KR100833904B1 - A method of detecting defection on the wafer and The device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼상의 스캔영역을 라인스캐닝하여 이로부터 이미지를 얻는 단계; 및 상기 얻어진 이미지를 판독하여 에지영역에 결함이 존재하는지 여부를 판단하는 단계를 포함하는 웨이퍼의 결함 탐지방법 및 장치를 제공한다. 상기 구성에 의한 본 발명은 웨이퍼 에지영역에 존재하는 가공 상태와 각종 결함에 대한 탐지를 완벽하게 수행하는 것이 가능하다.The present invention includes the steps of line scanning a scan area on a wafer to obtain an image therefrom; And determining whether a defect exists in an edge region by reading the obtained image. According to the present invention by the above configuration, it is possible to perfectly detect the processing state and various defects existing in the wafer edge region.

웨이퍼, 라인스캔, 결함탐지 Wafer, Line Scan, Defect Detection

Description

웨이퍼의 결함 탐지방법 및 장치{A method of detecting defection on the wafer and The device}A method of detecting defection on the wafer and the device

도 1은 종래 일반적인 기술에 의해 제조된 웨이퍼 단부측 단면도의 일예를 나타낸 것이다.1 illustrates an example of a cross-sectional view of a wafer end side manufactured by a conventional general technique.

도2는 종래 일반적인 웨이퍼 검사과정을 설명하기 위한 그림이다.2 is a diagram illustrating a conventional general wafer inspection process.

도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 에지영역의 검사과정을 설명하기 위한 그림이다.3 is a view for explaining the inspection process of the wafer edge region according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼의 결함 탐지장치의 블록 구성도이다.4 is a block diagram of a defect detection apparatus of a wafer according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼의 결함 탐지장치의 일 실시예에 따른 장치구성도이다.5 is a block diagram of an apparatus for detecting a defect in a wafer according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼 결함탐지 방법의 일 실시예를 나타낸 절차 흐름도이다.6 is a flowchart illustrating an embodiment of a wafer defect detection method according to the present invention.

도 7은 본 발명에 따른 라인스캐닝에 의해 취득한 이미지를 도식화한 것이다.7 is a schematic diagram of an image acquired by line scanning according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호 설명><Description of Signs of Major Parts of Drawings>

10: 촬영부 11: 동축조명10: filming section 11: coaxial lighting

12: 라인스캔 카메라 13: 렌즈12: Line Scan Camera 13: Lens

14: 백라이트 15: 웨이퍼14: backlight 15: wafer

16: 검사스테이지 17: 회전부재16: inspection stage 17: rotating member

18: 웨이퍼 회전부 19: 회전부재 동작제어부18: wafer rotating unit 19: rotating member operation control unit

20: 이미지 프로세서 21: 영상처리보드(Grabber Board)20: Image Processor 21: Image Processing Board (Grabber Board)

본 발명은 웨이퍼의 결함 탐지방법 및 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼의 에지부를 라인스캐닝에 의해 연속하여 촬상함으로써 에지부에 존재하는 가공 상태와 각종 결함에 대한 탐지를 완벽하게 수행하는 것이 가능한 웨이퍼의 결함 탐지방법 및 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a defect detection method and apparatus of a wafer, and more particularly, by continuously scanning the edge portion of the wafer by line scanning, it is possible to perfectly detect the processing state and various defects present in the edge portion. It relates to a defect detection method and apparatus for a wafer.

도 1은 종래 일반적인 기술에 의해 제조된 웨이퍼의 단면도를 나타내며, 웨이퍼는 일반적으로 패턴부위, 패턴경사면 및 에지영역(edge area)을 가지고 있다. 1 shows a cross-sectional view of a wafer manufactured by a conventional general technique, wherein the wafer generally has a pattern portion, a pattern sloped surface and an edge area.

웨이퍼의 제조공정은 회로성형에 필요한 포토(Photo), 식각(Etcher), 확산(Diffusion), 박막(Thin Film) 공정으로 대변되는 일련의 공정을 실행한다. 반도체 제조공정은 위와 같은 공정에서도 세부적으로 여러 단계의 제조 공정을 반복하 며 이때 웨이퍼에는 일정 두께의 적층된 막이 생성되고 이 막을 제거하고 적층하는 공정을 반복하여 필요한 회로 패턴을 성형한다. 이때 웨이퍼는 공정 중 불필요한 부위에 형성된 막에 의해 많은 공정 불량이 발생하며 이러한 막을 정밀하게 제거하는 별도의 공정장비를 이용하여 불필요한 부위를 제거하여 유효한 영역을 유지함으로써 최적화된 웨이퍼를 가공 생산한다.The wafer manufacturing process performs a series of processes represented by photo, etching, diffusion, and thin film processes required for circuit forming. In the semiconductor manufacturing process, the manufacturing process of the above steps is repeated in detail, and a stacked film having a predetermined thickness is formed on the wafer, and the necessary circuit pattern is formed by repeating the process of removing and stacking the film. At this time, a lot of process defects are generated by the film formed on the unnecessary part of the process, and by using a separate process equipment for precisely removing the film, the wafer is processed and produced by removing the unnecessary part and maintaining the effective area.

하지만, 불필요한 막을 제거하는 장비를 이용한 에지영역의 에칭(etching) 작업을 수행하더라도 이와 같은 불필요한 막은 완전하게 제거되지 않은 채 다른 공정으로 이행하는 경우가 발생하고, 이는 에지영역 영역에서의 두께를 점차 증가시킴으로써 원하는 공정으로의 진행을 방해하는 결과를 초래한다.However, even when etching the edge region using the equipment for removing the unnecessary film, such an unnecessary film may be transferred to another process without being completely removed, which gradually increases the thickness in the edge region. This results in an impediment to progress to the desired process.

에지영역의 상태를 측정하기 위하여 현재까지 알려진 기술은 에지영역의 일정 영역만을 확대하여 육안 검사를 수행하고 있다. In order to measure the state of the edge region, a technique known to date has been performed by visual inspection by enlarging only a certain region of the edge region.

도 2는 종래 일반적인 에지영역의 육안검사방법을 보여주고 있으며, 이러한 방법은 웨이퍼 에지부를 이루는 원주 전체에 대한 탐지를 수행할 수 없으며 육안검사 이외의 영역에 결함이 존재하는 경우 이를 탐지할 수 없어 불량 웨이퍼를 양산하게 되는 원인을 제공할 수 있다. Figure 2 shows a conventional visual inspection method of the general edge region, this method can not detect the entire circumference constituting the wafer edge portion, and if there is a defect in the area other than the visual inspection, it can not be detected The reason for the mass production of the wafer can be provided.

본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 검사기술이 가지는 문제를 해결하기 위해 제안된 것으로서, 그 목적은 웨이퍼의 전체 부위 중 에지 영역을 포함한 스캔영역을 라인스캐닝에 의해 연속하여 촬상함으로써 에지영역에 존재할 수 있는 각종 공정 불량 결함에 대한 탐지를 완벽하게 수행하는 것이 가능한 웨이퍼의 결함 탐지방법을 제공하는 것에 있다.The present invention has been proposed to solve the problems of the conventional inspection technique as described above, and an object thereof is to exist in the edge region by continuously imaging the scan region including the edge region of the entire portion of the wafer by line scanning. It is an object of the present invention to provide a defect detection method of a wafer capable of perfectly detecting a variety of defective process defects.

또한 본 발명의 다른 목적은 웨이퍼 에지영역에 존재할 수 있는 각종 결함에 대한 탐지를 완벽하게 수행하는 것이 가능한 웨이퍼의 결함 탐지장치를 제공하는 것에 있다.In addition, another object of the present invention is to provide a defect detection apparatus of a wafer capable of perfectly detecting the various defects that may exist in the wafer edge region.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 웨이퍼상의 스캔영역을 라인스캐닝하여 이로부터 이미지를 얻는 단계 및 상기 얻어진 이미지를 판독하여 에지영역내에 결함이 존재하는지 여부를 판단하는 단계를 포함하는 웨이퍼의 결함 탐지방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method for detecting defects in a wafer, comprising: scanning an area on a wafer to obtain an image therefrom, and reading the obtained image to determine whether a defect exists in an edge area. Provide a method.

본 발명에 의하면 바람직하게는 상기 이미지의 판독과정은 당해 얻어진 이미지로부터 적어도 도 1에 도시된 바와 같은 에지영역의 정보를 추출하고, 추출된 에지영역의 폭을 측정하여 기준이 되는 폭과 비교판단함으로써 수행되어지는 것이 바람직하다.According to the present invention, preferably, the reading of the image is performed by extracting at least the edge region information as shown in FIG. 1 from the obtained image, and measuring the width of the extracted edge region to compare with the reference width. It is preferred to be carried out.

본 발명에 의하면 바람직하게는 라인스캐닝은 적어도 1회전 이상의 원주에 대하여 웨이퍼를 회전시켜 수행되는 것이 바람직하다.According to the present invention, preferably, line scanning is preferably performed by rotating the wafer about a circumference of at least one rotation or more.

본 발명에 의하면 라인스캐닝은 웨이퍼의 양면에 대하여 수행되는 것이 바람직하다.According to the present invention, line scanning is preferably performed on both sides of the wafer.

또한, 본 발명은 웨이퍼 표면에 광을 조사하기 위한 광원; 스캔영역을 가지 며, 웨이퍼가 놓여지는 스테이지; 상기 웨이퍼를 상기 스테이지상에 회전시키는 회전부재; 상기 스테이지의 상기 스캔영역에 광을 조사하여 상기 웨이퍼를 라인단위로 촬상하는 촬영부; 상기 촬영부로부터 입력되는 영상정보를 이용하여 웨이퍼의 결함유무를 검사하는 영상처리부; 및 영상처리된 결과를 표시해주는 디스플레이부를 포함하는 웨이퍼의 결함 탐지장치를 포함한다.The present invention also provides a light source for irradiating light onto a wafer surface; A stage having a scan area and on which a wafer is placed; A rotating member rotating the wafer on the stage; A photographing unit which irradiates light to the scan area of the stage to capture the wafer in line units; An image processing unit which inspects a wafer for defects using the image information input from the photographing unit; And a defect detection apparatus of a wafer including a display unit for displaying an image processed result.

본 발명에 의하면 상기 촬영부는 웨이퍼의 해당 촬영부위의 상부 및 하부에 각각 구비되어지는 웨이퍼의 결함 탐지장치가 바람직하다.According to the present invention, the defect detection device of the wafer is preferably provided in the upper and lower portions of the imaging portion of the wafer, respectively.

이하, 본 발명의 내용을 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the content of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼의 결함 탐지과정에 대한 이해를 돕기 위해 제시된 것으로서, 본 발명에서는 웨이퍼 상의 체크구간의 촬상을 위하여 전체 원주에 대하여 라인스캐닝을 수행하는 것에 종래 육안 검사 기술과는 차별화 되어지는 기술적인 특징이 있다.Figure 3 is presented to help understand the defect detection process of the wafer according to the present invention, the present invention is differentiated from the conventional visual inspection technology in performing line scanning for the entire circumference for the imaging of the check interval on the wafer There are losing technical features.

도 2에 도시된 바와 같은 종래 육안 검사방식에 의하면, 검사자의 주관에 의해 결과를 정량화 할 수 없으며 수동 검사에 따라 1웨이퍼당 검사시간도 일정하지 않아 자동화 생산시스템에 부적합하며, 체크구간에 대하여 국부적으로만 수행될 수 있는 구성임에 대하여, 상기 도 3에 도시된 바와 같은 본 발명의 라인스캔 (line scan) 방식에 의하면, 1웨이퍼당 2초 이하에 신속하게 360도 전체에 대하여 체크구간 전체를 정량화된 정밀도로 수행하는 것이 가능하다.According to the conventional visual inspection method as shown in FIG. 2, the results cannot be quantified by the inspector's supervision, and the inspection time per wafer is not constant according to the manual inspection, which is not suitable for an automated production system, and is local to the check section. According to the line scan method of the present invention as shown in FIG. 3, the entire check section can be quickly performed for the entire 360 degrees within 2 seconds per wafer. It is possible to perform with quantified precision.

도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼의 결함탐지장치의 블록 구성도로서, 본 발명은 조명부 (1), 촬영부 (2), 진공스테이지 (3), 회전부재 (4), 영상처리부 (5) 및 디스플레이부 (6)을 최소의 구성단위로 포함한다.4 is a block diagram of a defect detection apparatus for a wafer according to the present invention. The present invention provides an illumination unit 1, an imaging unit 2, a vacuum stage 3, a rotating member 4, an image processing unit 5 and The display unit 6 is included in the minimum structural unit.

조명부 (1)는 웨이퍼 표면에 광을 조사하기 위한 것으로 기존 스캐닝 작업에 사용되고 있는 어떠한 광원 (백라이트 조명도 여기에 포함될 수 있다)도 포함되어지며, 이러한 광원은 웨이퍼의 서로 다른 위치를 비추기 위해 2개소 이상에 구비되어질 수도 있다. The illumination unit 1 is for irradiating light onto the wafer surface and includes any light source (backlight illumination may be included here) that is used in the existing scanning operation, and these light sources are provided in two places to illuminate different positions of the wafer. It may be provided above.

진공스테이지 (3)은 도 1의 적어도 경계면의 일부와 에지영역을 포함하는 스캔영역을 가지며, 측정하고자 하는 웨이퍼를 진공상태로 흡착하여 고정한다. The vacuum stage 3 has a scan area including at least a part of an interface and an edge area of Fig. 1, and the wafer to be measured is sucked and fixed in a vacuum state.

회전부재 (4)는 상기 웨이퍼를 상기 진공 스테이지상에 함께 회전시키기 위해 구비된다. 회전부재 (4)는 컴퓨터 등에 의해 제공되는 제어신호에 따라 동작되며, 경우에 따라서 모터, 이를 구동하기 위한 동작 제어기(controller) 등으로 구성되어질 수 있다.Rotating member 4 is provided for rotating the wafer together on the vacuum stage. The rotating member 4 is operated according to a control signal provided by a computer or the like, and may be constituted by a motor, an operation controller for driving the same, and the like in some cases.

촬영부 (2)는 상기 진공스테이지 (3)의 상기 스캔영역에 광을 조사하여 상기 웨이퍼를 라인단위로 촬상한다. 이러한 촬영부 (2)는 조명부와 마찬가지로 웨이퍼의 서로 다른 위치, 예를 들어, 상면 및 하면 등에서 소정 이미지를 캡쳐하기 위하여 2개소 이상에 구비되어질 수도 있다. 촬영부 (2)는 통상적으로 알려져 있는 라인스캔카메라, 렌즈 등을 포함한다.The photographing unit 2 irradiates light to the scan area of the vacuum stage 3 to image the wafer line by line. Like the lighting unit, the photographing unit 2 may be provided at two or more places to capture a predetermined image at different positions of the wafer, for example, an upper surface and a lower surface. The photographing unit 2 includes a line scan camera, a lens, and the like which are commonly known.

영상처리부 (5)는 상기 촬영부 (2)로부터 입력되는 캡쳐된 이미지를 이용하여 웨이퍼의 결함유무를 검사한다. 영상처리부 (5)는 촬영부 (2)에 의해 캡쳐된 이 미지가 아날로그 신호인 경우 이를 디지털 신호로 변환하는 수단을 포함할 수 있으며, 캡쳐된 이미지로부터 측정하고자 하는 영역을 추출해내는 과정을 수행하는 소정의 소프트웨어적 내지는 하드웨어적 수단을 포함한다.The image processor 5 inspects the wafer for defects using the captured image input from the photographing unit 2. The image processor 5 may include means for converting an image captured by the photographing unit 2 into an analog signal, and extracting an area to be measured from the captured image. It includes any software or hardware means.

디스플레이부 (6)은 상기 영상처리된 결과를 사용자에게 표시해주기 위하여 구비된다. 이는 통상적인 컴퓨터 등의 모니터 등이 여기에 포함된다.The display unit 6 is provided to display the result of the image processing to the user. This includes monitors such as conventional computers and the like.

도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼의 결함 탐지방법을 수행하기 위한 장치의 일 실시예로서 전체 구성도를 나타낸다.Figure 5 shows an overall configuration as an embodiment of an apparatus for performing a defect detection method of a wafer according to the present invention.

본 발명에 따른 웨이퍼 결함 탐지장치는 동축조명 (11), 라인스캔카메라 (12) 및 렌즈 (13)을 포함하고, 탐지대상인 웨이퍼를 라인단위로 촬상하는 촬영부 (10), 탐지대상인 웨이퍼 (15), 웨이퍼를 안착시키기 위한 스테이지 (16) 및 스테이지를 회전시키는 모터 (17), 제어신호에 따라 상기 모터를 제어하는 동작제어부 (19), 라인스캔 카메라 (12)에서 촬상한 이미지를 아날로그 신호로부터 디지털 신호로 전환하는 영상처리보드(Grabber Board) (21), 상기 전환된 이미지 디지털 신호를 처리하여 이로부터 웨이퍼 체크구간의 결함을 탐지하는 이미지 프로세서 (20) 를 포함한다.The wafer defect detection apparatus according to the present invention includes a coaxial illumination 11, a line scan camera 12, and a lens 13, a photographing unit 10 for photographing a wafer to be detected line by line, and a wafer 15 to be detected. ), The stage 16 for seating the wafer, the motor 17 for rotating the stage, the operation control unit 19 for controlling the motor in accordance with a control signal, and the image taken by the line scan camera 12 from the analog signal. An image processing board (Grabber Board) 21 for converting into a digital signal, and an image processor 20 for processing the converted image digital signal to detect defects in the wafer check section therefrom.

라인스캔 카메라 (12)는 동축조명 (11)과 백라이트 (14)에 의해 웨이퍼 (15) 상면의 소정 구간을 연속적으로 촬상한다. 촬상된 이미지는 도 1의 적어도 경계면의 일부와 에지영역을 포함하며, 이는 스테이지 (16)상의 스캔영역으로 정의된다. 스테이지 (16)은 웨이퍼의 흡착을 위해 진공 스테이지로 구성하는 것이 바람직하다.The line scan camera 12 continuously captures a predetermined section of the upper surface of the wafer 15 by the coaxial illumination 11 and the backlight 14. The image picked up includes at least a portion of the boundary surface and edge area of FIG. 1, which is defined as the scan area on stage 16. The stage 16 is preferably configured as a vacuum stage for adsorption of the wafer.

스테이지 (16)는 모터 (17)를 매개하여 시계 또는 반시계 방향으로 회전되며, 이들은 웨이퍼 회전부 (18)를 구성한다. 모터 (17)는 동작제어부 (19)에 의해 구동되어 일방향으로 정해진 속도로 회전되어진다.The stage 16 is rotated clockwise or counterclockwise via the motor 17, which constitutes the wafer rotation 18. The motor 17 is driven by the operation control unit 19 to be rotated at a predetermined speed in one direction.

라인스캔 카메라 (12)로부터 촬상된 이미지는 영상처리보드(Grabber Board) (21)로 전송되어 디지털 신호로 변환된다. 영상처리보드(Grabber Board)(21)는 현재 시판되거나, 일부 특정 용도를 위해 사용자에 의해 수정된 형태의 영상처리보드 (grabber board) 타입 중 어떠한 제품도 사용되어질 수 있다. 영상처리보드 (21)는 변환된 이미지 디지털 신호를 PCI 버스 등을 매개하여 이미지 프로세서 (20)로 전송한다.The image picked up from the line scan camera 12 is transmitted to an image processing board 21 and converted into a digital signal. Image processing board (Grabber Board) 21 is currently available, or any product of the type (grabber board) of the type modified by the user for some specific applications can be used. The image processing board 21 transmits the converted image digital signal to the image processor 20 through a PCI bus or the like.

이미지 프로세서 (20)는 웨이퍼 결함여부를 탐지하여 영상 데이타를 처리하여 결과값을 산출하고, 사용자가 보기 편리한 그래픽 유저 인터페이스를 통해 상기 탐지 결과를 화면으로 디스플레이 시킨다.The image processor 20 detects wafer defects, processes image data, calculates a result value, and displays the detection result on a screen through a graphical user interface that is easy for the user to see.

본 발명에 따른 웨이퍼의 결함탐지장치는 바람직하게는 웨이퍼 하면에 상면에서와 동일한 촬영부를 더 구비한다.The defect detection apparatus of the wafer according to the present invention preferably further includes a photographing portion on the lower surface of the wafer as in the upper surface.

이하, 상기 본 발명에 따른 웨이퍼 결함탐지장치를 이용한 웨이퍼의 결함 탐지과정에 대하여 도 6을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, a defect detection process of a wafer using the wafer defect detection apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to FIG. 6.

도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼 결함탐지 방법의 일 실시예를 나타낸 절차 흐름도로서, 여기에서는 측정된 결과값을 디스플레이 하는 과정까지 설명하기로 한다. 6 is a flowchart illustrating an embodiment of a wafer defect detection method according to the present invention, which will be described herein until the process of displaying the measured result value.

웨이퍼가 스테이지 상에 인입되어지면, 먼저 당해 측정하고자 하는 웨이퍼를 진공 스테이지 상에 안착시킨 후 검사를 위해 중앙에 정렬시킨다. (S601). 이러한 과정은 스테이지상의 스캔영역에 측정하고자 하는 부위가 정확하게 위치할 수 있는 중앙 정렬장치를 통하여 수행되어질 수 있다.Once the wafer is drawn on the stage, the wafer to be measured is first placed on the vacuum stage and then centered for inspection. (S601). This process may be performed through a central alignment device in which the portion to be measured is accurately positioned in the scan area on the stage.

정위치에 안착된 웨이퍼는 모터의 회전에 의해 스테이지와 함께 정속으로 회전된다 (S602). The wafer seated in position is rotated at a constant speed with the stage by the rotation of the motor (S602).

회전과 동시에 스테이지의 스캔영역 상에 고정된 라인스캔 카메라는 스캔영역에 대하여 연속적인 이미지 캡쳐 과정을 수행한다 (S603). 이미지 캡쳐과정은 바람직하게는 스테이지의 1회전하는 시간동안 수행되어지며, 웨이퍼의 상면 및 하면에 대하여 동시에 수행되어지는 것이 바람직하다. 라인스캔 카메라의 이미지 캡쳐 개시시점은 스테이지의 회전시점 이전 또는 동시에 수행되어지며, 촬상 중지시점은 적어도 스테이지의 1회전 종료시점 또는 이후가 되도록 동작 타이밍을 제어하는 것이 좋다.At the same time as the rotation, the line scan camera fixed on the scan area of the stage performs a continuous image capture process on the scan area (S603). The image capture process is preferably performed for one rotation time of the stage, and is preferably performed simultaneously on the upper and lower surfaces of the wafer. The image capture start point of the line scan camera is performed before or at the same time as the rotation point of the stage, and it is preferable to control the operation timing such that the image capture stop point is at least one end point or later of the stage.

상기 단계 603을 통해 촬상된 연속적인 이미지는 디지털신호로 변환되어진 후 이미지 프로세싱되어진다 (S604). 이미지 프로세서는 이미지 디지털신호를 입력신호로 하여 이로부터 에지영역을 추출해 내는 과정을 포함한다. 즉, 스테이지의 1회전 동안에 얻어진 웨이퍼의 소정 구간에 대한 이미지의 패턴을 분석하여 측정하고자 하는 에지영역을 추출해 내는 과정을 포함한다. The continuous image picked up through the step 603 is converted into a digital signal and then image processed (S604). The image processor includes a process of extracting an edge region from the image digital signal as an input signal. That is, the method includes extracting an edge region to be measured by analyzing a pattern of an image of a predetermined section of the wafer obtained during one rotation of the stage.

도 7은 라인스캐닝에 의해 캡쳐된 이미지를 도식화 한 것이다 (하단). 상기 이미지에 의하면 에지영역, 그 뒤를 이어 패턴경사면과 패턴영역 까지를 일부 포함한 스캔영역을 보여준다. 이미지 프로세스는 이와 같이 입력된 이미지 디지털 데이 터로부터 에지영역을 추출하는 과정을 포함한다.7 is a schematic of the image captured by line scanning (bottom). According to the image, a scan area including an edge area followed by a pattern sloped surface and a part of the pattern area is shown. The image process includes extracting edge regions from the input image digital data.

단계 604에서 처리된 정보로부터 에지영역의 길이(d)을 측정하다 (S605). 에지영역의 길이가 이미 결정된 기준값과 비교하여 그 크기로서 정상 및 불량 여부를 판단한다 (S606). 정상여부의 판단은 예를 들어, 에지영역(d)의 기준값이 0.5mm로 설정된 경우 이 값에 미치지 못하는 부위에 결함이 있는 것으로 판단할 수 있다. 이러한 결함은 웨이퍼상의 에지영역 중 특정 지점에서의 공정작업의 불완전, 웨이퍼상의 크랙, 스크래치 발생 내지는 이물질에 의한 오염 등에 기인된 것 등을 들 수 있다.The length d of the edge area is measured from the information processed in step 604 (S605). The length of the edge region is compared with a predetermined reference value to determine whether it is normal or defective as the size (S606). For example, if the reference value of the edge region d is set to 0.5 mm, it may be determined that there is a defect in a portion that falls short of this value. Such defects may be due to incomplete processing at a specific point in the edge region on the wafer, cracks on the wafer, scratches or contamination by foreign matters.

단계 607 내지 608에서는 단계 606에서 웨이퍼의 정상여부를 체크하여 불량인 경우와 정상인 경우로 판정하여 정상 웨이퍼만을 선별하고, 얻어진 결과를 화면에 디스플레이시킨 후 (S609) 이때의 결과값은 모두 데이터베이스 관리한다.In steps 607 to 608, in step 606, the normal state of the wafer is checked to determine whether it is defective or normal, and only the normal wafer is selected, and the obtained result is displayed on the screen (S609). .

이상 본 발명에 따른 라인스캐닝을 위한 웨이퍼 탐지방법 및 장치의 구성 및 작용을 상세한 설명 및 도면에 따라 기술하였지만, 이들은 실례를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 일탈하지 않는 범위내에서 다양한 변화 및 변경이 가능한 것은 물론이다.Although the configuration and operation of the wafer detection method and apparatus for line scanning according to the present invention have been described according to the detailed description and drawings, these are merely described by way of example, and various modifications may be made without departing from the spirit of the present invention. Of course, change and change are possible.

이상 설명한 바와 같이 본 발명은 웨이퍼의 에지영역을 라인스캐닝에 의해 연속하여 촬상함으로써 에지영역에 존재할 수 있는 공정 불량 및 각종 결함에 대한 탐지를 완벽하게 수행하는 것이 가능하다.As described above, according to the present invention, the edge region of the wafer is continuously imaged by line scanning, thereby making it possible to perfectly detect a process defect and various defects that may exist in the edge region.

Claims (6)

웨이퍼 양면의 스캔영역을 라인스캐닝하여 이로부터 이미지를 얻는 단계; 및 상기 얻어진 이미지를 판독하여 에지영역내에 결함이 존재하는지 여부를 판단하는 단계를 포함하는 웨이퍼의 결함 탐지방법.Line scanning the scan regions on both sides of the wafer to obtain an image therefrom; And determining whether a defect exists in an edge region by reading the obtained image. 제 1항에 있어서, 상기 이미지의 판독과정은 당해 얻어진 이미지로부터 에지영역의 패턴을 추출하고, 추출된 에지영역의 폭을 측정하여 기준값과 비교판단함으로써 수행되어지는 웨이퍼의 결함 탐지방법.The method of claim 1, wherein the reading of the image is performed by extracting an edge region pattern from the obtained image, measuring a width of the extracted edge region, and comparing the extracted edge region with a reference value. 제 1항에 있어서, 라인스캐닝은 적어도 1회전 이상의 원주에 대하여 웨이퍼를 회전시켜 수행되는 웨이퍼의 결함 탐지방법.The method of claim 1, wherein line scanning is performed by rotating the wafer about a circumference of at least one revolution. 삭제delete 웨이퍼 표면에 광을 조사하기 위한 광원; 스캔영역을 가지며, 웨이퍼가 놓여지는 스테이지; 상기 웨이퍼를 상기 스테이지상에 회전시키는 회전부재; 웨이퍼의 상부 및 하부에 각각 구비되며, 스캔영역에 광을 조사하여 상기 웨이퍼를 라인단위로 촬상하는 촬영부; 상기 촬영부로부터 입력되는 영상정보를 이용하여 웨이퍼의 결함유무를 검사하는 영상처리부; 및 영상처리된 결과를 표시해주는 디스플레이부를 포함하는 웨이퍼의 결함 탐지장치.A light source for irradiating light onto the wafer surface; A stage having a scan area, on which the wafer is placed; A rotating member rotating the wafer on the stage; A photographing unit provided at upper and lower portions of the wafer, respectively, for photographing the wafer by line by irradiating light to a scan area; An image processing unit which inspects a wafer for defects using the image information input from the photographing unit; And a display unit displaying an image processed result. 삭제delete
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