KR100465107B1 - Overvoltage Protection Circuit - Google Patents

Overvoltage Protection Circuit Download PDF

Info

Publication number
KR100465107B1
KR100465107B1 KR1019970019954A KR19970019954A KR100465107B1 KR 100465107 B1 KR100465107 B1 KR 100465107B1 KR 1019970019954 A KR1019970019954 A KR 1019970019954A KR 19970019954 A KR19970019954 A KR 19970019954A KR 100465107 B1 KR100465107 B1 KR 100465107B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
controlled rectifier
fuse
silicon controlled
power supply
protection circuit
Prior art date
Application number
KR1019970019954A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR19980084238A (en
Inventor
김진석
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1019970019954A priority Critical patent/KR100465107B1/en
Publication of KR19980084238A publication Critical patent/KR19980084238A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100465107B1 publication Critical patent/KR100465107B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
    • H02H9/041—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage using a short-circuiting device
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H7/00—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions
    • H02H7/20—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for electronic equipment
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
    • H02H3/20—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess voltage
    • H02H3/202—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess voltage for dc systems

Abstract

가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야:end. The technical field to which the invention described in the claims belongs:

과전압 보호 회로Overvoltage protection circuit

나. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제:I. The technical problem the invention is trying to solve:

전기·전자 기기들의 과전압에 의한 회로 손상을 방지할 수 있는 과전압 보호 회로를 제공한다.Provides an overvoltage protection circuit that can prevent circuit damage due to overvoltage of electrical and electronic devices.

다. 그 발명의 해결방법의 요지:All. The gist of the solution of the invention:

전기·전자 기기의 전원부에 퓨즈를 연결하고, 퓨즈와 기기 사이에 캐소드단이 접지된 실리콘제어정류기의 베이스단을 연결하여, 전원부로 과도한 전압 레벨이 입력될 때 실리콘제어정류기를 동작시켜 전원을 접지단으로 방전한다.Connect the fuse to the power supply part of the electric / electronic device, and connect the base end of the silicon controlled rectifier with the cathode terminal grounded between the fuse and the device, and ground the power supply by operating the silicon control rectifier when an excessive voltage level is input to the power supply part. It discharges in stage.

라. 발명의 중요한 용도:la. Important uses of the invention:

과전압에 의한 기기 손상을 방지하는데 중요히 사용된다.It is important to prevent damage to equipment by over voltage.

Description

과전압 보호 회로Overvoltage protection circuit

본 발명은 과전압 보호 회로에 관한 것으로, 특히 스위칭모드 전원공급장치를 이용하여 직류 전원을 인가받는 전기·전자 기기의 과전압 보호 회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an overvoltage protection circuit, and more particularly, to an overvoltage protection circuit of an electric / electronic device to which DC power is applied using a switching mode power supply.

일반적으로 여러 가지 전기·전자 기기의 사용이 증가하면서 전원선 및 통신회선들이 복잡하게 연결되어 있어서 외부에서 발생하는 아크 등에 의한 서지(surge)나 노이즈에 의한 과전압이 상기 회선들을 통해 기기로 유입되는 경우가 많다. 그에따라 상기 기기들은 상기 서지나 노이즈에 의한 과전압으로 인하여 내부 회로에 손상을 입게 되는 경우가 많다.In general, when the use of various electric and electronic devices increases, the power lines and communication lines are complicatedly connected, so that surges caused by external arcs or overvoltages caused by noise flow into the device through the lines. There are many. Accordingly, the devices are often damaged by internal circuits due to the overvoltage caused by the surge or noise.

특히 최근들어 급격히 사용량이 증가되는 퍼스널 컴퓨터(Personal Computer: 이하 PC라 함)의 CPU, 컨버터, 입·출력 디바이스, 드라이브 등은 스위칭모드 전원공급장치로부터 직접 동작 전압을 인가 받는다. 그러므로 외부의 과전압이 스위칭모드 전원공급장치에 인가될 때 혹은 사용자가 전원을 역삽하는 경우 등이 발생할 때 상기 기기들의 내부 회로는 치명적인 손상을 입게되는 문제점이 있었다.In particular, CPUs, converters, input / output devices, drives, and the like of personal computers (PCs), which are rapidly increasing in recent years, receive an operating voltage directly from a switching mode power supply. Therefore, when an external overvoltage is applied to the switching mode power supply or when the user reverses power, there is a problem that the internal circuits of the devices are fatally damaged.

따라서 본 발명의 목적은 전기·전자 기기들의 과전압에 의한 회로 손상을 방지할 수 있는 과전압 보호 회로를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an overvoltage protection circuit that can prevent circuit damage due to overvoltage of electrical and electronic devices.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 전기·전자 기기의 전원부에 퓨즈를 연결하고, 퓨즈와 기기 사이에 캐소드단이 접지된 실리콘제어정류기의 베이스단을 연결하여, 전원부로 과도한 전압 레벨이 입력될 때 실리콘제어정류기를 동작시켜 전원을 접지단으로 방전하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention connects a fuse to a power supply unit of an electrical and electronic device, and connects a base end of a silicon-controlled rectifier with a cathode terminal grounded between the fuse and the device so that an excessive voltage level is input to the power supply unit. When the silicon controlled rectifier operates to discharge the power to the ground terminal.

이하 본 발명에 따른 바람직한 일 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 하기 설명에서는 구체적인 회로의 구성 소자등과 같은 특정 사항들이 나타나고 있는데 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐 이러한 특정 사항들이 본 발명의 범위 내에서 소정의 변형 혹은 변환이 이루어질 수 있음은 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명하다 할 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In the following description, specific matters such as components of a specific circuit are shown, which are provided to help a more general understanding of the present invention, and such specific matters may be modified or changed within the scope of the present invention. It will be obvious to those skilled in the art.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전기·전자 기기의 과전압 보호 회로도이다. 도 1을 참조하면, 과전압 보호 회로는 직류 입력전원과 전기·전자 기기 전원부(이하 기기 전원부라 함) 사이에 연결된 퓨즈 FS와, 퓨즈 FS와 기기 전원부 사이에 베이스단이 연결되고 캐소드단은 접지된 실리콘제어정류기와 SCR과, 상기 직류 입력전원이 과도한 전압 레벨일 때 상기 실리콘제어정류기 SCR의 게이트단에 동작 전압을 인가하는 실리콘제어정류기구동부 10으로 구성된다.1 is an overvoltage protection circuit diagram of an electric / electronic device according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the overvoltage protection circuit includes a fuse FS connected between a DC input power source and an electrical / electronic device power supply unit (hereinafter referred to as a device power supply unit), a base end connected between the fuse FS and the device power supply unit, and a cathode end of which is grounded. A silicon controlled rectifier and an SCR, and a silicon controlled rectifier driving unit 10 for applying an operating voltage to the gate terminal of the silicon controlled rectifier SCR when the DC input power is at an excessive voltage level.

실리콘제어정류기구동부 10은 캐소드단이 퓨즈 FS와 실리콘제어정류기 SCR의 베이스단 사이의 제1노드 N1에 연결된 제너다이오드 ZD와, 제너다이오드 ZD의 아노드단과 일단이 연결되고 타단은 접지된 저항 R1과, 제너다이오드 ZD의 아노드단과 저항 R1 사이의 제2노드 N2에 일단이 연결되고 일단은 접지된 캐패시터 C로 구성된다. 또한 제2노드 N2는 실리콘제어정류기 SCR의 게이트단과 연결되어있다.The silicon controlled rectifier driving unit 10 includes a zener diode ZD having a cathode terminal connected to the first node N1 between the fuse FS and the base terminal of the silicon controlled rectifier SCR, a resistor R1 having one end connected to the anode terminal of the zener diode ZD and the other end being grounded. One end is connected to the second node N2 between the anode end of the zener diode ZD and the resistor R1, and the first end is formed of a capacitor C grounded. The second node N2 is also connected to the gate terminal of the silicon controlled rectifier SCR.

이하 본 발명의 일 실시예에 따른 상기한 과전압 보호 회로의 동작을 설명한다. 이때 본 발명의 일 실시예가 적용된 기기가 PC이고, 상기한 직류 입력 전원이 12V 일 때를 예를 들어 설명한다.Hereinafter, the operation of the overvoltage protection circuit according to an embodiment of the present invention will be described. At this time, a device to which an embodiment of the present invention is applied is a PC, and the above-described DC input power is 12V.

입력 전원으로 스위칭모드 전원공급장치에서 공급되는 직류 입력전원(12V)이 과전압 보호 회로의 퓨즈 FS를 통해 기기 전원부로 인가된다. 이때 퓨즈 FS는 폴리 스위치(poly switch)이고, 과도한 전류가 흐르면 자동적으로 오픈(open) 된다. 그러나 퓨즈 FS가 미처 오픈되기 전에 과전압이 기기 전원단으로 인가되어 기기의 회로를 손상시킬 수 있다. 통상 PC 기기는 15V 정도의 전압 레벨에서 손상을 받기 시작한다. 그러므로 직류 입력전원의 전압 레벨이 예를 들어 13.2V 정도일 때 실리콘제어정류기구동부 10이 동작되게 하여, 실리콘제어정류기구동부 10의 동작에 의해 실리콘제어정류기 SCR이 구동되어서, 과전압이 실리콘제어정류기 SCR을 통해 접지단으로 방전된다.As input power, DC input power (12V) supplied from the switching mode power supply is applied to the equipment power supply through the fuse FS of the overvoltage protection circuit. In this case, the fuse FS is a poly switch, and automatically opens when excessive current flows. However, before the fuse FS is already open, an overvoltage may be applied to the equipment power supply, damaging the circuitry of the equipment. Normally, PC devices start to be damaged at voltage levels around 15V. Therefore, when the voltage level of the DC input power supply is about 13.2V, for example, the silicon-controlled rectifier drive unit 10 is operated. The silicon-controlled rectifier drive SCR is driven by the operation of the silicon-controlled rectifier drive unit 10, and the overvoltage is supplied through the silicon-controlled rectifier drive SCR. Discharged to ground.

한편 실리콘제어정류기구동부 10이 13.2V의 입력 전압 레벨에서 동작되게 하기 위하여 실리콘제어정류기구동부 10의 제너다이오드 ZD는 제너 항복 전압이 13.2V 이다. 제너다이오드 ZD가 직류 입력 전압의 레벨이 13.2V가 됨에 의해 온 되면 저항 R1에 의해 13.2V의 직류 입력 과전압의 소정 분압 전압이 실리콘제어정류기 SCR의 게이트단으로 입력되어 실리콘제어정류기 SCR을 구동 시킨다. 실리콘제어정류기 SCR이 구동되면, 이후 직류 입력 과전압은 실리콘제어정류기 SCR을 통해 접지단으로 방전되므로 기기 전원단에는 과전압이 인가되지 않는다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따라 실리콘제어정류기 SCR의 게이트단으로 인가되는 동작 전압 레벨은 0.7V이다. 한편 캐패시터 C는 실리콘제어정류기구동부 10의 스위칭 타이밍이 채터링(chattering)되지 않게 하는 기능을 한다.On the other hand, the zener diode ZD of the silicon controlled rectifying drive 10 has a zener breakdown voltage of 13.2V so that the silicon controlled rectifying drive 10 is operated at an input voltage level of 13.2V. When the Zener diode ZD is turned on by the level of the DC input voltage of 13.2V, the predetermined divided voltage of the DC input overvoltage of 13.2V is input to the gate terminal of the silicon controlled rectifier SCR by the resistor R1 to drive the silicon controlled rectifier SCR. When the silicon controlled rectifier SCR is driven, since the DC input overvoltage is discharged to the ground terminal through the silicon controlled rectifier SCR, no overvoltage is applied to the power supply terminal of the device. According to a preferred embodiment of the present invention, the operating voltage level applied to the gate terminal of the silicon controlled rectifier SCR is 0.7V. On the other hand, the capacitor C serves to prevent the switching timing of the silicon-controlled rectifying drive unit 10 from being chattered.

도 2는 도 1 중 실리콘제어정류기구동부 10의 다른 일 실시예를 나타낸 과전압 보호 회로이다. 도 2의 실리콘제어정류기구동부 12의 구성 중 제너다이오드 ZD와, 저항 R1, 캐패시터 C의 구성은 도 1의 실리콘제어정류기구동부 10과 같다. 그런데 도 2에 도시된 바와 같이 실리콘제어정류기구동부 12의 제너다이오드 ZD와 R1 사이의 제2노드 N2는 N채널의 제1트랜지스터 Q1의 베이스단과 연결되어 있다. 또한 트랜지스터 Q1의 컬랙터단과 제1노드 N1은 저항 R2로 연결되어 있고, 트랜지스터 Q1의 이미터단은 N채널의 제2트랜지스터 Q2의 베이스단과 연결되어 있다. 제2트랜지스터 Q2의 컬랙터단은 제1트랜지스터 Q1의 컬랙터단과 저항 R2 사이의 제3노드 N3와 연결되어 있고, 제2트랜지스터 Q2의 이미터단은 저항 R3와 연결되어 있고, 저항 R3의 타단은 접지되어 있다. 상기한 실리콘제어정류기구동부 12의 제2트랜지스터 Q2의 이미터단과 저항 R3 사이의 제4노드 N4는 실리콘제어정류기 SCR의 게이트단과 연결되어 있다.FIG. 2 is an overvoltage protection circuit according to another embodiment of the silicon controlled rectifier driving unit 10 of FIG. 1. Zener diode ZD, resistor R1, and capacitor C of the silicon controlled rectification drive unit 12 of FIG. 2 are the same as the silicon controlled rectification drive unit 10 of FIG. However, as shown in FIG. 2, the second node N2 between the zener diodes ZD and R1 of the silicon controlled rectifier driving unit 12 is connected to the base end of the first transistor Q1 of the N channel. The collector terminal of the transistor Q1 and the first node N1 are connected to the resistor R2, and the emitter terminal of the transistor Q1 is connected to the base terminal of the second transistor Q2 of the N channel. The collector end of the second transistor Q2 is connected to the third node N3 between the collector end of the first transistor Q1 and the resistor R2, the emitter end of the second transistor Q2 is connected to the resistor R3, and the other end of the resistor R3 is grounded. It is. The fourth node N4 between the emitter terminal of the second transistor Q2 of the silicon controlled rectifier driving unit 12 and the resistor R3 is connected to the gate terminal of the silicon controlled rectifier SCR.

상기한 실리콘제어정류기구동부 12의 제너다이오드 ZD에 제너 항복 전압 13.2V가 입력되면, 제1트랜지스터 Q1의 베이스단으로 13.2V의 소정 분압된 전압이 인가되어 제1트랜지스터 Q1이 턴온된다. 제1트랜지스터 Q1이 턴온되면, 제2트랜지스터 Q2가 턴온되어 결국 제1노드 N1과 접지 사이에 저항 R2와 R3가 직렬로 연결된 형태가 된다. 이후 저항 R2와 R3에 의해 직류 입력 과전압의 소정 분압된 전압이 실리콘제어정류기 SCR을 구동시키고, 이후 직류 입력 과전압은 실리콘제어정류기 SCR을 통해 접지단으로 방전된다. 이러한 제1트랜지스터 Q1과, 제2트랜지스터 Q2를 이용하여 실리콘제어정류기 SCR를 좀더 정확하게 제어할 수 있다.When the Zener breakdown voltage 13.2V is input to the zener diode ZD of the silicon controlled rectifier driving unit 12, a predetermined divided voltage of 13.2V is applied to the base terminal of the first transistor Q1 to turn on the first transistor Q1. When the first transistor Q1 is turned on, the second transistor Q2 is turned on so that the resistors R2 and R3 are connected in series between the first node N1 and the ground. Thereafter, a voltage divided by a predetermined DC input overvoltage by the resistors R2 and R3 drives the silicon controlled rectifier SCR, and then the DC input overvoltage is discharged to the ground terminal through the silicon controlled rectifier SCR. The first transistor Q1 and the second transistor Q2 may be used to more accurately control the silicon controlled rectifier SCR.

한편 상기한 회로에서 퓨즈 FS는 일정시간이 지나는 동안 폴리 스위치의 특성상 다시 원상태, 즉 도통된 상태로 돌아오기 때문에 일정시간 경과 후 PC를 다시 온 시켜서 원상태로 사용할 수 있다. On the other hand, in the circuit described above, the fuse FS returns to its original state, that is, the conduction state, due to the nature of the poly switch for a predetermined time, so that the PC can be turned on again after a predetermined time.

상기한 바와 같이 본 발명은 전기·전자 기기의 전원부에 퓨즈를 연결하고, 퓨즈와 기기 사이에 캐소드단이 접지된 실리콘제어정류기의 베이스단을 연결하여, 전원부로 과도한 전압 레벨이 입력될 때 실리콘제어정류기를 동작시켜 전원을 접지단으로 방전하므로 전기·전자 기기들의 과전압에 의한 회로 손상을 방지할 수 있는 장점이 있다.As described above, the present invention connects a fuse to a power supply unit of an electrical and electronic device, and connects a base end of a silicon controlled rectifier with a cathode terminal grounded between the fuse and the device, so that an excessive voltage level is input to the power supply unit. Since the power is discharged to the ground terminal by operating the rectifier, there is an advantage to prevent circuit damage due to overvoltage of electrical and electronic devices.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전기·전자 기기의 과전압 보호 회로도1 is an overvoltage protection circuit diagram of an electric / electronic device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1 중 실리콘제어정류기구동부의 다른 일 실시예를 나타낸 과전압 보호 회로도FIG. 2 is a circuit diagram illustrating an overvoltage protection circuit according to another exemplary embodiment of the silicon controlled rectifier driving unit of FIG. 1.

Claims (1)

스위칭모드 전원공급장치를 이용하여 직류 전원을 인가받는 전기·전자 기기의 과전압 보호 회로에 있어서,In the overvoltage protection circuit of an electric / electronic device to which DC power is applied using a switching mode power supply, 상기 직류 전원과 상기 기기 사이에 연결된 퓨즈와,A fuse connected between the DC power supply and the device; 상기 퓨즈와 상기 기기 사이에 베이스단이 연결되고 캐소드단은 접지된 실리콘제어정류기와,A silicon controlled rectifier having a base end coupled between the fuse and the device and a cathode end grounded; 상기 퓨즈와 상기 실리콘제어정류기의 캐소드단 사이에 캐소드단이 연결되고 아노드단은 제1저항을 통해 접지되는 제너다이오드와,A zener diode connected between the fuse and the cathode end of the silicon controlled rectifier and the anode end of which is grounded through a first resistor; 상기 제너다이오드의 아노드단과 베이스단이 연결되며, 컬랙터단은 제2저항을 통해 상기 퓨즈와 상기 실리콘제어정류기의 캐소드단 사이에 연결되는 제1트랜지스터와,An anode end of the zener diode and a base end are connected, and a collector end includes a first transistor connected between the fuse and the cathode end of the silicon controlled rectifier through a second resistor; 상기 퓨즈와 상기 실리콘제어정류기의 캐소드단 사이에 상기 제2저항을 통해 컬랙터단이 연결되며 이미터단은 제3저항을 통해 접지되며, 베이스단은 상기 제1트랜지스터의 이미터단과 연결되는 제2트랜지스터를 포함하여 구성함을 특징으로 하는 과접압 보호 회로.A second transistor is connected between the fuse and the cathode terminal of the silicon controlled rectifier through the second resistor, the emitter terminal is grounded through a third resistor, and the base terminal is connected to the emitter terminal of the first transistor. Overvoltage protection circuit, characterized in that comprising a.
KR1019970019954A 1997-05-22 1997-05-22 Overvoltage Protection Circuit KR100465107B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970019954A KR100465107B1 (en) 1997-05-22 1997-05-22 Overvoltage Protection Circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970019954A KR100465107B1 (en) 1997-05-22 1997-05-22 Overvoltage Protection Circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980084238A KR19980084238A (en) 1998-12-05
KR100465107B1 true KR100465107B1 (en) 2005-04-06

Family

ID=37302032

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970019954A KR100465107B1 (en) 1997-05-22 1997-05-22 Overvoltage Protection Circuit

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100465107B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101547909B1 (en) 2011-02-02 2015-08-27 캐논 가부시끼가이샤 Power source circuit

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100415258B1 (en) * 2000-12-27 2004-01-14 주식회사 만도 Apparatus for removing over-voltage of micom
TW200620675A (en) 2004-08-04 2006-06-16 Samsung Electronics Co Ltd Thin film transistor array panel and liquid crystal display
KR100892430B1 (en) * 2007-08-14 2009-04-10 엘지이노텍 주식회사 Circuit for preventing damage due to open of connector in inverter for LCD back light
CN102882181B (en) * 2012-09-29 2015-02-25 深圳市新国都技术股份有限公司 Reverse protection and overvoltage protection circuit based on bidirectional silicon-controlled thyristor

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR890005736U (en) * 1987-08-12 1989-04-21 삼성전자 주식회사 Overvoltage protection circuit for large capacity equipment
KR900003843A (en) * 1988-08-31 1990-03-27 서주인 Drive of tape recorder
US5164874A (en) * 1988-10-20 1992-11-17 Sharp Kabushiki Kaisha Apparatus for protecting against overvoltage
JPH0863241A (en) * 1994-08-18 1996-03-08 Murata Mfg Co Ltd Overcurrent protecting circuit of power unit

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR890005736U (en) * 1987-08-12 1989-04-21 삼성전자 주식회사 Overvoltage protection circuit for large capacity equipment
KR900003843A (en) * 1988-08-31 1990-03-27 서주인 Drive of tape recorder
US5164874A (en) * 1988-10-20 1992-11-17 Sharp Kabushiki Kaisha Apparatus for protecting against overvoltage
JPH0863241A (en) * 1994-08-18 1996-03-08 Murata Mfg Co Ltd Overcurrent protecting circuit of power unit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101547909B1 (en) 2011-02-02 2015-08-27 캐논 가부시끼가이샤 Power source circuit

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980084238A (en) 1998-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4227124B2 (en) Fan module hot swap circuit system
KR102379554B1 (en) Protection circuit
US6816348B2 (en) Input protection circuit of a handheld electric device
US5410441A (en) Circuit for protecting DC powered devices from improper supply voltages
EP0915551A2 (en) Schmitt trigger-configured ESD protection circuit
KR980006248A (en) Integrated circuit with high voltage protection circuit
JPH08213619A (en) Device including circuit for protecting load from excessive input voltage,and method for protecting load from excessive input voltage
JPH0213115A (en) Field effect power transistor driving circuit
JP3506489B2 (en) Reverse battery protection circuit
CN111355225A (en) Power supply clamping circuit and integrated circuit chip
KR100465107B1 (en) Overvoltage Protection Circuit
JP2002151989A (en) Clamp circuit
JP2006115594A (en) Malfunction preventing circuit
US5898327A (en) Low-power reset signal generating circuit improved in voltage rising characteristic
JP2002093264A (en) Contact damage preventing circuit
KR100536577B1 (en) Surge/inrush current limitimg circuit of portable electronic apparatus
CN111342442A (en) Reverse connection prevention power supply protection circuit, power supply management system and robot
KR20080109592A (en) Input apparatus for supplying power
CN216434877U (en) Backflow-preventing high-voltage-resistant power switch circuit and terminal equipment
CN210578471U (en) Overvoltage protection circuit
US11545885B2 (en) Auxiliary power supply circuit operating within a wide input voltage range
US20220247404A1 (en) Power switch drive circuit and device
KR20010019944A (en) Circuit for protecting short of DC-DC converter
KR930001681Y1 (en) Tr protective circuit
KR200176401Y1 (en) Circuit of preventing rush current of capacitor

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee