KR100491822B1 - liquid crystal display device and manufacturing method the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제 1 절연기판과; 상기 제 1 절연기판 상에 종횡 배열되어 화소를 정의하는 게이트라인 및 데이터라인과; 상기 게이트라인 및 데이터라인에 연결되도록 각 화소에 형성되는 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터 상부로 위치하고, 상기 박막트랜지스터의 드레인전극 일부를 노출시키는 제 1 홀이 관통된 유기전기발광층과; 상기 유기전기발광층 상부로 위치하고, 상기 제 1 홀을 통해 상기 박막트랜지스터 드레인전극과 연결되며, 상기 각 화소에 대응되는 화소전극을 포함하는 제 1 기판을 포함하는 액정표시장치 및 이의 제조방법을 제공한다.The present invention is a first insulating substrate; Gate lines and data lines arranged vertically and horizontally on the first insulating substrate to define pixels; A thin film transistor formed in each pixel to be connected to the gate line and the data line; An organic electroluminescent layer disposed on the thin film transistor and having a first hole penetrating therein to expose a portion of the drain electrode of the thin film transistor; A liquid crystal display comprising a first substrate positioned above the organic light emitting layer, connected to the thin film transistor drain electrode through the first hole, and including a pixel electrode corresponding to each pixel, and a method of manufacturing the same. .

Description

액정표시장치용 기판과 액정표시장치 및 이의 제조방법{liquid crystal display device and manufacturing method the same}Liquid crystal display device and liquid crystal display device and manufacturing method thereof

본 발명은 액정표시장치(Liquid Crystal Display device)에 관한 것으로, 좀더 자세하게는 유기전기발광(electro electroluminescence) 현상을 이용한 광원(light source)이 실장된 액정표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device having a light source mounted thereon using an electro electroluminescence phenomenon and a method of manufacturing the same.

일반적으로 액정표시장치는 사용자에게 보여지는 화상을 디스플레이 하기 위해 빛의 투과율을 조절하는 액정패널(liquid crystal display panel)과, 이 액정패널로 빛을 공급하는 백라이트 유닛(back light unit)을 포함한다.BACKGROUND ART In general, a liquid crystal display includes a liquid crystal panel for adjusting light transmittance for displaying an image displayed to a user, and a back light unit for supplying light to the liquid crystal panel.

액정패널은 간단히, 각각의 일면에 전계생성전극이 형성된 두 기판을 구비하여 이들 전극이 마주보도록 대향 배열된 후, 그 사이로 액정층이 개재된 구조를 가진다. The liquid crystal panel has a structure in which two substrates each having an electric field generating electrode formed on one surface thereof are arranged to face each other, and then the liquid crystal layer is interposed therebetween.

액정은 분자구조가 가늘고 길며 배열에 방향성을 갖는 광학적 이방성과, 인위적으로 전기장을 인가할 경우 배열방향이 변하는 분극성질을 가진다. 이에 대향하는 전계생성전극간의 전압차를 조절함으로서 액정분자 배열방향을 임의로 제어할 수 있고, 이를 통해 빛의 투과율을 조절할 수 있다.Liquid crystals have a thin and long molecular structure, optical anisotropy having an orientation in the array, and polarization properties in which the arrangement direction changes when an electric field is artificially applied. By controlling the voltage difference between the opposing field generating electrodes, the liquid crystal molecules can be arbitrarily controlled, and thus the light transmittance can be controlled.

하지만 액정패널에는 빛을 발하는 아무런 요소가 없으므로 다수의 광원을 포함하는 백라이트 유닛이 구비되어 액정패널로 빛을 공급하고, 이를 통해 비로소 사용자가 식별 가능한 화상이 디스플레이(display) 된다.However, since there is no light emitting element in the liquid crystal panel, a backlight unit including a plurality of light sources is provided to supply light to the liquid crystal panel, so that an image identifiable by the user is displayed.

이 백라이트 유닛은 액정패널 배면에 위치되며, 빛을 발하는 다수의 광원(light source), 그리고 이로부터 발생된 빛을 반사 및 확산하여 액정패널 전면으로 조사되도록 하는 광학부재를 포함한다. 이하 간단히 백라이트라 한다.The backlight unit includes a plurality of light sources that emit light, and an optical member that reflects and diffuses the light generated therefrom to the front of the liquid crystal panel. Hereinafter referred to simply as backlight.

한편, 일반적인 액정패널에는 화상표현의 기본 단위로서 다수의 화소(pixel)가 형성되는데, 현재 스위칭소자를 사용하여 이들 화소를 각각 독립적으로 제어하는 능동행렬(Active-Matrix) 방식이 널리 사용된다. 이하, 도면을 참조하여 일반적인 능동행렬 방식의 액정표시장치를 설명한다.On the other hand, in a general liquid crystal panel, a plurality of pixels are formed as a basic unit of image expression. Currently, an active matrix method that independently controls these pixels by using switching elements is widely used. Hereinafter, a general active matrix liquid crystal display device will be described with reference to the drawings.

도 1은 일반적인 액정표시장치의 분해사시도로서, 액정층(30)을 사이에 두고 대향하는 제 1 및 제 2 기판(10, 20)을 포함하는 액정패널(5), 그리고 상기 액정패널(5) 배면에서 전면을 향해 빛을 조사하는 백라이트(50)를 포함한다.1 is an exploded perspective view of a general liquid crystal display device, including a liquid crystal panel 5 including first and second substrates 10 and 20 facing each other with a liquid crystal layer 30 interposed therebetween, and the liquid crystal panel 5. It includes a backlight 50 for irradiating light from the back toward the front.

액정패널(5)에 있어서, 제 1 기판(10)은 유리등의 투명한 제 1 절연기판(11)과, 이의 일면에 종횡으로 배열되어 매트릭스(matrix) 형태로 화소(P)를 정의하는 다수의 게이트라인(13) 및 데이터라인(15)과, 그리고 이들의 교차점에 형성되는 스위칭 소자로서 박막트랜지스터(T)와, 각각의 박막트랜지스터(T)와 연결된 상태로 화소(P)에 대응되는 화소전극(17)을 포함한다. In the liquid crystal panel 5, the first substrate 10 includes a plurality of transparent first insulating substrates 11, such as glass, and vertically and horizontally arranged on one surface thereof to define the pixels P in a matrix form. A pixel electrode corresponding to the pixel P in a state of being connected to the thin film transistor T and each thin film transistor T as a switching element formed at the gate line 13 and the data line 15 and the intersection thereof. (17).

이 화소전극(17)은 액정층(30)에 전압을 인가하는 하나의 전계생성전극에 해당된다.The pixel electrode 17 corresponds to one field generating electrode that applies a voltage to the liquid crystal layer 30.

그리고 제 2 기판(20)은 제 2 절연기판(21)과, 이의 일면에 차례로 형성된 블랙매트릭스(23) 및 컬러필터층(25)과, 공통전극(27)을 포함한다.The second substrate 20 includes a second insulating substrate 21, a black matrix 23 and a color filter layer 25 sequentially formed on one surface thereof, and a common electrode 27.

이때 블랙매트릭스(23)는 제 1 기판(10)의 게이트라인(13) 및 데이터라인(15)과 박막트랜지스터(T) 등의 비화상영역을 가림으로서 화상영역, 즉 화소전극(17)에 대응되는 부분을 외부로 노출시킨다. In this case, the black matrix 23 covers the image area, that is, the pixel electrode 17 by covering non-image areas such as the gate line 13, the data line 15, and the thin film transistor T of the first substrate 10. Expose the parts to the outside.

또 컬러필터층(25)은 제 1 기판기판(10)의 각 화소(P)에 대응된 상태로 특정 파장대의 빛을 반사하는 적, 녹, 청 컬러필터(25a, 25b, 25c)의 반복 배열로 이루어진다. The color filter layer 25 is a repetitive arrangement of red, green, and blue color filters 25a, 25b, 25c that reflect light of a specific wavelength band in a state corresponding to each pixel P of the first substrate 10. Is done.

그리고 공통전극(27)은 투명도전성 금속으로 이루어지고, 전술한 화소전극(17)과 더불어 액정층(30)에 전압을 인가하는 또 다른 전계생성전극 역할을 한다.The common electrode 27 is made of a transparent conductive metal, and serves as another field generating electrode for applying a voltage to the liquid crystal layer 30 together with the pixel electrode 17 described above.

이들 제 1 기판(10)과 제 2 기판(20)은 액정층(30)을 사이에 두고 화소전극(17)과 공통전극(27)이 마주보도록 대향되는데, 비록 도시하지는 않았지만, 양 기판(10, 20) 가장자리로는 씰패턴(seal pattern)이 형성되어 액정주입을 위한 셀 갭(cell gap) 유지 및 양 기판의 합착과 액정누설을 방지한다. 또 양 기판(10, 20)과 액정층(30)의 경계에는 각각 액정의 초기 배열방향을 결정하는 제 1 및 제 2 배향막이 개재된다.The first substrate 10 and the second substrate 20 face each other so that the pixel electrode 17 and the common electrode 27 face each other with the liquid crystal layer 30 interposed therebetween. 20, a seal pattern is formed at the edge to prevent cell gap maintenance and liquid crystal leakage between the substrates. First and second alignment films for determining the initial alignment direction of the liquid crystals are interposed between the substrates 10 and 20 and the liquid crystal layer 30, respectively.

이상의 구조를 갖는 액정패널(5)에 있어서, 공통전극(27)으로는 고정전위인 공통전압(Vcom)이, 그리고 화소전극(17)으로는 화상전압이 인가된다. 따라서 이들간의 전압차를 통해 액정층(30)의 액정분자를 회전시켜 투과율을 변화시킬 수 있다. 그리고 액정패널(5) 배면에 구비된 백라이트(50)로 부터 조사된 빛은 액정분자 배열방향에 따라 투과율이 제어되어 여러 가지 휘도의 화상을 표시할 수 있다.In the liquid crystal panel 5 having the above structure, a common voltage Vcom having a fixed potential is applied to the common electrode 27, and an image voltage is applied to the pixel electrode 17. Therefore, the transmittance may be changed by rotating the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 30 through the voltage difference therebetween. In addition, the light emitted from the backlight 50 provided on the rear surface of the liquid crystal panel 5 may control transmittance according to the liquid crystal molecules array direction, thereby displaying images of various luminance.

한편, 이상의 구조에 따른 일반적인 액정패널(5)은 70% 미만의 개구율을 가지고 있어 빛 손실량이 많다. 따라서 백라이트(50)는 높은 휘도의 빛을 발하여야 하고, 특히 항상 온(on) 상태를 유지하므로 전력의 낭비가 큰 단점이 있다. On the other hand, the general liquid crystal panel 5 according to the above structure has an aperture ratio of less than 70%, resulting in a large amount of light loss. Therefore, the backlight 50 emits light of high luminance, and particularly, since the backlight 50 is always kept on, there is a large waste of power.

더욱이 날이 갈수록 디스플레이 장치는 박형화, 소형화되는 추세에 있으나, 액정패널(5)과 별도로 구비되는 백라이트(50)로 인해 상기의 요구를 만족시키지 못하고 있는 실정이다.In addition, as the display device becomes thinner and smaller in size, the backlight 50 provided separately from the liquid crystal panel 5 does not satisfy the above requirements.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 충분한 휘도의 화상을 디스플레이 할 수 있고, 동시에 박형으로 설계가 가능한 액정표시장치를 제공하는데 그 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a liquid crystal display device capable of displaying an image of sufficient luminance and simultaneously designing a thin film.

본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 제 1 절연기판과; 상기 제 1 절연기판 상에 종횡 배열되어 화소를 정의하는 게이트라인 및 데이터라인과; 상기 게이트라인 및 데이터라인에 연결되도록 각 화소에 형성되는 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터 상부로 위치하고, 상기 박막트랜지스터의 드레인전극 일부를 노출시키는 제 1 홀이 관통된 유기전기발광층과; 상기 유기전기발광층 상부로 위치하고, 상기 제 1 홀을 통해 상기 박막트랜지스터 드레인전극과 연결되며, 상기 각 화소에 대응되는 화소전극을 포함하는 제 1 기판을 포함하는 액정표시장치를 제공한다. The present invention to achieve the above object, the first insulating substrate; Gate lines and data lines arranged vertically and horizontally on the first insulating substrate to define pixels; A thin film transistor formed in each pixel to be connected to the gate line and the data line; An organic electroluminescent layer disposed on the thin film transistor and having a first hole penetrating therein to expose a portion of the drain electrode of the thin film transistor; A liquid crystal display device comprising a first substrate positioned on the organic electroluminescent layer, connected to the thin film transistor drain electrode through the first hole, and including a pixel electrode corresponding to each pixel.

본 발명에 있어서, 상기 박막트랜지스터와 상기 유기전기발광층 사이에 개재되며, 상기 제 1 홀과 연통되는 제 2 홀이 관통된 제 1 절연막과; 상기 유기전기발광층과 상기 화소전극 사이에 개재되며, 상기 제 1 및 제 2 홀과 연통되는 제 3 홀이 관통된 제 2 절연막을 더욱 포함하여, 상기 화소전극은 상기 제 1 내지 제 3 홀을 통해 상기 박막트랜지스터 드레인전극과 연결되는 것을 특징으로 한다. A first insulating film interposed between the thin film transistor and the organic electroluminescent layer and having a second hole communicated with the first hole; And a second insulating layer interposed between the organic electroluminescent layer and the pixel electrode and having a third hole communicating with the first and second holes, wherein the pixel electrode is disposed through the first to third holes. The thin film transistor is connected to the drain electrode.

또한, 본 발명은 액정층을 사이에 두고 대향하는 제 1 및 제 2 기판을 포함하는 액정표시장치로서, 상기 제 1 기판은, 제 1 절연기판과, 상기 제 1 절연기판 상에 종횡 배열되어 화소를 정의하는 게이트라인 및 데이터라인과; 상기 게이트라인 및 데이터라인에 연결되도록 각 화소에 형성되는 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터 상부로 위치하고, 상기 박막트랜지스터의 드레인전극 일부를 노출시키는 제 1 홀이 관통된 유기전기발광층과; 상기 유기전기발광층 상부로 위치하고, 상기 제 1 홀을 통해 상기 박막트랜지스터 드레인전극과 연결되며, 상기 각 화소에 대응되는 화소전극을 포함하며, 상기 제 2 기판은, 상기 제 1 기판과 대향하는 일면에 차례로 형성된 블랙매트릭스 및 컬러필터층과, 공통전극을 포함하는 액정표시장치를 제공한다. The present invention also provides a liquid crystal display device comprising first and second substrates facing each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, wherein the first substrate is arranged horizontally and horizontally on a first insulating substrate and the first insulating substrate. A gate line and a data line defining a; A thin film transistor formed in each pixel to be connected to the gate line and the data line; An organic electroluminescent layer disposed on the thin film transistor and having a first hole penetrating therein to expose a portion of the drain electrode of the thin film transistor; An upper portion of the organic electroluminescent layer, connected to the thin film transistor drain electrode through the first hole, and including a pixel electrode corresponding to each pixel, wherein the second substrate is disposed on one surface of the organic substrate; Provided are a liquid crystal display including a black matrix and a color filter layer sequentially formed and a common electrode.

한편 본 발명은 절연기판과; 절연기판 상에 제 1 금속박막을 증착한 후, 제 1 마스크 공정으로 게이트라인 및 게이트전극을 포함하는 제 1 금속패턴을 형성하는 단계와; 상기 제 1 금속패턴 상에 제 1 절연막을 형성하는 단계와; 상기 제 1 절연막 상에 비정질 실리콘 층을 형성하고, 상기 비정질 실리콘 상에 불순물을 도핑하여 얕은 불순물 비정질실리콘 층을 형성하는 단계와; 제 2 마스크공정으로 상기 비정질실리콘 층 및 상기 불순물 비정질 실리콘 층을 패턴하여, 상기 게이트전극을 덮는 섬모양의 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 반도체층 상부로 제 2 금속박막을 증착한 후, 제 3 마스크 공정으로 상기 게이트전극과 오버랩된 상태로 서로 이격된 소스 및 드레인전극과, 상기 소스전극과 연결되는 데이터라인을 포함하는 제 2 금속박막패턴을 형성하는 단계와; 상기 이격된 소스 및 드레인전극 사이로 노출된 상기 불순물 비정질실리콘층을 제거하는 단계와; 상기 소스 및 드레인전극 상부로 보호막을 형성하는 단계와; 상기 보호막 상부로 제 3 금속박막을 증착한 후, 제 4 마스크공정으로 상기 드레인전극에 대응되는 보호막을 노출시키는 제 1 홀이 관통된 제 3 금속박막패턴을 형성하는 단계와; 상기 제 3 금속박막패턴 상부로 유기발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기발광층 상부로 제 4 금속박막을 증착한 후, 제 5 마스크공정으로 상기 유기발광층을 관통하여 상기 제 1 홀과 연통되는 제 3 홀이 관통된 제 4 금속박막패턴을 형성하는 단계와; 상기 제 4 금속박막패턴 상에 제 2 절연막을 형성하는 단계와; 제 6 마스크 공정으로, 상기 제 2 절연막을 패턴하여 상기 제 1 및 제 2 홀과, 상기 보호막을 관통하여 상기 드레인전극을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계와; 상기 제 2 절연막 상에 제 5 금속박막을 증착한 후, 제 7 마스크 공정으로 상기 드레인전극에 연결되며 상기 각 화소에 대응되는 제 5 금속박막패턴을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 기판 제조방법을 제공한다. Meanwhile, the present invention provides an insulating substrate; Depositing a first metal thin film on an insulating substrate, and then forming a first metal pattern including a gate line and a gate electrode by a first mask process; Forming a first insulating film on the first metal pattern; Forming an amorphous silicon layer on the first insulating film, and doping an impurity on the amorphous silicon to form a shallow impurity amorphous silicon layer; Patterning the amorphous silicon layer and the impurity amorphous silicon layer by a second mask process to form an island-like semiconductor layer covering the gate electrode; After depositing a second metal thin film on the semiconductor layer, a second metal including a source and drain electrodes spaced apart from each other in an overlapping state with the gate electrode by a third mask process, and a data line connected to the source electrode Forming a thin film pattern; Removing the impurity amorphous silicon layer exposed between the spaced source and drain electrodes; Forming a passivation layer on the source and drain electrodes; Depositing a third metal thin film on the passivation layer, and then forming a third metal thin film pattern through which a first hole through which the passivation layer corresponding to the drain electrode is exposed is formed by a fourth mask process; Forming an organic light emitting layer on the third metal thin film pattern; Depositing a fourth metal thin film on the organic light emitting layer, and then forming a fourth metal thin film pattern through which the third hole communicates with the first hole through the organic light emitting layer through a fifth mask process; Forming a second insulating film on the fourth metal thin film pattern; Patterning the second insulating film to form a contact hole through the protective layer to expose the drain electrode through a sixth mask process; After depositing a fifth metal thin film on the second insulating film, forming a fifth metal thin film pattern connected to the drain electrode by a seventh mask process and corresponding to each pixel. Provide a method.

이하, 본 발명의 올바른 실시예를 설명한다.Hereinafter, the correct embodiment of the present invention will be described.

먼저 설명에 앞서 본 발명에 따른 액정표시장치는 특히, 액정패널 내로 유기전기발광현상을 이용한 광원이 실장되는 것을 특징으로 하는 바, 이를 통해 기존의 백라이트를 대체한다. First, prior to the description, the liquid crystal display device according to the present invention is characterized in that a light source using an organic electroluminescence phenomenon is mounted in the liquid crystal panel, thereby replacing the existing backlight.

먼저 유기전기발광이란 전기발광(electroluminescence) 현상, 즉 형광체에 일정 이상의 전기장이 인가되면 빛을 발하는 것으로서, 캐리어(carrier)들의 여기(excitation)를 일으키는 소스물질이 유기(organic) 물질인 것을 지칭한다. First, organic electroluminescence refers to an electroluminescence phenomenon, that is, light emitted when a predetermined electric field is applied to a phosphor, and that the source material that causes excitation of carriers is an organic material.

상기 특성을 이용한 발광소자는 전자와 정공의 재결합에 의한 발광원리를 가지고 있어 OLED(organic light emitting diode)라고 불리기도 하는데, 도 2는 일반적인 유기전기발광소자의 동작원리를 설명하기 위한 밴드다이어그램이다.The light emitting device using the above characteristics has a light emitting principle by recombination of electrons and holes, which is also called an organic light emitting diode (OLED). FIG. 2 is a band diagram for explaining the principle of operation of a general organic electroluminescent device.

일반적인 유기전기발광소자는 애노드전극(1 ; anode electrode)과 캐소드전극(7 : cathode electrode), 그리고 이들 사이에 위치하는 정공수송층(3; hole transporting layer)과, 발광층(4; emission layer) 및 전자수송층(5; electron transporting layer)을 포함한다. 이때 정공(hole)과 전자(electron)를 좀더 효율적으로 주입하기 위해서, 애노드전극(1)과 정공수송층(3) 사이로 정공주입층(2 ; hole injection layer)이, 그리고 전자수송층(5)과 캐소드전극(7) 사이로 전자주입층(6 ; electron injection layer)이 각각 포함될 수 있다.A typical organic electroluminescent device includes an anode electrode (1) and a cathode electrode (7), a hole transporting layer (3) located between them, an emission layer (4) and an electron An electron transporting layer (5). At this time, in order to inject holes and electrons more efficiently, a hole injection layer (2) between the anode electrode (1) and the hole transport layer (3), and the electron transport layer (5) and the cathode An electron injection layer 6 may be included between the electrodes 7, respectively.

이에 애노드전극(1)으로부터 정공주입층(2) 및 정공수송층(3)을 통해 발광층(4)으로 주입된 정공과, 캐소드전극(7)으로부터 전자주입층(6) 및 전자수송층(5)을 통해 발광층(4)으로 주입된 전자가 여기자(8 ; exciton)를 형성하는데, 이 여기자(8)는 정공과 전자 사이의 에너지 갭(gap)에 해당하는 빛을 발광한다. 이때 애노드전극(1)은 일함수가 높고 투명한 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO)나 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide : IZO)와 같은 물질로, 캐소드전극(7)은 일함수가 낮고 화학적으로 안정한 알루미늄(Al)이나 칼슘(Ca), 알루미늄 합금과 같은 물질이 사용된다.Thus, holes injected from the anode electrode 1 into the light emitting layer 4 through the hole injection layer 2 and the hole transport layer 3, and the electron injection layer 6 and the electron transport layer 5 from the cathode electrode 7 Electrons injected into the light emitting layer 4 form excitons 8, which emit light corresponding to the energy gap between the holes and the electrons. In this case, the anode electrode 1 is made of a material such as indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO) which has a high work function and is transparent. ) Has a low work function and chemically stable materials such as aluminum (Al), calcium (Ca) and aluminum alloys.

따라서 본 발명은 액정표시장치의 광원으로 상기와 같은 유기전기발광소자를 사용하며, 특히 이를 액정패널 내로 실장시킨 것을 특징으로 한다.Therefore, the present invention uses the above-described organic electroluminescent device as a light source of the liquid crystal display device, in particular, it is characterized in that it is mounted in the liquid crystal panel.

도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치의 일례를 도시한 분해사시도로서, 특히 능동행렬 방식에 적용된 경우를 도시한 도면이다.FIG. 3 is an exploded perspective view showing an example of a liquid crystal display according to the present invention, and particularly, when applied to an active matrix method.

이는 액정층(230)을 사이에 두고 대향하는 제 1 및 제 2 기판(100, 200), 그리고 특히 제 1 기판(100) 상에 형성된 유기전기발광소자층(130)을 포함한다.This includes the first and second substrates 100 and 200 facing each other with the liquid crystal layer 230 therebetween, and in particular, the organic electroluminescent element layer 130 formed on the first substrate 100.

이때 제 1 기판(100)은 유리등의 투명한 제 1 절연기판(102)과, 이의 일면에 종횡으로 배열되어 매트릭스(matrix) 형태로 화소(P)를 정의하는 다수의 게이트라인(112) 및 데이터라인(120)과, 이들의 교차점에 형성되는 박막트랜지스터(T)와, 각각의 박막트랜지스터(T)와 연결된 상태로 화소(P)에 대응되는 화소전극(134)을 포함한다.In this case, the first substrate 100 includes a transparent first insulating substrate 102 such as glass, a plurality of gate lines 112 and data arranged vertically and horizontally on one surface thereof to define the pixel P in a matrix form. A line 120, a thin film transistor T formed at an intersection thereof, and a pixel electrode 134 corresponding to the pixel P in a state of being connected to each thin film transistor T.

또, 이 제 1 기판(102) 상에는 유기발광소자층(130)이 형성되어 있고, 특히 상기 각 화소전극(134)은 이 유기전기발광소자층(130)을 관통하는 콘택홀(미도시)을 통해서 박막트랜지스터(T)와 연결된다.In addition, an organic light emitting diode layer 130 is formed on the first substrate 102. In particular, each pixel electrode 134 has a contact hole (not shown) penetrating through the organic electroluminescent diode layer 130. It is connected to the thin film transistor (T) through.

그리고 제 2 기판(200)은 제 2 절연기판(221)과, 이의 일면에 차례로 형성된 블랙매트릭스(223), 컬러필터층(225), 공통전극(227)을 포함한다.The second substrate 200 includes a second insulating substrate 221, a black matrix 223, a color filter layer 225, and a common electrode 227 that are sequentially formed on one surface thereof.

이때 블랙매트릭스(223)는 제 1 기판(100)의 게이트라인(112) 및 데이터라인(120)과 박막트랜지스터(T) 등의 비화상영역을 가림으로서 화상영역, 즉 화소전극(134)에 대응되는 부분을 외부로 노출시킨다. 또 컬러필터층(225)은 제 1 기판(100)의 각 화소(P)에 대응된 상태로 특정 파장대의 빛을 반사하는 적, 녹, 청 컬러필터(225a, 225b, 225c)의 반복 배열로 이루어진다. 그리고 공통전극(227)은 투명도전성 금속으로 이루어진다.In this case, the black matrix 223 covers the image area, that is, the pixel electrode 134, by covering non-image areas such as the gate line 112, the data line 120, and the thin film transistor T of the first substrate 100. Expose the parts to the outside. In addition, the color filter layer 225 includes a repetitive arrangement of red, green, and blue color filters 225a, 225b, and 225c that reflect light of a specific wavelength band in a state corresponding to each pixel P of the first substrate 100. . The common electrode 227 is made of a transparent conductive metal.

또, 이들 제 1 기판(100)과 제 2 기판(200)은 액정층(230)을 사이에 두고 화소전극(134)과 공통전극(227)이 마주보도록 대향되는데, 비록 도시하지는 않았지만, 양 기판(100, 200) 가장자리로는 씰패턴(seal pattern)이 형성되어 액정주입을 위한 셀 갭(cell gap) 유지 및 양 기판의 합착과 액정누설을 방지하고, 양 기판(100, 200)과 액정층(230)의 경계에는 각각 액정의 초기 배열방향을 결정하는 제 1 및 제 2 배향막이 개재된다.In addition, the first substrate 100 and the second substrate 200 face each other such that the pixel electrode 134 and the common electrode 227 face each other with the liquid crystal layer 230 interposed therebetween. A seal pattern is formed at the edges of the (100, 200) to maintain a cell gap for liquid crystal injection, to prevent adhesion between the two substrates, and to prevent liquid crystal leakage, and to form both substrates (100, 200) and the liquid crystal layer. First and second alignment layers for determining the initial alignment direction of the liquid crystal are respectively interposed at the boundary of 230.

한편, 이상의 구조를 갖는 본 발명에 따른 액정표시장치의 제 2 기판(200)은 그 구성면에서 일반적인 경우와 유사하다. 따라서 본 발명에 가장 특징은 유기전기발광층(130)이 포함되는 제 1 기판(100)에 있다 할 수 있고, 이하 이에 대해 설명한다.On the other hand, the second substrate 200 of the liquid crystal display according to the present invention having the above structure is similar to the general case in terms of its configuration. Therefore, the most characteristic feature of the present invention may be the first substrate 100 including the organic electroluminescent layer 130, which will be described below.

도 4는 상기한 제 1 기판(100)에 형성된 하나의 화소(P)에 대한 평면도이고, 도 5는 도 4의 V-V 선을 따라 절단한 단면을 도시한 단면이다.4 is a plan view of one pixel P formed on the first substrate 100, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line V-V of FIG. 4.

이들 각 화소(P)는 종횡하는 게이트라인(112) 및 데이터라인(120)에 의해 정의되며, 이들의 교차점에는 박막트랜지스터(T)가 형성된다.Each of the pixels P is defined by the vertical and horizontal gate lines 112 and the data lines 120, and thin film transistors T are formed at their intersections.

상기 박막트랜지스터(T)는 게이트라인(112)에서 분기한 게이트전극(112a)과, 데이터라인(120)에서 분기한 소스전극(120a)과, 화소전극(134)에 연결된 드레인전극(122)과, 정공(electron) 또는 홀(hole) 등의 캐리어(carrier) 이동통로인 반도체층(118)을 포함하는 바, 이 반도체층(118)은 순수 비정질 실리콘의 액티브층(116)과, 불순물이 도핑된 비정질 실리콘의 오믹콘택층(117)을 포함한다.The thin film transistor T includes a gate electrode 112a branched from the gate line 112, a source electrode 120a branched from the data line 120, and a drain electrode 122 connected to the pixel electrode 134. And a semiconductor layer 118, which is a carrier movement path such as a hole or a hole, wherein the semiconductor layer 118 is an active layer 116 of pure amorphous silicon and doped with impurities. And an ohmic contact layer 117 of amorphous silicon.

이때 게이트라인(112)과 데이터라인(120), 그리고 박막트랜지스터(T) 상부로는 유기전기발광소자층(130)이 형성되어 있고, 이의 상부로는 층간절연막이 존재한다. In this case, an organic electroluminescent device layer 130 is formed on the gate line 112, the data line 120, and the thin film transistor T, and an interlayer insulating layer is formed on the upper portion thereof.

그리고 화소전극(134)은 이 층간절연막 상부에서 상기 유기전기발광소자층(130)을 관통하는 절연콘택홀(150)을 통해 박막트랜지스터(T) 드레인전극과 연결된다.The pixel electrode 134 is connected to the thin film transistor (T) drain electrode through the insulating contact hole 150 penetrating the organic electroluminescent element layer 130 on the interlayer insulating layer.

그리고 이 유기전기발광소자층(130)은 제 1 전극(124)과, 유기발광층(126)과, 제 2 전극(128)을 포함한다. The organic electroluminescent device layer 130 includes a first electrode 124, an organic light emitting layer 126, and a second electrode 128.

이하 도 4의 V-V 선을 따라 절단한 단면을 공정순서에 따라 도시한 도 6a 내지 도 6g를 함께 참조하여, 본 발명에 따른 액정표시장치 및 이의 제조방법을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, a liquid crystal display and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 6A to 6G, which show cross-sections cut along the V-V line of FIG. 4 according to a process sequence.

먼저 도 6a에 도시한 바와 같이, 투명한 제 1 절연기판(102) 상에 제 1 금속을 박막으로 증착한 후 패터닝하여 게이트라인(112) 및 이에서 분기된 게이트전극(112a)을 형성한다. 상기 제 1 금속은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금, 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 크롬(Cr)과 같은 다양한 도전성 금속이 사용될 수 있다. First, as shown in FIG. 6A, the first metal is deposited as a thin film on the transparent first insulating substrate 102, and then patterned to form a gate line 112 and a gate electrode 112a branched therefrom. As the first metal, various conductive metals such as aluminum (Al), aluminum alloy, molybdenum (Mo), tungsten (W), and chromium (Cr) may be used.

그리고 게이트라인(112) 및 게이트전극(112a) 상부 전면에 걸쳐 제 1 절연막인 게이트절연막(114)을 적층한다. 이 게이트절연막(114)은 질화실리콘(SiNx)과 산화실리콘(SiO2)를 포함하는 유기절연 물질 그룹 중 선택된 하나가 사용될 수 있다.The gate insulating film 114 serving as the first insulating film is stacked over the entire gate line 112 and the upper portion of the gate electrode 112a. The gate insulating layer 114 may be one selected from a group of organic insulating materials including silicon nitride (SiN x ) and silicon oxide (SiO 2 ).

이어 도 6b와 같이, 게이트절연막 상에 순수 비정질 실리콘 층을 적층한 후 이의 상부로 불순물을 도핑하여 얕은 불순물 비정질 실리콘 층을 형성한다. 그리고 이를 패터닝하여 각각 아일랜드(island) 형상으로 게이트전극(112a)을 덮고, 하단의 순수 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(116)과, 이의 상부로 얕은 불순물 실리콘막(117a)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 6B, a pure amorphous silicon layer is stacked on the gate insulating layer and then doped with impurities to form a shallow impurity amorphous silicon layer. Each of the patterns is patterned to cover the gate electrode 112a in an island shape, and to form an active layer 116 made of pure amorphous silicon at the bottom and a shallow impurity silicon film 117a thereon.

다음, 이의 상부로 제 2 금속박막을 증착한 후 패터닝한다. 이를 통해 도 6c 에 도시한 바와 같이, 상기 게이트전극(112a)에 일정정도 오버랩 되도록 서로 이격된 소스전극(120a) 및 드레인전극(122), 그리고 소스전극(120a)과 이어진 데이터라인(120)이 형성된다. 그리고 이 소스전극(120a)과 드레인전극(122)의 이격된 사이로 노출된 불순물 실리콘막(도 6b의 117a) 부분을 제거하여 오믹콘택층(117)을 형성한다.Next, a second metal thin film is deposited on top of it and then patterned. As shown in FIG. 6C, the source electrode 120a and the drain electrode 122, and the data line 120 connected to the source electrode 120a are spaced apart from each other to overlap the gate electrode 112a to some extent. Is formed. The ohmic contact layer 117 is formed by removing a portion of the impurity silicon film 117a of FIG. 6B exposed between the source electrode 120a and the drain electrode 122.

이때 제 2 금속박막이 몰리브덴일 경우에는 건식식각으로 소스 및 드레인전극(120a, 122)과 오믹콘택층 형성이 가능하나, 크롬일 경우에는 습식식극을 통해 제 2 금속박막을 먼저 패터닝하여 소스 및 드레인전극(120a, 122)을 형성하고, 연속적으로 건식 식각하여 그 사이로 노출된 불순물 실리콘막(도 6b의 117a)을 제거한다.In this case, when the second metal thin film is molybdenum, the ohmic contact layers and the source and drain electrodes 120a and 122 may be formed by dry etching. In the case of chromium, the second metal thin film may be patterned first through a wet electrode to source and drain. The electrodes 120a and 122 are formed, successively dry etching, and the impurity silicon film 117a of FIG. 6B is removed therebetween.

연속하여, 도 6d와 같이, 상기 소스 및 드레인전극(120a, 122)이 형성된 상부 전면으로 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴계(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 투명한 유기절연 물질 그룹 중 선택된 하나를 도포하거나 또는 질화실리콘(SiNx)과 산회실리콘(SiO2)를 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 제 2 절연막인 보호막(123)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 6D, one selected from the group of transparent organic insulating materials including benzocyclobutene (BCB) and acrylic resin (resin) on the upper surface of the source and drain electrodes 120a and 122 are formed. Or a selected one of a group of inorganic insulating materials including silicon nitride (SiNx) and ash silicon (SiO 2 ) is deposited to form a protective film 123 as a second insulating film.

그리고 도 6e에 도시한 바와 같이, 이 보호막(123) 상에 후술하는 유기전기발광층(도 4의 130 참조)의 일 전극 역할을 담당할 제 3 금속박막을 증착한 후 이를 패터닝하여 드레인전극(114)에 대응되는 부분이 관통된 제 1 홀을 포함하는 제 1 전극(124)을 형성하고, 이의 상부로 유기발광물질을 도포하여 유기발광층(126)을 형성한다. 이어 유기발광층(126) 상부로 제 4 금속박막을 증착한 후 패터닝하여 상기 드레인전극(114)에 대응되는 부분이 관통된 제 2 홀을 포함하는 제 2 전극(128)을 형성한다. As shown in FIG. 6E, a third metal thin film which is to serve as an electrode of the organic electroluminescent layer (see 130 of FIG. 4) to be described later is deposited on the passivation layer 123, and then patterned to form the drain electrode 114. A first electrode 124 including a first hole through which a portion corresponding to) is formed is formed, and an organic light emitting material is coated on the upper portion to form an organic light emitting layer 126. Subsequently, a fourth metal thin film is deposited on the organic light emitting layer 126 and then patterned to form a second electrode 128 including a second hole through which a portion corresponding to the drain electrode 114 passes.

따라서 제 1 홀과 제 2 홀은 유기발광층(126)을 사이에 두고 대향하는데, 이들을 연결하도록 노출된 유기발광층(126) 부분을 제거하여 보호막(123)을 노출시키는 제 1 콘택홀(140)을 형성한다.Therefore, the first hole and the second hole face each other with the organic light emitting layer 126 interposed therebetween, and the first contact hole 140 exposing the protective layer 123 by removing the exposed portion of the organic light emitting layer 126 to connect them. Form.

이때 제 3 금속박막은, 앞서 설명에 적용할 경우 유기전기발광소자의 캐소드 전극이 되는 바, 일 함수가 낮고 화학적으로 안정한 알루미늄(Al)이나 칼슘(Ca), 알루미늄 합금이 사용될 수 있다. 그리고 제 4 금속박막은 마찬가지로 앞서의 설명에 따른 애노드전극이 되므로 일함수가 높고 투명한 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO)나 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide : IZO)와 같은 물질을 사용한다. In this case, when the third metal thin film is applied to the above description, it becomes a cathode electrode of the organic electroluminescent device, and a low work function and chemically stable aluminum (Al), calcium (Ca), or an aluminum alloy may be used. In addition, since the fourth metal thin film becomes the anode electrode according to the foregoing description, a high work function and transparent indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO) Use materials such as

이로서 제 3 금속박막의 제 1 전극(124), 유기발광층(126), 제 4 금속박막의 제 2 전극(128)으로 이루어진 유기전기발광층(130)이 형성되고, 이 유기전기발광층(130)에는 하부의 보호막(123) 일부를 드러내는 제 1 콘택홀이 관통되어 있다.As a result, an organic electroluminescent layer 130 including the first electrode 124 of the third metal thin film, the organic light emitting layer 126, and the second electrode 128 of the fourth metal thin film is formed, and the organic electroluminescent layer 130 is formed on the organic electroluminescent layer 130. The first contact hole exposing a portion of the lower passivation layer 123 is penetrated.

이어 도 6f에 도시한 바와 같이, 유기전기발광층(130)의 제 2 전극(128) 상으로 절연물질을 도포하여 제 3 절연막인 층간절연막(132)을 형성한다. 이 층간절연막(132)으로는 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴계(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 투명한 유기절연 물질 그룹 중 선택된 하나 또는 질화실리콘(SiNx)과 산화실리콘(SiO2)를 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나가 사용될 수 있다.6F, an insulating material is coated on the second electrode 128 of the organic electroluminescent layer 130 to form an interlayer insulating film 132, which is a third insulating film. The interlayer insulating film 132 may include one selected from the group of transparent organic insulating materials including benzocyclobutene (BCB) and acryl resin, or silicon nitride (SiN x ) and silicon oxide (SiO 2 ). One selected from the group of inorganic insulating materials including may be used.

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그리고 도 6g에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 콘택홀(140)을 뚫어 하부의 드레인전극(114)을 노출시키는 절연콘택홀(150)을 형성한다. 따라서 이 경우 제 1 절연기판(102) 상에는 박막트랜지스터(T)와, 이의 상부로 유기전기발광층(130)이 형성되어 있으며, 상기 유기전기발광층(130)으로부터 드레인전극(114)까지 관통된 절연콘택홀(150)이 존재한다.6G, an insulating contact hole 150 is formed through the first contact hole 140 to expose the lower drain electrode 114. Therefore, in this case, the thin film transistor T and the organic electroluminescent layer 130 are formed on the first insulating substrate 102, and the insulating contact penetrates from the organic electroluminescent layer 130 to the drain electrode 114. There is a hole 150.

그리고 상기 층간절연막(132) 상부로 투명한 인듐-틴-옥사이드나 인듐-징크-옥사이드와 같은 물질층을 형성하고, 이를 패터닝하여 도 5에 도시된 바와 같은 화소전극(134)을 구현한다. 이 화소전극(134)은 상기 절연콘택홀(150)을 통해 박막트랜지스터(T) 드레인전극(114)과 연결된다.In addition, a transparent material layer, such as indium tin oxide or indium zinc oxide, is formed on the interlayer insulating layer 132 and patterned to implement the pixel electrode 134 as illustrated in FIG. 5. The pixel electrode 134 is connected to the thin film transistor (T) drain electrode 114 through the insulating contact hole 150.

이로서 각 화소의 구성이 도 4와 같은 제 1 기판이 완성된다.그리고 비록 도시되지는 않았지만, 제 1 기판 상에 제 1 배향막을 형성하고, 별도의 공정으로 완성되고, 대향하는 일면에 제 2 배향막이 형성된 제 2 기판을 합착한 후 그 사이로 액정층을 개재하여 액정표시장치를 완성한다.또 이들 제 1 및 제 2 기판 사이, 특히 유기전기발광층(130)과 제 2 기판 사이로 인셀편광필름(in cell polarizer film)이 개재됨은 당업자에게는 자명한 사실일 것이다.This completes the first substrate as shown in FIG. 4 in the configuration of each pixel. Although not shown, a first alignment film is formed on the first substrate, completed in a separate process, and the second alignment film is formed on the opposite surface. The formed second substrate is bonded to each other, and a liquid crystal display device is completed between the first and second substrates, in particular between the organic electroluminescent layer 130 and the second substrate. It will be apparent to those skilled in the art that a cell polarizer film) is included.

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본 발명은 액정패널 내로 유기전기발광소자를 실장시킴으로서 충분한 휘도의 화상을 디스플레이 할 수 있고, 동시에 박형으로 설계가 가능한 액정표시장치를 제공하는 잇점이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has the advantage of providing a liquid crystal display device capable of displaying an image of sufficient brightness by mounting an organic electroluminescent element in a liquid crystal panel and at the same time enabling a thin design.

이로서 더욱더 개선된 화질을 구현가능하다.This makes it possible to realize even more improved picture quality.

도 1은 일반적인 액정표시장치의 일부분해사시도1 is a partial perspective view of a general liquid crystal display device

도 2는 유기전기발광소자의 동작원리를 설명하기 위한 다이어그램2 is a diagram for explaining the operation principle of the organic electroluminescent device.

도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치의 일부분해사시도3 is a partial perspective view of a liquid crystal display according to the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 액정표시장치의 한 화소에 대한 평면도4 is a plan view of one pixel of the liquid crystal display according to the present invention.

도 5는 도 4의 V-V 선을 따라 절단한 단면을 도시한 단면도5 is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along the line V-V of FIG. 4.

도 6a 내지 도 6g는 도 4의 V-V 선을 따라 절단한 단면의 제조공정순서대로 도시한 공정단면도6A to 6G are cross-sectional views showing the manufacturing process sequence of the cross section taken along the line V-V of FIG.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

102 : 제 1 절연기판 112a : 게이트전극102: first insulating substrate 112a: gate electrode

114 : 게이트절연막 116 : 오믹콘택층114: gate insulating film 116: ohmic contact layer

117 : 액티브층 118 : 반도체층117: active layer 118: semiconductor layer

120 : 데이터라인 120a : 소스전극120: data line 120a: source electrode

114 : 드레인전극 123 : 보호막114: drain electrode 123: protective film

124 : 제 1 전극 126 : 유기발광층124: first electrode 126: organic light emitting layer

128 : 제 2 전극 132 : 층간절연막128: second electrode 132: interlayer insulating film

134 : 화소전극 150 : 절연콘택홀134: pixel electrode 150: insulated contact hole

Claims (8)

제 1 절연기판과;A first insulating substrate; 상기 제 1 절연기판 상에 종횡 배열되어 화소를 정의하는 게이트라인 및 데이터라인과;Gate lines and data lines arranged vertically and horizontally on the first insulating substrate to define pixels; 드레인전극과, 상기 게이트라인에 연결되는 게이트전극과, 상기 데이터라인에 연결되는 소스전극을 포함하는 박막트랜지스터와;A thin film transistor comprising a drain electrode, a gate electrode connected to the gate line, and a source electrode connected to the data line; 상기 박막트랜지스터 상부로 위치하고, 상기 박막트랜지스터의 드레인전극 일부를 노출시키는 제 1 홀이 관통된 유기전기발광층과;An organic electroluminescent layer disposed on the thin film transistor and having a first hole penetrating therein to expose a portion of the drain electrode of the thin film transistor; 상기 유기전기발광층과 전기적으로 절연된 상태로 이의 상부에 위치하고, 상기 제 1 홀을 통해 상기 박막트랜지스터 드레인전극과 연결되며, 상기 각 화소에 대응되는 화소전극A pixel electrode disposed on the organic electroluminescent layer and electrically connected to the thin film transistor drain electrode through the first hole and corresponding to each pixel; 을 포함하는 액정표시장치용 기판Liquid crystal display substrate comprising a 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 박막트랜지스터와 상기 유기전기발광층 사이에 개재되며, 상기 제 1 홀과 연통되는 제 2 홀이 관통된 제 1 절연막과;A first insulating layer interposed between the thin film transistor and the organic electroluminescent layer and having a second hole communicated with the first hole; 상기 유기전기발광층과 상기 화소전극 사이에 개재되며, 상기 제 1 및 제 2 홀과 연통되는 제 3 홀이 관통된 제 2 절연막A second insulating layer interposed between the organic electroluminescent layer and the pixel electrode and having a third hole communicating with the first and second holes therethrough; 을 더욱 포함하여, 상기 화소전극은 상기 제 1 내지 제 3 홀을 통해 상기 박막트랜지스터 드레인전극과 연결되는 액정표시장치용 기판Further, the pixel electrode is a substrate for a liquid crystal display device connected to the thin film transistor drain electrode through the first to third holes 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 유기전기발광층은, The organic electroluminescent layer, 상기 박막트랜지스터를 향하는 하단의 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 또는 알루미늄 합금의 캐소드전극과;A cathode of aluminum (Al), calcium (Ca), or an aluminum alloy at the bottom facing the thin film transistor; 상기 캐소드전극과 대향하는 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide : IZO)의 애노드전극과;An anode electrode of indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO) facing the cathode electrode; 상기 캐소드전극과 상기 애노드전극 사이의 유기발광층An organic light emitting layer between the cathode electrode and the anode electrode 을 포함하는 액정표시장치용 기판Liquid crystal display substrate comprising a 액정층을 사이에 두고 대향하는 제 1 및 제 2 기판을 포함하는 액정표시장치로서, A liquid crystal display device comprising first and second substrates facing each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. 상기 제 1 기판은, The first substrate, 제 1 절연기판과;A first insulating substrate; 상기 제 1 절연기판 상에 종횡 배열되어 화소를 정의하는 게이트라인 및 데이터라인과;Gate lines and data lines arranged vertically and horizontally on the first insulating substrate to define pixels; 드레인전극과, 상기 게이트라인에 연결되는 게이트전극과, 상기 데이터라인에 연결되는 소스전극을 포함하는 박막트랜지스터와;A thin film transistor comprising a drain electrode, a gate electrode connected to the gate line, and a source electrode connected to the data line; 상기 박막트랜지스터 상부로 위치하고, 상기 박막트랜지스터의 드레인전극 일부를 노출시키는 제 1 홀이 관통된 유기전기발광층과;An organic electroluminescent layer disposed on the thin film transistor and having a first hole penetrating through the thin film transistor to expose a portion of the drain electrode; 상기 유기전기발광층 상부로 위치하고, 상기 제 1 홀을 통해 상기 박막트랜지스터 드레인전극과 연결되며, 상기 각 화소에 대응되는 화소전극을 포함하며,Positioned above the organic electroluminescent layer, connected to the thin film transistor drain electrode through the first hole, and including a pixel electrode corresponding to each pixel; 상기 제 2 기판은, The second substrate, 상기 제 1 기판과 대향하는 일면에 형성된 블랙매트릭스 및 컬러필터층과;A black matrix and a color filter layer formed on one surface of the first substrate facing the first substrate; 상기 블랙매트릭스 및 컬러필터층 상부로 형성된 공통전극Common electrode formed on the black matrix and the color filter layer 을 포함하는 액정표시장치Liquid crystal display comprising a 청구항 4에 있어서,The method according to claim 4, 상기 박막트랜지스터와 상기 유기전기발광층 사이에 개재되며, 상기 제 1 홀과 연통되는 제 2 홀이 관통된 제 1 절연막과;A first insulating layer interposed between the thin film transistor and the organic electroluminescent layer and having a second hole communicated with the first hole; 상기 유기전기발광층과 상기 화소전극 사이에 개재되며, 상기 제 1 및 제 2 홀과 연통되는 제 3 홀이 관통된 제 2 절연막A second insulating layer interposed between the organic electroluminescent layer and the pixel electrode and having a third hole communicating with the first and second holes therethrough; 을 더욱 포함하여, 상기 화소전극은 상기 제 1 내지 제 3 홀을 통해 상기 박막트랜지스터 드레인전극과 연결되는 액정표시장치The liquid crystal display device further includes a pixel electrode connected to the thin film transistor drain electrode through the first to third holes. 청구항 4에 있어서,The method according to claim 4, 상기 유기전기발광층은, The organic electroluminescent layer, 상기 박막트랜지스터를 향하는 하단의 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 또는 알루미늄 합금의 캐소드전극과;A cathode of aluminum (Al), calcium (Ca), or an aluminum alloy at the bottom facing the thin film transistor; 상기 캐소드전극과 대향하는 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide : IZO)의 애노드전극과;An anode electrode of indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO) facing the cathode electrode; 상기 캐소드전극과 상기 애노드전극 사이의 유기발광층An organic light emitting layer between the cathode electrode and the anode electrode 을 포함하는 액정표시장치Liquid crystal display comprising a 절연기판과; An insulating substrate; 절연기판 상에 제 1 금속박막을 증착한 후, 제 1 마스크 공정으로 게이트라인 및 게이트전극을 포함하는 제 1 금속패턴을 형성하는 단계와;Depositing a first metal thin film on an insulating substrate, and then forming a first metal pattern including a gate line and a gate electrode by a first mask process; 상기 제 1 금속패턴 상에 제 1 절연막을 형성하는 단계와;Forming a first insulating film on the first metal pattern; 상기 제 1 절연막 상에 비정질 실리콘 층을 형성하고, 상기 비정질 실리콘 상에 불순물을 도핑하여 얕은 불순물 비정질실리콘 층을 형성하는 단계와;Forming an amorphous silicon layer on the first insulating film, and doping an impurity on the amorphous silicon to form a shallow impurity amorphous silicon layer; 제 2 마스크공정으로 상기 비정질실리콘 층 및 상기 불순물 비정질 실리콘 층을 패턴하여, 상기 게이트전극을 덮는 섬모양의 반도체층을 형성하는 단계와;Patterning the amorphous silicon layer and the impurity amorphous silicon layer by a second mask process to form an island-like semiconductor layer covering the gate electrode; 상기 반도체층 상부로 제 2 금속박막을 증착한 후, 제 3 마스크 공정으로 상기 게이트전극과 오버랩된 상태로 서로 이격된 소스 및 드레인전극과, 상기 소스전극과 연결되는 데이터라인을 포함하는 제 2 금속박막패턴을 형성하는 단계와;After depositing a second metal thin film on the semiconductor layer, a second metal including a source and drain electrodes spaced apart from each other in an overlapping state with the gate electrode by a third mask process, and a data line connected to the source electrode Forming a thin film pattern; 상기 이격된 소스 및 드레인전극 사이로 노출된 상기 불순물 비정질실리콘층을 제거하는 단계와;Removing the impurity amorphous silicon layer exposed between the spaced source and drain electrodes; 상기 소스 및 드레인전극 상부로 보호막을 형성하는 단계와;Forming a passivation layer on the source and drain electrodes; 상기 보호막 상부로 제 3 금속박막을 증착한 후, 제 4 마스크공정으로 상기 드레인전극에 대응되는 보호막을 노출시키는 제 1 홀이 관통된 제 3 금속박막패턴을 형성하는 단계와;Depositing a third metal thin film on the passivation layer, and then forming a third metal thin film pattern through which a first hole through which the passivation layer corresponding to the drain electrode is exposed is formed by a fourth mask process; 상기 제 3 금속박막패턴 상부로 유기발광층을 형성하는 단계와;Forming an organic light emitting layer on the third metal thin film pattern; 상기 유기발광층 상부로 제 4 금속박막을 증착한 후, 제 5 마스크공정으로 상기 유기발광층을 관통하여 상기 제 1 홀과 연통되는 제 2 홀이 관통된 제 4 금속박막패턴을 형성하는 단계와;After depositing a fourth metal thin film on the organic light emitting layer, forming a fourth metal thin film pattern through which the second hole communicating with the first hole passes through the organic light emitting layer through a fifth mask process; 상기 제 4 금속박막패턴 상에 제 2 절연막을 형성하는 단계와;Forming a second insulating film on the fourth metal thin film pattern; 제 6 마스크 공정으로, 상기 제 2 절연막을 패턴하여 상기 제 1 및 제 2 홀과, 상기 보호막을 관통하여 상기 드레인전극을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계와;Patterning the second insulating film to form a contact hole through the protective layer to expose the drain electrode through a sixth mask process; 상기 제 2 절연막 상에 제 5 금속박막을 증착한 후, 제 7 마스크 공정으로 상기 드레인전극에 연결되며 상기 각 화소에 대응되는 제 5 금속박막패턴을 형성하는 단계Depositing a fifth metal thin film on the second insulating film, and then forming a fifth metal thin film pattern connected to the drain electrode by a seventh mask process and corresponding to each pixel; 를 포함하는 액정표시장치용 기판 제조방법Substrate manufacturing method for a liquid crystal display device comprising a 청구항 7에 있어서,The method according to claim 7, 상기 제 1 금속박막은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금, 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 또는 크롬(Cr) 중 선택된 하나이고, The first metal thin film is one selected from aluminum (Al), aluminum alloy, molybdenum (Mo), tungsten (W) or chromium (Cr), 상기 제 2 금속박막은 몰리브덴(Mo) 또는 크롬(Cr) 중 선택된 하나이며, The second metal thin film is one selected from molybdenum (Mo) or chromium (Cr), 상기 제 3 금속박막은 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 또는 알루미늄 합금 중 선택된 하나이고, The third metal thin film is one selected from aluminum (Al), calcium (Ca), or aluminum alloy, 상기 제 4 및 제 5 금속박막은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide : IZO) 중 선택된 하나인 액정표시장치용 기판 제조방법The fourth and fifth metal thin films are one selected from indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).
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