KR100486104B1 - Brush cleaner of a chemical-mechanical polisher - Google Patents
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Abstract
본 발명은 CMP 장비의 브러쉬 클리너에 관한 것으로서, 본체(20)의 내측으로 로딩된 웨이퍼(미도시)를 지지하는 지지로울러(30)와, 웨이퍼를 향해 케미컬을 분사하는 케미컬 분사노즐(40)과, 웨이퍼의 상.하측에 각각 위치하여 클리닝시 웨이퍼의 상.하측면에 각각 밀착되어 회전하는 상부 및 하부브러쉬(50,60)를 포함하는 CMP 장비의 브러쉬 클리너(10)에 있어서, 본체(20) 내측에 하부브러쉬(60)의 외측에서 그 상측으로 왕복 이동하도록 설치되며, 웨이퍼가 클리닝을 마치고서 지지로울러(30)로부터 언로딩됨과 아울러 하부브러쉬(60)가 정지시 하부브러쉬(60) 상측으로 이동하여 하부브러쉬(60)를 향하여 초순수를 분사하도록 하측면에 복수의 분사노즐(71)이 구비되는 클리닝 플레이트(70)를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명은 폴리싱을 마친 웨이퍼 뒷면에 밀착되어 웨이퍼를 클리닝하는 하부브러쉬에 부착된 파티클, 슬러리, 레지드 등을 제거함으로써 상부브러쉬에 대한 오염을 방지함과 아울러 클리닝시 웨이퍼 표면에 스크래치를 유발하는 것을 방지하며, 상부브러쉬에 부착된 파티클, 슬러리, 레지드 등도 제거하는 효과를 가지고 있다.The present invention relates to a brush cleaner of a CMP device, comprising a support roller (30) for supporting a wafer (not shown) loaded into the main body (20), a chemical spray nozzle (40) for injecting chemical toward the wafer, and In the brush cleaner 10 of the CMP apparatus, which includes upper and lower brushes 50 and 60 which are respectively positioned on the upper and lower sides of the wafer and are in close contact with the upper and lower sides of the wafer during cleaning, the main body 20 The inner side of the lower brush 60 is installed to reciprocate from the outside of the lower brush 60 to the upper side, and the wafer is unloaded from the support roller 30 after the cleaning is finished, and the lower brush 60 is stopped when the lower brush 60 is stopped. Moving to and characterized in that it comprises a cleaning plate 70 is provided with a plurality of injection nozzles 71 on the lower side to spray the ultrapure water toward the lower brush (60). Accordingly, the present invention removes particles, slurries, and residues adhered to the back surface of the polished wafer to clean the wafer, thereby preventing contamination of the upper brush and causing scratches on the surface of the wafer during cleaning. It also prevents the particles, slurry, and residues attached to the upper brush.
Description
본 발명은 CMP 장비의 브러쉬 클리너에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 폴리싱을 마친 웨이퍼 표면에 밀착되어 웨이퍼를 클리닝하는 상부 및 하부브러쉬에 부착된 파티클, 슬러리, 레지드 등을 제거하여 웨이퍼를 클리닝시 웨이퍼 표면에 스크래치를 유발하는 것을 방지하는 CMP 장비의 브러쉬 클리너에 관한 것이다.The present invention relates to a brush cleaner of a CMP device, and more particularly, to clean a wafer by removing particles, slurries, and residues attached to upper and lower brushes that adhere to the polished wafer surface and clean the wafer. It relates to a brush cleaner of the CMP equipment to prevent scratches on the surface.
최근에는, 웨이퍼가 대구경화됨에 따라 웨이퍼의 넓어진 면을 평탄화하기 위해서 화학적인 제거가공과 기계적인 제거가공을 하나의 가공방법으로 혼합한 화학적 기계적 연마(Chemical-Mechanical Polishing; 이하 "CMP"라 함) 공정이 널리 이용되고 있다. Recently, in order to planarize the widened surface of the wafer as the wafer is large-sized, chemical-mechanical polishing (hereinafter referred to as "CMP") is a combination of chemical removal and mechanical removal in a single processing method. The process is widely used.
CMP 공정이란 단차를 가진 웨이퍼 표면을 폴리싱 패드 위에 밀착시킨 후 연마제와 화학물질이 포함된 슬러리(slurry)를 웨이퍼와 폴리싱 패드 사이에 주입시켜 웨이퍼의 표면을 평탄화시키는 방식이다. In the CMP process, a wafer surface having a step is brought into close contact with a polishing pad, and a slurry containing abrasive and chemical is injected between the wafer and the polishing pad to planarize the surface of the wafer.
CMP 공정을 실시하는 장비에는 폴리싱을 마친 웨이퍼의 표면에 부착된 파티클, 슬러리, 레지드 등을 제거하기 위한 클리닝시스템이 구비된다.Equipment for the CMP process is equipped with a cleaning system for removing particles, slurries, residues, etc. adhered to the polished wafer surface.
클리닝 시스템은 웨이퍼 표면을 브러쉬로 세척하는 제 1 및 제 2 브러쉬 클리너(brush cleaner)와, 웨이퍼를 회전시키면서 그 표면에 잔존하는 케미컬을 제거하기 위해 초순수를 분사하여 린스후 건조시키는 스핀 린스 드라이어로 이루어진다.The cleaning system consists of a first and a second brush cleaner which cleans the wafer surface with a brush, and a spin rinse dryer that spins and rinses and dry ultrapure water to remove the chemical remaining on the surface while rotating the wafer. .
종래의 CMP 장비의 클리닝 시스템에서 브러쉬 클리너를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, the brush cleaner in the conventional cleaning system of the CMP equipment as follows.
도 1은 종래의 CMP 장비의 브러쉬 클리너를 개략적으로 도시한 사시도이다. 도시된 바와 같이, 종래의 CMP 장비의 브러쉬 클리너(1)는 상측이 개방된 본체(2)와, 본체(2) 내측에 각각 설치되는 복수의 지지로울러(3), 케미컬분사노즐(4), 그리고 상부 및 하부브러쉬(5,6)를 포함한다.1 is a perspective view schematically showing a brush cleaner of a conventional CMP apparatus. As shown in the drawing, the brush cleaner 1 of the conventional CMP apparatus includes a main body 2 having an open upper side, a plurality of support rollers 3, a chemical spray nozzle 4, respectively installed inside the main body 2, And upper and lower brushes 5 and 6.
본체(2)는 웨이퍼 이송아암(미도시)에 의해 복수의 지지로울러(3)로 웨이퍼(미도시)를 로딩/언로딩하도록 상측이 개방되도록 형성된다.The main body 2 is formed so that the upper side is opened to load / unload the wafer (not shown) to the plurality of support rollers 3 by the wafer transfer arm (not shown).
지지로울러(3)는 복수개로 이루어져 본체(2)의 바닥면에 원형을 이루도록 배열되어 설치되며, 웨이퍼 이송아암(미도시)에 의해 본체(2) 내측으로 로딩/언로딩되는 웨이퍼의 가장자리를 지지한다.The support rollers 3 are formed in plural and are arranged to form a circle on the bottom surface of the main body 2, and support the edges of the wafer loaded / unloaded into the main body 2 by a wafer transfer arm (not shown). do.
한편, 지지로울러(3)에 지지되는 웨이퍼는 앞면이 위로 향하고, 뒷면이 아래로 향하고 있다. On the other hand, the wafer supported by the support roller 3 is face up and face down.
케미컬분사노즐(4)은 본체(2)의 바닥면에 일정 높이로 설치되며, 클리닝시 지지로울러(3)에 의해 지지된 웨이퍼를 향해 케미컬을 분사한다.The chemical spray nozzle 4 is installed at a predetermined height on the bottom surface of the main body 2, and sprays the chemical toward the wafer supported by the support roller 3 during cleaning.
상부브러쉬(5)는 웨이퍼를 상부브러쉬아암(5a)에 의해 클리닝시 지지로울러(3)에 지지된 웨이퍼(W)의 외측으로부터 상측으로 이동하여 웨이퍼 상측면, 즉 앞면에 밀착되어 회전함으로써 웨이퍼의 상측면을 클리닝한다.The upper brush 5 moves the wafer from the outside of the wafer W supported by the support roller 3 to the upper side when the wafer is cleaned by the upper brush arm 5a, and rotates in close contact with the upper surface of the wafer, that is, the front surface of the wafer. Clean the upper side.
하부브러쉬(6)는 지지로울러(3)에 지지되는 웨이퍼의 하측에 회전가능하게 설치되며, 클리닝시 상측으로 상승하여 웨이퍼의 하측면, 즉 뒷면에 밀착하여 회전함으로써 웨이퍼 하측면을 클리닝한다.The lower brush 6 is rotatably installed on the lower side of the wafer supported by the support roller 3, and is cleaned upwards to clean the lower side of the wafer by rotating in close contact with the lower side of the wafer, that is, the rear side.
이와 같은, 종래의 CMP 장비의 브러쉬 클리너(1)는 웨이퍼의 클리닝후 하부브러쉬(6)가 상부브러쉬(5)에 비해 파티클, 슬러리, 레지드 등에 의해 오염되는 정도가 크다. As such, the brush cleaner 1 of the conventional CMP apparatus has a greater degree of contamination of the lower brush 6 after the cleaning of the wafer by the particles, the slurry, the resin, and the like than the upper brush 5.
이것은 폴리싱을 마친 웨이퍼는 뒷면이 앞면에 비해 파티클, 슬러리, 레지드 등이 많이 존재하기 때문이다. This is because the polished wafer has more particles, slurries, and residues on the back side than the front side.
따라서, 하부브러쉬(6)로부터 파티클, 슬러리, 레지드 등을 제거하여 하부브러쉬(6)가 상부브러쉬(5)와 함께 웨이퍼를 클리닝시 웨이퍼의 표면에 스크래치를 유발시키는 것을 방지할 필요성이 있었다.Therefore, there was a need to remove particles, slurry, resin, and the like from the lower brush 6 to prevent the lower brush 6 from causing scratches on the surface of the wafer when cleaning the wafer with the upper brush 5.
또한, 상부브러쉬(5)는 비록 웨이퍼의 클리닝후에는 하부브러쉬(6)에 비해 파티클, 슬러리, 레지드 등에 의해 오염이 적게 되지만, 브러쉬 클리너(1)가 공전(idle) 상태에서는 상부브러쉬(5)가 하부브러쉬(6)의 상측으로 이동후 하강하여 하부브러쉬(6)와 접한 상태에서 초순수를 분사하면서 회전하기 때문에 하부브러쉬(5)에 의해 오염된다.In addition, although the upper brush 5 is less contaminated by particles, slurries, and residues than the lower brush 6 after cleaning the wafer, the upper brush 5 is idle when the brush cleaner 1 is idle. ) Is contaminated by the lower brush (5) because it moves to the upper side of the lower brush (6) and then descends and rotates while spraying ultrapure water in contact with the lower brush (6).
따라서, 상부브러쉬(5)도 하부브러쉬(6)에 의해 오염된 파티클, 슬러리, 레지등 등을 제거함으로써 클리닝시 웨이퍼의 표면에 스크래치를 유발시키는 것을 방지할 필요성이 있었다.Therefore, it was necessary to prevent the upper brush 5 from causing scratches on the surface of the wafer during cleaning by removing particles, slurries, ledges and the like contaminated by the lower brush 6.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 필요성에 의한 것으로서, 본 발명의 목적은 폴리싱을 마친 웨이퍼 뒷면에 밀착되어 웨이퍼를 클리닝하는 하부브러쉬에 부착된 파티클, 슬러리, 레지드 등을 제거함으로써 상부브러쉬에 대한 오염을 방지함과 아울러 클리닝시 웨이퍼 표면에 스크래치를 유발하는 것을 방지하며, 상부브러쉬에 부착된 파티클, 슬러리, 레지드 등도 제거함으로써 웨이퍼를 클리닝시 웨이퍼 표면에 스크래치를 유발하는 것을 방지하는 CMP 장비의 브러쉬 클리너를 제공하는데 있다. The present invention is due to the need to solve the above-mentioned conventional problems, an object of the present invention is to adhere to the back surface of the polished wafer to remove the particles, slurry, resin, etc. attached to the lower brush for cleaning the wafer In addition to preventing contamination of the brush and preventing scratches on the wafer surface during cleaning, it also removes particles, slurries, and residues attached to the upper brush to prevent scratches on the wafer surface when cleaning the wafer. To provide a brush cleaner for CMP equipment.
이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은, 폴리싱을 마치고 웨이퍼 이송아암에 의해 본체의 내측으로 로딩된 웨이퍼를 지지하는 지지로울러와, 웨이퍼를 향해 케미컬을 분사하는 케미컬 분사노즐과, 웨이퍼의 상.하측에 각각 위치하여 클리닝시 웨이퍼의 상.하측면에 각각 밀착되어 회전하는 상부 및 하부브러쉬를 포함하는 CMP 장비의 브러쉬 클리너에 있어서, 본체 내측에 하부브러쉬의 외측에서 그 상측으로 왕복 이동하도록 설치되며, 웨이퍼가 클리닝을 마치고서 지지로울러로부터 언로딩됨과 아울러 하부브러쉬가 정지시 하부브러쉬 상측으로 이동하여 하부브러쉬를 향하여 초순수를 분사하도록 하측면에 복수의 분사노즐이 구비되는 클리닝 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is a support roller for supporting a wafer loaded into the main body by the wafer transfer arm after polishing, a chemical injection nozzle for injecting chemical toward the wafer, and the upper and lower sides of the wafer In the brush cleaner of the CMP equipment, which includes a top and a bottom brush that is located in each of the upper and lower brushes to be in close contact with the upper and lower sides of the wafer during cleaning, the brush cleaner is installed to reciprocate from the outside of the lower brush to the upper side, And a cleaning plate having a plurality of spray nozzles provided on the lower side of the wafer to be unloaded from the support roller after the cleaning and the lower brush moves upward when the lower brush stops to spray ultrapure water toward the lower brush. do.
이하, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.
도 2는 본 발명에 따른 CMP 장비의 브러쉬 클리너를 도시한 평면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 CMP 장비의 브러쉬 클리너의 클리닝 플레이트를 도시한 측면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 CMP 장비의 브러쉬 클리너의 클리닝 스테이지를 도시한 측면도이다.Figure 2 is a plan view showing a brush cleaner of the CMP apparatus according to the invention, Figure 3 is a side view showing a cleaning plate of the brush cleaner of the CMP apparatus according to the invention, Figure 4 is a brush of the CMP apparatus according to the invention It is a side view which shows the cleaning stage of a cleaner.
도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 CMP 장비의 브러쉬 클리너(10)는 폴리싱을 마치고 웨이퍼 이송아암(미도시)에 의해 본체(20)의 내측으로 로딩된 웨이퍼(미도시)를 지지하는 지지로울러(30)와, 웨이퍼를 향해 케미컬을 분사하는 케미컬 분사노즐(40)과, 웨이퍼의 상.하측에 각각 위치하여 클리닝시 웨이퍼의 상.하측면에 각각 밀착되어 회전하는 상부 및 하부브러쉬(50,60)와, 하부브러쉬(60) 정지시 하부브러쉬(60) 상측으로 이동하여 하측으로 초순수를 분사하는 클리닝 플레이트(70)를 포함한다.As shown, the brush cleaner 10 of the CMP apparatus according to the present invention finishes polishing and supports a wafer (not shown) that is loaded into the inside of the main body 20 by a wafer transfer arm (not shown) ( 30), a chemical spray nozzle 40 for injecting chemical toward the wafer, and upper and lower brushes respectively positioned on the upper and lower sides of the wafer and rotating in close contact with the upper and lower surfaces of the wafer during cleaning, respectively. And a cleaning plate 70 moving upwardly of the lower brush 60 and spraying ultrapure water downward when the lower brush 60 is stopped.
본체(20)와, 지지로울러(30)와, 케미컬 분사노즐(40)과, 상부 및 하부브러쉬(50,60)는 이미 종래에서 언급하였므로 설명을 생략하기로 한다.Since the main body 20, the support roller 30, the chemical injection nozzles 40, and the upper and lower brushes 50 and 60 have already been mentioned in the related art, description thereof will be omitted.
클리닝 플레이트(70)는 하측면 전체에 걸쳐 분사노즐(71)이 구비되며, 외부의 초순수공급부(미도시)로부터 제 1 공급라인(72)을 통해 내측으로 공급된 초순수를 분사노즐(71)을 통해 하측으로 분사한다.The cleaning plate 70 is provided with a spray nozzle 71 over the entire lower side, and the spray nozzle 71 is supplied with ultrapure water supplied inwardly through the first supply line 72 from an external ultrapure water supply unit (not shown). Spray downward through.
클리닝 플레이트(70)는 본체(20)의 일측에 접이식 지지바(73)에 의해 하부브러쉬(60)의 외측에서 그 상측으로 왕복 이동하도록 설치된다.The cleaning plate 70 is installed to reciprocate from the outside of the lower brush 60 to the upper side by the folding support bar 73 on one side of the main body 20.
접이식 지지바(73)는 내경이 점점 감소하는 복수의 중공바(73a,73b,73c)가 서로 슬라이딩 가능하도록 결합되어 접은 상태에서 클리닝 플레이트(70)를 하부브러쉬(60)의 외측에 위치하게 하는 한편, 펼친 상태에서 클리닝 플레이트(70)를 하부브러쉬(60)의 상측에 위치시킨다.Foldable support bar 73 is coupled to the plurality of hollow bars (73a, 73b, 73c) of the inner diameter is gradually reduced so that the cleaning plate 70 is located on the outside of the lower brush 60 in the folded state. On the other hand, the cleaning plate 70 is positioned above the lower brush 60 in the unfolded state.
접이식 지지바(73)는 내측으로 슬라이딩 가능하게 삽입되어 일단이 최소 직경을 가진 중공바(73c)에 고정됨과 아울러 타단이 모터(74)의 풀리(74a)에 감겨진 강성을 지닌 와이어(75)에 의해 접히거나 펼쳐진다.The foldable support bar 73 is slidably inserted inward so that one end is fixed to the hollow bar 73c having the smallest diameter and the other end of the wire 75 has rigidity wound around the pulley 74a of the motor 74. Folded or unfolded by
모터(74)는 본체(20)에 볼트(B)로 결합된 모터커버(76)에 의해 외측이 감싸지며, 모터커버(76)의 내측에 고정된다.The motor 74 is wrapped on the outside by the motor cover 76 coupled to the body 20 by bolts B, and is fixed to the inside of the motor cover 76.
한편, 대기 위치에 정지된 상부브러쉬(50)를 클리닝하기 위하여 상부브러쉬(50)가 대기하는 위치의 하측에 클리닝 스테이지(80)를 설치할 수 있다.On the other hand, in order to clean the upper brush 50 stopped in the standby position, the cleaning stage 80 may be installed below the position where the upper brush 50 waits.
클리닝 스테이지(80)는 외부의 초순수공급부(미도시)로부터 제 2 공급라인(81)을 통해 초순수를 공급받아 대기 위치에 정지된 상부브러쉬(50)를 향하여 상측으로 초순수를 분사하는 복수의 분사노즐(82)이 상측면에 구비된다.The cleaning stage 80 receives the ultrapure water from the external ultrapure water supply unit (not shown) through the second supply line 81 and sprays the ultrapure water upward toward the upper brush 50 stopped at the standby position. 82 is provided on the upper side.
또한, 상부브러쉬(50)가 대기 위치에 정지시 상부브러쉬(50)의 측부를 클리닝하기 위하여 클리닝 스테이지(80)의 상측에 클리닝 분사노즐(90)을 설치할 수 있다.In addition, the cleaning jet nozzle 90 may be installed above the cleaning stage 80 to clean the side of the upper brush 50 when the upper brush 50 is stopped at the standby position.
클리닝 분사노즐(90)은 외부의 초순수공급부(미도시)로부터 클리닝 스테이지(80)로 초순수를 공급하는 제 2 공급라인(81)에 연결되어 수직되게 설치되는 분사관(91)의 끝단에 구비된다.The cleaning spray nozzle 90 is provided at the end of the spray pipe 91 vertically connected to the second supply line 81 for supplying ultrapure water from an external ultrapure water supply unit (not shown) to the cleaning stage 80. .
이와 같은 구조로 이루어진 CMP 장비의 브러쉬 클리너의 동작은 다음과 같이 이루어진다.The operation of the brush cleaner of the CMP device having such a structure is performed as follows.
폴리싱을 마친 웨이퍼에 케미컬 분사노즐(40)로부터 케미컬을 분사하면서 상부 및 하부브러쉬(50,60)를 웨이퍼의 상측면 및 하측면에 밀착시킨 후 회전시킴으로써 클리닝을 실시한다.The cleaning is performed by rotating the upper and lower brushes 50 and 60 in close contact with the upper and lower surfaces of the wafer while spraying the chemical from the chemical spray nozzle 40 onto the polished wafer.
웨이퍼가 클리닝을 마치면 지지로울러(30)로부터 언로딩되고, 하부브러쉬(60)는 하측으로 하강하여 정지되며, 상부브러쉬(50)는 대기 위치로 이동하여 정지된다.When the wafer is finished cleaning, the support roller 30 is unloaded, the lower brush 60 is lowered downward and stopped, and the upper brush 50 is moved to the standby position and stopped.
이 때, 모터(74)는 구동하여 강성재질의 와이어(75)가 접이식 지지바(73)를 펼치도록 하여 클리닝 플레이트(70)를 하부브러쉬(50)의 상측으로 이동시키고, 외부의 초순수공급부(미도시)로부터 제 1 공급라인(72)을 통해 공급받아 분사노즐(71)을 통해 하측의 하부브러쉬(50)를 향해 초순수를 분사하여 하부브러쉬(50)에 부착된 파티클, 슬러리, 레지드 등을 제거한다.At this time, the motor 74 is driven to move the cleaning plate 70 to the upper side of the lower brush 50 by causing the rigid wire 75 to unfold the folding support bar 73, and the external ultrapure water supply unit ( Particles, slurry, resin, etc. attached to the lower brush 50 by spraying ultrapure water from the first supply line 72 through the injection nozzle 71 toward the lower lower brush 50. Remove it.
또한, 클리닝 스테이지(80)는 외부의 초순수공급부(미도시)로부터 제 2 공급라인(81)을 통해 초순수를 공급받아 상측의 상부브러쉬(60)를 향해 초순수를 분사하여 상부브러쉬(50)에 부착된 파티클, 슬러리, 레지드 등을 제거한다.In addition, the cleaning stage 80 receives ultrapure water through the second supply line 81 from an external ultrapure water supply unit (not shown) and sprays ultrapure water toward the upper brush 60 on the upper side and attaches the upper brush 50 to the upper brush 50. Removed particles, slurries, resins, etc.
클리닝 분사노즐(90)은 역시 외부의 초순수공급부(미도시)로부터 제 2 공급라인(81)을 통해 분사관(91)으로 공급되는 초순수를 상부브러쉬(50)의 측부를 향해 분사하여 상부브러쉬(50)의 측부에 부착된 파티클, 슬러리, 레지드 등을 제거한다.The cleaning spray nozzle 90 also sprays the ultrapure water supplied from the external ultrapure water supply unit (not shown) to the injection pipe 91 through the second supply line 81 toward the side of the upper brush 50 so that the upper brush ( Remove particles, slurries, and residues attached to the side of 50).
이상과 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 폴리싱을 마친 웨이퍼 뒷면에 밀착되어 웨이퍼를 클리닝하는 하부브러쉬에 부착된 파티클, 슬러리, 레지드 등을 제거함으로써 상부브러쉬에 대한 오염을 방지함과 아울러 클리닝시 웨이퍼 표면에 스크래치를 유발하는 것을 방지하며, 상부브러쉬에 부착된 파티클, 슬러리, 레지드 등도 제거함으로써 웨이퍼를 클리닝시 웨이퍼 표면에 스크래치를 유발하는 것을 방지한다.According to a preferred embodiment of the present invention as described above, by cleaning the wafer to remove the particles, slurry, and the like adhered to the lower back of the wafer to clean the wafer to prevent contamination on the upper brush and cleaning It also prevents scratches on the wafer surface and removes particles, slurries, and residues attached to the upper brush to prevent scratches on the wafer surface when cleaning the wafer.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 CMP 장비의 브러쉬 클리너는 폴리싱을 마친 웨이퍼 뒷면에 밀착되어 웨이퍼를 클리닝하는 하부브러쉬에 부착된 파티클, 슬러리, 레지드 등을 제거함으로써 상부브러쉬에 대한 오염을 방지함과 아울러 클리닝시 웨이퍼 표면에 스크래치를 유발하는 것을 방지하며, 상부브러쉬에 부착된 파티클, 슬러리, 레지드 등도 제거함으로써 웨이퍼를 클리닝시 웨이퍼 표면에 스크래치를 유발하는 것을 방지하는 효과를 가지고 있다.As described above, the brush cleaner of the CMP apparatus according to the present invention is in close contact with the back surface of the polished wafer to prevent contamination of the upper brush by removing particles, slurry, and residue attached to the lower brush for cleaning the wafer. In addition, it prevents scratches on the wafer surface during cleaning, and also removes particles, slurry, and residues attached to the upper brush, thereby preventing scratches on the wafer surface when cleaning the wafer.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 CMP 장비의 브러쉬 클리너를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is just one embodiment for carrying out the brush cleaner of the CMP apparatus according to the present invention, the present invention is not limited to the above embodiment, as claimed in the following claims of the present invention Without departing from the gist of the present invention, one of ordinary skill in the art will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.
도 1은 종래의 CMP 장비의 브러쉬 클리너를 도시한 평면도이고,1 is a plan view showing a brush cleaner of a conventional CMP equipment,
도 2는 본 발명에 따른 CMP 장비의 브러쉬 클리너를 도시한 평면도이고,2 is a plan view showing a brush cleaner of the CMP apparatus according to the present invention,
도 3은 본 발명에 따른 CMP 장비의 브러쉬 클리너의 클리닝 플레이트를 도시한 측면도이고,3 is a side view showing a cleaning plate of the brush cleaner of the CMP apparatus according to the present invention,
도 4는 본 발명에 따른 CMP 장비의 브러쉬 클리너의 클리닝 스테이지를 도시한 측면도이다.Figure 4 is a side view showing a cleaning stage of the brush cleaner of the CMP apparatus according to the present invention.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
20 : 본체 30 : 지지로울러20: main body 30: support roller
40 : 케미컬 분사노즐 50 : 상부브러쉬40: chemical spray nozzle 50: upper brush
60 : 하부브러쉬 70 : 클리닝 플레이트60: lower brush 70: cleaning plate
71 : 분사노즐 72 : 제 1 공급라인71: injection nozzle 72: the first supply line
73 : 접이식 지지바 73a,73b,73c : 중공바73: folding support bar 73a, 73b, 73c: hollow bar
74 : 모터 74a : 풀리74: motor 74a: pulley
75 : 와이어 76 : 모터커버75: wire 76: motor cover
80 : 클리닝 스테이지 81 : 제 2 공급라인80: cleaning stage 81: second supply line
82 : 분사노즐 90 : 클리닝 분사노즐82: spray nozzle 90: cleaning nozzle
91 : 분사관91: injection pipe
Claims (3)
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