FI118490B - Mikromekaaninen anturi mikroaaltotehon mittaamiseen - Google Patents
Mikromekaaninen anturi mikroaaltotehon mittaamiseen Download PDFInfo
- Publication number
- FI118490B FI118490B FI20040903A FI20040903A FI118490B FI 118490 B FI118490 B FI 118490B FI 20040903 A FI20040903 A FI 20040903A FI 20040903 A FI20040903 A FI 20040903A FI 118490 B FI118490 B FI 118490B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- capacitance
- parts
- sensor according
- sensor
- line
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R21/00—Arrangements for measuring electric power or power factor
- G01R21/10—Arrangements for measuring electric power or power factor by using square-law characteristics of circuit elements, e.g. diodes, to measure power absorbed by loads of known impedance
- G01R21/12—Arrangements for measuring electric power or power factor by using square-law characteristics of circuit elements, e.g. diodes, to measure power absorbed by loads of known impedance in circuits having distributed constants
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Description
118490
Mikromekaaninen anturi mikroaaltotehon mittaamiseen
Keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 1 johdannon mukainen mikromekaaninen anturi millimetri- tai mikroaaltotehon mittaamiseen.
5 Tällaiset komponentit käsittävät tyypillisesti aaltolinjan millimetri- tai mikroaaltotehon johtamiseksi sekä liikkumaan sovitetun osan ja kiinteän elektrodin siten, että liikkumaan sovitetun osan ja kiinteän elektrodin välinen kapasitanssi kytkeytyy aaltolinjassa etenevään aaltotehoon. Tällöin kapasitanssin kytkeytymisellä aaltolinjassa etenevään millimetri- tai mikroaaltotehoon tarkoitetaan sitä, että aaltotehoon liittyvä jännite 10 aiheuttaa voiman kapasitanssissa. Aiheutunut voima pyrkii poikkeuttamaan komponentin liikkuvaa osaa.
Tämän tyyppisessä mikroaaltotehon mittausanturissa on se etu, että anturi ei juurikaan kuluta tehoa. Tämä perustuu siihen, että mittausperiaate sinänsä ei perustu tehon kuluttamiseen vaan teho pyritään johtamaan anturin läpi. Mittausanturiin toki 15 absorboituu hieman mikroaaltotehoa, mutta tehonkulutus muodostuu pääosin siitä, että anturi heijastaa osan mikroaaltotehosta mikroaaltolinjassa takaisinpäin. Anturin • · · : ·' heijastuskerroin vaikuttaa siis oleellisesti anturin tehonkulutukseen. Heijastuskertoimen • · johdosta anturin soveltuva taajuuskaista jää suhteellisen pieneksi.
• » · * · ♦ Γ**: Keksinnön tarkoituksena on parantaa anturin ominaisuuksia siten, että heijastuskerroin "*j* 20 säilyisi suhteellisen pienenä laajemmalla taajuuskaistalla.
··· e · • ·
Keksintö perustuu siihen, että anturin liikkumaan sovitetun osan ja kiinteän elektrodin • ·, välinen kapasitanssi jaetaan vähintään kahteen osaan, jotka sijaitsevat välimatkan päässä • ·· .···. toisistaan siten, että aaltolinjassa etenevä millimetri- tai mikroaaltoteho kytkeytyy • · im ,·. kapasitanssin jako-osiin perätysten ja kokee kapasitanssin jako-osien välillä • · · 25 induktiivisen kuorman.
• · • * • · . ·. : Täsmällisemmin sanottuna keksinnön mukaiselle anturille on tunnusomaista se, mikä on * · · • · : esitetty patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosassa.
• « 2 118490
Keksinnön avulla saavutetaan huomattavia etuja. Keksinnön avulla voidaan nimittäin oleellisesti laajentaa anturin taajuuskaistaa, jolla heijastuskerroin säilyy kohtuullisen pienenä.
Näin ollen keksintö mahdollistaa useita edullisia sovellusmuotoja. Anturia voidaan 5 esimerkiksi käyttää myös millimetriaaltoalueella. Anturilla onkin runsaasti sovelluskohteita esimerkiksi matkapuhelimissa ja muissa laitteissa, joissa tarvitaan millimetri- tai mikroaaltoteholle herkkiä antureita.
Keksintöä tarkastellaan seuraavassa esimerkkien avulla ja oheisiin piirustuksiin viitaten. Kuvattujen esimerkkien tarkoitus on havainnollistaa keksinnön sovellusmuotojen 10 ominaisuuksia ja selvittää keksinnön teoreettista taustaa. Esimerkit eivät rajoita suojapiiriä, joka on määritelty patenttivaatimuksissa.
Kuvio 1 kuvaa yhden sovellusmuodon mukaisen järjestelyn sähköisen sijaiskytkennän. Kuvio 2 kuvaa toisen sovellusmuodon mukaisen järjestelyn.
On hyvin tunnettua, että mikromekaanisen komponentin yli syntyvä jännite aiheuttaa 15 jännitteen tehollisarvoon verrannollisen voiman. Mittaamalla voiman aiheuttama liike, voimme päätellä esim. mikroaaltotaajuisen jännitteen tehollisarvon suuruuden. Kahden • · . * * *. j ohtavan levyn välinen voima voidaan kiij oittaa muotoon
• •I
IM * * · r ··. F =_T2__[72 2{d~xf • · · * • · · · :***: missä Co on lepotilassa olevan komponentin kapasitanssi, d metallilevyjen välinen • · 20 etäisyys ilman ulkoisia voimia ja x jännitteestä aiheutuvan voiman synnyttämä liike.
M • ·
• M
Jos mitattava teho kulkee aaltolinjassa, jonka aaltoimpedanssi on tunnettu, voimme ♦ · * I * määrittää j ännitteen tehollisarvon perusteella aaltolinjassa etenevän suurtaaj uisen tehon.
• · • · · *·*·* Koska voimaa mittaava elementti synnyttää linjaan kapasitanssin, se aiheuttaa • · *”·’ mikroaalto tehon heijastumista. Tehon heijastuksesta seuraa se, että mitta-anturin taikka • · ·.*·· 25 mittausalue jää erittäin kapeaksi. Käytännössä tämä tarkoittaa sitä, että anturia voidaan • · ·.**: käyttää ainoastaan taajuuskaistalla, joka on selvästi pienempi kuin siirtolinjan impedanssin ja kapasitanssin muodostaman RC piirin kaista. Teoreettinen taajuuskaista toteuttaa yhtälön 3 118490
Δ5 = — nCZ
missä Z on siirtolinjan aaltoimpedanssi ja C on mikromekaanisen tehoanturin synnyttämä kapasitanssi. On huomattava, että oletamme tässä, että mitta-anturi on kytketty sekä sovitettuun teholähteeseen että tehosovitettuun kuormaan. Periaatteessa 5 voisimme pienentää mittaukseen tarvittavaa kapasitanssia, mutta laitteen resoluution (pienin havaittava jännitteen tehollisarvon muutos) riippuu ratkaisevasti kapasitanssin suuruudesta. Mitä suurempi pinta-ala ja mitä kapeampi rako, sitä parempi resoluutio saavutetaan. Tämä näkyy yhtälöstä siten, että näin voimme maksimoida jännitteestä syntyvän voiman.
10 Tässä keksinnössä tuodaan esiin yksinkertainen menetelmä saavuttaa suhteellisen pieni heijastuskerroin ja sitä kautta hyvä mittatarkkuus koko teoreettisen maksimikaistan yli. Oletetaan, että riittävän resoluution edellyttämän kapasitanssin arvo on C. Oletetaan lisäksi, että jaamme tämän kapasitanssin n:ään osaan. Kapasitanssit asetetaan siten, että mikroaallon aallonpituus on pidempi kuin kondensaattoreiden etäisyys toisistaan. 15 Tämän lisäksi asetamme keloja kapasitanssien välille. Nämä mitoitetaan siten, että minimoimme heijastuskertoimen koko kaistalla ΔB yli. Käytännössä optimointi kannattaa tehdä hiukan pienemmän kaistan yli kuin teoreettinen maksimikaista mahdollistaa. Järjestely johtaa anturiin, jossa heijastuksesta syntyvä virhe minimoituu, mutta resoluutio ei heikkene. Hyödyllistä on myös se, että kaikkien kondensaattoreiden ·· · : V 20 yli syntyvä voima liikuttaa yhtä mikromekaanista rakennetta. Tämä johtaa siihen, että *·..* meidän tarvitsee mitata syntynyt liike tai voima vain yhden liikkuvan komponentin yli.
··· • · · • · · .**·. Kuviossa 1 on esitetty periaatekuva tehomittarista, missä mittaava elektrodi on jaettu ··* ··· kolmeen osaan. Kapasitanssit C/n ovat sähköisesti erillisiä, mutta mekaanisesti kiinni ···· toisissaan. Kapasitanssin C jakaminen useampaan osaan C/n parantaa tilannetta, mutta 25 käytännössä jossain vaiheessa komponentin häviöt kasvavat liian suuriksi. Toisaalta on ;.· · helppo osoittaa, että kondensaattorin jakaminen hajakapasitanssia Cs pienemmäksi ei ··· kannata. Käytännössä optimaalinen n on luokkaa 3-6. Perussääntö on se, että mitä suurempi taajuuskaista halutaan, sen pienempi kokonaiskapasitanssi joudutaan • · :***: valitsemaan ja sitä pienempi n. Esim. tehoanturissa, joka kattaa taajuusalueen 0 - 40 .·. : 30 GHz, kolmeen osaan jaettu kapasitanssi johtaa kokemustemme mukaan hyvään • ·· • m lopputulokseen.
• · 4 118490
Edellä kuvattu menetelmä johtaa lopputuloksena teräväreunaiseen kaistapäästö suodattuneen. On kuitenkin oleellista huomata, että tässä laitteessa menetelmä jäljestää keloja 1 ja kapasitansseja siirtolinjaan on enemmän kuin vain suodattimen rakentaminen. Tämä siksi, että tässä tapauksessa saavutamme hyvän mittausresoluution 5 yli koko mitattavan taajuuskaistan. Toisaalta oleellista on, että jaetut kapasitanssielementit ovat tässä ratkaisussa kiinni toisissaan mekaanisesti ja liikkuvat yhdessä mikroaaltotehon vaikutuksesta.
Kuvassa 2 on esitetty eräs konstruktio tehoanturista. Kuvassa on huomionarvoista se, että jaetun kapasitanssin lisäksi siirtolinjan maalinja maadoittaa liikkuvan rakenteen. 10 Tämä on merkittävää siksi, että jos asettaisimme mikroaaltojännitteen liikkuvan ja kiinteän elektrodin väliin, joutuisi mikroaaltotaajuinen virta kulkemaan liikkuvaan osaan sitä kannattavan jousen läpi. Koska jousi on ohut ja sitä ei mielellään metalloida jännitysten välttämiseksi, syntyisi jousessa suuri tehohäviö. Toisaalta kun liikkuva osa on mikroaaltolinjan maapotentiaalissa, pystymme järjestelyllä eliminoimaan sen, että 15 mikroaaltoteho ei pääse vuotamaan muualle komponenttiin. Kaikki nämä jäijestelyt parantavat komponentin mittatarkkuutta.
·· 9 • · · • · • · ·*· • m • · ··· • * · • * * ··* * * • · ··· «·· 9 • 999 ··· • · • 99 9 · 9 · · • 99 999 9 999 9 · • 9 9 99 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 • 99 9 9 9 9 • 99 • • 9 9·· • 99 9 9 9 9 9 9 9 • 99 9 9
Claims (10)
1. Mikromekaaninen anturi millimetri- tai mikroaaltotehon mittaamiseen, joka anturi käsittää aaltolinjan millimetri- tai mikroaaltotehon johtamiseksi sekä liikkumaan sovitetun osan ja kiinteän elektrodin siten, että liikkumaan sovitetun osan ja kiinteän 5 elektrodin välinen kapasitanssi (C) kytkeytyy aaltolinjassa etenevään aaltotehoon, tunnettu siitä, että liikkumaan sovitetun osan ja kiinteän elektrodin välinen kapasitanssi (C) jaetaan vähintään kahteen osaan (C/n), jotka sijaitsevat välimatkan päässä toisistaan siten, että aaltolinjassa etenevä aaltoteho kytkeytyy kapasitanssin (C) jako-osiin (C/n) perätysten ja kokee kapasitanssin (C) jako-osien (C/n) välillä induktiivisen kuorman (1).
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen anturi, tunnettu siitä, että kukin kapasitanssin (C) jako-osien (C/n) välinen välimatka on pienempi kuin aaltolinjassa etenevän millimetri- tai mikroaaltotehon aallonpituus.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen anturi, tunnettu siitä, että kapasitanssin (C) peräkkäisten jako-osien (C/n) väliset välimatkat ovat oleellisesti yhtä suuret
4. Jonkin patenttivaatimuksen 1-3 mukainen anturi, tunnettu siitä, että jako-osien (C/n) kapasitanssit ovat keskenään oleellisesti yhtä suuret. ·· · a · a · • « .**·.
5. Jonkin patenttivaatimuksen 1-4 mukainen anturi, tunnettu siitä, että voimat, ··· ;*·*; jotka syntyvät millimetri- tai mikroaaltotehon kytkeytyessä kapasitanssin (C) jako-osiin m :' ’ *: (C/n), liikuttavat kaikki yhtä j a samaa liikkumaan sovitettua osaa. mmm mmm "" 20
6. Jonkin patenttivaatimuksen 1-5 mukainen anturi, tunnettu siitä, että • a a a *** kapasitanssin (C) jako-osat (C/n) ovat sähköisesti erillisiä mutta kytkeytyvät .. mekaanisesti toisiinsa. • a a mm m mmm ϊ,,.ί
7. Jonkin patenttivaatimuksen 1-6 mukainen anturi, tunnettu siitä, että a ·*;*· kapasitanssin (C) jako-osien (C/n) lukumäärä on välillä 3-6. a a mmm m m
8. Jonkin patenttivaatimuksen 1-7 mukainen anturi, tunnettu siitä, että aaltolinja m a •. * ♦ · käsittää maalinj an, j oka maadoittaa liikkumaan sovitetun osan. a a a a a • aa a a
9. Jonkin patenttivaatimuksen 1-8 mukainen anturi, tunnettu siitä, että aaltolinja käsittää maalinjan, joka maadoittaa kapasitanssin (C) jako-osat (C/n). 118490
10. Jonkin patenttivaatimuksen 1-9 mukainen anturi, tunnettu siitä, että jako-osien (C/n) välisen induktiivisen kuorman suuruus asetetaan suhteessa kapasitanssin jako-osan (C/n) suuruuteen siten, että millimetri- tai mikroaaltotehon heijastuskerroin halutulla taajuuskaistalla on alle 0,2 ja mieluummin alle 0,1. 5 ·· 1 • · « • · • · *·· • · • · ··· «·« • · 9 9 9 9 9 ··· • m 9 1 ··· ···· ·1· • · • · ·»· «·· ··1· ··· • 1 • · «·· • · • 1 · *·· ··· • · ··· «·« • · • 1 · • 9 9 9 9 9 ·· * · 118490
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI20040903A FI118490B (fi) | 2004-06-29 | 2004-06-29 | Mikromekaaninen anturi mikroaaltotehon mittaamiseen |
PCT/FI2005/000286 WO2006000622A1 (en) | 2004-06-29 | 2005-06-16 | Micromechanical microwave power meter |
EP05756132A EP1761787B1 (en) | 2004-06-29 | 2005-06-16 | Micromechanical microwave power meter |
US11/630,575 US7548074B2 (en) | 2004-06-29 | 2005-06-16 | Micromechanical microwave power meter |
US12/437,725 US7808254B2 (en) | 2004-06-29 | 2009-05-08 | Micromechanical microwave power meter |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI20040903 | 2004-06-29 | ||
FI20040903A FI118490B (fi) | 2004-06-29 | 2004-06-29 | Mikromekaaninen anturi mikroaaltotehon mittaamiseen |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI20040903A0 FI20040903A0 (fi) | 2004-06-29 |
FI20040903A FI20040903A (fi) | 2005-12-30 |
FI118490B true FI118490B (fi) | 2007-11-30 |
Family
ID=32524569
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI20040903A FI118490B (fi) | 2004-06-29 | 2004-06-29 | Mikromekaaninen anturi mikroaaltotehon mittaamiseen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7548074B2 (fi) |
EP (1) | EP1761787B1 (fi) |
FI (1) | FI118490B (fi) |
WO (1) | WO2006000622A1 (fi) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FI118490B (fi) | 2004-06-29 | 2007-11-30 | Valtion Teknillinen | Mikromekaaninen anturi mikroaaltotehon mittaamiseen |
DE102005044330A1 (de) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Epcos Ag | Abstimmbarer Kondensator und Schaltung mit einem solchen Kondensator |
FI118931B (fi) | 2006-03-09 | 2008-05-15 | Valtion Teknillinen | Laite ja menetelmä sähkötehon mittaamiseksi |
CN102175910B (zh) * | 2011-03-08 | 2013-04-24 | 东南大学 | 微电子机械微波功率自动检测系统及其检测方法和制备方法 |
CN102645579B (zh) * | 2011-08-11 | 2014-10-08 | 东南大学 | 四输入微机械悬臂梁热电式微波功率传感器及制备方法 |
US9018937B2 (en) * | 2012-01-17 | 2015-04-28 | Honeywell International Inc. | MEMS-based voltmeter |
DE102016109118A1 (de) * | 2016-05-18 | 2017-11-23 | Infineon Technologies Ag | Schaltkreisarchitektur für eine Messanordnung, einen Pegelwandler-Schaltkreis, eine Ladungspumpstufe und eine Ladungspumpe sowie Verfahren zum Betreiben dieser |
DE102016109114A1 (de) | 2016-05-18 | 2017-11-23 | Infineon Technologies Ag | Schaltkreisarchitektur für eine Messanordnung, einen Pegelwandler-Schaltkreis, eine Ladungspumpstufe und eine Ladungspumpe sowie Verfahren zum Betreiben dieser |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ES2039412T3 (es) * | 1986-12-12 | 1993-10-01 | Gec Alsthom Sa | Dispositivo de transmision de informaciones y/o de instrucciones con banda ancha deslizante entre un elemento movil y una estacion de control. |
US4943764A (en) | 1987-12-11 | 1990-07-24 | Hewlett-Packard Company | Wide dynamic range radio-frequency power sensor |
US5204613A (en) * | 1991-05-02 | 1993-04-20 | Wavetek Microwave, Inc. | Rf power sensor having improved linearity over greater dynamic range |
JPH07191764A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Fujitsu Ltd | 高周波電源装置及びプラズマ発生装置 |
US6242901B1 (en) * | 1999-04-09 | 2001-06-05 | Agilent Technologies Inc. | True average wide dynamic range microwave power sensor using diode stack attenuator-diode stack |
US7330271B2 (en) * | 2000-11-28 | 2008-02-12 | Rosemount, Inc. | Electromagnetic resonant sensor with dielectric body and variable gap cavity |
KR100465235B1 (ko) | 2002-04-16 | 2005-01-13 | 삼성전자주식회사 | 정전용량에 의해 rf 신호에 대한 전력을 측정하는 rf파워센서 |
US6803774B2 (en) | 2002-09-23 | 2004-10-12 | Agilent Technologies, Inc. | MEMS varactor for measuring RF power |
FR2851368B1 (fr) * | 2003-02-18 | 2008-03-07 | Agence Spatiale Europeenne | Composants electroniques comportant des condensateurs micro electromecaniques a capacite ajustable |
FI118490B (fi) | 2004-06-29 | 2007-11-30 | Valtion Teknillinen | Mikromekaaninen anturi mikroaaltotehon mittaamiseen |
-
2004
- 2004-06-29 FI FI20040903A patent/FI118490B/fi active IP Right Grant
-
2005
- 2005-06-16 EP EP05756132A patent/EP1761787B1/en not_active Not-in-force
- 2005-06-16 WO PCT/FI2005/000286 patent/WO2006000622A1/en active Application Filing
- 2005-06-16 US US11/630,575 patent/US7548074B2/en active Active
-
2009
- 2009-05-08 US US12/437,725 patent/US7808254B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080068031A1 (en) | 2008-03-20 |
FI20040903A (fi) | 2005-12-30 |
US7548074B2 (en) | 2009-06-16 |
WO2006000622A1 (en) | 2006-01-05 |
US20090219036A1 (en) | 2009-09-03 |
EP1761787B1 (en) | 2012-09-19 |
US7808254B2 (en) | 2010-10-05 |
EP1761787A1 (en) | 2007-03-14 |
FI20040903A0 (fi) | 2004-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10151778B2 (en) | Voltage sensor housing and assembly including the same | |
FI118490B (fi) | Mikromekaaninen anturi mikroaaltotehon mittaamiseen | |
JP2001525071A (ja) | 物理変量の検出装置及び方法 | |
KR101697975B1 (ko) | 주파수 변조를 이용한 인덕턴스 방식의 변위센서 | |
CN107907749A (zh) | 一种低轴间耦合的三维电场传感器 | |
BR0108366A (pt) | Aparelhos para medir tensão, e, para medir potencial elétrico | |
KR102055599B1 (ko) | 확장 스트로크 위치 센서 | |
BR9807940A (pt) | Aparelho para detecção ou medição elétrica capacitiva em relação a um meio | |
CN102411080B (zh) | 一种光学电场传感器 | |
US10856452B1 (en) | Sensor apparatus | |
Anarghya et al. | Investigation of errors in microcontroller interface circuit for mutual inductance sensor | |
CN101788583A (zh) | 一种高阻抗宽频带高电压分压器的电极结构 | |
EP4243044A2 (en) | Radio frequency circuit having error detection capability | |
CN1108512C (zh) | 水下位移测量方法及其测量装置 | |
CN107782476B (zh) | Mems开关的自吸合功率测试系统及方法 | |
RU2475716C1 (ru) | Чувствительный элемент для измерения физических величин на магнитостатических волнах | |
RU2393444C1 (ru) | Чувствительный элемент датчика физических величин с отражающими структурами | |
EP2733468B1 (en) | Capacitive position encoder | |
Toth et al. | A low-cost, accurate and fast capacitive displacement sensor with microcontroller interfacing | |
SU1796880A1 (ru) | Emkocthый диффepehциaльhый пpeoбpaзobateль пepemeщehий | |
Wani et al. | Design analysis and experimental validation of relaxation oscillator-based circuit for R–C sensors | |
Zhou et al. | Transient analysis of straight thin wire scatterer by multiresolution time-domain integral equation method | |
Kumar | Performance of Rogowski coils at higher frequencies | |
RU1803718C (ru) | Емкостный преобразователь перемещений | |
CN202869511U (zh) | 一种强度型光纤透射式传感器的光路结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FG | Patent granted |
Ref document number: 118490 Country of ref document: FI |