KR100466640B1 - Photosensitive paste composition and method for forming fine line using it - Google Patents
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Abstract
본 발명은 감광성 페이스트 조성물 및 그를 이용한 미세라인 형성 방법에 관한 것으로, 감광성 페이스트 조성물은 (a)알루미나/코발트 알루미네이트로 이루어진 파우더 25-40 중량%,(b)글래스 프리트 25-40 중량%,(c)애시드 펜던트 노보락 에폭시 아크릴레이트를 주성분으로 하는 제 1 단량체 10-30 중량%,(d)카르복시 폴리에스테르 아크릴레이트를 주성분으로 하는 제 2 단량체 5-10 중량%,(e)광개시제 0.1-3 중량%,(f)분산제 0.25-1 중량%,(g)윤활제 0.1-0.5 중량%와,(h)솔벤트 0.1-25 중량%를 함유하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a photosensitive paste composition and a method for forming a fine line using the same, wherein the photosensitive paste composition comprises: (a) 25-40 wt% of powder consisting of alumina / cobalt aluminate, (b) 25-40 wt% of glass frit, ( c) 10-30% by weight of the first monomer mainly composed of acid pendant novolac epoxy acrylate, (d) 5-10% by weight of the second monomer mainly composed of carboxy polyester acrylate, (e) photoinitiator 0.1-3 Weight%, (f) 0.25-1 weight% of dispersant, (g) 0.1-0.5 weight% of lubricant, and (h) 0.1-25 weight% of solvent.
본 발명은 광개시제와 감광성 단량체의 비율을 최적화하여 사진식각공정을 하여 비아홀 혹은 미세라인을 형성할 시, 라인의 가장자리를 샤프하게 깨끗한 형태로 형성할 수 있어, 미세라인 및 비아홀의 특성을 향상시키고, 미세라인 및 비아홀 형성시 표준사양을 만족 할 수 있으며, 100um이하를 갖는 전극의 초 미세 라인을 형성할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, when the via hole or the fine line is formed by optimizing the ratio of the photoinitiator and the photosensitive monomer to form a via hole or a fine line, the edge of the line can be sharply formed in a clean shape, thereby improving the characteristics of the fine line and the via hole, When forming the fine lines and via holes can meet the standard specifications, there is an effect that can form an ultra-fine line of the electrode having less than 100um.
Description
본 발명은 감광성 페이스트 조성물 및 그를 이용한 미세라인 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 비아홀을 포함하는 미세라인의 가장자리(edge)를 샤프하게 할 수 있어, 고주파용 전극을 제작할 수 있는 감광성 페이스트 조성물 및 그를 이용한 미세라인 형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive paste composition and a method for forming a fine line using the same, and more particularly, to a photoresist paste composition capable of sharpening edges of a fine line including a via hole, thereby manufacturing an electrode for a high frequency. It relates to a fine line forming method using the same.
일반적으로, 디스플레이 패널 혹은 세라믹 적층 부품과 같은 전자부품에 사용되는 전극들은 전극 분말과 바인더 그리고 솔벤트를 혼합하여, 믹싱 장비를 이용하여 페이스트를 형성하였다.In general, electrodes used in electronic parts such as display panels or ceramic laminated parts are mixed with electrode powder, a binder, and a solvent to form a paste using a mixing equipment.
이렇게 페이스트를 형성한 후에, 전극 패턴이 디자인 되어있는 스크린 망사 위에 페이스트를 도포한 다음, 프린터로 프린팅하여 전극을 형성하였다.After the paste was formed in this way, the paste was applied onto the screen mesh on which the electrode pattern was designed, and then printed on a printer to form an electrode.
상기 서술된 종래의 전극 페이스트는 오직, 스크린 프린팅 방법만을 이용하여 전극을 형성하기 때문에, 100um이하의 미세 라인을 형성하기 어렵고, 형성된 전극의 라인 가장자리가 깨끗하지 못하여 전극의 특성을 저하시키고, 전극 배열의 표준사양을 만족시키지 못하는 단점이 있었다.Since the above-mentioned conventional electrode pastes form electrodes only using the screen printing method, it is difficult to form fine lines of 100 μm or less, the line edges of the formed electrodes are not clean, and the characteristics of the electrodes are degraded, and the electrode arrangement There was a disadvantage of not satisfying the standard specification of.
따라서, 종래의 스크린 프린팅 방법 및 그의 페이스트로는 경박단소화를 추구하는 고주파 전자부품의 미세 라인을 갖는 전극과 같은 신기술의 부품에 적용되는 초 미세 라인을 형성할 수가 없었다.Therefore, the conventional screen printing method and paste thereof have not been able to form ultra fine lines applied to components of new technologies such as electrodes having fine lines of high frequency electronic components in pursuit of light and small size reduction.
이에 본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해소시키기 위하여 안출된 것으로, 광개시제와 감광성 단량체의 비율을 최적화하여 사진식각공정을 하여 비아홀 혹은 미세라인을 형성할 시, 가장자리를 깨끗이 할 수 있어, 미세라인 및비아홀의 특성을 향상시키고, 미세라인 및 비아홀 형성시 표준사양을 만족 할 수 있는 감광성 페이스트 조성물을 제공하는 데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, and when the via hole or the fine line is formed by performing a photolithography process by optimizing the ratio of the photoinitiator and the photosensitive monomer, the edges can be cleaned, and fine The purpose of the present invention is to improve the characteristics of lines and via holes, and to provide a photosensitive paste composition capable of satisfying standard specifications when forming fine lines and via holes.
본 발명의 또 다른 목적은 광개시제와 감광성 단량체의 비율을 최적화하고, 사진식각 공정을 수행하여 비아홀을 포함한 미세라인의 가장자리를 깨끗이 할 수 있고, 전극의 초 미세 라인을 형성할 수 있는 감광성 페이스트 조성물을 이용한 미세 라인 형성 방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to optimize the ratio of the photoinitiator and the photosensitive monomer, and to perform a photolithography process to clean the edges of the fine lines including via holes, and to form a photosensitive paste composition capable of forming ultra fine lines of the electrode. It is to provide a fine line forming method used.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 감광성 페이스트 조성물은 (a)알루미나/코발트 알루미네이트로 이루어진 파우더 25-40 중량%,(b)글래스 프리트 25-40 중량%,(c)애시드 펜던트 노보락 에폭시 아크릴레이트를 주성분으로 하는 제 1 단량체 10-30 중량%,(d)카르복시 폴리에스테르 아크릴레이트를 주성분으로 하는 제 2 단량체 5-10 중량%,(e)광개시제 0.1-3 중량%,(f)분산제 0.25-1 중량%, (g)윤활제 0.1-0.5 중량%와,(h)솔벤트 0.1-25 중량%이 함유된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the photosensitive paste composition of the present invention (a) 25-40% by weight of powder consisting of alumina / cobalt aluminate, (b) 25-40% by weight of glass frit, (c) acid pendant novolac epoxy 10-30% by weight of the first monomer mainly composed of acrylate, (d) 5-10% by weight of second monomer mainly composed of carboxy polyester acrylate, (e) 0.1-3% by weight of photoinitiator, (f) dispersant 0.25-1 wt%, (g) 0.1-0.5 wt% lubricant, and (h) 0.1-25 wt% solvent.
본 발명의 다른 목적에 의한 감광성 페이스트 조성물을 이용한 미세라인 형성 방법은 (a)알루미나/코발트 알루미네이트로 이루어진 파우더 25-40 중량%,(b)글래스 프리트 25-40 중량%,(c)엑시드 펜던트 노보락 에폭시 아크릴레이트를 주성분으로 하는 제 1 단량체 10-30 중량%,(d)카르복시 폴리에스테르 아크릴레이트를 주성분으로 하는 제 2 단량체 5-10 중량%,(e)광개시제 0.1-3 중량%,(f)분산제 0.25-1 중량%,(g)윤활제 0.1-0.5 중량%와,(h)솔벤트 0.1-25 중량%를 함유하는 감광성 페이스트를 스크린 프린팅하는 제 1 단계와;According to another object of the present invention, a method for forming a fine line using the photosensitive paste composition includes (a) 25-40 wt% of a powder consisting of alumina / cobalt aluminate, (b) 25-40 wt% of glass frit, and (c) an acid pendant 10-30% by weight of the first monomer having a novolak epoxy acrylate as a main component, (d) 5-10% by weight of the second monomer having a carboxy polyester acrylate as a main component, (e) 0.1-3% by weight of a photoinitiator, ( f) a first step of screen printing a photosensitive paste containing 0.25-1% by weight of dispersant, (g) 0.1-0.5% by weight of lubricant, and (h) 0.1-25% by weight of solvent;
상기 스크린 프린팅된 감광성 페이스트를 건조시키는 제 2 단계와;Drying the screen printed photosensitive paste;
상기 건조된 감광성 페이스트의 상부에 미세 라인 패턴이 형성된 마스크를 올려놓고, 노광하는 제 3 단계와;Placing a mask on which the fine line pattern is formed on the dried photosensitive paste and exposing the mask;
상기 마스크를 제거하고, 노광된 감광성 페이스트를 식각하여 미세 라인을 형성하는 제 4 단계로 이루어짐을 특징으로 한다.And removing the mask and etching the exposed photosensitive paste to form a fine line.
도 1은 본 발명에 의한 감광성 페이스트 조성물을 이용한 미세라인 공정 흐름도를 도시한 구성도이다.1 is a block diagram showing a flow chart of a fine line using the photosensitive paste composition according to the present invention.
도 2a 내지 2b는 본 발명에 의한 감광성 페이스트로, 미세라인과 비아홀들을 형성한 광학 사진들이다.2A to 2B are photosensitive pastes according to the present invention, and are optical photographs in which fine lines and via holes are formed.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
11,13 : 100um 비아홀 12 : 150um 비아홀11,13: 100um via hole 12: 150um via hole
d1 : 150um의 쐐기 모양 패턴의 라인폭d1: line width of wedge pattern of 150um
d2 : 300um의 쐐기 모양 패턴의 라인폭d2: line width of wedge pattern of 300um
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 의한 감광성 페이스트 조성물을 이용한 미세라인 공정 흐름도를 도시한 구성도로써, (a)알루미나/코발트 알루미네이트로 이루어진 파우더 25-40 중량%,(b)글래스 프리트 25-40 중량%,(c)애시드 펜던트 노보락 에폭시 아크릴레이트를 주성분으로 하는 제 1 단량체 10-30 중량%,(d)카르복시 폴리에스테르 아크릴레이트를 주성분으로 하는 제 2 단량체 5-10 중량%,(e)광개시제 0.1-3 중량%,(f)분산제 0.25-1 중량%,(g)윤활제 0.1-0.5 중량%와,(h)솔벤트 0.1-25 중량%의 각 재료들을 준비하고, 상기의 알루미나/코발트 알루미네이트로 이루어진 파우더, 제 1,2 단량체들, 광개시제, 분산제, 윤활제와 솔벤트가 고르게 혼합되고, 분말이 응집체로 존재하는 것을 분산키기기 위하여, 3-roll mill M/C의 장비를 이용하여, 1차 혼합한다.1 is a block diagram showing a micro-line process flow using the photosensitive paste composition according to the present invention, (a) 25-40% by weight of powder consisting of alumina / cobalt aluminate, (b) 25-40% by weight of glass frit (c) 10-30% by weight of the first monomer mainly composed of acid pendant novolac epoxy acrylate, (d) 5-10% by weight of the second monomer mainly composed of carboxy polyester acrylate, (e) photoinitiator 0.1 -3% by weight, (f) 0.25-1% by weight of dispersant, (g) 0.1-0.5% by weight of lubricant, and (h) 0.1-25% by weight of solvent, and prepared with the alumina / cobalt aluminate Powder, first and second monomers, photoinitiator, dispersant, lubricant and solvent are mixed evenly, and the primary mixing, using the equipment of 3-roll mill M / C to disperse that the powder is present in the aggregate do.
그런 다음, 1차 혼합시 포함되는 페이스트 내부의 기포를 제거하도록, 페이스트를 교반시켜 완전한 혼합이 이루어지게 혼합기를 이용하여 2차 혼합하면, 본발명의 감광성 페이스트 조성물이 완성된다.Then, the second photosensitive paste composition of the present invention is completed by agitating the paste so that the bubbles inside the paste included in the first mixing are mixed to achieve complete mixing.
상기의 감광성 페이스트 조성물을 스크린 프린팅하고, 상기 스크린 프린팅된 감광성 유전체 페이스트를 80℃ 오븐에서 약 10분 건조시키고, 상기 건조된 감광성 유전체 페이스트의 상부에 미세라인 패턴이 형성된 마스크를 올려놓고 노광시키고, 상기 마스크를 제거한 다음, 노광된 감광성 유전체 페이스트를 1% Na2CO3용액으로 식각하여 미세라인을 형성한다.Screen-printing the photosensitive paste composition, drying the screen printed photosensitive dielectric paste in an oven at 80 ° C. for about 10 minutes, placing a mask on which a microline pattern is formed on the dried photosensitive dielectric paste, and exposing the same. After removing the mask, the exposed photosensitive dielectric paste is etched with a 1% Na 2 CO 3 solution to form fine lines.
여기서, 광개시제는 노광공정에 따른 자외선(UV) 조사시 페이스트를 라디칼(Radical)로 형성하게 하고, 상기의 제 1, 2 단량체는 기판에 형성되는 미세라인이 기판과의 원활한 밀착을 위하여 상기 광개시제에 의해 가교(Crosslinking)되는 감광성 바인더들이다.Here, the photoinitiator allows the paste to be formed radically upon irradiation with ultraviolet (UV) light according to an exposure process, and the first and second monomers are formed on the photoinitiator in order to closely adhere the fine lines formed on the substrate to the substrate. Photosensitive binders that are crosslinked.
그리고, 상기 파우더, 글래스 프리트, 분산제, 윤활제와 솔벤트는 페이스트가 용이하게 프린트되게 하는 첨가제들이다.The powders, glass frits, dispersants, lubricants and solvents are additives that allow the paste to be easily printed.
본 발명의 제 1 내지 3 실시예들에서는 감광성 페이스트의 각 재료들의 성분들을 표 1 내지 3에 제시된 바와 같이 조성하여 미세라인(fineline)과 비아홀(viahole)을 형성하였다.In the first to third embodiments of the present invention, the components of the respective materials of the photosensitive paste were formed as shown in Tables 1 to 3 to form fine lines and via holes.
특히, 상기 제 1 내지 3 실시예들에 조성된 감광성 페이스트의 각 재료들의 성분들은 동일한 특성을 갖도록 하고, 제 1, 2 단량체들과 광개시제의 조성비율을 최적화시키고, 제 1, 2 단량체들의 성분을 변화시켜, 최적의 해상도(resolution)를 나타낼 수 있는 미세라인과 비아홀의 사이즈를 측정하였다.In particular, the components of the materials of the photosensitive paste prepared in the first to third embodiments have the same characteristics, optimize the composition ratio of the first and second monomers and the photoinitiator, and adjust the components of the first and second monomers. By changing, the size of the fine line and the via hole which can show the optimal resolution was measured.
이들 실시예들의 광개시제(Photo initiator)는 하이드록시 디메틸 아세토페논(Hydroxy dimethyl acetophenone)을 주성분으로 하고, 분자량(M.W)은 164.2를 가지고 있으며, 비등점(Boiling point)은 3-5 Torr 압력에서 105-115℃이며, 자외선 흡수파 길이는 265-280 nm와 320-335 nm인 2범위를 갖는다.The photo initiator of these examples is based on hydroxy dimethyl acetophenone, has a molecular weight (MW) of 164.2 and a boiling point of 105-115 at 3-5 Torr pressure. And the ultraviolet absorption wave length has two ranges of 265-280 nm and 320-335 nm.
상기 비등점은 페이스트가 프린트된 후, 건조 온도와 시간을 결정하는 요소이고, 이 건조 온도와 시간은 미세라인의 선폭과 라인에지 형성에 영향을 미치는 중요한 요소이며, 본 발명은 광개시제의 비등점을 105-115℃의 범위를 갖도록 함으로서, 미세라인의 가장자리를 깨끗하고 샤프한 형태를 갖도록 형성 할 수 있었다.The boiling point is a factor that determines the drying temperature and time after the paste is printed, and this drying temperature and time is an important factor influencing the line width and line edge formation of the fine line, and the present invention is directed to the boiling point of the photoinitiator. By having a range of 115 ℃, it was possible to form the edge of the fine line to have a clean and sharp shape.
그리고, 제 1 단량체(Monomer)는 애시드 펜던트 노보락 에폭시 아크릴레이트(Acid pendant novolac epoxy acrylate)를 주성분으로 하며, 분자량(M.W)은 1000을 가지고, 애시드 밸류(Acid value)는 60-70 mg KOH/g이고, 점도(Viscosity)는 25℃에서 40000-60000 cps이고, 60% 고체상태이며, 에틸 카비탈 아세테이트(Ethyl carbitol acetate)와 아로마틱 하이드로카본(Aromatic hydrocarbon)이 1:1 비율로 이루어진 솔벤트가 총 중량중 40중량%를 갖는 주식회사 미원상사 제품인 SC-6000을 사용하였다.In addition, the first monomer (Monomer) is based on the acid pendant novolac epoxy acrylate (Acid pendant novolac epoxy acrylate), the molecular weight (MW) has a 1000, the acid value (Acid value) is 60-70 mg KOH / g, Viscosity is 40000-60000 cps at 25 ° C., 60% solids, and a total ratio of solvents comprising 1: 1 ratio of ethyl carbitol acetate and aromatic hydrocarbons. SC-6000, a product of Miwon Co., Ltd. having 40% by weight in weight was used.
또한, 제 2 단량체(Monomer)는 카르복시 폴리에스테르 아크릴레이트(Carboxy polyester acrylate)를 주성분으로 하며, 분자량(M.W)은 230을 가지고, 애시드 밸류(Acid value)는 250 mg KOH/g이고, 점도(Viscosity)는 25℃에서 200 cps이고, 100% 고체상태인 주식회사 미원상사 제품인 SC-6630을 사용하였다.In addition, the second monomer (Monomer) is based on carboxy polyester acrylate (Carboxy polyester acrylate), the molecular weight (MW) has a 230, the acid value (Acid value) is 250 mg KOH / g, viscosity (Viscosity ) Was used at 60 ° C. at 25 ° C., and SC-6630, manufactured by Miwon Co., Ltd., which was 100% solid.
그리고, 글래스 프리트(Glass Frit)는 Asahi glass사의 ASF103H을 사용하였고, 분산제는 Rohm & Haas사의 KD-1을 사용하였으며, 윤활제는 Signa Aldrich사의 Oleic Aicd 제품을 이용하였다.Glass frit used ASF103H from Asahi glass, dispersant used KD-1 from Rohm & Haas, and Oleic Aicd from Signa Aldrich.
표 1. 본 발명의 제 1 실시예에 따른 감광성 페이스트의 성분 조성Table 1. Component Composition of Photosensitive Paste According to First Embodiment of the Present Invention
본 발명의 제 1 실시예에서는 제 1 단량체를 27중량%, 제 2 단량체를 2중량%와 광개시제를 3중량%로 조성하여 감광성 페이스트를 제조하였고, 이렇게 제조된 감광성 페이스트를 프린팅한 다음, 사진식각 공정을 수행하면, 최적의 해상도를 갖는 70~120um 정도 사이즈의 미세라인을 형성할 수 있고, 100um정도 사이즈의 비아홀(via hole)을 형성할 수 있다.In the first exemplary embodiment of the present invention, a photosensitive paste was prepared by preparing 27 wt% of the first monomer, 2 wt% of the second monomer, and 3 wt% of the photoinitiator, and then printed the photosensitive paste. By performing the process, it is possible to form a fine line of about 70 ~ 120um size having an optimal resolution, and to form a via hole of about 100um size.
표 2. 본 발명의 제 2 실시예에 따른 감광성 페이스트의 성분 조성Table 2. Component Composition of Photosensitive Paste According to Second Embodiment of the Present Invention
본 발명의 제 2 실시예에서의 감광성 페이스트는 제 1 단량체를 25중량%, 제 2 단량체를 4중량%와 광개시제를 3중량%로 조성하였고, 이를 프린팅한 다음, 사진식각 공정을 수행하면, 최적의 해상도를 갖는 80~140um 정도 사이즈의 미세라인을 형성할 수 있고, 100um정도 사이즈의 비아홀(via hole)을 형성할 수 있다.The photosensitive paste according to the second embodiment of the present invention was composed of 25% by weight of the first monomer, 4% by weight of the second monomer, and 3% by weight of the photoinitiator. It is possible to form a fine line having a resolution of about 80 ~ 140um size, and to form a via hole of about 100um size.
표 3. 본 발명의 제 3 실시예에 따른 감광성 페이스트의 성분 조성Table 3. Component Composition of Photosensitive Paste According to Third Embodiment of the Present Invention
그리고, 상기 표 3에 나타난 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시예에서는 제 1 단량체를 23중량%, 제 2 단량체를 6중량%와 광개시제를 3중량%로 조성하였고, 이렇게 조성된 감광성 페이스트를 프린팅한 다음, 사진식각 공정을 수행하면, 최적의 해상도를 갖는 100~150um 정도 사이즈의 미세라인을 형성할 수 있고, 150um정도 사이즈의 비아홀(via hole)을 형성할 수 있다.As shown in Table 3, in the third embodiment of the present invention, 23 wt% of the first monomer, 6 wt% of the second monomer, and 3 wt% of the photoinitiator were prepared, and the photosensitive paste thus prepared was printed. Then, by performing a photolithography process, it is possible to form a fine line having a size of about 100 ~ 150um having an optimal resolution, and to form a via hole of about 150um size.
상기 본 발명의 제 1 내지 3 실시예들의 사진식각 공정은 동일한 공정 조건으로 수행하였고, 특히, 50-90mj/cm2의 노광속도와 1중량% 소듐 카보네이트(Na2CO3) 용액(Water Solution)으로 현상하여 미세라인과 비아홀을 형성하였다.The photolithography process of the first to third embodiments of the present invention was carried out under the same process conditions, and in particular, an exposure rate of 50-90mj / cm 2 and a 1 wt% sodium carbonate (Na 2 CO 3 ) solution (Water Solution) Developed to form fine lines and via holes.
이와 같이, 상기 제 1 내지 3 실시예에 나타난 바와 같이, 제 1, 2 단량체들과 광개시제의 조성비율을 최적화시키고, 제 1, 2 단량체들의 성분을 변화시키면, 미세라인과 비아홀이 최적의 해상도를 갖으며, 형성 될 수 있는 사이즈의 범위가 변화되는 것을 알 수 있다.As such, as shown in the first to third embodiments, by optimizing the composition ratio of the first and second monomers and the photoinitiator, and changing the components of the first and second monomers, the fine lines and the via holes may achieve the optimal resolution. It can be seen that the range of size that can be formed is changed.
따라서, 본 발명의 감광성 페이스트를 제조하여 미세라인과 비아홀을 형성하기 위한 제 1, 2 단량체들과 광개시제의 조성비율은 29:3 정도가 최적임을 알 수 있다.Therefore, it can be seen that the composition ratio of the first and second monomers and the photoinitiator for forming the photosensitive paste of the present invention to form fine lines and via holes is about 29: 3.
도 2a 내지 2d는 본 발명에 의한 감광성 페이스트로 형성된 미세라인과 비아홀을 니콘(Nikon)사의 광학현미경(Optical microscope)을 이용하여 촬영한 광학 사진들이다. 도 2a는 100,150과 200um 사이즈로 형성된 비아홀(11,12,13)들을 40배로 확대 촬영한 광학사진이고, 도 2b는 본 발명의 감광성 페이스트로 쐐기 모양의 패턴이 형성된 것을 40배로 확대 촬영한 광학사진이며, 150um의 쐐기 모양 패턴의 라인폭(d1)과 300um의 라인폭(d2)과 같이, 30-400um의 라인 폭을 갖는 쐐기 모양의 패턴을 본 발명의 감광성 페이스트로 형성하는 것이 가능하였고, 라인의 가장자리가 깨끗한 샤프한 형태를 나타내고 있다.2A through 2D are optical photographs of fine lines and via holes formed of the photosensitive paste according to the present invention using an optical microscope manufactured by Nikon. FIG. 2A is an optical photograph of 40 times magnification of via holes 11, 12, and 13 formed in 100, 150 and 200 um sizes, and FIG. 2B is an optical photograph of 40 times magnification of a wedge-shaped pattern formed of the photosensitive paste of the present invention. It was possible to form a wedge-shaped pattern having a line width of 30-400 um with the photosensitive paste of the present invention, such as a line width d1 of a 150 um wedge pattern and a line width d2 of 300 um. The edge of is showing a beautiful sharp form.
도 2c는 70-120um의 라인 폭을 갖는 직선 미세라인 패턴을 형성한 것을 40배확대 배율로 촬영한 것으로, 사진의 우측에 촬영된 바와 같이 70, 80, 90, 110과 120um의 라인폭으로 사진의 좌측에 형성된 직선 미세라인 패턴들이 형성되어 있다. 역시 직선 미세라인의 가장자리는 샤프(Sharp)한 것을 알 수 있다.FIG. 2C is a 40-fold magnification of forming a straight fine line pattern having a line width of 70-120 um. As shown on the right side of the picture, the photo is taken at a line width of 70, 80, 90, 110, and 120 um. Straight fine line patterns formed on the left side of the substrate are formed. Again, it can be seen that the edges of the straight fine lines are sharp.
도 2d는 본 발명의 감광성 페이스트로 형성된 100um의 비아홀(13)을 400배 확대 배율로 촬영한 것이며, 비아홀(13)의 가장자리는 깨끗한 원형의 형태로 형성되어 있는 것을 알 수 있다.FIG. 2D is a photograph of a 100 μm via hole 13 formed of the photosensitive paste of the present invention at 400 times magnification, and it can be seen that the edge of the via hole 13 is formed in a clean circular shape.
이와 같이 본 발명의 감광성 유전체 페이스트는 사진 식각 공정을 이용하여, 100um이하의 초 미세라인을 갖는 이동통신용 부품의 전극과 PDP(Plasma display panel)의 유전체 격벽을 형성할 수 있는 것이다.As described above, the photosensitive dielectric paste of the present invention can form a dielectric partition wall of an electrode of a mobile communication component having a ultra fine line of 100 μm or less and a plasma display panel (PDP) using a photolithography process.
또한, 본 발명의 감광성 유전체 페이스트는 사진 식각 공정으로 초 미세 라인 뿐만 아니라, 비아홀(via hole) 형태의 구조도 형성할 수 있어, 종래의 스크린 프린팅을 이용한 페이스트 조성물과 그를 이용하여 미세라인을 형성하는 것 보다 라인 가장자리를 샤프하게 할 수 있어, 미세라인의 특성을 향상시킬 수 있고, 형성된 비아홀을 포함한 미세라인을 표준사양에 만족시킬 수 있는 것이다.In addition, the photosensitive dielectric paste of the present invention can form not only ultra fine lines but also via holes in a photolithography process, thereby forming a fine line using a paste composition using conventional screen printing and using the same. It is possible to sharpen line edges rather than to improve the characteristics of the fine lines, and to satisfy the standard specifications of the fine lines including the formed via holes.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은 광개시제와 감광성 단량체의 비율을 최적화하여 사진식각공정을 하여 미세라인을 형성할 시, 가장자리를 깨끗이 할 수 있어, 비아홀을 포함하는 미세라인의 특성을 향상시키고, 미세라인 및 비아홀 형성시 표준사양을 만족 할 수 있으며, 100um이하를 갖는 전극의 초 미세 라인을 형성할 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, the present invention can optimize the ratio of the photoinitiator and the photosensitive monomer to form a fine line by performing a photolithography process, thereby improving the characteristics of the fine line including the via hole, and improving the fine line. When forming lines and via holes, the standard specifications can be satisfied, and there is an effect of forming ultra fine lines of electrodes having 100 μm or less.
본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the invention has been described in detail only with respect to specific examples, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the spirit of the invention, and such modifications and variations belong to the appended claims.
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