KR100465235B1 - 정전용량에 의해 ｒｆ 신호에 대한 전력을 측정하는 ｒｆ파워센서 - Google Patents

정전용량에 의해 ｒｆ 신호에 대한 전력을 측정하는 ｒｆ파워센서 Download PDF

Info

Publication number
KR100465235B1
KR100465235B1 KR10-2002-0020554A KR20020020554A KR100465235B1 KR 100465235 B1 KR100465235 B1 KR 100465235B1 KR 20020020554 A KR20020020554 A KR 20020020554A KR 100465235 B1 KR100465235 B1 KR 100465235B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
power
signal
bridge
capacitance
signal line
Prior art date
Application number
KR10-2002-0020554A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030082045A (ko
Inventor
심동하
송인상
김영일
박선희
홍영택
민동기
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR10-2002-0020554A priority Critical patent/KR100465235B1/ko
Priority to US10/408,779 priority patent/US6989664B2/en
Priority to AT03008483T priority patent/ATE478346T1/de
Priority to DE60333812T priority patent/DE60333812D1/de
Priority to EP03008483A priority patent/EP1355162B1/en
Priority to JP2003109717A priority patent/JP3825417B2/ja
Priority to CNB031384536A priority patent/CN1213306C/zh
Publication of KR20030082045A publication Critical patent/KR20030082045A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100465235B1 publication Critical patent/KR100465235B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R23/00—Arrangements for measuring frequencies; Arrangements for analysing frequency spectra
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R21/00—Arrangements for measuring electric power or power factor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06772—High frequency probes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Arrangements For Transmission Of Measured Signals (AREA)
  • Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
  • Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
  • Burglar Alarm Systems (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

정전용량을 이용하여 RF 신호에 대한 전력을 측정하는 RF 파워센서가 개시된다. 기판은 반도체나 유전체인 실리콘으로 형성된다. 고정부는 기판에 대해 고정되며 RF 신호를 전송하는 신호라인 및 접지라인으로 형성된다. 브릿지는 접지라인과 연결되어 신호라인 상에 부상된다. 브릿지는 외부 구동력에 의해 구동되고, 외부 구동력에 의해 브릿지와 신호라인 사이에 정전용량이 발생되며, 이에 따라 신호라인과 브릿지 사이의 정전용량을 이용하여 RF 신호에 대한 전력을 측정할 수 있다. 이에 의해, 특성 임피던스를 갖는 전송선로를 기본으로 하기 때문에 매칭이 쉽고, 삽입손실이 작으며 광대역에서 사용 가능하다. 또한, 브릿지의 설계에 따라 고전력의 파워를 측정할 수 있다.

Description

정전용량에 의해 ＲＦ 신호에 대한 전력을 측정하는 ＲＦ 파워센서{ＲＦ power sensor capable of sensing power of ＲＦ signal using capacitance}
본 발명은 멤스(Micro Electro Mechanical System : MEMS)기술로 제조된 RF 파워센서에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 정전용량을 이용하여 RF 신호에 대한전력을 측정 가능한 RF 파워센서에 관한 것이다.
MEMS는 기계적 부품들을 반도체 공정을 이용하여 전기적 소자로 구현하는 기술이다. 기계적 구조를 가지고 이에 대응되는 동작을 하는 각 소자는, 반도체 웨이퍼 상에 반도체 제조 공정을 통해 제조된다.
통신시스템에서 양질의 연결을 위해 정확한 파워 측정은 필수적이다. 일반적으로 단말기 또는 기지국은 신호가 서로 도달할 수 있을 정도의 파워로 전송한다. 그러나, 필요 이상의 파워로 전송하면 전력 소모가 크고 최대 허용 전송치에 의해 규제 받게 된다. 따라서, RF 파워를 정확히 측정할 수 있는 파워센서를 사용하면 이와 같은 문제점을 해결할 수 있다.
일반적으로 RF 전력 측정에 사용되는 센서는 정류기(rectifier)방식의 센서와 열감지방식의 센서(Thermal detector)가 있다.
정류기 방식의 센서는 다이오드와 같은 비선형소자의 특성에 의한 고주파 신호를 저주파 신호로 변환시키는 저주파수대역으로의 변환 방식(frequency downconversion)을 이용한다.
열감지 방식의 센서는 온도의 변화에 따른 저항 변화나 유전율 변화를 이용하는 것으로, 이러한 감지센서에는 서미스터(Thermistor), 열전지(thermocouple)센서 등이 있다. 열감지 방식의센서는 정류기 방식의 센서와 달리 검출신호가 초고주파 특성이 없기 때문에 측정이 용이하고 인터페이스가 간단하여 상온에서 동작이 가능하므로 냉각이 필요 없는 장점을 가지고 있다.
서미스터(thermistor) 파워센서는 RF 파워(power)에 따른 종단부하의 온도변화를 감지할 수 있는 서미스터의 저항변화를 이용하여 입력파워를 계산한다. 서미스터는 온도가 변하면 저항값이 변한다. 서미스터의 저항과 파워와의 관계는 매우 비선형적이고, 사용하는 기기에 따라 다르기 때문에 보통 자가 균형 브릿지 회로에 사용된다. 서미스터 센서는 비교적 정확도가 높으며, 다른 센서와 연동하여 사용이 가능하다. 그러나, 다이나믹 레인지(dynamic range)는 대략 -10dBm에서 -20dBm으로 제한되어 있으며, 이 값은 현재 RF기술 표준과 비교하면 상대적으로 좁은 범위이다. 또한, 서미스터는 온도 변화를 이용하기 때문에 응답 속도가 느려서 디지털통신의 요구 조건을 만족시키지 못해 실제로 널리 사용되지 못한다.
또한, 열전지(thermocouples) 파워센서는 신호의 실제 전력에 반응하기 때문에 복잡한 디지털 위상 변조 신호에 이르기까지 다양한 종류의 RF 전력 측정에 적합하다. 열전지는 온도차를 갖는 두 개의 금속 사이의 전위차에 따라 작은 전압을 만든다. 열전지는 작은 전압차를 발생시키기 때문에 열전대열을 만들기 위해서는 직렬로 여러개의 열전지를 연결하여 이용한다. 열전대열은 보다 큰 출력을 내기 때문에 전류 감지 회로를 간단히 구성할 수 있다. 열전지의 다이나믹 레인지는 -30dBm에서 +20dBm이며, 광대역(20GHz)이고 감도가 우수한다. 그러나 서미스터 파워센서와 마찬가지로 수 msec정도의 느린 응답속도가 단점이다.
한편, 다이오드(diode) 파워센서는 RF 신호에서 발생되는 열을 측정하지 않고 RF 에너지를 정류하여 DC 전압을 만든다. 다이오드 파워센서는 다른 종류의 센서에 비해 감도가 좋고, -70에서 -20dBm의 넓은 다이나믹 레인지(dynamic range)를 가진다. 또한, 다이오드 파워센서는 광대역(40GHz)이고 수 마이크로 세크(usec)정도의 빠른 응답 속도를 갖는다. 따라서, 빠른 응답 특성을 필요로 하는 시분할 다중접속(Time Division Multiple Access : TDMA)방식의 통신에 적합하다.
그러나, 다이오드 파워센서의 경우 -20dBm 이상의 파워에서는 고차항이 커지기 때문에 비선형적인 특성이 나타난다. 또한, +20dBm 이상의 파워는 두 가지 방법으로 측정할 수 있다. 첫번째 방법은 다이오드 전단에 어테뉴에이터(attenuator)를 두는 방법이 있는데, 이 방법은 파워센서의 정밀도를 감소시키는 단점이 있다. 두번째 방법은 신호를 보정하여 사용하는 방법으로 다이오드의 교정(calibration)과 디에스피(DSP)를 이용한다. 이 방식의 경우 비용이 많이 드는 단점이 있다.
이와같이, 종래의 파워센서는 온도의 변화에 따라 특성 임피던스가 변화기 때문에 매칭이(matching) 어렵고, 커플러나 어테뉴에이터 등을 필요로 하므로 측정의 정밀도가 떨어지는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 기판상에서 형성된 신호라인과 브릿지 사이에 정전력을 통해 발생되는 정전용량의 변위량을 이용하여 RF 전력을 측정하는 RF 파워센서를 제공하는 데 있다.
도 1은 본 발명에 따른 RF 파워센서에 대한 일 실시예의 구성도,
도 2는 본 발명에 따른 멤스 소자의 단면을 도시한 도면,
도 3은 본 발명에 따른 RF 파워센서의 회로구성을 도시한 도면, 그리고,
도 4a는 브릿지와 신호라인 사이의 거리(g)의 변위와 RF 파워와의 관계를 도시한 도면이고, 도 4b는 정전용량과 RF 파워와의 관계를 도시한 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 기판 110 : 고정부
110a : 신호라인 112a : 접지라인
120 : 브릿지 130 : RF 초크
140 : 정전용량 검출부 150 : 전력 연산부
상기의 기술적 과제를 달성하기 위한, 본 발명에 따른 RF 파워센서는, 기판, 상기 기판에 대해 고정되며 RF 신호를 전송하는 신호라인 및 접지라인을 형성하는 고정부, 상기 접지라인과 연결되어 상기 신호라인 상에 부상된 브릿지를 포함하며,상기 브릿지는 외부 구동력에 의해 구동되며, 상기 외부 구동력에 의해 상기 브릿지와 상기 신호라인 사이에 정전용량이 발생한다.
또한, 상기 브릿지와 상기 신호라인 사이의 상기 정전용량을 검출하여 상기 RF 신호에 대한 전력을 측정하는 전력 측정부, 및 상기 신호라인을 통해 전송되는 상기 RF 신호가 상기 전력 측정부로 전송되는 것을 차단하는 RF 차단부를 더 구비한다.
상기 전력 측정부는 상기 브릿지와 상기 신호라인 사이에 발생한 상기 정전용량을 검출하는 정전용량 검출부, 및 상기 정전용량 검출부의 검출결과에 따라 상기 RF 신호에 대한 전력을 산출하는 전력 연산부를 갖는다.
상기 브릿지는 상기 신호라인에 대해 수직방향으로 소정의 두께로 형성된다.
본 발명에 따르면, 반도체 기판상에 형성된 신호라인과 접지라인을 기본으로 하기 때문에 매칭이 쉽고 삽입손실이 작다. 또한, 회로상에 시리즈와 배치될 수 있어 커플러나 어테뉴에이터 등의 파워 측정을 위한 부가장치가 필요하지 않아 파워 측정의 정밀도를 높일 수 있다.
이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 RF 파워센서를 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명에 따른 멤스 소자의 단면을 도시한 도면이다.
도면을 참조하면, 본 발명에 따른 RF 파워센서는, 기판(100), 기판(100)의 상부에 고정되며 RF 신호를 전송하는 신호라인(110a) 및 접지라인(112a)으로 형성된 전송선로부(110), 접지라인(112a)과 연결되어 신호라인(110a)상에 부상된 브릿지(120), RF 신호를 차단하는 RF 차단부(130), 신호라인(110a)과 브릿지(120)사이에 정전력에 의해 발생되는 정전용량을 검출하는 정전용량 검출부(140), 및 검출된 정전용량을 통해 RF 신호에 대한 전력을 산출하는 전력 연산부(150)를 갖는다. 여기서, RF 차단부(130)는 일반적인 인덕터(L1, L2)로 구성되며, 전송선로부(110)를 통해 전송되는 RF 신호가 정전용량 검출부(140)로 전송되지 않도록 차단하는 역할을 한다.
기판(100)은 반도체나 유전체인 실리콘(Si)으로 형성된다. 브릿지(120)는 기판(100)상에 고정된 접지라인(112a)과 연결되어 신호라인(110a)상에 소정의 간격을 두고 부상된다. 브릿지(120)는 전송선로부(110)에 인가되는 RF 신호에 의해 발생되는 정전력(electromagnetic force)에 의해 구동되며, 상기 정전력에 의해 브릿지(120)와 신호라인(110a) 사이에 소정 크기의 정전용량이 발생된다.
브릿지(120)는 일정한 두께를 가지며, 두께에 따라 정전력에 의해 발생되는 정전용량이 달라진다. 이는 두께가 10um인 브릿지(120)가 RF 신호에 의해 발생되는 정전력에 의해 휘게 되는 정도와 두께가 5um인 브릿지(120)가 상기 정전력에 의해 휘게 되는 정도는 다르기 때문이다. 즉, 동일한 RF 신호가 인가되더라도 브릿지(120)의 두께에 따라 생성되는 정전용량이 달라짐을 의미한다. 따라서, 브릿지(120)의 설계에 따라 하이 파워(High power)의 측정이 가능하다.
RF 신호에 의해 발생되는 정전력에 의해 브릿지(120)에 변위가 발생하며, 이 변위는 정전력과 브릿지의 스프링상수(k)에 의해 결정된다. 즉, 신호라인(110a)과 브릿지(120) 사이의 거리(g)의 변위는 정전력과 브릿지(120)의 스피링상수(k)에 의해 결정되므로 동일한 RF 신호에 대해 브릿지(120)의 두께가 상이하여 발생되는 정전용량이 다르더라도 측정되는 전력은 동일하다.
브릿지(120)와 신호라인(110a) 사이에 RF 신호에 의해 발생되는 정전력에 의해 소정의 정전용량(capacitance)이 발생하면, 정전용량 검출부(140)는 발생된 정전용량을 검출한다. 정전용량 검출부(140)는 브릿지(120)와 신호라인(110a) 사이의 소정의 거리(g)와 정전력에 의해 발생되는 브릿지(120)와 신호라인(110a) 사이의 거리(g)의 변위를 기준으로 정전용량을 검출한다.
정전용량 검출부(140)에 의해 브릿지(120)와 신호라인(110a) 사이의 정전용량이 검출되면, 전력 연산부(150)는 검출된 정전용량을 이용해 RF 신호에 대한 전력을 산출한다.
전력 연산부(150)는 다음 [수학식 1]에 의해 RF 신호에 대한 전력을 산출한다.
여기서, k는 브릿지(120)의 스프링상수,는 유전율, w는 브릿지(120)의 폭, W는 신호라인의 폭, Z0는 특성임피던스, g는 신호라인과 브릿지(120) 사이의 거리, △는 외부 정전력에 따른 g의 변위를 나타낸다.
정전용량 검출부(140)에 의해 검출된 정전용량에 따라 전력 연산부(150)에서산출하는 RF 신호에 대한 전력은 상이하다. 또한, 정전용량은 외부 정전력에 의해 결정된다. 즉, RF 신호에 대한 전력이 변하면, 신호라인(110a)과 브릿지(120)사이의 거리(g)에 변화가 생겨 정전용량이 변하게 된다. 그러므로, 신호라인(110a)과 브릿지(120)사이의 정전용량을 알면 RF 신호에 대한 전력을 알 수 있다.
RF 신호에 의해 발생되는 정전력에 의해 브릿지(120)의 변위(△)가 발생하는데, 이때 변위(△)는 RF 신호에 의한 정전력과 브릿지(120)의 스프링상수(k)에 의해 결정된다. 여기서, 브릿지(120)의 스프링상수(k)는 브릿지(120)의 두께(t), 길이(L), 폭(w), 및 영율(young's modulus)에 의해 결정된다.
또한, 정전용량(C)는 다음 [수학식 2 ]에 의해 산출된다.
여기서,는 유전율, A는 신호라인의 면적, g는 신호라인과 브릿지(120) 사이의 거리를 의미한다.
[수학식 2]에 의하면, RF 신호에 의한 정전력으로 신호라인(110a)과 브릿지(120) 사이의 거리(g)가 작아지면, 신호라인(110a)과 브릿지(120)사이의 정전용량은 커짐을 알 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 RF 파워센서에 대한 회로구성을 도시한 도면이다.
도면을 참조하면, RF 신호를 신호라인(110a)을 통해서만 전송하기 위해 정전용량 검출부(140)로 RF 신호가 전송되는 것을 제한하는 역할을 하는 인덕터(L1,L2)로 구현되는 RF 초크(130), RF 신호의 파워의 변화에 따라 가변적으로 변하는 신호라인(110a)과 브릿지(120)사이의 정전용량을 나타내는 가변 커패시터(C), 저항(R1), 커패시커(C1), 및 오피 엠프(op amp)로 구성된 차지 펌프(charge pump)(160)로 구성된다.
또한, 차지펌프(160)를 통해 출력되는 신호는 복조부(미도시)에 의해 저주파 신호로 변환된다. 차지펌프(160)는 정전용량 검출부(140)의 회로 구성을 나타낸 것으로 정전용량의 변화, 즉 가변 커패시터(C)의 변화를 감지하여 정전용량을 검출하게 된다. 정전용량 검출부(140)에서 검출된 정전용량으로 RF 신호에 대한 파워를 알 수 있다.
도 4a는 브릿지와 신호라인 사이의 거리(g)와 RF 파워와의 관계를 도시한 도면이고, 도 4b는 브릿지와 신호라인 사이의 정전용량과 RF 파워와의 관계를 도시한 도면이다.
RF 신호의 전력이 변하게 되면, 신호라인(110a)과 브릿지(120) 사이의 거리(g)에 변화가 생겨 정전용량이 변하게 된다. 도 4a 내지 도 4b에 도시한 바와같이, RF 신호에 의해 발생되는 정전력에 의한 신호라인(110a)과 브릿지(120)사이의 거리(g)의 변위를 알면 신호라인(110a)과 브릿지(120)사이의 정전용량을 알 수 있고, 이 때의 정전용량을 통해 RF 신호에 대한 전력을 알 수 있다.
비록 본 실시예에서 도 2에 도시한 바와 같이, 반도체 기판상에 한쌍의 접지라인(112a)과 접지라인(112a) 사이의 신호라인(110a)으로 형성된 RF 신호 전송선로에 대해 설명하였지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 RF 신호를 전송할 수 있는 신호라인(110a)과 접지라인(112a)으로 형성된 구조는 모두 가능한다. 또한, 브릿지(120)는 접지라인(112a)과 연결되어 신호라인(110a)에 부상되는 구조로 형성되어 신호라인(110a)과 접지라인(112a) 사이에 RF 신호에 의해 발생되는 정전력에 의해 소정의 정전용량을 생성할 수 있는 구조는 모두 적용 가능하다.
본 발명에 따르면, 멤스 기술을 제조된 반도체 기판상에 형성된 신호라인과 접지라인을 기본으로 하기 때문에 특성 임피던스의 매칭이 쉽고, 삽입손실이 작으므로 광대역에서 사용이 가능하다. 또한, 다른 회로와 시리즈로 배치될 수 있어 커플러나 어테뉴에이터 등의 파워 측정을 위한 부가장치가 필요하지 않아 파워손실을 줄일 수 있고 전력측정의 정밀도를 높일 수 있다. 나아가, 브릿지의 설계에 따라 고전력을 갖는 RF 신호에 대해서도 전력을 측정할 수 있다.
이상에서 대표적인 실시예를 통하여 본 발명에 대하여 상세하게 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상술한 실시예에 대하여 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도내에서 다양한 변형이 가능함을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (4)

  1. 기판;
    상기 기판상에 형성되되, RF 신호를 전송하기 위해 접지라인 및 신호라인으로 구성된 전송선로부;
    상기 전송선로부에 인가되는 상기 RF 신호에 의해 구동되고, 상기 접지라인과 연결되어 상기 신호라인 상에 수직방향으로 부상된 소정 두께를 갖는 브릿지;
    상기 브릿지와 상기 신호라인 사이에 발생하는 정전용량을 검출하는 정전용량 검출부; 및
    상기 정전용량 검출부의 검출결과에 따라 상기 RF 신호에 대한 전력을 산출하는 전력 연산부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 파워센서.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 신호라인을 통해 전송되는 상기 RF 신호가 상기 정전용량 검출부로 전송되는 것을 차단하는 RF 차단부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 파워센서.
  3. 삭제
  4. 삭제
KR10-2002-0020554A 2002-04-16 2002-04-16 정전용량에 의해 ｒｆ 신호에 대한 전력을 측정하는 ｒｆ파워센서 KR100465235B1 (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0020554A KR100465235B1 (ko) 2002-04-16 2002-04-16 정전용량에 의해 ｒｆ 신호에 대한 전력을 측정하는 ｒｆ파워센서
US10/408,779 US6989664B2 (en) 2002-04-16 2003-04-08 RF power sensor for measuring an RF signal power using capacitance
AT03008483T ATE478346T1 (de) 2002-04-16 2003-04-11 Kapazitiv arbeitender hf-leistungssensor zur messung eines hf-leistungssignals
DE60333812T DE60333812D1 (de) 2002-04-16 2003-04-11 Kapazitiv arbeitender HF-Leistungssensor zur Messung eines HF-Leistungssignals
EP03008483A EP1355162B1 (en) 2002-04-16 2003-04-11 RF power sensor for measuring an RF signal power using capacitance
JP2003109717A JP3825417B2 (ja) 2002-04-16 2003-04-15 静電容量によりｒｆ信号に対する電力を測定するｒｆパワーセンサー
CNB031384536A CN1213306C (zh) 2002-04-16 2003-04-16 应用电容测量射频信号功率的射频功率传感器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0020554A KR100465235B1 (ko) 2002-04-16 2002-04-16 정전용량에 의해 ｒｆ 신호에 대한 전력을 측정하는 ｒｆ파워센서

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030082045A KR20030082045A (ko) 2003-10-22
KR100465235B1 true KR100465235B1 (ko) 2005-01-13

Family

ID=28673100

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-0020554A KR100465235B1 (ko) 2002-04-16 2002-04-16 정전용량에 의해 ｒｆ 신호에 대한 전력을 측정하는 ｒｆ파워센서

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6989664B2 (ko)
EP (1) EP1355162B1 (ko)
JP (1) JP3825417B2 (ko)
KR (1) KR100465235B1 (ko)
CN (1) CN1213306C (ko)
AT (1) ATE478346T1 (ko)
DE (1) DE60333812D1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180131813A (ko) 2017-06-01 2018-12-11 명지대학교 산학협력단 신호 감지 거리 조절이 가능한 알에프 파워 센서 및 구조체
KR101917516B1 (ko) 2017-06-01 2019-01-24 명지대학교 산학협력단 신호 출력 감도 조절 및 위상차 보정이 가능한 알에프 센서
US11056827B2 (en) 2018-12-14 2021-07-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device and method for identifying state of connection between connector and electrical path

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI118490B (fi) * 2004-06-29 2007-11-30 Valtion Teknillinen Mikromekaaninen anturi mikroaaltotehon mittaamiseen
US7652464B2 (en) * 2006-05-05 2010-01-26 Viasat, Inc. RF power sensor with chopping amplifier
JP5182859B2 (ja) * 2007-01-29 2013-04-17 株式会社ステップテクニカ 評価装置及び評価システム
CN101332971B (zh) * 2008-07-29 2011-07-06 东南大学 基于微电子机械悬臂梁通过式微波功率检测器及制备方法
RU2408005C1 (ru) * 2009-11-26 2010-12-27 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр прикладной физики" (ООО "НТЦ ПФ") Способ определения диэлектрической проницаемости диэлектрического объекта
CN102539933B (zh) * 2010-12-13 2014-08-20 中兴通讯股份有限公司 一种射频识别电子标签的检测工具及方法
US8717061B2 (en) * 2011-02-18 2014-05-06 Repesa, Llc All-in-one motor assessment precision sizing system and capacitance calculator unit
CN102175909B (zh) * 2011-03-08 2013-11-20 东南大学 微电子机械悬臂梁式微波功率自动检测系统及其检测方法和制备方法
CN102735935B (zh) * 2012-06-20 2014-08-13 东南大学 基于微机械硅基悬臂梁的相位检测器及检测方法
CN102735932B (zh) * 2012-06-20 2014-08-13 东南大学 基于微机械砷化镓基固支梁的相位检测器及检测方法
KR101442226B1 (ko) * 2013-03-06 2014-09-23 서강대학교산학협력단 초고주파 속도 측정 센서
CN105024690B (zh) * 2015-07-01 2017-11-24 东南大学 硅基低漏电流双固支梁可动栅锁相环电路
CN104993825B (zh) * 2015-07-01 2017-11-24 东南大学 砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关双栅分频器
CN104993824B (zh) * 2015-07-01 2018-02-23 东南大学 硅基低漏电流双悬臂梁可动栅分频器
CN104935334B (zh) * 2015-07-01 2017-09-29 东南大学 硅基低漏电流双固支梁可动栅nmos相位检测器
CN105049038B (zh) * 2015-07-01 2017-11-07 东南大学 砷化镓基低漏电流双固支梁开关双栅分频器
CN104935335B (zh) * 2015-07-01 2017-09-29 东南大学 砷化镓基低漏电流双固支梁开关双栅锁相环电路
CN104935330B (zh) * 2015-07-01 2017-10-20 东南大学 砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关双栅锁相环电路
CN104935336B (zh) * 2015-07-01 2017-09-29 东南大学 硅基低漏电流双悬臂梁可动栅锁相环电路
CN107632193B (zh) * 2017-09-28 2019-05-07 东南大学 一种基于超材料结构的微波功率传感器
JP7219276B2 (ja) 2017-11-15 2023-02-07 カプレス・アクティーゼルスカブ 供試標本の電気特性を試験するためのプローブ及び関連する近接度検出器
EP3608679B1 (en) * 2018-08-08 2023-03-01 Rohde & Schwarz GmbH & Co. KG Rf cable and cable-bound path loss determination method

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4647848A (en) * 1984-03-05 1987-03-03 Tektronix, Inc. Broadband RF power detector using FET
US4943764A (en) * 1987-12-11 1990-07-24 Hewlett-Packard Company Wide dynamic range radio-frequency power sensor
WO1992020152A1 (en) * 1991-05-02 1992-11-12 Wavetek Microwave, Inc. Rf power sensor having improved linearity over greater dynamic range_____________________________________________________________
US5659253A (en) * 1994-11-17 1997-08-19 Lucent Technologies Inc. Temperature compensated radio frequency detector circuit
US5808210A (en) * 1996-12-31 1998-09-15 Honeywell Inc. Thin film resonant microbeam absolute pressure sensor
EP1043592A1 (en) * 1999-04-09 2000-10-11 Agilent Technologies Inc True average wide dynamic range microwave power sensor using diode stack attenuator
KR20010053918A (ko) * 1999-12-02 2001-07-02 박종섭 알에프 파워계측장치

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3539402A1 (de) * 1985-11-07 1987-05-21 Rohde & Schwarz Leistungsmesssensor zum messen von hochfrequenzleistung
US5070241A (en) * 1989-07-31 1991-12-03 Santa Barbara Research Center Resonant frequency modulation detector
US5055889A (en) * 1989-10-31 1991-10-08 Knauf Fiber Glass, Gmbh Lateral varactor with staggered punch-through and method of fabrication
US5204614A (en) * 1991-08-14 1993-04-20 Hewlett-Packard Company Broad-band microwave power sensor using diodes above their resonant frequency
US5467013A (en) * 1993-12-07 1995-11-14 Sematech, Inc. Radio frequency monitor for semiconductor process control
US5517123A (en) * 1994-08-26 1996-05-14 Analog Devices, Inc. High sensitivity integrated micromechanical electrostatic potential sensor
US6081700A (en) * 1996-12-17 2000-06-27 Motorola, Inc. Radio having a self-tuning antenna and method thereof
US5912560A (en) * 1997-02-25 1999-06-15 Waferscale Integration Inc. Charge pump circuit for voltage boosting in integrated semiconductor circuits
EP1004883A4 (en) * 1998-05-28 2001-10-04 Anritsu Corp BROADBAND HIGH FREQUENCY SIGNAL POWER SENSING ELEMENT, AND DETECTOR USING SAME
DE19858826A1 (de) * 1998-12-19 2000-06-29 Micronas Intermetall Gmbh Kapazitiver Magnetfeldsensor
SE521733C2 (sv) * 1999-06-04 2003-12-02 Ericsson Telefon Ab L M Variabel kapacitans, lågpassfilter samt mikroelektromekaniskt omkopplingsarrangemang
FI20000339A (fi) * 2000-02-16 2001-08-16 Nokia Mobile Phones Ltd Mikromekaaninen säädettävä kondensaattori ja integroitu säädettävä resonaattori
FI109382B (fi) * 2000-06-27 2002-07-15 Nokia Corp Sovituspiiri
US6788175B1 (en) * 2001-10-04 2004-09-07 Superconductor Technologies, Inc. Anchors for micro-electro-mechanical systems (MEMS) devices
US6803774B2 (en) * 2002-09-23 2004-10-12 Agilent Technologies, Inc. MEMS varactor for measuring RF power

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4647848A (en) * 1984-03-05 1987-03-03 Tektronix, Inc. Broadband RF power detector using FET
US4943764A (en) * 1987-12-11 1990-07-24 Hewlett-Packard Company Wide dynamic range radio-frequency power sensor
WO1992020152A1 (en) * 1991-05-02 1992-11-12 Wavetek Microwave, Inc. Rf power sensor having improved linearity over greater dynamic range_____________________________________________________________
US5659253A (en) * 1994-11-17 1997-08-19 Lucent Technologies Inc. Temperature compensated radio frequency detector circuit
US5808210A (en) * 1996-12-31 1998-09-15 Honeywell Inc. Thin film resonant microbeam absolute pressure sensor
EP1043592A1 (en) * 1999-04-09 2000-10-11 Agilent Technologies Inc True average wide dynamic range microwave power sensor using diode stack attenuator
KR20010053918A (ko) * 1999-12-02 2001-07-02 박종섭 알에프 파워계측장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180131813A (ko) 2017-06-01 2018-12-11 명지대학교 산학협력단 신호 감지 거리 조절이 가능한 알에프 파워 센서 및 구조체
KR101917516B1 (ko) 2017-06-01 2019-01-24 명지대학교 산학협력단 신호 출력 감도 조절 및 위상차 보정이 가능한 알에프 센서
US11056827B2 (en) 2018-12-14 2021-07-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device and method for identifying state of connection between connector and electrical path

Also Published As

Publication number Publication date
US6989664B2 (en) 2006-01-24
KR20030082045A (ko) 2003-10-22
JP3825417B2 (ja) 2006-09-27
CN1213306C (zh) 2005-08-03
CN1455261A (zh) 2003-11-12
US20030214309A1 (en) 2003-11-20
ATE478346T1 (de) 2010-09-15
JP2003344462A (ja) 2003-12-03
EP1355162B1 (en) 2010-08-18
EP1355162A1 (en) 2003-10-22
DE60333812D1 (de) 2010-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100465235B1 (ko) 정전용량에 의해 ｒｆ 신호에 대한 전력을 측정하는 ｒｆ파워센서
US11045091B2 (en) Core body thermometer
US11029338B2 (en) Current sensor
CN101334430B (zh) 一种高精确度电流检测和温度在线检测装置及其采样方法
CN109932561B (zh) 基于复合拱形梁的微波功率传感器
US20130022075A1 (en) Temperature sensor having means for in-situ calibration
US10466339B2 (en) Power sensor for integrated circuits
CN102135438A (zh) 一种微型传感器用温度控制装置
KR20190064451A (ko) 전류 센서 및 전류 측정 방법
US6518743B1 (en) Wide-band RF signal power detecting element and power detecting device using the same
US9667357B2 (en) Millimeter-wave transmitter on a chip, method of calibration thereof and millimeter-wave power sensor on a chip
CN109709386B (zh) 三通道微波功率传感器
KR101489793B1 (ko) 초음파 풍향풍속계 및 그 운용방법
US10634565B2 (en) Temperature sensing apparatus and temperature sensing method thereof
Wang et al. A novel MEMS double-channel microwave power sensor based on GaAs MMIC technology
US20070176768A1 (en) Thermocouple microwave power sensor
US7030600B2 (en) Broadband microwave power sensor
CN106932636B (zh) 三指交错结构的电容式微波功率传感器
CN111323090B (zh) 基于热反馈的微型流量传感器、气流测量系统及测量方法
CN109917182B (zh) 基于石墨烯压阻效应的微波功率传感器
RU2670251C2 (ru) Инфракрасный датчик
Sauter et al. Thermal flow sensors based on printed circuit board technology
Fernández et al. Radio frequency power sensor based on MEMS technology with ultra low loss
US20020097039A1 (en) Strain gauge and method
CN116754089A (zh) 一种微机械加工的无自热效应温度传感器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121115

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131122

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee