JP2009250653A - Surface inspection method and surface inspection device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a surface inspection method capable of performing the accurate inspection of a flaw by excluding the effect of the offset of difference output caused by the roughness or the like of a surface. <P>SOLUTION: The surface inspection method is constituted of a step of imaging the surface of an inspection target while relatively moving an imaging device with respect to the inspection target, a step of extracting the inspection signal value corresponding to a predetermined inspection item from the taken surface image of the inspection target at each region of a plurality of regions obtained by dividing the surface of the inspection target into a plurality of parts along the relative moving direction, a step of calculating the moving average value of the inspection signal value in the relative moving direction with respect to a plurality of the regions, a step of calculating a corrected inspection signal value by subtracting the moving average value from the inspection signal value with respect to a plurality of the regions and a step of performing inspection with respect to the predetermined inspection item on the basis of the corrected inspection signal value. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウェハや液晶ガラス基板等の被検物の表面欠陥の有無を検査するための表面検査方法および装置に関する。   The present invention relates to a surface inspection method and apparatus for inspecting the presence or absence of surface defects in an object such as a semiconductor wafer or a liquid crystal glass substrate.

近年、半導体ウェハに形成される回路素子パターンの集積度が高くなるとともに、半導体製造工程でウェハの表面処理に用いられる薄膜の種類が増加している。これに伴い、薄膜の境界部分が露出するウェハの端部付近の欠陥検査が重要となってきている。これは、ウェハの端部付近に異物等の欠陥があると、後の工程で異物等がウェハの表面側に回り込んで悪影響を及ぼし、ウェハから作り出される回路素子の歩留まりに影響するからである。   In recent years, the degree of integration of circuit element patterns formed on semiconductor wafers has increased, and the types of thin films used for wafer surface treatment in semiconductor manufacturing processes have increased. Along with this, defect inspection near the edge of the wafer where the boundary portion of the thin film is exposed has become important. This is because if there is a defect such as a foreign substance near the edge of the wafer, the foreign substance or the like will enter the surface side of the wafer in a later step and adversely affect the yield of circuit elements produced from the wafer. .

そこで、半導体ウェハ等の円盤状に形成された被検物の端面周辺(例えば、アペックスや上下のベベル)を複数の方向から観察して、異物や膜の剥離、膜内の気泡、膜の回り込み等といった欠陥の有無を検査する検査装置が考案されている(例えば、特許文献1を参照)。このような検査装置には、レーザ光等の照射により生じる散乱光を利用して異物等を検出する構成のものや、ラインセンサにより被検物の画像を帯状に形成して異物等を検出する構成のもの等がある。
特開2004−325389号公報
Therefore, the periphery of the test object formed in a disk shape such as a semiconductor wafer (eg apex and upper and lower bevels) is observed from multiple directions to remove foreign matter and film, bubbles in the film, and wrap around the film. An inspection apparatus for inspecting the presence or absence of defects such as these has been devised (see, for example, Patent Document 1). Such an inspection apparatus has a configuration in which foreign matter or the like is detected by using scattered light generated by irradiation with laser light or the like, or a foreign object or the like is detected by forming an image of the test object in a belt shape with a line sensor. There are things of composition.
JP 2004-325389 A

また、画像取得装置により被検物の端面周辺の画像を部分的に1枚ずつ取得して、複数の画像データにおける信号値に基づいて異物等を検出する構成のものもある。例えば、ウエハの端部表面に照明光を照射して、この照明光の正反射光を撮像して表面欠陥を検出する検査装置があり、この検査装置においては、ある画像領域と隣接する領域とのピクセル単位での比較により、ピクセル毎の輝度差の強度に基づいて欠陥検査を行うように構成されている。   In addition, there is a configuration in which an image acquisition device partially acquires an image around the end face of a test object one by one, and detects a foreign substance or the like based on signal values in a plurality of image data. For example, there is an inspection apparatus that detects surface defects by irradiating illumination light onto an end surface of a wafer and imaging regular reflection light of the illumination light. In this inspection apparatus, an area adjacent to an image area Thus, the defect inspection is performed based on the intensity of the luminance difference for each pixel.

この検査装置において、ウエハ表面に欠陥とみなされる傷等が無くても、ウエハの端部領域全周にわたり存在するような表面の荒れが差分信号として検出され、これが検出信号のオフセット成分となり、欠陥検出が不正確となるという問題がある。特に、ウエハ表面の加工粗さ等の表面状態はウエハ全面において均一ではないため、表面の荒れに基づく画像差分検出のオフセット信号自体が変動し、この変動の影響を受けて欠陥として検出されるべき傷等による差分信号の検出が不正確になるという問題がある。   In this inspection apparatus, even if there are no scratches or the like that are regarded as defects on the wafer surface, surface roughness that exists over the entire circumference of the edge region of the wafer is detected as a differential signal, which becomes an offset component of the detection signal, and the defect There is a problem that detection becomes inaccurate. In particular, since the surface condition such as the processing roughness of the wafer surface is not uniform over the entire wafer surface, the offset signal itself of the image difference detection based on the surface roughness fluctuates and should be detected as a defect under the influence of this fluctuation. There is a problem that detection of a differential signal due to scratches or the like becomes inaccurate.

本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、表面の荒れ等による差分出力のオフセットの影響を排除して正確な欠陥検査が行えるような表面検査方法および装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such a problem, and provides a surface inspection method and apparatus capable of performing accurate defect inspection by eliminating the influence of differential output offset due to surface roughness or the like. Objective.

このような目的達成のため、本発明に係る表面検査方法は、被検物の表面を撮像可能な撮像装置を前記被検物に対して相対移動させながら前記被検物の表面を撮像するステップと、前記被検物の表面の撮像画像から、前記被検物の表面を前記相対移動方向に沿って複数に分割して得られた複数の領域毎において所定の検査項目に対応する検査信号値を抽出するステップと、前記相対移動方向における前記検査信号値の移動平均値を前記複数の領域毎について算出するステップと、前記複数の領域毎について前記検査信号値から前記移動平均値を減じて補正検査信号値を求めるステップと、前記補正検査信号値に基づいて前記所定の検査項目についての検査を行うステップとから構成される。   In order to achieve such an object, the surface inspection method according to the present invention is a step of imaging the surface of the test object while relatively moving an imaging device capable of imaging the surface of the test object with respect to the test object. And an inspection signal value corresponding to a predetermined inspection item for each of a plurality of regions obtained by dividing the surface of the test object into a plurality of parts along the relative movement direction from the captured image of the surface of the test object Extracting a moving average value of the inspection signal values in the relative movement direction for each of the plurality of regions, and correcting the inspection signal value by subtracting the moving average value for each of the plurality of regions. The method includes a step of obtaining an inspection signal value and a step of inspecting the predetermined inspection item based on the corrected inspection signal value.

この表面検査方法において、好ましくは、前記移動平均値の算出が、前記複数の領域のそれぞれにおいて対応領域を含む前後の所定数の領域における前記検査信号値の平均値を前記対応領域の移動平均値として算出される。   In this surface inspection method, it is preferable that the moving average value is calculated by calculating an average value of the inspection signal values in a predetermined number of regions before and after the corresponding region in each of the plurality of regions as a moving average value of the corresponding region. Is calculated as

また、上記表面検査方法において、好ましくは、前記被検物が円盤状の半導体ウエハであり、前記半導体ウエハを回転させながらその外周端部を前記撮像装置により撮像する。   In the surface inspection method, preferably, the test object is a disk-shaped semiconductor wafer, and the outer peripheral end of the semiconductor wafer is imaged by the imaging device while rotating the semiconductor wafer.

一方、本願発明に係る表面検査装置は、被検物を保持する保持装置と、前記保持装置により保持された前記被検物の表面を撮像可能な撮像装置と、前記保持装置に保持された前記被検物を前記撮像装置に対して相対移動させる相対移動装置と、前記撮像装置による撮像制御および前記相対移動装置による前記被検物の相対移動制御とを行う制御装置と、前記撮像装置により撮像された前記被検物の表面の撮像画像から表面欠陥の検査を行う検査処理装置とを備えて構成され、前記制御装置は、前記相対移動装置により前記被検物を前記撮像装置に対して相対移動させながら前記撮像装置により前記被検物の表面を複数の分割領域に分割して撮像させ、前記検査処理装置は、前記撮像装置により撮像された複数の分割領域毎の画像において所定の検査項目に対応する検査信号値を抽出し、前記検査信号値の移動平均値を前記複数の分割領域毎について算出し、前記複数の領域毎について前記検査信号値から前記移動平均値を減じて補正検査信号値を求め、前記補正検査信号値に基づいて前記所定の検査項目についての検査を行うように構成されている。   On the other hand, a surface inspection apparatus according to the present invention includes a holding device that holds a test object, an imaging device that can image the surface of the test object held by the holding device, and the holding device that holds the test object. A relative movement device that moves the test object relative to the imaging device, a control device that performs imaging control by the imaging device and a relative movement control of the test object by the relative movement device, and imaging by the imaging device An inspection processing device that inspects a surface defect from a captured image of the surface of the test object, and the control device uses the relative movement device to position the test object relative to the imaging device. The imaging apparatus divides the surface of the test object into a plurality of divided areas while moving the image, and the inspection processing apparatus performs predetermined processing on images of the plurality of divided areas picked up by the imaging apparatus. An inspection signal value corresponding to an inspection item is extracted, a moving average value of the inspection signal value is calculated for each of the plurality of divided regions, and correction is performed by subtracting the moving average value from the inspection signal value for each of the plurality of regions. An inspection signal value is obtained, and the predetermined inspection item is inspected based on the corrected inspection signal value.

上記表面検査装置において、好ましくは、前記被検物が円盤状の半導体ウエハであり、前記相対移動装置は前記保持装置により保持された半導体ウエハを回転させて前記撮像装置に対して相対移動させるように構成される。   In the surface inspection apparatus, preferably, the test object is a disk-shaped semiconductor wafer, and the relative movement device rotates the semiconductor wafer held by the holding device to move relative to the imaging device. Configured.

本発明によれば、移動平均値を用いて検査信号値を補正するので、正確な表面欠陥の検出が可能となる。   According to the present invention, since the inspection signal value is corrected using the moving average value, it is possible to accurately detect the surface defect.

以下、本発明の好ましい実施形態について説明する。本発明に係る表面検査装置の一例を図1に示しており、この検査装置1は、半導体ウェハ10(以下、ウェハ10と称する)を被検物としてその端部および端部近傍における表面欠陥(傷、異物の付着等)の有無を検査するためのものである。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. An example of a surface inspection apparatus according to the present invention is shown in FIG. 1, and this inspection apparatus 1 uses a semiconductor wafer 10 (hereinafter referred to as a wafer 10) as an object to be tested, and surface defects ( It is for inspecting the presence or absence of scratches, foreign matters, etc.).

ウェハ10は薄い円盤状に形成されており、その表面には、ウェハ10から取り出される複数の半導体チップ(チップ領域)に対応した回路パターン(図示せず)を形成するために、絶縁膜、電極配線膜、半導体膜等の薄膜(図示せず)が多層にわたって形成される。このようにウェハ10の表面(上面)に回路パターンが形成される部分の外周縁部、すなわち、図2に示すリング状の領域である上ベベル部11およびそれより外周部には回路パターンが形成されずに基板が露出する。また、ウェハ10の裏面(下面)における外周端部内側には、下ベベル部12がウェハ10を基準に上ベベル部11と表裏対称に形成される。そして、上ベベル部11と下ベベル部12とに繋がるウェハ端面がアペックス部13と称される。   The wafer 10 is formed in a thin disk shape, and an insulating film and electrodes are formed on its surface in order to form a circuit pattern (not shown) corresponding to a plurality of semiconductor chips (chip regions) taken out from the wafer 10. A thin film (not shown) such as a wiring film or a semiconductor film is formed over multiple layers. Thus, a circuit pattern is formed on the outer peripheral edge of the portion where the circuit pattern is formed on the surface (upper surface) of the wafer 10, that is, on the upper bevel portion 11 which is a ring-shaped region shown in FIG. The substrate is exposed without being exposed. Further, a lower bevel portion 12 is formed symmetrically with the upper bevel portion 11 with respect to the wafer 10 on the inner side of the outer peripheral end portion on the back surface (lower surface) of the wafer 10. The wafer end surface connected to the upper bevel portion 11 and the lower bevel portion 12 is referred to as an apex portion 13.

検査装置1は、ウェハ10を支持して回転させるウェハ支持部20と、ウエハ支持部20により支持されたウェハ10の外周端部および外周端部近傍を撮像する撮像部30と、撮像部30で撮像されたウェハ10の画像信号に基づいて画像データを得る画像処理部40と、ウェハ支持部20によるウエハ10の回転駆動制御や撮像部30による撮像制御を行う制御部50と、画像表示および外部入力等が可能なパーソナルコンピュータを用いたインターフェース部60と、欠陥検査処理を行う検査処理部70とを有して構成される。   The inspection apparatus 1 includes a wafer support unit 20 that supports and rotates the wafer 10, an imaging unit 30 that images the outer peripheral end portion of the wafer 10 supported by the wafer support unit 20 and the vicinity of the outer peripheral end unit, and an imaging unit 30. An image processing unit 40 that obtains image data based on an image signal of the imaged wafer 10, a control unit 50 that performs rotational drive control of the wafer 10 by the wafer support unit 20 and imaging control by the imaging unit 30, an image display and an external An interface unit 60 using a personal computer capable of input and the like and an inspection processing unit 70 for performing defect inspection processing are configured.

ウェハ支持部20は、基台21と、基台21から上方へ垂直に延びて設けられた回転軸22と、回転軸22の上端部に略水平に取り付けられて上面側においてウェハ10を同軸上に位置させて支持するウェハホルダ23とを有して構成される。ウェハホルダ23の内部には真空吸着機構(図示せず)が設けられており、真空吸着機構による真空吸着を利用してウェハホルダ23上にウェハ10が回転軸と同軸に位置して吸着保持される。   The wafer support unit 20 includes a base 21, a rotary shaft 22 that extends vertically upward from the base 21, and is mounted substantially horizontally on the upper end of the rotary shaft 22 so that the wafer 10 is coaxially mounted on the upper surface side. And a wafer holder 23 that is positioned and supported. A vacuum suction mechanism (not shown) is provided inside the wafer holder 23, and the wafer 10 is suctioned and held on the wafer holder 23 coaxially with the rotation axis using the vacuum suction by the vacuum suction mechanism.

基台21の内部には、回転軸22を回転駆動させる回転駆動機構(図示せず)が設けられており、回転駆動機構により回転軸22を回転させることで、回転軸22に取り付けられたウェハホルダ23とともに、ウェハホルダ23上に吸着保持されたウェハ10がウェハ10の中心(回転対称軸O)を回転軸として回転駆動される。なお、ウェハホルダ23はウェハ10より径の小さい略円盤状に形成されており、ウェハホルダ23上にウェハ10が吸着保持された状態で、上ベベル部11、下ベベル部12、およびアペックス部13を含むウェハ10の外周端部近傍がウェハホルダ23からはみ出るようになっている。   A rotation drive mechanism (not shown) that rotates the rotation shaft 22 is provided inside the base 21, and the wafer holder attached to the rotation shaft 22 by rotating the rotation shaft 22 by the rotation drive mechanism. 23, the wafer 10 sucked and held on the wafer holder 23 is rotationally driven with the center (rotation symmetry axis O) of the wafer 10 as the rotation axis. The wafer holder 23 is formed in a substantially disk shape having a diameter smaller than that of the wafer 10, and includes an upper bevel portion 11, a lower bevel portion 12, and an apex portion 13 with the wafer 10 being sucked and held on the wafer holder 23. The vicinity of the outer peripheral end of the wafer 10 protrudes from the wafer holder 23.

撮像部30は、いわゆる二次元カメラであり、図示しない対物レンズおよび落射照明を備えた鏡筒部31と、図示しないイメージセンサが内蔵されたカメラ本体32とを主体に構成されており、落射照明による照明光が対物レンズを介してウェハ10を照明するとともに、ウェハ10からの反射光が対物レンズを介してイメージセンサに導かれ、イメージセンサでウェハ10の外周部の像が撮像される。なお、この実施形態においては、ウエハ10の端部表面の傷、異物の付着等を検査するものであり、カメラは照明光の正反射を受ける位置に設けられて、ウエハ10の端部表面の像を撮像するように構成されている。   The imaging unit 30 is a so-called two-dimensional camera, and mainly includes a lens barrel unit 31 including an objective lens (not shown) and epi-illumination, and a camera body 32 including an image sensor (not shown). Illumination light by illuminates the wafer 10 via the objective lens, and reflected light from the wafer 10 is guided to the image sensor via the objective lens, and an image of the outer peripheral portion of the wafer 10 is captured by the image sensor. In this embodiment, the end surface of the wafer 10 is inspected for scratches, adhesion of foreign matter, and the like. The camera is provided at a position where the illumination light is regularly reflected, and the surface of the end surface of the wafer 10 is detected. It is configured to capture an image.

撮像部30は、ウェハ10のアペックス部13と対向するように配置され、ウェハ10の回転軸(回転対称軸O)と直交する方向からアペックス部13を部分的に撮像するようになっている。これにより、ウェハ支持部20に支持されたウェハ10を回転させると、撮像部30の撮像領域に対して、ウェハ10の外周端部、すなわちアペックス部13がウェハ10の周方向へ相対回転するため、アペックス部13と対向するように配置された撮像部30は、アペックス部13を周方向(すなわち相対回転方向)へ連続的に撮像することができ、ウェハ10の全周にわたってアペックス部13を撮像することが可能になる。このようにして撮像部30で撮像された画像信号は、画像処理部40へ出力されて、ここで画像処理が行われ、各位置毎におけるアペックス部13の画像データが得られる。   The imaging unit 30 is disposed so as to face the apex portion 13 of the wafer 10, and partially captures the apex portion 13 from a direction orthogonal to the rotation axis (rotation symmetry axis O) of the wafer 10. Accordingly, when the wafer 10 supported by the wafer support unit 20 is rotated, the outer peripheral end portion of the wafer 10, that is, the apex portion 13 rotates relative to the imaging region of the imaging unit 30 in the circumferential direction of the wafer 10. The imaging unit 30 disposed so as to face the apex unit 13 can continuously image the apex unit 13 in the circumferential direction (that is, the relative rotation direction), and images the apex unit 13 over the entire circumference of the wafer 10. It becomes possible to do. The image signal captured by the imaging unit 30 in this way is output to the image processing unit 40, where image processing is performed, and image data of the apex unit 13 is obtained for each position.

なお、図2に示すように、撮像部30を上ベベル部11と上下に対向する位置に配置して上ベベル部11の撮像を行って、この部分の検査を行ったり、撮像部を下ベベル部12と上下に対向する位置に配置して下ベベル部12の撮像を行って、この部分の検査を行うこともできるようになっている。   As shown in FIG. 2, the imaging unit 30 is arranged at a position facing the upper bevel portion 11 in the vertical direction, and the upper bevel portion 11 is imaged, and this portion is inspected or the imaging unit is moved to the lower bevel. The lower bevel portion 12 can be imaged by placing it at a position facing the portion 12 in the vertical direction, and this portion can be inspected.

制御部50は、各種制御を行う制御基板等から構成され、制御部50からの制御信号によりウェハ支持部20、撮像部30、および画像処理部40等の作動制御を行う。具体的には、ウエハ支持部20による回転軸22の回転駆動制御(ウエハホルダ23に保持されたウエハ10の回転位置制御)と、撮像部30による撮像制御と、画像処理部40における撮像部30により処理されて得られた画像信号から画像データを得る画像処理制御とが、制御部50による制御に基づいて行われる。   The control unit 50 includes a control board that performs various controls, and performs operation control of the wafer support unit 20, the imaging unit 30, the image processing unit 40, and the like according to control signals from the control unit 50. Specifically, the rotation driving control of the rotation shaft 22 by the wafer support unit 20 (rotational position control of the wafer 10 held by the wafer holder 23), the imaging control by the imaging unit 30, and the imaging unit 30 in the image processing unit 40. Image processing control for obtaining image data from the image signal obtained by processing is performed based on control by the control unit 50.

このようにして画像処理部40における画像処理により得られたアペックス部13の画像データは検査処理部70に送られてアペックス部13の表面の傷、異物の付着等の表面欠陥の有無の検査が行われる。このとき、同時にインターフェース部60の表示画面に検査処理結果等が表示される。   The image data of the apex unit 13 obtained by the image processing in the image processing unit 40 in this way is sent to the inspection processing unit 70 to inspect for the presence of surface defects such as scratches on the surface of the apex unit 13 and adhesion of foreign matter. Done. At this time, the inspection processing result and the like are simultaneously displayed on the display screen of the interface unit 60.

以上のように構成された検査装置1による検査処理内容について、図3のフローチャートを参照して説明する。この検査処理においてはまず、制御部50による制御の下で、撮像部30によりウエハ10のアペックス部13の撮像と、ウエハ支持部20による回転軸22の回転駆動制御(ウエハホルダ23に保持されたウエハ10の回転位置制御)とが行われる(ステップS1)。このようにして撮像部30により撮像して得られたアペックス部13の内の撮像部30に対向する部分の画像信号は画像処理部40に送られて、この部分の画像データ(これを分割画像データと称する)が得られる。この動作が、回転軸22の回転駆動制御により所定インデックス角度毎の繰り返しで行われる。すなわち、ウエハ10の全周に亘って、各インデックス角度毎に撮像部30によるアペックス部13の分割画像の撮像が繰り返して行われる(ステップS2)。   The contents of the inspection process performed by the inspection apparatus 1 configured as described above will be described with reference to the flowchart of FIG. In this inspection processing, first, under the control of the control unit 50, the imaging unit 30 images the apex unit 13 of the wafer 10 and the rotation support control of the rotation shaft 22 by the wafer support unit 20 (the wafer held on the wafer holder 23). 10 rotation position control) is performed (step S1). The image signal of the part facing the imaging unit 30 in the apex unit 13 obtained by imaging by the imaging unit 30 in this way is sent to the image processing unit 40, and image data of this part (this is divided into divided images). Data)). This operation is repeated for each predetermined index angle by the rotational drive control of the rotary shaft 22. In other words, the divided image of the apex unit 13 is repeatedly imaged by the imaging unit 30 for each index angle over the entire circumference of the wafer 10 (step S2).

この結果、画像処理部40においては、各インデックス角度毎に撮像部30により撮像されたアペックス部13の一連の画像が得られ、これら一連の画像データが検査処理部70に送られる。このように画像処理部40においては、各インデックス位置に対応するアペックス部13の画像を求めるのであるが、これら画像は連続的に繋がってアペックス部13の全周に亘る画像を示すように設定されている。そして、隣り合う画像同士をピクセル単位で比較して、ピクセル毎の輝度差を示す分割画像を求める。このようにして求めた分割画像の例を、図5に、画像G1,G2,G3,G4として示しており、これら分割画像における小さな点がアペックス部13における表面の荒れ等が規則的な明暗差として撮像されたバックグラウンド光(表面の荒れ等による差分出力のオフセット)であり、これは表面の微細な凹凸、例えば、加工粗さに応じて生じる小さな乱反射光に基づくものであり、傷、異物等が存在しない状態で発生する比較的小さな乱反射光である。一方、表面に傷、異物等が存在するとこれらからの乱反射光はバックグラウンド光(表面の荒れ等による差分出力のオフセット)に比べて大きく、画像G2,G3に示すような大きな点D1,D2として現れる。すなわち、これら画像G1〜G2における各点はアペックス部13からの乱反射を示し、点の大きさが反射光の大きさもしくは強さを示している。   As a result, the image processing unit 40 obtains a series of images of the apex unit 13 imaged by the imaging unit 30 for each index angle, and sends these series of image data to the inspection processing unit 70. As described above, the image processing unit 40 obtains the image of the apex unit 13 corresponding to each index position, and these images are continuously connected to be set so as to indicate the image over the entire circumference of the apex unit 13. ing. Then, adjacent images are compared on a pixel basis to obtain a divided image indicating a luminance difference for each pixel. Examples of the divided images thus obtained are shown as images G1, G2, G3, and G4 in FIG. 5, and small points in these divided images indicate that the surface roughness or the like in the apex portion 13 is a regular contrast difference. As background light (offset of differential output due to surface roughness, etc.), which is based on fine irregularities on the surface, for example, small irregularly reflected light generated according to processing roughness, scratches, foreign matter It is a comparatively small irregularly reflected light generated in a state where no etc. exist. On the other hand, if there are scratches, foreign matter, etc. on the surface, the diffusely reflected light from these is larger than the background light (difference output offset due to surface roughness etc.), and as large points D1, D2 as shown in images G2, G3 appear. That is, each point in the images G1 and G2 indicates irregular reflection from the apex portion 13, and the size of the point indicates the magnitude or intensity of the reflected light.

検査処理部70においては、各インデックス位置における分割画像の全面の信号データを合計(積分)してその分割画像全体の信号値Inを算出する(ステップS3)。これをアペックス部13の全周に亘る全インデックス位置で行って、全ての位置それぞれにおける信号値Inを求める。その結果を図4および図5の棒グラフに示しており、この棒グラフにおける横軸がインデックス位置(すなわち、全周角度0〜360度における各インデックス角度毎に対応する位置)を示し、縦軸に示す棒の長さが各インデックス位置での分割画像の信号値Inを表している。なお、図4は、図5の棒グラフ部分のみを取り出して示すものであり、同一のグラフを示している。   In the inspection processing unit 70, the signal data In of the entire divided image is calculated by summing (integrating) the signal data of the entire divided image at each index position (step S3). This is performed at all index positions over the entire circumference of the apex section 13, and the signal values In at all positions are obtained. The results are shown in the bar graphs of FIGS. 4 and 5, and the horizontal axis in this bar graph indicates the index position (that is, the position corresponding to each index angle at the entire circumferential angle of 0 to 360 degrees), and is indicated on the vertical axis. The length of the bar represents the signal value In of the divided image at each index position. Note that FIG. 4 shows only the bar graph portion of FIG. 5 and shows the same graph.

ここで、図5に示す分割画像G2,G3のように、欠陥D1,D2が存在すると、これら欠陥からの反射光は大きいため、各インデックス位置での信号値Inは棒B,Cで示すように値が大きくなる。このように信号値Inが大きいインデックス位置に欠陥が存在することになるので、信号値Inに基づいて、例えば、信号値Inが所定閾値(スレッショルド値)以上となる箇所を探すことにより、欠陥の存在を検出することができる。   Here, as shown in the divided images G2 and G3 shown in FIG. 5, when the defects D1 and D2 exist, the reflected light from these defects is large, so that the signal value In at each index position is indicated by bars B and C. The value becomes larger. As described above, since a defect exists at an index position where the signal value In is large, for example, by searching for a location where the signal value In is equal to or greater than a predetermined threshold (threshold value) based on the signal value In, The presence can be detected.

ところで、従来技術の説明欄等においても説明したように、ウエハ10のアペックス部13を撮像部30で撮像したときの表面の荒れ等による差分出力のオフセットの大きさは、アペックス部13の表面状態(例えば、表面加工粗さ)に影響されて変動する。一つのウエハ10におけるアペックス部13であっても、全周に亘って均一な表面状態とすることは難しく、例えば、図5に示すように、分割画像G1およびG2を含む領域でのアペックス部13の表面状態と、分割画像G3,G4を含む領域でのアペックス部13の表面状態とが相違するようなことも多い。例えば、本実施形態の場合には、分割画像G1およびG2を含む領域でのアペックス部13の表面が粗くて表面の荒れ等による差分出力のオフセットが大きいのに対して、分割画像G3,G4を含む領域でのアペックス部13の表面は滑らかで表面の荒れ等による差分出力のオフセットが小さくなっている。   By the way, as described in the description section of the prior art, the magnitude of the offset of the differential output due to surface roughness or the like when the apex portion 13 of the wafer 10 is imaged by the imaging portion 30 is the surface state of the apex portion 13. It fluctuates depending on (for example, surface processing roughness). Even in the apex portion 13 of one wafer 10, it is difficult to obtain a uniform surface state over the entire circumference. For example, as shown in FIG. 5, the apex portion 13 in a region including the divided images G1 and G2 is used. And the surface state of the apex portion 13 in the region including the divided images G3 and G4 are often different. For example, in the case of this embodiment, the surface of the apex portion 13 in the region including the divided images G1 and G2 is rough and the offset of the differential output due to surface roughness is large, whereas the divided images G3 and G4 are displayed. The surface of the apex portion 13 in the included region is smooth, and the offset of the differential output due to surface roughness is small.

検査処理部70においては、上述したように、図4および図5に示す棒グラフの各棒の高さ(信号値Inの大きさ)に基づいて欠陥の有無検査が行われるのであるが、この信号値Inは表面の荒れ等による差分出力のオフセットを含んだ値であるため、表面の荒れ等による差分出力のオフセットが上記のようにインデックス位置に応じて相違するとその影響を受けて検査結果が不正確となるという問題がある。具体的には、図5のグラフにおける画像G1,G2を含む領域Z1およびZ2内では表面の荒れ等による差分出力のオフセットが大きいのに対して、画像G3,G4を含む領域では表面の荒れ等による差分出力のオフセットが小さいため、共に欠陥が存在しない画像G1およびG4に対する信号値が信号値AおよびDで示すように(信号値A)>(信号値D)となる。同様に、ほぼ同一の反射光が生じる欠陥D1,D2をそれぞれ有する画像G2およびG3に対する信号値が信号値BおよびCで示すように(信号値B)>(信号値C)となる。しかも、この例の場合には、(信号値A>信号値C)という関係となっている。   In the inspection processing unit 70, as described above, the presence or absence of defects is inspected based on the height of each bar (the magnitude of the signal value In) in the bar graphs shown in FIGS. Since the value In includes a differential output offset due to surface roughness or the like, if the offset of the differential output due to surface roughness or the like differs depending on the index position as described above, the inspection result is affected by the influence. There is a problem of being accurate. Specifically, the offset of the differential output due to surface roughness or the like is large in the regions Z1 and Z2 including the images G1 and G2 in the graph of FIG. 5, whereas the surface roughness and the like are included in the region including the images G3 and G4. Since the offset of the difference output due to is small, the signal values for the images G1 and G4 in which no defect exists are indicated by the signal values A and D (signal value A)> (signal value D). Similarly, the signal values for the images G2 and G3 having the defects D1 and D2, respectively, in which substantially the same reflected light are generated, are represented by the signal values B and C (signal value B)> (signal value C). In addition, in this example, the relationship is (signal value A> signal value C).

このような場合に、例えば、図5に示すように、信号値Inが第1の閾値(スレッショルド値)SH1より大きいか否かに基づいて欠陥の有無の判断を行うと、画像G2の位置の欠陥D1の存在は判断できるが、画像G3の位置の欠陥D2の判断はできない。そこで、画像G3の位置の欠陥D2の判断もできるように第1の閾値SH1より小さな第2の閾値SH2を用いて判断すると、画像G3の位置の欠陥D2の判断は可能となるが、欠陥が存在しない領域Z1およびZ2において欠陥が存在するという誤った判断がなされる。   In such a case, for example, as shown in FIG. 5, when the presence / absence of a defect is determined based on whether or not the signal value In is larger than a first threshold value (threshold value) SH1, the position of the image G2 is determined. The presence of the defect D1 can be determined, but the defect D2 at the position of the image G3 cannot be determined. Therefore, if the second threshold SH2 smaller than the first threshold SH1 is determined so that the defect D2 at the position of the image G3 can also be determined, the defect D2 at the position of the image G3 can be determined, but the defect is not detected. An erroneous determination is made that a defect exists in the non-existing regions Z1 and Z2.

そこで図3のフローに戻って説明するが、この検査装置においては、各インデックス位置における分割画像の信号値Inをアペックス部13の全周に亘って求めた後に、ステップS3からステップS4に進んで、これら信号値Inの移動平均値を算出する。具体的には、各インデックス位置での信号値Inに対して、その前後a個の信号値(In-a〜In+a)の平均値をこのインデックス位置の移動平均値として算出する計算を、全インデックス位置について行う。その結果を図6に示しており、これにより、欠陥D1,D2の信号を含んではいるが、表面の荒れ等による差分出力のオフセットにほぼ対応する信号の変化特性を求めることができる。   Therefore, the flow will be described with reference to FIG. 3 again. In this inspection apparatus, the signal value In of the divided image at each index position is obtained over the entire circumference of the apex unit 13, and then the process proceeds from step S3 to step S4. Then, a moving average value of these signal values In is calculated. Specifically, with respect to the signal value In at each index position, a calculation for calculating an average value of a signal values (In-a to In + a) before and after the index value as a moving average value at the index position, Repeat for all index positions. The result is shown in FIG. 6, and it is possible to obtain a signal change characteristic corresponding to the offset of the differential output due to surface roughness or the like, although the signals of the defects D1 and D2 are included.

そこで、ステップS5に進み、図4に示す検出値から、表面の荒れ等による差分出力のオフセットにほぼ対応する信号特性となる図6の移動平均値を各インデックス位置毎に減算して、表面の荒れ等による差分出力のオフセットの影響を除去した補正信号値In′を算出する。その演算結果を図7に示しており(なお、上記減算の結果、負の値となる補正信号値は零として表している)、欠陥D1,D2が存在する画像のインデックス位置での補正信号値が顕著に大きく表れる。なお、移動平均値は欠陥D1,D2の信号値を含む計算値であるため、その影響から領域Z1,Z2において若干の信号値がでるが、図5に示したように、表面の荒れ等による差分出力のオフセットによる信号値Aが欠陥を有した位置の信号値Cより大きくなるようなことは無くなり、例えば、図7に示す第3閾値SH3に基づいて補正信号値の大きさを判断すれば、欠陥D1,D2を有するインデックス位置を確実に検出できる(ステップS6)。   Therefore, the process proceeds to step S5, and the moving average value of FIG. 6 having a signal characteristic substantially corresponding to the offset of the difference output due to surface roughness or the like is subtracted from the detection value shown in FIG. A correction signal value In ′ from which the influence of the offset of the differential output due to roughness or the like is removed is calculated. The calculation result is shown in FIG. 7 (note that the correction signal value that is a negative value as a result of the subtraction is expressed as zero), and the correction signal value at the index position of the image in which the defects D1 and D2 exist. Appears significantly larger. Since the moving average value is a calculated value including the signal values of the defects D1 and D2, a slight signal value appears in the regions Z1 and Z2 due to the influence thereof. However, as shown in FIG. The signal value A due to the offset of the differential output does not become larger than the signal value C at the position having the defect. For example, if the magnitude of the correction signal value is determined based on the third threshold value SH3 shown in FIG. The index position having the defects D1 and D2 can be reliably detected (step S6).

以上、本発明の好ましい実施形態に係る検査装置について説明したが、本発明は上記実施形態に限られるものではなく、種々の形態に適用可能である。例えば、上述の実施形態において、ウェハ10の全周にわたってアペックス部13を撮像しているが、これに限られるものではなく、制御部50の作動制御により、アペックス部13における所望の角度位置範囲についてのみ撮像するようにしてもよい。これにより、アペックス部13における所望の角度位置範囲についてのみ欠陥の有無を検査することができる。   The inspection apparatus according to the preferred embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the above embodiment, and can be applied to various forms. For example, in the above-described embodiment, the apex portion 13 is imaged over the entire circumference of the wafer 10, but the present invention is not limited to this, and a desired angular position range in the apex portion 13 is controlled by the operation control of the control unit 50. Only the image may be taken. Thereby, the presence or absence of a defect can be inspected only for a desired angular position range in the apex portion 13.

また、上述の実施形態において、撮像部30がウェハ10のアペックス部13を撮像しているが、これに限られるものではなく、例えば、図2における一点鎖線で示すように、ウェハ10の上ベベル部11を撮像するようにしてもよく、図2における二点鎖線で示すように、ウェハ10の下ベベル部12を撮像するようにしてもよい。このように、ウェハ10のアペックス部13に限らず、上ベベル部11や下ベベル部12における欠陥の有無を検査することが可能である。さらには、ウェハ10の外周端部または外周端部近傍に限らず、例えば、ガラス基板等を検査することも可能であり、特に表面の形態が略一様な被観察物に対して、本実施形態を適用すると有効である。   In the above-described embodiment, the imaging unit 30 images the apex portion 13 of the wafer 10, but is not limited to this. For example, as shown by a one-dot chain line in FIG. 2, the upper bevel of the wafer 10. The portion 11 may be imaged, and the lower bevel portion 12 of the wafer 10 may be imaged as indicated by a two-dot chain line in FIG. In this way, it is possible to inspect for defects in the upper bevel portion 11 and the lower bevel portion 12 as well as the apex portion 13 of the wafer 10. Furthermore, it is possible to inspect not only the outer peripheral end portion of the wafer 10 or the vicinity of the outer peripheral end portion, but, for example, a glass substrate. It is effective to apply the form.

なお、表面の荒れ間などによる差分出力のオフセットの変動だけでなく、表面の色合いが緩やかに変化した場合も、画像差分信号として検出されてオフセットすなわちバックグラウンド信号となり、欠陥検出を不正確による要因となるが、上記欠陥検出手法によれば、このオフセット成分をキャンセルすることができ、傷等の欠陥検出精度を上げることが可能となる。   It should be noted that not only the fluctuation of the offset of the differential output due to the roughness of the surface, but also when the color of the surface changes gently, it is detected as an image difference signal and becomes an offset, that is, a background signal, causing defects due to inaccuracy However, according to the above-described defect detection method, this offset component can be canceled, and the defect detection accuracy such as scratches can be increased.

また、上述の実施形態において、イメージセンサとしてCCDやCMOS等といった増幅型固体撮像素子を用いることができるが、イメージセンサは、二次元センサでもよく、一次元センサでもよい。   In the above-described embodiment, an amplification type solid-state imaging device such as a CCD or a CMOS can be used as the image sensor. However, the image sensor may be a two-dimensional sensor or a one-dimensional sensor.

本発明に係る表面検査装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the surface inspection apparatus which concerns on this invention. ウェハの外周端部近傍を示す側面図である。It is a side view which shows the outer periphery edge part vicinity of a wafer. 上記表面検査装置による検査処理内容を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the content of the inspection process by the said surface inspection apparatus. ウエハのアペックス部全周に亘るインデックス位置毎の検出信号値を示す棒グラフである。It is a bar graph which shows the detection signal value for every index position over the perimeter of the apex part of a wafer. 図4に示す棒グラフにおける所定インデックス位置での分割画像例を、上記棒グラフに対応して示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the example of the division | segmentation image in the predetermined index position in the bar graph shown in FIG. 4 corresponding to the said bar graph. 図4の信号値の移動平均値を示す棒グラフである。It is a bar graph which shows the moving average value of the signal value of FIG. 図4の検出値から図6の移動平均値を減算した結果を示す棒グラフである。It is a bar graph which shows the result of subtracting the moving average value of FIG. 6 from the detected value of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 検査装置
10 ウェハ(被検物) 13 アペックス部
20 ウェハ支持部(回転保持部) 30 撮像部
40 画像処理部 50 制御部
60 インターフェース部 70 検査処理部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Inspection apparatus 10 Wafer (test object) 13 Apex part 20 Wafer support part (rotation holding part) 30 Imaging part 40 Image processing part 50 Control part 60 Interface part 70 Inspection processing part

Claims (5)

被検物の表面を撮像可能な撮像装置を前記被検物に対して相対移動させながら前記被検物の表面を撮像するステップと、
前記被検物の表面の撮像画像から、前記被検物の表面を前記相対移動方向に沿って複数に分割して得られた複数の領域毎において所定の検査項目に対応する検査信号値を抽出するステップと、
前記相対移動方向における前記検査信号値の移動平均値を前記複数の領域毎について算出するステップと、
前記複数の領域毎について前記検査信号値から前記移動平均値を減じて補正検査信号値を求めるステップと、
前記補正検査信号値に基づいて前記所定の検査項目についての検査を行うステップ
とからなることを特徴とする表面検査方法。
Imaging the surface of the test object while relatively moving an imaging device capable of imaging the surface of the test object with respect to the test object; and
Extracted from the captured image of the surface of the test object is an inspection signal value corresponding to a predetermined inspection item for each of a plurality of regions obtained by dividing the surface of the test object into a plurality of parts along the relative movement direction. And steps to
Calculating a moving average value of the inspection signal values in the relative movement direction for each of the plurality of regions;
Subtracting the moving average value from the inspection signal value for each of the plurality of areas to obtain a corrected inspection signal value;
A surface inspection method comprising: inspecting the predetermined inspection item based on the corrected inspection signal value.
前記移動平均値の算出が、前記複数の領域のそれぞれにおいて対応領域を含む前後の所定数の領域における前記検査信号値の平均値を前記対応領域の移動平均値として算出することを特徴とする請求項1に記載の表面検査方法。   The moving average value is calculated by calculating an average value of the inspection signal values in a predetermined number of regions before and after the corresponding region in each of the plurality of regions as a moving average value of the corresponding region. Item 6. The surface inspection method according to Item 1. 前記被検物が円盤状の半導体ウエハであり、前記半導体ウエハを回転させながらその外周端部を前記撮像装置により撮像することを特徴とする請求項1に記載の表面検査方法。   The surface inspection method according to claim 1, wherein the test object is a disk-shaped semiconductor wafer, and the outer peripheral end of the semiconductor wafer is imaged by the imaging device while rotating the semiconductor wafer. 被検物を保持する保持装置と、
前記保持装置により保持された前記被検物の表面を撮像可能な撮像装置と、
前記保持装置に保持された前記被検物を前記撮像装置に対して相対移動させる相対移動装置と、
前記撮像装置による撮像制御および前記相対移動装置による前記被検物の相対移動制御とを行う制御装置と、
前記撮像装置により撮像された前記被検物の表面の撮像画像から表面欠陥の検査を行う検査処理装置とを備え、
前記制御装置は、前記相対移動装置により前記被検物を前記撮像装置に対して相対移動させながら前記撮像装置により前記被検物の表面を複数の分割領域に分割して撮像させ、
前記検査処理装置は、前記撮像装置により撮像された複数の分割領域毎の画像において所定の検査項目に対応する検査信号値を抽出し、前記検査信号値の移動平均値を前記複数の分割領域毎について算出し、前記複数の領域毎について前記検査信号値から前記移動平均値を減じて補正検査信号値を求め、前記補正検査信号値に基づいて前記所定の検査項目についての検査を行うように構成されたことを特徴とする表面検査装置。
A holding device for holding the test object;
An imaging device capable of imaging the surface of the test object held by the holding device;
A relative movement device for moving the test object held by the holding device relative to the imaging device;
A control device that performs imaging control by the imaging device and relative movement control of the test object by the relative movement device;
An inspection processing device that inspects a surface defect from a captured image of the surface of the object imaged by the imaging device;
The control device causes the imaging device to divide the surface of the test object into a plurality of divided areas while causing the relative movement device to move the test object relative to the imaging device,
The inspection processing device extracts an inspection signal value corresponding to a predetermined inspection item in an image for each of a plurality of divided regions imaged by the imaging device, and calculates a moving average value of the inspection signal value for each of the plurality of divided regions. The corrected inspection signal value is obtained by subtracting the moving average value from the inspection signal value for each of the plurality of areas, and the inspection for the predetermined inspection item is performed based on the corrected inspection signal value. Surface inspection apparatus characterized by being made.
前記被検物が円盤状の半導体ウエハであり、前記相対移動装置は前記保持装置により保持された半導体ウエハを回転させて前記撮像装置に対して相対移動させるように構成されたことを特徴とする請求項4に記載の表面検査装置。   The test object is a disk-shaped semiconductor wafer, and the relative movement device is configured to rotate the semiconductor wafer held by the holding device to move relative to the imaging device. The surface inspection apparatus according to claim 4.
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