KR100494386B1 - Defect test system for wafer photoresist film and defect test method thereof - Google Patents
Defect test system for wafer photoresist film and defect test method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR100494386B1 KR100494386B1 KR10-2002-0073005A KR20020073005A KR100494386B1 KR 100494386 B1 KR100494386 B1 KR 100494386B1 KR 20020073005 A KR20020073005 A KR 20020073005A KR 100494386 B1 KR100494386 B1 KR 100494386B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- photosensitive film
- imaging
- outer circumference
- defect inspection
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Abstract
본 발명은, 웨이퍼의 직경보다 작은 직경으로 상기 웨이퍼 상에 형성된 감광막의 결함을 검사하는 웨이퍼의 감광막 결함검사 시스템 및 감광막 결함검사 방법에 관한 것이다. 본 웨이퍼의 감광막 결함검사 시스템은, 상기 웨이퍼를 수평방향으로 수용하기 위한 웨이퍼수용장치와; 상기 웨이퍼수용장치에 수용된 웨이퍼를 회전시키기 위한 회전수단과; 상기 웨이퍼수용장치에 수용된 웨이퍼의 평면에 대해 수직방향으로 배치되어, 상기 회전수단에 의해 회전되는 상기 웨이퍼 및 상기 감광막을 라인으로 촬상하기 위한 촬상수단과; 상기 촬상수단에 의해 촬상된 영상에 기초하여 상기 감광막의 외곽원주와 상기 웨이퍼의 외곽원주의 관계에 따라 상기 웨이퍼와 상기 감광막의 중심일치 여부를 판단하는 영상데이터처리장치를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 웨이퍼와의 중심 불일치에 따른 감광막의 결함을 자동 검사할 수 있는 웨이퍼의 감광막 결함검사 시스템 및 감광막 결함검사 방법을 제공할 수 있다.The present invention relates to a photosensitive film defect inspection system and a photosensitive film defect inspection method of a wafer for inspecting a defect of the photosensitive film formed on the wafer with a diameter smaller than the diameter of the wafer. The wafer photosensitive film defect inspection system includes: a wafer accommodating device for accommodating the wafer in a horizontal direction; Rotating means for rotating the wafer accommodated in the wafer holding device; Imaging means disposed in a direction perpendicular to the plane of the wafer accommodated in the wafer accommodation device, for imaging the wafer and the photosensitive film rotated by the rotation means in a line; And an image data processing device for determining whether the wafer is centered with the photosensitive film based on a relationship between the outer circumference of the photosensitive film and the outer circumference of the wafer, based on the image captured by the imaging means. Thereby, the photosensitive film defect inspection system and photosensitive film defect inspection method of the wafer which can automatically inspect the defect of the photosensitive film according to the center mismatch with a wafer can be provided.
Description
본 발명은, 웨이퍼의 감광막 결함검사 시스템 및 감광막 결함검사 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a photosensitive film defect inspection system and a photosensitive film defect inspection method for a wafer.
일반적으로 반도체 소자 제조 등에 널리 쓰이는 실리콘 웨이퍼는 다결정의 실리콘을 원재료로 하여 만들어진 결정실리콘 박판을 말한다. 실리콘 웨이퍼는 비교적 고온(약 200℃ 정도까지)에서도 소자가 동작할 수 있는 장점이 있어, 반도체 산업에서 DRAM, ASIC, 트랜지스터, CMOS, ROM 등 다양한 형태의 반도체 소자를 만드는데 이용되고 있다. In general, a silicon wafer widely used for manufacturing a semiconductor device refers to a crystalline silicon thin film made of polycrystalline silicon as a raw material. Silicon wafer has the advantage that the device can operate even at a relatively high temperature (up to about 200 ℃), and is used in the semiconductor industry to make various types of semiconductor devices, such as DRAM, ASIC, transistor, CMOS, ROM.
그런데, 이러한 웨이퍼는 다수의 공정들을 거치는 동안 반도체 제조장치와의 반복적인 접촉으로 인해 테두리에 깨짐이 자주 발생하게 된다. 이를 발견하지 못하고 반도체 제조장치에 로딩하여 공정을 계속 진행하면 기계적인 충격이나 고온에서의 열적 스트레스가 집중되어 웨이퍼가 파손될 가능성이 높다. 그리고, 이로 인해 다른 웨이퍼 및 반도체 제조장치에까지 손상이 가해질 수 있다. However, such wafers frequently break at edges due to repetitive contact with the semiconductor manufacturing apparatus during a plurality of processes. If this is not found and the process is continued by loading the semiconductor manufacturing apparatus, the mechanical damage or thermal stress at high temperature may be concentrated and the wafer may be broken. And, this may damage other wafers and semiconductor manufacturing apparatus.
종래에는 이러한 웨이퍼의 테두리 결함을 육안으로 검사하여, 미크론 단위의 작은 결함들을 확인할 수 없었고, 사용자가 수동으로 일일이 검사해야 하는 불편함이 있었다. Conventionally, by inspecting the edge defects of the wafer with the naked eye, it was not possible to identify small defects in the micron unit, there was an inconvenience that the user must inspect manually manually.
이에, 한국공개특허공보 제2001-77543호에서 웨이퍼 테두리의 결함을 자동으로 미리 검사할 수 있는 장치 및 방법을 제시하고 있다. 이는 상술한 종래의 문제점을 해결하기에는 충분하나, 웨이퍼 테두리만을 검사하기 때문에 감광막이 형성된 웨이퍼의 경우 감광막과 웨이퍼의 중심 불일치에 따른 웨이퍼의 불량을 찾을 수 없는 한계가 있다.Accordingly, Korean Patent Laid-Open No. 2001-77543 proposes an apparatus and a method for automatically inspecting a defect of a wafer edge in advance. This is sufficient to solve the above-mentioned conventional problems, but because only the wafer edge is inspected, there is a limit in that the defect of the wafer due to the mismatch of the center of the photosensitive film and the wafer cannot be found.
따라서, 본 발명의 목적은, 웨이퍼와의 중심 불일치에 따른 감광막의 결함을 자동 검사할 수 있는 웨이퍼의 감광막 결함검사 시스템 및 감광막 결함검사 방법을 제공하는 것이다.It is therefore an object of the present invention to provide a photosensitive film defect inspection system and a photosensitive film defect inspection method of a wafer capable of automatically inspecting a defect of the photosensitive film due to a center mismatch with the wafer.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 웨이퍼의 직경보다 작은 직경으로 상기 웨이퍼 상에 형성된 감광막의 결함을 검사하는 웨이퍼의 감광막 결함검사 시스템에 있어서, 상기 웨이퍼를 수평방향으로 수용하기 위한 웨이퍼수용장치와; 상기 웨이퍼수용장치에 수용된 웨이퍼를 회전시키기 위한 회전수단과; 상기 웨이퍼수용장치에 수용된 웨이퍼의 평면에 대해 수직방향으로 배치되어, 상기 회전수단에 의해 회전되는 상기 웨이퍼 및 상기 감광막을 라인으로 촬상하기 위한 촬상수단과; 상기 촬상수단에 의해 촬상된 영상에 기초하여 상기 감광막의 외곽원주와 상기 웨이퍼의 외곽원주의 관계에 따라 상기 웨이퍼와 상기 감광막의 중심일치 여부를 판단하는 영상데이터처리장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 감광막 결함검사 시스템에 의해 달성된다.The above object is, according to the present invention, a photosensitive film defect inspection system of a wafer for inspecting a defect of a photosensitive film formed on the wafer with a diameter smaller than the diameter of the wafer, comprising: a wafer accommodating device for accommodating the wafer in a horizontal direction; Rotating means for rotating the wafer accommodated in the wafer holding device; Imaging means disposed in a direction perpendicular to the plane of the wafer accommodated in the wafer accommodation device, for imaging the wafer and the photosensitive film rotated by the rotation means in a line; And an image data processing device for determining whether the wafer is centered with the photosensitive film based on a relationship between the outer circumference of the photosensitive film and the outer circumference of the wafer, based on the image captured by the imaging means. Is achieved by a photoresist defect inspection system.
여기서, 상기 촬상수단은 CCD라인카메라인 것이 바람직하다. Here, the imaging means is preferably a CCD line camera.
그리고, 상기 촬상수단은, 상기 웨이퍼 및 상기 감광막을 촬상하기 위한 촬상부와, 상기 촬상부의 둘레방향을 따라 설치되어 상기 웨이퍼를 향해 조사하는 조명부를 포함하는 것이 바람직하다.The imaging means preferably includes an imaging section for imaging the wafer and the photosensitive film, and an illumination section provided along the circumferential direction of the imaging section and irradiating toward the wafer.
한편, 상기 목적은, 본 발명의 다른 분야에 따르면, 웨이퍼의 직경보다 작은 직경으로 상기 웨이퍼 상에 형성된 감광막의 결함을 검사하는 웨이퍼의 감광막 결함검사 방법에 있어서, 상기 웨이퍼를 수평방향으로 수용하는 단계와; 상기 수용된 웨이퍼를 회전시키는 단계와; 상기 웨이퍼의 평면에 대해 수직방향에서 상기 웨이퍼 및 상기 감광막을 라인으로 촬상하는 단계와; 상기 촬상된 영상에 기초하여 상기 감광막의 외곽원주와 상기 웨이퍼의 외곽원주의 관계에 따라 상기 웨이퍼와 상기 감광막의 중심일치 여부를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 감광막 결함검사 방법에 의해서도 달성된다.On the other hand, the above object, according to another field of the invention, in the photosensitive film defect inspection method of the wafer for inspecting the defect of the photosensitive film formed on the wafer with a diameter smaller than the diameter of the wafer, the step of receiving the wafer in the horizontal direction Wow; Rotating the received wafer; Imaging the wafer and the photosensitive film in lines in a direction perpendicular to the plane of the wafer; And determining whether the wafer is centered with the photosensitive film based on the relationship between the outer circumference of the photosensitive film and the outer circumference of the wafer, based on the captured image. Is achieved.
이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼의 감광막 결함검사 시스템의 간략한 구성도이다. 이 도면에 도시된 바와 같이, 본 웨이퍼(12)의 감광막(10) 결함검사 시스템은, 감광막(10)이 형성된 웨이퍼(12)를 수용하는 웨이퍼수용장치(16)와, 웨이퍼수용장치(16)에 수용된 웨이퍼(12)를 원주방향을 따라 회전시키는 회전수단과, 웨이퍼(12) 및 감광막을 촬상하는 촬상수단과, 촬상된 영상이미지를 처리하는 영상데이터처리장치(22)를 포함한다.1 is a schematic configuration diagram of a photosensitive film defect inspection system of a wafer according to the present invention. As shown in this figure, the defect inspection system for the photosensitive film 10 of the wafer 12 includes a wafer accommodating device 16 that accommodates a wafer 12 on which the photosensitive film 10 is formed, and a wafer accommodating device 16. Rotating means for rotating the wafer 12 accommodated in the circumferential direction, an imaging means for imaging the wafer 12 and the photosensitive film, and an image data processing apparatus 22 for processing the captured image image.
각 구성요소의 설명에 앞서 기본적인 웨이퍼(12)의 가공과정에 대해 간략히 설명하면 다음과 같다. 웨이퍼(12)는 여러 가지 물질의 박막을 웨이퍼(12) 표면에 성장시키거나 더하는 막 형성, 웨이퍼(12)로부터 박막을 선택적으로 제거하는 패턴형성, 웨이퍼(12)의 선택된 영역의 저항성과 전도성 변화를 위해 도펀트(dopant)를 첨가하는 주입 공정 등의 웨이퍼(12)의 가공과정을 거치게 된다. 여기서, 웨이퍼(12)로부터 박막을 선택적으로 제거하는 패턴형성을 하기 전에, 포토레지스트를 웨이퍼(12) 표면에 고르게 도포시켜, 웨이퍼(12) 상에 감광막(10)을 형성시킨다. 감광막(10)은 웨이퍼(12)의 직경보다 작은 직경으로 형성되며, 감광막(10)이 형성된 웨이퍼(12)를 빛에 노출시켜 현상하는 단계를 거친 후에 화학물질이나 반응성 가스를 사용하여 필요없는 부분을 선택적으로 제거시킨다. Prior to the description of each component, a brief description of the processing of the basic wafer 12 is as follows. The wafer 12 may be formed by forming or growing a thin film of various materials on the surface of the wafer 12, forming a pattern selectively removing the thin film from the wafer 12, and changing resistance and conductivity of selected regions of the wafer 12. In order to process the wafer 12, such as an implantation process for adding a dopant. Here, before pattern formation to selectively remove the thin film from the wafer 12, the photoresist is evenly applied to the surface of the wafer 12 to form the photosensitive film 10 on the wafer 12. The photoresist film 10 is formed to have a diameter smaller than the diameter of the wafer 12, and is exposed to light by developing the wafer 12 on which the photoresist film 10 is formed. Selectively removes
감광막(10)이 형성된 웨이퍼(12)는 웨이퍼수용장치(16)에 수평방향으로 수용되며, 수용된 웨이퍼(12)는 회전수단에 의해 원주방향을 따라 회전한다. The wafer 12 on which the photosensitive film 10 is formed is accommodated horizontally in the wafer accommodating device 16, and the accommodated wafer 12 is rotated along the circumferential direction by the rotating means.
웨이퍼(12)가 웨이퍼수용장치(16)에 수용될 때 플랫존(14)이나 노치가 후술할 라인카메라(18)의 렌즈에 잡히도록 정렬되도록 한다. 이는, 웨이퍼(12) 회전시 시작지점을 설정하여 웨이퍼(12)가 적어도 한 바퀴 이상 회전하는 것을 확인하기 위함이다. When the wafer 12 is accommodated in the wafer holding device 16, the flat zone 14 or notches are aligned so as to be caught by the lens of the line camera 18 which will be described later. This is to confirm that the wafer 12 rotates at least one revolution by setting a starting point when the wafer 12 rotates.
회전수단은 웨이퍼(12)를 회전시키기 위한 롤러와, 이를 구동하는 모터를 포함한다. 모터의 전기적 구동에 의해 롤러가 회전하며, 이에 연동하여 웨이퍼수용장치(16)에 수용된 웨이퍼(12)가 회전된다. The rotating means includes a roller for rotating the wafer 12 and a motor for driving the wafer 12. The roller is rotated by the electric drive of the motor, and the wafer 12 accommodated in the wafer accommodating device 16 is rotated in conjunction with this.
촬상수단은 웨이퍼(12)의 평면에 대해 수직방향으로 배치되며, 웨이퍼(12)의 외곽원주 및 감광막(10)의 외곽원주를 라인별로 촬상할 수 있는 CCD라인카메라(18)인 것이 바람직하다. CCD라인카메라(18)는 촬상부인 렌즈와, 렌즈의 둘레를 둘러싸는 조명부(20)를 포함한다. 조명부(20)에서 웨이퍼(12)를 향해 빛을 조사하여 웨이퍼(12)의 상태가 정확히 나타나도록 하며, 조사된 빛에 의해 반사되는 이미지를 CCD라인카메라(18)의 렌즈를 통해 획득한다. 획득된 이미지는 라인카메라(18)의 케이블을 통해 영상데이터처리장치(22)로 전달된다. The imaging means is preferably a CCD line camera 18 which is arranged in a direction perpendicular to the plane of the wafer 12 and which can image the outer circumference of the wafer 12 and the outer circumference of the photosensitive film 10 line by line. The CCD line camera 18 includes a lens, which is an imaging unit, and an illumination unit 20 surrounding the lens. The illumination unit 20 irradiates light toward the wafer 12 so that the state of the wafer 12 appears accurately, and an image reflected by the irradiated light is acquired through the lens of the CCD line camera 18. The acquired image is transferred to the image data processing apparatus 22 through the cable of the line camera 18.
영상데이터처리장치(22)는 컴퓨터장치로서, 영상데이터처리프로그램을 저장한다. 영상데이터처리프로그램은 라인카메라(18)에 의해 촬상된 웨이퍼(12)의 외곽원주와 감광막(10)의 외곽원주 영상이미지데이터를 수령하여 신호처리하며, 신호처리된 영상을 모니터를 통해 표시한다. 이에, 사용자가 모니터를 통해 신호처리된 영상을 확인할 수 있다. 그리고, 웨이퍼(12)의 외곽원주와 감광막(10)의 외곽원주 관계를 분석하여 감광막(10)과 웨이퍼(12)의 중심 일치 여부를 판단한다.The image data processing device 22 is a computer device and stores an image data processing program. The image data processing program receives and processes the image data of the outer circumference of the wafer 12 captured by the line camera 18 and the outer circumference of the photosensitive film 10, and displays the signal processed image on a monitor. Thus, the user may check the signal processed image through the monitor. Then, the relationship between the outer circumference of the wafer 12 and the outer circumference of the photosensitive film 10 is analyzed to determine whether the photosensitive film 10 coincides with the center of the wafer 12.
모니터에 표시되는 영상을 기초로 하여 감광막(10)과 웨이퍼(12)의 중심 일치 여부 판단 방법을 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다. 이 도면에 도시된 바와 같이, 모니터에는 라인카메라(18)에 의해 찰상되어 신호처리된 웨이퍼(12)의 외곽원주 및 감광막(10)의 외곽원주가 표시된다. 표시된 영상에서 U자형의 A영역은 플랫존(14)이나 노치를 나타내며, B영역은 웨이퍼(12)의 외곽원주와 감광막(10)의 외곽원주 사이의 간격을 나타낸다. 따라서, B영역을 측정함으로써, 웨이퍼(12)의 외곽원주와 감광막(10)의 외곽원주의 관계를 분석할 수 있다. 다시 말하면, 플랫존(14)이나 노치를 시작으로 B영역을 일정한 스텝별로 복수 개 측정하여 보여주고, 측정한 픽셀값을 그 픽셀값에 대응하는 실제거리로 환산한다. 이렇게 환산된 실제거리를 기초로 하여 웨이퍼(12)와 감광막(10)의 중심 일치 여부를 판단한다. 복수개의 실제거리를 비교하여 복수 개의 데이터가 일치하지 않는 경우, 감광막(10)과 웨이퍼(12)의 측면간격에 있어 오차가 발생한 것으로 표시한다. 이러한 오차 발생 여부 판단 과정은 영상데이터처리장치(22)의 영상데이터프로그램의 수행에 의해 행해지는 것이다. Based on the image displayed on the monitor, a method of determining whether the photosensitive film 10 coincides with the center of the wafer 12 will be described with reference to FIG. 2. As shown in this figure, the outer circumference of the wafer 12 scratched and signal-processed by the line camera 18 and the outer circumference of the photosensitive film 10 are displayed on the monitor. In the displayed image, the U-shaped A region represents the flat zone 14 or the notch, and the B region represents the distance between the outer circumference of the wafer 12 and the outer circumference of the photosensitive film 10. Therefore, by measuring the region B, the relationship between the outer circumference of the wafer 12 and the outer circumference of the photosensitive film 10 can be analyzed. In other words, starting with the flat zone 14 or the notch, a plurality of B regions are measured and displayed for each predetermined step, and the measured pixel values are converted into actual distances corresponding to the pixel values. On the basis of the actual distance converted in this way, it is determined whether the center of the wafer 12 and the photosensitive film 10 coincide. When a plurality of actual distances are not matched by comparing a plurality of actual distances, an error occurs in the lateral spacing between the photosensitive film 10 and the wafer 12. The determination of whether such an error occurs is performed by performing an image data program of the image data processing apparatus 22.
이러한 구성을 갖는 웨이퍼(12)의 감광막 결함검사 방법을 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다. The photosensitive film defect inspection method of the wafer 12 having such a configuration will be described with reference to FIG. 3 as follows.
먼저, 감광막(10)이 형성된 웨이퍼(12)를 웨이퍼수용장치(16)에 수평방향으로 수용한다. 그리고, 라인카메라(18)를 감광막(10)이 형성된 웨이퍼(12)의 평면과 직각으로 배치하고(S1), 라인카메라(18)의 렌즈에 플랫존(14) 또는 노치가 잡히도록 조정한다(S3). 웨이퍼(12)를 회전시키기 전에, 라인카메라(18)의 촬상속도에 비례하여 웨이퍼(12)의 속도를 설정한다(S5). 이는 라인카메라(18)가 웨이퍼(12)를 촬상할 때 웨이퍼(12)의 외곽원주를 모두 촬상하기 위해 웨이퍼(12)가 적어도 한 바퀴 이상 회전하도록 설정하려는 것이다. 그리고 나서, 웨이퍼(12)를 원주방향을 따라 회전시킨다(S7). 라인카메라(18)를 동작시켜 웨이퍼(12)의 외곽원주 및 감광막(10)의 외곽원주를 라인별로 촬상한다(S9). 촬상된 영상이미지데이터는 라인카메라(18)의 케이블을 통해 영상데이터처리장치(22)로 전달되며, 영상데이터처리장치(22)에서는 촬상된 영상을 신호처리하여 재구성한다(S11). 재구성된 영상을 영상데이터처리장치(22)의 모니터에 표시하고, 표시된 영상에 기초하여 웨이퍼(12)의 외곽원주와 감광막(10)의 외곽원주 사이의 간격(도 2의 B영역)을 복수 개 측정하여 보여준다(S13). 그리고, 픽셀수로 측정된 측정간격에 대응하는 실제거리가 계산되어지며(S15). 계산되어진 실제거리가 일정한지를 판단한다(S17). 계산되어진 실제거리가 일정하면 웨이퍼(12)와 감광막(10)의 중심이 일치하는 것으로서 결함이 없는 것으로 판단하고(S21), 일정하지 않으면 웨이퍼(12)와 감광막(10)의 중심이 불일치하는 것으로서 결함이 있는 것으로 판단한다(S19). 판단결과는 모니터를 통해 표시된다. 이러한 검사는 공정 진행 중 실시간으로 행하여진다.First, the wafer 12 on which the photosensitive film 10 is formed is accommodated in the wafer accommodating device 16 in the horizontal direction. And the line camera 18 is arrange | positioned at right angle with the plane of the wafer 12 in which the photosensitive film 10 was formed (S1), and it adjusts so that the flat zone 14 or notch may be caught by the lens of the line camera 18 ( S3). Before rotating the wafer 12, the speed of the wafer 12 is set in proportion to the imaging speed of the line camera 18 (S5). This is to set the wafer 12 to rotate at least one revolution in order to capture all the outer circumference of the wafer 12 when the line camera 18 photographs the wafer 12. Then, the wafer 12 is rotated along the circumferential direction (S7). The line camera 18 is operated to capture the outer circumference of the wafer 12 and the outer circumference of the photosensitive film 10 for each line (S9). The captured image image data is transmitted to the image data processing apparatus 22 through a cable of the line camera 18, and the image data processing apparatus 22 performs signal processing to reconstruct the captured image (S11). The reconstructed image is displayed on the monitor of the image data processing apparatus 22, and a plurality of intervals (region B in FIG. 2) between the outer circumference of the wafer 12 and the outer circumference of the photosensitive film 10 are based on the displayed image. Measure and show (S13). Then, the actual distance corresponding to the measurement interval measured by the number of pixels is calculated (S15). It is determined whether the calculated actual distance is constant (S17). If the calculated actual distance is constant, the centers of the wafer 12 and the photoresist film 10 are determined to be identical and there is no defect (S21). If the distance is not constant, the centers of the wafer 12 and the photoresist film 10 are inconsistent. It is determined that there is a defect (S19). The judgment result is displayed on the monitor. This inspection is done in real time during the process.
한편, 결함이 있는 것으로 판단되는 경우에는 보정장치를 통해 보정해 줌으로써, 웨이퍼(12)와 감광막(10)의 중심 불일치에 따른 불량 웨이퍼(12)의 발생을 방지할 수 있다. On the other hand, when it is determined that there is a defect, the correction apparatus is used to correct the defect, thereby preventing the generation of the defective wafer 12 due to the mismatch between the center of the wafer 12 and the photosensitive film 10.
한편, 전술한 실시예에서는 웨이퍼(12)와 감광막(10)의 측면간격의 불량을 검사하는 것으로만 상술하였으나, 본 발명의 구성으로 웨이퍼(12)의 깨짐을 검사할 수도 있음은 물론이다. Meanwhile, in the above-described embodiment, only the defects in the lateral spacing between the wafer 12 and the photosensitive film 10 are examined. However, the cracks of the wafer 12 may be inspected according to the configuration of the present invention.
이와 같이, 본 발명은 웨이퍼(12)의 외곽원주와 감광막(10)의 외곽원주를 라인카메라(18)로 촬상하고, 촬상된 영상에 기초하여 웨이퍼(12)와 감광막(10)의 중심 일치 여부를 판단할 수 있도록 한다. As described above, according to the present invention, the outer circumference of the wafer 12 and the outer circumference of the photosensitive film 10 are captured by the line camera 18, and whether the center of the wafer 12 and the photosensitive film 10 coincides with each other based on the captured image. To judge.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 웨이퍼와의 중심 불일치에 따른 감광막의 결함을 자동 검사할 수 있는 웨이퍼의 감광막 결함검사 시스템 및 감광막 결함검사 방법이 제공된다.As described above, according to the present invention, there is provided a photosensitive film defect inspection system and a photosensitive film defect inspection method for a wafer capable of automatically inspecting a defect of the photosensitive film due to a center mismatch with the wafer.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼의 감광막 결함검사 시스템의 간략한 구성도,1 is a schematic configuration diagram of a photosensitive film defect inspection system of a wafer according to the present invention;
도 2는 본 발명의 영상데이터처리장치에 웨이퍼의 외곽원주와 감광막의 외곽원주가 표시된 예시도, 2 is an exemplary view showing the outer circumference of the wafer and the outer circumference of the photosensitive film in the image data processing apparatus of the present invention;
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼의 감광막 결함검사 방법을 나타낸 흐름도이다.3 is a flowchart illustrating a method of inspecting a photosensitive film defect of a wafer according to the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings
10 : 감광막 12 : 웨이퍼10 photosensitive film 12 wafer
14 : 플랫존 16 : 웨이퍼수용장치14: flat zone 16: wafer holding device
18 : 라인카메라 20 : 조명부18: line camera 20: lighting unit
22 : 영상데이터처리장치22: image data processing device
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0073005A KR100494386B1 (en) | 2002-11-22 | 2002-11-22 | Defect test system for wafer photoresist film and defect test method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0073005A KR100494386B1 (en) | 2002-11-22 | 2002-11-22 | Defect test system for wafer photoresist film and defect test method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040044819A KR20040044819A (en) | 2004-05-31 |
| KR100494386B1 true KR100494386B1 (en) | 2005-06-13 |
Family
ID=37340824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0073005A KR100494386B1 (en) | 2002-11-22 | 2002-11-22 | Defect test system for wafer photoresist film and defect test method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100494386B1 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103346106B (en) * | 2013-06-27 | 2016-03-30 | 上海华力微电子有限公司 | Detect the method for photoetching process and thin film deposition processes compatible degree |
| KR101764893B1 (en) | 2015-09-11 | 2017-08-03 | 허익수 | Korean harp |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01164047A (en) * | 1987-12-21 | 1989-06-28 | Tokyo Electron Ltd | Positioning apparatus of wafer |
| JPH06310587A (en) * | 1993-04-22 | 1994-11-04 | Hitachi Ltd | Wafer aligner |
| KR20010077543A (en) * | 2000-02-03 | 2001-08-20 | 홍성균 | Apparatus for inspecting the defects on the wafer periphery and method of inspection |
| KR20010113156A (en) * | 2000-06-16 | 2001-12-28 | 김광교 | Edge exposure unit having device for compensating eccentricity of wafer |
| JP2003173955A (en) * | 2001-12-05 | 2003-06-20 | Ushio Inc | Method and apparatus for exposing wafer periphery |
-
2002
- 2002-11-22 KR KR10-2002-0073005A patent/KR100494386B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01164047A (en) * | 1987-12-21 | 1989-06-28 | Tokyo Electron Ltd | Positioning apparatus of wafer |
| JPH06310587A (en) * | 1993-04-22 | 1994-11-04 | Hitachi Ltd | Wafer aligner |
| KR20010077543A (en) * | 2000-02-03 | 2001-08-20 | 홍성균 | Apparatus for inspecting the defects on the wafer periphery and method of inspection |
| KR20010113156A (en) * | 2000-06-16 | 2001-12-28 | 김광교 | Edge exposure unit having device for compensating eccentricity of wafer |
| JP2003173955A (en) * | 2001-12-05 | 2003-06-20 | Ushio Inc | Method and apparatus for exposing wafer periphery |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20040044819A (en) | 2004-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI502187B (en) | Substrate inspection apparatus and substrate inspection method | |
| KR101016864B1 (en) | Disc wafer inspecting device and inspecting method | |
| TWI648534B (en) | Inspection method for back surface of epitaxial wafer, inspection device for back surface of epitaxial wafer, lift pin management method for epitaxial growth device, and manufacturing method for epitaxial wafer | |
| TWI499772B (en) | Evaluation device and evaluation method | |
| US7477370B2 (en) | Method of detecting incomplete edge bead removal from a disk-like object | |
| JP2007278928A (en) | Defect inspection device | |
| TW200830063A (en) | Method of aligning pattern position, pattern inspection apparatus and pattern inspection system | |
| JPWO2008139735A1 (en) | Surface inspection apparatus and surface inspection method | |
| JP5610462B2 (en) | Inspection method and inspection apparatus based on photographed image | |
| JPWO2009031612A1 (en) | Observation apparatus and observation method, and inspection apparatus and inspection method | |
| JP2008216054A (en) | Device and method for inspecting test object | |
| US8223328B2 (en) | Surface inspecting apparatus and surface inspecting method | |
| KR100494386B1 (en) | Defect test system for wafer photoresist film and defect test method thereof | |
| KR100953203B1 (en) | Substrate quality tester | |
| JP5212779B2 (en) | Surface inspection apparatus and surface inspection method | |
| JP2007285869A (en) | Surface inspection system and surface inspection method | |
| JP2009063365A (en) | Inspection device and inspection method | |
| JP3865156B2 (en) | Image comparison apparatus, wafer inspection apparatus and wafer inspection system using the same | |
| KR101023068B1 (en) | Substrate treating apparatus and method for treating the substrate using the same | |
| JP2002071576A (en) | Visual inspection apparatus and visual inspection method | |
| JP2009250653A (en) | Surface inspection method and surface inspection device | |
| JPH08101135A (en) | Foreign matter inspecting device | |
| JP4450720B2 (en) | Defect inspection method | |
| KR100509826B1 (en) | In-situ pattern inspectable developer and method thereof | |
| JP2019168233A (en) | Substrate inspection device, substrate processing device, substrate inspection method, and substrate processing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120531 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130531 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |