KR100463910B1 - Supply method of process element supplied to manufacturing equipment of semiconductor device - Google Patents

Supply method of process element supplied to manufacturing equipment of semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
KR100463910B1
KR100463910B1 KR1019970014052A KR19970014052A KR100463910B1 KR 100463910 B1 KR100463910 B1 KR 100463910B1 KR 1019970014052 A KR1019970014052 A KR 1019970014052A KR 19970014052 A KR19970014052 A KR 19970014052A KR 100463910 B1 KR100463910 B1 KR 100463910B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
supply
supplying
supplied
process element
semiconductor device
Prior art date
Application number
KR1019970014052A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR19980077083A (en
Inventor
서정근
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1019970014052A priority Critical patent/KR100463910B1/en
Publication of KR19980077083A publication Critical patent/KR19980077083A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100463910B1 publication Critical patent/KR100463910B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00Programme-control systems
    • G05B19/02Programme-control systems electric
    • G05B19/418Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS], computer integrated manufacturing [CIM]
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/45Nc applications
    • G05B2219/45031Manufacturing semiconductor wafers

Abstract

본 발명은 반도체장치의 제조설비에 공급되는 공정요소의 공급방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for supplying a process element supplied to a manufacturing facility of a semiconductor device.

본 발명은, 제조설비에 공급되는 각각의 공정요소를 사전 설정된 포인트로 안정하게 공급하기 위한 반도체장치의 제조설비에 공급되는 공정요소의 공급방법에 있어서, 상기 공정요소를 상기 설정된 포인트보다 낮은 포인트에서부터 점진적으로 상기 설정된 포인트까지로 공급함을 특징으로 한다.The present invention provides a method of supplying a process element supplied to a manufacturing facility of a semiconductor device for stably supplying each process element supplied to a manufacturing facility to a predetermined point, the process element being supplied from a point lower than the set point. It is characterized by gradually supplying up to the set point.

따라서, 오버 슛 현상을 방지하여 제조설비의 관리의 효율성이 향상되고, 또한 제조공정에서의 불량이 제거되어 생산성이 향상되는 효과가 있다.Therefore, the overshoot phenomenon is prevented, so that the efficiency of management of the manufacturing equipment is improved, and defects in the manufacturing process are eliminated, thereby improving productivity.

Description

반도체장치의 제조설비에 공급되는 공정요소의 공급방법Supply method of process element supplied to manufacturing equipment of semiconductor device

본 발명은 반도체장치의 제조설비에 공급되는 공정요소의 공급방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 제조설비에 공급되는 공정요소(Recipe)를 점진적으로 공급함으로써 오버 슛(Over Shoot) 현상을 방지하여 제조설비의 효율성의 향상 및 제조공정의 불량을 제거시킨 반도체장치의 제조설비에 공급되는 공정요소의 공급방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for supplying process elements supplied to a manufacturing facility of a semiconductor device, and more particularly, to prevent overshooting by gradually supplying process elements supplied to a manufacturing facility. The present invention relates to a method for supplying process elements supplied to a manufacturing apparatus of a semiconductor device which improves the efficiency of the equipment and eliminates defects in the manufacturing process.

일반적으로 반도체장치는 확산공정, 사진공정, 식각공정, 불순물주입공정, 증착공정 등을 반복, 수행하여 제조된다.In general, a semiconductor device is manufactured by repeatedly performing a diffusion process, a photo process, an etching process, an impurity implantation process, and a deposition process.

여기서 상기 공정들의 수행에는 수많은 제조설비들을 이용하고, 상기 제조설비들은 각각의 공정조건에 적합하게 모든 공정요소 즉, 전원, 가스량 및 압력 등과 같은 공정요소들이 사전에 설정되어 있고, 상기 공정요소들을 적절하게 제조설비에 공급하여 최적의 조건하에서 공정을 수행한다.Here, a number of manufacturing facilities are used to perform the processes, and the manufacturing facilities are pre-set all process elements, i.e., power supply, gas amount, pressure, etc., to suit the respective process conditions, and the process elements are appropriately set. It is then supplied to the manufacturing facility to carry out the process under optimum conditions.

이러한 공정수행에서 상기 공정요소들의 사전 설정된 포인트는 상기 공정의 최적의 조건을 유지시켜 주는 것으로써, 공정수행시 항상 안정적으로 공급이 이루어져야 한다.In this process, the predetermined point of the process elements is to maintain the optimum conditions of the process, so that the supply must always be stable during the process.

즉, 상기 공정요소들이 사전 설정된 포인트로의 공급이 안정하게 이루어지지 않으면 제조설비의 손상 및 제조공정에서의 불량과 바로 직결되기 때문이다.That is, if the process elements are not supplied to a predetermined point stably, the process elements are directly connected to the damage of the manufacturing equipment and defects in the manufacturing process.

그러나 종래의 공정요소들의 공급은 도1과 같이 공정요소의 공급이 이루어질 때 상기 사전 설정된 포인트보다 일시적으로 높은 포인트로 공급이 이루어지는 오버 슛 현상이 발생하였다.However, in the conventional supply of process elements, an overshoot phenomenon occurs in which supply is made to a point temporarily higher than the predetermined point when supplying process elements is performed as shown in FIG. 1.

즉, 제조설비에 각각의 공정요소들의 공급이 시작되는 시간부터 안정적인 공급이 이루어지기 까지는 일정시간(t1)이 소요되는 것으로써, 일시적인 오버 슛 현상으로 인해 상기 공정요소들이 사전 설정된 포인트로 공급이 이루어지는 상기 일정시간(t1)까지는 제조설비에 손상이 가해질 뿐만 아니라 제조공정에서도 발생되었다.That is, it takes a certain time (t1) from the start of the supply of each process element to the manufacturing equipment until a stable supply, the process elements are supplied to a predetermined point due to the temporary overshoot phenomenon Until the predetermined time (t1) not only damage to the manufacturing equipment, but also occurred in the manufacturing process.

예를 들어 제조설비에 인가되는 전원이 5V로 설정되어 있다면, 상기 전원의 인가시 인가직후 수초 동안은5V보다 높거나 낮게 공급이 이루어지다가 일정시간이 소요된 후에 5V의 안정적인 공급이 이루어지는 현상을 나타낸다.For example, if the power applied to the manufacturing equipment is set to 5V, the supply is higher or lower than 5V for a few seconds immediately after the application of the power supply, the stable supply of 5V is achieved after a certain time. .

여기서 상기 일정시간(t1)동안 설정된 포인트보다 낮게 공급이 이루어질 때에는 큰 문제가 발생되지 않지만, 상기 설정된 포인트보다 높게 공급이 이루어질 때에는 오버 슛으로 인해 제조설비에 손상을 입혔고, 제조공정에서는 불량이 발생되었다.In this case, when the supply is lower than the set point for the predetermined time t1, a large problem does not occur, but when the supply is higher than the set point, the manufacturing equipment is damaged due to overshoot, and a defect is generated in the manufacturing process. .

이에 따라 미합중국 특허 제5,259,922호에서는 식각설비에 인가되는 전원을 일정수준 이상으로 공급하는 것을 설명하였지만, 상기 미합중국 특허에서는 오버 슛에 의한 문제점을 해결하고자 하는 것은 아니었다.Accordingly, although US Patent No. 5,259,922 describes supplying power applied to an etching facility to a predetermined level or more, the US Patent does not intend to solve the problem caused by overshoot.

종래의 제조설비에 공급되는 공정요소들은 일정시간(t1)동안 일시적으로 발생하는 오버 슛 현상으로 인해 제조설비에 손상을 입혔고, 또한 제조공정의 수행에서는 불량이 발생되었다.Process elements supplied to the conventional manufacturing equipment are damaged due to the overshooting phenomenon that occurs temporarily for a predetermined time (t1), and also defective in the performance of the manufacturing process.

따라서 종래의 공정요소의 공급은 오버 슛 현상으로 인해 제조설비의 효율적인 관리가 힘들었고, 또한 공정수행시 불량이 발생되어 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.Therefore, the supply of the conventional process element is difficult to efficiently manage the manufacturing equipment due to the overshoot phenomenon, and also there is a problem that the productivity is reduced due to a defect occurs during the process.

본 발명의 목적은, 제조설비에 공급되는 공정요소들의 점진적인 공급함으로써 오버 슛 현상을 방지하여 제조설비를 효율적으로 관리하고, 공정수행시 불량을 제거하여 생산성을 향상시키기 위한 반도체장치의 제조설비에 공급되는 공정요소의 공급방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention, by gradually supplying the process elements supplied to the manufacturing equipment to prevent the overshoot phenomenon to efficiently manage the manufacturing equipment, to supply the manufacturing equipment of the semiconductor device to improve the productivity by removing defects during the process performance It is to provide a method of supplying the process elements.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체장치의 제조설비에 공급되는 공정요소의 공급방법은, 제조설비에 공급되는 각각의 공정요소를 사전 설정된 포인트로 안정하게 공급하기 위한 반도체장치의 제조설비에 공급되는 공정요소의 공급방법에 있어서, 상기 공정요소를 상기 설정된 포인트보다 낮은 포인트에서부터 점진적으로 상기 설정된 포인트까지로 공급함을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a method of supplying a process element supplied to a manufacturing apparatus of a semiconductor device according to the present invention is provided to a manufacturing apparatus of a semiconductor device for stably supplying each process element supplied to a manufacturing facility to a predetermined point. The method for supplying a process element to be supplied, characterized in that for supplying the process element from the lower point than the set point to the set point gradually.

상기 제조설비는 식각설비인 것이 바람직하다.Preferably, the manufacturing facility is an etching facility.

상기 점진적인 공급은 2단계 내지 10단계로 이루어지고, 바람직하기로는 3단계 내지 5단계로 이루어지는 것이 효율적이다.The gradual supply is made up of two to ten steps, preferably three to five steps.

상기 제조설비에 공급되는 공정요소는 전기를 인가시키는 전원, 가스의 공급 또는 압력의 공급인 것이 바람직하다.The process element supplied to the manufacturing facility is preferably a power supply for applying electricity, a supply of gas or a supply of pressure.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도2는 본 발명에 따른 반도체장치의 제조설비에 공급되는 공정요소의 공급방법의 일 실시예를 나타내는 그래프이다.2 is a graph showing an embodiment of a method for supplying process elements supplied to a manufacturing facility of a semiconductor device according to the present invention.

먼저, X축은 시간을 나타내는 시간축이고, Y축은 공정요소의 각각의 포인트를 나타내는 공정요소축으로써, 제조설비에 공급되는 공정요소를 사전에 설정된 포인트까지로의 공급을 시간에 대한 함수로 나타낸 것이다.First, the X axis is a time axis representing time, and the Y axis is a process element axis representing each point of the process element, and represents a supply of process elements supplied to the manufacturing facility to a predetermined point as a function of time.

이러한 구성으로 이루어지는 본 발명은, 공정수행시 제조설비에 공급되는 각각의 공정요소들의 공급시 점진적으로 공정요소들을 공급함으로써 오버 슛 현상을 방지한다.The present invention having such a configuration prevents an overshooting phenomenon by gradually supplying process elements at the time of supplying respective process elements supplied to the manufacturing facility during the process execution.

즉, 처음부터 공정요소를 설정된 포인트로 공급하는 것이 아니라 단계적으로 공급하는 것으로써, 일정시간(t2) 동안 점진적으로 사전 설정된 포인트에 접근시킨다.In other words, by gradually supplying the process element to the set point from the beginning, it gradually approaches the predetermined point for a predetermined time t2.

본 발명의 상기 점진적인 공급은 2단계 내지 10단계로 공급이 이루어질 수 있고, 실시예는 3단계로 나누어서 제조설비에 공정요소를 공급한다.The gradual supply of the present invention can be supplied in two to ten stages, the embodiment is divided into three stages to supply the process elements to the manufacturing facility.

다시 말해 도2와 같이 공정요소가 사전 설정된 포인트에 이르는 일정시간(t2)동안 먼저, 제 1 포인트로 공정요소의 공급을 진행한 다음, 제 2 포인트로 다시 공정요소의 공급을 진행한 후, 설정된 포인트로 공정요소의 공급을 수행하는 것이다.In other words, as shown in FIG. 2, the process element is first supplied to the first point for a predetermined time t2 until the process element reaches a preset point, and then the process element is supplied to the second point again. The point is to carry out the supply of process elements.

예를 들어 제조설비에 5V의 전압을 인가시키려 할 때 먼저, 2V의 전압을 인가시킨 다음, 3.5V로 인가시킨 후, 5V의 전압을 인가시킨다.For example, when a voltage of 5V is applied to a manufacturing facility, first, a voltage of 2V is applied, followed by 3.5V, and then a voltage of 5V.

이러한 일정시간(t2)동안 사전 설정된 포인트보다 낮은 포인트부터 점진적으로 공정요소의 공급이 이루어지는 본 발명은 공정요소의 공급시 상기 설정된 포인트보다 낮은 포인트로의 공급이 제조설비에 손상을 거의 끼치지 않고, 또한 제조공정에서 불량이 거의 발생되지 않는 것을 이용한다.In the present invention in which the process element is gradually supplied from the point lower than the predetermined point during the predetermined time t2, the supply to the point lower than the set point during the supply of the process element causes little damage to the manufacturing equipment. In addition, it uses the thing which hardly produces defect in a manufacturing process.

그리고 본 발명의 공정요소는 공정수행시 제조설비에 공급되는 공정요소중에서 제조설비에 인가되는 전원, 가스의 공급 및 압력의 공급인 것이 더욱 효율적이다.In addition, the process element of the present invention is more efficient than the process element supplied to the manufacturing facility at the time of performing the power supply, the supply of gas and the supply of pressure applied to the manufacturing facility.

이에 따라 상기 제조설비에 공급되는 전원, 가스 및 압력이 사전 설정된 포인트로 안정하게 공급이 이루어질 때 최적의 조건에서 공정을 수행할 수 있다.Accordingly, when the power, gas and pressure supplied to the manufacturing facility is stably supplied to a predetermined point, the process may be performed under optimal conditions.

예를 들어 식각공정수행시 상기 공정요소들이 설정된 포인트로 본 발명과 같이 일정시간동안 점진적으로 공급이 이루어질 때 공정수행 후, 평가되는 막질의 선택비, 식각율 및 균일도 등이 최적으로 형성된다.For example, during the etching process, when the process elements are gradually supplied for a predetermined time as set points in the present invention, after performing the process, the selectivity, etching rate and uniformity of the film to be evaluated are optimally formed.

이러한 본 발명은 점진적, 즉, 일정시간(t2)동안 사전 설정된 포인트보다 낮은 포인트에서부터 단계적으로상기 설정된 포인트까지로 공정요소를 공급함으로써 오버 슛 현상을 방지하여 제조설비에 손상을 입히지 않고, 또한 최적의 조건하에서 공정을 수행할 수 있어 이로 인한 불량을 방지할 수 있다.The present invention is progressive, that is, by supplying the process element from the point lower than the predetermined point to the set point step by step for a predetermined time (t2) to prevent the overshoot phenomenon, without damaging the manufacturing equipment, and also optimal The process can be carried out under conditions, thereby preventing the defects caused by this.

따라서, 본 발명에 의하면 오버 슛 현상을 방지하여 제조설비의 관리의 효율성이 향상되고, 또한 제조공정에서의 불량이 제거되어 생산성이 향상되는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, it is possible to prevent the overshooting phenomenon, thereby improving the efficiency of management of the manufacturing equipment, and also improving the productivity by eliminating defects in the manufacturing process.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.

도1은 종래의 반도체장치의 제조설비에 공급되는 공정요소의 공급방법을 나타내는 그래프이다.1 is a graph showing a method of supplying process elements supplied to a manufacturing apparatus of a conventional semiconductor device.

도2는 본 발명에 따른 반도체장치의 제조설비에 공급되는 공정요소의 공급방법의 일 실시예를 나타내는 그래프이다.2 is a graph showing an embodiment of a method for supplying process elements supplied to a manufacturing facility of a semiconductor device according to the present invention.

Claims (6)

제조설비에 공급되는 각각의 공정요소를 사전 설정된 포인트로 안정하게 공급하기 위한 반도체장치의 제조설비에 공급되는 공정요소의 공급방법에 있어서,A method of supplying process elements supplied to a manufacturing facility of a semiconductor device for stably supplying each process element supplied to a manufacturing facility to a predetermined point, 상기 공정요소의 공급에 따른 오버슛 현상이 나타나지 않도록 상기 설정된 포인트에 이르는 일정시간 동안 상기 공정요소를 상기 설정된 포인트보다 낮은 포인트에서부터 점진적으로 상기 설정된 포인트로까지 상승시켜 공급하되,The process element is gradually raised from the point lower than the set point to the set point for a predetermined time to reach the set point so that the overshoot phenomenon according to the supply of the process element does not appear, 상기 점진적인 공급은 2단계 내지 10단계로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체장치의 제조설비에 공급되는 공정요소의 공급방법.And the gradual supplying is performed in two to ten steps. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제조설비는 식각설비임을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 제조설비에 공급되는 공정요소의 공급방법.And the manufacturing facility is an etching facility. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 점진적인 공급이 바람직하기로는 3단계 내지 5단계로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 제조설비에 공급되는 공정요소의 공급방법.The method for supplying a process element supplied to the manufacturing equipment of the semiconductor device, characterized in that the gradual supply is preferably made of three to five steps. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제조설비에 공급되는 공정요소는 전기를 인가시키는 전원임을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 제조설비에 공급되는 공정요소의 공급방법.And a process element supplied to the manufacturing facility is a power source for applying electricity. 제조설비에 공급되는 공정요소인 가스를 사전 설정된 포인트로 안정하게 공급하기 위한 반도체장치의 제조설비에 공급되는 공정요소의 공급방법에 있어서,In the supply method of the process element supplied to the manufacturing equipment of the semiconductor device for stably supplying the gas, which is a process element supplied to the manufacturing equipment to a predetermined point, 상기 가스의 공급에 따른 오버슛 현상이 나타나지 않도록 상기 설정된 포인트에 이르는 일정시간 동안 상기 가스를 상기 설정된 포인트보다 낮은 포인트에서부터 점진적으로 상기 설정된 포인트로 까지 상승시켜 공급하는 반도체장치의 제조설비에 공급되는 공정요소의 공급방법.A process of supplying the gas to a manufacturing facility of a semiconductor device that gradually raises the gas from a point lower than the set point to the set point for a predetermined time until the set point does not appear due to the supply of the gas. Method of supply of urea. 제조설비에 공급되는 공정요소인 압력을 사전 설정된 포인트로 안정하게 공급하기 위한 반도체장치의 제조설비에 공급되는 공정요소의 공급방법에 있어서,In the supply method of the process element supplied to the manufacturing equipment of the semiconductor device for stably supplying the pressure which is the process component supplied to the manufacturing equipment to a predetermined point, 상기 압력의 공급에 따른 오버슛 현상이 나타나지 않도록 상기 설정된 포인트에 이르는 일정시간 동안 상기 압력을 상기 설정된 포인트보다 낮은 포인트에서부터 점진적으로 상기 설정된 포인트로 까지 상승시켜 공급하는 반도체장치의 제조설비에 공급되는 공정요소의 공급방법.The step of supplying the pressure to the set point of the semiconductor device to gradually increase the pressure from the point lower than the set point to the set point for a predetermined time to reach the set point so that the overshoot phenomenon due to the supply of pressure does not appear Method of supply of urea.
KR1019970014052A 1997-04-16 1997-04-16 Supply method of process element supplied to manufacturing equipment of semiconductor device KR100463910B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970014052A KR100463910B1 (en) 1997-04-16 1997-04-16 Supply method of process element supplied to manufacturing equipment of semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970014052A KR100463910B1 (en) 1997-04-16 1997-04-16 Supply method of process element supplied to manufacturing equipment of semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980077083A KR19980077083A (en) 1998-11-16
KR100463910B1 true KR100463910B1 (en) 2005-04-08

Family

ID=37301980

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970014052A KR100463910B1 (en) 1997-04-16 1997-04-16 Supply method of process element supplied to manufacturing equipment of semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100463910B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0567594A (en) * 1991-09-05 1993-03-19 Matsushita Electron Corp Plasma etching method
JPH06318552A (en) * 1993-05-10 1994-11-15 Nissin Electric Co Ltd Plasma processing and its apparatus
JPH08162293A (en) * 1994-12-05 1996-06-21 Tokyo Electron Ltd Plasma treatment apparatus and control method
KR100305134B1 (en) * 1995-07-28 2001-11-30 순페이 야마자끼 Etching method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0567594A (en) * 1991-09-05 1993-03-19 Matsushita Electron Corp Plasma etching method
JPH06318552A (en) * 1993-05-10 1994-11-15 Nissin Electric Co Ltd Plasma processing and its apparatus
JPH08162293A (en) * 1994-12-05 1996-06-21 Tokyo Electron Ltd Plasma treatment apparatus and control method
KR100305134B1 (en) * 1995-07-28 2001-11-30 순페이 야마자끼 Etching method

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980077083A (en) 1998-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20050049903A (en) Wafer edge etcher
KR100425475B1 (en) Method for cleaning damage layers and polymer residue from semiconductor device
CN111223756A (en) Wafer cleaning method and semiconductor device manufacturing method
KR100463910B1 (en) Supply method of process element supplied to manufacturing equipment of semiconductor device
JP4810076B2 (en) Substrate processing method and chemical used therefor
US6394104B1 (en) Method of controlling and improving SOG etchback etcher
US6374832B2 (en) Waferless seasoning process
US6069785A (en) Method for restoring an electrostatic chuck force
KR100213439B1 (en) Method of depositing film on wafer not using dummy wafer
US20080271751A1 (en) Apparatus and method for cleaning semiconductor wafer
KR100453578B1 (en) Pre-cleaning method of substrate before silicon epitaxial layer growth
JP2022096079A (en) Method for manufacturing element chip
KR100266671B1 (en) Method for controlling charged particle of plasma etcher in semiconductor
CN113192832A (en) Substrate processing method and substrate processing system
KR100390210B1 (en) Method for controlling an etching process of semiconductor
JP4866347B2 (en) Reduction of plasma ignition pressure
KR100724214B1 (en) Radio frequency power purge method on plasma chamber
JPH10135097A (en) Scheduling method in semiconductor manufacturing system
KR100223968B1 (en) Semiconductor chemical supply system
KR100223933B1 (en) Semiconductor etching device and polysilicon etching method
KR19980065674A (en) Gas safety method of plasma equipment
KR20220020775A (en) Etching method and plasma processing system
KR100558472B1 (en) Method for Releasing Wafer from Electric Static Chuck for Radio Frequency Etching Process
JP2005159342A (en) Method of treating substrate and chemical used therefor
KR200205146Y1 (en) Wet station for semiconductor wafer

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee