 수 있다.Meanwhile, in relation to FIG. 17G, other conditions may be the same, and the fourth hole h4 may be replaced with one corresponding to the second hole h2 or the third hole h3. Another condition may be the same, and the widths of the wicks 148, 150, and 152 between the columns formed in the respective regions of the wick plate 122b may be the same. In addition, when the wick plate 122b is divided into wick regions WA1, WA2, ..., WAn, the hole shape formed in each wick region is not limited to only one type of rectangle, but may be configured in at least two types. . This case can also be applied to the case where holes are formed in the entire area of the wick plate 122b.

도 18은 도 16에 도시한 제2 요소(122)의 상판(122c)의 안쪽, 곧 윅 플레이트(122b)와 마주하는 부분에 대한 사시도로써, 참조부호 A1 내지 A4는 각각 윅 플레이트(122b)의 네 측벽의 제1 내지 제4 안쪽면을 나타낸다. 측벽은 제2 두께(t2)를 갖는다. 상판(122c)이 도 16에 도시한 바와 같이 하판(122a)과 결합되는 경우, 액상 냉매는 상판(122c)의 윅 플레이트(122b)와 마주하는 면을 타고 내려와서 제1 안쪽면(A1)을 따라 윅 플레이트(122b)로 유입된다. 그러므로 제1 안쪽면(A1)에 상기한 바와 같이 윅 플레이트(122b) 방향으로 윅 패턴이 형성된 것이 바람직하다.FIG. 18 is a perspective view of a portion of the second element 122 shown in FIG. 16 facing the inner side of the top plate 122c, that is, the wick plate 122b, and reference numerals A1 to A4 denote the wick plate 122b, respectively. The first to fourth inner surfaces of the four sidewalls are shown. The side wall has a second thickness t2. When the upper plate 122c is coupled to the lower plate 122a as shown in FIG. 16, the liquid refrigerant descends on the side facing the wick plate 122b of the upper plate 122c to form the first inner surface A1. Along the wick plate 122b. Therefore, it is preferable that a wick pattern is formed on the first inner surface A1 in the wick plate 122b direction as described above.

도 15에 도시한 메모리 모듈(110)이 도시된 것과 달리 수직하게 장착되는 경우, 상판(122c) 역시 수직하게 세워지게 되므로, 액상 냉매는 제2 안쪽면(A2) 또는 제3 안쪽면(A3)을 따라 윅 플레이트(122b)로 유입된다. 따라서 이때는 상판(122c)의 제2 안쪽면(A2) 또는 제3 안쪽면(A3)에 윅 플레이트(122b) 방향으로 윅 패턴이 형성된 것이 바람직하다. 결국, 상판(122c)의 제1 내지 제4 안쪽면(A1, A2, A3, A4) 모두에 윅 패턴이 형성된 것이 바람직하다.When the memory module 110 illustrated in FIG. 15 is vertically mounted unlike the illustrated example, since the upper plate 122c is also vertically erected, the liquid refrigerant may be the second inner surface A2 or the third inner surface A3. It flows into the wick plate 122b along. Therefore, in this case, it is preferable that a wick pattern is formed on the second inner surface A2 or the third inner surface A3 of the upper plate 122c in the wick plate 122b direction. As a result, it is preferable that a wick pattern is formed on all of the first to fourth inner surfaces A1, A2, A3, and A4 of the upper plate 122c.

한편, 도 19에 도시한 바와 같이, 상판(122c) 안쪽 영역에 칸막이(160)가 복수개 구비될 수 있다. 칸막이(160)에 의해 상판(122c) 안쪽 영역은 복수 영역으로 분할되는데, 칸막이(160)는 상판(122c)의 안쪽 영역이 윅 영역들(WA1, WA2, ...WAn)의 수만큼 분할되도록 구비된 것이 바람직하다. 이러한 칸막이(160)에 따라 상판(122c)의 안쪽 영역은 윅 영역들(WA1, WA2, ...WAn)과 동수의 챔버(C1, C2,...Cn)로 분할된다. 상기 각 챔버들(C, C2,...Cn)은 제4 간격(D4)에 해당하는 폭을 갖는데, 제4 간격(D4)은 적어도 메모리 칩(110a)의 폭보다 큰 것이 바람직하다. 또한, 칸막이(160)가 존재함으로써, 도 18에 도시한 상판(122c)의 제1 및 제4 내측면들(A1, A4)은 각각 도 19에 도시한 바와 같이 윅 영역들(WA1, WA2, ...WAn)과 동수의 내측면들(A11,..,A1n 및 A41,...A4n)로 분할된다. 분할된 내측면들(A11,..,A1n 및 A41,...A4n) 각각에 윅 패턴이 형성된 것이 바람직하다. 또한, 칸막이(160)의 양측면에 윅 플레이트(122b) 방향으로 윅 패턴이 형성될 수 있다.Meanwhile, as illustrated in FIG. 19, a plurality of partitions 160 may be provided in an inner region of the upper plate 122c. The partitions 160 divide the inner region of the upper plate 122c into a plurality of regions, and the partition 160 divides the inner region of the upper plate 122c by the number of wick regions WA1, WA2,... It is preferred to be provided. According to the partition 160, the inner region of the upper plate 122c is divided into wick regions WA1, WA2,... WAn and equal number of chambers C1, C2,... Each of the chambers C, C2, ... Cn has a width corresponding to the fourth interval D4, and the fourth interval D4 is preferably at least larger than the width of the memory chip 110a. In addition, since the partition 160 is present, the first and fourth inner surfaces A1 and A4 of the upper plate 122c shown in FIG. 18 are separated from the wick regions WA1 and WA2, respectively, as shown in FIG. ... divided by the same number of inner surfaces A11, ..., A1n and A41, ... A4n. It is preferable that a wick pattern is formed on each of the divided inner surfaces A11,..., A1n and A41,... A4n. In addition, a wick pattern may be formed on both side surfaces of the partition 160 in the wick plate 122b direction.

제2 요소(122)에 도 17의 (a) 또는 (c)도에 도시한 윅 플레이트(122b)와 도 19에 도시한 상판(122c)이 사용된 경우, 상판(122c)의 칸막이(160)는 도 20에 도시한 바와 같이 윅 플레이트(122b)의 윅 영역들(WA1, WA2, ...WAn)사이에 하나씩 밀착된다. 이에 따라 윅 플레이트(122b)의 윅 영역들(WA1, WA2, ...WAn)도 칸막이(160)에 의해 공간적으로 완전히 분리된다. 이 경우, 도 15 또는 도 16에 도시한 제2 요소(122)는 메모리 칩(110a)당 한 개의 미소 열 전달장치 또는 미소 냉각장치가 대응되도록, 메모리 칩(110a)과 동수의 미소 열 전달장치 또는 미소 냉각장치로 구성되는, 전체적으로는 단일체인 냉각수단이 된다. 상기 미소 열 전달장치 또는 미소 냉각장치는 상기한 바와 같이 상판(122c)의 챔버들(C1,..Cn)중 어느 하나, 예컨대 제1 챔버(C1)와 이에 대응되는 제1 윅 영역(WA1) 및 하판(122a)으로 구성된다.When the wick plate 122b shown in FIG. 17A or 17C and the top plate 122c shown in FIG. 19 are used for the second element 122, the partition 160 of the top plate 122c is used. 20 is in close contact with each other between the wick regions WA1, WA2, ... WAn of the wick plate 122b. Accordingly, the wick regions WA1, WA2,... WAn of the wick plate 122b are also completely separated by the partition 160. In this case, the second element 122 shown in FIG. 15 or FIG. 16 has the same number of micro heat transfer devices as the memory chip 110 a so that one micro heat transfer device or micro cooling device per memory chip 110 a corresponds. Or as a whole a single cooling means composed of a micro cooling device. As described above, the micro heat transfer device or the micro cooling device includes any one of the chambers C1 and Cn of the upper plate 122c, for example, the first chamber C1 and the first wick region WA1 corresponding thereto. And a lower plate 122a.

한편, 윅 플레이트(122b)의 칸막이(160)와 접촉되는 이면에 칸막이(160)와 동일한 길이를 갖는 하향 돌출부(미도시)를 구비할 수 있다. 상기 하향 돌출부는 각 윅 영역(WA1, WA2, ...WAn)과 하판(122a)의 윅 플레이트 장착영역(PA)사이로 유입되는 액상 냉매에 대해 모세관력이 작용할 수 있을 정도로 돌출된 것이 바람직하다. 상기 하향 돌출부에 의해 하판(122a)에 윅 플레이트(122b)가 장착되면서 윅 플레이트 장착영역(PA)은 윅 영역들(WA1, WA2, ...WAn)과 동수로 분할된다.Meanwhile, a downward protrusion (not shown) having the same length as the partition 160 may be provided on the rear surface of the wick plate 122b in contact with the partition 160. The downward protrusions preferably protrude so that the capillary force acts on the liquid refrigerant flowing between the wick regions WA1, WA2, ... WAn and the wick plate mounting region PA of the lower plate 122a. As the wick plate 122b is mounted on the lower plate 122a by the downward protrusion, the wick plate mounting area PA is divided into equal numbers with the wick areas WA1, WA2,...

상판(122c)은 도 21에 도시한 바와 같이 외부면에만 주름(162)이 존재하거나, 도 22 및 도 23에 도시한 바와 같이 상판(122c) 자체가 주름지거나 양면에 주름이 존재할 수 있다.The top plate 122c may have wrinkles 162 only on its outer surface, as shown in FIG. 21, or the top plate 122c itself may have wrinkles, or wrinkles may exist on both sides, as shown in FIGS. 22 and 23.

구체적으로, 도 21을 참조하면, 상판(122c)의 외부면 전체에 주기적으로 주름(162)이 형성되어 있다. 주름(162)의 골과 산은 상판(122c)의 길이방향(지면에 들어가는 방향)으로 평행하다. 이러한 주름(162)은 상판(122c)의 표면적을 넓게 하기 위한 목적이므로, 상판(122c) 중에서 상기 시스템 냉각 팬으로부터 공급되는 바람과 접촉되는 면적이 좁은 부분에 집중적으로 형성한 것이 바람직하나, 상판(122c)의 그렇지 않은 부분에도 형성하여 상판(122c) 안쪽으로부터 열을 보다 신속하게 제거할 수 있다. 주름(162)의 산에서 측정된 상판(122c)의 제3 두께(t3)는 주름(162)이 형성되지 않은 상태의 상판(122c)의 제3 두께(t3, 도 18 참조)와 동일한 것이 바람직하다. 도면에 도시하지는 않았지만, 상판(122c)에 산과 골이 각각 상판(122c)의 길이방향에 수직한 방향으로 평행한, 따라서 주름(162)의 산과 골과 수직한 주름이 존재할 수 있다.Specifically, referring to FIG. 21, wrinkles 162 are periodically formed on the entire outer surface of the upper plate 122c. The valleys and peaks of the corrugation 162 are parallel to the longitudinal direction (direction to enter the ground) of the upper plate 122c. Since the pleats 162 are intended to widen the surface area of the upper plate 122c, it is preferable that the pleats 162 are concentrated on a narrow area of the upper plate 122c that is in contact with the wind supplied from the system cooling fan. It is also formed in the other part of 122c), and heat can be removed more quickly from the inside of the upper plate 122c. The third thickness t3 of the top plate 122c measured at the peak of the wrinkles 162 is preferably the same as the third thickness t3 (see FIG. 18) of the top plate 122c without the wrinkles 162 being formed. Do. Although not shown in the drawings, there may be wrinkles in the top plate 122c in which the peaks and valleys are respectively parallel to the direction perpendicular to the longitudinal direction of the top plate 122c, and thus the peaks and valleys of the wrinkles 162.

도 22에 도시한 바와 같이, 상판(122c)의 윅 플레이트(122b)와 대향하는 부분의 양면에 각각 주름(164a, 164b)이 존재할 수 있다. 이때, 주름(164a, 164b)은 산과 골이 상판(122c)의 길이방향에 수직한 방향(지면에 들어가는 방향)으로 평행하도록 형성된 것이 바람직하다. 안쪽면에 형성된 주름(164a)의 산과 골이 바깥면에 형성된 주름(164b)의 산과 골에 정확히 일치되도록 두 주름(164a, 164b)은 평행하게 형성된 것이 바람직하다. 이러한 주름(164a, 164b)이 형성된 상판(122c)의 경우, 주름(164a, 164b)을 따라 액상 냉매가 주름(164a, 164b)의 골 및 산을 따라 신속하게 길이방향과 수직한 방향으로 이동될 수 있으므로, 도 22에 도시한 상판(122c)은 도 15에 도시한 바와 같이 수평면 상에 수평으로 장착된 메모리 모듈(110)의 냉각을 위한 제1 및 제2 요소(120, 122)에 적용되는 것이 바람직하다.As illustrated in FIG. 22, wrinkles 164a and 164b may be present on both surfaces of the portion facing the wick plate 122b of the upper plate 122c, respectively. At this time, it is preferable that the corrugations 164a and 164b are formed so that the peaks and valleys are parallel to the direction perpendicular to the longitudinal direction of the upper plate 122c (the direction entering the ground). It is preferable that the two wrinkles 164a and 164b are formed in parallel so that the peaks and valleys of the wrinkles 164a formed on the inner surface exactly match the peaks and valleys of the wrinkles 164b formed on the outer surface. In the case of the upper plate 122c in which the pleats 164a and 164b are formed, the liquid refrigerant is rapidly moved along the valleys and mountains of the pleats 164a and 164b in the direction perpendicular to the longitudinal direction along the pleats 164a and 164b. The upper plate 122c shown in FIG. 22 may be applied to the first and second elements 120 and 122 for cooling the memory module 110 mounted horizontally on a horizontal plane as shown in FIG. 15. It is preferable.

한편, 상판(122c)의 양면에 도 23에 도시한 바와 같이 산과 골이 상판(122c)의 길이 방향(지면에 들어가는 방향)으로 평행한 주름(162, 166)이 존재할 수 있다. 이러한 주름(162, 166)이 존재하는 상판(122c)은 도 24에 도시한 바와 같이 수직면에 장착된 PCB(170)에 수직으로 장착된 메모리 모듈(110)을 냉각하기 위해 메모리 모듈(110) 양측에 메모리 칩(110a)과 접촉되도록 구비된 제1 및 제2 요소(120, 122)에 적용된 것이 바람직하다. 도 23에서 참조부호 g는 중력 가속도를 나타낸다.Meanwhile, as shown in FIG. 23, corrugations 162 and 166 may be present on both surfaces of the upper plate 122c such that the peaks and valleys are parallel to the longitudinal direction of the upper plate 122c (the direction into the ground). The upper plate 122c having the wrinkles 162 and 166 may be disposed at both sides of the memory module 110 to cool the memory module 110 mounted vertically on the PCB 170 mounted on the vertical surface, as shown in FIG. 24. Is applied to the first and second elements 120 and 122 provided in contact with the memory chip 110a. In Fig. 23, reference numeral g denotes a gravitational acceleration.

<제8 실시예><Eighth Embodiment>

단일 메모리 모듈의 양면에 장착된 메모리 칩을 냉각하기 위한 단일체 냉각수단에 관한 것이다.A single unit cooling means for cooling a memory chip mounted on both sides of a single memory module.

도 25를 참조하면, 제8 실시예에 의한 메모리 모듈 냉각수단(이하, 제8 냉각수단이라 함)(180)은 한 개의 메모리 모듈이 삽입될 수 있는 슬롯(182)이 구비된 열 전달장치 또는 냉각장치이다. 슬롯(182)의 폭(W)은 메모리 칩(110a)이 장착된 부분에서 측정된 메모리 모듈(110)의 두께와 동일하다. 또한, 슬롯(182)은 상기 메모리 칩이 완전히 덮일 수 있을 정도의 깊이를 갖는 것이 바람직하다. 이러한 슬롯(182)은 하부 구조체(180b)에 형성되어 있다. 하부 구조체(180b)는 제4 길이(L4)와 소정의 폭(W)을 갖는 상판(a)과 상판(a)의 양끝이 아래쪽으로 수직하게 확장된 제1 및 제2 측벽(b, c)으로 구성된다. 제1 및 제2 측벽(b, c)은 각각 슬롯(182)의 깊이 만큼 확장되어 있다. 편의 상 하부 구조체(180b)를 상판(a)과 제1 및 제2 측벽(b, c)으로 나누어 설명하였지만, 실제 하부 구조체(180b)는 도면에 도시한 바와 같이 상판(a)과 제1 및 제2 측벽(b, c)이 한 종류의 물질로 형성된 단일 구조체이다. 이러한 하부 구조체(180b)는 공중(空中)의 폭이 슬롯(182) 영역의 폭(W)과 동일하고 제4 길이(L4)를 갖는 사각 실린더에서 한 면이 제거된 형상과 동일하다. 이러한 하부 구조체(180b) 상에 상기한 윅 플레이트(122b)와 동등하게 액상 냉매에 대해 모세관력이 작용할 수 있도록 미세한 윅 패턴 및 홀이 형성된 윅 구조체(180c)가 장착되어 있다. 윅 구조체(180c)는 도 17 (a) 도 내지 (g)도에 도시한 윅 플레이트(122b)를 하부 구조체(180b) 표면을 따라 장착한 것으로 볼 수 있다. 윅 구조체(180c)의 상기 윅 패턴 및 홀은 상술한 윅 플레이트(122b)에 형성된 윅과 홀과 동등할 수 있다. 그러나 하부 구조체(180b)의 구조를 고려할 때, 제1 및 제2 측벽(b, c)의 하단에서 유입된 액상 냉매는 제1 및 제2 측벽(b, c)을 따라 상판(a)까지 공급되어야 하기 때문에, 하부 구조체(180b)의 제1 및 제2 측벽(b, c)에 장착되는 윅 구조체(180c)에 형성된 윅 패턴은 상판(a) 상에 형성된 윅 구조체(180c)의 윅 패턴보다 액상 냉매에 대한 모세관력이 크도록 형성된 것이 바람직하다.Referring to FIG. 25, a memory module cooling means (hereinafter, referred to as an eighth cooling means) 180 according to an eighth embodiment may include a heat transfer device including a slot 182 into which one memory module may be inserted. It is a chiller. The width W of the slot 182 is equal to the thickness of the memory module 110 measured at the portion where the memory chip 110a is mounted. In addition, the slot 182 preferably has a depth such that the memory chip can be completely covered. The slot 182 is formed in the lower structure 180b. The lower structure 180b includes a top plate a having a fourth length L4 and a predetermined width W, and first and second sidewalls b and c in which both ends of the top plate a extend vertically downward. It consists of. The first and second sidewalls b, c extend each the depth of the slot 182. For convenience, the lower structure 180b is divided into the upper plate a and the first and second sidewalls b and c, but the actual lower structure 180b is the upper plate a and the first and second as shown in the drawings. The second side walls b and c are unitary structures formed of one kind of material. The lower structure 180b has the same width as the width W of the slot 182 area and the same shape as one surface is removed from the rectangular cylinder having the fourth length L4. A wick structure 180c having a fine wick pattern and holes is mounted on the lower structure 180b so that capillary force can be applied to the liquid refrigerant in the same manner as the wick plate 122b. The wick structure 180c may be regarded as having the wick plate 122b shown in FIGS. 17A to 17G mounted along the surface of the lower structure 180b. The wick patterns and holes of the wick structure 180c may be equivalent to the wicks and holes formed in the wick plate 122b described above. However, considering the structure of the lower structure 180b, the liquid refrigerant flowing from the lower ends of the first and second sidewalls (b, c) is supplied to the upper plate (a) along the first and second sidewalls (b, c). Since it should be, the wick pattern formed on the wick structure 180c mounted to the first and second sidewalls b and c of the lower structure 180b is less than that of the wick structure 180c formed on the upper plate a. It is preferable that the capillary force with respect to the liquid refrigerant is formed to be large.

윅 구조체(180c)는 액상 냉매의 표면장력 때문에 하부 구조체(180b) 표면에 안정적으로 장착되어 있을 수 있으나, 외부 충격이나 장착된 전자장치가 이동되는 과정에서 유격이 발생될 수 있기 때문에, 윅 구조체(180c)는 그 가장자리가 도면에 도시한 바와 같이 상부 구조체(180a)에 의해 눌려지도록 하부 구조체(180b)의 소정 영역 상에 장착된 것이 바람직하다. 하부 구조체(180b)의 윅 구조체(180c)가 장착되는 영역은 윅 구조체(180c) 두께만큼 제거되어 있다. 곧, 하부 구조체(180b)의 윅 구조체(180c)가 장착되는 영역은 하부 구조체(180b)의 다른 부분보다 얇다.The wick structure 180c may be stably mounted on the surface of the lower structure 180b due to the surface tension of the liquid refrigerant. However, the wick structure 180c may generate a gap during an external impact or a process in which the mounted electronic device is moved. 180c is preferably mounted on a predetermined area of the lower structure 180b such that its edge is pressed by the upper structure 180a as shown in the figure. The region where the wick structure 180c of the lower structure 180b is mounted is removed by the thickness of the wick structure 180c. In other words, the area where the wick structure 180c of the lower structure 180b is mounted is thinner than other portions of the lower structure 180b.

증기가 응축되는 상부 구조체(180a)는 제1 길이(L1)와 제1 폭(W1)을 갖는 상판(a')과 제1 길이(L1)와 제1 높이(H1)를 갖는 제3 및 제4 측벽(b', c')으로 구성된다. 상판(a')은 하부 구조체(180b)의 상판 상에 장착된 윅 구조체로부터 위쪽으로 소정 간격만큼 이격되어 있다. 제3 및 제4 측벽(b', c')도 각각 하부 구조체(180b)의 제1 및 제2 측벽(b, c)으로부터 수평으로 소정 간격만큼 이격되어 있다. 제3 및 제4 측벽(b', c')은 각각 상부 구조체(180a)의 양쪽 가장자리가 하부 구조체(180b)의 제1 및 제2 측벽(b, c)과 평행을 이루도록 아래쪽으로 수직하게 제1 높이(H1)와 동일한 값으로 연장된 것이다. 따라서 상부 구조체(180a)의 상판(a')은 제3 및 제4 측벽(b', c')이 제1 및 제2 측벽(b, c)과 평행하게 되도록 하부 구조체(180b)의 상판(a)보다 길게 구비된 것이 바람직하다.The upper structure 180a through which the vapor is condensed is formed of a top plate a 'having a first length L1 and a first width W1, and a third and a third having a first length L1 and a first height H1. 4 sidewalls b 'and c'. The upper plate a 'is spaced apart from the wick structure mounted on the upper plate of the lower structure 180b upward by a predetermined distance. The third and fourth sidewalls b 'and c' are also horizontally spaced apart from the first and second sidewalls b and c of the lower structure 180b by a predetermined distance, respectively. The third and fourth sidewalls b 'and c' are respectively perpendicularly downwards such that both edges of the upper structure 180a are parallel to the first and second sidewalls b and c of the lower structure 180b. It is extended to the same value as 1 height H1. Accordingly, the upper plate a 'of the upper structure 180a may have the upper plate (a') of the lower structure 180b such that the third and fourth sidewalls b 'and c' are parallel to the first and second sidewalls b and c. It is preferable to be provided longer than a).

이와 같이 상부 구조체(180a)의 상판(a')과 제3 및 제4 측벽(b', c')이 각각 하부 구조체(180b)의 상판(a)과 제1 및 제2 측벽(b, c)으로부터 소정 간격만큼 이격되어 있기 때문에, 상부 및 하부 구조체들(180a, 180b)사이에 상기 소정 간격과 제4 길이(L1)의 곱으로 표현되는 공간이 존재하게 된다. 상기 공간은 윅 구조체(180c)와 하부 구조체(180b)사이로 공급되는 액상 냉매가 메모리 모듈로부터 전달되는 열에 의해 기화되는 과정에서 발생되는 증기가 윅 구조체(180c)에 형성된 홀을 통해서 방출되어 집합되는 장소이다. 상기 공간에 집합된 상기 증기는 상부 구조체(180a)와 접촉되면서 자신이 갖고 있던 열을 상부 구조체(180a)를 통해 밖으로 발산하고 자신은 액상 냉매로 상부 구조체(180a)의 안쪽면에 맺힌다. 제3 및 제4 측벽(b', c')의 하단은 하부 구조체(180b)쪽으로 휘어져서 소정의 길이만큼 확장된 다음, 하부 구조체(180b)의 하단과 접착되어 있다. 이때, 윅 구조체(180c)의 가장자리가 하부 구조체(180b)와 함께 제3 및 제4 측벽(b', c') 하단의 상기 확장된 부분(d', e')과 접착되면서 윅 구조체(180c)의 가장자리는 상기 확장된 부분(d', e')에 의해 눌려진다. 제3 및 제4 측벽(b', c')의 하단이 하부 구조체(180b) 쪽으로 휘어져서 확장된 길이는 하부 구조체(180b)의 측벽, 예컨대 제1 측벽(b)과 대응하는 상부 구조체(180a)의 측벽, 예컨대 제3 측벽(b')사이의 간격과 동일하다. 상부 구조체(180a)의 상판(a')은 제4 두께(t4)를 갖는데, 제3 및 제4 측벽(b', c')의 두께도 제4 두께(t4)인 것이 바람직하다.As such, the upper plate a 'and the third and fourth sidewalls b' and c 'of the upper structure 180a are respectively the upper plate a and the first and second sidewalls b and c of the lower structure 180b. Spaced apart from the upper and lower structures 180a and 180b, the space represented by the product of the predetermined interval and the fourth length L1 exists. The space is a place where steam generated during the process of vaporizing the liquid refrigerant supplied between the wick structure 180c and the lower structure 180b by heat transferred from the memory module is discharged through the holes formed in the wick structure 180c. to be. The vapor collected in the space comes into contact with the upper structure 180a and dissipates the heat it has through the upper structure 180a and forms a liquid refrigerant on the inner surface of the upper structure 180a. Lower ends of the third and fourth sidewalls b 'and c' are bent toward the lower structure 180b and extended by a predetermined length, and then adhered to the lower ends of the lower structure 180b. At this time, the edge of the wick structure 180c is bonded to the extended portions d 'and e' at the bottom of the third and fourth sidewalls b 'and c' together with the lower structure 180b. ) Is pressed by the extended portions d ', e'. Lower ends of the third and fourth sidewalls b 'and c' are bent toward the lower structure 180b so that the extended lengths correspond to the sidewalls of the lower structure 180b, for example, the upper structure 180a corresponding to the first sidewall b. ), Such as the spacing between the third sidewalls b '. The upper plate a 'of the upper structure 180a has a fourth thickness t4, and the thicknesses of the third and fourth sidewalls b' and c 'are also preferably the fourth thickness t4.

도면에서 참조부호 T1은 하부 구조체(180b)의 어느 한 측벽, 예컨대 제1 측벽(b)의 안쪽 면과 제3 측벽(b')의 바깥면사이의 간격을 나타낸다. 이것은 슬롯(182)과 제3 측벽(b') 또는 제4 측벽(c')의 바깥면사이의 간격과 동일하다.In the drawings, reference numeral T1 denotes a gap between one sidewall of the lower structure 180b, for example, an inner surface of the first sidewall b and an outer surface of the third sidewall b '. This is equal to the spacing between the slot 182 and the outer surface of the third sidewall b 'or the fourth sidewall c'.

도 26은 상술한 제8 냉각수단(180)이 수평하게 놓인 PCB(170) 상에 장착된 메모리 모듈(110)에 장착되는 과정을 보여준다. 제8 냉각수단(180)의 슬롯(182)에 메모리 모듈(110)이 삽입되는 것을 알 수 있다.FIG. 26 illustrates a process in which the eighth cooling unit 180 described above is mounted on the memory module 110 mounted on the PCB 170 horizontally placed. It can be seen that the memory module 110 is inserted into the slot 182 of the eighth cooling unit 180.

한편, 도 25를 27-27'방향으로 절개한 도 27에 도시한 바와 같이, 상부 구조체(180a)의 바깥면에 표면적을 넓게 하기 위해 주름(184)이 존재할 수 있다. 주름(184)은 상기 바깥면 전체에 존재하는 것이 바람직하나, 일부분에만, 예컨대 제3 및 제4 측벽(b', c') 혹은 제3 및 제4 측벽들(b', c')을 연결하는 상판(a')에만 존재해도 무방하다. 주름(184)은 상부 구조체(180a)의 길이 방향(지면에 수직하게 들어가는 방향)으로 평행하게 형성되어 있다. 주름(184)은 산과 골이 주기적으로 형성된 것이다. 주름(184)의 상기 산이 위치한 곳에서의 상부 구조체(180a) 두께는 주름(184)이 존재하지 않을 때의 두께와 동일한 것이 바람직하다. 그러나 상기 골이 위치한 곳의 두께가 주름(184)이 존재하지 않을 때의 두께와 동일해도 무방하다. 또한 상기 산과 골이 위치한 곳의 두께가 주름(184)이 존재하지 않을 때의 두께와 무관하게 임의의 두께일 수 있다. 주름(184)이 형성되는 방향은 상부 구조체(180a)의 길이 방향과 다른 방향으로 존재할 수 있다. 예를 들면, 주름(184)은 상부 구조체(180a)의 길이 방향에 수직한 방향으로 존재할 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 27 in which FIG. 25 is cut in the 27-27 'direction, wrinkles 184 may be present on the outer surface of the upper structure 180a to widen the surface area. The corrugation 184 is preferably present throughout the outer surface, but only to a portion, for example connecting the third and fourth sidewalls b ', c' or the third and fourth sidewalls b ', c'. It may be present only in the upper plate (a '). The wrinkles 184 are formed in parallel in the longitudinal direction (direction perpendicular to the ground) of the upper structure 180a. The wrinkles 184 are formed periodically with mountains and valleys. It is preferable that the thickness of the upper structure 180a where the acid of the wrinkles 184 is located is the same as the thickness when the wrinkles 184 are not present. However, the thickness where the valley is located may be the same as the thickness when no wrinkles 184 are present. In addition, the thickness of the places where the hills and valleys may be any thickness irrespective of the thickness when the wrinkles 184 are not present. The direction in which the wrinkles 184 are formed may be present in a direction different from the length direction of the upper structure 180a. For example, the pleats 184 may exist in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the upper structure 180a.

도 27에서 참조번호 186은 슬롯(182)에 끼워지는 메모리 모듈(110)로부터 하부 구조체(180b)로 전달되는 열에 의해 하부 구조체(180b)와 윅 구조체(180c)사이로 유입되는 액상 냉매가 기화하는 과정에서 발생되는 증기를 나타낸다. 증기(186)는 윅 구조체(180c)에 형성된 홀(미도시)을 통해서 방출된다. 상기 홀사이에 존재하는 윅(미도시)을 통해서 상기 액상 냉매가 하부 구조체(180b)와 윅 구조체(180c)사이로 유입된다. 윅 구조체(180c)에 형성된 상기 홀 및 윅에 대해서는 도 17의 (a)도 내지 (g) 도에 도시된 제1 내지 제4 홀(h1, h2, h3, h4)과 윅들(126, 128, 136, 138, 140, 148, 152, 156)을 참조한다. 상부 구조체(180a)는 상기한 시스템 냉각 팬에 의해 메모리 모듈(110)보다 낮은 온도로 유지되기 때문에, 증기(186)가 상부 구조체(180a)에 접촉되면서 상부 구조체(180a) 내면에 액상 냉매가 맺히게 된다. 이렇게 맺힌 상기 액상 냉매는 상부 구조체(180a)의 제3 및 제4 측벽(b', c')의 내면을 따라 아래로 흘러내려 제3 및 제4 측벽(b', c')의 하부 구조체(180b)의 제1 및 제2 측벽(b, c)을 향해 굴곡된 부분(190)을 통해 윅 구조체(180c)로 이동된다. 따라서 제3 및 제4 측벽(b', c')의 굴곡된 부분(190)에 상기 액상 냉매가 윅 구조체(180c)로 원활하게 그리고 신속하게 유입될 수 있도록 하기 위해 소정의 윅 패턴이 형성된 것이 바람직하다. 이때, 상기 윅 패턴은 상기 액상 냉매가 이동될 방향을 고려한 패턴인 것이 바람직하며, 도 17에 도시한 윅들 중 어느 하나가 될 수 있으나, 이것과 다른 패턴일 수 있다.In FIG. 27, reference numeral 186 denotes a process in which the liquid refrigerant introduced between the lower structure 180b and the wick structure 180c is vaporized by heat transferred from the memory module 110 inserted into the slot 182 to the lower structure 180b. It indicates the steam generated from. Vapor 186 is discharged through holes (not shown) formed in wick structure 180c. The liquid refrigerant flows between the lower structure 180b and the wick structure 180c through the wick (not shown) existing between the holes. For the holes and wicks formed in the wick structure 180c, the first to fourth holes h1, h2, h3, and h4 and the wicks 126, 128, shown in FIGS. 17A to 17G are illustrated. 136, 138, 140, 148, 152, 156. Since the upper structure 180a is maintained at a lower temperature than the memory module 110 by the system cooling fan, the liquid refrigerant forms on the inner surface of the upper structure 180a while the vapor 186 contacts the upper structure 180a. do. The liquid refrigerant thus formed flows down along the inner surfaces of the third and fourth sidewalls b 'and c' of the upper structure 180a, thereby lowering the lower structure of the third and fourth sidewalls b 'and c'. It is moved to the wick structure 180c through the bent portion 190 toward the first and second sidewalls b, c of 180b. Therefore, a predetermined wick pattern is formed in the curved portions 190 of the third and fourth sidewalls b 'and c' to allow the liquid refrigerant to smoothly and quickly flow into the wick structure 180c. desirable. In this case, the wick pattern is preferably a pattern in consideration of the direction in which the liquid refrigerant is to be moved, and may be any one of the wicks shown in FIG. 17, but may be a different pattern from this.

다른 한편으로, 제8 냉각수단(180)의 상부 구조체(180a)는 도 28에 도시한 바와 같이, 상부 구조체(180a)의 바깥면에 존재하는 주름(184)(이하, 제1 주름이라 함)에 더해서 안쪽면에 제2 주름(192)이 존재할 수 있다. 제2 주름(192)은 제1 주름(184)과 무관한 형태로 존재할 수 있지만, 제1 주름(184)과 동일한 주기로 형성된 것이 바람직하고, 또한 제1 및 제2 주름(184, 192)의 산 및 골이 일치하도록 형성된 것이 바람직하다. 이 경우는 상부 구조체(180a) 자체가 주름지게 구비된 경우와 동일하다. 제2 주름(192)은 산과 골이 상부 구조체(180a)의 길이 방향(지면에 수직하게 들어가는 방향)으로 평행하게 형성된 것이다. 그러나 제8 냉각수단(180)이 장착되는 형태에 따라, 곧 메모리 모듈(110)이 장착되는 형태에 따라 제2 주름(192)의 산과 골이 형성되는 방향은 달라질 수 있다. 예컨대, 제2 주름(192)의 산과 골은 상부 구조체(180a)의 길이 방향에 수직한 방향으로 평행하게 형성될 수 있다.On the other hand, the upper structure 180a of the eighth cooling means 180 is a pleat 184 (hereinafter referred to as a first pleat) present on the outer surface of the upper structure 180a, as shown in FIG. In addition, a second pleat 192 may be present on the inner surface. The second pleats 192 may be present in a form independent of the first pleats 184, but are preferably formed at the same period as the first pleats 184, and may also be formed in the mountains of the first and second pleats 184 and 192. And preferably formed so that the valleys coincide. This case is the same as the case where the upper structure 180a itself is provided to be corrugated. The second pleats 192 are formed in parallel with the peaks and valleys in the longitudinal direction (direction perpendicular to the ground) of the upper structure 180a. However, depending on the form in which the eighth cooling unit 180 is mounted, the direction in which the peaks and valleys of the second wrinkles 192 are formed may vary depending on the form in which the memory module 110 is mounted. For example, the peaks and valleys of the second pleats 192 may be formed in parallel to the direction perpendicular to the longitudinal direction of the upper structure 180a.

도 29는 이러한 예를 보여주는 단면 사시도로써, 상부 구조체(180a)의 바깥면에 상부 구조체(180a)의 길이 방향에 수직한 방향으로 주름(194)이 존재하고, 상부 구조체(180a)의 안쪽면에 주름(194)에 대응하는 주름(196)이 존재한다. 두 주름(194, 196)은 산과 골이 일치하도록 형성된 것이 바람직하다. 두 주름(194, 196)은 제3 및 제4 측벽(b', c')을 따라 확장될 수 있다.FIG. 29 is a cross-sectional perspective view showing an example, in which an outer surface of the upper structure 180a has corrugations 194 in a direction perpendicular to the length direction of the upper structure 180a, and an inner surface of the upper structure 180a. There is a wrinkle 196 corresponding to the wrinkle 194. The two folds 194 and 196 are preferably formed so that the mountain and the valley coincide. The two corrugations 194 and 196 may extend along the third and fourth sidewalls b 'and c'.

도 28에 도시한 제8 냉각수단(180)의 경우, 상부 구조체(180a)의 안쪽면에 형성된 주름(192)의 방향을 고려할 때, 수평으로 설치된 PCB에 수평으로 장착된 메모리 모듈에 장착할 수도 있지만, 도 24에 도시한 바와 같이 수직으로 설치된 PCB(170)에 수직으로 장착된 메모리 모듈(110)에 장착하는 것이 바람직하다. 곧, 상부 구조체(180a) 내면을 따라 흐르는 액상 냉매의 흐름 방향이 메모리 모듈의 길이 방향이 되는 경우에 보다 적합하다.In the case of the eighth cooling unit 180 illustrated in FIG. 28, considering the direction of the wrinkles 192 formed on the inner surface of the upper structure 180a, the eighth cooling unit 180 may be mounted on a memory module horizontally mounted on a horizontally installed PCB. However, as shown in FIG. 24, it is preferable to mount the memory module 110 mounted vertically on the PCB 170 installed vertically. In other words, the flow direction of the liquid refrigerant flowing along the inner surface of the upper structure 180a is more suitable when the direction of the length of the memory module becomes.

반대로, 도 29에 도시한 제8 냉각수단(180)의 경우, 상부 구조체(180a)의 안쪽면에 형성된 주름(196)이 상부 구조체(180a)의 길이 방향에 수직한 방향으로 형성되어 있기 때문에, 도 28에 도시한 제8 냉각수단(180)과 달리 수평으로 설치된 PCB에 수평으로 장착된 메모리 모듈 및 수직으로 설치된 PCB에 수평으로 장착된 메모리 모듈 등에 장착하는 것이 보다 바람직하다. 곧, 액상 냉매의 흐름 방향이 메모리 모듈의 길이 방향에 수직한 방향이 되는 경우에 보다 적합하다.On the contrary, in the case of the eighth cooling means 180 illustrated in FIG. 29, since the wrinkles 196 formed on the inner surface of the upper structure 180a are formed in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the upper structure 180a, Unlike the eighth cooling unit 180 shown in FIG. 28, the memory module may be mounted on a horizontally mounted memory module and a memory module mounted horizontally on a vertically mounted PCB. That is, it is more suitable when the flow direction of the liquid refrigerant becomes a direction perpendicular to the longitudinal direction of the memory module.

<제9 실시예><Example 9>

메모리 모듈의 한쪽 면에 장착된 메모리 칩을 기준으로 할 때, 상부 구조체와 윅 구조체사이의 공간이 상기 메모리 칩의 수만큼 분할 된 경우에 관한 것이다.Based on the memory chip mounted on one side of the memory module, the space between the upper structure and the wick structure is divided by the number of the memory chip.

구체적으로, 도 30을 참조하면, 제9 실시예에 의한 냉각수단(이하, 제9 냉각수단이라 함)(180')은 상부 구조체(180a)와 윅 구조체(180c)사이의 공간에 상기 공간을 분할하는 복수의 격벽(200)을 구비한다. 격벽(200)은 상부 구조체(180a)의 길이 방향으로 소정의 간격(202)으로 구비되어 있다. 격벽(200)의 간격(202)은 적어도 메모리 칩(도 26의 110a) 하나의 사이즈와 같은 것이 바람직하다. 이러한 격벽(202)으로 인해, 상부 구조체(180a)와 윅 구조체(180c)사이에 복수의 챔버들이 형성된다. 상기 챔버 하나는 메모리 모듈(110) 양쪽에 마주하도록 장착된 두 개의 메모리 칩을 동시에 냉각하는데 사용된다. 이렇게 볼 때, 상기 각 챔버는 하나의 상기 두 메모리 칩을 냉각하기 위해 마련된 단위 열 전달장치 또는 단위 냉각장치(편의 상 단위 열 전달장치로 통일하여 기재함)로 볼 수 있으므로, 제9 냉각수단(180')은 결국 복수의 단위 열 전달장치로 구성된 것과 실질적으로 동일하다. 이때, 제9 냉각수단(180')에 구비된 단위 열 전달장치의 총수는 메모리 모듈(110)에 장착된 메모리 칩(110a) 전체의 절반과 같다.Specifically, referring to FIG. 30, the cooling means (hereinafter, referred to as a ninth cooling means) 180 ′ according to the ninth embodiment includes the space in the space between the upper structure 180a and the wick structure 180c. A plurality of partitions 200 to be divided are provided. The partition wall 200 is provided at predetermined intervals 202 in the longitudinal direction of the upper structure 180a. The spacing 202 of the partition wall 200 is preferably at least equal to the size of one memory chip (110a in FIG. 26). Due to the partition 202, a plurality of chambers are formed between the upper structure 180a and the wick structure 180c. One chamber is used to simultaneously cool two memory chips mounted opposite both sides of the memory module 110. In view of this, each chamber may be viewed as a unit heat transfer device or a unit cooler (uniformly described as a one-phase unit heat transfer device) provided for cooling one of the two memory chips. 180 ') is substantially the same as that consisting of a plurality of unit heat transfer devices. In this case, the total number of unit heat transfer devices provided in the ninth cooling means 180 'is equal to half of the entire memory chip 110a mounted in the memory module 110.

한편, 제8 및 제9 냉각수단(180, 180')을 나타내는 도면에서, 상부 구조체(180a)와 윅 구조체(180c)사이의 공간이 상부 구조체(180a)의 길이 방향으로 열린 것으로 도시되어 있으나, 이는 각 냉각수단(180, 180')의 내부 구조를 보이기 위함이며, 실제는 상기 공간의 양단은 상기 공간의 단면과 동일한 형상을 갖는 패널(미도시) 등으로 밀봉되어 있다. 이때, 제8 또는 제9 냉각수단(180, 180')이 도 24에 도시한 바와 같이 수직으로 장착된 메모리 모듈(110)에 장착되는 경우처럼, 상기 패널의 안쪽면을 따라 액상 냉매가 윅 구조체(180c)로 공급되는 경우를 대비하여, 상기 패널의 안쪽면에 상기 액상 냉매에 대해 모세관력을 작용할 수 있는 윅 패턴이 구비될 수 있다.Meanwhile, in the drawings illustrating the eighth and ninth cooling means 180 and 180 ', the space between the upper structure 180a and the wick structure 180c is shown to be opened in the longitudinal direction of the upper structure 180a. This is to show the internal structure of each of the cooling means 180, 180 ', and in fact, both ends of the space are sealed with a panel (not shown) having the same shape as the cross section of the space. At this time, as in the case where the eighth or ninth cooling means (180, 180 ') is mounted to the vertically mounted memory module 110, as shown in Figure 24, the liquid refrigerant along the inner surface of the panel wick structure In case of being supplied to 180c, a wick pattern may be provided on the inner surface of the panel to apply capillary force to the liquid refrigerant.

<제10 실시예><Example 10>

액상 냉매를 이용하여 적어도 두 개 이상의 메모리 모듈을 동시에 냉각할 수 있는 냉각수단에 관한 것이나, 편의 상 두 개의 메모리 모듈을 동시에 냉각할 수 있는 냉각수단을 설명한다. 그러나 이러한 설명은 3개 이상의 메모리 모듈을 동시에 냉각시킬 수 있는 냉각수단에 그대로 적용될 수 있는 것이다. 이것은 제11 실시예에도 그대로 적용된다.The present invention relates to a cooling means capable of simultaneously cooling at least two or more memory modules using a liquid refrigerant, and for convenience, a cooling means capable of simultaneously cooling two memory modules will be described. However, this description is applicable to cooling means that can simultaneously cool three or more memory modules. This also applies to the eleventh embodiment as it is.

도 31을 참조하면, 본 발명의 제10 실시예에 의한 메모리 모듈 냉각수단(이하, 제10 냉각수단이라 함)(210)은 제4 길이(L1)를 갖고 길이 방향에 수직한 방향으로 제3 폭(W)을 갖는 상부 구조체(210a), 상부 구조체(210a) 안쪽에 위치된 하부 구조체(210b) 및 하부 구조체(210b)의 표면을 따라 구비된 윅 구조체(210c)로 구성된다. 상부 구조체(210a)는 제8 냉각수단(180)의 상부 구조체(도 25의 180a)와 크기만 다르고 동일하다. 그리고 하부 구조체(210b)는 제8 냉각수단(180)의 하부 구조체(180b) 두 개를 상부 구조체(210a)의 길이 방향으로 평행하게 제2 폭(W2)을 갖도록 연결한 것과 동일한 것으로 단일체이다. 이렇게 해서 하부 구조체(210b)에 메모리 모듈이 장착되는 제1 및 제2 슬롯(208a, 208b)이 마련된다. 제1 및 제2 슬롯(208a, 208b)은 각각 제1 폭(W)을 갖는다. 제1 폭(W)은 각 슬롯(208a, 208b)에 끼워지는 메모리 모듈의 메모리 칩이 장착된 부분의 두께와 정확히 같은 것이 바람직하다. 제1 및 2 슬롯(208a, 208b)사이의 하부 구조체(210b)와 윅 구조체(210c)로 구성된 측벽들사이에 제2 폭(W2)을 갖는 공간이 존재한다. 상기 공간은 제1 및 제2 슬롯(208a, 208b)과 반대 방향으로 존재한다. 제1 및 제2 슬롯(208a, 208b)사이에 존재하는 상기 공간은 제1 및 제2 슬롯(208a, 208b) 둘레의 공간, 곧 상부 구조체(210a)와 윅 구조체(210c)사이에 존재하는 다른 부분의 공간과 하나로 연결되어 있다.Referring to FIG. 31, a memory module cooling means (hereinafter, referred to as a tenth cooling means) 210 according to a tenth embodiment of the present invention has a fourth length L1 and has a third length in a direction perpendicular to the length direction. An upper structure 210a having a width W, a lower structure 210b positioned inside the upper structure 210a, and a wick structure 210c provided along the surface of the lower structure 210b. The upper structure 210a differs in size and is identical to the upper structure of the eighth cooling means 180 (180a of FIG. 25). In addition, the lower structure 210b is the same as connecting two lower structures 180b of the eighth cooling unit 180 to have a second width W2 in parallel in the longitudinal direction of the upper structure 210a. In this way, the first and second slots 208a and 208b in which the memory module is mounted are provided in the lower structure 210b. The first and second slots 208a and 208b have a first width W, respectively. The first width W is preferably equal to the thickness of the portion where the memory chip of the memory module fitted into the slots 208a and 208b is mounted. There is a space having a second width W2 between the lower structure 210b between the first and second slots 208a and 208b and the sidewalls composed of the wick structure 210c. The space is in the opposite direction to the first and second slots 208a and 208b. The space existing between the first and second slots 208a, 208b is a space around the first and second slots 208a, 208b, that is, another space between the upper structure 210a and the wick structure 210c. It is connected to the space of the part and one.

도 33 및 도 34에 도시한 바와 같이, 제1 및 제2 슬롯(208a, 208b)에 각각 제1 및 제2 메모리 모듈(220, 222)이 끼워지는 경우, 제1 및 제2 메모리 모듈(220, 222)에 장착된 메모리 칩(220a, 222a)들은 제1 및 제2 슬롯(208a, 208b)이 형성된 하부 구조체(210b)와 밀착되는 것이 바람직하다. 때문에 제1 및 제2 슬롯(208a, 208b)사이의 간격(T2)은 제1 및 제2 메모리 모듈(220, 222)사이의 간격(T3)과 동일한 것이 바람직하다. 또 제1 및 제2 슬롯(208a, 208b)은 위로 소정의 깊이(H3)를 갖는데, 이 깊이(H3)는 제1 및 제2 메모리 모듈(220, 222)의 높이(H4)보다 높지 않은 것이 바람직하다. 하지만, 깊이(H3)는 제10 냉각수단(210)이 제1 및 제2 메모리 모듈(220, 222)에 장착되었을 때, 메모리 칩(220a, 222a)이 제1 및 제2 슬롯(208a, 208b) 밖으로 노출되지 않을 정도는 되어야 한다.33 and 34, when the first and second memory modules 220 and 222 are inserted into the first and second slots 208a and 208b, respectively, the first and second memory modules 220 are provided. The memory chips 220a and 222a mounted in the second and second sides 222 are in close contact with the lower structure 210b in which the first and second slots 208a and 208b are formed. For this reason, the spacing T2 between the first and second slots 208a and 208b is preferably the same as the spacing T3 between the first and second memory modules 220 and 222. In addition, the first and second slots 208a and 208b have a predetermined depth H3, which is not higher than the height H4 of the first and second memory modules 220 and 222. desirable. However, when the tenth cooling means 210 is mounted on the first and second memory modules 220 and 222, the depth H3 may be defined by the memory chips 220a and 222a of the first and second slots 208a and 208b. Should not be exposed outside.

다시 도 31을 참조하면, 윅 구조체(210c)는 제8 냉각수단(180)의 윅 구조체(180c)처럼 전면에 홀과 윅이 존재한다. 상기 윅과 하부 구조체(210b)사이에 미세한 틈이 존재하고, 이러한 틈으로 인해 상기 윅과 하부 구조체(210b)사이로 액상 냉매가 유입되는 경우, 상기 액상 냉매는 모세관력을 받아서 상기 윅을 따라 윅 구조체(210c)와 하부 구조체(210b)사이의 전 영역으로 이동된다. 상부 구조체(210a)로부터 윅 구조체(210c)로 상기 액상 냉매가 원활하게 유입되도록 하기 위해, 제8 냉각수단(180)의 상부 구조체(180a)처럼 제10 냉각수단(210)의 상부 구조체(210a)의 하부 구조체(210b)와 연결되는 가장자리 영역(212)에 소정의 윅 패턴이 존재할 수 있다. 하부 구조체(210b)에서 윅 구조체(210c)가 장착되는 영역의 두께는 그렇지 않은 영역보다 윅 구조체(210c)의 두께에 해당하는 만큼 얇다. 윅 구조체(210c)는 하부 구조체(210b)와 상부 구조체(210a)에 연결되는 부분까지 장착되어 있다. 이에 따라 하부 구조체(210b)와 상부 구조체(210a)가 연결되면서 윅 구조체(210c)의 가장자리는 상부 구조체(210a)에 의해 눌려지게 된다. 이 결과, 윅 구조체(210c)가 고정된다. 상부 구조체(210a)는 제5 두께(t5)를 갖는데, 이 두께(t5)는 제8 냉각수단(180)의 제4 두께(t4)와 동일하다.Referring back to FIG. 31, the wick structure 210c has holes and wicks on the front surface thereof, like the wick structure 180c of the eighth cooling means 180. When there is a minute gap between the wick and the lower structure 210b, and the liquid refrigerant flows between the wick and the lower structure 210b due to the gap, the liquid refrigerant receives a capillary force and receives the wick structure along the wick. It is moved to the entire area between 210c and the lower structure 210b. In order to smoothly flow the liquid refrigerant from the upper structure 210a into the wick structure 210c, the upper structure 210a of the tenth cooling means 210, like the upper structure 180a of the eighth cooling means 180 A predetermined wick pattern may exist in the edge region 212 connected to the lower structure 210b of the. The thickness of the region in which the wick structure 210c is mounted in the lower structure 210b is thinner than the thickness of the region in which the wick structure 210c is mounted. The wick structure 210c is mounted to a portion connected to the lower structure 210b and the upper structure 210a. Accordingly, as the lower structure 210b and the upper structure 210a are connected, the edge of the wick structure 210c is pressed by the upper structure 210a. As a result, the wick structure 210c is fixed. The upper structure 210a has a fifth thickness t5, which is equal to the fourth thickness t4 of the eighth cooling means 180.

제10 냉각수단(210)의 상부 구조체(210a)와 윅 구조체(210c)사이의 공간의 양단은 액상 냉매나 증기의 누출을 방지하기 위해 완전히 밀봉되는 것이 바람직하다. 이를 위해, 제10 냉각수단(210)의 양단에 도 32에 도시한 바와 같은 밀봉 패널(214)이 구비될 수 있다. 밀봉 패널(214)은 상부 구조체(210a)와 동일한 높이 및 동일한 제3 폭(W3)을 갖는다. 그리고 제1 및 제2 슬롯(208a, 208b)에 대응되는 부분은 오픈되어 있다.Both ends of the space between the upper structure 210a and the wick structure 210c of the tenth cooling means 210 are preferably completely sealed to prevent leakage of the liquid refrigerant or steam. To this end, a sealing panel 214 as shown in FIG. 32 may be provided at both ends of the tenth cooling means 210. The sealing panel 214 has the same height and the same third width W3 as the upper structure 210a. The portions corresponding to the first and second slots 208a and 208b are open.

제10 냉각수단(210)이 수직면에 수직하게 장착된 메모리 모듈에 장착되는 경우, 액상 냉매는 상부 구조체(210a)의 안쪽면을 따라 길이 방향으로 흘러내리게 되므로, 상기 액상 냉매는 결국 밀봉 패널(214)의 안쪽면을 거쳐서 윅 구조체(210c)로 이동된다. 따라서 밀봉 패널(214)의 안쪽면에 윅 구조체(210c)를 향하는 윅 패턴이 존재하는 경우, 밀봉 패널(214)에 도달된 액상 냉매는 모세관력에 의해 보다 원활하게 윅 구조체(210c)로 이동될 수 있다. 이때, 밀봉 패널(214)의 안쪽면에는 도 17에 도시한 윅 패턴은 물론 도시되지 않은 다양한 윅 패턴이 형성될 수 있다.When the tenth cooling means 210 is mounted in the memory module mounted perpendicularly to the vertical plane, since the liquid refrigerant flows along the inner surface of the upper structure 210a in the longitudinal direction, the liquid refrigerant eventually seals the panel 214. It is moved to the wick structure 210c through the inner surface of the). Therefore, when there is a wick pattern toward the wick structure 210c on the inner side of the sealing panel 214, the liquid refrigerant reaching the sealing panel 214 may be moved to the wick structure 210c more smoothly by capillary force. Can be. At this time, the wick pattern shown in FIG. 17 may be formed on the inner surface of the sealing panel 214, as well as various wick patterns not shown.

한편, 도 35에 도시한 바와 같이, 제10 냉각수단(210)의 상부 구조체(210a)의 표면에 소정의 주름(226)이 존재할 수 있다. 주름(226)은 제8 냉각수단(180)의 상부 구조체(180a)의 바깥면에 존재하는 주름(도 27의 184)과 같이 상부 구조체 (210a)의 길이 방향으로 형성된 것일 수 있고, 상기 길이 방향에 수직한 방향으로 형성된 것일 수 있다. 따라서 주름(226)은 제10 냉각수단(210)의 장착되는 방향을 고려하여 형성된 것이 바람직하다.On the other hand, as shown in Figure 35, the predetermined wrinkles 226 may be present on the surface of the upper structure (210a) of the tenth cooling means (210). The pleats 226 may be formed in the longitudinal direction of the upper structure 210a, such as the pleats (184 of FIG. 27) present on the outer surface of the upper structure 180a of the eighth cooling means 180, the length direction It may be formed in a direction perpendicular to the. Therefore, the wrinkles 226 is preferably formed in consideration of the mounting direction of the tenth cooling means 210.

<제11 실시예><Eleventh embodiment>

상부 구조체와 윅 구조체사이의 공간에 상기 공간을 상기 상부 구조체의 길이 방향으로 분할한 경우에 대한 것이다.The case where the space is divided in the longitudinal direction of the superstructure in the space between the superstructure and the wick structure.

도 36을 참조하면, 본 발명의 제11 실시예에 의한 메모리 모듈 냉각수단(이하, 제11 냉각수단이라 함)(210')은 제10 냉각수단(도 31의 210)의 상부 구조체(210a)와 윅 구조체(210c)사이의 공간에 복수의 격벽(300)을 구비한 것과 같다. 격벽(300)은 상부 구조체(210a)의 길이 방향으로 일정한 간격으로 구비되어 있다. 이때, 격벽(300)사이의 제5 간격(D5)은 상부 구조체(210a)의 길이 방향으로 측정된 메모리 모듈(110a)에 장착된 메모리 칩(110a)의 길이와 적어도 같은 것이 바람직하다. 격벽(300)에 의해, 상부 구조체(210a)와 윅 구조체(210c)사이에 복수의 챔버가 형성된다.Referring to FIG. 36, the memory module cooling means (hereinafter referred to as eleventh cooling means) 210 ′ according to the eleventh embodiment of the present invention may include the upper structure 210a of the tenth cooling means (210 of FIG. 31). And a plurality of partitions 300 in the space between the wick structure 210c. The partition 300 is provided at regular intervals in the longitudinal direction of the upper structure 210a. In this case, the fifth gap D5 between the barrier ribs 300 may be at least equal to the length of the memory chip 110a mounted in the memory module 110a measured in the longitudinal direction of the upper structure 210a. By the partition 300, a plurality of chambers are formed between the upper structure 210a and the wick structure 210c.

제11 냉각수단(210')에 제1 및 제2 슬롯(208a, 208b)에 각각 하나씩 총 두 개의 메모리 모듈이 삽입되고, 메모리 모듈 양면에 메모리 칩이 장착되어 있으므로, 상기 챔버 하나에 네 개의 메모리 칩이 대응된다. 결국, 상기 복수의 챔버 각각은 네 개의 메모리 칩으로부터 발생되는 열을 상기 네 개의 메모리 칩으로부터 이격된 다른 곳으로 이동시킬 수 있는 단위 열 전달장치가 된다. 이러한 측면에서 제11 냉각수단(210')은 복수의 단위 열 전달장치로 구성된 것과 동등하다.A total of two memory modules are inserted into the first and second slots 208a and 208b into the eleventh cooling means 210 ', respectively, and memory chips are mounted on both sides of the memory module. The chip corresponds. As a result, each of the plurality of chambers becomes a unit heat transfer device capable of moving heat generated from four memory chips to another spaced apart from the four memory chips. In this respect, the eleventh cooling means 210 ′ is equivalent to that consisting of a plurality of unit heat transfer devices.

상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 복수의 메모리 모듈로 구성된 어레이에서 어레이 바깥쪽에 종래의 냉각수단을 구비하고, 어레이 안쪽에 제1 내지 제11 냉각수단 중 선택된 어느 하나를 구비할 수 있을 것이다. 또한 상기 어레이를 구성하는 메모리 모듈사이에 삽입되는 부분, 예컨대 제10 냉각수단(210)의 제1 및 제2 슬롯(208a, 208b)사이의 공간에 복수의 히트 파이프를 구비할 수도 있을 것이다. 또한 상기 슬롯 혹은 홈을 삽입되는 대상의 형태에 따라 다양한 형태로 구성할 수도 있을 것이다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.While many details are set forth in the foregoing description, they should be construed as illustrative of preferred embodiments, rather than to limit the scope of the invention. For example, a person having ordinary skill in the art may include a conventional cooling means outside the array in an array consisting of a plurality of memory modules, and any one selected from the first to eleventh cooling means inside the array. It may be provided. In addition, a plurality of heat pipes may be provided in a space inserted between the memory modules constituting the array, for example, a space between the first and second slots 208a and 208b of the tenth cooling means 210. In addition, the slot or the groove may be configured in various forms according to the shape of the object to be inserted. Therefore, the scope of the present invention should not be defined by the described embodiments, but should be determined by the technical spirit described in the claims.

상술한 바와 같은 본 발명을 이용하면, 메모리 모듈 장착 위치에 관계없이 메모리 모듈 전체를 고르게 냉각시킬 수 있기 때문에, 한 메모리 모듈에서 영역별 온도차를 최소화 할 수 있다. 또한 반도체 공정을 이용하여 상기 냉각수단을 제조할 수 있기 때문에, 메모리 모듈이 장착되는 영역의 부피를 줄일 수 있는데, 이러한 결과는 전자장치의 소형화에 부합되는 것이다.By using the present invention as described above, since the entire memory module can be cooled evenly regardless of the memory module mounting position, it is possible to minimize the temperature difference for each region in one memory module. In addition, since the cooling means can be manufactured by using a semiconductor process, the volume of the region in which the memory module is mounted can be reduced, and this result corresponds to the miniaturization of the electronic device.

도 1은 종래 기술에 의한 냉각수단이 구비된 메모리 모듈에서 메모리 모듈과 냉각수단을 분리하여 보여주는 사시도이다.1 is a perspective view separately showing a memory module and a cooling means in a memory module having a cooling means according to the prior art.

도 2는 도 1을 2-2'방향으로 절개한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of FIG. 1 taken in a 2-2 'direction.

도 3은 본 발명의 실시예에 의한 냉각수단을 구비하는 메모리 모듈이 장착된 전자장치(컴퓨터)의 구성을 개략적으로 보여주는 블록도이다.3 is a block diagram schematically showing the configuration of an electronic device (computer) equipped with a memory module including cooling means according to an embodiment of the present invention.

도 4 내지 도 8은 각각 본 발명의 제1 내지 제5 실시예에 의한 메모리 모듈 냉각수단을 보여주는 사시도들이다.4 to 8 are perspective views showing memory module cooling means according to the first to fifth embodiments of the present invention, respectively.

도 9는 본 발명의 제5 실시예에 의한 메모리 모듈 냉각수단에 적용된 냉각장치의 단면도이다.9 is a cross-sectional view of a cooling apparatus applied to a memory module cooling means according to a fifth embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 제6 실시예에 의한 메모리 모듈 냉각수단을 보여주는 사시도이다.10 is a perspective view showing a memory module cooling means according to a sixth embodiment of the present invention.

도 11은 메모리 모듈에 본 발명의 제1 실시예에 의한 메모리 모듈 냉각수단이 장착되는 과정을 보여주는 사시도이다.11 is a perspective view illustrating a process in which the memory module cooling means according to the first embodiment of the present invention is mounted to the memory module.

도 12는 도 11을 12-12'방향으로 절개한 단면도이다.FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the line 12-12 ′ of FIG. 11.

도 13은 본 발명의 제3 실시예에 의한 메모리 모듈 냉각수단이 메모리 모듈에 장착된 결과를 보여주는 사시도이다.FIG. 13 is a perspective view illustrating a result of mounting the memory module cooling means according to the third embodiment of the present invention to a memory module. FIG.

도 14는 도 13을 14-14'방향으로 절개한 단면도이다.FIG. 14 is a cross-sectional view taken along the 14-14 ′ direction of FIG. 13.

도 15는 본 발명의 제7 실시예에 의한 메모리 모듈 냉각수단이 메모리 모듈에 장착되는 과정을 보여주는 사시도이다.15 is a perspective view illustrating a process in which the memory module cooling means according to the seventh embodiment of the present invention is mounted to the memory module.

도 16은 도 15에 도시한 메모리 모듈 냉각수단의 분해 사시도이다.FIG. 16 is an exploded perspective view of the memory module cooling unit shown in FIG. 15.

도 17은 도 16에 도시한 메모리 모듈 냉각수단에 구비된 윅 플레이트(wick plate)에 관한 것으로써, (a)도는 사시도이고, (b)도 내지 (g)도는 다양한 변형예를 보여주는 평면도이다.FIG. 17 is a view illustrating a wick plate provided in the memory module cooling unit of FIG. 16, (a) is a perspective view, and (b) to (g) are plan views showing various modifications.

도 18은 도 16에 도시한 메모리 모듈 냉각수단에 구비된 상판의 안쪽을 보여주는 사시도이다.FIG. 18 is a perspective view illustrating an inner side of an upper plate provided in the memory module cooling unit illustrated in FIG. 16.

도 19는 도 18에 도시한 상판의 변형예를 보여주는 사시도이다.19 is a perspective view illustrating a modification of the upper plate illustrated in FIG. 18.

도 20은 도 19에 도시한 상판과 윅 플레이트와 하판사이의 결합 관계를 보여주는 분해 사시도이다.20 is an exploded perspective view illustrating a coupling relationship between the upper plate, the wick plate, and the lower plate shown in FIG. 19.

도 21 내지 도 23은 각각 도 16에 도시한 메모리 모듈 냉각수단에 구비된 상판의 다른 변형예를 보여주는 단면도이다.21 to 23 are cross-sectional views showing another modified example of the upper plate provided in the memory module cooling means shown in FIG. 16, respectively.

도 24는 수직한 인쇄회로기판(PCB)에 장착된 메모리 모듈에 본 발명의 제7 실시예에 의한 메모리 모듈 냉각수단이 장착되는 과정을 보여주는 사시도이다.FIG. 24 is a perspective view illustrating a process in which a memory module cooling means according to a seventh embodiment of the present invention is mounted on a memory module mounted on a vertical printed circuit board (PCB).

도 25는 본 발명의 제8 실시예에 의한 메모리 모듈 냉각수단을 보여주는 사시도이다.25 is a perspective view showing a memory module cooling means according to an eighth embodiment of the present invention.

도 26은 도 25에 도시한 메모리 모듈 냉각수단과 메모리 모듈의 결합 과정을 보여주는 사시도이다.FIG. 26 is a perspective view illustrating a process of combining the memory module cooling unit and the memory module illustrated in FIG. 25.

도 27 및 도 28은 본 발명의 제8 실시예에 의한 메모리 모듈 냉각수단의 상부 구조체에 주름이 존재하는 경우를 보여주는 단면도들이다.27 and 28 are cross-sectional views illustrating a case where wrinkles exist in an upper structure of a memory module cooling unit according to an eighth embodiment of the present invention.

도 29는 도 25를 29-29'방향으로 절개한 단면도이다.FIG. 29 is a cross-sectional view of FIG. 25 taken along the direction 29-29 '.

도 30 및 31은 각각 본 발명의 제9 및 제10 실시예에 의한 메모리 모듈 냉각수단의 사시도들이다.30 and 31 are perspective views of memory module cooling means according to the ninth and tenth embodiments of the present invention, respectively.

도 32는 도 31에 도시한 메모리 모듈 냉각수단의 양끝에 장착되는 밀봉 패널의 사시도이다.FIG. 32 is a perspective view of a sealing panel mounted at both ends of the memory module cooling means shown in FIG. 31.

도 33은 메모리 모듈에 본 발명의 제10 실시예에 의한 메모리 모듈 냉각수단이 장착되는 사시도이다.33 is a perspective view in which a memory module cooling means according to a tenth embodiment of the present invention is mounted on a memory module.

도 34는 도 33을 34-34'방향으로 절개한 단면도이다.FIG. 34 is a cross-sectional view taken along the 34-34 'direction of FIG.

도 35는 본 발명의 제10 실시예에 의한 메모리 모듈 냉각수단의 상부 구조체에 대한 변형예를 보여주는 단면도들이다.35 are cross-sectional views illustrating a modified example of the upper structure of the memory module cooling unit according to the tenth embodiment of the present invention.

도 36은 본 발명의 제11 실시예에 의한 메모리 모듈 냉각수단의 사시도이다.36 is a perspective view of a memory module cooling means according to an eleventh embodiment of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호설명* * Description of Signs of Major Parts of Drawings *

38:컴퓨터 52, 182:슬롯38: Computer 52, 182: Slot

50, 50', 56, 56', 56", 80, 118, 180, 180', 210, 210':제1 내지 제11 냉각수단 50, 50 ', 56, 56', 56 ", 80, 118, 180, 180 ', 210, 210': first to eleventh cooling means

54, 64, 162, 164a, 164b, 166, 194, 196, 226:주름54, 64, 162, 164a, 164b, 166, 194, 196, 226

56a, 56b:제1 및 제2 격벽 57a, 57b:제1 및 제2 외벽56a, 56b: first and second partitions 57a, 57b: first and second outer walls

58, 208a:제1 슬롯 60, 208b:제2 슬롯58, 208a: first slot 60, 208b: second slot

62:제3 슬롯 65:제1 부분62: third slot 65: first portion

66, 68:제2 부분들 70, 122a:하판66, 68: Second parts 70, 122a: Bottom plate

72, 122b:윅 플레이트 74, 122c:상판72, 122b: Wick plate 74, 122c: Top plate

76:공간 86:히트 파이프76: space 86: heat pipe

84:제6 냉각수단의 제2 길이로 형성된 부분84: portion formed with the second length of the sixth cooling means

90, 170:PCB(Print Circuit Board)90, 170: PCB (Print Circuit Board)

120, 122:제7 냉각수단의 제1 및 제2 요소120, 122: first and second elements of the seventh cooling means

124, 126, 128, 136, 138, 140, 148, 152, 156:윅(wick)124, 126, 128, 136, 138, 140, 148, 152, 156: wick

160:칸막이160: partition

180a, 210a:상부 구조체 180b, 210b:하부 구조체180a, 210a: upper structure 180b, 210b: lower structure

180c, 210c:윅 구조체 184, 192:제1 및 제2 주름180c, 210c: Wick structure 184, 192: First and second pleats

D1, D2, D3, D4, D5:제1 내지 제5 간격D1, D2, D3, D4, D5: first to fifth intervals

h1, h2, h3, h4:제1 내지 제4 홀h1, h2, h3, h4: first to fourth holes

H:제1 냉각수단의 높이 H1, H2:두께H: height of the first cooling means H1, H2: thickness

H3:제7 냉각수단의 제1 및 제2 요소 높이H3: height of the first and second elements of the seventh cooling means

H4:메모리 모듈의 높이H4: Height of the memory module

L1, L2, L3, L4:제1 내지 제4 길이L1, L2, L3, L4: first to fourth lengths

t1, t2, t3, t4, t5 :제1 내지 제5 두께t1, t2, t3, t4, t5: first to fifth thickness

PA:윅 플레이트 장착 영역 W:슬롯 폭PA: Wick plate mounting area W: Slot width

WA1, WA2,...WAn:복수의 윅 영역WA1, WA2, ... WAn: Multiple Wick Zones

Claims (19)

전자장치에 있어서,In the electronic device, 적어도 하나의 면에 적어도 하나의 열원이 장착된 발열부재와,A heat generating member having at least one heat source mounted on at least one surface thereof; 상기 발열부재를 냉각하기 위한 냉각수단을 포함하며,It includes cooling means for cooling the heat generating member, 상기 냉각수단은 상기 발열부재를 삽입 고정할 수 있는 적어도 하나의 홈을 구비하고, 상기 냉각수단의 외면 및 내면 중 어느 한 면 또는 양면에 미리 설정된 방향으로 연장된 주름이 형성된 것을 특징으로 하는 전자장치.The cooling means has at least one groove for inserting and fixing the heat generating member, the electronic device, characterized in that the wrinkles extending in a predetermined direction on one or both of the outer surface and the inner surface of the cooling means is formed; . 제 1 항에 있어서, 상기 냉각수단은 단일체로 형성되며, 상기 홈은 가늘고 긴 슬롯 형상인 것을 특징으로 하는 전자장치.The electronic device of claim 1, wherein the cooling means is formed in a unitary body, and the groove has an elongated slot shape. 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 냉각수단은 상기 발열부재에 직접 접촉되어 삽입 고정된 것을 특징으로 하는 전자장치.The electronic device of claim 1, wherein the cooling unit is inserted into and fixed in direct contact with the heat generating member. 제 1 항에 있어서, 상기 냉각수단의 양 끝단에 상기 홈으로부터 방출되는 열을 제거하기 위한 평판 열 전달 장치가 추가로 구비된 것을 특징으로 하는 전자장치.The electronic device according to claim 1, further comprising flat plate heat transfer devices for removing heat emitted from the grooves at both ends of the cooling means. 제 5 항에 있어서, 상기 평판 열 전달장치는 상기 냉각수단의 양끝에 장착되는 하판, 상기 하판과 마주하는 위치에서 상기 하판의 테두리와 밀착되어 있되, 상기 하판과 소정 간격만큼 이격된 상판 및 상기 하판의 소정 영역에 장착된 윅 플레이트로 구성된 것을 특징으로 하는 전자장치.According to claim 5, The plate heat transfer device is mounted on both ends of the cooling means, the lower plate is in close contact with the edge of the lower plate in a position facing the lower plate, the upper plate and the lower plate spaced by a predetermined interval Electronic device, characterized in that consisting of a wick plate mounted in a predetermined region of the. 제 1 항에 있어서, 상기 냉각수단의 윗면과 상기 홈사이의 영역은 길이 방향으로 소정의 길이만큼 연장되며, 이 연장된 영역에 히트 파이프가 내재된 것을 특징으로 하는 전자장치.The electronic device according to claim 1, wherein an area between the upper surface of the cooling means and the groove extends by a predetermined length in a longitudinal direction, and a heat pipe is embedded in the extended area. 제 7 항에 있어서, 상기 연장된 영역의 밑면 또는 윗면에 상기 히트 파이프의 냉각을 위한 열 전달장치가 더 장착된 것을 특징으로 하는 전자장치.8. The electronic device of claim 7, wherein a heat transfer device for cooling the heat pipe is further mounted on a bottom surface or a top surface of the extended area. 제 8 항에 있어서, 상기 냉각수단의 적어도 어느 한 면에 주름이 형성된 것을 특징으로 하는 전자장치.The electronic device of claim 8, wherein a wrinkle is formed on at least one surface of the cooling means. 메모리 칩이 장착된 메모리 모듈과 상기 메모리 모듈을 냉각하기 위한 냉각수단이 구비된 전자장치에 있어서,An electronic device comprising a memory module equipped with a memory chip and cooling means for cooling the memory module, 상기 냉각수단은 상기 메모리 모듈의 한 면에 장착된 메모리 칩을 냉각하기 위한 제1 열 전달장치와 상기 메모리 모듈의 다른 면에 장착된 메모리 칩을 냉각하기 위한 냉각수단으로 구성된 것이되,The cooling means is composed of a first heat transfer device for cooling the memory chip mounted on one side of the memory module and cooling means for cooling the memory chip mounted on the other side of the memory module, 상기 제1 열 전달장치는The first heat transfer device 상기 메모리 모듈의 한 면에 장착된 메모리 칩과 동시에 접촉되는 하판;A lower plate which is in contact with a memory chip mounted on one side of the memory module; 상기 하판의 테두리와 밀착되어 있되, 내부적으로 상기 하판으로부터 소정 거리만큼 이격되어 있는 상판; 및An upper plate that is in close contact with the edge of the lower plate and is spaced apart from the lower plate by a predetermined distance internally; And 상기 하판의 소정 영역에 장착된 윅 플레이트로 구성된 것을 특징으로 하는 전자장치.And a wick plate mounted on a predetermined region of the lower plate. 제 10 항에 있어서, 상기 냉각수단은,The method of claim 10, wherein the cooling means, 상기 메모리 모듈의 다른 면에 장착된 메모리 칩과 동시에 접촉되는 하판;A lower plate which is in contact with a memory chip mounted on the other side of the memory module; 상기 하판의 테두리와 밀착되어 있되, 내부적으로 상기 하판으로부터 소정 거리만큼 이격된 상판; 및An upper plate closely contacted with an edge of the lower plate, and spaced apart from the lower plate by a predetermined distance internally; And 상기 하판의 소정 영역에 장착된 윅 플레이트로 구성된 제2 열 전달 장치인 것을 특징으로 하는 전자장치.And a second heat transfer device including a wick plate mounted on a predetermined region of the lower plate. 제 11 항에 있어서, 상기 윅 플레이트에 상기 메모리 칩과 일대 일로 대응되는 윅 영역이 마련된 것을 특징으로 하는 전자장치.12. The electronic device of claim 11, wherein a wick region is provided on the wick plate in a one-to-one correspondence with the memory chip. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 상판 안쪽에 상기 상판의 안쪽 영역을 상기 메모리 모듈의 어느 한 면에 장착된 메모리 칩의 수만큼 분할하기 위한 칸막이가 구비된 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.12. The memory module according to claim 10 or 11, wherein a partition for dividing an inner region of the upper plate by the number of memory chips mounted on any one surface of the memory module is provided inside the upper plate. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 상판의 외면 및 내면 중 적어도 어느 한 면에 소정의 방향으로 주름이 형성된 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.The memory module according to claim 10 or 11, wherein wrinkles are formed on at least one of an outer surface and an inner surface of the upper plate in a predetermined direction. 제 11 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 열 전달장치는 일체로 형성되어 있고, 각각의 표면에 주름이 형성된 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.12. The memory module of claim 11, wherein the first and second heat transfer devices are integrally formed and wrinkled on each surface thereof. 메모리 칩이 장착된 메모리 모듈과 상기 메모리 모듈을 냉각하기 위한 냉각수단이 구비된 전자장치에 있어서,An electronic device comprising a memory module equipped with a memory chip and cooling means for cooling the memory module, 상기 냉각수단은 상기 메모리 모듈이 삽입될 수 있는 적어도 두 개의 홈이 형성된 단일체로 된 열 전달장치이되,The cooling means is a unitary heat transfer device having at least two grooves into which the memory module can be inserted, 상기 열 전달장치는 상기 적어도 두 개의 홈이 형성되어 있되, 상기 홈들사이에 소정의 공간이 확보되도록 형성된 하부 구조체;The heat transfer device includes a lower structure in which the at least two grooves are formed, and a predetermined space is secured between the grooves; 상기 하부 구조체의 표면을 따라 구비된 윅 구조체; 및A wick structure provided along a surface of the substructure; And 상기 홈을 감싸는 상부 구조체를 포함하되,Including an upper structure surrounding the groove, 상기 하부 구조체와 윅 구조체사이로 유입되는 액상 냉매가 기화되는 과정에서 발생되는 증기를 수용하기 위한 공간이 상기 상부 구조체와 상기 윅 구조체사이에 마련되어 있고,A space is provided between the upper structure and the wick structure for accommodating vapor generated in the process of vaporizing the liquid refrigerant flowing between the lower structure and the wick structure, 상기 하부 구조체, 윅 구조체 및 상부 구조체의 양단에 밀봉 패널이 밀착된 것을 특징으로 하는 전자장치.The sealing device is in close contact with both ends of the lower structure, the wick structure and the upper structure. 제 16 항에 있어서, 상기 상부 구조체의 외면 및 내면 중 적어도 어느 한 면에 주름이 형성된 것을 특징으로 하는 전자장치.The electronic device of claim 16, wherein a wrinkle is formed on at least one of an outer surface and an inner surface of the upper structure. 제 16 항에 있어서, 상기 윅 구조체와 상기 상부 구조체사이의 상기 공간에 이 공간을 복수 영역으로 분할하기 위한 격벽이 상기 메모리 모듈의 길이 방향으로 구비된 것을 특징으로 하는 전자장치.17. The electronic device of claim 16, wherein a partition for dividing the space into a plurality of regions is provided in the space between the wick structure and the upper structure in a length direction of the memory module. 제 18 항에 있어서, 상기 상부 구조체의 표면에 주름이 형성된 것을 특징으로 하는 전자장치.The electronic device of claim 18, wherein wrinkles are formed on a surface of the upper structure.
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