KR100480745B1 - Method of manufacturing of diamond field emitter - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 홈이 파인 기판 위에 마이크로웨이브 PECVD법을 사용하여 다이아몬드를 증착시키는 필드 에미터용 다이아몬드 박막의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 상기 홈의 크기를 300㎛ 내지 1000㎛으로 형성하여 상기 홈에 대응되는 부분에 원뿔 홈이 형성된 원뿔 홈형의 다이아몬드 박막이 증착되도록 하는 점에 그 특징이 있다. 또한, 상기 홈의 크기를 10㎛ 내지 300㎛으로 형성하여 상기 기판과 접촉되는 원뿔 홈 주위에 돌출부가 형성된 튜브 화산형의 다이아몬드 박막이 증착되도록 할 수도 있다The present invention relates to a method for producing a diamond thin film for field emitters by depositing diamond on a grooved substrate using microwave PECVD, wherein the grooves are formed to have a size of 300 μm to 1000 μm to correspond to the grooves. It is characterized in that the conical groove-shaped diamond thin film in which the conical groove is formed is deposited. In addition, the groove may be formed to have a size of 10 μm to 300 μm to deposit a tube volcanic diamond thin film having a protrusion formed around the conical groove in contact with the substrate.
Description
본 발명은 전계방출 표시소자 등에 사용되는 필드 에미터용 다이아몬드 박막에 관한 것으로서, 특히 원뿔 홈 또는 돌출부를 갖는 원뿔 홈이 형성된 필드 에미터용 다이아몬드 박막에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a diamond thin film for field emitters used in field emission display devices and the like, and more particularly, to a diamond thin film for field emitters in which conical grooves having conical grooves or protrusions are formed.
필드 에미터(Field Emitter)는 현재 차세대 평판 표시 소자로서 주목받고 있는 전계방출 표시소자(Field Emission Display)의 전자 방출부로서 널리 사용되고 있으며, 일반적으로 어레이 형태로 구성된다. 이와 같은 필드 에미터는 그 주위에 강한 전기장이 형성되면 전자들을 방출한다. 이 때, 방출된 전자들에 의한 전류 밀도는 필드 에미터 주위에 형성되는 전기장의 세기에 비례하며, 이 전기장의 세기는 필드 에미터의 기하학적 형상에 영향을 받는다. 따라서, 일반적으로 전기장의 세기를 강하게 하기 위하여, 끝 부분이 뽀족한 첨탑 형상을 갖춘 금속 팁(tip) 형태의 필드 에미터를 주로 사용한다.Field emitters are widely used as electron emission units of field emission displays, which are currently drawing attention as next-generation flat panel display devices, and are generally configured in an array form. Such field emitters emit electrons when a strong electric field is formed around them. At this time, the current density by the emitted electrons is proportional to the strength of the electric field formed around the field emitter, which is influenced by the geometry of the field emitter. Therefore, in general, in order to increase the strength of the electric field, the field emitter in the form of a metal tip having a spire shape with a sharp tip is mainly used.
최근에는, 다이아몬드의 부 전자 친화도(Negative Electron Affinity; 이하 NEA)를 이용한 다이아몬드 박막 필드 에미터에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이론적으로, 다이아몬드에 적절한 세기의 전기장만 형성되면, 다이아몬드의 NEA에 의해 다이아몬드의 표면에서는 전자들이 방출된다. 또한, 다이아몬드는 약 0.2-0.3eV의 낮은 일함수를 갖기 때문에, 금속 팁 형태의 필드 에미터에 비하여 낮은 전기장의 세기에서도 전자들이 쉽게 방출되는 등 필드 에미터 재료로서 여러 가지 이점을 가지고 있다.Recently, researches on diamond thin film field emitters using diamond negative electron affinity (NEA) have been actively conducted. Theoretically, if only a suitable electric field is formed in the diamond, electrons are emitted from the diamond's surface by the diamond's NEA. In addition, since diamond has a low work function of about 0.2-0.3 eV, it has several advantages as a field emitter material, such that electrons are easily emitted even at low electric field strengths, compared to a field tip in the form of a metal tip.
종래에는 상기와 같은 다이아몬드 필드 에미터의 형상을 평판형 또는 팁 모양으로 제작하였다. 그런데, 상기 평판형 다이아몬드 필드 에미터는 턴-온(turn-on) 전압이 비교적 높고, 전류 밀도가 높지 않을 뿐만 아니라, 전자 방출에 있어서의 균일성이 떨어지는 단점이 있다. 그리고, 상기 팁 모양의 다이아몬드 필드 에미터는 에칭 등과 같은 복잡한 공정을 거쳐야 하므로 그 경제성이 떨어지며, 특히 다이아몬드는 물리적이나 화학적으로 매우 안정적이고 단단한 구조로 이루어져 있으므로, 여러 가지 식각액에 대하여 반응을 쉽게 일으키지 않는다.Conventionally, the shape of the diamond field emitter as described above was produced in a flat or tip shape. However, the flat diamond field emitter has a relatively high turn-on voltage, a high current density, and a poor uniformity in electron emission. In addition, since the tip-shaped diamond field emitter has to undergo a complicated process such as etching, its economical efficiency is low. In particular, since the diamond has a very stable physical and chemically stable structure, it does not easily react to various etching solutions.
따라서, 최근에는 실리콘 기판에 소정의 형상을 만들고, 그 형상에 따라 다이아몬드의 패턴이 자연스럽게 형성되도록 하는 주조법(molded process)이 큰 관심을 끌고 있다. 그런데, 상기 주조법은 기판으로서 사용하는 실리콘과 다이아몬드박막 사이의 불균일성으로 인하여, 실리콘 기판과 다이아몬드 박막 사이에 공백(void) 등과 같은 결함이 발생되어 필드 에미션 특성이 저하될 가능성이 있다.Therefore, recently, a molded process that makes a predetermined shape on a silicon substrate and naturally forms a diamond pattern according to the shape has attracted great attention. By the way, in the casting method, due to the nonuniformity between the silicon and the diamond thin film used as the substrate, defects such as voids may occur between the silicon substrate and the diamond thin film, thereby degrading the field emission characteristics.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위하여 창출된 것으로서, 원뿔 홈 또는 돌출부를 갖는 원뿔 홈이 형성된 필드 에미터용 다이아몬드 박막을 손쉽게 만드는 필드 에미터용 다이아몬드 박막의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to improve the above problems, and an object thereof is to provide a method for producing a diamond film for field emitters to easily create a diamond film for field emitters having a conical groove or a conical groove having a protrusion.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 필드 에미터용 다이아몬드 박막의 제조 방법은, 홈이 파인 기판 위에 마이크로웨이브 PECVD법을 사용하여 다이아몬드를 증착시키는 필드 에미터용 다이아몬드 박막의 제조 방법에 있어서, 상기 홈의 크기를 300㎛ 내지 1000㎛으로 형성하여 상기 홈에 대응되는 부분에 원뿔 홈이 형성된 원뿔 홈형의 다이아몬드 박막이 증착되도록 하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the method for producing a diamond film for field emitters according to the present invention, in the method for producing a diamond film for field emitters by depositing diamond on the grooved substrate using a microwave PECVD method, the grooves Forming a size of 300㎛ to 1000㎛ characterized in that the conical groove-shaped diamond thin film formed with a conical groove formed in the portion corresponding to the groove.
본 발명에 있어서, 상기 홈의 크기를 10㎛ 내지 300㎛으로 형성하여 상기 기판과 접촉되는 원뿔 홈 주위에 돌출부가 형성된 튜브 화산형의 다이아몬드 박막이 증착되도록 하는 것이 바람직하다.In the present invention, it is preferable to form the grooves having a size of 10 μm to 300 μm so as to deposit a tube volcanic diamond thin film having a protrusion formed around the conical groove in contact with the substrate.
상기 기판의 재료는 몰리브데늄(Mo)인 것이 바람직하다.The material of the substrate is preferably molybdenum (Mo).
상기 기판에 형성된 홈의 깊이는 1㎛ 이상이 되도록 하는 것을 바람직하다.Preferably, the depth of the groove formed in the substrate is 1 µm or more.
그리고 상기 기판의 상기 다이아몬드가 증착될 면을 연마하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하며, 이 경우에 1㎛ 크기의 다이아몬드 가루를 사용하여 연마를 수행하는 것이 바람직하다.And polishing the surface on which the diamond of the substrate is to be deposited. In this case, it is preferable to perform polishing using diamond powder having a size of 1 μm.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서, 본 발명에 따른 필드 에미터용 다이아몬드 박막의 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a diamond thin film for field emitter according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명에 따른 필드 에미터용 다이아몬드 박막의 제조 방법을 단계별로 나타내 보인 도면이다. 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 제조 방법은, 기판에 형성된 홈에 의해 다이아몬드 박막의 패턴이 형성되도록 하며, 특히 상기 홈의 크기에 따라 다이아몬드 박막의 패턴 형상을 다르게 한다는 점에 그 특징이 있다.1A to 1C are views showing step by step a method of manufacturing a diamond thin film for a field emitter according to the present invention. As shown, the manufacturing method according to the present invention is characterized in that the pattern of the diamond thin film is formed by the groove formed in the substrate, and in particular, the pattern shape of the diamond thin film is different according to the size of the groove.
이를 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.This will be described in more detail as follows.
먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이, 기판(1)에 일정한 크기를 갖는 홈(1h)을 형성시킨다. 기판(1)의 재료로는 몰리브데늄(Mo)를 사용하며, 홈(1h)은 식각법 등의 방법을 사용하여 형성한다. 기판(1)의 재료로서 몰리브데늄을 사용하는 이유는, 기판(1)과 그 위에 형성되는 다이아몬드 박막 사이의 결함들을 줄이고, 몰리브데늄과 다이아몬드와의 열팽창 계수의 큰 차이를 이용하여 다이아몬드 박막과 기판(1)과의 분리를 용이하게 하기 위한 것이다.First, as shown in FIG. 1A, a groove 1h having a predetermined size is formed in the substrate 1. Molybdenum (Mo) is used as the material of the substrate 1, and the groove 1h is formed using an etching method or the like. The reason for using molybdenum as the material of the substrate 1 is to reduce defects between the substrate 1 and the diamond thin film formed thereon, and to make use of the large difference in the coefficient of thermal expansion between molybdenum and diamond. This is for facilitating separation from the substrate 1.
상기 몰리브데늄 기판(1)에 형성된 홈(1h)의 깊이는 적어도 1㎛ 이상이 되도록 하여, 증착될 다이아몬드가 홈(1h)의 내부에는 증착되지 않도록 한다. 그리고, 홈(1h)의 크기에 따라 증착될 다이아몬드 박막의 형상이 달라지므로, 소망하는 다이아몬드 박막의 형상에 따라 적절한 크기를 갖도록 한다. 몰리브데늄 기판(1)에 소정 크기의 홈(1h)을 형성시킨 후에는, 몰리브데늄 기판(1)의 다이아몬드 박막이 증착될 면에 소정 크기, 예컨대 1㎛의 다이아몬드 가루를 사용한 연마 공정을 수 회 반복 수행하여, 후에 몰리브데늄 기판(1)과 다이아몬드 박막의 분리를 용이하게 하는 것이 바람직하다.The depth of the groove 1h formed in the molybdenum substrate 1 is at least 1 µm or more, so that diamonds to be deposited are not deposited inside the groove 1h. Further, since the shape of the diamond thin film to be deposited varies depending on the size of the groove 1h, the size of the diamond thin film to be appropriately made according to the shape of the desired diamond thin film. After the groove 1h having a predetermined size is formed in the molybdenum substrate 1, a polishing process using diamond powder having a predetermined size, for example, 1 µm, is formed on the surface on which the diamond thin film of the molybdenum substrate 1 is to be deposited. It is preferably repeated several times to facilitate the separation of the molybdenum substrate 1 and the diamond thin film later.
다음에는, 도 1b에 도시된 바와 같이, 다이아몬드를 몰리브데늄 기판(1)의 홈이 형성된 면에 증착하여 다이아몬드 박막(2)을 형성시킨다. 이 때, 다이아몬드 박막(2)에 일정한 형상의 패턴을 형성시키기 위하여, MPECVD(Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) 방법을 사용한다. 즉, 마이크로웨이브 플라즈마를 이용하여 홈(1h)이 형성된 기판(1) 상에 다이아몬드를 증착하면, 마이크로파의 특성으로 인하여 홈(1h) 내부에는 다이아몬드가 증착되지 않으며, 이에 따라 소정 형상의 패턴이 다이아몬드 박막에 형성된다.Next, as shown in FIG. 1B, diamond is deposited on the grooved surface of the molybdenum substrate 1 to form the diamond thin film 2. At this time, in order to form a pattern of a certain shape on the diamond thin film 2, MPECVD (Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) method is used. That is, when the diamond is deposited on the substrate 1 on which the grooves 1h are formed by using the microwave plasma, the diamonds are not deposited inside the grooves 1h due to the characteristics of the microwaves. It is formed on a thin film.
이와 같이, MPECVD 방법을 사용하여 몰리브데늄 기판(1) 위에 다이아몬드 박막(2)을 형성하는 과정을 도 2에 도시된 MPECVD 시스템 구성도를 참조하여 설명하기로 한다. 도 2를 참조하면, 챔버(10) 내에는 몰리브데늄 기판(1)을 고정시키기 위한 지지대(11)가 있으며, 이 지지대(11) 위에는 증착시 몰리브데늄 기판(1)의 온도 측정을 위한 열전대쌍(Thermocouple)(12)이 위치해 있다. 한편, 챔버(10)에는 챔버 내의 진공 유지를 위한 펌프(13)와, 가스원(14a)(14b)(14c)이 각각 연결되어 있으며, 증착 과정을 모니터링하기 위한 윈도우(15)가 챔버(10)의 양 측면에 설치되어 있다.Thus, the process of forming the diamond thin film 2 on the molybdenum substrate 1 using the MPECVD method will be described with reference to the MPECVD system configuration shown in FIG. Referring to FIG. 2, there is a support 11 for fixing the molybdenum substrate 1 in the chamber 10, and on the support 11 for measuring the temperature of the molybdenum substrate 1 during deposition. A thermocouple 12 is located. Meanwhile, the chamber 10 is connected with a pump 13 for maintaining a vacuum in the chamber, and gas sources 14a, 14b, and 14c, respectively, and a window 15 for monitoring a deposition process is provided in the chamber 10. It is installed on both sides of).
이와 같은 챔버(10) 내의 지지대(11) 위에 홈(1h)이 형성된 몰리브데늄 기판(1)을 위치시키고, 소정 비율로 메탄 가스(14a), 수소 가스(14b) 및 산소 가스(14c)를 챔버(10) 내로 인입한다. 그리고, 외부에서 고출력의 마이크로파를 챔버(10) 내로 인입시킨다. 인입된 마이크로파는 챔버(10) 내로 인입되는 수소 및 메탄 가스(14a, 14b)를 플라즈마 상태(15)로 변환시킨다. 이 플라즈마 상태(15)에서, 양이온으로 하전된 이온들과 음 전압이 인가된 몰리브데늄 기판(1) 사이에 높은 전위차가 형성되며, 이 전위차에 의해 다이아몬드의 핵이 몰리브데늄 기판(1)에 생성된다. 이 때, 몰리브데늄 기판(1)의 홈(1h) 내부에는 다이아몬드가 증착되지 않으므로, 도 3에 나타난 바와 같이, 증착되는 다이아몬드 박막(2)에는 일정한 형상의 패턴이 형성된다.The molybdenum substrate 1 in which the groove 1h is formed is placed on the support 11 in the chamber 10, and methane gas 14a, hydrogen gas 14b, and oxygen gas 14c are disposed at a predetermined ratio. It enters into the chamber 10. Then, high power microwaves are introduced into the chamber 10 from the outside. The introduced microwaves convert the hydrogen and methane gases 14a, 14b that enter the chamber 10 into a plasma state 15. In this plasma state 15, a high potential difference is formed between the positively charged ions and the molybdenum substrate 1 to which a negative voltage is applied, and the nucleus of diamond causes the molybdenum substrate 1 to be caused by the potential difference. Is generated. At this time, since no diamond is deposited inside the groove 1h of the molybdenum substrate 1, as shown in FIG. 3, a pattern having a predetermined shape is formed on the deposited diamond thin film 2.
그런데, 앞서 설명한 바와 같이, 다이아몬드 박막(2)에 형성되는 패턴의 형상은 몰리브데늄 기판(1)의 홈(1h)의 크기에 따라서 달라진다. 즉, 몰리브데늄 기판(1)의 홈(1h)의 크기가 300㎛ 내지 1000㎛인 경우에는 원뿔 홈이 형성된 다이아몬드 박막이 생성되며, 10㎛ 내지 300㎛ 정도이면 원뿔 홈이 형성되며, 특히 상기 기판과 접촉되는 원뿔 홈 주위에 돌출부가 형성된 다이아몬드 박막이 생성된다. 이 경우에, 상기 기판(1)에 형성된 홈(1h)의 크기가 너무 크면, 즉 수십 ㎜ 이상이 되면 홈(1h) 내부에 다이아몬드가 증착되어 원뿔 홈이 형성되지 않는다.However, as described above, the shape of the pattern formed on the diamond thin film 2 varies depending on the size of the groove 1h of the molybdenum substrate 1. That is, when the groove 1h of the molybdenum substrate 1 has a size of 300 μm to 1000 μm, a diamond thin film having a conical groove is formed, and when the size of the groove 1h is about 10 μm to 300 μm, a cone groove is formed. A diamond thin film is formed with protrusions around the conical grooves in contact with the substrate. In this case, if the groove 1h formed in the substrate 1 is too large, that is, several tens of mm or more, diamond is deposited inside the groove 1h so that conical grooves are not formed.
본 명세서에서 원뿔 홈형 다이아몬드 박막이라 함은 원뿔 홈이 형성된 다이아몬드 박막을 의미하며, 튜브 화산형 다이아몬드 박막이라 함은 그 주위에 돌출부를 갖는 원뿔 홈이 형성된 다이아몬드 박막을 의미한다.In the present specification, the conical grooved diamond thin film means a diamond thin film in which conical grooves are formed, and the tube volcanic diamond thin film means a diamond thin film in which conical grooves are formed.
상기와 같이 기판(1) 상에 원뿔 홈형 또는 튜브 화산형 다이아몬드 박막(2)이 증착된 후에는, 상기 기판(1)과 다이아몬드 박막(2)을 분리시킨다. 즉, 진공 챔버 내에서 다이아몬드 박막(2)이 형성된 몰리브데늄 기판(1)을 급속히 냉각시키면, 도 1c에 도시된 바와 같이, 몰리브데늄과 다이아몬드와의 열팽창 계수 차에 의해 몰리브데늄 기판(1)이 제거된 프리스탠딩(free-standing) 다이아몬드 박막(2)을 얻을 수 있다.After the conical groove or tube volcanic diamond thin film 2 is deposited on the substrate 1 as described above, the substrate 1 and the diamond thin film 2 are separated. That is, when the molybdenum substrate 1 on which the diamond thin film 2 is formed is rapidly cooled in the vacuum chamber, as shown in FIG. 1C, the molybdenum substrate ( A free-standing diamond thin film 2 from which 1) has been removed can be obtained.
도 4에는 본 발명에 따른 제조 방법에 의해 제조된 원뿔 홈형 다이아몬드 박막의 단면도가 도시되어 있다. 도 3을 참조하면, 상기 원뿔 홈형 다이아몬드 박막(3)은, 몰리브데늄 기판(1)과 접촉했던 면(이하, 아래면)(31)에 원뿔 홈(33)들이 형성된다. 이와 같은 필드 에미터용 다이아몬드 박막(3)의 윗면(32)에 음극을 부착하는 한편, 아래면(31)과 일정 거리가 이격된 곳에 양극을 배치시키고, 음극 및 양극 사이에 소정 전압을 인가하면, 필드 에미터용 다이아몬드 박막(3)의 아래면(31)에서는 전자들이 방출되며, 특히 원뿔 홈의 입구 둘레(311)에서 주로 전자들이 방출된다.4 is a cross-sectional view of a conical grooved diamond thin film produced by the manufacturing method according to the present invention. Referring to FIG. 3, in the conical groove-shaped diamond thin film 3, conical grooves 33 are formed on a surface (hereinafter, the lower surface) 31 that has been in contact with the molybdenum substrate 1. When the cathode is attached to the upper surface 32 of the diamond thin film 3 for field emitters as described above, the anode is disposed at a predetermined distance from the lower surface 31, and a predetermined voltage is applied between the cathode and the anode. Electrons are emitted from the underside 31 of the diamond film 3 for field emitters, especially electrons around the inlet perimeter 311 of the conical groove.
한편, 도 5에는 상기 튜브 화산형 다이아몬드 박막의 단면도가 도시되어 있으며, 도 6에는 튜브 화산형 다이아몬드 박막의 평면도가 도시되어 있으며, 그리고 도 7에는 튜브 화산형 다이아몬드 박막의 표면 형상이 나타내었다.5 is a cross-sectional view of the tube volcanic diamond thin film, FIG. 6 is a plan view of the tube volcanic diamond thin film, and FIG. 7 shows the surface shape of the tube volcanic diamond thin film.
도시된 바와 같이, 상기 원뿔 홈 둘레에 소정의 돌출부가 형성된 필드 에미터용 다이아몬드 박막(4)은, 몰리브데늄 기판(1)과 접촉했던 면(이하, 아래면)(41)에 원뿔 홈(43)들이 형성되며, 그 입구 가장자리에는 돌출부(411)가 형성된다. 이와 같은 필드 에미터용 다이아몬드 박막(4)의 윗면(42)에 음극을 부착하고, 아래면(41)과 일정 거리가 이격된 곳에 양극을 배치시키고, 음극 및 양극 사이에 소정 전압을 인가하면, 필드 에미터용 다이아몬드 박막(4)의 아래면(41)에서는 전자들이 방출되며, 특히 돌출부(411)에서 주로 전자들이 방출된다.As shown in the drawing, the diamond thin film 4 for field emitter having a predetermined protrusion formed around the conical groove has a conical groove 43 on a surface (hereinafter, referred to as below) 41 that has been in contact with the molybdenum substrate 1. ) Are formed, and a protruding portion 411 is formed at an inlet edge thereof. When the cathode is attached to the upper surface 42 of the diamond thin film 4 for field emitters, the anode is disposed at a predetermined distance from the lower surface 41, and a predetermined voltage is applied between the cathode and the anode. Electrons are emitted from the lower surface 41 of the diamond thin film 4 for emitter, especially electrons are emitted from the protrusion 411.
한편, 본 발명의 제조 방법에 의해 제조된 필드 에미터용 다이아몬드 박막의 필드 에미션 특성을 알아보기 위하여, 상기 다이아몬드 박막의 원뿔 홈이 형성된 면의 반대면에 금속 전극판(음극)을 형성시킨 후, 금속 전극판(양극)을 상기 원뿔 홈이 형성된 면과 일정 간격으로 이격하여 배치시켰다. 그리고, 두 금속 전극판 사이에 일정 크기의 전압을 인가한 후, 형성되는 전기장의 분포를 측정하여 그 결과를 도 8에 나타내었다. 한편, 비교예로서 다른 형상의 필드 에미터용 다이아몬드 박막에도 상기와 같은 조건 하에서 실험을 하여 그 결과를 도 9 내지 도 12에 각각 나타내었다.On the other hand, in order to find out the field emission characteristics of the diamond film for field emitter manufactured by the manufacturing method of the present invention, after forming a metal electrode plate (cathode) on the opposite side of the surface where the conical groove of the diamond film is formed, The metal electrode plate (anode) was disposed at regular intervals from the surface on which the conical grooves were formed. After applying a voltage having a predetermined magnitude between the two metal electrode plates, the distribution of the electric field formed is measured and the results are shown in FIG. 8. On the other hand, as a comparative example, the field thin film for field emitter diamond was tested under the same conditions as above, and the results are shown in Figs. 9 to 12, respectively.
즉, 도 9에는 평판형 다이아몬드 박막에서의 전기장의 분포가 도시되어 있으며, 도 10에는 팁 형상의 다이아몬드 박막에서의 전기장의 분포가 도시되어 있으며, 도 11에는 원통 팁 형상의 다이아몬드 박막에서의 전기장의 분포가 도시되어 있으며, 도 12에는 우물 홈 형상의 다이아몬드 박막에서의 전기장의 분포가 도시되어 있다. 도 8 내지 도 12에서 알 수 있듯이, 본 발명의 제조 방법에 의해 제조된 원뿔 홈형 다이아몬드 박막에서 가장 방향성이 향상된다는 사실을 알 수 있다.That is, FIG. 9 shows the distribution of the electric field in the flat diamond thin film, FIG. 10 shows the distribution of the electric field in the diamond-shaped tip thin film, and FIG. 11 shows the distribution of the electric field in the diamond thin film of the cylindrical tip shape. The distribution is shown, and FIG. 12 shows the distribution of the electric field in the well grooved diamond film. As can be seen from Figures 8 to 12, it can be seen that the most directivity is improved in the conical grooved diamond thin film produced by the manufacturing method of the present invention.
한편, 상기 실험에 의해 형성된 최대 전기장의 세기를 측정하여 아래의 표 1에 나타내었다.On the other hand, the intensity of the maximum electric field formed by the experiment is shown in Table 1 below.
상기 표 1에서 나타난 바와 같이, 본 발명의 제조 방법에 의해 제조된 원뿔 홈형 다이아몬드 박막의 최대 전기장의 세기가 가장 크다는 사실도 알 수 있다.As shown in Table 1, it can also be seen that the maximum electric field strength of the conical grooved diamond thin film produced by the manufacturing method of the present invention is the largest.
한편, 도 13에는 본 발명의 제조 방법에 의해 제조된 튜브 화산형 다이아몬드 박막의 인가 전압-전류 그래프가 도시되어 있다. 그리고, 도 14에는 비교예로서 평판형 다이아몬드 박막의 인가 전압-전류 그래프가 도시되어 있다.On the other hand, Figure 13 shows the applied voltage-current graph of the tube volcanic diamond thin film produced by the manufacturing method of the present invention. 14 shows an applied voltage-current graph of a flat diamond film as a comparative example.
상기 도 13에 나타난 전압 및 전류 레벨을 도 14에 나타난 것과 비교하면, 본 발명의 제조 방법에 의해 제조된 튜브 화산형 필드 에미터용 다이아몬드 박막에서 낮은 인가 전압과 높은 전류 밀도가 형성되어 필드 에미션 특성이 더 좋다는 사실을 알 수 있다.Comparing the voltage and current levels shown in FIG. 13 with those shown in FIG. 14, a low applied voltage and a high current density are formed in the diamond thin film for the tube volcanic field emitter manufactured by the manufacturing method of the present invention. You can see that this is better.
이상의 설명에서와 같이, 본 발명에 따른 필드 에미터용 다이아몬드 박막의 제조 방법에 의하면, 기판에 형성된 홈의 크기에 따라 다이아몬드 박막의 패턴을 용이하게 형성할 수 있으며, 특히 기판으로서 다이아몬드와의 열팽창 계수 차가 큰 몰리브데늄을 사용하므로서, 간단하게 프리스탠딩 다이아몬드 박막을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 제조 방법에 의해 형성된 원뿔 홈형 및 튜브 화산형 다이아몬드 박막은 그 필드 에미션 특성이 향상되므로 고품질의 전계방출 표시소자를 제조할 수 있다.As described above, according to the method for manufacturing a field emitter diamond thin film according to the present invention, the pattern of the diamond thin film can be easily formed according to the size of the groove formed in the substrate, and in particular, the thermal expansion coefficient difference with the diamond as the substrate By using large molybdenum, a free standing diamond thin film can be obtained simply. In addition, the conical groove and tube volcanic diamond thin films formed by the manufacturing method according to the present invention have improved field emission characteristics, thereby making it possible to manufacture high quality field emission display devices.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명에 따른 필드 에미터용 다이아몬드 박막의 제조 방법을 단계별로 나타낸 도면.1a to 1c is a step-by-step view showing a method of manufacturing a diamond film for field emitters according to the present invention.
도 2는 도 1b에 도시된 단계를 수행하기 위한 시스템 구성도.FIG. 2 is a system diagram for performing the steps shown in FIG. 1B. FIG.
도 3은 다이아몬드 박막에 형성된 원뿔 홈을 나타내 보인 도면.3 is a view showing a conical groove formed in the diamond thin film.
도 4는 본 발명에 따른 제조 방법에 의해 제조된 원뿔 홈형 다이아몬드 박막의 단면도.4 is a cross-sectional view of a conical grooved diamond thin film produced by the manufacturing method according to the present invention.
도 5는 본 발명에 따른 제조 방법에 의해 제조된 튜브 화산형 다이아몬드 박막의 단면도.5 is a cross-sectional view of a tube volcanic diamond thin film produced by the manufacturing method according to the present invention.
도 6은 본 발명에 따른 제조 방법에 의해 제조된 튜브 화산형 다이아몬드 박막의 평면도.6 is a plan view of a tube volcanic diamond thin film produced by the manufacturing method according to the present invention.
도 7은 본 발명에 따른 제조 방법에 의해 제조된 튜브 화산형 다이아몬드 박막의 표면 형상을 나타낸 AFM 사진.Figure 7 is an AFM photograph showing the surface shape of the tube volcanic diamond thin film produced by the manufacturing method according to the present invention.
도 8은 본 발명에 따른 제조 방법에 의해 제조된 원뿔 홈형 다이아몬드 박막의 전기장 분포를 나타내 보인 도면.8 is a view showing the electric field distribution of the conical groove-shaped diamond thin film produced by the manufacturing method according to the present invention.
도 9는 평판형 다이아몬드 박막의 전기장 분포를 나타내 보인 도면.9 is a view showing an electric field distribution of a flat diamond thin film.
도 10은 팁 형상의 다이아몬드 박막의 전기장 분포를 나타내 보인 도면.10 is a diagram showing an electric field distribution of a tip-shaped diamond thin film.
도 11은 원통 팁 형상의 다이아몬드 박막의 전기장 분포를 나타내 보인 도면.11 is a diagram showing an electric field distribution of a cylindrical thin film of diamond tip shape.
도 12는 원통 홈 형상의 다이아몬드 박막의 전기장 분포를 나타내 보인 도면.12 is a diagram showing an electric field distribution of a diamond thin film of cylindrical groove shape.
도 13은 본 발명에 따른 제조 방법에 의해 제조된 튜브 화산형 다이아몬드 박막의 인가전압-전류 관계를 나타내 보인 그래프.13 is a graph showing the applied voltage-current relationship of the tube volcanic diamond thin film produced by the manufacturing method according to the present invention.
도 14는 평판형 다이아몬드 박막의 인가전압-전류 관계를 나타내 보인 그래프.14 is a graph showing an applied voltage-current relationship of a flat diamond diamond thin film.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
1...몰리브데늄 기판 1h...홈Molybdenum substrate 1h
2...다이아몬드 박막 10...챔버2 ... diamond thin film 10 ... chamber
11...지지대 12...열전대쌍11 Supports 12 Thermocouple Pairs
13...펌프 14a, 14b, 14c...가스원13 Pumps 14a, 14b and 14c
15...윈도우 16...플라즈마 상태15 ... Windows 16 ... Plasma state
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Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPS61201693A (en) * | 1985-03-05 | 1986-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of diamond |
| JPH01319975A (en) * | 1988-06-21 | 1989-12-26 | Akio Hiraki | Blue light-emitting device |
| JPH08264111A (en) * | 1995-03-24 | 1996-10-11 | Agency Of Ind Science & Technol | Manufacture of cold electron emitting element |
| US5713775A (en) * | 1995-05-02 | 1998-02-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Field emitters of wide-bandgap materials and methods for their fabrication |
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1998
- 1998-03-10 KR KR1019980007918A patent/KR100480745B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61201693A (en) * | 1985-03-05 | 1986-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of diamond |
| JPH01319975A (en) * | 1988-06-21 | 1989-12-26 | Akio Hiraki | Blue light-emitting device |
| JPH08264111A (en) * | 1995-03-24 | 1996-10-11 | Agency Of Ind Science & Technol | Manufacture of cold electron emitting element |
| US5713775A (en) * | 1995-05-02 | 1998-02-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Field emitters of wide-bandgap materials and methods for their fabrication |
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| KR19990074374A (en) | 1999-10-05 |
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